CN112345912A - 材料特性测试方法、装置、电子设备和存储介质 - Google Patents
材料特性测试方法、装置、电子设备和存储介质 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112345912A CN112345912A CN202011022056.9A CN202011022056A CN112345912A CN 112345912 A CN112345912 A CN 112345912A CN 202011022056 A CN202011022056 A CN 202011022056A CN 112345912 A CN112345912 A CN 112345912A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- parameter
- testing
- environment
- initial
- test
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 619
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 47
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 139
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims description 29
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 27
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008447 perception Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000013522 software testing Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2801—Testing of printed circuits, backplanes, motherboards, hybrid circuits or carriers for multichip packages [MCP]
- G01R31/281—Specific types of tests or tests for a specific type of fault, e.g. thermal mapping, shorts testing
- G01R31/2817—Environmental-, stress-, or burn-in tests
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Resistance To Weather, Investigating Materials By Mechanical Methods (AREA)
Abstract
本申请涉及一种材料特性测试方法、装置、电子设备和存储介质。所述方法包括：测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数；获取测试连接件在所述当前测试环境下的连接件S参数，所述测试连接件用于连接所述PCB组件和所述S参数测试设备；基于所述连接件S参数对所述初始S参数进行去嵌处理，根据去嵌处理的结果获取所述PCB组件的目标S参数。采用本方法能够提升组件的S参数的准确性。
Description
技术领域
本申请涉及自动化测试技术领域，特别是涉及一种材料特性测试方法、装置、电子设备和存储介质。
背景技术
PCB(Printed Circuit Board，印制电路板)是电子元器件电气连接的载体。以服务器为例，服务器主板采用PCB作为载体，集成有芯片、各种接口插槽以及排针等。由于服务器的高运作时间、高运作强度以及巨大的数据转换量和I/O吞吐量，对服务器主板的性能要求非常高，而服务器主板的性能与PCB的材料特性密切相关，因此，有必要对PCB的材料特性进行测试。
相关技术中，采用S参数测试设备，如VNA(Vector Network Analyzer，矢量网络分析仪)对PCB的材料特性进行测试，将VNA的测试结果作为PCB的S参数，S参数(Scatterparameter，散射参数)描述了信号的反射、串扰、传输损耗等参数，通过S参数可以对PCB的材料特性进行分析。
然而，相关技术测试的PCB的S参数往往准确性较差，无法准确表征PCB的材料特性。
发明内容
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提升PCB的S参数的准确性的材料特性测试方法、装置、电子设备和存储介质。
第一方面，本申请实施例提供一种材料特性测试方法，应用于S参数测试设备，所述方法包括：
测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数；
获取测试连接件在所述当前测试环境下的连接件S参数，所述测试连接件用于连接所述PCB组件和所述S参数测试设备；
基于所述连接件S参数对所述初始S参数进行去嵌处理，根据去嵌处理的结果获取所述PCB组件的目标S参数。
由此，去除了PCB组件的初始S参数中，测试连接件在当前测试环境下的连接件S参数对初始S参数的影响，从而提升了PCB组件的目标S参数的准确性。
在其中一个实施例中，所述PCB组件包括PCB板，所述基于所述连接件S参数对所述初始S参数进行去嵌处理，根据去嵌处理的结果获取所述PCB组件的目标S参数，包括：
基于所述连接件S参数对所述初始S参数进行去嵌处理，将去嵌处理的结果作为所述PCB板的目标S参数，所述目标S参数用于分析所述PCB板在所述当前测试环境下的材料特性。
由此，去除了PCB板的初始S参数中，测试连接件在当前测试环境下的连接件S参数对该初始S参数的影响，从而提升了PCB板的目标S参数的准确性，使得目标S参数能够更加准确表征PCB板的材料特性。
在其中一个实施例中，所述PCB板上设置有第一长度的传输线和第二长度的传输线，所述方法还包括：
测试所述第一长度的传输线的第一初始S参数和所述第二长度的传输线的第二初始S参数；
基于所述第一初始S参数对所述第二初始S参数进行去嵌处理，得到目标长度的传输线对应的传输线S参数，所述传输线S参数用于分析所述目标长度的传输线在所述当前测试环境下的材料特性。
由此，不必单独对第一初始S参数和第二初始S参数去除连接件的影响，直接基于第一初始S参数对第二初始S参数进行去嵌处理，即可得到目标长度的传输线对应的传输线S参数，有利于减小S参数测试设备的计算量，提升计算速率，并有利于减小传输线S参数的误差。
在其中一个实施例中，所述PCB组件包括设置在PCB板上的第一长度的传输线和第二长度的传输线，所述连接件S参数包括第一连接件S参数和第二连接件S参数，所述测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数，包括：
测试所述第一长度的传输线的第一初始S参数和所述第二长度的传输线的第二初始S参数；
对应地，所述基于所述连接件S参数对所述初始S参数进行去嵌处理，根据去嵌处理的结果获取所述PCB组件的目标S参数，包括：
基于所述第一连接件S参数对所述第一初始S参数进行去嵌处理得到第一目标S参数，并基于所述第二连接件S参数对所述第二初始S参数进行去嵌处理得到第二目标S参数；
基于所述第一目标S参数对所述第二目标S参数进行去嵌处理，得到目标长度的传输线对应的目标S参数，所述目标S参数用于分析所述目标长度的传输线在所述当前测试环境下的材料特性。
由此，分别对第一初始S参数和第二初始S参数进行去嵌处理，能够去除连接件S参数对第一初始S参数和第二初始S参数的影响，基于第一目标S参数对第二目标S参数进行去嵌处理，从而可以去除连接件S参数对目标S参数精度的影响，提升了目标长度的传输线对应的目标S参数的准确性。
在其中一个实施例中，所述获取测试连接件在所述当前测试环境下的连接件S参数，包括：
获取所述当前测试环境对应的目标环境参数；
基于所述目标环境参数，在预设的去嵌映射表中查找所述目标环境参数对应的所述连接件S参数；
其中，所述去嵌映射表的获取过程包括：
在不同的测试环境下，测试所述测试连接件的连接件S参数；
对于每种测试环境，将所述测试环境对应的环境参数和所述测试环境对应的连接件S参数对应存储于所述去嵌映射表中。
由此，S参数测试设备可以直接查询去嵌映射表得到目标环境参数对应的连接件S参数，提升了S参数测试设备获取连接件S参数的速度。
在其中一个实施例中，所述PCB组件置于测试环境箱中，所述测试环境箱用于根据环境调整指令调整所述测试环境箱中的测试环境，所述测试环境箱和所述S参数测试设备连接，所述方法还包括：
监控所述测试环境箱中的测试环境；
当所述测试环境的变化情况满足预设条件，则执行所述测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数的步骤。
由此，在测试环境的变化情况满足预设条件时，则自动触发材料特性测试的过程，实现了自动化的材料特性测试。避免了传统技术中需要人工按照一定的时间间隔开始材料特性测试，并人工记录测试结果，导致的测试过程繁琐，耗费人力的问题。
在其中一个实施例中，所述测试环境箱中设置有温度传感器和/或湿度传感器，所述监控所述测试环境箱中的测试环境，包括：
获取所述温度传感器感知的所述测试环境箱中的温度数据，和/或，获取所述湿度传感器感知的所述测试环境箱中的湿度数据；
对应地，所述当所述测试环境的变化情况满足预设条件，则执行所述测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数的步骤，包括：
当所述温度数据的变化量大于预设的温度变化阈值，和/或，当所述湿度数据的变化量大于预设的湿度变化阈值，则执行所述测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数的步骤。
由此，通过温度传感器和湿度传感器可以准确感知测试环境箱中的温湿度数据，当温度数据的变化量大于预设的温度变化阈值，和/或，当湿度数据的变化量大于预设的湿度变化阈值，S参数测试设备则通过中断触发的方式自动测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数，避免了人工每间隔一定时长手动触发一次导致的人力浪费，且提升了测试效率。
第二方面，本申请实施例提供一种材料特性测试装置，设置于S参数测试设备，所述装置包括：
第一测试模块，用于测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数；
获取模块，用于获取测试连接件在所述当前测试环境下的连接件S参数，所述测试连接件用于连接所述PCB组件和所述S参数测试设备；
第一去嵌模块，用于基于所述连接件S参数对所述初始S参数进行去嵌处理，根据去嵌处理的结果获取所述PCB组件的目标S参数。
第三方面，本申请实施例提供一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述第一方面的方法的步骤。
第四方面，本申请实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述第一方面的方法的步骤。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
上述材料特性测试方法、装置、电子设备和存储介质，S参数测试设备测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数，当前测试环境可以是任意温湿度的测试环境，接着，S参数测试设备并不是直接将初始S参数作为PCB组件最终的S参数，而是获取用于连接PCB组件和S参数测试设备的测试连接件在当前测试环境下的连接件S参数，由于PCB组件和S参数测试设备之间是通过测试连接件连接的，因此，S参数测试设备测试的PCB组件在当前测试环境下的初始S参数包含了测试连接件在该当前测试环境下的材料特性的影响，S参数测试设备基于连接件S参数对初始S参数进行去嵌处理，根据去嵌处理的结果获取PCB组件的目标S参数，这样，就去除了初始S参数中，测试连接件在当前测试环境下的连接件S参数对初始S参数的影响，从而提升了PCB组件的目标S参数的准确性。
附图说明
图1为一个实施例中材料特性测试方法的应用环境图；
图2为一个实施例中材料特性测试方法的流程示意图；
图3为另一个实施例中材料特性测试方法的流程示意图；
图4为另一个实施例中材料特性测试方法的流程示意图；
图5为一个实施例中步骤S200的流程示意图；
图5-a为一种示例性地第一线缆和第二线缆通过第一连接器和第二连接器连接的示意图；
图6为一个实施例中材料特性测试装置的结构框图；
图7为一个实施例中电子设备的内部结构图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
本申请实施例提供的材料特性测试方法、装置、电子设备和存储介质，旨在解决传统技术中，测试的PCB的S参数准确性差的技术问题。下面将通过实施例并结合附图具体地对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。下面这几个具体地实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例中不再赘述。
本申请提供的材料特性测试方法，可以应用于如图1所示的应用环境中。其中，S参数测试设备通过测试连接件和PCB组件连接，S参数测试设备可以是VNA(Vector NetworkAnalyzer，矢量网络分析仪)，PCB组件置于Chamber设备中，Chamber设备为测试环境箱，测试环境箱可以调整测试环境箱中的测试环境，模拟PCB组件可能的工作环境。
在一个实施例中，如图2所示，提供了一种材料特性测试方法，以该方法应用于图1中的S参数测试设备为例进行说明，包括以下步骤S100、步骤S200和步骤S300：
步骤S100，S参数测试设备测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数。
本申请实施例中，PCB组件可以置于测试环境箱中，S参数测试设备通过测试连接件和PCB组件连接。S参数测试设备基于测试环境箱中当前的测试环境，测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数，其中，当前测试环境可以是用户设置的任意温湿度的测试环境。
作为一种实施方式，测试环境箱可以和终端通过网络进行通信，测试环境箱用于根据终端的环境调整指令调整测试环境箱中的测试环境，例如，用户可以在终端输入不同的环境参数，终端检测到用户输入的环境参数后则生成环境调整指令发送至测试环境箱，供测试环境箱调整测试环境箱中的测试环境。
在一种可能的实施方式中，环境调整指令可以包括具体的温度数据和/或湿度数据，该温度数据和/或湿度数据供测试环境箱按照该温度数据和/或湿度数据调整测试环境箱中的测试环境。在另一种可能的实施方式中，环境调整指令还可以包括温度数据的调整区间和/或湿度数据的调整区间以及各自对应的调整步长，以供测试环境箱按照该温度数据的调整区间和对应的调整步长，和/或，按照湿度数据的调整区间和对应的调整步长，调整测试环境箱中的测试环境。
在一种可能的实施方式中，测试环境箱和S参数测试设备连接，测试环境箱也可以和S参数测试设备通过网络进行通信，在步骤S100之前，S参数测试设备还可以监控测试环境箱中的测试环境，当测试环境的变化情况满足预设条件，S参数测试设备则执行测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数的步骤。由此，在测试环境的变化情况满足预设条件时，则自动触发材料特性测试的过程，实现了自动化的材料特性测试。避免了传统技术中需要人工按照一定的时间间隔开始材料特性测试，并人工记录测试结果，导致的测试过程繁琐，耗费人力的问题。
测试环境箱中可以设置有温度传感器和/或湿度传感器(如图1所示的Sensor)，S参数测试设备监控测试环境箱中的测试环境的过程可以通过执行如下步骤A1实现：
步骤A1，S参数测试设备获取温度传感器感知的测试环境箱中的温度数据，和/或，获取湿度传感器感知的测试环境箱中的湿度数据。
本申请实施例中，S参数测试设备可以按照预设的时间间隔，获取温度传感器和/或湿度传感器感知的数据，以下，均以S参数测试设备获取温度传感器感知的测试环境箱中的温度数据和湿度传感器感知的测试环境箱中的湿度数据为例，对本申请实施例的实施方式进行说明。可以理解的是，在其它实施例中，S参数测试设备还可以只获取温度传感器感知的测试环境箱中的温度数据，或者只获取湿度传感器感知的测试环境箱中的湿度数据，在此不做具体限制。
例如，S参数测试设备每间隔1秒，则获取一次温度传感器感知的测试环境箱中的温度数据和湿度传感器感知的测试环境箱中的湿度数据。
在一种可能的实施方式中，当测试环境的变化情况满足预设条件，S参数测试设备则执行测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数的步骤的过程，可以包括如下步骤A2和步骤A3：
步骤A2，S参数测试设备检测温度数据的变化量是否大于预设的温度变化阈值，和/或，检测湿度数据的变化量是否大于预设的湿度变化阈值。
步骤A3，当温度数据的变化量大于预设的温度变化阈值，和/或，当湿度数据的变化量大于预设的湿度变化阈值，S参数测试设备则执行测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数的步骤。
S参数测试设备获取到温度数据和湿度数据后，检测温度数据的变化量是否大于预设的温度变化阈值，并检测湿度数据的变化量是否大于预设的湿度变化阈值，例如，以温度变化阈值为0.5℃、湿度变化阈值为1％为例，S参数测试设备检测到温度数据相较于上一次的变化量大于0.5℃，并检测到湿度数据相较于上一次的变化量大于1％，则通过中断触发的方式，触发S参数测试设备测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数。
通过温度传感器和湿度传感器可以准确感知测试环境箱中的温湿度数据，当温度数据的变化量大于预设的温度变化阈值，和/或，当湿度数据的变化量大于预设的湿度变化阈值，S参数测试设备则通过中断触发的方式自动测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数，避免了人工每间隔一定时长手动触发一次导致的人力浪费，且提升了测试效率。
步骤S200，S参数测试设备获取测试连接件在当前测试环境下的连接件S参数，测试连接件用于连接PCB组件和S参数测试设备。
本申请实施例中，S参数测试设备测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数后，S参数测试设备并不直接将初始S参数作为PCB组件最终的S参数，这是由于PCB组件和S参数测试设备之间是通过测试连接件连接的，因此，S参数测试设备测试的PCB组件在当前测试环境下的初始S参数中包含了测试连接件在该当前测试环境下的材料特性的影响。
以测试连接件包括线缆和连接器为例，连接器例如可以是SMA连接器，如图1所示，靠近PCB组件的一部分线缆处于测试环境箱中，随着测试环境的改变，测试连接件所处的外部环境也在发生改变，不同的测试环境对测试连接件的材料特性均存在不同程度的影响。为了去除当前测试环境下测试连接件的材料特性对初始S参数的影响，S参数测试设备获取测试连接件在当前测试环境下的连接件S参数，该连接件S参数表征了测试连接件在当前测试环境下的材料特性。
在一种可能的实施方式中，S参数测试设备可以在当前测试环境下直接测试该测试连接件在当前测试环境下的连接件S参数。测试连接件可以不用连接其他负载，S参数测试设备只与测试连接件连接来测量该测试连接件在当前测试环境下的连接件S参数。
在另一种可能的实施方式中，S参数测试设备也可以预先在各个不同的测试环境下分别测量测试连接件的连接件S参数并存储，S参数测试设备获取测试连接件在当前测试环境下的连接件S参数时，则直接从数据库中获取与当前测试环境对应的连接件S参数。
步骤S300，S参数测试设备基于连接件S参数对初始S参数进行去嵌处理，根据去嵌处理的结果获取PCB组件的目标S参数。
S参数测试设备测试得到PCB组件在当前测试环境下的初始S参数，并获取到测试连接件在当前测试环境下的连接件S参数后，S参数测试设备基于连接件S参数对初始S参数进行去嵌处理，作为一种实施方式，S参数测试设备可以采用特定的去嵌算法基于连接件S参数对初始S参数进行去嵌处理，从初始S参数中消除连接件S参数的影响，得到去嵌处理的结果，再根据去嵌处理的结果获取PCB组件的目标S参数。
本申请实施例S参数测试设备测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数，当前测试环境可以是任意温湿度的测试环境，接着，S参数测试设备并不是直接将初始S参数作为PCB组件最终的S参数，而是获取用于连接PCB组件和S参数测试设备的测试连接件在当前测试环境下的连接件S参数，由于PCB组件和S参数测试设备之间是通过测试连接件连接的，因此，S参数测试设备测试的PCB组件在当前测试环境下的初始S参数包含了测试连接件在该当前测试环境下的材料特性的影响，S参数测试设备基于连接件S参数对初始S参数进行去嵌处理，根据去嵌处理的结果获取PCB组件的目标S参数，这样，就去除了初始S参数中，测试连接件在当前测试环境下的连接件S参数对初始S参数的影响，从而提升了PCB组件的目标S参数的准确性。
在一个实施例中，参见图3，基于上述图2所示的实施例，本实施例涉及的是在PCB组件包括PCB板的情况下，S参数测试设备如何获取PCB板的目标S参数的过程。如图3所示，本实施例中，PCB组件包括PCB板，步骤S300包括步骤S301：
步骤S301，S参数测试设备基于连接件S参数对初始S参数进行去嵌处理，将去嵌处理的结果作为PCB板的目标S参数。
本申请实施例中，S参数测试设备测试PCB板在当前测试环境下的初始S参数，S参数测试设备获取连接PCB板和S参数测试设备之间的测试连接件在当前测试环境下的连接件S参数。
例如，以测试连接件包括线缆和连接器为例，CH1通道和CH2通道的线缆通过SMA连接器连接S参数测试设备和PCB板，CH3通道和CH4通道的线缆通过SMA连接器连接S参数测试设备和PCB板，这样，S参数测试设备和PCB板则通过测试连接件连接。
由于PCB板和S参数测试设备之间是通过测试连接件连接的，因此，S参数测试设备测试的PCB板在当前测试环境下的初始S参数包含了测试连接件在该当前测试环境下的材料特性的影响。因此，S参数测试设备基于连接件S参数对初始S参数进行去嵌处理，将去嵌处理的结果作为PCB板的目标S参数，目标S参数用于分析PCB板在当前测试环境下的材料特性。
这样，就去除了PCB板的初始S参数中，测试连接件在当前测试环境下的连接件S参数对该初始S参数的影响，从而提升了PCB板的目标S参数的准确性。
在一种可能的实施方式中，通过调节测试环境箱的测试环境，S参数测试设备基于上述实施例的方式可以得到各个测试环境下PCB板对应的目标S参数，并将得到的各个测试环境下PCB板对应的目标S参数发送至终端，用于材料随环境温湿度因素影响研究。
由于温湿度环境因素对PCB材料损耗影响研究需要耗费较长时间，采用终端连接的方式可以直观、快捷获取不同温湿度环境条件下PCB板对应的目标S参数，以便于分析PCB材料的损耗数据。
在一个实施例中，参见图4，基于上述图2所示的实施例，本实施例涉及的是在PCB组件包括设置在PCB板上的第一长度的传输线和第二长度的传输线的情况下，S参数测试设备如何获取对应目标S参数的过程。如图4所示，本实施例中，PCB组件包括设置在PCB板上的第一长度的传输线和第二长度的传输线，步骤S100包括步骤S101：
步骤S101，S参数测试设备测试第一长度的传输线的第一初始S参数和第二长度的传输线的第二初始S参数。
本申请实施例中，以测试连接件包括线缆和连接器为例，假设CH1接口和CH2接口对应的线缆为线缆一，CH3接口和CH4接口对应的线缆为线缆二，线缆一通过SMA连接器连接S参数测试设备和第一长度的传输线，线缆二通过SMA连接器连接S参数测试设备和第二长度的传输线，S参数测试设备则测试得到第一长度的传输线的第一初始S参数和第二长度的传输线的第二初始S参数。
在一种可能的实施方式中，测试连接件包括用于连接第一长度的传输线和S参数测试设备的第一测试连接件，以及包括用于连接第二长度的传输线和S参数测试设备的第二测试连接件，连接件S参数包括第一测试连接件的第一连接件S参数和第二测试连接件的第二连接件S参数。对应地，对于步骤S300，S参数测试设备可以通过执行如下步骤S3021和步骤S3022实现：
步骤S3021，S参数测试设备基于第一连接件S参数对第一初始S参数进行去嵌处理得到第一目标S参数，并基于第二连接件S参数对第二初始S参数进行去嵌处理得到第二目标S参数。
本申请实施例中，S参数测试设备通过第一测试连接件连接第一长度的传输线，并测试第一长度的传输线的第一初始S参数，接着，S参数测试设备采用第一测试连接件的第一连接件S参数对第一初始S参数进行去嵌处理得到第一目标S参数。
S参数测试设备通过第二测试连接件连接第二长度的传输线，并测试第二长度的传输线的第二初始S参数，接着，S参数测试设备采用第二测试连接件的第二连接件S参数对第二初始S参数进行去嵌处理得到第二目标S参数。
例如，以第一长度的传输线是7inch的传输线，第二长度的传输线是2inch的传输线为例，CH1接口和CH2接口对应的线缆为线缆一，CH3接口和CH4接口对应的线缆为线缆二，线缆一通过SMA连接器连接S参数测试设备和第一长度的传输线，线缆二通过SMA连接器连接S参数测试设备和第二长度的传输线，则第一测试连接件为线缆一以及对应的SMA连接器，第二测试连接件为线缆二以及对应的SMA连接器；S参数测试设备基于第一测试连接件的第一连接件S参数对7inch的传输线的第一初始S参数进行去嵌处理得到第一目标S参数，并基于第二测试连接件的第二连接件S参数对2inch的传输线的第二初始S参数进行去嵌处理得到第二目标S参数。
步骤S3022，S参数测试设备基于第一目标S参数对第二目标S参数进行去嵌处理，得到目标长度的传输线对应的目标S参数。
其中，目标S参数用于分析目标长度的传输线在当前测试环境下的材料特性。
S参数测试设备基于第一目标S参数对第二目标S参数进行去嵌处理，继续上述举例，S参数测试设备则基于7inch的传输线的第一目标S参数对2inch的传输线的第二目标S参数进行去嵌处理，得到目标长度的传输线对应的目标S参数，目标长度即为7inch-2inch＝5inch，这样，通过去嵌处理可以得到当前测试环境下的5inch的传输线对应的目标S参数作为基准。在应用过程中，若需要分析当前测试环境下某个长度的传输线的材料特性，则基于该5inch的传输线对应的目标S参数进行分析。例如，若需要分析当前测试环境下10inch的传输线的材料特性，则对该5inch的传输线对应的目标S参数乘2，则得到当前测试环境下10inch的传输线的S参数；还例如，若需要分析当前测试环境下1inch的传输线的材料特性，则对该5inch的传输线对应的目标S参数乘1/5，则得到当前测试环境下1inch的传输线的S参数，等等，由此，通过去嵌提升了目标长度的传输线对应的目标S参数的准确性，有利于更准确地对当前测试环境下任意长度的传输线的材料特性进行分析。
在一种可能的实施方式中，通过调节测试环境箱的测试环境，S参数测试设备基于上述实施例的方式可以得到各个测试环境下目标长度的传输线对应的目标S参数，并将得到的各个测试环境下目标长度的传输线对应的目标S参数发送至终端，用于材料随环境温湿度因素影响研究。
在一个实施例中，基于上述图3所示的实施例，本实施例涉及的是在PCB板上设置有第一长度的传输线和第二长度的传输线的情况下，S参数测试设备如何测试得到目标长度的传输线对应的传输线S参数的过程。
本实施例中，PCB板上设置有第一长度的传输线和第二长度的传输线，本实施例材料特性测试方法还包括步骤B1和步骤B2：
步骤B1，S参数测试设备测试第一长度的传输线的第一初始S参数和第二长度的传输线的第二初始S参数。
步骤B2，S参数测试设备基于第一初始S参数对第二初始S参数进行去嵌处理，得到目标长度的传输线对应的传输线S参数。
本申请实施中，以测试连接件包括线缆和连接器为例，假设CH1接口和CH2接口对应的线缆为线缆一，CH3接口和CH4接口对应的线缆为线缆二，S参数测试设备则可以通过线缆一测试第一长度的传输线的第一初始S参数和第二长度的传输线的第二初始S参数，或者，S参数测试设备还可以通过线缆二测试第一长度的传输线的第一初始S参数和第二长度的传输线的第二初始S参数。
以线缆一为例，首先，线缆一通过SMA连接器连接S参数测试设备和第一长度的传输线，S参数测试设备则测试得到第一长度的传输线的第一初始S参数。然后，线缆一通过SMA连接器连接S参数测试设备和第二长度的传输线，S参数测试设备则测试得到第二长度的传输线的第二初始S参数。
由于第一长度的传输线的第一初始S参数和第二长度的传输线的第二初始S参数是通过相同的线缆一及SMA连接器测试得到的，因此，线缆一及SMA连接器对第一初始S参数和第二初始S参数的影响是相同的，因此不必单独对第一初始S参数和第二初始S参数去除线缆一及SMA连接器的影响。S参数测试设备直接基于第一初始S参数对第二初始S参数进行去嵌处理，即可得到目标长度的传输线对应的传输线S参数，传输线S参数用于分析目标长度的传输线在当前测试环境下的材料特性。这样，有利于减小S参数测试设备的计算量，提升计算速率，并有利于减小传输线S参数的误差。
在一个实施例中，参见图5，基于上述图2所示的实施例，本实施例涉及的是S参数测试设备如何获取测试连接件在当前测试环境下的连接件S参数的过程。如图5所示，步骤S200包括步骤S201和步骤S202：
步骤S201，S参数测试设备获取当前测试环境对应的目标环境参数。
步骤S202，S参数测试设备基于目标环境参数，在预设的去嵌映射表中查找目标环境参数对应的连接件S参数。
本申请实施例中，S参数测试设备可以获取当前测试环境下，测试环境箱中设置的温度传感器以及湿度传感器的感知数据，则得到当前测试环境对应的目标环境参数。
S参数测试设备在预设的去嵌映射表中查找该目标环境参数对应的连接件S参数。去嵌映射表中包括各环境参数以及各环境参数对应的连接件S参数，不同的环境参数表征不同的测试环境。
在一种可能的实施方式中，S参数测试设备需要预先建立去嵌映射表，该去嵌映射表中包括各测试环境对应的环境参数和各测试环境对应的连接件S参数之间的映射关系。这样，S参数测试设备可以直接查询去嵌映射表得到目标环境参数对应的连接件S参数，提升了S参数测试设备获取连接件S参数的速度。
以下将对S参数测试设备建立去嵌映射表的过程进行说明。
本申请实施例中，S参数测试设备可以在不同的测试环境下，测量测试连接件的连接件S参数。对于每种测试环境，S参数测试设备将测试环境对应的环境参数和测试环境对应的连接件S参数对应存储于去嵌映射表中，从而得到去嵌映射表。
在一种可能的实施方式中，测试连接件至少包括第一线缆、第二线缆、第一连接器和第二连接器，S参数测试设备测试测试连接件的连接件S参数可以通过执行如下步骤实现：
测试由第一线缆、第二线缆、第一连接器和第二连接器组成的连接件的S参数，根据连接件的S参数确定测试连接件的连接件S参数。
其中，连接件中第一线缆的一端和S参数测试设备连接，第一线缆的另一端和第一连接器连接，第二线缆的一端和S参数测试设备连接，第二线缆的另一端和第二连接器连接，第一连接器和第二连接器连接。
参见图5-a，其为一种示例性地第一线缆和第二线缆通过第一连接器和第二连接器连接的示意图。
假设CH1接口和CH2接口对应的线缆为线缆一，线缆一包括CH1接口伸出的第一线缆和CH2接口伸出的第二线缆。首先，分别断开第一线缆和第二线缆与PCB组件的连接，接着，将第一线缆远离S参数测试设备的CH1接口的一端连接第一连接器，将第二线缆远离S参数测试设备的CH2接口的一端连接第二连接器，然后将第一连接器和第二连接器之间通过背靠背方式互联，中间用螺丝固定；将线缆一以及第一连接器和第二连接器置于测试环境箱中，改变测试环境箱的温湿度环境，S参数测试设备测试不同的测试环境下，第一线缆、第二线缆、第一连接器和第二连接器的连接件S参数。
进一步地，假设CH3接口和CH4接口对应的线缆为线缆二，线缆二包括CH3接口伸出的第三线缆和CH4接口伸出的第四线缆。同样地，首先，分别断开第三线缆和第四线缆与PCB组件的连接，接着，将第三线缆远离S参数测试设备的CH3接口的一端连接第三连接器，将第四线缆远离S参数测试设备的CH4接口的一端连接第四连接器，然后将第三连接器和第四连接器之间通过背靠背方式互联，中间用螺丝固定，将线缆二以及第三连接器和第四连接器置于测试环境箱中，改变测试环境箱的温湿度环境，S参数测试设备测试不同的测试环境下，第三线缆、第四线缆、第三连接器和第四连接器的连接件S参数。
S参数测试设备将包括第一线缆、第二线缆、第一连接器和第二连接器的连接件的连接件S参数，和包括第三线缆、第四线缆、第三连接器和第四连接器的连接件的连接件S参数确定为测试连接件的连接件S参数。由此，通过本实施例的连接方式将第一线缆和第二线缆连接，从而可以准确测试得到测试连接件的连接件S参数，有利于提升去嵌映射表的数据可靠性。
这样，通过上述方式，S参数测试设备则得到不同的测试环境下，测试连接件的连接件S参数。对于每种测试环境，S参数测试设备将该测试环境对应的环境参数和该测试环境对应的连接件S参数对应存储于去嵌映射表中，从而得到包括各测试环境对应的环境参数和各测试环境对应的连接件S参数之间的映射关系的去嵌映射表。
作为一种实施方式，在S参数测试设备测试之前，还可以采用室温环境(23°C±2℃，40％RH±5％)采用E-Cal电子校准件对S参数测试设备进行校准，去除同轴线缆的效应，由此可以提升S参数测试设备的测试准确性。
应该理解的是，虽然图2-5的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图2-5中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
在一个实施例中，如图6所示，提供了一种材料特性测试装置，包括：
第一测试模块10，用于测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数；
获取模块20，用于获取测试连接件在所述当前测试环境下的连接件S参数，所述测试连接件用于连接所述PCB组件和所述S参数测试设备；
第一去嵌模块30，用于基于所述连接件S参数对所述初始S参数进行去嵌处理，根据去嵌处理的结果获取所述PCB组件的目标S参数。
可选地，所述PCB组件包括PCB板，所述第一去嵌模块30，包括：
第一去嵌单元，用于基于所述连接件S参数对所述初始S参数进行去嵌处理，将去嵌处理的结果作为所述PCB板的目标S参数，所述目标S参数用于分析所述PCB板在所述当前测试环境下的材料特性。
可选地，所述PCB板上设置有第一长度的传输线和第二长度的传输线，所述装置还包括：
第二测试模块，用于测试所述第一长度的传输线的第一初始S参数和所述第二长度的传输线的第二初始S参数；
第二去嵌模块，用于基于所述第一初始S参数对所述第二初始S参数进行去嵌处理，得到目标长度的传输线对应的传输线S参数，所述传输线S参数用于分析所述目标长度的传输线在所述当前测试环境下的材料特性。
可选地，所述PCB组件包括设置在PCB板上的第一长度的传输线和第二长度的传输线，所述连接件S参数包括第一连接件S参数和第二连接件S参数，所述第一测试模块10，包括：
测试单元，用于测试所述第一长度的传输线的第一初始S参数和所述第二长度的传输线的第二初始S参数；
对应地，所述第一去嵌模块30包括：
所述第二去嵌单元，用于基于所述第一连接件S参数对所述第一初始S参数进行去嵌处理得到第一目标S参数，并基于所述第二连接件S参数对所述第二初始S参数进行去嵌处理得到第二目标S参数；基于所述第一目标S参数对所述第二目标S参数进行去嵌处理，得到目标长度的传输线对应的目标S参数，所述目标S参数用于分析所述目标长度的传输线在所述当前测试环境下的材料特性。
可选地，所述获取模块20包括：
获取单元，用于获取所述当前测试环境对应的目标环境参数；
查找单元，用于基于所述目标环境参数，在预设的去嵌映射表中查找所述目标环境参数对应的所述连接件S参数。
可选地，所述装置还包括：
第三测试模块，用于在不同的测试环境下，测试所述测试连接件的连接件S参数；对于每种测试环境，将所述测试环境对应的环境参数和所述测试环境对应的连接件S参数对应存储于所述去嵌映射表中。
可选地，所述测试连接件至少包括第一线缆、第二线缆、第一连接器和第二连接器，第三测试模块具体用于测试由所述第一线缆、所述第二线缆、所述第一连接器和所述第二连接器组成的连接件的S参数，根据所述连接件的S参数确定所述测试连接件的所述连接件S参数；其中，所述连接件中所述第一线缆的一端和所述S参数测试设备连接，所述第一线缆的另一端和所述第一连接器连接，所述第二线缆的一端和所述S参数测试设备连接，所述第二线缆的另一端和所述第二连接器连接，所述第一连接器和所述第二连接器连接。
可选地，所述PCB组件置于测试环境箱中，所述测试环境箱用于根据环境调整指令调整所述测试环境箱中的测试环境，所述测试环境箱和所述S参数测试设备连接，所述装置还包括：
监控模块，用于监控所述测试环境箱中的测试环境；
执行模块，用于当所述测试环境的变化情况满足预设条件，则执行所述测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数的步骤。
可选地，所述测试环境箱中设置有温度传感器和/或湿度传感器，所述监控模块具体用于获取所述温度传感器感知的所述测试环境箱中的温度数据，和/或，获取所述湿度传感器感知的所述测试环境箱中的湿度数据；
对应地，所述执行模块具体用于当所述温度数据的变化量大于预设的温度变化阈值，和/或，当所述湿度数据的变化量大于预设的湿度变化阈值，则执行所述测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数的步骤。
关于材料特性测试装置的具体限定可以参见上文中对于材料特性测试方法的限定，在此不再赘述。上述材料特性测试装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于电子设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于电子设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
在一个实施例中，提供了一种电子设备，该电子设备可以是S参数测试设备，其内部结构图可以如图7所示。该电子设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器和网络接口。其中，该电子设备的处理器用于提供计算和控制能力。该电子设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该电子设备的数据库用于存储材料特性测试数据。该电子设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种材料特性测试方法。
本领域技术人员可以理解，图7中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的电子设备的限定，具体的电子设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
在一个实施例中，提供了一种电子设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现以下步骤：
测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数；
获取测试连接件在所述当前测试环境下的连接件S参数，所述测试连接件用于连接所述PCB组件和所述S参数测试设备；
基于所述连接件S参数对所述初始S参数进行去嵌处理，根据去嵌处理的结果获取所述PCB组件的目标S参数。
在一个实施例中，所述PCB组件包括PCB板，所述基于所述连接件S参数对所述初始S参数进行去嵌处理，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
基于所述连接件S参数对所述初始S参数进行去嵌处理，将去嵌处理的结果作为所述PCB板的目标S参数，所述目标S参数用于分析所述PCB板在所述当前测试环境下的材料特性。
在一个实施例中，所述PCB板上设置有第一长度的传输线和第二长度的传输线，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
测试所述第一长度的传输线的第一初始S参数和所述第二长度的传输线的第二初始S参数；
基于所述第一初始S参数对所述第二初始S参数进行去嵌处理，得到目标长度的传输线对应的传输线S参数，所述传输线S参数用于分析所述目标长度的传输线在所述当前测试环境下的材料特性。
在一个实施例中，所述PCB组件包括设置在PCB板上的第一长度的传输线和第二长度的传输线，所述连接件S参数包括第一连接件S参数和第二连接件S参数，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
测试所述第一长度的传输线的第一初始S参数和所述第二长度的传输线的第二初始S参数；
对应地，所述基于所述连接件S参数对所述初始S参数进行去嵌处理，根据去嵌处理的结果获取所述PCB组件的目标S参数，包括：
基于所述第一连接件S参数对所述第一初始S参数进行去嵌处理得到第一目标S参数，并基于所述第二连接件S参数对所述第二初始S参数进行去嵌处理得到第二目标S参数；
基于所述第一目标S参数对所述第二目标S参数进行去嵌处理，得到目标长度的传输线对应的目标S参数，所述目标S参数用于分析所述目标长度的传输线在所述当前测试环境下的材料特性。
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
获取所述当前测试环境对应的目标环境参数；
基于所述目标环境参数，在预设的去嵌映射表中查找所述目标环境参数对应的所述连接件S参数；
其中，所述去嵌映射表的获取过程包括：
在不同的测试环境下，测试所述测试连接件的连接件S参数；
对于每种测试环境，将所述测试环境对应的环境参数和所述测试环境对应的连接件S参数对应存储于所述去嵌映射表中。
在一个实施例中，所述测试连接件至少包括第一线缆、第二线缆、第一连接器和第二连接器，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
测试由所述第一线缆、所述第二线缆、所述第一连接器和所述第二连接器组成的连接件的S参数，根据所述连接件的S参数确定所述测试连接件的所述连接件S参数；
其中，所述连接件中所述第一线缆的一端和所述S参数测试设备连接，所述第一线缆的另一端和所述第一连接器连接，所述第二线缆的一端和所述S参数测试设备连接，所述第二线缆的另一端和所述第二连接器连接，所述第一连接器和所述第二连接器连接。
在一个实施例中，所述PCB组件置于测试环境箱中，所述测试环境箱用于根据环境调整指令调整所述测试环境箱中的测试环境，所述测试环境箱和所述S参数测试设备连接，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
监控所述测试环境箱中的测试环境；
当所述测试环境的变化情况满足预设条件，则执行所述测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数的步骤。
在一个实施例中，所述测试环境箱中设置有温度传感器和/或湿度传感器，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
获取所述温度传感器感知的所述测试环境箱中的温度数据，和/或，获取所述湿度传感器感知的所述测试环境箱中的湿度数据；
对应地，所述当所述测试环境的变化情况满足预设条件，则执行所述测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数的步骤，包括：
当所述温度数据的变化量大于预设的温度变化阈值，和/或，当所述湿度数据的变化量大于预设的湿度变化阈值，则执行所述测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数的步骤。
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数；
获取测试连接件在所述当前测试环境下的连接件S参数，所述测试连接件用于连接所述PCB组件和所述S参数测试设备；
基于所述连接件S参数对所述初始S参数进行去嵌处理，根据去嵌处理的结果获取所述PCB组件的目标S参数。
在一个实施例中，所述PCB组件包括PCB板，所述基于所述连接件S参数对所述初始S参数进行去嵌处理，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
基于所述连接件S参数对所述初始S参数进行去嵌处理，将去嵌处理的结果作为所述PCB板的目标S参数，所述目标S参数用于分析所述PCB板在所述当前测试环境下的材料特性。
在一个实施例中，所述PCB板上设置有第一长度的传输线和第二长度的传输线，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
测试所述第一长度的传输线的第一初始S参数和所述第二长度的传输线的第二初始S参数；
基于所述第一初始S参数对所述第二初始S参数进行去嵌处理，得到目标长度的传输线对应的传输线S参数，所述传输线S参数用于分析所述目标长度的传输线在所述当前测试环境下的材料特性。
在一个实施例中，所述PCB组件包括设置在PCB板上的第一长度的传输线和第二长度的传输线，所述连接件S参数包括第一连接件S参数和第二连接件S参数，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
测试所述第一长度的传输线的第一初始S参数和所述第二长度的传输线的第二初始S参数；
对应地，所述基于所述连接件S参数对所述初始S参数进行去嵌处理，根据去嵌处理的结果获取所述PCB组件的目标S参数，包括：
基于所述第一连接件S参数对所述第一初始S参数进行去嵌处理得到第一目标S参数，并基于所述第二连接件S参数对所述第二初始S参数进行去嵌处理得到第二目标S参数；
基于所述第一目标S参数对所述第二目标S参数进行去嵌处理，得到目标长度的传输线对应的目标S参数，所述目标S参数用于分析所述目标长度的传输线在所述当前测试环境下的材料特性。
在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
获取所述当前测试环境对应的目标环境参数；
基于所述目标环境参数，在预设的去嵌映射表中查找所述目标环境参数对应的所述连接件S参数；
其中，所述去嵌映射表的获取过程包括：
在不同的测试环境下，测试所述测试连接件的连接件S参数；
对于每种测试环境，将所述测试环境对应的环境参数和所述测试环境对应的连接件S参数对应存储于所述去嵌映射表中。
在一个实施例中，所述测试连接件至少包括第一线缆、第二线缆、第一连接器和第二连接器，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
测试由所述第一线缆、所述第二线缆、所述第一连接器和所述第二连接器组成的连接件的S参数，根据所述连接件的S参数确定所述测试连接件的所述连接件S参数；
其中，所述连接件中所述第一线缆的一端和所述S参数测试设备连接，所述第一线缆的另一端和所述第一连接器连接，所述第二线缆的一端和所述S参数测试设备连接，所述第二线缆的另一端和所述第二连接器连接，所述第一连接器和所述第二连接器连接。
在一个实施例中，所述PCB组件置于测试环境箱中，所述测试环境箱用于根据环境调整指令调整所述测试环境箱中的测试环境，所述测试环境箱和所述S参数测试设备连接，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
监控所述测试环境箱中的测试环境；
当所述测试环境的变化情况满足预设条件，则执行所述测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数的步骤。
在一个实施例中，所述测试环境箱中设置有温度传感器和/或湿度传感器，计算机程序被处理器执行时还实现以下步骤：
获取所述温度传感器感知的所述测试环境箱中的温度数据，和/或，获取所述湿度传感器感知的所述测试环境箱中的湿度数据；
对应地，所述当所述测试环境的变化情况满足预设条件，则执行所述测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数的步骤，包括：
当所述温度数据的变化量大于预设的温度变化阈值，和/或，当所述湿度数据的变化量大于预设的湿度变化阈值，则执行所述测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数的步骤。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、磁带、软盘、闪存或光存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)或外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)等。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种材料特性测试方法，其特征在于，应用于S参数测试设备，所述方法包括：
测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数；
获取测试连接件在所述当前测试环境下的连接件S参数，所述测试连接件用于连接所述PCB组件和所述S参数测试设备；
基于所述连接件S参数对所述初始S参数进行去嵌处理，根据去嵌处理的结果获取所述PCB组件的目标S参数。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述PCB组件包括PCB板，所述基于所述连接件S参数对所述初始S参数进行去嵌处理，根据去嵌处理的结果获取所述PCB组件的目标S参数，包括：
基于所述连接件S参数对所述初始S参数进行去嵌处理，将去嵌处理的结果作为所述PCB板的目标S参数，所述目标S参数用于分析所述PCB板在所述当前测试环境下的材料特性。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述PCB板上设置有第一长度的传输线和第二长度的传输线，所述方法还包括：
测试所述第一长度的传输线的第一初始S参数和所述第二长度的传输线的第二初始S参数；
基于所述第一初始S参数对所述第二初始S参数进行去嵌处理，得到目标长度的传输线对应的传输线S参数，所述传输线S参数用于分析所述目标长度的传输线在所述当前测试环境下的材料特性。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述PCB组件包括设置在PCB板上的第一长度的传输线和第二长度的传输线，所述连接件S参数包括第一连接件S参数和第二连接件S参数，所述测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数，包括：
测试所述第一长度的传输线的第一初始S参数和所述第二长度的传输线的第二初始S参数；
对应地，所述基于所述连接件S参数对所述初始S参数进行去嵌处理，根据去嵌处理的结果获取所述PCB组件的目标S参数，包括：
基于所述第一连接件S参数对所述第一初始S参数进行去嵌处理得到第一目标S参数，并基于所述第二连接件S参数对所述第二初始S参数进行去嵌处理得到第二目标S参数；
基于所述第一目标S参数对所述第二目标S参数进行去嵌处理，得到目标长度的传输线对应的目标S参数，所述目标S参数用于分析所述目标长度的传输线在所述当前测试环境下的材料特性。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取测试连接件在所述当前测试环境下的连接件S参数，包括：
获取所述当前测试环境对应的目标环境参数；
基于所述目标环境参数，在预设的去嵌映射表中查找所述目标环境参数对应的所述连接件S参数；
其中，所述去嵌映射表的获取过程包括：
在不同的测试环境下，测试所述测试连接件的连接件S参数；
对于每种测试环境，将所述测试环境对应的环境参数和所述测试环境对应的连接件S参数对应存储于所述去嵌映射表中。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述PCB组件置于测试环境箱中，所述测试环境箱用于根据环境调整指令调整所述测试环境箱中的测试环境，所述测试环境箱和所述S参数测试设备连接，所述方法还包括：
监控所述测试环境箱中的测试环境；
当所述测试环境的变化情况满足预设条件，则执行所述测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数的步骤。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述测试环境箱中设置有温度传感器和/或湿度传感器，所述监控所述测试环境箱中的测试环境，包括：
获取所述温度传感器感知的所述测试环境箱中的温度数据，和/或，获取所述湿度传感器感知的所述测试环境箱中的湿度数据；
对应地，所述当所述测试环境的变化情况满足预设条件，则执行所述测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数的步骤，包括：
当所述温度数据的变化量大于预设的温度变化阈值，和/或，当所述湿度数据的变化量大于预设的湿度变化阈值，则执行所述测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数的步骤。
8.一种材料特性测试装置，其特征在于，设置于S参数测试设备，所述装置包括：
第一测试模块，用于测试PCB组件在当前测试环境下的初始S参数；
获取模块，用于获取测试连接件在所述当前测试环境下的连接件S参数，所述测试连接件用于连接所述PCB组件和所述S参数测试设备；
第一去嵌模块，用于基于所述连接件S参数对所述初始S参数进行去嵌处理，根据去嵌处理的结果获取所述PCB组件的目标S参数。
9.一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至7中任一项所述的方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至7中任一项所述的方法的步骤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011022056.9A CN112345912B (zh) | 2020-09-25 | 材料特性测试方法、装置、电子设备和存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011022056.9A CN112345912B (zh) | 2020-09-25 | 材料特性测试方法、装置、电子设备和存储介质 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112345912A true CN112345912A (zh) | 2021-02-09 |
| CN112345912B CN112345912B (zh) | 2024-05-31 |
Family
ID=
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050027469A1 (en) * | 2003-07-31 | 2005-02-03 | Brunsman Michael D. | De-embedding devices under test |
| US20090216480A1 (en) * | 2008-02-26 | 2009-08-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Device under test de-embedding |
| CN104020379A (zh) * | 2014-06-17 | 2014-09-03 | 浪潮电子信息产业股份有限公司 | 一种简易的低成本的测试方法 |
| CN104297597A (zh) * | 2014-10-20 | 2015-01-21 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种移除双端口网络中测试夹具效应的新方法 |
| WO2017044498A1 (en) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | Ataitec Corporation | Fixture de-embedding using calibration structures with open and short terminations |
| CN109001612A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-12-14 | 郑州云海信息技术有限公司 | 一种测试pcb板内信号线s参数的方法和装置 |
| CN110058056A (zh) * | 2018-12-20 | 2019-07-26 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种非标测试夹具 |
| CN110765612A (zh) * | 2019-10-22 | 2020-02-07 | 北京交通大学 | 一种基于去嵌入误差的材料s参数测量方法 |
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050027469A1 (en) * | 2003-07-31 | 2005-02-03 | Brunsman Michael D. | De-embedding devices under test |
| US20090216480A1 (en) * | 2008-02-26 | 2009-08-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Device under test de-embedding |
| CN104020379A (zh) * | 2014-06-17 | 2014-09-03 | 浪潮电子信息产业股份有限公司 | 一种简易的低成本的测试方法 |
| CN104297597A (zh) * | 2014-10-20 | 2015-01-21 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种移除双端口网络中测试夹具效应的新方法 |
| WO2017044498A1 (en) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | Ataitec Corporation | Fixture de-embedding using calibration structures with open and short terminations |
| CN109001612A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-12-14 | 郑州云海信息技术有限公司 | 一种测试pcb板内信号线s参数的方法和装置 |
| CN110058056A (zh) * | 2018-12-20 | 2019-07-26 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种非标测试夹具 |
| CN110765612A (zh) * | 2019-10-22 | 2020-02-07 | 北京交通大学 | 一种基于去嵌入误差的材料s参数测量方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 王全等: "射频器件在片测试结构与去嵌入方法", 集成电路应用, vol. 36, no. 8, pages 46 - 48 * |
| 许夏茜等: "FBAR板上测试技术综述", 中国测试, vol. 45, no. 2, 28 February 2019 (2019-02-28), pages 11 - 15 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109444721B (zh) | 检测s参数的方法及终端设备 | |
| CN110286345B (zh) | 一种矢量网络分析仪在片s参数的校准方法、系统及设备 | |
| US6268735B1 (en) | Noise source module for microwave test systems | |
| US6998833B2 (en) | System and method for determining S-parameters using a load | |
| JP5246172B2 (ja) | 測定誤差の補正方法及び電子部品特性測定装置 | |
| US7640477B2 (en) | Calibration system that can be utilized with a plurality of test system topologies | |
| US20220236326A1 (en) | Measurement instrument, measurement system, and signal processing method | |
| KR101950731B1 (ko) | 프로그램가능한 테스트 기기 | |
| CN114755558A (zh) | 射频芯片的数据补偿方法 | |
| US11300616B2 (en) | Systems and methods for non-invasive current estimation | |
| CN112345912B (zh) | 材料特性测试方法、装置、电子设备和存储介质 | |
| CN112285450A (zh) | 线损点检方法、装置、计算设备及存储介质 | |
| CN112345912A (zh) | 材料特性测试方法、装置、电子设备和存储介质 | |
| CN111693922A (zh) | 一种阻抗测试仪自动校验系统 | |
| CN109061434B (zh) | 板级电路退化测试方法 | |
| CN115165154A (zh) | 温度传感器校准系统及方法 | |
| CN113918741A (zh) | 数据处理方法、装置、系统、计算机设备和存储介质 | |
| JP5458817B2 (ja) | 電子部品の電気特性測定誤差の補正方法及び電子部品特性測定装置 | |
| JP2005140784A (ja) | Ｓパラメータ測定システム | |
| US6101458A (en) | Automatic ranging apparatus and method for precise integrated circuit current measurements | |
| CN111238560A (zh) | 一种智能猫舍用传感器数据采集模块测试方法 | |
| JP2006242799A (ja) | 測定誤差の補正方法及び電子部品特性測定装置 | |
| CN116256623B (zh) | 一种基于伏安特性曲线的芯片电特性分析系统及方法 | |
| CN113447537B (zh) | 油纸绝缘频域介电谱测量方法、装置、存储介质和终端 | |
| JP4478879B2 (ja) | 測定誤差の補正方法及び電子部品特性測定装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant |