CN112372378B - 一种石英晶片倒边加工方法 - Google Patents
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Abstract
一种石英晶片倒边加工方法,它采用倒边机驱动波纹筒偏心运转的模式,通过对石英晶片倒边加工过程中波纹筒的安装方式、工件装筒数量、磨料填充量及倒边机旋转轴转速及间歇运转频率等工艺参数的优化设计,使其与内壁波纹槽弧面半径尺寸渐变的波纹筒结构相匹配,从而达到了保证石英晶片倒边尺寸满足图纸要求的目的。经试验证明,采用本发明所述的石英晶片倒边加工方法,可使石英晶片倒边尺寸符合图纸要求,其产品优良率由66.73%提升至90.25%,显著降低了产品成本,增强了生产企业的市场竞争力。
Description
技术领域
本发明涉及一种石英晶片加工方法,尤其是一种用于石英晶片倒边加工的工艺方法。
背景技术
石英晶体是一种各向异性的结晶体,从一块晶体按一定的方位角切下的薄片成为晶片,石英晶片经过加工后在其表面上涂银层,并安装一对金属块作为极板,就构成了石英晶体振荡器。石英晶片是石英晶体振荡器的核心部件,其性能指标是影响石英晶体振荡器产品质量的重要因素。
石英晶片倒边形状对晶体的电阻、DLD、FDLD等电性能指标有较大的影响,因此在石英晶片加工过程中通常采用倒边方法来改变晶片的外形,进而改善晶体的性能指标。特别是近年来为了适应晶体不断向小型化发展的趋势,对晶片外形的要求更加严格,如附图1所示的一种1612规格、24MHz晶体的晶片,按照产品图纸要求,其截面的倒边弧线为半径R由18~65mm渐变曲线。目前,针对该晶片的倒边的加工,普遍采用倒边机设备与装有磨料波纹筒配合的方式,所述波纹筒内壁设置若干组波纹槽,通过装入波纹筒中晶片与聚积在波纹槽中磨料的相对运动完成晶片倒边加工,但是因现有波纹筒内壁波纹槽弧面的半径尺寸相同,加工后的石英晶片倒边尺寸难以达到图纸要求,也给后续的晶体加工(如点胶工序)增加了控制难度,因此人们设想将波纹筒内壁波纹槽弧面设计为半径尺寸渐变结构,以解决上述石英晶片倒边尺寸不满足图纸要求的问题,与此同时还需对倒边加工工艺作适应性改进。
发明内容
本发明提供一种石英晶片倒边加工方法,旨在通过对石英晶片倒边加工工艺的改进,使其与内壁内壁波纹槽弧面半径尺寸渐变的波纹筒相匹配,达到保证石英晶片倒边尺寸满足图纸要求的目的。
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种石英晶片倒边加工方法,采用倒边机驱动波纹筒偏心运转的模式,通过波纹筒中磨料与石英晶片的相对运动,实现对石英晶片边缘部位的修磨,具体操作步骤如下:
a、选用内壁波纹槽弧面半径尺寸渐变的波纹筒,在其内腔中填充设定量的磨料和待修磨的石英晶片,然后将波纹筒安装在倒边机的旋转舱中,使波纹筒中心轴线与倒边机的旋转轴的轴线呈15º夹角,弧面半径尺寸较小的波纹槽一端位置高于弧面半径尺寸较大的波纹槽一端;
b、启动倒边机设备,由高速运转的倒边机设备带动波纹筒以偏心状态运转,在自身重力、旋转离心力和筒壁反作用力的共同作用下,石英晶片在波纹筒中翻腾旋转,使石英晶片与在波纹筒不同半径尺寸波纹槽弧面中聚集的磨料相对运行,通过磨料的不同分布型式对石英晶片一侧边缘均匀修磨;
c、控制倒边机设备旋转轴反向运转,使石英晶片与在波纹筒不同半径尺寸波纹槽圆弧面中聚集的磨料相对运行,通过磨料的不同分布型式对石英晶片另一侧边缘均匀修磨;
d、重复步骤b和步骤c至设定次数,将石英晶片从波纹筒中取出,完成石英晶片的倒边加工。
上述石英晶片倒边加工方法,在所述步骤a中,选用的磨料为1000#SiC,磨料填充量为4.9~6.6g,待修磨的石英晶片装筒量为4500~5000片。
上述石英晶片倒边加工方法,在所述步骤b中,控制倒边机设备旋转轴的转速为235转/分。
上述石英晶片倒边加工方法,所述步骤b和步骤c的运转时间间隔为2~5分钟。
本发明为一种石英晶片倒边加工方法,它通过对石英晶片倒边加工过程中波纹筒的安装方式、工件装筒数量、磨料填充量及倒边机旋转轴转速及间歇运转频率等工艺参数的优化设计,使其与内壁波纹槽弧面半径尺寸渐变的波纹筒结构相匹配,从而达到了保证石英晶片倒边尺寸满足图纸要求的目的,经试验证明,采用本发明所述的石英晶片倒边加工方法,可使石英晶片倒边尺寸符合图纸要求,其产品优良率由66.73%提升至90.25%,显著降低了产品成本,增强了生产企业的市场竞争力。
附图说明
图1是1612规格、24MHz晶体的晶片图纸结构尺寸示意图;
图2是本发明所述的波纹筒结构示意图;
图3是本发明所述的波纹筒安装状态示意图;
图4是本发明所述的波纹筒工作状态示意图;
图5、图6分别是波纹筒正、反转情况下石英晶片修磨状态示意图;
图7是石英晶片倒边过程示意图。
图中各标号清单为:
1、石英晶片; 2、波纹筒,2-1、波纹槽;
Ⅰ、波纹筒中心轴线,Ⅱ、倒边机设备旋转轴的轴线。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例对本发明作进一步说明。
参看图1,一种1612规格、24MHz晶体的晶片,按照产品图纸要求,该石英晶片1截面的倒边弧线为半径R由18~65mm渐变曲线。该石英晶片1倒边加工采用倒边机设备与装有磨料波纹筒配合的方式,经过多次试验发现,带有相同半径尺寸环状圆弧面凹槽的波纹筒难以满足石英晶片1的倒边加工要求,为解决上述问题,人们设想将波纹筒内壁波纹槽弧面设计为半径尺寸渐变结构,以与此同时对石英晶片倒边加工工艺作适应性改进。
参看图2,一种适于图1中石英晶片1倒边加工的波纹筒2,它采用Φ120的无缝钢管,通过在内壁上加工波纹槽2-1的方式制作;所述波纹槽2-1为圆弧面凹槽,沿波纹筒中心轴线Ⅰ方向其圆弧面半径R由Rmin=15mm渐变为Rmax=60mm,凹槽宽度L由Lmin=18.6mm渐变为Lmax=30.8mm,波纹槽2-1为一组平行设置的环状弧面凹槽或螺旋状弧面凹槽。
参看图3、图4、图5、图6、图7,本发明提供了一种石英晶片倒边加工方法,它采用倒边机驱动波纹筒偏心运转的模式,通过波纹筒2中磨料与石英晶片1的相对运动,实现对石英晶片1边缘部位的修磨,其针对图1所述石英晶片1具体实施例的操作步骤如下:
a、选用如附图2所示的内壁波纹槽弧面半径尺寸渐变的波纹筒2,在其内腔中填充4.9~6.6g的磨料和4500~5000片待修磨的石英晶片1,然后将波纹筒2通过定位板安装在倒边机的旋转舱中,使波纹筒中心轴线Ⅰ与倒边机设备旋转轴的轴线Ⅱ呈15º夹角,弧面半径Rmin=15mm的波纹槽一端位置高于弧面半径Rmax=60mm的波纹槽一端;
b、启动倒边机设备,由高速运转的倒边机设备带动波纹筒2以偏心状态运转,控制倒边机设备旋转轴的转速为235转/分,在自身重力、旋转离心力和筒壁反作用力的共同作用下,石英晶片1在波纹筒中翻腾旋转,使石英晶片1与在波纹筒2波纹槽不同半径尺寸圆弧面中聚集的磨料相对运行,通过磨料的不同分布型式对石英晶片1一侧边缘均匀修磨,波纹筒2的运转时间间隔为2~5分钟;
c、控制倒边机设备旋转轴反向运转,控制倒边机设备旋转轴的转速为235转/分,使石英晶片1与在波纹筒2波纹槽不同半径尺寸圆弧面中聚集的磨料相对运行,通过磨料的不同分布型式对石英晶片1另一侧边缘均匀修磨,波纹筒2的运转时间间隔为2~5分钟;
d、重复步骤b和步骤c至设定次数,将石英晶片1从波纹筒2中取出,完成石英晶片的倒边加工。
Claims (4)
1.一种石英晶片倒边加工方法,其特征是,所述方法采用倒边机驱动波纹筒偏心运转的模式,通过波纹筒(2)中磨料与石英晶片(1)的相对运动,实现对石英晶片(1)边缘部位的修磨,具体操作步骤如下:
a、选用内壁波纹槽圆弧面半径尺寸渐变的波纹筒(2),所述波纹槽(2-1)为一组平行设置的环状圆弧面凹槽或螺旋状圆弧面凹槽,在其内腔中填充设定量的磨料和待修磨的石英晶片,然后将波纹筒安装在倒边机的旋转舱中,使波纹筒中心轴线(Ⅰ)与倒边机旋转舱旋转轴的轴线(Ⅱ)呈15º夹角,圆弧面半径尺寸较小的波纹槽一端位置高于圆弧面半径尺寸较大的波纹槽一端;
b、启动倒边机设备,由高速运转的倒边机设备带动波纹筒(2)以偏心状态运转,在自身重力、旋转离心力和筒壁反作用力的共同作用下,石英晶片(1)在波纹筒中翻腾旋转,使石英晶片(1)与在波纹筒(2)波纹槽不同半径尺寸圆弧面中聚集的磨料相对运行,通过磨料的不同分布型式对石英晶片(1)一侧边缘均匀修磨;
c、控制倒边机设备旋转轴反向运转,使石英晶片(1)与在波纹筒(2)波纹槽不同半径尺寸圆弧面中聚集的磨料相对运行,通过磨料的不同分布型式对石英晶片(1)另一侧边缘均匀修磨;
d、重复步骤b和步骤c至设定次数,将石英晶片(1)从波纹筒(2)中取出,完成石英晶片的倒边加工。
2.根据权利要求1所述的石英晶片倒边加工方法,其特征是,在所述步骤a中,选用的磨料为1000#SiC,磨料填充量为4.9~6.6g,待修磨的石英晶片(1)装筒量为4500~5000片。
3.根据权利要求2所述的石英晶片倒边加工方法,其特征是,在所述步骤b中,控制倒边机设备旋转轴的转速为235转/分。
4.根据权利要求1或2或3所述的石英晶片倒边加工方法,其特征是,所述步骤b和步骤c的运转时间间隔为2~5分钟。
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