CN112420674A - 套刻对准标记和套刻误差测量方法 - Google Patents

套刻对准标记和套刻误差测量方法 Download PDF

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Abstract

本发明实施例公开了一种套刻对准标记和套刻误差测量方法，通过设置在待测晶片的厚度方向上，前层标记图案沿第一方向延伸的第一侧边的至少部分、第二侧边的至少部分和当层标记图案暴露，前层标记图案的第一侧边与当层标记图案之间，以及前层标记图案的第二侧边与当层标记图案之间包括刻蚀区，该刻蚀区内不包括当层的结构，而可以包括前层的结构，因此进行电子束扫描时，当层标记图案和前层标记图案相当于在一个平面内，进而使得电子束扫描得到的SEM图像可以清楚的显示出当层标记图案和前层标记图案的边界，进而可以根据第一侧边与当层标记图案的最小距离以及第二侧边与当层标记图案的最小距离得到准确的套刻误差。

Description

套刻对准标记和套刻误差测量方法
技术领域
本发明实施例涉及半导体制造及检测技术领域，尤其涉及一种套刻对准标记和套刻误差测量方法。
背景技术
在半导体器件制造技术中，在多层光刻工艺中，各个工艺层之间的对准是对生产过程的基本要求之一，因而必须对层间套刻误差进行测量和校正，以实现所需的套刻精度，以确保各层之间的精确套刻对准。
目前对于套刻误差的测量均采用光学测量方式进行测量，套刻误差的测量时或容易受到干扰，使得套刻误差的测量不准确。
发明内容
本发明提供一种套刻对准标记和套刻误差测量方法，以实现提高套刻误差测量的准确性。
第一方面，本发明实施例提供了一种套刻对准标记，，包括：
位于待测晶片上的当层标记图案和位于相对于当层标记图案的前层标记图案；
在待测晶片的厚度方向上，前层标记图案沿第一方向延伸的第一侧边的至少部分、第二侧边的至少部分和当层标记图案暴露；第一侧边和第二侧边为前层标记图案在第二方向上相对的两条侧边，且第一侧边和第二侧边在第一方向上对称；
且在平行于待测晶片表面的方向上，在第一侧边与前层标记图案之间以及第二侧边与前层标记图案之间，待测晶片包括刻蚀区，在刻蚀区，当层标记图案所在当层被完全刻蚀；
第二方向为套刻误差测量方向，第一方向与第二方向相交。
可选的，当层标记图案包括第一实体图案，前层标记图案包括第一镂空图案，第一实体图案在前层上的正交投影位于第一镂空图案的第一侧边和第二侧边之间。
可选的，前层与当层相邻。
可选的，当层标记图案包括至少两个第一实体图案，前层标记图案包括至少一个第二实体图案，第一实体图案和第二实体图案位于同一层上且间隔设置，在第二方向上，位于两第一实体图案之间的第二实体图案在第二方向上相对的两条侧边分别作为第一侧边和第二侧边。
可选的，当层标记图案包括至少一个第一实体图案，前层标记图案包括至少两个第二实体图案，第一实体图案和第二实体图案位于同一层上且间隔设置，在第二方向上，位于第一实体图案两侧的两个第二实体图案中，在第一侧的第二实体图案中，在第二方向上距离第一实体图案最近的侧边作为第一侧边，在第二侧的第二实体图案中，在第二方向上距离第一实体图案最近的侧边作为第二侧边。
可选的，第一实体图案和第二实体图案形状相同且平行设置。
可选的，当层标记图案包括第二镂空图案，前层标记图案包括第三实体图案，在待测晶片的厚度方向上，第二镂空图案中暴露有至少部分第三实体图案；且第三实体图案被暴露部分包括至少部分第一侧边和至少部分第二侧边。
可选的，前层与当层相邻或者间隔。
可选的，其特征在于，在第二方向上，镂空图案的尺寸大于或者等于实体图案尺寸的1.5倍。
第二方面，本发明实施例还提供了一种套刻误差测量方法，用于对待测晶片的套刻误差进行测量，待测晶片包括第一方面的套刻对准标记，套刻误差测量方法包括：
获取待测晶片的表面的形貌信息；
根据待测晶片的表面形貌信息计算在第二方向上，第一侧边和第二侧边分别与前层标记图案的最小距离；
将第一侧边与前层标记图案最小距离和第二侧边与前层标记图案的最小距离的差值确定为套刻误差。
本发明本实施例提供的套刻对准标记和套刻误差测量方法，通过设置在待测晶片的厚度方向上，前层标记图案沿第一方向延伸的第一侧边的至少部分、第二侧边的至少部分和当层标记图案暴露，前层标记图案的第一侧边与当层标记图案之间，以及前层标记图案的第二侧边与当层标记图案之间包括刻蚀区，该刻蚀区内不包括当层的结构，而可以包括前层的结构，因此进行电子束扫描时，当层标记图案和前层标记图案相当于在一个平面内，进而使得电子束扫描得到的SEM图像可以清楚的显示出当层标记图案和前层标记图案的边界，进而可以根据第一侧边与当层标记图案的最小距离以及第二侧边与当层标记图案的最小距离得到准确的套刻误差。并且，因本实施例的套刻对准标记，适用于电子束扫描方式对套刻误差的测量，可以避免现有技术中光学测量方式导致的套刻误差测量不准确的问题。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种套刻对准标记的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种待测晶片的俯视图；
图3是本发明实施例提供的一种待测晶片的剖视图；
图4是本发明实施例提供发另一种套刻对准标记的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的另一种待测晶片的俯视图；
图6是本发明实施例提供的另一种待测晶片的剖视图；
图7是本发明实施例提供发另一种套刻对准标记的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的另一种套刻对准标记的结构示意图；
图9是本发明实施例提供的另一种待测晶片的俯视图；
图10是本发明实施例提供的另一种待测晶片的剖视图；
图11是本发明实施例提供的一种套刻误差测量方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
正如背景技术中所述，目前对于套刻误差的测量均采用光学测量方式进行测量，套刻误差的测量时或容易受到干扰，使得套刻误差的测量不准确。经发明人研究发现，出现上述问题的原因在于，目前对于套刻误差的测量方式包括利用衍射式的套刻表示并根据衍射信号的分析来计算出套刻误差；另一种是基于图像识别技术在光学显微镜下对比套刻表示的中心位置偏差。衍射式及图像识别技术均采用光学进行量测，通过接收对位标识的光信号分析计算出套刻误差。光路受不同中间层介质的影响及干扰会削减光信号，使得套刻误差的测量值可信度降低。并且当参考层的光栅材料介质与参考层本身的材料介质的折射率和吸光系数相近时，光栅材料介质与参考层本身的材料介质对于光信号的对比度较低，如果套刻标识的光栅对比度较低导致光栅的衍射信号对比不明显，也会影响套刻误差的结果，最终导致套刻误差测量不准确。
基于上述原因，本发明实施例提供一种套刻对准标记，图11是本发明实施例提供的一种套刻误差测量方法的流程图。参考图1，该套刻对准标记包括位于待测晶片上的当层标记图案110和位于相对于所述当层标记图案110的前层标记图案120；在待测晶片的厚度方向z上，前层标记图案120沿第一方向y延伸的第一侧边121的至少部分、第二侧边122的至少部分和当层标记图案110暴露；第一侧边121和第二侧边122为前层标记图案120在第二方向x上相对的两条侧边，且第一侧边121和第二侧边122在第一方向y上对称；且在平行于待测晶片表面的方向上，在第一侧边121与前层标记图案120之间以及第二侧边122与前层标记图案120之间，待测晶片包括刻蚀区Ar1，在刻蚀区Ar1，当层标记图案110所在当层11被完全刻蚀；第二方向x为套刻误差测量方向，第一方向y与第二方向x相交。
套刻对准标记形成在待测晶片按时间顺序形成的不同层上。本实施例中当层标记图案110位于待测晶片的当层11，其中当层11指在当前时间点，待测晶片所包括的各层中的最上层，也即距离当前之间点最近形成的结构层。相应的，前层标记图案120位于待测晶片的前层12，前层12指位于当层11以下的结构层，也即相对于当层11在更早的时间点形成的结构层。
套刻对准标记可以是实体图案，也可以是镂空图案。图1中示例性地示出了当层标记图案110为实体图案，前层标记图案120为镂空图案的结构，且在图1中仅示出了待测晶片的当层标记图案110和某一前层12对应的前层标记图案120的结构。图11是本发明实施例提供的一种套刻误差测量方法的流程图。图3所示剖视图可以对应图2沿剖面线B-B’剖切得到。参考图1-图3，在待测晶片的厚度方向z上，前层标记图案120沿第一方向y延伸的第一侧边121至少部分暴露，沿第一方向y延伸的第二侧边122至少部分暴露，同时当层标记图案110暴露，其中本实施例中暴露指人眼在待测晶片当层11远离前层12的一侧正视待测晶片时，可以被人眼看到。
继续结合图1-图3，待测晶片包括刻蚀区Ar1，在平行与待测晶片表面的方向上，刻蚀区Ar1在第一侧边121与前层标记图案120之间以及第二侧边122与前层标记图案120之间，且在刻蚀区Ar1，当层标记图案110所在的当层11和被完全刻蚀，当层11与前层12之间还包括其他膜层结构时，当层标记图案110所在当层11与前层标记图案120所在前层之间膜层也被刻蚀，因此在刻蚀区Ar1，不包括当层11的结构，而可以包括前层12的结构，也即人眼在待测晶片的当层11上正视待测晶片时，可以在刻蚀区Ar1看到的前层标记图案120所在前层12的结构。
本实施例的套刻对准标记，可以适用于采用电子束扫描待测晶片来对套刻误差进行计算的情况；并且本实施例的套刻对准标记在对当层11和当层11以下的前层12刻蚀后得到。电子束对待测晶片进行扫描后，可以得到待测晶片表面的形貌信息，进行套刻误差计算时，根据待测晶片的形貌信息确定套刻误差。本实施例中，通过设置在待测晶片的厚度方向z上，前层标记图案120沿第一方向y延伸的第一侧边121的至少部分、第二侧边122的至少部分和当层标记图案110暴露，在第二方向x上，前层标记图案120的第一侧边121与当层标记图案110之间，以及前层标记图案120的第二侧边122与当层标记图案110之间包括刻蚀区Ar1，该刻蚀区Ar1不包括当层11的结构，因此电子束扫描时，当层标记图案110和前层标记图案120相当于在一个平面内，进而使得进行电子束扫描时，扫描式电子显微镜(ScanningElectron Microscope，SEM)图像可以清楚的显示出当层标记图案110和前层标记图案120的边界(包括前层标记图案120的第一侧边121和第二侧边122，还包括当层标记图案110的边界)，进而可以根据SEM图像进行套刻误差的计算。
以图1所示套刻对准标记为例，根据SEM图像计算出第二方向x上，第一侧边121与当层标记图案110的最小距离D1以及第二侧边122与当层标记图案110的最小距离D2，套刻误差Overlay＝D1-D2。可选的，第一方向y与第二方向x垂直。
本实施例提供的套刻对准标记，通过设置在待测晶片的厚度方向上，前层标记图案沿第一方向延伸的第一侧边的至少部分、第二侧边的至少部分和当层标记图案暴露，前层标记图案的第一侧边与当层标记图案之间，以及前层标记图案的第二侧边与当层标记图案之间包括刻蚀区，该刻蚀区内不包括当层的结构，而可以包括前层的结构，因此进行电子束扫描时，当层标记图案和前层标记图案相当于在一个平面内，进而使得电子束扫描得到的SEM图像可以清楚的显示出当层标记图案和前层标记图案的边界，进而可以根据第一侧边与当层标记图案的最小距离以及第二侧边与当层标记图案的最小距离得到准确的套刻误差。并且，因本实施例的套刻对准标记，适用于电子束扫描方式对套刻误差的测量，可以避免现有技术中光学测量方式导致的套刻误差测量不准确的问题。
继续参考图1，在上述技术方案的基础上，本实施例的当层标记图案110，包括与第一侧边121和第二侧边122平行的第三侧边111和第四侧边112。其中第三侧边111为在第二方向x上，与第一侧边121距离最近的侧边(下述实施例中第三侧边与本实施例定义相同)；第四侧边112为在第二方向x上，与第二侧边122距离最近的侧边(下述实施例中第四侧边与本实施例定义相同)。计算套刻误差时，可以根据第一侧边121与第三侧边111的距离(即第一侧边与前层标记图案最小距离)和第二侧边122与第四侧边112的距离(即第二侧边与前层标记图案最小距离)差值得到。
继续参考图1-图3，在上述技术方案的基础上，可选的，当层标记图案110包括第一实体图案113，前层标记图案120包括第一镂空图案123，第一实体图案113在前层12上的正交投影位于第一镂空图案123的第一侧边121和第二侧边122之间。
具体的，前层标记图案120包括第一镂空图案123，该第一镂空图案123可以是图1所示的矩形框状结构，其中框状结构的外框为实体；第一镂空图案123还可以仅是在前层12上刻蚀掉一个矩形区域，而不包括实体的外框，本实施例在此不做具体限定。
前层标记图案120刻蚀形成后，刻蚀区Ar1包括在第一镂空图案123的镂空结构内。前层标记图案120形成后，可以在前层12上形成当层11并进行刻蚀，则在于待测晶片厚度方向z垂直的平面上，当层11的第一实体图案113的垂直投影位于第一镂空图案123垂直投影内部的部分与前层标记图案120在同一平面内，且因在第二方向x上，第一侧边121与当层标记图案110之间以及第二侧边122与当层标记图案110之间的刻蚀区Ar1，当层11均被完全刻蚀，进而可以使得进行电子束扫描时，得到的SEM图像可以清楚分别出前层标记图案120的第一侧边121、第二侧边122，以及当层标记图案110的边界，进而可以得到准确的套刻误差。
继续参考图1-图3，可选的，前层12与当层11相邻。因前层标记图案120包括第一镂空图案123，因此所在当层11与前层12之间包括其他层结构，其他层结构在形成时会将第一镂空图案123的镂空部分填充，在刻蚀时可能无法将镂空部分内部的结构刻蚀完全，导致在采用电子束扫描时，当层标记图案110和前层标记图案120的边界不易区分，给套刻误差的测量造成困难或者导致套刻误差的测量不准确。因此，设置前层12与当层11相邻，使得前层12的前层标记图案的第一镂空图案123内不会被填充其他层，而只有第一实体图案113，进而使得电子束扫描时不会受到其他层的影响，进而保证SEM图像中当层标记图案和前层标记图案的边界清晰。
图11是本发明实施例提供的一种套刻误差测量方法的流程图。参考图4-图6，可选的，当层标记图案110包括至少两个第一实体图案113，前层标记图案120包括至少一个第二实体图案124，第一实体图案113和第二实体图案124位于同一层上且间隔设置，在第二方向x上，位于两第一实体图案113之间的第二实体图案124在第二方向x上相对的两条侧边分别作为第一侧边121和第二侧边122。
图4中示意性地示出了当层标记图案110包括两个第一实体图案113，前层标记图案120包括一个第二实体图案124的套刻对准标记结构。参考图4-图6，在第二方向x上，第二实体图案124位于相邻两第一实体图案113之间，即在待测晶片厚度方向z上，第二实体图案124与第一实体图案113无交叠，进而使得在当层标记图案110所在的当层11进行刻蚀后，第二实体图案124可以被暴露出来。可选的，在相邻两第一实体图案113之间，当层标记图案110所在当层11均被刻蚀，进而使得第二实体图案124完整暴露。并且在第二方向x上，第一侧边121与当层标记图案110之间以及在第二侧边122与当层标记图案110之间的刻蚀区Ar1，因此当层标记图案110与前层标记图案120之间均被暴露，并且在第二方向x上包括间隔，进而使得进行电子束扫描时，得到的SEM图像可以清楚显示第二实体图案124的第一侧边121和第二侧边122、以及第一实体图案113的边界(包括第三侧边111和第四侧边112)，进而保证可以得到准确的套刻误差。
图11是本发明实施例提供的一种套刻误差测量方法的流程图。参考图7，可选的，当层标记图案110包括至少一个第一实体图案113，前层标记图案120包括至少两个第二实体图案124，第一实体图案113和第二实体图案124位于同一层上且间隔设置，在第二方向x上，位于第一实体图案113两侧的两个第二实体图案124中，在第一侧的第二实体图案124中，在第二方向x上距离第一实体图案113最近的侧边作为第一侧边121，在第二侧的第二实体图案124中，在第二方向x上距离第一实体图案113最近的侧边作为第二侧边122。
图7中示意性地示出了当层标记图案110包括一个第一实体图案113，前层标记图案120包括两个第二实体图案124的套刻对准标记结构。参考图7，在第二方向x上，第一实体图案113位于相邻两第二实体图案124之间，即在待测晶片厚度方向z上，第二实体图案124与第一实体图案113无交叠，可选的，在第一实体图案113至第二方向x上第一侧的第二实体图案124的距离第一实体图案113最远的边缘、以及第一实体图案113至第二方向x上第二侧的第二实体图案124的距离第一实体图案113最远的边缘的区域内，当层标记图案110所在当层11均被刻蚀，进而使得第二实体图案124、以及第二实体图案124的第一侧边121与第一实体图案113之间和第二实体图案124的第二侧边122与第一实体图案113之间的刻蚀区Ar1被暴露。可选的，在相邻两第二实体图案124之间，前层标记图案120所在前层12均被刻蚀掉，使得第一实体图案113与第二实体图案124形成在待测晶片的相同层之上，并且在第二方向x上包括间隔，进而使得进行电子束扫描时，得到的SEM图像可以清楚显示第二实体图案124的第一侧边121和第二侧边122、以及第一实体图案113的边界(包括第三侧边111和第四侧边112)，进而保证可以得到准确的套刻误差。
继续参考图4和图7，可选的，第一实体图案113和所述第二实体图案124形状相同且平行设置，进而使得形成第一实体图案113和第二实体图案124时，可以使用具有相同掩膜图形的掩膜版进行刻蚀。
图4仅以套刻对准标记的当层标记图案110包括两个第一实体图案113，前层标记图案120包括一个第二实体图案124为例进行了示意性说明，图7仅以套刻对准标记的当层标记图案110包括一个第一实体图案113，前层标记图案120包括两个第二实体图案124为例进行了示例性说明，当层标记图案110可以包括更多个第一实体图案113，前层标记图案120包括更多个第二实体图案124，本发明实施例在此不做具体限定。在当层标记图案110可以包括更多个第一实体图案113，前层标记图案120包括更多个第二实体图案124，仍可根据相邻两个第一实体图案113以及相邻两个第一实体图案113之间的第二实体图案124来计算套刻误差，也可根据相邻两个第二实体图案124和相邻两个第二实体图案124之间的第一实体图案113来计算套刻误差。并且，在当层标记图案110可以包括更多个第一实体图案113，前层标记图案120包括更多个第二实体图案124时，可选的，相邻两第一实体图案113与相邻两第二实体图案124的间距相等。
图11是本发明实施例提供的一种套刻误差测量方法的流程图。8-图10，可选的，当层标记图案110包括第二镂空图案114，前层标记图案120包括第三实体图案125，在待测晶片的厚度方向z上，第二镂空图案114中暴露有至少部分第三实体图案125；且第三实体图案125被暴露部分包括至少部分第一侧边121和至少部分第二侧边122。
可选的，第二镂空图案114为图8所示出的矩形框状结构，第三实体图案125为图8所示出的矩形结构。当层标记图案110包括第二镂空图案114，在第二镂空图案114的镂空结构中暴露前层标记图案120的第三实体图案125，且第三实体图案125被暴露部分包括至少部分第一侧边121和至少部分第二侧边122，且第二方向x上第一侧边121与当层标记图案110之间、第二侧边122与当层标记图案110之间作为刻蚀区Ar1，刻蚀区Ar1的当层11结构，使得进行电子束扫描时，得到的SEM图像可以清楚显示第二实体图案124的第一侧边121和第二侧边122、以及第一实体图案113的边界(包括第三侧边111和第四侧边112)，进而保证可以得到准确的套刻误差。
在上述技术方案的基础上，可选的，前层12与当层11相邻或者间隔。参考图10，图10中示意性地示出了前层12与当层11间隔(即前层12与当层11之间包括其他层13)的情况，即前层12与当层11不相邻的情况。因图8所示套刻标记图案结构，因镂空图案在当层(即当前时间点的最上层)时，通过将当层的镂空图案的尺寸做大，可以保证当层以下任何层的标记图案被暴露，因此前层12和当层11可以相邻或者间隔，因此适用更加广泛。
可选的，在第二方向x上，镂空图案的尺寸大于或者等于实体图案尺寸的1.5倍。
其中，对于图1所示套刻对准标记，镂空图案可以对应前层12的第一镂空图案123，实体图案可以对应当层11的第一实体图案113，在在第二方向x上，第一镂空图案123的尺寸可以指在第二方向x上第一侧边121和第二侧边122之间的距离。
对于图8所示套刻对准标记，镂空图案可以对应当层11的第二镂空图案114，实体图案可以对应前层12的第三实体图案125，在在第二方向x上，第二镂空图案114的尺寸可以指在第二方向x上第一侧边121和第二侧边122之间的距离。
在第二方向x上，镂空图案的尺寸大于或者等于实体图案尺寸的1.5倍，使得第一侧边和第二侧边之间的距离相对较大，进而减少镂空图案出现圆角的几率，有利于提高套刻误差的计算准确性。
本发明实施例还提供了一种套刻误差测量方法，该套刻误差测量方法用于对待测片的套刻误差进行测量，待测晶片上述任意实施例提供的套刻对准标记，图11是本发明实施例提供的一种套刻误差测量方法的流程图，参考图11，套刻误差测量方法包括：
步骤210、获取待测晶片的表面的形貌信息；具体的，可以采用电子束扫描待测晶片得到待测晶片表面的形貌信息。
步骤220、根据待测晶片的表面形貌信息计算在第二方向上，第一侧边和第二侧边分别与前层标记图案的最小距离；
步骤230、将第一侧边与前层标记图案最小距离和第二侧边与前层标记图案的最小距离的差值确定为套刻误差。
本实施例提供的套刻误差测量方法，可对待测晶片的套刻误差进行测量，待测晶片包括套刻对准标记，在待测晶片的厚度方向上，前层标记图案沿第一方向延伸的第一侧边的至少部分、第二侧边的至少部分和当层标记图案暴露，前层标记图案的第一侧边与当层标记图案之间，以及前层标记图案的第二侧边与当层标记图案之间包括刻蚀区，该刻蚀区内不包括当层的结构，而可以包括前层的结构，因此当层标记图案和前层标记图案相当于在一个平面内，进行电子束扫描时，对待测晶片的表面形貌信息进行获取，得到的SEM图像可以清楚的显示出当层标记图案和前层标记图案的边界，进而可以根据第一侧边与当层标记图案的最小距离以及第二侧边与当层标记图案的最小距离得到准确的套刻误差。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种套刻对准标记，其特征在于，包括：
位于待测晶片上的当层标记图案和位于相对于所述当层标记图案的前层标记图案；
在所述待测晶片的厚度方向上，所述前层标记图案沿第一方向延伸的第一侧边的至少部分、第二侧边的至少部分和所述当层标记图案暴露；所述第一侧边和所述第二侧边为所述前层标记图案在第二方向上相对的两条侧边，且所述第一侧边和所述第二侧边在所述第一方向上对称；
且在平行于所述待测晶片表面的方向上，在所述第一侧边与所述前层标记图案之间以及所述第二侧边与所述前层标记图案之间，所述待测晶片包括刻蚀区，在所述刻蚀区，所述当层标记图案所在当层被完全刻蚀；
所述第二方向为套刻误差测量方向，所述第一方向与所述第二方向相交。
2.根据权利要求1所述的套刻对准标记，其特征在于，所述当层标记图案包括第一实体图案，所述前层标记图案包括第一镂空图案，所述第一实体图案在所述前层上的正交投影位于所述第一镂空图案的第一侧边和第二侧边之间。
3.根据权利要求2所述的套刻对准标记，其特征在于，所述前层与所述当层相邻。
4.根据权利要求1所述的套刻对准标记，其特征在于，所述当层标记图案包括至少两个第一实体图案，所述前层标记图案包括至少一个第二实体图案，所述第一实体图案和所述第二实体图案位于同一层上且间隔设置，在所述第二方向上，位于两所述第一实体图案之间的第二实体图案在第二方向上相对的两条侧边分别作为所述第一侧边和所述第二侧边。
5.根据权利要求1所述的套刻对准标记，其特征在于，所述当层标记图案包括至少一个第一实体图案，所述前层标记图案包括至少两个第二实体图案，所述第一实体图案和所述第二实体图案位于同一层上且间隔设置，在所述第二方向上，位于所述第一实体图案两侧的两个第二实体图案中，在第一侧的第二实体图案中，在第二方向上距离所述第一实体图案最近的侧边作为第一侧边，在第二侧的第二实体图案中，在第二方向上距离所述第一实体图案最近的侧边作为第二侧边。
6.根据权利要求4或5所述的套刻对准标记，其特征在于，所述第一实体图案和所述第二实体图案形状相同且平行设置。
7.根据权利要求1所述的套刻对准标记，其特征在于，所述当层标记图案包括第二镂空图案，所述前层标记图案包括第三实体图案，在所述待测晶片的厚度方向上，所述第二镂空图案中暴露有至少部分第三实体图案；且所述第三实体图案被暴露部分包括至少部分第一侧边和至少部分第二侧边。
8.根据权利要求7所述的套刻对准标记，其特征在于，所述前层与所述当层相邻或者间隔。
9.根据权利要求2或7所述的套刻对准标记，其特征在于，在所述第二方向上，镂空图案的尺寸大于或者等于实体图案尺寸的1.5倍。
10.一种套刻误差测量方法，其特征在于，用于对待测晶片的套刻误差进行测量，所述待测晶片包括权利要求1-9任一项的套刻对准标记，所述套刻误差测量方法包括：
获取待测晶片的表面的形貌信息；
根据所述待测晶片的表面形貌信息计算在第二方向上，所述第一侧边和所述第二侧边分别与前层标记图案的最小距离；
将所述第一侧边与所述前层标记图案最小距离和所述第二侧边与所述前层标记图案的最小距离的差值确定为套刻误差。
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