CN112364508A - 一种光刻胶模型的建立方法及电子设备 - Google Patents

一种光刻胶模型的建立方法及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN112364508A
CN112364508A CN202011255892.1A CN202011255892A CN112364508A CN 112364508 A CN112364508 A CN 112364508A CN 202011255892 A CN202011255892 A CN 202011255892A CN 112364508 A CN112364508 A CN 112364508A
Authority
CN
China
Prior art keywords
scanning pattern
data
mask
alignment
photoresist model
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011255892.1A
Other languages
English (en)
Inventor
高世嘉
邵相军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Branch Dongfang Jingyuan Microelectronics Tech Beijing Co ltd
Dongfang Jingyuan Electron Ltd
Original Assignee
Shenzhen Branch Dongfang Jingyuan Microelectronics Tech Beijing Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Branch Dongfang Jingyuan Microelectronics Tech Beijing Co ltd filed Critical Shenzhen Branch Dongfang Jingyuan Microelectronics Tech Beijing Co ltd
Priority to CN202011255892.1A priority Critical patent/CN112364508A/zh
Publication of CN112364508A publication Critical patent/CN112364508A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/20—Design optimisation, verification or simulation
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T17/00—Three dimensional [3D] modelling, e.g. data description of 3D objects
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/10—Segmentation; Edge detection
    • G06T7/13—Edge detection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Computer Graphics (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种光刻胶模型的建立方法及电子设备，S1、提供掩模设计版图及电镜扫描图像，掩模设计版图包括至少一掩模图像，电镜扫描图像包括至少一扫描图案，将至少一扫描图案与至少一掩模图像对准以获得至少一对准扫描图案；S2、识别所述至少一对准扫描图案的外边界或者内边界；S3、至少提取至少一对准扫描图案的外边界或者内边界的位置信息以形成数据集；及S4、基于数据集建立光刻胶模型。提取外边界或者内边界的位置信息以形成数据集，其数据是较容易获得以及数量是相对较多的，使得形成的数据集更好的用于模型的建立，同时，外边界或者内边界的位置信息是单点数据，是绝对位置信息，能更加精确的建立光刻胶模型。

Description

一种光刻胶模型的建立方法及电子设备
【技术领域】
本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种光刻胶模型的建立方法及电子设备。
【背景技术】
在现代极大规模集成电路的制造过程中，光刻工艺是其中最重要的步骤，其将掩模版上的图形转移到硅片上，为后序工艺做好准备。而在当前纳米级的技术节点下，为了生产出期望的硅片图样，需要使用计算光刻技术对掩模设计版图进行优化。于是，在对当前工艺参数进行标定时，所得到的光刻胶模型的优劣，将直接影响到计算光刻后续操作中：如掩模优化、光源掩模协调优化等过程的效果。
在模型建立的过程中，硅片关键尺寸(CD)数据作为建模输入之一，是影响模型建立效果的主要因素。而传统的硅片CD数据是以手工在硅片的扫描电子显微图像(SEM)上进行量测得到的，因此数据量往往非常有限，对模型的建立与验证也不够充分。尤其是在负显影(NTD)技术中的光刻胶建模时，可调的优化参数非常多，从而导致模型的解空间异常大，在进行无梯度优化时的速度非常慢。而如果能够有丰富的硅片数据，便可加大对光刻胶项的可调参数的限制，使得优化方向变得更为明显，从而加快建模速度和改善模型精确度。
【发明内容】
为克服目前对于光刻胶模型的建立准确性低的技术问题，本发明提供一种光刻胶模型的建立方法及电子设备。
本发明为了解决上述技术问题，提供一技术方案：一种光刻胶模型的建立方法，其包括如下步骤：S1、提供掩模设计版图及与所述掩模设计版图对应的电镜扫描图像，将所述掩模设计版图图像化，图像化之后的所述掩模设计版图包括至少一掩模图像，所述电镜扫描图像包括与所述至少一掩模图像对应的至少一扫描图案，将所述至少一扫描图案与所述至少一掩模图像对准以获得至少一对准扫描图案；S2、基于边缘检测算法识别所述至少一对准扫描图案的外边界或者内边界；S3、至少提取所述至少一对准扫描图案的外边界或者内边界的位置信息以形成数据集；及S4、基于所述数据集建立光刻胶模型。
优选地，所述光刻胶模型的建立方法还包括如下步骤：S20、判断是否存在实测CD数据，若否则执行步骤S3以及步骤S4；若是，则执行步骤S21、步骤S22以及步骤S4：S21、基于所述实测CD数据对所述至少一对准扫描图案进行至少一次调节以获得至少一精确对准扫描图案；S22、至少提取所述至少一精确对准扫描图案的外边界或者内边界的位置信息以形成数据集；步骤S20、步骤21以及步骤S22在步骤S2之后。
优选地，上述步骤S1具体包括如下步骤：S11、基于边缘检测算法识别所述扫描图案的轮廓以及掩模图像的轮廓；S12、提供关于所述电镜扫描图像的坐标参数，基于所述坐标参数将所述扫描图案的轮廓与所述掩模图像的轮廓初步对准；S13、利用扫描图案的轮廓与所述掩模图像的轮廓对应点之间的坐标差值建立对准评价函数，基于所述对准评价函数调整所述扫描图案的轮廓与所述掩模图像的轮廓的再次对准至对准评价函数收敛以获得所述对准扫描图案。
优选地，所述步骤S11包括如下步骤：S111、将所述扫描图案的方向调整至与所述掩模图像的方向一致，同时调整所述扫描图案的尺寸与所述掩模图像的尺寸匹配；S112、利用高斯滤波函数对所述扫描图案进行降噪处理；及S113、基于边缘检测算法识别所述扫描图像以及所述掩模图像的轮廓。
优选地，所述步骤S1还包括如下步骤：S10、将所述掩模设计版图的掩模图像圆角化处理，将圆角化处理之后的掩模设计版图图像化；所述步骤S10在所述步骤S11之前。
优选地，上述步骤S21具体包括如下步骤：S211、根据实测CD数据的位置信息，截取当前对准扫描图案上与所述实测CD数据的同向上的仿真CD数据；S212、对所述实测CD数据与所述仿真CD数据做差，至少基于所有实测CD数据与仿真CD数据之间的差值的平方之和建立调节评价函数；S213、对所述当前对准扫描图案进行至少一次调节，提取每次调节后的对准扫描图案的边界，直至调节评价函数收敛以获得精确对准扫描图案。
优选地，在上述步骤S4中，基于所述步骤S3中获得的数据集结合实测CD数据建立光刻胶模型，或者基于所述步骤S22中获得的数据集结合实测CD数据建立光刻胶模型。
优选地，将所述步骤S3中获得的数据集以及所述步骤S22中获得的数据集进行类型转换以及去噪处理之后建立光刻胶模型。
优选地，在上述步骤S3或者步骤S22中，如果是亮场掩模，提取外边界；若果是暗场掩模，提取内边界。
为了解决上述技术问题，本发明还提供一种电子设备，其包括一个或多个处理器；存储装置，用于存储一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现如上所述的光刻胶模型的建立方法。
相对于现有技术，本发明提供的光刻胶模型的建立方法及电子设备具有如下有益效果，包括如下步骤：S1、提供掩模设计版图及电镜扫描图像，所述掩模设计版图包括至少一掩模图形，将所述掩模设计版图图像化，图像化之后的所述掩模设计版图包括至少与所述至少一掩模图形对应的至少一掩模图像，所述电镜扫描图像包括与所述至少一掩模图像对应的至少一扫描图案，将所述至少一扫描图案与所述至少一掩模图像对准以获得至少一对准扫描图案；S2、基于边缘检测算法识别所述至少一对准扫描图案的外边界或者内边界；S3、至少提取所述至少一对准扫描图案的外边界或者内边界的位置信息以形成数据集；及S4、基于所述数据集建立光刻胶模型，提取所述至少一对准扫描图案的外边界或者内边界的位置信息以形成数据集，其数据是较容易获得以及数量是相对较多的，使得形成的数据集更好的用于模型的建立，同时，外边界或者内边界的位置信息是单点数据，是绝对位置信息，能更加精确的建立光刻胶模型。
所述光刻胶模型的建立方法还包括如下步骤：S20、判断是否存在实测CD数据，若否则执行步骤S3以及步骤S4；若是，则执行步骤S21、步骤S22以及步骤S4：S21、基于所述实测CD数据对所述至少一对准扫描图案进行至少一次调节以获得至少一精确对准扫描图案；S22、至少提取所述至少一精确对准扫描图案的外边界或者内边界的位置信息以形成数据集；步骤S20、步骤21以及步骤S22在步骤S2之后，结合实测CD数据能很好的提高扫描图案相对掩模图像的对准程度，以进一步提高提取的数据集更好的代表扫描图案，提高模型建立的准确性。
在上述步骤S4中，基于所述步骤S3中获得的数据集结合实测CD数据建立光刻胶模型，或者基于所述步骤S22中获得的数据集结合实测CD数据建立光刻胶模型，将实测CD数据和代表扫描图案边界的数据结合作为数据集建立光刻胶模型，使得数据集的代表性大大提高，以进一步提高模型建立的准确性。
本发明提供的电子设备具有和方法同样的有益效果。
【附图说明】
图1是本发明第一实施例提供的光刻胶模型的建立方法的流程图；
图2是本发明第一实施例提供的光刻胶模型的建立方法中掩模设计版图的示意图；
图3是本发明第一实施例提供的光刻胶模型的建立方法中电镜扫描图像的示意图；
图4是本发明第一实施例提供的光刻胶模型的建立方法中扫描图案与掩模图像对准时的示意图；
图5是本发明第一实施例提供的光刻胶模型的建立方法中步骤S1的细节流程图；
图6是本发明第一实施例提供的光刻胶模型的建立方法中步骤S1的变形中细节流程图；
图7是本发明第一实施例提供的光刻胶模型的建立方法变形实施例中的流程图；
图8是本发明第一实施例提供的光刻胶模型的建立方法中步骤S21的细节流程图；
图9是本发明中第二实施例中提供的电子设备的模块示意图；
图10是适于用来实现本发明实施例的服务器的计算机系统的结构示意图。
【具体实施方式】
为了使本发明的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1，本发明第一实施例提供一种光刻胶模型的建立方法，包括如下步骤：
S1、提供掩模设计版图及电镜扫描图像，所述掩模设计版图包括至少一掩模图形，将所述掩模设计版图图像化，图像化之后的所述掩模设计版图包括至少与所述至少一掩模图形对应的至少一掩模图像，所述电镜扫描图像包括与所述至少一掩模图像对应的至少一扫描图案，将所述至少一扫描图案与所述至少一掩模图像对准以获得至少一对准扫描图案；
S2、基于边缘检测算法识别所述至少一对准扫描图案的外边界或者内边界；
S3、至少提取所述至少一对准扫描图案的外边界或者内边界的位置信息以形成数据集；及
S4、基于所述数据集建立光刻胶模型。
在上述步骤S1中，请参阅图2，掩模设计版图的示意图，其上形成有多个长条形的掩模图形，对应图中的区域M。在一些其它实施方式中也可以是其它的形状，如梯形、不规则多边形、规则多边形等其他图形都可以。通常，在执行步骤S1或者进行光刻计算时，需要将掩模设计版图以GDS的格式进行输入。将掩模设计版图图像化通常是将其转化为二值化图像。可以是该二值化图像中掩模图形区域内的灰度值为1，外部灰度值为0以获得掩模图像。同样的，也可以将电镜扫描图像转化为二值化图像。
请参阅图3，其为通过扫描电子显微镜获得的与所述掩模设计版图对应的电镜扫描图像，其中区域M1对应为为与扫描图案，与掩模图像对应。
请结合图2、图3和图4，在实际的光刻工艺制备芯片的过程中，通过扫描电子显微镜获得的电镜扫描图像中的扫描图案通常是不能与掩模设计版图上的掩模图像坐标对齐的，因此，需要将电镜扫描图像载入使得其上的扫描图案与掩模设计版图上的掩模图像对准，将对准之后的扫描图案称为对准扫描图案，对准扫描图案和扫描图案之间的形状本身没有改变，只是位置上的调整。
请参阅图5，上述步骤S1具体包括如下步骤：
S11、基于边缘检测算法识别所述扫描图案的轮廓以及掩模图像的轮廓；
S12、提供关于所述电镜扫描图像的坐标参数，基于所述坐标参数将所述扫描图案的轮廓与所述掩模图像的轮廓初步对准；
S13、利用扫描图案的轮廓与所述掩模图像的轮廓对应点之间的坐标差值建立对准评价函数，基于所述对准评价函数调整所述扫描图案的轮廓与所述掩模图像的轮廓的再次对准至对准评价函数收敛以获得所述对准扫描图案。
在上述步骤S11中边缘检测算法是现有的canny边缘检测算法。其具体的识别过程是现有的，在此不再针对其具体的识别过程进行阐述。
在上述步骤S12中，所提供的关于电镜扫描图像中扫描图案的坐标参数是来源于扫描电子显微镜。其包括扫描图案的坐标参数、像素大小、图片大小等信息。
在实际对准的过程中，由于掩模图像的轮廓与扫描图案的轮廓形状之间存在差异，难以知道两者之间的位置到底是如何的关系方被认为是对准的。因此，需要执行步骤S13、扫描图案的轮廓与所述掩模图像的轮廓对应点之间的坐标差值建立对准评价函数，基于所述对准评价函数调整所述扫描图案的轮廓与所述掩模图像的轮廓的匹配至对准评价函数收敛。
在上述步骤S2中，基于边缘检测算法识别所述至少一对准扫描图案的外边界或者内边界。在本步骤中，通常扫描图案的边界具有一定的宽度。因此，其存在内边界与外边界之分。
请参阅图6，所述步骤S1还包括如下步骤：：
S10、将所述掩模设计版图的掩模图像圆角化处理；
所述步骤S10在所述步骤S11之前。
在一些具体的实施方式中，所述步骤S11包括如下步骤：
S111、将所述扫描图案的方向调整至与所述掩模图像的方向一致，同时调整所述扫描图案的尺寸与所述掩模图像的尺寸匹配；
S112、利用高斯滤波函数对所述扫描图案进行降噪处理；及
S113、基于边缘检测算法识别所述扫描图像以及所述掩模图像的轮廓。
在上述步骤S111中，如果扫描图案的方向相对掩模图像的方向是有了旋转的，首先需要将其方向对应做旋转，否则无法做到很好的配准。
在上述步骤S112中，利用高斯滤波函数对所述扫描图案进行降噪处理能很好的去除图像的噪声，提高识别的准确性。
请参阅图7，作为一种变形，所述光刻胶模型的建立方法还包括如下步骤：
S20、判断是否存在实测CD数据，若否则执行步骤S3以及步骤S4；
若是，则执行步骤S21、步骤S22以及步骤S4：
S21、基于所述实测CD数据对所述至少一对准扫描图案进行至少一次调节以获得至少一精确对准扫描图案；
S22、至少提取所述至少一精确对准扫描图案的外边界或者内边界的位置信息以形成数据集；
步骤S20、步骤21以及步骤S22在步骤S2之后。
在上述步骤S20中，CD值是关于硅片的关键尺寸。实测CD数据是通过手工测量的方式在硅片的电镜扫描图像上进行测量得到的，其数据量相对有限。
若存在实测CD数据时，执行上述步骤S21和步骤S22，(也即利用步骤S21和步骤S22替换上述步骤S3)，能很好的进一步调整至少一扫描图案与所述至少一掩模图像的对准程度，使得提取获得的内边界或者外边界数据的准确性更高，以获得更加准确的模型。
请参阅图8，上述步骤S21具体包括如下步骤：
S211、根据实测CD数据的位置信息，截取当前对准扫描图案上与所述实测CD数据的同向上的仿真CD数据；
S212、对所述实测CD数据与所述仿真CD数据做差，至少基于所有实测CD数据与仿真CD数据之间的差值的平方之和建立调节评价函数；
S213、对所述当前对准扫描图案进行至少一次调节，提取每次调节后的对准扫描图案的边界，直至调节评价函数收敛以获得精确对准扫描图案。
通常，用户会首先对电镜扫描图像的CD数据进行测量以获得实测CD数据，此时用户同时记录该对应实测CD数据对应的位置信息，其位置信息用坐标值进行标定。仿真CD数据则是在对应在对准扫描图像上截取获得的，可以理解，在步骤S11中，已经基于边缘检测算法识别所述扫描图案的轮廓以及掩模图像的轮廓，因此，对准扫描图像也对应为轮廓图像，只是相对扫描图案的轮廓进行了适当的位置调整而已，因此直接在其上对应截取即可获得仿真CD数据。
在上述步骤S4中，基于所述步骤S3中获得的数据集结合实测CD数据建立光刻胶模型，或者基于所述步骤S22中获得的数据集结合实测CD数据建立光刻胶模型。
将所述步骤S3中获得的数据集以及所述步骤S22中获得的数据集进行类型转换以及去噪处理之后建立光刻胶模型。主要是将数据转换成与实测CD数据的类型相同，以方便进行建模。通常，在进行数据类型的转换之后数据集除了包括坐标信息还包括对应的方向信息。其方向信息可以是在扫描图案轮廓边界的法线方向一致。
在上述步骤S3或者步骤S22中，如果是亮场掩模，提取外边界数据；若果是暗场掩模，则提取内边界数据。
当获得了光刻胶模型之后，对光刻胶模型性能的评估过程中，利用实测CD数据的差值作为变量以及利用步骤S3或者步骤S22中获得的数据集的坐标差值作为变量建立评价函数。基于建立的目标函数对掩模或者其他的光刻变量进行优化，直至评价函数收敛。
请参阅图9，本发明的第二实施例提供一种电子设备300，其包括一个或多个处理器301；
存储装置302，用于存储一个或多个程序，
当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器301执行，使得所述一个或多个处理器301实现如第一实施例或者其变形实施例中提供的光刻胶模型的建立方法。
下面参考图10，其示出了适于用来实现本发明实施例的终端设备/服务器的计算机系统800的结构示意图。图10示出的终端设备/服务器仅仅是一个示例，不应对本申请实施例的功能和使用范围带来任何限制。
如图10所示，计算机系统800包括中央处理单元(CPU)801，其可以根据存储在只读存储器(ROM)802中的程序或者从存储部分808加载到随机访问存储器(RAM)803中的程序而执行各种适当的动作和处理。在RAM 803中，还存储有系统800操作所需的各种程序和数据。CPU 801、ROM802以及RAM 803通过总线804彼此相连。输入/输出(I/O)接口805也连接至总线804。
以下部件连接至I/O接口805：包括键盘、鼠标等的输入部分806；包括诸如阴极射线管(CRT)、液晶显示器(LCD)等以及扬声器等的输出部分807；包括硬盘等的存储部分808；以及包括诸如LAN卡、调制解调器等的网络接口卡的通信部分809。通信部分809经由诸如因特网的网络执行通信处理。驱动器810也根据需要连接至I/O接口805。可拆卸介质811，诸如磁盘、光盘、磁光盘、半导体存储器等等，根据需要安装在驱动器810上，以便于从其上读出的计算机程序根据需要被安装入存储部分808。
根据本公开的实施例，上文参考流程图描述的过程可以被实现为计算机软件程序。例如，本公开的实施例包括一种计算机程序产品，其包括承载在计算机可读介质上的计算机程序，该计算机程序包含用于执行流程图所示的方法的程序代码。在这样的实施例中，该计算机程序可以通过通信部分809从网络上被下载和安装，和/或从可拆卸介质811被安装。在该计算机程序被中央处理单元(CPU)801执行时，执行本发明的方法中限定的上述功能。需要说明的是，本发明所述的计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质或者是上述两者的任意组合。计算机可读存储介质例如可以是—但不限于—电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子可以包括但不限于：具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机访问存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(CD－ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。
可以以一种或多种程序设计语言或其组合来编写用于执行本申请的操作的计算机程序代码，所述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如Java、Smalltalk、C++，还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“C”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算机上执行、部分地在用户计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或服务器上执行。在涉及远程计算机的情形中，远程计算机可以通过任意种类的网络——包括局域网(LAN)或广域网(WAN)—连接到用户计算机，或者，可以连接到外部计算机(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。
附图中的流程图和框图，图示了按照本发明各种实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段、或代码的一部分，该模块、程序段、或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个接连地表示的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
上述计算机可读介质承载有一个或者多个程序，当上述一个或者多个程序被该装置执行时，使得该装置执行如下步骤：S1、提供掩模设计版图及电镜扫描图像，所述掩模设计版图包括至少一掩模图形，将所述掩模设计版图图像化，图像化之后的所述掩模设计版图包括至少与所述至少一掩模图形对应的至少一掩模图像，所述电镜扫描图像包括与所述至少一掩模图像对应的至少一扫描图案，将所述至少一扫描图案与所述至少一掩模图像对准以获得至少一对准扫描图案；S2、基于边缘检测算法识别所述至少一对准扫描图案的外边界或者内边界；S3、至少提取所述至少一对准扫描图案的外边界或者内边界的位置信息以形成数据集；及S4、基于所述数据集建立光刻胶模型。
相对于现有技术，本发明提供的光刻胶模型的建立方法及电子设备具有如下有益效果，包括如下步骤：S1、提供掩模设计版图及电镜扫描图像，所述掩模设计版图包括至少一掩模图形，将所述掩模设计版图图像化，图像化之后的所述掩模设计版图包括至少与所述至少一掩模图形对应的至少一掩模图像，所述电镜扫描图像包括与所述至少一掩模图像对应的至少一扫描图案，将所述至少一扫描图案与所述至少一掩模图像对准以获得至少一对准扫描图案；S2、基于边缘检测算法识别所述至少一对准扫描图案的外边界或者内边界；S3、至少提取所述至少一对准扫描图案的外边界或者内边界的位置信息以形成数据集；及S4、基于所述数据集建立光刻胶模型，提取所述至少一对准扫描图案的外边界或者内边界的位置信息以形成数据集，其数据是较容易获得以及数量是相对较多的，使得形成的数据集更好的用于模型的建立，同时，外边界或者内边界的位置信息是单点数据，是绝对位置信息，能更加精确的建立光刻胶模型。
所述光刻胶模型的建立方法还包括如下步骤：S20、判断是否存在实测CD数据，若否则执行步骤S3以及步骤S4；若是，则执行步骤S21、步骤S22以及步骤S4：S21、基于所述实测CD数据对所述至少一对准扫描图案进行至少一次调节以获得至少一精确对准扫描图案；S22、至少提取所述至少一精确对准扫描图案的外边界或者内边界的位置信息以形成数据集；步骤S20、步骤21以及步骤S22在步骤S2之后，结合实测CD数据能很好的提高扫描图案相对掩模图像的对准程度，以进一步提高提取的数据集更好的代表扫描图案，提高模型建立的准确性。
在上述步骤S4中，基于所述步骤S3中获得的数据集结合实测CD数据建立光刻胶模型，或者基于所述步骤S22中获得的数据集结合实测CD数据建立光刻胶模型，将实测CD数据和代表扫描图案边界的数据结合作为数据集建立光刻胶模型，使得数据集的代表性大大提高，以进一步提高模型建立的准确性。
本发明提供的电子设备具有和方法同样的有益效果。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的原则之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包含本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种光刻胶模型的建立方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、提供掩模设计版图及与所述掩模设计版图对应的电镜扫描图像，将所述掩模设计版图图像化，图像化之后的所述掩模设计版图包括至少一掩模图像，所述电镜扫描图像包括与所述至少一掩模图像对应的至少一扫描图案，将所述至少一扫描图案与所述至少一掩模图像对准以获得至少一对准扫描图案；
S2、基于边缘检测算法识别所述至少一对准扫描图案的外边界或者内边界；
S3、至少提取所述至少一对准扫描图案的外边界或者内边界的位置信息以形成数据集；及
S4、基于所述数据集建立光刻胶模型。
2.如权利要求1所述的光刻胶模型的建立方法，其特征在于：所述光刻胶模型的建立方法还包括如下步骤：
S20、判断是否存在实测CD数据，若否则执行步骤S3以及步骤S4；
若是，则执行步骤S21、步骤S22以及步骤S4：
S21、基于所述实测CD数据对所述至少一对准扫描图案进行至少一次调节以获得至少一精确对准扫描图案；
S22、至少提取所述至少一精确对准扫描图案的外边界或者内边界的位置信息以形成数据集；
步骤S20、步骤21以及步骤S22在步骤S2之后。
3.如权利要求1所述的光刻胶模型的建立方法，其特征在于：上述步骤S1具体包括如下步骤：
S11、基于边缘检测算法识别所述扫描图案的轮廓以及掩模图像的轮廓；
S12、提供关于所述电镜扫描图像的坐标参数，基于所述坐标参数将所述扫描图案的轮廓与所述掩模图像的轮廓初步对准；
S13、利用扫描图案的轮廓与所述掩模图像的轮廓对应点之间的坐标差值建立对准评价函数，基于所述对准评价函数调整所述扫描图案的轮廓与所述掩模图像的轮廓的再次对准至对准评价函数收敛以获得所述对准扫描图案。
4.如权利要求3所述的光刻胶模型的建立方法，其特征在于：所述步骤S11包括如下步骤：
S111、将所述扫描图案的方向调整至与所述掩模图像的方向一致，同时调整所述扫描图案的尺寸与所述掩模图像的尺寸匹配；
S112、利用高斯滤波函数对所述扫描图案进行降噪处理；及
S113、基于边缘检测算法识别所述扫描图像以及所述掩模图像的轮廓。
5.如权利要求4所述的光刻胶模型的建立方法，其特征在于：所述步骤S1还包括如下步骤：
S10、将所述掩模设计版图的掩模图像圆角化处理，将圆角化处理之后的掩模设计版图图像化；
所述步骤S10在所述步骤S11之前。
6.如权利要求3所述的光刻胶模型的建立方法，其特征在于：上述步骤S21具体包括如下步骤：
S211、根据实测CD数据的位置信息，截取当前对准扫描图案上与所述实测CD数据的同向上的仿真CD数据；
S212、对所述实测CD数据与所述仿真CD数据做差，至少基于所有实测CD数据与仿真CD数据之间的差值的平方之和建立调节评价函数；
S213、对所述当前对准扫描图案进行至少一次调节，提取每次调节后的对准扫描图案的边界，直至调节评价函数收敛以获得精确对准扫描图案。
7.如权利要求6所述的光刻胶模型的建立方法，其特征在于：在上述步骤S4中，基于所述步骤S3中获得的数据集结合实测CD数据建立光刻胶模型，或者基于所述步骤S22中获得的数据集结合实测CD数据建立光刻胶模型。
8.如权利要求7所述的光刻胶模型的建立方法，其特征在于：将所述步骤S3中获得的数据集以及所述步骤S22中获得的数据集进行类型转换以及去噪处理之后建立光刻胶模型。
9.如权利要求2所述的光刻胶模型的建立方法，其特征在于：在上述步骤S3或者步骤S22中，如果是亮场掩模，提取外边界；若果是暗场掩模，提取内边界。
10.一种电子设备，其特征在于：其包括一个或多个处理器；
存储装置，用于存储一个或多个程序，
当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现如权利要求1-9中任一项所述的光刻胶模型的建立方法。
CN202011255892.1A 2020-11-11 2020-11-11 一种光刻胶模型的建立方法及电子设备 Pending CN112364508A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011255892.1A CN112364508A (zh) 2020-11-11 2020-11-11 一种光刻胶模型的建立方法及电子设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011255892.1A CN112364508A (zh) 2020-11-11 2020-11-11 一种光刻胶模型的建立方法及电子设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112364508A true CN112364508A (zh) 2021-02-12

Family

ID=74516024

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011255892.1A Pending CN112364508A (zh) 2020-11-11 2020-11-11 一种光刻胶模型的建立方法及电子设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112364508A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116306452A (zh) * 2023-05-17 2023-06-23 华芯程(杭州)科技有限公司 一种光刻胶参数获取方法及装置、电子设备
CN117348334A (zh) * 2023-12-04 2024-01-05 华芯程(杭州)科技有限公司 一种光学临近效应修正方法、装置、设备及介质
WO2024045295A1 (zh) * 2022-08-31 2024-03-07 东方晶源微电子科技（北京）有限公司 基于设计版图的扫描电子显微镜图像的量测方法和装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024045295A1 (zh) * 2022-08-31 2024-03-07 东方晶源微电子科技（北京）有限公司 基于设计版图的扫描电子显微镜图像的量测方法和装置
CN116306452A (zh) * 2023-05-17 2023-06-23 华芯程(杭州)科技有限公司 一种光刻胶参数获取方法及装置、电子设备
CN116306452B (zh) * 2023-05-17 2023-08-08 华芯程(杭州)科技有限公司 一种光刻胶参数获取方法及装置、电子设备
CN117348334A (zh) * 2023-12-04 2024-01-05 华芯程(杭州)科技有限公司 一种光学临近效应修正方法、装置、设备及介质
CN117348334B (zh) * 2023-12-04 2024-04-16 华芯程(杭州)科技有限公司 一种光学临近效应修正方法、装置、设备及介质

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112364508A (zh) 一种光刻胶模型的建立方法及电子设备
TWI716684B (zh) 臨界尺寸量測方法及用於量測臨界尺寸的影像處理裝置
US20040102912A1 (en) Automatic calibration of a masking process simulator
CN111507055B (zh) 电路设计版图和电镜扫描图像的配准方法及系统、电路设计版图和其成像误差计算方法
US8681326B2 (en) Method and apparatus for monitoring mask process impact on lithography performance
CN110361926B (zh) 光学邻近效应修正模型及其建立方法和掩膜板的形成方法
US9646220B2 (en) Methods and media for averaging contours of wafer feature edges
JP2015508513A (ja) データベース支援再適格性レチクル検査の方法および装置
KR100563171B1 (ko) 치수 측정 방법, 치수 측정 시스템, 포토마스크 패턴의형상 측정 방법 및 포토마스크의 제조 방법
US20010012390A1 (en) Pattern inspection equipment, pattern inspection method, and storage medium storing pattern inspection program
JP2003031469A (ja) パターン評価方法，位置合わせ方法、検査装置の検査方法，半導体製造工程の管理方法
US11410300B2 (en) Defect inspection device, defect inspection method, and storage medium
CN109459911B (zh) 一种提高opc模型精度的方法
JP4230980B2 (ja) パターンマッチング方法およびプログラム
CN114509912A (zh) 一种掩模优化方法、掩模优化装置及电子设备
CN112506003A (zh) 一种掩模优化方法、掩模优化系统及电子设备
Morokuma et al. A new matching engine between design layout and SEM image of semiconductor device
CN110553581B (zh) 临界尺寸量测方法及用于量测临界尺寸的图像处理装置
US10401837B2 (en) Generating risk inventory and common process window for adjustment of manufacturing tool
CN115457350A (zh) 光学邻近修正的蚀刻模型训练方法及光学邻近修正方法
CN114241044A (zh) 回环检测方法、装置、电子设备和计算机可读介质
CN116802556A (zh) 用于确定晶圆图形尺寸的方法、装置、设备、介质以及程序产品
CN117111414B (zh) 一种光刻图像的在线自动生成方法
CN117541908B (zh) 光学检测图像预测模型的训练方法、装置及预测方法
CN113048905B (zh) 对准标记图像制作方法、对准标记测量方法及测量装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination