CN112368815A - 用于控制包括废气的流体的流动的歧管 - Google Patents
用于控制包括废气的流体的流动的歧管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112368815A CN112368815A CN201980040233.5A CN201980040233A CN112368815A CN 112368815 A CN112368815 A CN 112368815A CN 201980040233 A CN201980040233 A CN 201980040233A CN 112368815 A CN112368815 A CN 112368815A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- manifold
- fluid
- pipe
- exhaust gas
- manifolds
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000012530 fluid Substances 0.000 title claims abstract description 195
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 80
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Valve Housings (AREA)
- Accessories For Mixers (AREA)
- Exhaust Gas After Treatment (AREA)
Abstract
本发明涉及一种MIMO系统，其包括歧管，所述歧管能够控制包括在半导体或显示器工序中产生的废气的流体的温度及流动，所述各个歧管可以包括一个供应管、一个旁通管、两个排出管，一个供应管，或包括0个旁通管、两个排出管。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于控制包括废气的流体的流动的歧管，具体地，涉及一种能够控制包括在包括半导体或显示器工序的工业工序中产生的废气的流体的温度及流动的歧管。
背景技术
利用化学物质的工序通过预先设置反应所需的条件并连接用于移送工序所需物质的管道来完成。虽然可以通过多种方法获得所需的物质，但也会一并形成不需要的副产物。粒子形态的副产物积累和固化于管道，严重时，会堵塞管道而引起工序被中断的问题。如同半导体或显示器生产工序产生大量二氧化硅(SiO2)等微细粒子的工序中，这种管道的堵塞对连续工序的运行成为较大的障碍。除此之外，在各种工业工序中粒子的产生引起的管道的堵塞是继续发生的根深蒂固的问题。
如上所述，当频繁发生管道的堵塞时，作为对连续性的工序的解决方案，使用一种设置多个供应管和多个排出管，并在所述多个供应管与所述多个排出管之间配置多个阀，从而在供应管或排出管发生堵塞时使用所述多个阀以使流体的流动迂回的方法。作为用于防止管道的堵塞的另一种解决方法，使用一种包括废气的流体的温度的方法。
图1是使用各构成要素示意性地图示用于供应包括废气的流体的MIMO(多入多出，Mulit Input Multi Output)系统中的以往的一实施例的图。图1的MIMO系统通过四个供应管110、120、130、140个别地供应包括废气的流体。所供应的流体通过第一个三通阀11、12、13、14被直接供应至第一流体处理器31或第二流体处理器32，或再连接至第二个三通阀15、16、17、18并供应至第二流体处理器32或第一流体处理器31。在第二个三通阀15、16、17、18设有旁通管116、126、138、148。在上述图1的系统中，根据需要，可以更改所述供应管、所述流体处理器的数量。
图1的MIMO系统的具体工作方法如下。仅向供应管110供应包括废气的流体。所述流体经由三通阀11被供应至第一流体处理器排出管112。所供应的流体由第一流体处理器31处理后被供应至后续工序。若第一流体处理器排出管112发生堵塞，则通过三通阀连接管114向第二个三通阀18供应所述流体。通过三通阀18，通过第二流体处理器排出管118向第二流体处理器32供应流体。若第二流体处理器排出管118也被堵塞，则中断通过供应管110供应流体，或旁通至旁通管116。之后，通过供应管120供应流体。之后，可以通过如上所述的相同的机制连续地供应流体，而不中断流体的供应。
这样的机制既可以使三通阀以11、18、12、17、13、16、14、15的顺序工作，也可以分别以11-18、12-17、13-16、14-15的顺序个别地运用。这可以根据所述MIMO系统的配置、流体的所需要的供应量等来变更。在图1中，也可以根据所述MIMO系统的配置、流体的需要的供应量等对流体处理器实施单数或复数的变更。
图1的以往的MIMO系统存在如下多种问题。由于使用多个阀，因而引发诸多空间问题、经济问题。①首先，由于有许多独立的阀，因而难以获悉各阀的故障。②此外，对应于独立的阀的数量的费用增加。例如，在半导体或显示器工序中使用的管道为具有较强的耐腐蚀性的价昂的管道，随着阀的数量增加，管道的费用也急剧上升。③由于独立的阀的数量增多，管道连接变得复杂，从而，不但占据过多的空间，而且在用于维护的作业中耗费较多的时间和努力。④随着管道变长并复杂化，难以进行管道的隔热，而且在流体移动的过程中损失热，从而造成管道内堵塞的可能性增加。
也存在三通阀本身的问题。⑤在以往的三通阀中，很难加热阀内部。为了防止阀内部的粒子的堵塞，应提升阀的温度，但是，在以往的三通阀中，只能使用加热带等来加热阀的外部，而设置能够直接加热内部的机构的空间不充足。尤其，由于较多阀的工序的特性使然，大部分阀由使用气动或电的驱动器控制，因而在阀周边附加加热带等加热机构本身更加困难。
如专利文献1所示，由于在半导体或显示器工序中使用多种化学物质并根据工序条件继续改变并供应下这些化学物质，因而大量使用歧管。然而，如本申请所示，通常认为对粒子的移动引起的管道的堵塞而言，阀内部结构复杂的歧管反而不优选。尽管仍为了包括废气的流体的连续供应而使用存在较多问题的以往的MIMO系统，但尚未提出对此的明确的改善方向。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：韩国授权专利公报第0297421号。
发明内容
技术问题
本发明旨在解决如上所述的问题，其目的在于，提供一种MIMO系统，其包括歧管，所述歧管能够控制包括在具有半导体或显示器工序的工业工序中产生的废气的流体的温度及流动。
具体地，本发明的目的在于，提供一种与以往的MIMO系统相比减少独立的阀的总数量和所使用的空间，维护起来容易，且易于管道的隔热或加热，并且包括能够进行阀本身的加热的歧管的MIMO系统。本发明的MIMO系统的特征在于，由于温度较高，实质上废气中的粒子不以粒子形态存在，因而能够从根本上阻止堵塞。
技术方案
为了实现如上所述的目的，本发明提供一种用于连续地供应包括废气的流体的装置，包括：一个以上的歧管，其用于控制包括废气的流体的流动；以及一个以上的流体处理器，其与所述歧管连接，并且所述用于连续地供应包括废气的流体的装置具有控制系统，所述控制系统在通过所述一个以上的歧管中的一个歧管的一个以上的排出管向所述一个以上的流体处理器中的一个以上供应包括所述废气的流体的管道被堵塞时，使用所述一个以上的歧管中的所述一个歧管的未被堵塞的另外的排出管，或使用所述一个以上的歧管中未使用的别的歧管的一个以上的排出管向所述一个以上的流体处理器中的所述一个以上或所述一个以上的流体处理器中不同于所述一个以上的另外的流体处理器供应包括所述废气的流体，其中，所述歧管包括一个以上的供应管和一个以上的排出管，所述歧管的所述一个以上的排出管均由通过气动或电来工作的驱动器控制，所述驱动器通过非比例控制的开/关方式控制，所述歧管在内部具有能够加热流体的机构。
此外，在上述示例的情况下，流体处理器的数量为一个以上，当流体处理器的数量为一个时，所有排出管连接至一个流体处理器。同样地，在流体处理器的数量为三个的情况下，可以根据需求将排出管同时连接至一个流体处理器或多个流体处理器。
发明的效果
如上所述，本发明的用于连续地供应包括废气的流体的装置是包括歧管的MIMO系统，所述歧管能够控制包括在具有半导体或显示器工序的工业工序中产生的废气的流体的温度及流动，与以往的MIMO系统相比，具有减少阀的总数量，减少所使用的空间，维护起来容易，且易于管道的隔热或加热，并且包括能够进行阀本身的加热的优点。
附图说明
图1是使用各构成要素示意性地图示用于供应包括废气的流体的MIMO(多入多出，Mulit Input Multi Output)系统中的以往的一实施例的图。
图2是使用构成要素示意性地图示本发明的MIMO系统的一实施例的图。
图3是本发明的歧管的一实施例的立体图和内部剖视图。
图4是使用构成要素示意性地图示本发明的MIMO系统的多样的实施例的图。
图5是使用各构成要素示意性地图示本发明的歧管的多样的实施例的图。
具体实施方式
本发明的包括歧管的MIMO系统的具体构造如下。
一种用于连续地供应包括废气的流体的装置，包括：一个以上的歧管，其用于控制包括在包括半导体及显示器工序的工业工序中产生的废气的流体的流动；以及一个以上的流体处理器，其与所述歧管连接，并且所述用于连续地供应包括废气的流体的装置具有控制系统，所述控制系统在通过所述一个以上的歧管中的一个歧管的一个以上的排出管向所述一个以上的流体处理器中的一个以上供应包括所述废气的流体的管道被堵塞时，使用所述一个以上的歧管中的所述一个歧管的未被堵塞的另外的排出管，或使用所述一个以上的歧管中未使用的别的歧管的一个以上的排出管向所述一个以上的流体处理器中的所述一个以上或所述一个以上的流体处理器中不同于所述一个以上的另外的流体处理器供应包括所述废气的流体，其中，所述歧管包括一个以上的供应管和一个以上的排出管，所述歧管的所述一个以上的排出管均由通过气动或电来工作的驱动器控制，所述驱动器通过非比例控制的开/关方式控制，所述歧管在内部具有能够加热流体的机构。
本发明的流体处理器包括加热器、干式或湿式洗涤器、燃烧器、等离子体反应器、吸附塔、过滤器等。
所述歧管可以包括一个以上的供应管和一个以上的排出管。此时，排出管可以扩增至两个、三个、四个等，并且，除了所述排出管外，还可以进一步设置旁通管。优选流体处理器的数量也以与排出管的数量相同的方式增加。例如，当排出管的数量是两个时，流体处理器的数量也是两个；当排出管的数量是三个时，流体处理器的数量也是三个。在流体处理器的数量不足的情况下，即使供应管、排出管正常工作，当流体处理器中出现问题时，工序可能会被中断，因此，优选配置多个流体处理器。
所述歧管的所述一个以上的排出管均由通过气动或电来启动的驱动器控制，通常，为了控制包括废气的流体，优选通过非比例控制的开/关方式来控制。
另一方面，不同于以往的三通阀，本发明的歧管可以在内部具有能够加热流体的机构。所述歧管的内部的能够加热流体的机构是截面为多边形或圆形的棒形态，具有能够插入于所述歧管的本体的形态。优选所述棒形态的加热机构通过电来加热。
所述歧管可以进一步包括一个以上的旁通管。
本发明的一实施例提供一种用于连续地供应包括废气的流体的装置，其设置有包括第一歧管、第二歧管的两个以上的歧管，所述第一歧管至第二歧管中的每一个包括一个供应管、一个旁通管、第一排出管、第二排出管，并且设置有包括第一流体处理器、第二流体处理器的共两个流体处理器。
可以是，两个所述歧管接近整体装置的中央并向相同的方向定向而配置，两个所述流体处理器配置于整体装置的两端，所述歧管中的每一个的所述供应管和所述旁通管彼此相邻而配置于所述歧管的上侧面，所述歧管的两个所述第一排出管和所述第二排出管分别配置于所述歧管的右侧面和左侧面。
可以是，所述歧管中的每一个的所述第一排出管连接于两个所述流体处理器中配置于所述歧管的右侧的流体处理器，所述歧管中的每一个的所述第二排出管连接于两个所述流体处理器中配置于所述歧管的左侧的流体处理器。
下面参照附图对本发明所属领域中的一般的技术人员能够容易地实施本发明的实施例进行详细说明。但是，在详细说明本发明的优选实施例的动作原理是，当判断为对相关公知功能或构造具体的说明可能会不必要地使本发明的要旨不清楚时，省略该详细的说明。
此外，贯穿整个附图，对于起相似的功能和作用的部分，使用相同的附图标记。在整个说明书中，当提及某一部分与另一部分连接时，这不仅包括直接连接的情况，还包括中间隔着别的元件间接连接的情况。此外，除非另有相反的记载，包括某一构成要素意指还可以包括其他构成要素，而不是排除其他构成要素。
图2是使用各构成要素示意性地图示本发明的MIMO系统的图。
在图2所示的构造中，共设置有四个歧管，即，第一歧管21、第二歧管22、第三歧管23、第四歧管24。所述第一歧管至第四歧管21、22、23、24中的每一个包括一个供应管210、220、230、240、一个旁通管214、224、234、244、第一排出管212、222、232、242、第二排出管216、226、236、246。共设置有两个流体处理器，即，第一流体处理器33、第二流体处理器34。所述歧管的数量、排出管的数量、流体处理器的数量可以根据需要来扩增或缩减。优选地、使各歧管的排出管的数量与流体处理器的数量相等有利于配置。
图2所示的装置的具体工作方法如下。
可以通过以下步骤进行工作：
(1)向所述第一歧管21的供应管210供应包括所述废气的流体的步骤；
(2)通过所述第一歧管21的所述第一排出管212向所述第一流体处理器33供应包括所述废气的流体的步骤；
(3)当所述第一歧管21的所述第一排出管212被堵塞时，通过所述第一歧管21的所述第二排出管216向所述第二流体处理器34供应包括所述废气的流体的步骤；
(4)当所述第一歧管21的所述第二排出管216被堵塞时，通过所述第二歧管22的所述第一排出管222向所述第一流体处理器33供应包括所述废气的流体的步骤；
(5)当所述第二歧管22的所述第一排出管222被堵塞时，通过所述第二歧管22的所述第二排出管226向所述第二流体处理器34供应包括所述废气的流体的步骤；
(6)当所述第二歧管22的所述第二排出管226被堵塞时，通过所述第三歧管23的所述第一排出管232向所述第一流体处理器33供应包括所述废气的流体的步骤；
(7)当所述第三歧管23的所述第一排出管232被堵塞时，通过所述第三歧管23的所述第二排出管236向所述第二流体处理器34供应包括所述废气的流体的步骤；
(8)当所述第三歧管23的所述第二排出管236被堵塞时，通过所述第四歧管24的所述第一排出管242向所述第一流体处理器33供应包括所述废气的流体的步骤；
(9)当所述第四歧管24的所述第一排出管242被堵塞时，通过所述第四歧管24的所述第二排出管246向所述第二流体处理器34供应包括所述废气的流体的步骤；
(10)当所述第四歧管24的所述第二排出管246被堵塞时，关闭整体装置并进行维修的步骤，或者
所述控制系统可以通过以下步骤进行工作：
(1)向所述第一歧管至所述第四歧管21、22、23、24的供应管210、220、230、240分别供应包括所述废气的流体的步骤；
(2)通过所述第一歧管至所述第四歧管21、22、23、24的所述第一排出管212、222、232、242向所述第一流体处理器33分别供应包括所述废气的流体的步骤；
(3)当所述第一歧管至所述第四歧管21、22、23、24中的某一个歧管的所述第一排出管212、222、232、242被堵塞时，该歧管通过该歧管的所述第二排出管216、226、236、246向所述第二流体处理器34供应包括所述废气的流体的步骤；
(4)当连所述第一歧管至所述第四歧管21、22、23、24中的某一个歧管的第二排出管216、226、236、246与而被堵塞时，中断通过该歧管的供应管向该歧管供应包括所述废气的流体的供应的步骤；
(5)当所述第一歧管至所述第四歧管21、22、23、24的所有第二排出管216、226、236、246被堵塞时，关闭装置并进行维修的步骤。
图3是本发明的歧管的一实施例的立体图和内部剖视图。
参照图3，作为本发明的歧管的一实施例，包括一个供应管210、一个旁通管214、两个排出管212、216。为了控制旁通管214、排出管212、216的流动，设置有驱动器217、218、219。在歧管的内部，设置有用于加热流体的温度的加热机构211。
参照图2和图3，歧管的所述第一排出管与两个所述流体处理器中靠近所述第一排出管的流体处理器连接，歧管的所述第二排出管连接于两个所述流体处理器中靠近所述第二排出管的流体处理器。
所述四个歧管接近整体装置的中央并在相同的方向上定向而配置，两个所述流体处理器配置于整体装置的两端，所述歧管中的每一个的所述供应管和所述旁通管彼此相邻而配置于所述歧管的上侧面，所述歧管的所述第一排出管和所述第二排出管分别配置于所述歧管的右侧面和左侧面。
图4是使用各构成要素示意性地图示本发明的歧管的多样的实施例的图。四边形或长方体表示歧管的主体，箭头表示供应管和排出管。每个歧管可以根据构造由一个供应管和两个排出管、一个供应管和三个排出管等构成，并且，可以根据需要对供应管和排出管的位置进行多样的变形。
具体地，所述歧管可以包括以下中的一个以上的歧管：
1)具备配置于歧管主体的一面的一个供应管、同时配置在不同于所述一面的另一面的两个排出管或一个排出管和一个旁通管；
2)具备配置于所述歧管主体的一面的一个供应管、分别单独配置于不同于所述一面的别的各个面的两个排出管或一个排出管和一个旁通管；
3)具备配置于所述歧管主体的一面的一个供应管、以及进一步配置于不同于所述一面的其余的面且两个或三个同时配置于一个面或在一个面各配置一个的三个管，其中，进一步配置的所述管包括第一排出管、第二排出管、旁通管；
4)具备配置于所述歧管主体的一面一个供应管和一个额外的管、以及进一步设置于不同于所述一面的其余的面且两个同时配置于一个面或在一个面各配置一个的两个管，其中，进一步设置的所述管包括第一排出管、第二排出管、旁通管上的歧管。
图5是示意性地图示本发明的用于连续地供应包括废气的流体的装置的多样的构造例的图。在每个构造中，下部的空白四边形表示流体处理器，在内部画有阀的小的四边形表示歧管。歧管内的阀并不代表实际歧管的阀结构，而是用于表示歧管。如前所述，歧管包括一个供应管和两个排出管、一个供应管和三个排出管等，其中示出包括一个至三个歧管的装置的多样的示例。
具体地，在本发明的用于连续地供应包括废气的流体的装置中，
1)设置有一个流体处理器和两个歧管，并且一个歧管的排出管中的一个直接连接至另外的歧管的供应管或旁通；或者
2)设置有一个流体处理器和三个歧管，并且一个歧管的两个排出管中的每一个直接连接至另外的歧管的供应管；或者
3)设置有两个流体处理器和两个歧管，并且一个歧管的排出管中的一个直接连接至另外的歧管的供应管或旁通；或者
4)设置有两个流体处理器和两个歧管，并且一个歧管的排出管中的每一个直接连接至第一流体处理器和第二流体处理器；或者
5)设置有两个流体处理器和三个歧管，并且一个歧管的两个排出管中的每一个直接连接至另外的歧管的供应管。
本发明所属领域中的一般技术人员将能够基于以上内容在本发明的范畴内执行多种应用和变形。
附图标记
11、12、13、14、15、16、17、18：三通阀，21、22、23、24：本发明的歧管，31、33：第一流体处理器，32、34：第二流体处理器，100：现有技术的实施例的MIMO系统，200：本发明的一实施例的MIMO系统，110、120、130、140、210、220、230、240：供应管，112、122、146、136、212、222、232、242：第一流体处理器排出管，118、128、134、144、216、226、236、246：第二流体处理器排出管，114、124、132、142：三通阀连接管，116、126、138、148、214、224、234、244：旁通管，217、218、219：驱动器，211：加热机构。
Claims (14)
1.一种用于连续地供应包括废气的流体的装置，包括：一个以上的歧管，其用于控制包括在包括半导体及显示器工序的工业工序中产生的废气的流体的流动；以及一个以上的流体处理器，其与所述歧管连接，并且所述用于连续地供应包括废气的流体的装置具有控制系统，所述控制系统在通过所述一个以上的歧管中的一个歧管的一个以上的排出管向所述一个以上的流体处理器中的一个以上供应包括所述废气的流体的管道被堵塞时，使用所述一个以上的歧管中的所述一个歧管的未被堵塞的另外的排出管，或使用所述一个以上的歧管中未使用的别的歧管的一个以上的排出管向所述一个以上的流体处理器中的所述一个以上或所述一个以上的流体处理器中不同于所述一个以上的另外的流体处理器供应包括所述废气的流体，所述用于连续地供应包括废气的流体的装置的特征在于，
所述歧管包括一个以上的供应管和一个以上的排出管，
所述歧管的所述一个以上的排出管均由通过气动或电来工作的驱动器控制，
所述驱动器通过非比例控制的开/关方式控制，
所述歧管在内部具有能够加热流体的机构。
2.根据权利要求1所述的用于连续地供应包括废气的流体的装置，其特征在于，
所述歧管进一步包括一个以上的旁通管。
3.根据权利要求1所述的用于连续地供应包括废气的流体的装置，其特征在于，
所述歧管的内部的能够加热流体的机构是截面为多边形或圆形的棒形态，具有能够插入于所述歧管的本体的形态。
4.根据权利要求1所述的用于连续地供应包括废气的流体的装置，其特征在于，
所述用于连续地供应包括废气的流体的装置设置有包括第一歧管、第二歧管的两个以上的歧管，所述第一歧管至第二歧管中的每一个包括一个供应管、一个旁通管、第一排出管、第二排出管，并且设置有包括第一流体处理器、第二流体处理器的共两个流体处理器。
5.根据权利要求4所述的用于连续地供应包括废气的流体的装置，其特征在于，
两个所述歧管接近整体装置的中央并向相同的方向定向而配置，两个所述流体处理器配置于整体装置的两端，所述歧管中的每一个的所述供应管和所述旁通管彼此相邻而配置于所述歧管的上侧面，所述歧管的两个所述第一排出管和所述第二排出管分别配置于所述歧管的右侧面和左侧面。
6.根据权利要求5所述的用于连续地供应包括废气的流体的装置，其特征在于，
所述歧管中的每一个的所述第一排出管连接于两个所述流体处理器中配置于所述歧管的右侧的流体处理器，所述歧管中的每一个的所述第二排出管连接于两个所述流体处理器中配置于所述歧管的左侧的流体处理器。
7.根据权利要求4所述的用于连续地供应包括废气的流体的装置，其特征在于，
所述用于连续地供应包括废气的流体的装置设置有包括第一歧管、第二歧管、第三歧管、第四歧管的四个歧管，
所述控制系统通过以下步骤进行工作：
(1)向所述第一歧管的供应管供应包括所述废气的流体的步骤；
(2)通过所述第一歧管的所述第一排出管向所述第一流体处理器供应包括所述废气的流体的步骤；
(3)当所述第一歧管的所述第一排出管被堵塞时，通过所述第一歧管的所述第二排出管向所述第二流体处理器供应包括所述废气的流体的步骤；
(4)当所述第一歧管的所述第二排出管被堵塞时，通过所述第二歧管的所述第一排出管向所述第一流体处理器供应包括所述废气的流体的步骤；
(5)当所述第二歧管的所述第一排出管被堵塞时，通过所述第二歧管的所述第二排出管向所述第二流体处理器供应包括所述废气的流体的步骤；
(6)当所述第二歧管的所述第二排出管被堵塞时，通过所述第三歧管的第一排出管向所述第一流体处理器供应包括所述废气的流体的步骤；
(7)当所述第三歧管的所述第一排出管被堵塞时，通过所述第三歧管的第二排出管向所述第二流体处理器供应包括所述废气的流体的步骤；
(8)所当述第三歧管的所述第二排出管被堵塞时，通过所述第四歧管的第一排出管向所述第一流体处理器供应包括所述废气的流体的步骤；
(9)当所述第四歧管的所述第一排出管被堵塞时，通过所述第四歧管的第二排出管向所述第二流体处理器供应包括所述废气的流体的步骤；以及
(10)当所述第四歧管的所述第二排出管被堵塞时，关闭整体装置并进行维修的步骤。
8.根据权利要求4所述的用于连续地供应包括废气的流体的装置，其特征在于，
所述用于连续地供应包括废气的流体的装置设置有包括第一歧管、第二歧管、第三歧管、第四歧管的四个歧管，
所述控制系统通过以下步骤进行工作：
(1)向所述第一歧管至所述第四歧管的供应管分别供应包括所述废气的流体的步骤；
(2)通过所述第一歧管至所述第四歧管的第一排出管向述第一流体处理器供应包括所述废气的流体的步骤；
(3)当所述第一歧管至所述第四歧管中的某一个歧管的所述第一排出管被堵塞时，该歧管通过该歧管的第二排出管向所述第二流体处理器供应包括所述废气的流体的步骤；
(4)当连所述第一歧管至所述第四歧管中的某一个歧管的第二排出管也被堵塞时，中断通过该歧管的供应管向该歧管供应包括所述废气的流体的步骤；以及
(5)当所述第一歧管至所述第四歧管的所有第二排出管被堵塞时，关闭装置并进行维修的步骤。
9.根据权利要求1所述的用于连续地供应包括废气的流体的装置，其特征在于，
所述歧管包括以下中的一个以上的歧管：
1)具备配置于歧管主体的一面的一个供应管、同时配置在不同于所述一面的另一面的两个排出管或一个排出管和一个旁通管；
2)具备配置于所述歧管主体的一面的一个供应管、分别单独配置于不同于所述一面的别的各个面的两个排出管或一个排出管和一个旁通管；
3)具备配置于所述歧管主体的一面的一个供应管、以及进一步配置于不同于所述一面的其余的面且两个或三个同时配置于一个面或在一个面各配置一个的三个管，其中，进一步配置的所述管包括第一排出管、第二排出管、旁通管；以及
4)具备配置于所述歧管主体的一面一个供应管和一个额外的管、以及进一步设置于不同于所述一面的其余的面且两个同时配置于一个面或在一个面各配置一个的两个管，其中，进一步设置的所述管包括第一排出管、第二排出管、旁通管。
10.根据权利要求1所述的用于连续地供应包括废气的流体的装置，其特征在于，
所述用于连续地供应包括废气的流体的装置设置有一个流体处理器和两个歧管，并且一个歧管的排出管中的一个直接连接至另外的歧管的供应管或旁通。
11.根据权利要求1所述的用于连续地供应包括废气的流体的装置，其特征在于，
所述用于连续地供应包括废气的流体的装置设置有一个流体处理器和三个歧管，并且一个歧管的两个排出管中的每一个直接连接至另外的歧管的供应管。
12.根据权利要求1所述的用于连续地供应包括废气的流体的装置，其特征在于，
所述用于连续地供应包括废气的流体的装置设置有两个流体处理器和两个歧管，并且一个歧管的排出管中的一个直接连接至另外的歧管的供应管或旁通。
13.根据权利要求1所述的用于连续地供应包括废气的流体的装置，其特征在于，
所述用于连续地供应包括废气的流体的装置设置有两个流体处理器和两个歧管，并且一个歧管的排出管中的每一个直接连接至第一流体处理器和第二流体处理器。
14.根据权利要求1所述的用于连续地供应包括废气的流体的装置，其特征在于，
所述用于连续地供应包括废气的流体的装置设置有两个流体处理器和三个歧管，并且一个歧管的两个排出管中的每一个直接连接至另外的歧管的供应管。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2018-0068560 | 2018-06-15 | ||
| KR1020180068560A KR102036697B1 (ko) | 2018-06-15 | 2018-06-15 | 입자를 포함하는 유체의 흐름을 제어하기 위한 매니폴드를 포함하는 미모 시스템 |
| PCT/KR2019/007188 WO2019240528A1 (ko) | 2018-06-15 | 2019-06-14 | 배가스를 포함하는 유체의 흐름을 제어하기 위한 매니폴드 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112368815A true CN112368815A (zh) | 2021-02-12 |
| CN112368815B CN112368815B (zh) | 2024-09-27 |
Family
ID=68421734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201980040233.5A Active CN112368815B (zh) | 2018-06-15 | 2019-06-14 | 用于控制包括废气的流体的流动的歧管 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102036697B1 (zh) |
| CN (1) | CN112368815B (zh) |
| WO (1) | WO2019240528A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102381543B1 (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-01 | 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 | 인터락 장치를 구비한 밸브 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09306846A (ja) * | 1996-05-15 | 1997-11-28 | Hitachi Ltd | 排気装置 |
| WO1998029181A1 (en) * | 1996-12-31 | 1998-07-09 | Atmi Ecosys Corporation | Effluent gas stream treatment system for oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases |
| US20030101938A1 (en) * | 1998-10-27 | 2003-06-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for the deposition of high dielectric constant films |
| US20090120635A1 (en) * | 2007-11-13 | 2009-05-14 | Halliburton Energy Services, Inc. | Apparatus and Method for Maintaining Boost Pressure to High-Pressure Pumps During Wellbore Servicing Operations |
| US20110146798A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-06-23 | Hutton Peter B | Purge manifold |
| CN103365300A (zh) * | 2012-03-28 | 2013-10-23 | 全球标准技术有限公司 | 一种面板姿态控制装置 |
| US20130333768A1 (en) * | 2012-06-15 | 2013-12-19 | Ramesh Chandrasekharan | Point of use valve manifold for semiconductor fabrication equipment |
| KR20140144030A (ko) * | 2013-06-10 | 2014-12-18 | (주)티티에스 | 파우더 방지 장치 및 기판 처리 장치 |
| KR20150032707A (ko) * | 2012-07-16 | 2015-03-27 | 포뮬라트릭스, 아이엔씨 | 유체 전달 시스템, 및 이와 관련된 장치 및 방법 |
| US20160237564A1 (en) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | Eastman Kodak Company | Atomic-layer deposition method using compound gas jet |
| KR20160127925A (ko) * | 2015-04-28 | 2016-11-07 | 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 | 난분해성 유해가스의 처리장치 및 방법 |
| US20170065934A1 (en) * | 2015-09-04 | 2017-03-09 | Global Standard Technology Co., Ltd. | Apparatus for purifying waste gases for integrated semiconductor |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW335511B (en) | 1996-08-02 | 1998-07-01 | Applied Materials Inc | Stress control by fluorination of silica film |
| US20030121796A1 (en) * | 2001-11-26 | 2003-07-03 | Siegele Stephen H | Generation and distribution of molecular fluorine within a fabrication facility |
| US20140042072A1 (en) * | 2012-08-10 | 2014-02-13 | Pall Corporation | Fluid treatment assemblies, fluid treatment segments, and methods of making fluid treatment systems |
| KR102447698B1 (ko) * | 2016-03-31 | 2022-09-29 | 에이치에스디엔진 주식회사 | 환원제 공급 시스템 및 이의 운용 방법 |
-
2018
- 2018-06-15 KR KR1020180068560A patent/KR102036697B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-06-14 WO PCT/KR2019/007188 patent/WO2019240528A1/ko active Application Filing
- 2019-06-14 CN CN201980040233.5A patent/CN112368815B/zh active Active
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09306846A (ja) * | 1996-05-15 | 1997-11-28 | Hitachi Ltd | 排気装置 |
| WO1998029181A1 (en) * | 1996-12-31 | 1998-07-09 | Atmi Ecosys Corporation | Effluent gas stream treatment system for oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases |
| US20030101938A1 (en) * | 1998-10-27 | 2003-06-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for the deposition of high dielectric constant films |
| US20090120635A1 (en) * | 2007-11-13 | 2009-05-14 | Halliburton Energy Services, Inc. | Apparatus and Method for Maintaining Boost Pressure to High-Pressure Pumps During Wellbore Servicing Operations |
| US20110146798A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-06-23 | Hutton Peter B | Purge manifold |
| CN103365300A (zh) * | 2012-03-28 | 2013-10-23 | 全球标准技术有限公司 | 一种面板姿态控制装置 |
| US20130333768A1 (en) * | 2012-06-15 | 2013-12-19 | Ramesh Chandrasekharan | Point of use valve manifold for semiconductor fabrication equipment |
| KR20150032707A (ko) * | 2012-07-16 | 2015-03-27 | 포뮬라트릭스, 아이엔씨 | 유체 전달 시스템, 및 이와 관련된 장치 및 방법 |
| KR20140144030A (ko) * | 2013-06-10 | 2014-12-18 | (주)티티에스 | 파우더 방지 장치 및 기판 처리 장치 |
| US20160237564A1 (en) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | Eastman Kodak Company | Atomic-layer deposition method using compound gas jet |
| KR20160127925A (ko) * | 2015-04-28 | 2016-11-07 | 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 | 난분해성 유해가스의 처리장치 및 방법 |
| US20170065934A1 (en) * | 2015-09-04 | 2017-03-09 | Global Standard Technology Co., Ltd. | Apparatus for purifying waste gases for integrated semiconductor |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| "排气后处理专利", 柴油机设计与制造, no. 03, 25 September 2017 (2017-09-25), pages 61 - 62 * |
| 于莹潇;袁兆成;田佳林;马家义;: "现代汽车热管理系统研究进展", 汽车技术, no. 08, 24 August 2009 (2009-08-24), pages 5 - 11 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2019240528A1 (ko) | 2019-12-19 |
| CN112368815B (zh) | 2024-09-27 |
| KR102036697B1 (ko) | 2019-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101710769B1 (ko) | 유체 제어 장치 | |
| KR102129136B1 (ko) | 원자층 증착 및 화학 기상 증착 반응기들에 대한 pou 밸브 매니폴드 | |
| JP5562712B2 (ja) | 半導体製造装置用のガス供給装置 | |
| JP6211584B2 (ja) | プラズマ処理システムにおける共有ガスパネル | |
| KR101224337B1 (ko) | 가스 운반용 일체형 진공 펌핑 시스템, 가스 운반용 장치 및 가스 운반 방법 | |
| TWI582880B (zh) | 運作電子元件製造系統之方法與設備 | |
| JP2002089798A (ja) | 流体制御装置およびこれを用いたガス処理装置 | |
| EP3045709B1 (en) | Valve system comprising a heat exchanger and method of cooling a valve controller | |
| CN110199122A (zh) | 真空泵送布置 | |
| CN112368815A (zh) | 用于控制包括废气的流体的流动的歧管 | |
| JP2007102350A (ja) | 外部配管保護機能をもつ恒温液循環装置 | |
| JP4677805B2 (ja) | 流体制御装置 | |
| CN104976168B (zh) | 安全且可用的歧管系统 | |
| KR102046097B1 (ko) | 배기가스를 포함하는 유체의 흐름을 제어하기 위한 매니폴드 | |
| TW201413789A (zh) | 包括多個反應器之半導體處理裝置及用以對其提供處理氣體之方法 | |
| KR20200026981A (ko) | 열 교환 장치 및 이를 위한 열 교환 방법과 이의 기상 증착 장치 | |
| JP4411341B2 (ja) | 縦型熱処理装置用の熱交換器及び縦型熱処理装置 | |
| US12109530B2 (en) | Waste gas separation and treatment apparatus and control method thereof | |
| JP4355724B2 (ja) | ガス集積ユニット | |
| KR20220001167U (ko) | 공압식 액추에이터의 점검 장치 | |
| CN115692294A (zh) | 半导体工艺设备及其控制方法 | |
| CN106435520B (zh) | 一种炉管尾气处理管道 | |
| WO2006102413B1 (en) | Regenerative thermal oxidizer assembly | |
| KR102248220B1 (ko) | 반도체 공정용 히팅 장치 | |
| KR101569561B1 (ko) | 열처리 장치용 열교환기 및 이것을 구비한 열처리 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |