CN112335053A - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

提供了根据各种实施方式的显示设备。根据实施方式的显示设备包括：基板；在基板上的薄膜晶体管；在薄膜晶体管上的有机绝缘层；布置在有机绝缘层上的像素电极，其中，在像素电极上限定中心区域、围绕中心区域的外围区域和与外围区域邻近的连接区域，并且像素电极包括：布置在外围区域中并且朝向基板突出的突出物，和布置在连接区域中并且电连接至薄膜晶体管的通孔塞；以及暴露像素电极的中心区域的像素限定层。

Description

显示设备
技术领域
本公开的各种实施方式涉及显示设备，并且更特别地，涉及其中可以减少由于反射光导致的在显示设备外部的色带的出现的显示设备。
背景技术
显示设备可以可视地显示图像数据。显示设备可以包括薄膜晶体管和发光装置。发光装置的像素电极可以通过穿透通过其下方的绝缘层的通孔塞连接至薄膜晶体管，并且通孔塞的上表面根据其制造工艺可以具有凹形的形状。由于凹形的上表面，可能反射在特定方向上的更多入射光，并且色带可能出现在显示设备的外部。
发明内容
技术问题
本公开的实施方式将提供通过减少色带的出现来提供高质量图像的显示设备。然而，这些问题仅是示例，并且本公开的范围不限于此。
问题的解决方案
根据一个方面，显示设备包括：基板；在基板上的薄膜晶体管；在薄膜晶体管上的有机绝缘层；布置在有机绝缘层上的像素电极，其中，在像素电极上限定中心区域、围绕中心区域的外围区域和与外围区域邻近的连接区域，并且像素电极包括：布置在外围区域中并且朝向基板突出的突出物，和布置在连接区域中并且电连接至薄膜晶体管的通孔塞；以及暴露像素电极的中心区域的像素限定层。
根据另一方面，显示设备包括：基板；在基板上的薄膜晶体管；覆盖薄膜晶体管的有机绝缘层，其中，在有机绝缘层上限定中心区域、围绕中心区域的外围区域和与外围区域邻近的连接区域，并且有机绝缘层包括：布置在外围区域中的凹部，和布置在连接区域中并且暴露电连接至薄膜晶体管的电极的一部分的通孔；布置在有机绝缘层的中心区域、外围区域和连接区域上的像素电极；以及暴露像素电极的与中心区域相对应的中心部分的像素限定层。
本公开的有利效果
根据本公开的各种实施方式，由于凹形的上表面形成为与布置在像素电极的外围区域中的突出物或布置在有机绝缘层的外围区域中的凹部相对应，因此通过减小从与通孔塞相对应形成的凹形的上表面反射的反射光在整个反射光中的比率，可以减少色带的出现。可以实现由于减少的色带而提供高质量图像的显示设备。然而，本公开的范围不受这些效果的限制。
附图说明
图1是根据实施方式的显示设备的示意性平面图。
图2a和图2b分别图示根据实施方式的显示设备的像素的等效电路图的示例。
图3是根据实施方式的显示设备的显示区的一部分的放大示意性平面图。
图4是根据实施方式的显示设备的截面图，例如，沿着图3的线IV-IV'截取的显示设备的截面图。
图5是根据另一实施方式的显示设备的像素电极的一部分的放大示意性平面图。
图6a至图6c是根据其他实施方式的显示设备的像素电极的一部分的放大示意性平面图。
图7是根据另一实施方式的显示设备的多个像素电极的一部分的放大示意性平面图。
图8至图10是根据其他实施方式的显示设备的像素电极的一部分的放大示意性平面图。
图11是根据其他实施方式的显示设备的像素电极的一部分的放大示意性平面图。
图12是根据另一实施方式的显示设备的多个像素电极的一部分的放大示意性平面图。
具体实施方式
本公开可以被各种修改并且可以包括各种实施方式，并且本公开的某些实施方式在附图中图示并且将在本文中详细描述。根据以下参照所附附图详细描述的实施方式，本公开的效果和特征及其实现方法将变得显而易见。然而，本公开不限于以下描述的实施方式，并且可以以各种模式来体现。
在下文中，将参照所附附图详细描述本公开的实施方式。为了清楚地描述本公开，将省略与描述无关的部分，并且在以下参照附图的描述中，相同的附图标记将表示相同的元件，并且为了简洁起见将省略其重复的描述。
将理解的是，尽管诸如“第一”和“第二”的术语在本文中可以用于描述各种部件，但是这些部件不应受到这些术语的限制，并且这些术语仅用于将一个部件与另一部件区分开。如本文中所使用的，除非上下文另外明确指示，否则单数形式“一(a)”、“一(an)”和“所述”也旨在包括复数形式。当元件被称为“连接”至另一元件时，它可以“直接连接”至另一元件，或者可以“电连接”至另一元件，其中在该元件与另一元件之间存在一个或多个中间元件。当某物被称为“包括”一部件时，除非另外说明，否则可以进一步包括另一部件。
为了容易理解和便于描述，附图中的部件的尺寸可能被放大。此外，由于例如制造技术和/或公差，可以预期对附图中所图示的形状进行修改。因此，本公开的实施方式不应被解释为限于附图中所图示的部件的特定形状，而应被理解为包括由例如制造导致的形状的变化。
此外，在本文中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
图1是根据实施方式的显示设备的示意性平面图。
参照图1，显示设备可以包括能够显示图像的显示区DA和在显示区DA外部的非显示区PA。可以理解，在图1中图示了显示设备中包括的基板100的示意性平面图。在基板100中可以限定显示区DA和非显示区PA。
发射不同颜色的光的像素可以布置在显示区DA中。例如，如图1中所图示，分别发射红色光、绿色光和蓝色光的第一至第三像素PX1、PX2和PX3可以布置在显示区DA上。尽管图1图示了其中第一至第三像素PX1、PX2和PX3以所谓的菱形蜂窝(diamond pentile)型布置的结构，但是可以对像素的布置结构进行各种修改。
像素PX1、PX2和PX3中的每一个可以发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光，并且可以包括例如有机发光二极管。像素PX1、PX2和PX3中的每一个可以包括诸如薄膜晶体管(TFT)和电容器的装置。可以通过由像素PX1、PX2和PX3发射的光来显示图像，并且显示区DA可以被限定为其中布置能够发射光的像素PX1、PX2和PX3的区。
在本文中，像素PX可以是指发射红色、绿色、蓝色和白色中的任何一种颜色的光的所谓的子像素。
非显示区PA可以是其中不显示图像的区，并且可以在其中布置用于将电信号或电力提供至像素的驱动器(例如，栅驱动器和源驱动器)和驱动电压供给线等，并且可以在其中布置用于电连接电子装置的焊盘和印刷电路板等。
图2a和图2b分别图示了根据实施方式的显示设备的任何一个像素的等效电路图的示例。
每个像素P可以包括连接至扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接至像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素P可以统一指代图1的第一至第三像素PX1、PX2和PX3。
参照图2a，像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2可以连接至扫描线SL和数据线DL，并且可以被配置成根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入的数据电压Dm传输至驱动薄膜晶体管T1。数据电压Dm可以与有机发光二极管OLED要输出的光的亮度相对应。取决于像素电路PC的配置和驱动薄膜晶体管T1的导电类型，由有机发光二极管OLED发射的光的亮度可以随着数据电压Dm降低而增加，反之亦然。
存储电容器Cst可以连接至开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从开关薄膜晶体管T2接收的电压与施加至驱动电压线PL的第一电力电压ELVDD(或驱动电压)之间的差相对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1可以连接至驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有与数据电压Dm相对应的某一亮度的光。
根据图2a中所图示的实施方式，像素电路PC可以包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器；然而，本公开不限于此。
参照图2b，像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、第一发射控制薄膜晶体管T5、第二发射控制薄膜晶体管T6、第二初始化薄膜晶体管T7以及存储电容器Cst。根据图2b中所图示的实施方式，信号线SLn、SLn-1、EL和DL；初始化电压线VL；以及驱动电压线PL可以连接至每个像素P；然而，本公开不限于此。
驱动薄膜晶体管T1的栅电极可以连接至存储电容器Cst的第一电极，驱动薄膜晶体管T1的源电极可以经由第一发射控制薄膜晶体管T5电连接至驱动电压线PL，并且驱动薄膜晶体管T1的漏电极可以经由第二发射控制薄膜晶体管T6电连接至有机发光二极管OLED。驱动薄膜晶体管T1可以通过开关薄膜晶体管T2和补偿薄膜晶体管T3接收数据电压Dm，并且在存储电容器Cst中存储其中从数据电压Dm补偿驱动薄膜晶体管T1的阈值电压的电压，并且基于存储在存储电容器Cst中的电压来控制要输出至有机发光二极管OLED的驱动电流。
开关薄膜晶体管T2的栅电极可以连接至第一扫描线SL，并且开关薄膜晶体管T2的源电极可以连接至数据线DL。开关薄膜晶体管T2的漏电极可以连接至驱动薄膜晶体管T1的源电极。开关薄膜晶体管T2可以响应于通过第一扫描线SL接收的第一扫描信号Sn而导通，并且可以将通过数据线DL输入的数据电压Dm传输至驱动薄膜晶体管T1的源电极。
补偿薄膜晶体管T3的栅电极可以连接至第一扫描线SLn，补偿薄膜晶体管T3的源电极可以连接至驱动薄膜晶体管T1的漏电极，并且补偿薄膜晶体管T3的漏电极可以共同连接至存储电容器Cst的第一电极、第一初始化薄膜晶体管T4的源电极和驱动薄膜晶体管T1的栅电极。补偿薄膜晶体管T3可以响应于通过第一扫描线SL接收的第一扫描信号Sn而导通，并且可以将驱动薄膜晶体管T1的栅电极和漏电极彼此电连接以将驱动薄膜晶体管T1二极管连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的栅电极可以连接至第二扫描线SLn-1(前扫描线)。第一初始化薄膜晶体管T4的漏电极可以连接至初始化电压线VL，并且第一初始化薄膜晶体管T4的源电极可以共同连接至存储电容器Cst的第一电极、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和驱动薄膜晶体管T1的栅电极。第一初始化薄膜晶体管T4可以响应于通过第二扫描线SLn-1接收的第二扫描信号Sn-1而导通，并且可以通过将初始化电压VINT传输至驱动薄膜晶体管T1的栅电极来将驱动薄膜晶体管T1的栅电极的电压初始化成初始化电压VINT。向其栅电极施加了初始化电压VINT的驱动薄膜晶体管T1可以完全导通，并且可以去除存储先前输出的驱动电流的磁滞特性。
第一发射控制薄膜晶体管T5的栅电极可以连接至发射控制线EL，第一发射控制薄膜晶体管T5的源电极可以连接至驱动电压线PL，并且第一发射控制薄膜晶体管T5的漏电极可以连接至驱动薄膜晶体管T1的源电极。
第二发射控制薄膜晶体管T6的栅电极可以连接至发射控制线EL，第二发射控制薄膜晶体管T6的源电极可以连接至驱动薄膜晶体管T1的漏电极，并且第二发射控制薄膜晶体管T6的漏电极可以电连接至有机发光二极管OLED的阳极。第一发射控制薄膜晶体管T5和第二发射控制薄膜晶体管T6可以根据通过发射控制线EL接收的发射控制信号En而同时导通，使得可以在驱动电压线PL与有机发光二极管OLED之间形成经过驱动薄膜晶体管T1的电流路径，并且因此，在驱动薄膜晶体管T1中生成的驱动电流可以在有机发光二极管OLED中流动。
第二初始化薄膜晶体管T7的栅电极可以连接至第二扫描线SLn-1，第二初始化薄膜晶体管T7的源电极可以连接至有机发光二极管OLED的阳极，并且第二初始化薄膜晶体管T7的漏电极可以连接至初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7可以响应于通过第二扫描线SLn-1接收的第二扫描信号Sn-1而导通，并且可以将初始化电压VINT施加至有机发光二极管OLED的阳极。通过将初始化电压VINT施加至有机发光二极管OLED的阳极，可以去除存储在有机发光二极管OLED的寄生电容器中的电荷。
根据图2b的实施方式，第一初始化薄膜晶体管T4的栅电极和第二初始化薄膜晶体管T7的栅电极可以都连接至第二扫描线SLn-1；然而，本公开不限于此。根据另一实施方式，第一初始化薄膜晶体管T4的栅电极可以连接至第二扫描线SLn-1以基于第二扫描信号Sn-1进行驱动，并且第二初始化薄膜晶体管T7可以连接至单独的信号线(例如，下一扫描线)，以根据通过对应的扫描线传输的扫描信号来被驱动。
存储电容器Cst的第二电极可以连接至驱动电压线PL。存储电容器Cst的第一电极可以共同连接至驱动薄膜晶体管T1的栅电极、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和第一初始化薄膜晶体管T4的源电极，并且可以响应于第一扫描信号Sn将从数据电压Dm补偿驱动薄膜晶体管T1的阈值电压的电压施加至驱动薄膜晶体管T1。
有机发光二极管OLED的阴极(例如，相对电极)可以被提供有第二电力电压ELVSS(或公共电力电压)。有机发光二极管OLED可以发射具有与从驱动薄膜晶体管T1供给的驱动电流相对应的亮度的光。
像素电路PC不限于参照图2a和图2b描述的薄膜晶体管和存储电容器的数量和电路设计，并且薄膜晶体管和存储电容器的数量和电路设计可以被各种修改。
图3是根据实施方式的显示设备的显示区的一部分的放大示意性平面图。
参照图1和图3，第一至第三像素PX1、PX2和PX3可以以所谓的菱形蜂窝型布置。如图1和图3中所图示，菱形蜂窝型可以是指其中第一像素PX1和第二像素PX2以及第二像素PX2和第三像素PX3在对角线方向上交替地布置的类型。第一像素PX1和第三像素PX3中的每一个可以位于彼此邻近的四个第二像素PX2的中心处，并且基本上位于正方形形状中。
为了易于理解，图3图示了有机绝缘层112和有机绝缘层112上的像素电极310。将参照图4更详细地描述除了有机绝缘层112和像素电极310之外的部件。尽管在图3中未图示，但是可以在布置在基板上的薄膜晶体管上布置有机绝缘层112。薄膜晶体管可以布置在薄膜晶体管层中，并且薄膜晶体管可以布置在基板与有机绝缘层112之间。
如图3中所图示，可以限定中心区域CR、围绕中心区域CR的外围区域ER以及与外围区域ER邻近的连接区域VR。
根据示例，中心区域CR、外围区域ER和连接区域VR可以被限定为像素电极310的一些区。根据另一示例，中心区域CR、外围区域ER和连接区域VR可以被限定为有机绝缘层112的一些区。可以在有机绝缘层112中额外地限定不与中心区域CR、外围区域ER和连接区域VR重叠的基底区域。有机绝缘层112的中心区域CR、外围区域ER和连接区域VR可以分别与像素电极310的中心区域CR、外围区域ER和连接区域VR相对应。
像素电极310可以包括布置在外围区域ER中并且朝向基板突出的突出物pr和布置在连接区域VR中并且电连接至薄膜晶体管的通孔塞vp。突出物pr可以从像素电极310的下表面向下突出。像素电极310的下表面可以是指面向基板的表面或接触有机绝缘层112的表面。通孔塞vp可以通过穿透有机绝缘层112而电连接至有机绝缘层112下方的薄膜晶体管。
如图3中所图示，当在垂直方向(z方向)上观察时，突出物pr可以具有围绕中心区域CR的环形形状。在本文中，环形形状可以对应于中心区域CR的平面形状来确定，并且不限于圆形。突出物pr可以沿着外围区域ER的中心线延伸并且可以形成如图3中所图示的闭合曲线。
根据另一示例，有机绝缘层112可以包括：布置在外围区域ER中的凹部，和布置在连接区域VR中并且暴露电连接至薄膜晶体管的电极的一部分的通孔。像素电极310的填充凹部的一部分可以与突出物pr相对应，并且像素电极310的填充通孔的一部分可以与通孔塞vp相对应。凹部可以是指从有机绝缘层112的上表面朝向基板凹陷的部分。当在垂直方向(z方向)上观察时，凹部可以包括具有围绕中心区域CR的环形形状的沟槽，并且如图3中所图示，当在垂直方向(z方向)上观察时，填充沟槽的突出物pr可以具有环形形状。
图4是根据实施方式的显示设备的截面图，例如，沿着图3的线IV-IV'截取的显示设备的截面图。图4的截面图图示了参照图2b描述的像素电路PC的像素。在图4中，为了容易理解和便于描述，将根据堆叠顺序进行描述。
参照图3和图4，缓冲层101可以布置在基板100上。基板100可以由诸如玻璃材料或塑料材料(诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚酰亚胺)的各种材料形成。当基板100由塑料材料形成时，可以提高显示设备的柔性。由氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx)等形成的缓冲层101可以布置在基板100上，以防止杂质渗透到基板100中。
第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第六薄膜晶体管T6以及存储电容器Cst可以布置在缓冲层101上。第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第六薄膜晶体管T6可以分别包括第一半导体层A1、第二半导体层A2和第六半导体层A6以及第一栅电极G1、第二栅电极G2和第六栅电极G6。
第一栅绝缘层103可以布置在第一半导体层A1、第二半导体层A2和第六半导体层A6与第一栅电极G1、第二栅电极G2和第六栅电极G6之间。第一栅绝缘层103可以由诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氧氮化硅(SiON)的无机绝缘材料形成。
第一半导体层A1、第二半导体层A2和第六半导体层A6可以由多晶硅形成。第一半导体层A1可以包括与第一栅电极G1重叠并且未被杂质掺杂的第一沟道区域以及位于第一沟道区域的两侧上并且被杂质掺杂的第一源区域和第一漏区域。第一源电极S1和第一漏电极D1可以分别连接至第一源区域和第一漏区域。第二半导体层A2可以包括与第二栅电极G2重叠并且未被杂质掺杂的第二沟道区域以及位于第二沟道区域的两侧上并且被杂质掺杂的第二源区域和第二漏区域。第二源电极S2和第二漏电极D2可以分别连接至第二源区域和第二漏区域。第六半导体层A6可以包括与第六栅电极G6重叠并且未被杂质掺杂的第六沟道区域以及位于第六沟道区域的两侧上并且被杂质掺杂的第六源区域和第六漏区域。第六源电极S6和第六漏电极D6可以分别连接至第六源区域和第六漏区域。
第一栅电极G1、第二栅电极G2和第六栅电极G6可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)中的至少一种，并且可以包括单层或多层。根据示例，第一栅电极G1、第二栅电极G2和第六栅电极G6可以包括钼(Mo)层。
如图4中所图示，存储电容器Cst可以布置成与第一薄膜晶体管T1的第一栅电极G1重叠。在这种情况下，存储电容器Cst和第一薄膜晶体管T1的面积可以增加，并且可以提供高质量的图像。例如，第一栅电极G1可以是存储电容器Cst的第一电极CE1。第二电极CE2可以与第一电极CE1重叠，并且第二栅绝缘层105可以布置在第一电极CE1与第二电极CE2之间。第二栅绝缘层105可以由诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氧氮化硅(SiON)的无机绝缘材料形成。
层间绝缘层107可以布置在第一半导体层A1、第二半导体层A2和第六半导体层A6，第一栅电极G1、第二栅电极G2和第六栅电极G6，以及存储电容器Cst上。层间绝缘层107可以由诸如氧氮化硅(SiON)、氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料形成。数据线DL可以布置在层间绝缘层107上，并且数据线DL可以通过穿透层间绝缘层107的接触塞连接至第二薄膜晶体管T2的第二半导体层A2。数据线DL的一部分可以用作第二薄膜晶体管T2的第二源电极S2。此外，第一源电极S1、第二源电极S2和第六源电极S6以及第一漏电极D1、第二漏电极D2和第六漏电极D6可以布置在层间绝缘层107上，并且可以通过穿透层间绝缘层107的接触塞连接至第一半导体层A1、第二半导体层A2和第六半导体层A6。
第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第六薄膜晶体管T6可以分别包括第一半导体层A1、第二半导体层A2和第六半导体层A6，第一栅电极G1、第二栅电极G2和第六栅电极G6，第一源电极S1、第二源电极S2和第六源电极S6，以及第一漏电极D1、第二漏电极D2和第六漏电极D6。第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和第六薄膜晶体管T6以及绝缘层103、105和107可以被统称为包括薄膜晶体管T1、T2和T6的薄膜晶体管层。
根据示例，驱动电压线PL可以与数据线DL布置在不同的层上。在本文中，“A和B布置在不同的层上”可以是指至少一个绝缘层布置在A与B之间，使得A和B中的一个布置在至少一个绝缘层下方，并且A和B中的另一个布置在至少一个绝缘层上方。第一有机绝缘层109可以布置在驱动电压线PL与数据线DL之间，并且驱动电压线PL可以被第二有机绝缘层111覆盖。
驱动电压线PL可以包括单层或多层，该单层或多层包括铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)及其任何合金中的至少一种。根据示例，驱动电压线PL可以包括Ti/Al/Ti的三层。在图4中，驱动电压线PL布置在第一有机绝缘层109上；然而，本公开不限于此。根据另一示例，驱动电压线PL与数据线DL可以形成在同一层上，并且第一有机绝缘层109和第二有机绝缘层111可以形成为单个有机绝缘层。根据另一示例，驱动电压线PL可以包括：在第一有机绝缘层109上的第一驱动电压线，和与数据线DL在同一层上的电连接至第一驱动电压线的第二驱动电压线，并且因此，可以减小驱动电压线PL的电阻。
连接电极110可以布置在第一有机绝缘层109上以将薄膜晶体管(例如，第六薄膜晶体管T6)电连接至像素电极310。连接电极110可以通过穿透第一有机绝缘层109连接至第六漏电极D6。根据另一示例，像素电极310可以通过穿透第一有机绝缘层109和第二有机绝缘层111连接至第六漏电极D6，并且在这种情况下，可以去除连接电极110。
第二有机绝缘层111可以布置在驱动电压线PL和连接电极110上。第二有机绝缘层111可以向像素电极310提供平坦的下表面，并且可以由有机材料形成。例如，有机材料可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其任何共混物。第一有机绝缘层109也可以由类似于第二有机绝缘层111的有机材料形成。根据另一示例，第一有机绝缘层109可以由诸如氧氮化硅(SiON)、氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx)的无机材料形成。
图3的有机绝缘层112可以与第二有机绝缘层111相对应。根据另一示例，当第一有机绝缘层109和第二有机绝缘层111形成为单个有机绝缘层时，该单个有机绝缘层可以与图3的有机绝缘层112相对应。
可以在第二有机绝缘层111中限定中心区域CR、围绕中心区域CR的外围区域ER以及与外围区域ER邻近的连接区域VR。当从水平面(即在垂直方向(z方向)上)观察时，外围区域ER可以直接围绕垂直的中心区域CR，并且当从水平面(即在垂直方向(z方向)上)观察时，连接区域VR可以直接与外围区域ER邻近。像素电极310可以仅布置在第二有机绝缘层111的中心区域CR、外围区域ER和连接区域VR上，并且不布置像素电极310的区域可以被称为基底区域。基底区域可以被限定为不与中心区域CR、外围区域ER和连接区域VR重叠的区域。
作为中间层320的至少一部分的有机发射层可以布置在中心区域CR上，并且中心区域CR可以由暴露像素电极310的中心部分的像素限定层113的开口限定，并且可以与实际上发射光的区域相对应。对于第一像素PX1至第三像素PX3中的每一个，中心区域CR的尺寸可以不同。例如，第三像素PX的中心区域CR的面积可以是最大的，并且第二像素PX的中心区域CR的面积可以是最小的。尽管图3图示了中心区域CR的平面形状是带有圆角的正方形形状，但是这仅是示例，并且中心区域CR可以具有各种平面形状，诸如带有圆角的六边形或八边形的形状以及圆形或椭圆形的形状。
外围区域ER可以被限定为围绕中心区域CR的具有基本上恒定的厚度的区。像素电极310和像素限定层113可以在外围区域ER上彼此重叠。例如，外围区域ER的宽度可以在约1μm与约5μm之间。例如，外围区域ER的宽度可以在约2μm与约4μm之间。像素电极310和像素限定层113也可以在连接区域VR上彼此重叠。连接区域VR与外围区域ER之间的边界可能是不清楚的。连接区域VR可以是从外围区域ER向外延伸的部分，并且可以是在第二有机绝缘层111中形成有通孔vh的区域。
暴露连接电极110的一部分的通孔vh可以形成在第二有机绝缘层111的连接区域VR中。连接电极110可以连接至例如第六薄膜晶体管T6的第六漏电极D6。
如图4中所图示，沟槽tr可以形成在第二有机绝缘层111的外围区域ER中。沟槽tr可以被称为凹部。突出物pr可以是像素电极310的填充沟槽tr的一部分，并且沟槽tr可以形成为与图3的突出物pr相对应的围绕中心区域CR的环形形状。
沟槽tr的深度d1可以等于或小于通孔vh的深度d2。因为通孔vh穿透第二有机绝缘层111，所以通孔vh的深度d2可以基本上等于第二有机绝缘层111的厚度。例如，沟槽tr的深度d1可以是通孔vh的深度d2的约一半。例如，当通孔vh的深度d2(即第二有机绝缘层111的厚度)在约1μm与约2μm之间时，沟槽tr的深度d1可以在约0.5μm与约1μm之间。例如，当通孔vh的深度d2(即第二有机绝缘层111的厚度)是约1.5μm时，沟槽tr的深度d1可以在约0.5μm与约1μm之间。具有小于通孔vh的深度d2的深度d1的沟槽tr可以例如在通过使用半色调掩模或缝隙掩模形成通孔vh时一起形成。
沟槽tr的宽度w1可以小于通孔vh的宽度w2。沟槽tr的宽度w1可以是约2μm或更小。例如，沟槽tr的宽度w1可以在约0.4μm与约1.6μm之间。宽度w1可以取决于沟槽tr的布置而变化。例如，当如图6b和图6c中所图示的多个沟槽形成在外围区域ER中时，各个沟槽的宽度可以彼此不同。如图3中所图示，当一个环形形状的沟槽tr布置在外围区域ER中时，可以沿着外围区域ER的中心线布置沟槽tr。
有机发光装置300可以布置在第二有机绝缘层111上，并且有机发光装置300可以包括像素电极310、相对电极330以及在像素电极310与相对电极330之间的包括有机发射层的中间层320。像素限定层113可以布置在像素电极310上。像素限定层113可以具有暴露像素电极310的中心区域CR的开口。像素限定层113可以防止在像素电极310的边缘与相对电极330之间出现电弧。例如，像素限定层113可以由诸如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料形成。
如在第二有机绝缘层111中一样，也可以在像素电极310中限定中心区域CR、外围区域ER和连接区域VR。在像素电极310上限定的中心区域CR、外围区域ER和连接区域VR可以分别基本上等于在第二有机绝缘层111上限定的中心区域CR、外围区域ER和连接区域VR。像素限定层113的开口可以限定像素电极310的中心区域CR。即，中心区域CR可以被限定为像素电极310的不与像素限定层113重叠的部分区域。
像素电极310可以直接布置在第二有机绝缘层111上。根据另一示例，诸如薄的无机绝缘层的层可以布置在像素电极310与第二有机绝缘层111之间，但是，可以对应于第二有机绝缘层111的上表面的形状来确定像素电极310的下表面的形状。像素电极310可以包括与第二有机绝缘层111的沟槽tr相对应的突出物pr和与第二有机绝缘层111的通孔vh相对应的通孔塞vp。突出物pr可以是像素电极310的至少部分地填充第二有机绝缘层111的沟槽tr的一部分，并且通孔塞vp可以是像素电极310的至少部分地填充第二有机绝缘层111的通孔vh的一部分。因为像素电极310形成为具有基本上恒定的厚度，所以与突出物pr和通孔塞vp相对应的上表面可以是如图4中所图示的凹形的。
突出物pr的突出高度可以基本上等于沟槽tr的深度d1，并且通孔塞vp的突出高度也可以基本上等于通孔vh的深度d2。突出物pr的突出高度可以等于或小于通孔塞vp的突出高度。例如，突出物pr的突出高度可以是通孔塞vp的突出高度的约一半。
中间层320可以包括低分子量材料或高分子量材料。当中间层320包括低分子量材料时，中间层320可以包括其中空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)等以单个或复合结构堆叠的结构，并且可以包括诸如铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)的各种有机材料。这些层可以通过真空沉积形成。
当中间层320包括高分子量材料时，中间层320通常可以具有包括空穴传输层(HTL)和发射层(EML)的结构。在这种情况下，空穴传输层可以包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)，并且发射层可以包括诸如聚苯撑乙烯撑(PPV)和聚芴的高分子量材料。中间层320的结构不限于此，并且其可以具有各种结构。例如，中间层320可以包括在所有像素电极310上方的整体层，或者可以包括在像素电极310的中心区域CR上与像素电极310中的每一个相对应的图案化层。例如，发射层可以布置成覆盖由像素限定层113暴露的像素电极310的中心区域CR。
相对电极330可以布置在显示区DA上，并且可以布置成覆盖显示区DA。即，相对电极330可以整体形成以用作所有有机发光装置300的阴极。
有机发光装置300可能容易被来自外部的湿气或氧损坏，并且因此可以通过用薄膜封装层400覆盖而得到保护。薄膜封装层400可以覆盖显示区DA并且延伸至显示区DA的外部。薄膜封装层400可以包括至少一个有机层和至少一个无机层。例如，薄膜封装层400可以包括第一无机层410、有机层420和第二无机层430。
第一无机层410可以覆盖相对电极330，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或三氧氮化硅。尽管未图示，但是必要时可以在第一无机层410与相对电极330之间布置诸如封盖层的其他层。有机层420可以覆盖第一无机层410，并且可以具有与第一无机层410不同的平坦的上表面。具体地，有机层420的上表面在显示区DA中可以是基本上平坦的。有机层420可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷中的至少一种。第二无机层430可以覆盖有机层420，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或三氧氮化硅。
即使当在薄膜封装层400中出现通过以上多层结构的裂纹时，这种裂纹也不会在第一无机层410与有机层420之间或有机层420与第二无机层430之间连接。因此，可以防止或最小化来自外部的湿气或氧通过其渗透到显示区DA中的路径的形成。
根据实施方式，黑矩阵BM和滤色器CF可以布置在薄膜封装层400上。黑矩阵BM可以吸收或阻挡从外部输入的光，并且滤色器CF可以取决于光的波长或颜色选择性地透射从中间层320发射的光。
黑矩阵BM可以至少部分地与像素电极310的通孔塞vp重叠。黑矩阵BM可以与连接区域VR重叠。黑矩阵BM可以具有暴露中心区域CR的开口，并且从有机发光装置300发射的光可以通过开口输出到外部。开口可以由滤色器CF填充。
黑矩阵BM可以包括各种材料，诸如与黑色颜料混合的有机材料、铬(Cr)或氧化铬(CrOx)。当黑矩阵BM由铬或氧化铬形成时，黑矩阵BM可以包括铬或氧化铬的单层或多层。
当黑矩阵BM布置在薄膜封装层400上时，即使没有厚度为约100μm的偏振层，也可以充分防止外部光的反射，并且因此，可以提高薄膜封装层400的柔性。此外，因为黑矩阵BM具有比偏振层更高的透射率，所以可以提高薄膜封装层400的对比度和光效率。
滤色器CF可以与中心区域CR重叠。滤色器CF可以与中心区域CR和外围区域ER基本上重叠。滤色器CF可以布置成填充黑矩阵BM的开口。滤色器CF可以包括着色材料和其中分散着色材料的有机材料，其中，着色材料可以包括通常的颜料或染料，并且有机材料可以包括通常的分散剂。
当从有机发光装置300发射白色光时，滤色器CF可以选择性地仅透射诸如红色光、绿色光或蓝色光的特定波长的光，并吸收其他波长的光。使得每个像素可以发射红色光、绿色光和蓝色光中的一种光。当从有机发光装置300发射具有某一颜色的可见光(例如，红色可见光、绿色可见光和蓝色可见光)时，滤色器CF可以提高可见光的光学特性。
对应于通孔塞vp形成的像素电极310的上表面的凹形的部分可以反射通过滤色器CF入射的外部光。凹形的上表面可以在基本上入射的方向上反射外部光，并且通过滤色器CF将外部光发射到外部。而且，对应于通孔塞vp形成的像素电极310的上表面的凹形的部分可以在相反方向上反射从有机发射层发射的光，并且通过滤色器CF将从有机发射层发射的光发射到外部。
如图3中所图示，当在垂直方向上观察时，通孔塞vp可以位于第二像素PX2中的像素电极310的左上方处。在第一像素PX1和第三像素PX3中，当在垂直方向上观察时，通孔塞vp可以位于像素电极310的左下方处。在第二像素PX2的情况下，当在垂直方向上观察时，从与通孔塞vp相对应的凹形的上表面反射的光可以被发射到右下方，并且在第一像素PX1和第三像素PX3的情况下，当在垂直方向上观察时，从与通孔塞vp相对应的凹形的上表面反射的光可以被发射到右上方。因此，由第二像素PX2发射的第二颜色(例如，绿色)的光的量可以在显示设备的右下方增加，并且由第一像素PX1和第三像素PX3发射的第一颜色和第三颜色(例如，红色和蓝色)的光的量可以在显示设备的右上方增加。在显示设备的右下方可能出现第二颜色(例如，绿色)的带，并且在显示设备的右上方可能出现作为第一颜色(例如，红色)和第三颜色(例如，蓝色)的混合的颜色(例如，紫色)的带。
与突出物pr相对应的凹形的部分也可以形成在像素电极310的上表面上。在像素电极310的上表面上与突出物pr相对应形成的凹形的部分也可以围绕中心区域CR。与突出物pr相对应的凹形的上表面也可以反射外部光或反射从有机发射层发射的光，并且可以通过滤色器CF将从与突出物pr相对应的凹形的上表面反射的光发射到外部。如图3中所图示，因为突出物pr布置成围绕中心区域CR，所以与突出物pr相对应的凹形的上表面也可以围绕中心区域CR。因此，与通孔塞vp相对应的凹形的上表面可以在特定方向上反射光，但是与突出物pr相对应的凹形的上表面可以在所有水平方向上反射光。因此，从与突出物pr相对应的凹形的上表面反射的光可以降低从与通孔塞vp相对应的凹形的上表面反射的光在从像素电极310反射的全部光中的比率，并且可以减少显示设备周围出现的色带，并且用户可能不会识别出减少的色带。
图5是根据另一实施方式的显示设备的像素电极的一部分的放大示意性平面图。
参照图5，可以在像素电极310a中限定未被像素限定层113覆盖的中心区域CR、围绕中心区域CR的外围区域ER以及与外围区域ER邻近的并且其中布置有电连接至薄膜晶体管的通孔塞vp的连接区域VR。可以在外围区域ER中布置朝向基板突出的突出物，并且可以在外围区域ER中在突出物下方的有机绝缘层中布置与突出物相对应的凹部。
如图5中所图示，像素电极310a可以包括具有围绕中心区域CR的环形形状的第一突出物pr1和具有围绕第一突出物pr1的环形形状的第二突出物pr2。第一突出物pr1和第二突出物pr2的宽度可以彼此相等。可以在像素电极310a的上表面上布置与第一突出物pr1和第二突出物pr2相对应的更多凹形的部分。因为从与第一突出物pr1和第二突出物pr2相对应的凹形的上表面在所有方向上反射的光的量变得大于从与通孔塞vp相对应的凹形的上表面在特定方向上反射的光的量，所以色带的出现可以进一步减少。
图6a至图6c是根据其他实施方式的显示设备的像素电极的一部分的放大示意性平面图。
参照图6a，可以在像素电极310b中限定未被像素限定层113覆盖的中心区域CR、围绕中心区域CR的外围区域ER以及与外围区域ER邻近的并且其中布置有电连接至薄膜晶体管的通孔塞vp的连接区域VR。可以在外围区域ER中布置朝向基板突出的突出物，并且可以在外围区域ER中在突出物下方的有机绝缘层中布置与突出物相对应的凹部。
如图6a中所图示，像素电极310b可以包括具有围绕中心区域CR的环形形状的第一突出物pr1、具有围绕第一突出物pr1的环形形状的第二突出物pr2和具有围绕第二突出物pr2的环形形状的第三突出物pr3。第一突出物pr1至第三突出物pr3的宽度可以彼此相等。可以在像素电极310b的上表面上布置与第一突出物pr1至第三突出物pr3相对应的更多凹形的部分。因为从与第一突出物pr1至第三突出物pr3相对应的凹形的上表面在所有方向上反射的光的量变得大于从与通孔塞vp相对应的凹形的上表面在特定方向上反射的光的量，所以色带的出现可以进一步减少。
参照图6b，像素电极310c的第一突出物pr1至第三突出物pr3的宽度可以彼此不同。例如，最靠近中心区域CR的第一突出物pr1的宽度可以最小，并且最远离中心区域CR的第三突出物pr3的宽度可以最大。这样，因为突出物pr1至pr3的宽度朝向中心区域CR减小，所以从靠近中心区域CR的凹形的上表面反射的光的量可以相对减少。
参照图6c，像素电极310d的第一突出物pr1至第三突出物pr3的宽度可以彼此不同。例如，最远离中心区域CR的第三突出物pr3的宽度可以最小，并且最靠近中心区域CR的第一突出物pr1的宽度可以最大。这样，因为突出物pr1至pr3的宽度远离中心区域CR减小，所以从靠近中心区域CR的凹形的上表面反射的光的量可以相对增加。
图7是根据另一实施方式的显示设备的多个像素电极的一部分的放大示意性平面图。
参照图7，可以在像素电极310R、310G和310B中限定未被像素限定层113覆盖的中心区域CR、围绕中心区域CR的外围区域ER以及与外围区域ER邻近的并且其中布置有电连接至薄膜晶体管的通孔塞vp的连接区域VR。可以在外围区域ER中布置朝向基板突出的突出物，并且可以在外围区域ER中在突出物下方的有机绝缘层中布置与突出物相对应的凹部。
如图7中所图示，第一像素PX1的像素电极310R和第三像素PX3的像素电极310B可以在外围区域ER中包括具有围绕中心区域CR的环形形状的突出物pr。如图7中所图示，第二像素PX2的像素电极310B可以在外围区域ER中包括具有围绕中心区域CR的环形形状的两个突出物pr1和pr2。因为第二像素PX2的外围区域ER比第一像素PX1或第三像素PX3的外围区域ER更窄，所以通过在第二像素PX2的外围区域ER中布置更多数量的突出物pr1和pr2，可以减小在像素PX1、PX2和PX3中的每一个的外围区域ER中反射的光的量的变化。
尽管图7图示了像素电极310R和像素电极310B各自包括一个环形形状的突出物pr，并且像素电极310G包括两个环形形状的突出物pr1和pr2，但是这仅是示例，并且环形形状的突出物的数量可以变化。
图8至图10是根据其他实施方式的显示设备的像素电极的一部分的放大示意性平面图。
参照图8，可以在像素电极310e中限定未被像素限定层113覆盖的中心区域CR、围绕中心区域CR的外围区域ER以及与外围区域ER邻近的并且其中布置有电连接至薄膜晶体管的通孔塞vp的连接区域VR。可以在外围区域ER中布置朝向基板突出的突出物，并且可以在外围区域ER中在突出物下方的有机绝缘层中布置与突出物相对应的凹部。
如图8中所图示，像素电极310e可以包括布置在外围区域ER中的线型突出物lpr。如图8中所图示，线型突出物lpr可以彼此间隔开并且可以布置成基本上围绕中心区域CR。然而，本公开不限于这种布置方式，并且线型突出物lpr可以以各种布置方式布置在外围区域ER上。
参照图9，如图9中所图示，像素电极310f可以包括布置在外围区域ER中的点型突出物ppr。如图9中所图示，点型突出物ppr可以彼此间隔开并且可以布置成基本上围绕中心区域CR。然而，本公开不限于这种布置方式，并且点型突出物ppr可以以各种布置方式布置在外围区域ER上。
参照图10，如图10中所图示，像素电极310g可以包括布置在外围区域ER中的四个线型突出物lpr。如图10中所图示，四个线型突出物lpr可以布置在外围区域ER的线性区段中。然而，本公开不限于这种布置方式，并且线型突出物lpr可以以各种布置方式布置在外围区域ER上。
图11是根据其他实施方式的显示设备的像素电极的一部分的放大示意性平面图。
参照图11，可以在像素电极310h中限定未被像素限定层113覆盖的中心区域CR、围绕中心区域CR的外围区域ER以及与外围区域ER邻近的并且其中布置有电连接至薄膜晶体管的通孔塞vp的连接区域VR。可以在外围区域ER中布置朝向基板突出的突出物，并且可以在外围区域ER中在突出物下方的有机绝缘层中布置与突出物相对应的凹部。
如图11中所图示，像素电极310h可以包括布置在外围区域ER中的弧型突出物apr。如图11中所图示，弧型突出物apr可以部分地围绕中心区域CR。如图11中所图示，除了朝向通孔塞vp的方向之外，弧型突出物apr可以部分地围绕中心区域CR。弧型突出物apr可以不布置在通孔塞vp与中心区域CR的中心之间。
与通孔塞vp相对应的凹形的上表面可以在特定方向上反射光，然而，弧型突出物apr可以不布置在朝向通孔塞vp的方向上，并且因此与弧型突出物apr相对应的凹形的上表面可以不在特定方向上反射光。因此，从像素电极310h的外围区域ER和连接区域VR的上表面反射的光的方向可以始终是均匀的。
图12是根据另一实施方式的显示设备的多个像素电极的一部分的放大示意性平面图。
参照图12，可以在像素电极310Ra、310Ga和310Ba中限定未被像素限定层113覆盖的中心区域CR、围绕中心区域CR的外围区域ER以及与外围区域ER邻近的并且其中布置有电连接至薄膜晶体管的通孔塞vp的连接区域VR。可以在外围区域ER中布置朝向基板突出的突出物，并且可以在外围区域ER中在突出物下方的有机绝缘层中布置与突出物相对应的凹部。
在第二像素PX2的像素电极310Ga中，当在垂直方向上观察时，通孔塞vp可以位于像素电极310Ga的左上方处。在第一像素PX1的像素电极310Ra和第三像素PX3的像素电极310Ba中，当在垂直方向上观察时，通孔塞vp可以位于像素电极310Ra和像素电极310Ba的左下方处。在第二像素PX2的情况下，当在垂直方向上观察时，从与通孔塞vp相对应的凹形的上表面反射的光可以被发射到右下方，并且在第一像素PX1和第三像素PX3的情况下，当在垂直方向上观察时，从与通孔塞vp相对应的凹形的上表面反射的光可以被发射到右上方。因此，由第二像素PX2发射的第二颜色(例如，绿色)的光的量可以在显示设备的右下方增加，并且由第一像素PX1和第三像素PX3发射的第一颜色和第三颜色(例如，红色和蓝色)的光的量可以在显示设备的右上方增加。在显示设备的右下方可能出现第二颜色(例如，绿色)的带，并且在显示设备的右上方可能出现作为第一颜色(例如，红色)和第三颜色(例如，蓝色)的混合的颜色(例如，紫色)的带。
如图12中所图示，第一像素PX1的像素电极310Ra和第三像素PX3的像素电极310Ba可以包括位于中心区域CR的左上方的外围区域ER中的突出物pr。突出物pr相对于第一像素PX1中的像素电极310Ra和第三像素PX3中的像素电极310Ba的中心区域CR的中心的定位方向(图12中的左上方方向)可以基本上等于通孔塞vp相对于第二像素PX2中的像素电极310Ga的中心区域CR的中心的定位方向(图12中的左上方方向)。可以在像素电极310Ra和像素电极310Ba的上表面的左上方处形成与第一像素PX1和第三像素PX3的突出物pr相对应的凹形的部分。因为从左上方的凹形的部分反射的第一颜色和第三颜色的光在右下方方向上发射，所以可以抵消从与第二像素PX2中的通孔塞vp相对应的凹形的上表面在右下方方向上反射的第二颜色的光。
如图12中所图示，第二像素PX2的像素电极310Ga可以包括位于中心区域CR的左下方的外围区域ER中的突出物pr。突出物pr相对于第二像素PX2中的像素电极310Ga的中心区域CR的中心的定位方向(图12中的左下方方向)可以与通孔塞vp相对于第一像素PX1中的像素电极310Ra和第三像素PX3中的像素电极310Ba的中心区域CR的中心的定位方向(图12中的左下方方向)基本上相同。可以在像素电极310Ga的上表面的左下方部分处形成与第二像素PX2的突出物pr相对应的凹形的部分。因为从左下方的凹形的部分反射的第二颜色的光在右上方方向上发射，所以可以抵消从与第一像素PX1和第三像素PX3中的通孔塞vp相对应的凹形的上表面在右下方方向上反射的第一颜色和第三颜色的光。因此，可以减少显示设备周围出现的色带。
尽管以上已经参考附图中图示的实施方式描述了本公开，但是这仅是示例，并且本领域普通技术人员将理解，可以在其中进行各种修改。因此，本公开的精神和范围应由所附权利要求书限定。

Claims (20)

1.一种显示设备，包括：
基板；
在所述基板上的薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管上的有机绝缘层；
布置在所述有机绝缘层上的，其中限定中心区域、围绕所述中心区域的外围区域和与所述外围区域邻近的连接区域的像素电极，所述像素电极包括：布置在所述外围区域中并且朝向所述基板突出的突出物，和布置在所述连接区域中并且电连接至所述薄膜晶体管的通孔塞；以及
暴露所述像素电极的所述中心区域的像素限定层。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述突出物的突出高度等于或小于所述通孔塞的突出高度。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述像素电极的与所述突出物相对应的上表面是凹形的。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述有机绝缘层包括被所述通孔塞穿透的通孔和填充有所述突出物的沟槽。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述突出物具有围绕所述中心区域的环形形状。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述突出物包括：具有围绕所述中心区域的环形形状的第一突出物，和具有围绕所述第一突出物的环形形状的第二突出物。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述突出物进一步包括具有围绕所述第二突出物的环形形状的第三突出物，并且
所述第二突出物的宽度在所述第一突出物的宽度与所述第三突出物的宽度之间。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述突出物包括布置在所述外围区域中彼此间隔开的多个突出物。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述突出物具有部分地围绕所述中心区域的弧形形状，并且
具有所述弧形形状的所述突出物不布置在所述通孔塞与所述中心区域的中心之间。
10.根据权利要求1所述的显示设备，包括：
薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括所述薄膜晶体管并被所述有机绝缘层覆盖；
第一像素电极，在所述第一像素电极中限定中心区域、围绕所述中心区域的外围区域和与所述外围区域邻近的连接区域，并且所述第一像素电极包括布置在所述外围区域中并且朝向所述基板突出的第一突出物，和布置在所述连接区域中并且延伸至所述薄膜晶体管层的第一通孔塞；以及
第二像素电极，在所述第二像素电极中限定中心区域、围绕所述中心区域的外围区域和与所述外围区域邻近的连接区域，并且所述第二像素电极包括布置在所述外围区域中并且朝向所述基板突出的第二突出物，和布置在所述连接区域中并且延伸至所述薄膜晶体管层的第二通孔塞，
其中，所述第一突出物相对于所述第一像素电极的所述中心区域的中心的定位方向与所述第二通孔塞相对于所述第二像素电极的所述中心区域的中心的定位方向基本上相同，并且
所述第二突出物相对于所述第二像素电极的所述中心区域的中心的定位方向与所述第一通孔塞相对于所述第一像素电极的所述中心区域的中心的定位方向基本上相同。
11.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：
在所述像素电极的所述中心区域上的有机发射层；和
在所述有机发射层和所述像素限定层上的相对电极。
12.根据权利要求11所述的显示设备，进一步包括：
在所述相对电极上的薄膜封装层；
在所述薄膜封装层上至少部分地与所述通孔塞重叠的黑矩阵；以及
在所述薄膜封装层上与所述中心区域重叠的滤色器层。
13.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述有机绝缘层包括第一有机绝缘层和位于所述第一有机绝缘层上并且被所述通孔塞穿透的所述第二有机绝缘层，并且
所述通孔塞通过在所述第一有机绝缘层与所述第二有机绝缘层之间的连接电极电连接至所述薄膜晶体管。
14.一种显示设备，包括：
基板；
在所述基板上的薄膜晶体管；
覆盖所述薄膜晶体管的，其中限定中心区域、围绕所述中心区域的外围区域和与所述外围区域邻近的连接区域的有机绝缘层，并且，所述有机绝缘层包括：布置在所述外围区域中的凹部，和布置在所述连接区域中并且暴露电连接至所述薄膜晶体管的电极的一部分的通孔；
布置在所述有机绝缘层的所述中心区域、所述外围区域和所述连接区域上的像素电极；以及
暴露所述像素电极的与所述中心区域相对应的中心部分的像素限定层。
15.根据权利要求14所述的显示设备，其中，所述像素电极包括：填充所述凹部的突出物，和填充所述通孔并且电连接至所述薄膜晶体管的通孔塞。
16.根据权利要求14所述的显示设备，其中，在所述有机绝缘层中限定不与所述中心区域、所述外围区域和所述连接区域重叠的基底区域，并且
所述像素电极不与所述基底区域重叠。
17.根据权利要求14所述的显示设备，其中，所述凹部包括具有围绕所述中心区域的环形形状的至少一个沟槽。
18.根据权利要求14所述的显示设备，其中，所述凹部包括具有部分地围绕所述中心区域的弧形形状的至少一个沟槽。
19.根据权利要求14所述的显示设备，其中，所述凹部的深度小于所述通孔的深度。
20.根据权利要求14所述的显示设备，进一步包括：
在所述像素电极的所述中心区域上的有机发射层；
在所述有机发射层和所述像素限定层上的相对电极；
在所述相对电极上的薄膜封装层；
在所述薄膜封装层上至少部分地与所述通孔塞重叠的黑矩阵；以及
在所述薄膜封装层上与所述中心区域重叠的滤色器层。
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