CN112383363A - 一种基于混频技术的大带宽相控阵接收装置 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种基于混频技术的大带宽相控阵接收装置,包括:光频梳发生器、第一波分复用器、调制器阵列、天线阵列、微波本振源、直流源、N:1光耦合器、色散器、光功率放大器、第二波分复用器及光电探测器阵列。该装置在保证降低装置结构复杂度的情况下,采用电光调制器通过载波抑制双边带调制实现了微波信号与本振信号的光域混频,并通过色散器引入的色散使得最后输出的变频信号具有延时的效果。
Description
技术领域
本公开涉及微波光子学领域,具体涉及到一种基于混频技术的大带宽相控阵接收装置。
背景技术
近年来,随着通信频段的增大,通信业务容量需求的提升,具有更大的带宽、更好的隔离度、抗电磁干扰、重量轻、体积小等优势的微波光子学得到了广泛的关注。传统的相控阵雷达主要是基于移相设备进行波束扫描,但是由于移相器对不同频率的相移相同,所以对于大带宽、大角度的扫描需求,传统的基于移相器的相控阵雷达面临着波束倾斜与孔径渡越的问题。
延时器可以有效解决这种问题,延时器和移相器之间的不同点在于移相器对不同频率的移相量相同,延时器对不同频率的移时量相同。相控阵系统接收信号之后,需要对该信号进行下变频,从而匹配电学系统的处理能力。传统的接收设备,信号的接收系统与信号处理系统是相互分开独立的,很难满足未来系统紧凑性的需求。
本公开提供了一种基于混频技术的大带宽相控阵接收装置,该装置通过微波光子链路同时实现了大带宽的延时与微波信号的混频,也降低了装置的复杂度。
发明内容
为了解决现有技术中上述问题,本公开提供了一种基于混频技术的大带宽相控阵接收装置,其实现了微波信号的混频的同时也实现了大带宽的延时。
本公开提供了一种基于混频技术的大带宽相控阵接收装置,包括:一光频梳发生器,用于提供多波长光载波;一第一波分复用器,其输入端与光频梳发生器的输出端相连,用于将多波长光载波分离成多个单波长的光载波;一调制器阵列,包括N个电光调制器,N个电光调制器的第一输入端与波分复用器的输出端一一相连,用于实现电光转换和光域混频,其中,N为大于等于5的整数;一天线阵列,包括N个天线单元,N个天线单元的输出端与N个电光调制器的第二输入端一一相连,用于接收信道中的微波信号,并将微波信号提供给N个电光调制器;一微波本振源,微波本振源的输出端与N个电光调制器的第三输入端一一相连,用于向N个电光调制器提供本振信号;一直流源,直流源的输出端与N个电光调制器的第四输入端一一相连,用于向N个电光调制器提供直流电源;一N:1光耦合器,其N个输入端与N个电光调制器的输出端一一相连,用于耦合N个电光调制器的输出信号;一色散器,其输入端与N:1光耦合器的输出端相连,用于对N:1光耦合器的输出信号提供色散;一光功率放大器,其输入端与色散器的输出端相连,用于将色散器的输出信号进行功率放大;一第二波分复用器,其输入端与光功率放大器的输出端相连,用于将调制在不同波长的光载波上的信号频谱进行分离;一光电探测器阵列,包括N个光电探测器,N个光电探测器的输入端与波分复用器的输出端一一相连,用于将光信号转换成电信号,得到延时的下变频的中频信号。
进一步地,N个电光调制器的工作波长为1530nm~1610nm,处理微波信号的带宽为20GHz及以上,消光比为20dB及以上,半波电压小于4V。
进一步地,直流源包括第一直流源、第二直流源及第三直流源,N个电光调制器为铌酸锂晶体材质的双平行马赫-曾德尔调制器;其中,N个电光调制器均包括一子电光调制器、一子电光调制器和一主电光调制器,一子电光调制器的第二输入端与天线单元的输出端相连,其第四输入端与第一直流源的输出端相连;一子电光调制器的第三输入端与微波本振源的输出端相连,其第四输入端与第一直流源的输出端相连;主电光调制器的第一输入端与子电光调制器的输出端相连,其第四输入端与第三直流源的输出端相连。
进一步地,光频梳发生器提供的多波长光载波波长为1530nm~1610nm,其光梳数量在5根及以上,梳齿的可调间隔为0.1nm~2nm。
进一步地,第一波分复用器及第二波分复用器均具有5个及以上的通带,其通带可调带宽为0.1nm~2nm。
进一步地,天线阵列具有5个及以上的天线单元,其工作频率为10GHz及以上,微波信号的来波方向与N个天线单元的上端面所成的夹角θ为0°~90°。
进一步地,N∶1光耦合器具有5个及以上的输入端。
进一步地,色散器的工作波段为1530nm~1610nm,其色散系数为-17ps/nm/km及以上。
进一步地,光功率放大器的功率增益在30dB及以上。
进一步地,光电探测器阵列具有5个及以上的光电探测器,其响应度为0.8及以上,工作带宽为20GHz及以上。
本公开基于混频技术的基础上,提供了一种基于混频技术的大带宽相控阵接收装置,该装置在保证降低装置结构复杂度的情况下,采用电光调制器通过载波抑制双边带调制实现了微波信号与本振信号的光域混频,并通过色散器引入的色散使得最后输出的变频信号具有延时的效果。
附图说明
为了更完整地理解本公开及其优势,现在将参考结合附图的以下描述,其中:
图1示意性示出了根据本公开一实施例的基于混频技术的大带宽相控阵接收装置结构图;
图2示意性示出了根据本公开一实施例的基于混频技术的大带宽相控阵接收装置的子单元结构图。
具体实施方式
以下,将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解,这些描述只是示例性的,而并非要限制本公开的范围。在下面的详细描述中,为便于解释,阐述了许多具体的细节以提供对本公开实施例的全面理解。然而,明显地,一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。此外,在以下说明中,省略了对公知结构和技术的描述,以避免不必要地混淆本公开的概念。
在此使用的术语仅仅是为了描述具体实施例,而并非意在限制本公开。在此使用的术语“包括”、“包含”等表明了所述特征、步骤、操作和/或部件的存在,但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、步骤、操作或部件。
在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本领域技术人员通常所理解的含义,除非另外定义。应注意,这里使用的术语应解释为具有与本说明书的上下文相一致的含义,而不应以理想化或过于刻板的方式来解释。
如图1和图2所示,本公开的实施例提供了一种基于混频技术的大带宽相控阵接收装置,包括:
光频梳发生器1,用于提供多波长光载波。
本公开的实施例中,光频梳发生器1提供的多波长光载波波长为1530nm~1610nm,其光梳数量在5根及以上,梳齿的可调间隔为0.1nm~2nm,其光梳数量与天线阵列4中N个电线单元的数量相匹配,每一个电线单元接收到的信号均调制到一个单独的光载波上。
第一波分复用器2,其输入端与光频梳发生器1的输出端相连,用于将多波长光载波分离成多个单波长的光载波。
本公开的实施例中,第一波分复用器2具有5个及以上的通带,其通带可调带宽为0.1nm~2nm。其中,第一波分复用器2的通带数量与多个单波长的光载波的数量匹配,2nm的可调带宽可以适应100GHz以上微波信号的处理需求。
调制器阵列3,包括N个电光调制器,N个电光调制器的第一输入端与波分复用器2的输出端一一相连,用于实现电光转换和光域混频,其中,N为大于等于5的整数。
本公开的实施例中,N为大于等于5的整数,调制器阵列3包括5个及以上的电光调制器。其中,N的数量越大,信号波束的指向性越好,5个及以上的天线单元与相应的光学链路单元可以接收到更好的信号质量。N个电光调制器的工作波长为1530nm~1610nm,处理微波信号的带宽为20GHz及以上,消光比为20dB及以上,半波电压小于4V。另外,N个电光调制器处理的微波信号的带宽为20GHz及以上其可满足现有大部分雷达、通信系统的需求,20dB及以上的消光比可以有效压制载波成分,从而改善整个链路的变频效率,半波电压小于4V可以提高调制器对所接入微波信号产生响应的灵敏度,其用于将天线阵列4输出的微波信号及微波本振源5输出的本振信进行光域混频。
天线阵列4,包括N个天线单元,N个天线单元的输出端与N个电光调制器的第二输入端一相连,用于接收信道中的微波信号,并将微波信号提供给N个电光调制器。
本公开的实施例中,天线阵列4具有5个及以上的天线单元,其工作频率为10GHz及以上,微波信号的来波方向与N个天线单元的上端面所成的夹角θ为0°~90°。理论上,N的数量越大,信号波束的指向性越好,5个及以上的天线单元与相应的光学链路单元可以接收到更好的信号质量。
微波本振源5,微波本振源5的输出端与N个电光调制器的第三输入端一一相连,用于向N个电光调制器提供本振信号。
本公开的实施例中,为实现本振源与微波信号较好的光域混频效果,微波本振源5输入的为正弦信号,其带宽为40GHz及以上。
直流源6,直流源6的输出端与N个电光调制器的第四输入端一一相连,用于向N个电光调制器提供直流电源。
本公开的实施例中,直流源6包括第一直流源601、第二直流源602及第三直流源603,N个电光调制器为铌酸锂晶体材质的双平行马赫-曾德尔调制器;其中,N个电光调制器均包括一子电光调制器301、一子电光调制器302和一主电光调制器303,子电光调制器301的第二输入端与天线单元401的输出端相连,其第四输入端与第一直流源601的输出端相连;子电光调制器302的第三输入端与微波本振源5的输出端相连,其第四输入端与第一直流源602的输出端相连;主电光调制器303的第一输入端与子电光调制器302的输出端相连,其第四输入端与第三直流源603的输出端相连。其中,子电光调制器301及子电光调制器302均工作在最小传输点,其作用在于对所接收到的微波信号和本振信号在光域进行混频,并且实现载波抑制双边带调制。
N∶1光耦合器7,其N个输入端与N个电光调制器的输出端一一相连,用于耦合N个电光调制器的输出信号。
本公开的实施例中,N∶1光耦合器7具有5个及以上的输入端,其输入端与N个电光调制器的输出端一一相连,用于耦合N个电光调制器的输出信号。
色散器8,其输入端与N∶1光耦合器7的输出端相连,用于对N∶1光耦合器7的输出信号提供色散。
本公开的实施例中,色散器8的工作波段为1530nm~1610nm,其色散系数为-17ps/nm/km及以上。其中,这种色散器可以与N个电光调制器的工作波长相适应,同时提供较大的色散量,从而获得较大的延时量。
光功率放大器9,其输入端与色散器8的输出端相连,用于将色散器8的输出信号进行功率放大。
本公开的实施例中,光功率放大器9的功率增益在30dB及以上。其中,光功率放大器9的功率增益在30dB及以上其可以补偿在调制器阵列3中的功率耗散,从而保证输入到光电探测器阵列11的功率足够大,以便实现高质量的光电转换结果。
第二波分复用器10,其输入端与光功率放大器9的输出端相连,用于将调制在不同波长的光载波上的信号频谱进行分离。
本公开的实施例中,第二波分复用器10具有5个及以上的通带,其通带可调带宽为0.1nm~2nm。其中,第二波分复用器10的通带数量与多个单波长的光载波的数量匹配,2nm的可调带宽可以适应100GHz以上微波信号的处理需求。
光电探测器阵列11,包括N个光电探测器,N个光电探测器的输入端与波分复用器10的输出端一一相连,用于将光信号转换成电信号,得到延时的下变频的中频信号。
本公开的实施例中,光电探测器阵列11具有5个及以上的光电探测器,其响应度为0.8及以上,工作带宽为20GHz及以上。其中,光电探测器阵列11这样的性能选择可较好的适应本公开的相控阵接收装置对操作带宽的需求。
如图2所示,本公开的实施例中,光频梳发生器1提供多波长光载波,并输出给第一波分复用器2,第一波分复用器2将多波长光载波分离成多个单波长的光载波,并选取其中一个波长的光载波作为各铌酸锂晶体材质的双平行马赫-曾德尔调制器的光信号,该铌酸锂晶体材质的双平行马赫-曾德尔调制器均包括一子电光调制器301、一子电光调制器302和一主电光调制器303,子电光调制器301的第二输入端与天线单元401的输出端相连,其第四输入端与第一直流源61的输出端相连,天线单元401输出的微波信号输入进子电光调制器31,并将其调制到光域;子电光调制器302的第三输入端与微波本振源5的输出端相连,其第四输入端与第一直流源602的输出端相连,微波本振源5输出的本振信号输入进子电光调制器302,并调制到光域;主电光调制器303的第一输入端与子电光调制器302的输出端相连,其第四输入端与第三直流源603的输出端相连,其中,直流源601及直流源602的直流电压设置在相应子电光调制器的最小传输处,该铌酸锂晶体材质的双平行马赫-曾德尔调制器用于实现微波信号与本振信号的光域混频,经过铌酸锂晶体材质的双平行马赫-曾德尔调制器调制后的光信号经过N∶1光耦合器7进行耦合并输入进色散器8进行色散补偿,由于色散器的色散效应,被耦合后的光信号中的不同边带引入与其波长相关的相移,然后从色散器8输出的光光信号经过光功率放大器9进行光功率放大,再由第二波分复用器10对调制在各个被调制后的各个光载波进行分离,最后第二波分复用器10输出的被调制后的光载波输出给光电探测器1101,将光信号转换成电信号,得到延时的下变频的中频信号。其中,由于色散器8的色散会引入光功率周期性衰落,该衰落可以通过直流源63进行补偿。
本领域技术人员可以理解,本公开的各个实施例和/或权利要求中记载的特征可以进行多种范围组合和/或结合,即使这样的组合或结合没有明确记载于本公开中。特别地,在不脱离本公开精神和教导的情况下,本公开的各个实施例和/或权利要求中记载的特征可以进行多种组合和/或结合。所有这些组合和/或结合均落入本公开的范围。
尽管已经参照本公开的特定示例性实施例示出并描述了本公开,但是本领域技术人员应该理解,在不背离所附权利要求及其等同物限定的本公开的精神和范围的情况下,可以对本公开进行形式和细节上的多种改变。因此,本公开的范围不应该限于上述实施例,而是应该不仅由所附权利要求来进行确定,还由所附权利要求的等同物来进行限定。
Claims (9)
1.一种基于混频技术的大带宽相控阵接收装置,其特征在于,包括:
一光频梳发生器(1),用于提供多波长光载波;
一第一波分复用器(2),其输入端与所述光频梳发生器(1)的输出端相连,用于将所述多波长光载波分离成多个单波长的光载波;
一调制器阵列(3),包括N个电光调制器,所述N个电光调制器的第一输入端与所述波分复用器(2)的输出端一一相连,用于实现电光转换和光域混频,其中,N为大于等于5的整数;
一天线阵列(4),包括N个天线单元,所述N个天线单元的输出端与所述N个电光调制器的第二输入端一一相连,用于接收信道中的微波信号,并将所述微波信号提供给所述N个电光调制器;
一微波本振源(5),所述微波本振源(5)的输出端与所述N个电光调制器的第三输入端一一相连,用于向所述N个电光调制器提供本振信号;
一直流源(6),所述直流源(6)的输出端与所述N个电光调制器的第四输入端一一相连,用于向所述N个电光调制器提供直流电源;
一N∶1光耦合器(7),其N个输入端与所述N个电光调制器的输出端一一相连,用于耦合所述N个电光调制器的输出信号;
一色散器(8),其输入端与所述N∶1光耦合器(7)的输出端相连,用于对所述N∶1光耦合器(7)的输出信号提供色散;
一光功率放大器(9),其输入端与所述色散器(8)的输出端相连,用于将所述色散器(8)的输出信号进行功率放大;
一第二波分复用器(10),其输入端与所述光功率放大器(9)的输出端相连,用于将调制在不同波长的光载波上的信号频谱进行分离;
一光电探测器阵列(11),包括N个光电探测器,所述N个光电探测器的输入端与所述波分复用器(10)的输出端一一相连,用于将光信号转换成电信号,得到延时的下变频的中频信号。
2.根据权利要求1所述的基于混频技术的大带宽相控阵接收装置,其特征在于,所述N个电光调制器的工作波长为1530nm~1610nm,处理所述微波信号的带宽为20GHz及以上,消光比为20dB及以上,半波电压小于4V。
3.根据权利要求1或2所述的基于混频技术的大带宽相控阵接收装置,其特征在于,所述直流源(6)包括第一直流源(601)、第二直流源(602)及第三直流源(603),所述N个电光调制器为铌酸锂晶体材质的双平行马赫-曾德尔调制器;其中,所述N个电光调制器均包括一子电光调制器(301)、一子电光调制器(302)和一主电光调制器(303),所述子电光调制器(301)的第二输入端与所述天线单元(401)的输出端相连,其第四输入端与所述第一直流源(601)的输出端相连;所述子电光调制器(302)的第三输入端与所述微波本振源(5)的输出端相连,其第四输入端与所述第一直流源(602)的输出端相连;所述主电光调制器(303)的第一输入端与所述子电光调制器(302)的输出端相连,其第四输入端与所述第三直流源(603)的输出端相连。
4.根据权利要求1所述的基于混频技术的大带宽相控阵接收装置,其特征在于,所述光频梳发生器(1)提供的多波长光载波波长为1530nm~1610nm,其光梳数量在5根及以上,梳齿的可调间隔为0.1nm~2nm。
5.根据权利要求1所述的大带宽相控阵接收装置,其特征在于,所述第一波分复用器(2)及所述第二波分复用器(10)均具有5个及以上的通带,其通带可调带宽为0.1nm~2nm。
6.根据权利要求1所述的基于混频技术的大带宽相控阵接收装置,其特征在于,所述天线阵列(4)具有5个及以上的天线单元,其工作频率为10GHz及以上,所述微波信号的来波方向与所述N个天线单元的上端面所成的夹角θ为0°~90°。
7.根据权利要求3所述的基于混频技术的大带宽相控阵接收装置,其特征在于,所述色散器(8)的工作波段为1530nm~1610nm,其色散系数为-17ps/nm/km及以上。
8.根据权利要求1所述的基于混频技术的大带宽相控阵接收装置,其特征在于,所述光功率放大器(9)的功率增益在30dB及以上。
9.根据权利要求7所述的基于混频技术的大带宽相控阵接收装置,其特征在于,所述光电探测器阵列(11)具有5个及以上的光电探测器,其响应度为0.8及以上,工作带宽为20GHz及以上。
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