CN112349583A - 硅片刻蚀方法、dosd检测方法及硅片刻蚀装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种硅片刻蚀方法，包括以下步骤：步骤1：将硅片放入预设夹具中，仅使得硅片的待刻蚀区外露；步骤2：将所述预设夹具放入容纳有刻蚀液的刻蚀槽中，使得硅片的待刻蚀区与刻蚀液接触，以进行刻蚀；步骤3：将所述预设夹具从刻蚀液中取出，对硅片的被刻蚀的部分进行清洗和干燥。仅对硅片的待刻蚀区进行刻蚀，而硅片的非刻蚀区与刻蚀液隔离，避免对硅片正面的损伤，提高后续检测的精确性。本发明还涉及一种DSOD检测方法及硅片刻蚀装置。
Description
技术领域
本发明涉及多晶硅产品制作技术领域，尤其涉及一种硅片刻蚀方法、DOSD检测方法及硅片刻蚀装置。
背景技术
为了制造半导体，必须制造晶片，将预定的离子注入到晶片中，并形成电路图案。此时，生产晶片的是第一生长单晶硅锭的形式中，直拉法(丘克拉斯基，CZ)可以被用于该目的的方法或浮区(浮区，FZ)方法。切克劳斯基法是单晶硅的晶种(籽晶)，通过将所述石英坩埚的硅加热到超过1420℃，使其熔化之后，在形成颈缩的同时通过以预定速度旋转、向上拉来生长硅单晶。对这样制造的单晶硅锭切片进行处理，例如研磨，蚀刻，清洗和抛光以完成生产硅晶片、并进行样品晶片的规定的检查。
其中DSOD(直接表面氧化物缺陷)是一种评估方法。DSOD的检测方法具体的操作为：对已清洗好的硅片进行热氧化使其生长一层特定厚度的氧化膜；对硅片背面的氧化膜进行刻蚀，能达到导电的目的即可；清洗刻蚀后的硅片；用清洗和干燥好的硅片进行铜沉积，铜沉积使用的为正面氧化膜；最后进行计数。DSOD检测方法的检测的结果的准确性对硅片性能的评价有着很重要的意义。
相关技术中的刻蚀腔室剥离过程完成后，有HF气体的会损伤硅片正面的氧化膜(氧化物)，由于在晶片卸载排气口狭缝会向上泄漏HF气体，对晶圆正面产生损伤。也就是说，会产生误差DSOD(Flase DSOD(FD))，通过HF气体的流动在硅片上产生的DSOD图形，可能也会形成团状的HF刻蚀的损伤。
由于误差DSOD的产生，这种DSOD计数不能采用，因为进行计数时有的误差DSOD被评估和计数计算在内，导致硅片的损失(损耗)，需要重新采样品。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供一种硅片刻蚀方法、DOSD检测方法及硅片刻蚀装置，解决在刻蚀时会损伤硅片正面而带来测试误差的问题。
为了达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种硅片刻蚀方法，包括以下步骤：
步骤1：将硅片放入预设夹具中，仅使得硅片的待刻蚀区外露，所述待刻蚀区的面积小于或等于所述硅片的背面的面积；
步骤2：将所述预设夹具放入容纳有刻蚀液的刻蚀槽中，使得硅片的待刻蚀区与刻蚀液接触，以进行刻蚀；
步骤3：将所述预设夹具从刻蚀液中取出，对硅片的被刻蚀的部分进行清洗和干燥。
可选的，所述步骤2中，刻蚀时间为10-60S。
可选的，所述预设夹具包括：一端开口的第一盒体结构和用于封堵所述第一盒体结构的开口的盖体，所述第一盒体结构的底部具有镂空区域以使得容纳于所述第一盒体结构内的硅片的待刻蚀区外露。
可选的，所述盖体或所述第一盒体结构的侧壁上设置有通孔，所述通孔与真空吸附设备连接，用于抽真空使得容纳有硅片的所述第一盒体结构内形成密封空间。
可选的，在所述步骤1之前，还包括形成包裹硅片的非刻蚀区的保护膜。
可选的，所述预设夹具包括第二盒体结构，所述第二盒体结构的第一侧壁上设置有刻蚀通孔，所述刻蚀通孔的面积与所述待刻蚀区的面积相同，所述第二盒体结构的与所述第一侧壁相对或相邻的侧壁上设置有与刻蚀液提供设备连接的刻蚀液入口，所述第二盒体结构的与所述第一侧壁相对设置的第二侧壁上设置有出口。
可选的，所述第二盒体结构与所述第一侧壁相邻或相对的侧面上设置有清洁液入口。
可选的，所述第二盒体结构与所述第一侧壁相邻或相对的侧面上设置有干燥的惰性气体入口。
可选的，所述刻蚀液为含有氢氟酸的溶液。
本发明实施例还提供一种DSOD检测方法，包括：
步骤01：通过热氧化的方式在硅片的表面形成二氧化硅保护膜；
步骤02：通过上述的硅片刻蚀方法对硅片的背面的待刻蚀区进行刻蚀；
步骤03：在硅片的正面电镀铜；
步骤04：对硅片正面的镀铜区域进行计数，并根据计数结果对硅片表面的缺陷进行评估。
本发明实施例还提供一种硅片刻蚀装置，包括上述的硅片刻蚀方法中的预设夹具，所述预设夹具包括：第二盒体结构，所述第二盒体结构的第一侧壁上设置有刻蚀通孔，所述刻蚀通孔的面积与所述待刻蚀区的面积相同，所述第二盒体结构的与所述第一侧壁相对或相邻的侧壁上设置有与刻蚀液提供设备连接的刻蚀液入口，所述第二盒体结构的与所述第一侧壁相对设置的第二侧壁上设置有出口。
可选的，所述第二盒体结构与所述第一侧壁相邻或相对的侧面上设置有清洁液入口。
可选的，所述第二盒体结构与所述第一侧壁相邻或相对的侧面上设置有干燥的惰性气体入口。
本发明的有益效果是：仅对硅片的待刻蚀区进行刻蚀，而硅片的非刻蚀区与刻蚀液隔离，避免对硅片正面的损伤，提高后续检测的精确性。
附图说明
图1表示本发明实施例中的硅片刻蚀方法流程示意图；
图2表示本发明实施例中的预设夹具结构示意图一；
图3表示本发明实施例中的刻蚀状态示意图；
图4表示本发明实施例中的预设夹具结构示意图二；
图5表示硅片结构示意图；
图6表示本发明实施例中的DSOD检测方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
相关技术中，对硅片进行刻蚀一般采用以下方法：
1.HF气体刻蚀，速度慢，需要30min；
2.HF气体会从现有装置的缝隙中泄漏，对硅片正面造成损伤，最终导致错误的计数；
此外，在硅片经过以上的刻蚀步骤之后，还需要对硅片进行清洗和干燥，在这个过程中硅片正面有可能受到污染。
硅片的正面的氧化膜是要用于后续的检测，所以硅片的正面的氧化膜，最好不要受到任何损失和污染，以保证后续检测的准确性。
针对上述技术问题，参考图1，本实施例提供一种硅片刻蚀方法，包括以下步骤：
步骤1：将硅片放入预设夹具中，仅使得硅片的待刻蚀区外露，所述待刻蚀区的面积小于或等于所述硅片的背面的面积；
步骤2：将所述预设夹具放入容纳有刻蚀液的刻蚀槽中，使得硅片的待刻蚀区与刻蚀液接触，以进行刻蚀；
步骤3：将所述预设夹具从刻蚀液中取出，对硅片的被刻蚀的部分进行清洗和干燥。
在硅片刻蚀时，仅将待刻蚀区外露以与刻蚀液接触进行刻蚀，而刻蚀过程中、直至硅片刻蚀完成被取出刻蚀槽的整个过程中，避免硅片待刻蚀区之外的区域与外界接触，避免硅片除了待刻蚀区之外的区域的损伤，提高了后续的测试的精确性。在清洗和干燥的过程中，只需要清洗和干燥硅片被刻蚀的部分，在这个过程中硅片正面不会有污染的可能性。通过本实施例中的硅片刻蚀方法可以尽可能的减少因为刻蚀和清洗步骤对最终检测结果的影响。
本实施例中示例性的，所述步骤2中，刻蚀时间为10-60S，但并不以此为限。
本实施例中示例性的，所述预设夹具包括：一端开口的第一盒体结构1和用于封堵所述第一盒体结构1的开口的盖体2，所述第一盒体结构1的底部具有镂空区域11以使得容纳于所述第一盒体结构1内的硅片的待刻蚀区外露。
所述镂空区域11的的位置可以根据实际需要设定，只要可以使得硅片的待刻蚀区外露即可，本实施例中示例性的，所述镂空区域11位于所述第一盒体结构1的底部的中心区域，但并不以此为限。
本实施例中示例性的，所述第一盒体结构1的外侧壁上沿其周向设置有多个支撑柱3，参考图2和图3。
所述支撑柱3可以设置于所述第一盒体结构1的外侧面，但并不以此为限。
所述支撑柱3的设置，可以与机械臂相配合实现所述第一盒体结构1的整体移动。
所述支撑柱3的数量以及所述支撑柱3的设置位置可以根据实际需要设定，只要可以配合机械臂实现所述第一盒体结构1的整体移动即可。
本实施例中示例性的，所述盖体2封堵所述第一盒体结构1的开口后，所述第一盒体结构1的侧壁外露于所述盖体2，即所述盖体2位于所述第一盒体结构1内，以便于所述第一盒体结构1与机械臂进行配合以移动所述第一盒体结构1。
本实施例中示例性的，所述盖体2或所述第一盒体结构1的侧壁上设置有通孔，所述通孔与真空吸附设备连接，用于抽真空使得容纳有硅片的所述第一盒体结构内形成密封空间。
抽真空设置，使得硅片与所述第一盒体结构的底部紧密贴合，有效的避免硅片的除了待刻蚀区之外的非刻蚀区的损伤。
本实施例中示例性的，在所述步骤1之前，还包括形成包裹硅片的非刻蚀区的保护膜。
将硅片的非刻蚀区通过保护膜进行包裹，仅将硅片的待刻蚀区外露，然后将硅片放置于所述预设夹具内，该预设夹具可以包括一第一盒体结构，所述第一盒体结构的底部具有镂空区域使得硅片的待刻蚀区外露，由于保护膜的设置，所述镂空区域的面积可以大于或等于硅片的待刻蚀区的面积。
所述保护膜的材质可以根据实际需要进行选择，但是需要是耐腐蚀的材料，避免硅片的非刻蚀区与刻蚀液接触。
本实施例中示例性的，参考图4，所述预设夹具包括第二盒体结构4，所述第二盒体结构4的第一侧壁上设置有刻蚀通孔，所述刻蚀通孔的面积与所述待刻蚀区的面积相同，所述第二盒体结构4的与所述第一侧壁相对或相邻的侧壁上设置有与刻蚀液提供设备连接的刻蚀液入口，所述刻蚀液入口通过第一管路5与刻蚀液提供设备连接，所述第二盒体结构4的与所述第一侧壁相对设置的第二侧壁上设置有出口，所述出口通过第二管路6与回收设备(可以包括一带有盖体的废液回收槽)连接。
在对硅片进行刻蚀时，将硅片100放置于所述第二盒体结构4的具有所述刻蚀通孔的一侧，所述硅片100的待刻蚀区在所述第二盒体结构4上的正投影位于所述刻蚀通孔处，使得刻蚀液充满所述第二盒体结构4时，刻蚀液与硅片100的待刻蚀区接触，且刻蚀液仅与硅片100的待刻蚀区接触，以对硅片100的待刻蚀区进行刻蚀，对硅片100的非刻蚀区进行隔离保护。
需要说明的是，在硅片100的待刻蚀区的面积小于硅片100背面的面积时，硅片对的非刻蚀区包括硅片100背面的非刻蚀区、硅片100的侧面(该侧面是指与硅片100背面相邻的侧面)、以及硅片100的正面。硅片100的待刻蚀区的面积等于硅片100的背面的面积时，即需要对硅片100的整个背面进行刻蚀时，则硅片100的非刻蚀区包括硅片100的侧面(该侧面是指与硅片背面相邻的侧面)和硅片100的正面。
所述第二盒体结构4的侧壁上设置有通管管道(未示出)与真空吸附设备连接的真空吸附孔(图中未示)，在硅片100放置于所述第二盒体结构4上时，可以通过真空吸附的方式将硅片100吸附于所述第二盒体结构4上，使得硅片100与所述第二盒体结构4紧密接触，从而避免刻蚀过程中第二盒体结构4内的刻蚀液或刻蚀液产生的气体从所述硅片100与所述第二盒体结构4的连接处泄露，从而避免对硅片100的除了待刻蚀区之外的区域的损伤。
本实施例中示例性的，所述预设夹具还包括围设于第二盒体结构的所述刻蚀通孔的外围的密封圈(图中未示)，进一步的保证硅片100固定于所述第二盒体结构4上时，所述硅片100与所述第二盒体结构4之间形成密封的容纳空间。
在本实施例的所述硅片100的刻蚀方法用于DSOD检测方法中时，所述预设夹具的设置，有效的保护硅片100的侧面以及硅片100的正面，从而在铜沉积的步骤中，利于铜沉积于硅片100的正面的缺陷区域，避免由于正面被污染而产生误差。
另外，由于刻蚀液是被密封于所述硅片100与所述第二盒体结构4之间形成密封的容纳空间内的，在刻蚀过程中，硅片100的正面和硅片100的侧面均被隔离保护，这样硅片100的侧面不会被刻蚀，避免了在铜沉积时、对硅片100正面沉积铜的影响(若硅片100的侧面被刻蚀，则在铜沉积时，硅片100的侧面也是导电的，这样硅片100的侧面更容易沉积铜，进而影响了硅片100正面的铜的沉积)。
本实施例中示例性的，所述出口处设置有用于控制所述出口开关的阀门，也可以在连接于所述出口处的第二管路6上设置有控制该管道通断的阀门、以控制所述出口的开关，在对硅片100进行刻蚀时，所述出口关闭，使得刻蚀液充满所述第二盒体结构4，进而使得硅片100对应于所述刻蚀通孔处的待刻蚀区。
本实施例中示例性的，所述第二盒体结构4与所述第一侧壁相邻或相对的侧面上设置有清洁液入口(图中未示)，所述清洁液入口通过管道与清洁液提供设备连接。
所述清洁液可以是超纯水DIW，通过控制所述出口的开关以仅对硅片100的待刻蚀区进行清洗，不会对硅片100的非刻蚀区造成污染。在清洁完成后，可以通过所述出口将所述清洁液排出。
本实施例中示例性的，所述第二盒体结构4与所述第一侧壁相邻或相对的侧面上设置有干燥的惰性气体入口(图中未示)，所述惰性气体入口通过管道与惰性气体提供设备连接。
所述惰性气体可以为氮气N2，通过氮气充入所述硅片100和所述第二盒体结构4形成的密封的容纳空间内，以仅对硅片100的待刻蚀区进行干燥，在干燥完成后可以通过所述出口排出所述惰性气体。
需要说明的是，所述第二盒体结构4的所述第一侧壁的面积大于所述硅片100的背面的面积以有效的承载硅片100。
本实施例中示例性的，所述刻蚀液为含有氢氟酸的溶液。
本实施例中示例性的，氢氟酸HF额浓度范围为10％～20％。
本实施例中还提供一种硅片100刻蚀装置，参考图4，所述硅片100刻蚀装置包括：第二盒体结构4，所述第二盒体结构4的第一侧壁上设置有刻蚀通孔，所述刻蚀通孔的面积与所述待刻蚀区的面积相同，所述第二盒体结构4的与所述第一侧壁相对或相邻的侧壁上设置有与刻蚀液提供设备连接的刻蚀液入口，所述刻蚀液入口通过第一管路5与刻蚀液提供设备连接，所述第二盒体结构4的与所述第一侧壁相对设置的第二侧壁上设置有出口，所述出口通过第二管路6与回收设备(可以包括一带有盖体的废液回收槽)连接。
在对硅片100进行刻蚀时，将硅片100放置于所述第二盒体结构4的具有所述刻蚀通孔的一侧，所述硅片100的待刻蚀区在所述第二盒体结构4上的正投影位于所述刻蚀通孔处，使得刻蚀液充满所述第二盒体结构4时，刻蚀液与硅片100的待刻蚀区接触，且刻蚀液仅与硅片100的待刻蚀区接触，以对硅片100的待刻蚀区进行刻蚀，对硅片100的非刻蚀区进行隔离保护。
需要说明的是，在硅片100的待刻蚀区的面积小于硅片100背面的面积时，硅片100对的非刻蚀区包括硅片100背面的非刻蚀区、硅片100的侧面(该侧面是指与硅片100背面相邻的侧面)、以及硅片100的正面。硅片100的待刻蚀区的面积等于硅片100的背面的面积时，即需要对硅片100的整个背面进行刻蚀时，则硅片100的非刻蚀区包括硅片100的侧面(该侧面是指与硅片100背面相邻的侧面)和硅片100的正面。
所述第二盒体结构4的侧壁上设置有通管管道与真空吸附设备连接的真空吸附孔，在硅片100放置于所述第二盒体结构4上时，可以通过真空吸附的方式将硅片100吸附于所述第二盒体结构4上，使得硅片100与所述第二盒体结构4紧密接触，从而避免刻蚀过程中第二盒体结构4内的刻蚀液或刻蚀液产生的气体从所述硅片100与所述第二盒体结构4的连接处泄露，从而避免对硅片100的除了待刻蚀区之外的区域的损伤。
本实施例中示例性的，所述预设夹具还包括围设于第二盒体结构4的所述刻蚀通孔的外围的密封圈(图中未示)，进一步的保证硅片100固定于所述第二盒体结构4上时，所述硅片100与所述第二盒体结构4之间形成密封的容纳空间。
在本实施例的所述硅片100的刻蚀方法用于DSOD检测方法中时，所述预设夹具的设置，有效的保护硅片100的侧面以及硅片100的正面，从而在铜沉积的步骤中，利于铜沉积于硅片100的正面的缺陷区域，避免由于正面被污染而产生误差。
另外，由于刻蚀液是被密封于所述硅片100与所述第二盒体结构4之间形成密封的容纳空间内的，在刻蚀过程中，硅片100的正面和硅片100的侧面均被隔离保护，这样硅片100的侧面不会被刻蚀，避免了在铜沉积时、对硅片100正面沉积铜的影响(若硅片100的侧面被刻蚀，则在铜沉积时，硅片100的侧面也是导电的，这样硅片100的侧面更容易沉积铜，进而影响了硅片100正面的铜的沉积)。
本实施例中示例性的，所述出口处设置有用于控制所述出口开关的阀门，也可以在连接于所述出口处的管道上设置有控制该管道通断的阀门、以控制所述出口的开关，在对硅片100进行刻蚀时，所述出口关闭，使得刻蚀液充满所述第二盒体结构4，进而使得硅片100对应于所述刻蚀通孔处的待刻蚀区。
本实施例中示例性的，所述第二盒体结构4与所述第一侧壁相邻或相对的侧面上设置有清洁液入口。
所述清洁液可以是超纯水DIW，通过控制所述出口的开关以仅对硅片100的待刻蚀区进行清洗，不会对硅片100的非刻蚀区造成污染，清洗完成后，清洗液可通过所述出口排出。
本实施例中示例性的，所述第二盒体结构4与所述第一侧壁相邻或相对的侧面上设置有干燥的惰性气体入口。
所述惰性气体可以为氮气N2，通过氮气充入所述硅片100和所述第二盒体结构4形成的密封的容纳空间内，以仅对硅片100的待刻蚀区进行干燥，在干燥完成后，可通过所述出口将气体排出。
为了有效的进行干燥，在干燥过程中，所述出口可以一直处于打开状态。
需要说明的是，所述第二盒体结构4的所述第一侧壁的面积大于所述硅片100的背面的面积以有效的承载硅片100。
在相关技术中，进行DSOD(Direct Surface Oxide Defect，直接表面氧化缺陷)测试时，一般可以分为以下几个步骤：热氧化→刻蚀→铜沉积；其中刻蚀过程包括，背面刻蚀→清洗刻蚀面→干燥刻蚀面，但在背面刻蚀的过程中可能会对正面的氧化膜造成损伤，在清洗和干燥过程中可能会对正面的氧化膜造成污染(颗粒，金属)。在铜沉积的步骤中，通过热氧化形成于硅片100表面的氧化膜200为绝缘层，当向作为绝缘层的氧化膜200施加高电压时形成流过隧道300(硅片表面的缺陷区域相当于隧道，参考图5)的漏电流，铜沉积是由流过氧化膜的介电击穿点(即隧道)的漏电流引起的。DSOD测试是基于硅片正面的铜沉积点的数量进行的，如果硅片正面被损伤或污染，都会对下一步的铜沉积带来影响，产生误差，影响最终结果。
需要说明的是，图5中的硅片并不代表实际硅片结构中的缺陷区域的比例关系以及形状，只是为了更好的说明铜沉积的原理。
针对上述的问题本发明实施例还提供一种DSOD检测方法，参考图6，包括：
步骤01：通过热氧化的方式在硅片的表面形成二氧化硅保护膜；
步骤02：通过上述的硅片刻蚀方法对硅片的背面的待刻蚀区进行刻蚀；
步骤03：在硅片的正面电镀铜；
步骤04：对硅片正面的镀铜区域进行计数，并根据计数结果对硅片表面的缺陷进行评估。
通过仅对硅片背面的待刻蚀区进行刻蚀，以使得硅片导电的过程中，有效的对包括硅片的正面的非刻蚀区进行保护，硅片的正面只有缺陷区域才会沉积铜，则通过镀铜区域的数量可以直观的获得硅片表面的缺陷区域以及缺陷状态，提高DSOD测试的精确度。
本实施例还提供一种硅片刻蚀系统，应用于上述的硅片刻蚀方法，包括：
预处理单元，用于将硅片放入预设夹具中，仅使得硅片的待刻蚀区外露；
刻蚀单元，用于将所述预设夹具放入容纳有刻蚀液的刻蚀槽中，使得硅片的待刻蚀区与刻蚀液接触，以进行刻蚀；
清洁单元，将所述预设夹具从刻蚀液中取出，对硅片的被刻蚀的部分进行清洗和干燥。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (13)
1.一种硅片刻蚀方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1：将硅片放入预设夹具中，仅使得硅片的待刻蚀区外露，所述待刻蚀区的面积小于或等于所述硅片的背面的面积；
步骤2：将所述预设夹具放入容纳有刻蚀液的刻蚀槽中，使得硅片的待刻蚀区与刻蚀液接触，以进行刻蚀；
步骤3：将所述预设夹具从刻蚀液中取出，对硅片的被刻蚀的部分进行清洗和干燥。
2.根据权利要求1所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述步骤2中，刻蚀时间为10-60S。
3.根据权利要求1所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述预设夹具包括：一端开口的第一盒体结构和用于封堵所述第一盒体结构的开口的盖体，所述第一盒体结构的底部具有镂空区域以使得容纳于所述第一盒体结构内的硅片的待刻蚀区外露。
4.根据权利要求3所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述盖体或所述第一盒体结构的侧壁上设置有通孔，所述通孔与真空吸附设备连接，用于抽真空使得容纳有硅片的所述第一盒体结构内形成密封空间。
5.根据权利要求1所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，在所述步骤1之前，还包括采用热氧化的方式形成包裹硅片保护膜。
6.根据权利要求1所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述预设夹具包括第二盒体结构，所述第二盒体结构的第一侧壁上设置有刻蚀通孔，所述刻蚀通孔的面积与所述待刻蚀区的面积相同，所述第二盒体结构的与所述第一侧壁相对或相邻的侧壁上设置有与刻蚀液提供设备连接的刻蚀液入口，所述第二盒体结构的与所述第一侧壁相对设置的第二侧壁上设置有出口。
7.根据权利要求6所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述第二盒体结构与所述第一侧壁相邻或相对的侧面上设置有清洁液入口。
8.根据权利要求6所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述第二盒体结构与所述第一侧壁相邻或相对的侧面上设置有干燥的惰性气体入口。
9.根据权利要求1所述的硅片刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀液为含有氢氟酸的溶液。
10.一种DSOD检测方法，其特征在于，包括：
步骤01：通过热氧化的方式在硅片的表面形成二氧化硅保护膜；
步骤02：通过权利要求1所述的硅片刻蚀方法对硅片的背面的待刻蚀区进行刻蚀；
步骤03：在硅片的正面电镀铜；
步骤04：对硅片正面的镀铜区域进行计数，并根据计数结果对硅片表面的缺陷进行评估。
11.一种硅片刻蚀装置，包括权利要求1所述的硅片刻蚀方法中的预设夹具，其特征在于，所述预设夹具包括：第二盒体结构，所述第二盒体结构的第一侧壁上设置有刻蚀通孔，所述刻蚀通孔的面积与所述待刻蚀区的面积相同，所述第二盒体结构的与所述第一侧壁相对或相邻的侧壁上设置有与刻蚀液提供设备连接的刻蚀液入口，所述第二盒体结构的与所述第一侧壁相对设置的第二侧壁上设置有出口。
12.根据权利要求11所述的硅片刻蚀装置，其特征在于，所述第二盒体结构与所述第一侧壁相邻或相对的侧面上设置有清洁液入口。
13.根据权利要求11所述的硅片刻蚀装置，其特征在于，所述第二盒体结构与所述第一侧壁相邻或相对的侧面上设置有干燥的惰性气体入口。
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