CN112351591B - 高抗剥强度的聚四氟乙烯基微波复合介质材料基板制备方法 - Google Patents

高抗剥强度的聚四氟乙烯基微波复合介质材料基板制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112351591B
CN112351591B CN202011286950.7A CN202011286950A CN112351591B CN 112351591 B CN112351591 B CN 112351591B CN 202011286950 A CN202011286950 A CN 202011286950A CN 112351591 B CN112351591 B CN 112351591B
Authority
CN
China
Prior art keywords
rolled sheet
peeling strength
temperature
polytetrafluoroethylene
mixing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011286950.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112351591A (zh
Inventor
金霞
赖占平
武聪
王丽婧
贾倩倩
张立欣
李强
乔韵豪
孙伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CETC 46 Research Institute
Original Assignee
CETC 46 Research Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CETC 46 Research Institute filed Critical CETC 46 Research Institute
Priority to CN202011286950.7A priority Critical patent/CN112351591B/zh
Publication of CN112351591A publication Critical patent/CN112351591A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112351591B publication Critical patent/CN112351591B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011Working of insulating substrates or insulating layers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/06Lamination
    • H05K2203/068Features of the lamination press or of the lamination process, e.g. using special separator sheets
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/10Process efficiency

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本发明公开了一种具有高抗剥强度的PTFE基微波复合介质材料基板制备方法,采用表面改性的方法将填料进行改性,增加填料与聚四氟乙烯(PTFE)的结合力,再通过压延工艺将物料压延成片材,在压延片上均匀涂覆钠、萘络合物表面改性剂,有助于改进复合材料与铜箔的粘接性能,再通过热压烧结将PTFE基复合材料与铜箔烧结在一起。技术效果是有效改善复合物料的不粘特性,提高复合物料压延片与铜箔之间的结合力,成功将抗剥强度提高至3.9N/mm以上。高抗剥强度的基板有助于材料加工过程中通孔的可靠性,有效避免铜带在通孔时分层甚至脱落的情况,满足复杂图形精确加工的要求,工序简便,可操作性强,方便在生产线上连续作业。

Description

高抗剥强度的聚四氟乙烯基微波复合介质材料基板制备方法
技术领域
本发明涉及一种微波复合介质基板制备方法,特别是涉及一种高抗剥强度的聚四氟乙烯基微波复合介质材料基板制备方法。
背景技术
随着高功能化电子产品的蓬勃发展,高性能基板材料的研发应运而生。除了特殊的装配工艺需要芯片在基板上倒封装,还有大面积多层PCB复杂图形精确定位等要求,这些应用领域都对通孔的可靠性提出了极高的要求。随着无线电通讯技术的迅猛发展,高频信号传输及处理设备的使用频率从3G、4G发展至5G,这对高频微波复合介质材料的性能尤其是介电性能、机械性能、力学性能及可加工性能等提出了极高的要求。其中,聚四氟乙烯(PTFE)基复合材料因具有相对介电常数易于调整、高频损耗小、金属化成本低、电路加工与安装方便等一系列优点受到业界广泛关注。但是PTFE材料本身完全是由碳和氟组成的高分子化合物,具有很强的电负性,无论是水还是含水物质都不会润湿这种材料,应用到基板领域其突出的问题就是复合材料与铜箔的粘接性能非常差,导致板材的抗剥强度低下。在PCB加工过程中发生铜带隆起、脱层甚至脱落等问题。这对电子互联应用场合来说是灾难性的不良。
发明内容
鉴于现有技术存在的问题,本发明提供一种高抗剥强度的聚四氟乙烯基微波复合介质材料基板制备方法,工序简便,可操作性强,方便在生产线上连续作业。具体技术方案是,一种高抗剥强度的聚四氟乙烯基微波复合介质材料基板制备方法,其特征在于:制备方法包括以下步骤,一、高抗剥强度的PTFE基微波复合介质基料坯制备,(1)表面改性:在混合罐中装入目标质量的陶瓷粉填料,并按照陶瓷粉填料目标质量的0.005~0.05比例加入硅烷偶联剂溶液,搅拌混合0.5-2h时间,搅拌结束后,收料并放入烘箱中烘干6-12h,取出研磨过筛,得到改性陶瓷粉,(2)物料混合:将改性陶瓷粉25~75wt%、固含量为50 %PTFE乳液75~25wt%加入到搅拌釜中,充分混合,直到组分均匀,(3)添加剂混合:向搅拌釜内加入5~30wt%的醇类添加剂,继续混合0.5h~4h,使物料混合均匀并形成可塑性良好的料坯;二、高抗剥强度的PTFE基微波复合介质材料基板制备,(1)混合料烘干:将料坯置于烘箱中,在80~110℃条件下烘干,除去水分,(2)压延成型:将烘干后料坯经双辊压延机反复压延成型,直到厚度为0.4-2mm的压延片,(3)压延片烘干:将压延片平铺放进高温烘箱,以120~340℃的温度进行烘干,(4)压延片表面改性:将烘干后的压延片表面均匀涂覆钠、萘络合物表面改性,置于真空低温烘箱中,在真空环境下以60~110℃的温度进行改性处理,(5)叠层:将改性处理后的压延片叠层,叠层为1-10层后上下面分别覆铜箔,(6)高温烧结:将叠层完毕的压延片置于真空高温层压机中烧结,热压温度为310~395℃,压力6~21MPa,保温时间0.5~4 h,随后自然冷却至室温,得到高抗剥强度的PTFE基微波复合介质材料基板。
本发明的技术效果是,有效改善复合物料的不粘特性,提高复合物料压延片与铜箔之间的结合力,成功将抗剥强度提高至3.9N/mm以上。高抗剥强度的基板有助于材料加工过程中通孔的可靠性,有效避免铜带在通孔时分层甚至脱落的情况,满足复杂图形精确加工的要求,工序简便,可操作性强,方便在生产线上连续作业,为高频高速电路板的封装与互连技术提供更广阔的发展空间。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步说明。
实施例
用于微波通讯的一种高抗剥强度的聚四氟乙烯基微波复合介质材料基板制备方法,该方法包括以下步骤:
(1)表面改性:在混合罐中装入陶瓷粉填料,称取填料比例0.5%的硅烷偶联剂加入混合罐中,搅拌混合30min,使混合物均匀,搅拌结束后,将改性后的陶瓷粉收料,放入烘箱中以90℃进行8h烘干,然后研磨过筛,得到改性陶瓷粉;
(2)物料混合:将改性陶瓷粉45wt%,PTFE乳液55wt%(按固含量换算)加入到搅拌釜中,充分混合2h,使组分均匀;
(3)添加剂混合:向搅拌釜内加入12wt%的异丙醇、丙醇和丁醇混合物,继续混合1h,使物料混合均匀并形成可塑性良好的料坯;
(4)混合料烘干:将料坯置于烘箱中,在90℃条件下烘干13h,除去水分;
(5)压延成型:将烘干后料坯经双辊压延机反复压延成型,直到成为厚度0.45mm的压延片;
(6)压延片烘干:将压延片平铺放进高温烘箱,以320℃的温度烘干4h;
(7)压延片表面改性:称取1kg的钠、萘络合物表面改性剂,加入料槽中,将各张压延片依次浸入料槽,浸泡5min后取出,置于真空低温烘箱中,在真空环境下以100℃的温度烘干,时间4h,进行压延片的表面改性处理;
(8)叠层:将改性处理后的压延片叠,3层,叠层后上下面分别覆铜箔,铜箔为35μm厚度的压延铜箔;
(9)高温烧结:将叠层完毕的压延片置于真空高温层压机中烧结,热压温度为390℃,压力19MPa,保温时间4h,随后自然冷却至室温,得到微波复合介质基板样品;
(10)抗剥强度性能测试:使用万能拉力机,按照国标GB/T 4722-2017 7.2.1测试,测试结果如表1。
表1 抗剥强度测试结果
Figure DEST_PATH_IMAGE001

Claims (1)

1.一种高抗剥强度的聚四氟乙烯基微波复合介质材料基板制备方法,其特征在于:制备方法包括以下步骤,一、高抗剥强度的聚四氟乙烯基微波复合介质基料坯制备,
(1)表面改性:在混合罐中装入目标质量的陶瓷粉填料,并按照陶瓷粉填料目标质量的0.005~0.05比例加入硅烷偶联剂溶液,搅拌混合0.5-2h时间,搅拌结束后,收料并放入烘箱中烘干6-12h,取出研磨过筛,得到改性陶瓷粉,
(2)物料混合:将改性陶瓷粉25~75wt%,固含量为50 %PTFE乳液75~25wt%加入到搅拌釜中,充分混合,直到组分均匀,
(3)添加剂混合:向搅拌釜内加入5~30wt%的醇类添加剂,继续混合0.5h~4h,使物料混合均匀并形成可塑性良好的料坯;
二、高抗剥强度的聚四氟乙烯基微波复合介质材料基板制备,
(1)混合料烘干:将料坯置于烘箱中,在80~110℃条件下烘干,除去水分,
(2)压延成型:将烘干后料坯经双辊压延机反复压延成型,直到厚度为0.4-2mm的压延片,
(3)压延片烘干:将压延片平铺放进高温烘箱,以120~340℃的温度进行烘干,
(4)压延片表面改性:将烘干后的压延片表面均匀涂覆钠、萘络合物表面改性,置于真空低温烘箱中,在真空环境下以60~110℃的温度进行改性处理,
(5)叠层:将改性处理后的压延片叠层,叠层为1-10层后上下面分别覆铜箔,
(6)高温烧结:将叠层完毕的压延片置于真空高温层压机中烧结,热压温度为310~395℃、压力6~21MPa、保温时间0.5~4 h,随后自然冷却至室温,得到高抗剥强度的PTFE基微波复合介质材料基板。
CN202011286950.7A 2020-11-17 2020-11-17 高抗剥强度的聚四氟乙烯基微波复合介质材料基板制备方法 Active CN112351591B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011286950.7A CN112351591B (zh) 2020-11-17 2020-11-17 高抗剥强度的聚四氟乙烯基微波复合介质材料基板制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011286950.7A CN112351591B (zh) 2020-11-17 2020-11-17 高抗剥强度的聚四氟乙烯基微波复合介质材料基板制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112351591A CN112351591A (zh) 2021-02-09
CN112351591B true CN112351591B (zh) 2022-05-27

Family

ID=74364049

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011286950.7A Active CN112351591B (zh) 2020-11-17 2020-11-17 高抗剥强度的聚四氟乙烯基微波复合介质材料基板制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112351591B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115847693B (zh) * 2022-10-18 2023-05-30 嘉善意德珑氟技术股份有限公司 高强度聚四氟乙烯片材的成型工艺
CN116178782B (zh) * 2022-11-23 2023-08-22 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种高填料超薄聚四氟乙烯基复合介质基片制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1670109A (zh) * 2005-05-11 2005-09-21 李洁华 一种改性环氧树脂胶粘剂及其制备方法
CN1670301A (zh) * 2005-03-09 2005-09-21 应德雄 单面氟树脂漆布及其制造方法
CN108189520A (zh) * 2017-12-28 2018-06-22 浙江华正新材料股份有限公司 一种改性聚四氟乙烯覆铜板的制作方法
CN109760384A (zh) * 2018-12-24 2019-05-17 嘉兴佳利电子有限公司 一种高介电常数复合层压板的制备方法
CN110039851A (zh) * 2019-04-19 2019-07-23 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种聚四氟乙烯覆铜板的制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3996138B2 (ja) * 2004-03-26 2007-10-24 Towa株式会社 低密着性材料及び樹脂成形型

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1670301A (zh) * 2005-03-09 2005-09-21 应德雄 单面氟树脂漆布及其制造方法
CN1670109A (zh) * 2005-05-11 2005-09-21 李洁华 一种改性环氧树脂胶粘剂及其制备方法
CN108189520A (zh) * 2017-12-28 2018-06-22 浙江华正新材料股份有限公司 一种改性聚四氟乙烯覆铜板的制作方法
CN109760384A (zh) * 2018-12-24 2019-05-17 嘉兴佳利电子有限公司 一种高介电常数复合层压板的制备方法
CN110039851A (zh) * 2019-04-19 2019-07-23 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种聚四氟乙烯覆铜板的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112351591A (zh) 2021-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112351591B (zh) 高抗剥强度的聚四氟乙烯基微波复合介质材料基板制备方法
CN110698112B (zh) 一种包含中空陶瓷粉的低介电常数微波介质基板制备方法
CN110228239B (zh) 一种低介电聚全氟乙丙烯覆铜板及其制备方法
EP3162561A1 (en) Thermoset resin sandwiched pre-preg body, manufacturing method and copper clad plate
CN111114069B (zh) 一种陶瓷/聚四氟乙烯复合介质基板及制备方法
CN111993720A (zh) 一种具有高导热性的聚四氟乙烯高频覆铜板
CN111251676A (zh) 一种高导热改性聚四氟乙烯覆铜板及其制备方法
CN115610044B (zh) 一种低损耗ptfe基微波复合介质基板及制备方法
CN109760384A (zh) 一种高介电常数复合层压板的制备方法
CN105347788A (zh) 低介电损耗的微波复合介质材料及制备方法
CN109942921B (zh) 一种应用于通信天线基材的高频覆铜板组合物
CN114148048A (zh) 一种高散热铝基覆铜板及其制备方法
CN112694719B (zh) 一种树脂组合物及其制备方法、金属基板
CN113306227A (zh) 一种高频超低介质损耗微波陶瓷覆铜板及制备方法
CN112389044A (zh) 一种ptfe高频高速覆铜板及其制备方法
CN115503306A (zh) 超薄超细玻纤布陶瓷高频覆铜箔基板及制作工艺
CN109370497B (zh) 一种生产高速覆铜板的胶水的制备方法及其产品
CN115557783B (zh) 一种低膨胀低介电常数低损耗的低温共烧材料及其制备方法
CN110602888A (zh) 一种衬铝高频基板的制备方法
CN108943910A (zh) 一种导热型覆铜板的制备方法
CN113698213B (zh) 一种高导热陶瓷通用覆铜基板及其制备方法
CN214083260U (zh) 一种ptfe高频高速覆铜板
CN109624441B (zh) 一种高导热的覆铜板及其制备方法
CN114103307A (zh) 一种低翘曲热固性树脂覆铜板及制备方法
CN110669218B (zh) 一种改性聚酰亚胺、粘合组合物及其制备方法和应用

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant