CN220402276U - 显示设备 - Google Patents

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郭源奎
金起旭
黄度渊
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Abstract

一种显示设备包括:第一像素电极和第二像素电极,在基底上,并且在平面图中所述第一像素电极和所述第二像素电极彼此间隔开;像素限定层,具有暴露所述第一像素电极的中心部分的第一开口以及暴露所述第二像素电极的中心部分的第二开口;分隔物,在所述像素限定层上方,并且在所述平面图中所述分隔物在所述第一开口与所述第二开口之间;连接电极,在所述像素限定层与所述分隔物之间;第一对电极,在所述第一像素电极上并且电连接到所述连接电极;以及第二对电极,在所述第二像素电极上并且在所述平面图中所述第二对电极与所述第一对电极间隔开,并且所述第二对电极电连接到所述连接电极。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年6月24日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0077807号韩国专利申请的优先权和权益,所述韩国专利申请的整个公开内容通过引用并入于本文中。
技术领域
一个或多个实施例的各方面涉及一种显示设备。
背景技术
显示设备的一些层(例如,像素电极与对电极之间的中间层)可以公共地提供于多个显示元件中。因此,当电流被供应到一个显示元件时,可能通过公共地提供于显示元件中的层将电流供应到其它相邻的显示元件,并且因此,显示设备的色纯度可能劣化。为了解决这个问题,显示设备可以包括分隔物等。
在本背景技术部分中所公开的上述信息仅用于增强对背景技术的理解并且因此在本背景技术中所讨论的信息不一定构成现有技术。
实用新型内容
一个或多个实施例的各方面涉及一种显示设备,并且例如,涉及可以减小漏电流并有效地将电信号传送到多个对电极的显示设备。
在根据相关技术的显示设备中,在将电信号传送到多个对电极的过程中,电信号可能无法有效地传送到对电极。
根据一些实施例的显示设备可以减小漏电流并且还可以有效地将电信号传送到多个对电极。然而,这样的特性仅是根据一些实施例的一些特性的示例,并且根据本公开的实施例的范围不因此受到局限。
附加方面将在接下来的描述中部分地阐述,并且部分地从所述描述将是显而易见的,或者可以通过本公开的所呈现的实施例的实践来获知。
根据本公开的一些实施例,一种显示设备包括:第一像素电极和第二像素电极,在基底上,并且在平面图中所述第一像素电极和所述第二像素电极彼此间隔开;像素限定层,具有暴露所述第一像素电极的中心部分的第一开口以及暴露所述第二像素电极的中心部分的第二开口;分隔物,在所述像素限定层上方,并且在所述平面图中所述分隔物在所述第一开口与所述第二开口之间;连接电极,在所述像素限定层与所述分隔物之间;第一对电极,在所述第一像素电极上并且电连接到所述连接电极;以及第二对电极,在所述第二像素电极上并且在所述平面图中所述第二对电极与所述第一对电极间隔开,并且所述第二对电极电连接到所述连接电极。
根据一些实施例,所述显示设备还可以包括:第一中间层,在所述第一像素电极上;和第二中间层,在所述第二像素电极上,并且在所述平面图中所述第二中间层与所述第一中间层间隔开;其中,所述第一对电极在所述第一中间层上;并且其中,所述第二对电极在所述第二中间层上。
根据一些实施例,在所述平面图中,所述第一对电极的与所述连接电极重叠的部分的宽度可以大于所述第一中间层的与所述连接电极重叠的部分的宽度,并且所述第二对电极的与所述连接电极重叠的部分的宽度可以大于所述第二中间层的与所述连接电极重叠的部分的宽度。
根据一些实施例,所述连接电极可以与所述第一对电极和所述第二对电极接触。
根据一些实施例,所述显示设备可以进一步包括:剩余对电极,在所述分隔物上;和剩余中间层,在所述分隔物与所述剩余对电极之间。
根据一些实施例,在所述平面图中,所述分隔物可以围绕所述第一开口和所述第二开口,并且所述连接电极可以围绕所述第一开口和所述第二开口。
根据一些实施例,所述分隔物的侧表面可以包括倒锥形倾斜表面。
根据一些实施例,所述显示设备可以进一步包括在所述分隔物上的剩余对电极,其中,所述剩余对电极可以不覆盖所述分隔物的所述侧表面;并且其中,在所述平面图中,所述剩余对电极可以与所述第一对电极和所述第二对电极间隔开,并且剩余对电极可以不电连接到所述第一对电极和所述第二对电极。
根据一些实施例,所述显示设备可以进一步包括在所述分隔物与所述剩余对电极之间的剩余中间层,其中,所述剩余中间层可以不覆盖所述分隔物的所述侧表面。
根据一些实施例,在所述平面图中,所述剩余中间层可以与所述第一中间层和所述第二中间层间隔开,并且所述剩余中间层可以不电连接到所述第一中间层和所述第二中间层。
根据本公开的一些实施例,一种显示设备包括:第一像素电极和第二像素电极,在基底上,并且在平面图中第一像素电极和第二像素电极彼此间隔开;像素限定层,具有暴露第一像素电极的中心部分的第一开口以及暴露第二像素电极的中心部分的第二开口;分隔物,在像素限定层上方,并且当从垂直于基底的方向看时(例如,在平面图中),分隔物在第一开口与第二开口之间;连接电极,介于像素限定层与分隔物之间;第一中间层,在第一像素电极上;第二中间层,在第二像素电极上,并且在平面图中第二中间层与第一中间层间隔开;第一对电极,在第一中间层上并且电连接到连接电极;以及第二对电极,在第二中间层上,在平面图中第二对电极与第一对电极间隔开,并且第二对电极电连接到连接电极。
根据一些实施例,当从垂直于基底的方向看时(例如,在平面图中),第一对电极的与连接电极重叠的部分的宽度可以大于第一中间层的与连接电极重叠的部分的宽度。
根据一些实施例,连接电极可以与第一对电极接触。
根据一些实施例,当从垂直于基底的方向看时(例如,在平面图中),第二对电极的与连接电极重叠的部分的宽度可以大于第二中间层的与连接电极重叠的部分的宽度。
根据一些实施例,连接电极可以与第二对电极接触。
根据一些实施例,显示设备可以进一步包括在分隔物上的剩余对电极。
根据一些实施例,第一对电极、第二对电极和剩余对电极可以包括相同的材料。
根据一些实施例,显示设备可以进一步包括介于分隔物与剩余对电极之间的剩余中间层。
根据一些实施例,第一中间层、第二中间层和剩余中间层可以包括相同的材料。
根据一些实施例,连接电极可以与第一像素电极和第二像素电极包括不同的材料。
根据一些实施例,连接电极可以包括比包含在第一像素电极和第二像素电极中的材料具有低的电阻的材料。
根据一些实施例,当从垂直于基底的方向看时(例如,在平面图中),分隔物围绕第一开口和第二开口。
根据一些实施例,当从垂直于基底的方向看时(例如,在平面图中),连接电极可以围绕第一开口和第二开口。
根据一些实施例,分隔物的侧表面可以包括倒锥形倾斜表面。
根据一些实施例,显示设备可以进一步包括在分隔物上的剩余对电极,并且剩余对电极可以不覆盖分隔物的侧表面。
根据一些实施例,在所述平面图中,剩余对电极可以与第一对电极和第二对电极间隔开。
根据一些实施例,剩余对电极可以不电连接到第一对电极和第二对电极。
根据一些实施例,显示设备可以进一步包括介于分隔物与剩余对电极之间的剩余中间层,并且剩余中间层可以不覆盖分隔物的侧表面。
根据一些实施例,在所述平面图中,剩余中间层可以与第一中间层和第二中间层间隔开。
根据一些实施例,剩余中间层可以不电连接到第一中间层和第二中间层。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述,本公开的某些实施例的上述及其它方面、特征和特性将更加明显,在附图中:
图1是根据一些实施例的显示设备的部分的示意性平面图;
图2是图1的显示设备的一个像素的等效电路图;
图3是图1的显示设备的区A的示意性放大平面图;
图4是图1的显示设备的沿着图3的线I-I’所截取的示意性截面图;
图5A是图4的显示设备的区B的示意性放大截面图;
图5B是图4的显示设备的区C的示意性放大截面图;
图5C是图4的显示设备的区D的示意性放大截面图;
图5D是图4的显示设备的区E的示意性放大截面图;以及
图6是图4的显示设备的区F的示意性放大截面图。
具体实施方式
现在将更详细地参考在附图中示出的一些实施例的各方面,其中相同的附图标记始终是指相同的元件。在这方面,本实施例可以具有不同的形式并且不应被解释为局限于本文中所阐述的描述。因此,以下仅通过参考附图来描述实施例以解释本描述的一些实施例的各方面。
可以对本实施例应用各种修改,并且特定实施例将在附图中示出并在详细描述部分中描述。参考以下结合附图的详细描述,根据本公开的实施例的特性及实现其的方法将更清楚。然而,本实施例可以以各种形式实施,而不局限于以下呈现的实施例。
在下文中,将参考附图对一些实施例的各方面进行更详细地描述,并且在参考附图的描述中,相同的或相应的组成部分由相同的附图标记指示并且省略对其的冗余描述。
在以下实施例中,将理解的是当层、区或组件被称为“形成于”另一层、区或组件“上”时,它可以直接或间接地形成于其它层、区或组件上。也就是说,例如,可以存在居间层、区或组件。为了便于解释,附图中的组件的尺寸可能被夸大。例如,因为附图中的组件的尺寸和厚度是为了便于解释而任意示出的,因此以下实施例不局限于此。
在以下实施例中,x轴方向、y轴方向和z轴方向不局限于直角坐标系的三个轴,并且可以在广义上解释。例如,x轴方向、y轴方向和z轴方向可以彼此垂直,或者可以表示彼此不垂直的不同的方向。
在以下实施例中,将理解的是尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文中用于描述各种组件,但这些组件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开来。
在以下实施例中,除非上下文中另外明确规定,否则说明书中的单数的表述包括复数的表述。
在以下实施例中,将进一步理解的是本文中所使用的术语“包括”和/或“包含”规定了所陈述的特征或组件的存在,但不排除一个或多个其它特征或组件的存在或增加。
在本说明书中,诸如“A和/或B”的表述可以包括A、B、或A和B。此外,诸如“A和B中的至少一个”的表述可以包括A、B、或A和B。
图1是根据一些实施例的显示设备1的部分的示意性平面图。如图1中所示,显示设备1可以包括其中布置多个像素PX的显示区域DA以及位于显示区域DA外部的外围区域PA。例如,外围区域PA可以完全围绕显示区域DA。这可以理解为显示设备1的基底100(见图4)包括显示区域DA和外围区域PA。
显示设备1的多个像素PX中的每一个是其中发射特定颜色的光的区域,并且显示设备1可以通过使用从像素PX发射的光来提供图像。例如,多个像素PX中的每一个可以发射红色光、绿色光或蓝色光。
如图1中所示,显示区域DA可以具有包括矩形的多边形形状。例如,显示区域DA可以具有其中水平长度比竖直长度长的矩形形状、其中水平长度比竖直长度短的矩形形状、或者正方形形状。可替代地,显示区域DA可以具有诸如椭圆形或圆形的各种形状。
外围区域PA可以是其中没有布置像素PX的非显示区域。用于向像素PX供应电信号或电力的驱动器等可以布置在外围区域PA中。各种电子元件或印刷电路板等可以电连接到的焊盘可以布置在外围区域PA中。焊盘在外围区域PA中彼此间隔开,并且可以电连接到印刷电路板或集成电路装置。
图2是图1的显示设备1的一个像素PX的等效电路图。如图2中所示,一个像素PX可以包括像素电路PC以及电连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。
像素电路PC可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2以及存储电容器Cst。作为开关晶体管的第二晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL,并且响应于从扫描线SL输入的开关信号而导通以将从数据线DL输入的数据信号传送到第一晶体管T1。存储电容器Cst的一端电连接到第二晶体管T2并且存储电容器Cst的另一端电连接到驱动电压线PL,并且存储电容器Cst可以存储与从第二晶体管T2所接收到的电压和通过驱动电压线PL所供应的驱动电力电压ELVDD之间的差相对应的电压。
作为驱动晶体管的第一晶体管T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst,并且可以控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED并且与存储在存储电容器Cst中的电压值相对应的驱动电流的大小。有机发光二极管OLED可以响应于驱动电流而发射具有特定亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极可以接收电极电力电压ELVSS。
尽管图2示出了像素电路PC包括两个晶体管和一个存储电容器,但是本公开不局限于此。例如,晶体管或存储电容器的数量可以取决于像素电路PC的设计而不同地变化。
图3是图1的显示设备1的区A的示意性放大平面图。为了便于解释,图3是从像素限定层215上方观察的平面图。然而,为了便于解释,布置在像素限定层215上的连接电极CNE和分隔物SP被一起示出。
如图3中所示,像素PX(见图1)可以布置在基底100(见图4)的显示区域DA(见图1)中。多个像素PX中的每一个表示子像素,并且可以包括诸如有机发光二极管OLED(见图2)的显示元件。多个像素PX中的每一个可以发射例如绿色光、红色光或蓝色光。例如,多个像素PX中的每一个可以是用于发射绿色光的第一像素PX1、用于发射红色光的第二像素PX2或者用于发射蓝色光的第三像素PX3。绿色光可以是495nm至580nm的波段中的光,并且红色光可以是580nm至780nm的波段中的光,并且蓝色光可以是400nm至495nm的波段中的光。
第一像素PX1的第一像素电极210-1、第二像素PX2的第二像素电极210-2以及第三像素PX3的第三像素电极210-3可以布置在显示区域DA中。例如,第一像素电极210-1、第二像素电极210-2以及第三像素电极210-3可以在平面上彼此间隔开。这里以及下文中的“在平面上”可以理解为“在平面图中”。如图3中所示,第一像素电极210-1、第二像素电极210-2以及第三像素电极210-3可以具有不同的尺寸。根据一些实施例,第一像素电极210-1、第二像素电极210-2以及第三像素电极210-3可以具有相同的尺寸。
像素限定层215位于第一像素电极210-1、第二像素电极210-2和第三像素电极210-3上方,并且可以包括第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3。第一开口OP1可以暴露第一像素电极210-1的中心部分,第二开口OP2可以暴露第二像素电极210-2的中心部分并且第三开口OP3可以暴露第三像素电极210-3的中心部分。如图3中所示,第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3可以具有不同的尺寸。根据一些实施例,第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3可以具有相同的尺寸。
根据一些实施例,用于发射光的发射层可以位于像素限定层215的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3的每一个中。对电极可以布置在发射层上。像素电极、发射层以及对电极的堆叠结构可以形成一个有机发光二极管OLED。像素限定层215的一个开口可以对应于一个有机发光二极管OLED,并且限定了一个发射区域。
例如,用于发射绿色光的发射层布置在第一开口OP1中,并且第一像素PX1可以包括由第一开口OP1限定的第一发射区域EA1。类似地,用于发射红色光的发射层布置在第二开口OP2中,并且第二像素PX2可以包括由第二开口OP2限定的第二发射区域EA2。类似地,用于发射蓝色光的发射层布置在第三开口OP3中,并且第三像素PX3可以包括由第三开口OP3限定的第三发射区域EA3。然而,本公开不局限于此。例如,用于发射蓝色光或绿色光的发射层可以布置在第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3中。在这种情况下,显示设备1可以包括堆叠在厚度方向(例如,z轴方向)上的发光面板和颜色面板,并且从发光面板的发射层发射的蓝色光或绿色光可以在穿过颜色面板的同时被转换为绿色光、红色光和蓝色光,或者可以透过颜色面板。
第一开口OP1和第二开口OP2可以在与第一方向(例如,x轴方向)交叉的第二方向(例如,y轴方向)上彼此相邻,并且第一开口OP1和第三开口OP3可以在第一方向(例如,x轴方向)上彼此相邻。如图3中所示,由于第一开口OP1的尺寸和第二开口OP2的尺寸中的每一者小于第三开口OP3的尺寸,并且第二开口OP2在第二方向(例如,y轴方向)上与第一开口OP1相邻,因此第三开口OP3和第二开口OP2可以在第一方向(例如,x轴方向)上彼此相邻。
分隔物SP可以位于像素限定层215上。例如,当从垂直于基底100的方向(例如,z轴方向)看时(例如,在平面图中),分隔物SP可以位于像素限定层215上以围绕像素限定层215的开口(例如,第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3)。换句话说,分隔物SP可以具有网状结构。例如,第一开口OP1可以在平面上位于由围绕第一开口OP1的分隔物SP限定的第一分隔物孔SPH1中。类似地,第二开口OP2可以在平面上位于由分隔物SP限定的第二分隔物孔SPH2中,并且第三开口OP3可以在平面上位于由分隔物SP限定的第三分隔物孔SPH3中。因此,分隔物SP可以位于相邻的开口(例如,第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3)(或像素(例如,第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3))之间。
尽管图3示出了第一分隔物孔SPH1、第二分隔物孔SPH2和第三分隔物孔SPH3中的每一者具有矩形形状,但是本公开不局限于此。例如,第一分隔物孔SPH1、第二分隔物孔SPH2和/或第三分隔物孔SPH3可以具有包括矩形的多边形形状。换句话说,第一分隔物孔SPH1、第二分隔物孔SPH2和/或第三分隔物孔SPH3可以具有其中水平长度比竖直长度长的矩形形状、其中水平长度比竖直长度短的矩形形状、或者正方形形状。可替代地,第一分隔物孔SPH1、第二分隔物孔SPH2和/或第三分隔物孔SPH3可以具有诸如椭圆形或圆形的各种形状。
尽管图3示出了分隔物SP完全围绕像素限定层215的多个开口(例如,第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3)中的每一个,但是本公开不局限于此。例如,分隔物SP可以部分地围绕像素限定层215的多个开口(例如,第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3)中的每一个。
连接电极CNE可以位于分隔物SP下方。换句话说,连接电极CNE可以介于分隔物SP与像素限定层215之间。例如,当从垂直于基底100的方向(例如,z轴方向)看时(例如,在平面图中),连接电极CNE可以位于像素限定层215上以与分隔物SP重叠。
连接电极CNE可以具有与像素限定层215相同的形状(例如,网状结构)。因此,当从垂直于基底100的方向(例如,z轴方向)看时(例如,在平面图中),连接电极CNE可以围绕像素限定层215的开口(例如第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3)。例如,第一开口OP1可以在平面上位于由围绕第一开口OP1的连接电极CNE限定的第一连接电极孔CNEH1中。类似地,第二开口OP2可以在平面上位于由连接电极CNE限定的第二连接电极孔CNEH2中,并且第三开口OP3可以在平面上位于由连接电极CNE限定的第三分隔物孔SPH3中。因此,连接电极CNE可以位于相邻的开口(例如,第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3)(或像素(例如,第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3))之间。第一连接电极孔CNEH1的尺寸可以小于或等于第一分隔物孔SPH1的尺寸。类似地,第二连接电极孔CNEH2的尺寸可以小于或等于第二分隔物孔SPH2的尺寸,并且第三连接电极孔CNEH3的尺寸可以小于或等于第三分隔物孔SPH3的尺寸。
尽管图3示出了第一连接电极孔CNEH1、第二连接电极孔CNEH2和第三连接电极孔CNEH3中的每一者具有矩形形状,但是本公开不局限于此。例如,第一连接电极孔CNEH1、第二连接电极孔CNEH2和/或第三连接电极孔CNEH3可以具有包括矩形的多边形形状。换句话说,第一连接电极孔CNEH1、第二连接电极孔CNEH2和/或第三连接电极孔CNEH3可以具有其中水平长度比竖直长度长的矩形形状、其中水平长度比竖直长度短的矩形形状、或者正方形形状。可替代地,第一连接电极孔CNEH1、第二连接电极孔CNEH2和/或第三连接电极孔CNEH3可以具有诸如椭圆形或圆形的各种形状。
尽管图3示出了多个像素PX以条纹型布置,但是像素PX可以以诸如RGBG型(所谓的结构)等的各种形式布置。
图4是示出了图1的显示设备1的部分的示意性截面图。例如,图4是图1的显示设备1的沿着图3的线I-I’所截取的示意性截面图。图5A是图4的显示设备1的区B的示意性放大截面图。图5B是图4的显示设备1的区C的示意性放大截面图。图5C是图4的显示设备1的区D的示意性放大截面图。
如图4中所示,根据一些实施例的显示设备1可以包括基底100。基底100可以包括具有柔性或可弯曲性的各种材料。例如,基底100可以包括玻璃、金属或聚合物树脂。此外,基底100可以包括诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素的聚合物树脂。基底100可以例如在多层结构中不同地变化,所述多层结构包括包含上述聚合物树脂的两层以及置于所述两层之间并且包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅等的无机材料的阻隔层。
包括多个显示元件的像素PX(见图1)和像素电路PC可以布置在基底100上。在图4中,多个像素PX中的每一个包括作为显示元件的有机发光二极管OLED。例如,有机发光二极管OLED可以是第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2或第三有机发光二极管OLED3。换句话说,第一像素PX1可以包括第一有机发光二极管OLED1,第二像素PX2可以包括第二有机发光二极管OLED2,并且第三像素PX3可以包括第三有机发光二极管OLED3。
像素电路PC可以位于基底100上。由于多个像素PX中的每一个的像素电路PC的结构相同,因此主要描述一个像素电路PC。像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。为了便于解释,图4示出了一个薄膜晶体管TFT,并且薄膜晶体管TFT可以对应于上述图2的第一晶体管T1,作为驱动晶体管。
包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等的无机材料的缓冲层201可以介于薄膜晶体管TFT与基底100之间。缓冲层201可以增加基底100的上表面的平滑度,或者防止或减少杂质从基底100等渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层Act之中。
如图4中所示,薄膜晶体管TFT可以包括包含非晶硅、多晶硅、有机半导体材料或氧化物半导体材料的半导体层Act。薄膜晶体管TFT还可以包括栅极电极GE、源极电极SE和/或漏极电极DE。栅极电极GE可以包括各种导电材料并且具有包括例如Mo层和Al层的各种层状结构。可替代地,栅极电极GE可以包括TiNx层、Al层和/或Ti层。源极电极SE和漏极电极DE也可以包括各种导电材料并且具有包括例如Ti层、Al层和/或Cu层的各种层状结构。
为了确保半导体层Act与栅极电极GE之间的绝缘,包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等的无机材料的栅极绝缘层203可以介于半导体层Act与栅极电极GE之间。尽管图4示出了栅极绝缘层203具有与基底100的整个表面相对应的形状,并且具有其中在预设部分中形成有接触孔的结构,但是本公开不局限于此。例如,栅极绝缘层203可以被图案化为与栅极电极GE相同的形状。
另外,包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等的无机材料的第一层间绝缘层205可以位于栅极电极GE上方。第一层间绝缘层205可以具有包括上述材料的单层或多层结构。因此,包括无机材料的绝缘膜可以通过化学气相沉积(CVD)法或原子层沉积(ALD)法形成。这也适用于以下描述的实施例及其修改示例。
存储电容器Cst可以包括第一电极CE1和第二电极CE2,第一电极CE1和第二电极CE2彼此重叠,第一层间绝缘层205位于其间。存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT重叠。在这方面,尽管图4示出了薄膜晶体管TFT的栅极电极GE是存储电容器Cst的第一电极CE1,但是本公开不局限于此。例如,存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT不重叠。存储电容器Cst的第二电极CE2可以包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)等的导电材料,并且可以具有包括上述材料的多层或单层结构。
包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等的无机材料的第二层间绝缘层207可以位于存储电容器Cst的第二电极CE2上方。第二层间绝缘层207可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
源极电极SE和漏极电极DE可以位于第二层间绝缘层207上。数据线DL可以与源极电极SE和漏极电极DE位于相同的层上,并且可以与源极电极SE和漏极电极DE包括相同的材料。源极电极SE、漏极电极DE和数据线DL可以包括优良的导电材料。源极电极SE和漏极电极DE可以各自包括包含Mo、Al、Cu和Ti等的导电材料,并且可以具有包括上述材料的多层或单层结构。例如,源极电极SE、漏极电极DE和数据线DL可以各自具有Ti/Al/Ti的多层结构。
本公开不局限于此。例如,薄膜晶体管TFT可以包括源极电极SE和漏极电极DE中的任何一个,或者可以不包括源极电极SE和漏极电极DE。例如,一个薄膜晶体管TFT不包括漏极电极DE,与一个薄膜晶体管TFT连接的另外一个薄膜晶体管TFT不包括源极电极SE,并且两个薄膜晶体管TFT的半导体层Act可以彼此连接。这样的连接结构可以具有与如下结构相同的效果:在所述结构中,所述一个薄膜晶体管TFT进一步包括源极电极SE,所述另外一个薄膜晶体管TFT进一步包括漏极电极DE,并且所述一个薄膜晶体管TFT的源极电极SE连接到所述另外一个薄膜晶体管TFT的漏极电极DE。
如图4中所示,平坦化层208可以被布置为覆盖薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。平坦化层208可以包括有机绝缘材料。例如,平坦化层208可以包括光致抗蚀剂、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯、具有酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或其混合物等。根据一些实施例,第三层间绝缘层可以进一步位于平坦化层208下方。第三层间绝缘层可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料。
在平坦化层208上第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3可以彼此间隔开。例如,在与第一方向(例如,x轴方向)交叉的第二方向(例如,y轴方向)上彼此相邻的第一有机发光二极管OLED1和第二有机发光二极管OLED2可以位于平坦化层208上,并且第三有机发光二极管OLED3可以位于平坦化层208上以在第一方向(例如,x轴方向)上与第一有机发光二极管OLED1相邻。第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3可以分别发射不同的颜色的光。例如,第一有机发光二极管OLED1可以发射绿色光,第二有机发光二极管OLED2可以发射红色光,并且第三有机发光二极管OLED3可以发射蓝色光。
第一有机发光二极管OLED1可以包括第一像素电极210-1、第一中间层220-1和第一对电极230-1。第二有机发光二极管OLED2可以包括第二像素电极210-2、第二中间层220-2和第二对电极230-2。第三有机发光二极管OLED3可以包括第三像素电极210-3、第三中间层220-3和第三对电极230-3。
第一像素电极210-1和第二像素电极210-2可以在平坦化层208上彼此间隔开。例如,第二像素电极210-2可以被布置成在平坦化层208上在第二方向(例如,y轴方向)上与第一像素电极210-1相邻。第三像素电极210-3和第一像素电极210-1可以在平坦化层208上彼此间隔开。例如,第三像素电极210-3可以被布置成在平坦化层208上在第一方向(例如,x轴方向)上与第一像素电极210-1相邻。
第一像素电极210-1、第二像素电极210-2和第三像素电极210-3可以各自包括透光导电层和反射层,所述透光导电层包括诸如ITO、In2O3或IZO等的透光的导电氧化物,所述反射层包括诸如Al或Ag等的金属。例如,第一像素电极210-1、第二像素电极210-2和第三像素电极210-3可以各自具有ITO/Ag/ITO的三层结构。
如图4中所示,第一像素电极210-1、第二像素电极210-2和第三像素电极210-3可以各自与源极电极SE和漏极电极DE中的任何一个接触,并且可以电连接到薄膜晶体管TFT。例如,第一像素电极210-1、第二像素电极210-2和第三像素电极210-3可以各自经由形成于平坦化层208中的接触孔而与源极电极SE和漏极电极DE中的任何一个接触。
像素限定层215可以位于平坦化层208上。具有与多个像素PX中的每一个相对应的开口(即,暴露至少像素电极的中心部分的开口)的像素限定层215可以限定多个像素PX中的每一个。例如,像素限定层215可以具有第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3。第一开口OP1可以暴露第一像素电极210-1的中心部分,第二开口OP2可以暴露第二像素电极210-2的中心部分并且第三开口OP3可以暴露第三像素电极210-3的中心部分。此外,如在图4中所示的情况下,像素限定层215可以增加第一像素电极210-1的边缘与第一像素电极210-1上方的第一对电极230-1之间的距离。类似地,像素限定层215可以增加第二像素电极210-2的边缘与第二对电极230-2之间的距离,并且增加第三像素电极210-3的边缘与第三对电极230-3之间的距离。因此,可以防止在第一像素电极210-1的边缘、第二像素电极210-2的边缘或第三像素电极210-3的边缘中电弧等的产生。上述像素限定层215可以包括诸如聚酰亚胺或HMDSO等的有机材料。
第一中间层220-1可以位于第一像素电极210-1上。第二中间层220-2可以位于第二像素电极210-2上,并且第三中间层220-3可以位于第三像素电极210-3上。第一中间层220-1、第二中间层220-2和第三中间层220-3可以在平面上彼此间隔开。换句话说,第二中间层220-2可以在平面上与第一中间层220-1间隔开,并且第三中间层220-3可以在平面上与第一中间层220-1和第二中间层220-2间隔开。
第一中间层220-1、第二中间层220-2和第三中间层220-3可以各自包括低分子量材料或聚合物材料。当第一中间层220-1、第二中间层220-2和第三中间层220-3中的每一个包括低分子量材料时,第一中间层220-1、第二中间层220-2和第三中间层220-3可以各自具有呈单一或复合结构的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)等的堆叠结构,并且可以通过真空沉积法形成。
当第一中间层220-1、第二中间层220-2和第三中间层220-3中的每一个包括聚合物材料时,第一中间层220-1、第二中间层220-2和第三中间层220-3可以各自具有包括HTL和EML的结构。在这种情况下,HTL可以包括聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT),并且EML可以包括基于聚对苯乙炔(PPV)和聚芴等的聚合物材料。第一中间层220-1、第二中间层220-2和第三中间层220-3可以各自通过丝网印刷法、喷墨印刷法和激光诱导热成像(LITI)法等形成。
如图5A中所示,第一有机发光二极管OLED1的第一中间层220-1可以包括第一-1公共层221-1、第一发射层222-1和第二-1公共层227-1。第一发射层222-1可以包括发射特定颜色的光的聚合物材料或低分子量有机材料。换句话说,第一发射层222-1可以发射特定波段的光。例如,第一发射层222-1可以发射绿色光。绿色光可以是在495nm至580nm的波段中的光。
如图5A中所示,第一有机发光二极管OLED1可以具有串联结构。例如,第一有机发光二极管OLED1可以包括第一下发射层222L-1和第一上发射层222U-1,并且第一上发射层222U-1可以位于第一下发射层222L-1上以与第一下发射层222L-1重叠。换句话说,第一发射层222-1可以包括第一下发射层222L-1和第一上发射层222U-1。
第一-1公共层221-1可以介于第一像素电极210-1与第一下发射层222L-1之间。第一-1公共层221-1可以具有单层或多层结构。例如,当第一-1公共层221-1包括聚合物材料时,作为是单层结构的HTL的第一-1公共层221-1可以包括PEDOT、聚苯胺(PANI)、N,N′-二苯基-N,N′-双(3-甲基苯基)-1,1′-联苯基-4,4′-二胺(TPD)或N,N′-二(萘-1-基)-N,N′-二苯基-苯二胺(NPB)。当第一-1公共层221-1包括低分子量材料时,第一-1公共层221-1可以包括HIL和HTL。
第二-1公共层227-1可以位于第一上发射层222U-1上。可以不总是提供第二-1公共层227-1。例如,当第一-1公共层221-1和第一发射层222-1中的每一者包括聚合物材料时,可以形成第二-1公共层227-1。第二-1公共层227-1可以具有单层或多层结构。第二-1公共层227-1可以包括ETL和/或EIL。第一对电极230-1可以位于第二-1公共层227-1上。
第一中间层220-1可以进一步包括第一电荷产生层224-1。第一电荷产生层224-1可以位于第一下发射层222L-1与第一上发射层222U-1之间。第一电荷产生层224-1可以向包括第一下发射层222L-1的第一堆叠体以及包括第一上发射层222U-1的第二堆叠体供应带电的电荷。
第一中间层220-1可以进一步包括第三-1公共层223-1和第四-1公共层225-1。第三-1公共层223-1可以位于第一下发射层222L-1与第一电荷产生层224-1之间。第四-1公共层225-1可以位于第一电荷产生层224-1与第一上发射层222U-1之间。第三-1公共层223-1可以包括ETL,并且第四-1公共层225-1可以包括HTL。
例如,第一中间层220-1可以包括第一-1公共层221-1、第一下发射层222L-1、第三-1公共层223-1、第一电荷产生层224-1、第四-1公共层225-1、第一上发射层222U-1以及第二-1公共层227-1。
如图5B中所示,第二有机发光二极管OLED2的第二中间层220-2可以包括第一-2公共层221-2、第二发射层222-2以及第二-2公共层227-2。第二有机发光二极管OLED2的第二发射层222-2可以与图5A中的第一有机发光二极管OLED1的第一发射层222-1发射不同的波段的光。例如,第二发射层222-2可以发射红色光。红色光可以是在580nm至780nm的波段中的光。
如图5B中所示,第二有机发光二极管OLED2可以具有串联结构。例如,第二有机发光二极管OLED2可以包括第二下发射层222L-2和第二上发射层222U-2,并且第二上发射层222U-2可以位于第二下发射层222L-2上以与第二下发射层222L-2重叠。换句话说,第二发射层222-2可以包括第二下发射层222L-2和第二上发射层222U-2。
第一-2公共层221-2可以介于第二像素电极210-2与第二下发射层222L-2之间。第二-2公共层227-2可以位于第二上发射层222U-2上。第二中间层220-2可以进一步包括第二电荷产生层224-2,并且第二电荷产生层224-2可以位于第二下发射层222L-2与第二上发射层222U-2之间。第二中间层220-2可以进一步包括第三-2公共层223-2和第四-2公共层225-2。例如,第二中间层220-2可以包括第一-2公共层221-2、第二下发射层222L-2、第三-2公共层223-2、第二电荷产生层224-2、第四-2公共层225-2、第二上发射层222U-2以及第二-2公共层227-2。
由于关于图5A中的第一-1公共层221-1、第三-1公共层223-1、第一电荷产生层224-1、第四-1公共层225-1和第二-1公共层227-1的描述可以分别应用于第一-2公共层221-2、第三-2公共层223-2、第二电荷产生层224-2、第四-2公共层225-2以及第二2公共层227-2,因此省略了在这方面的冗余描述。
如图5C中所示,第三有机发光二极管OLED3的第三中间层220-3可以包括第一-3公共层221-3、第三发射层222-3和第二-3公共层227-3。第三有机发光二极管OLED3的第三发射层222-3可以与图5A中的第一有机发光二极管OLED1的第一发射层222-1和图5B中的第二有机发光二极管OLED2的第二发射层222-2发射不同的波段的光。例如,第三发射层222-3可以发射蓝色光。蓝色光可以是在400nm至495nm的波段中的光。
如图5C中所示,第三有机发光二极管OLED3可以具有串联结构。例如,第三有机发光二极管OLED3可以包括第三下发射层222L-3和第三上发射层222U-3,并且第三上发射层222U-3可以位于第三下发射层222L-3上以与第三下发射层222L-3重叠。换句话说,第三发射层222-3可以包括第三下发射层222L-3和第三上发射层222U-3。
第一-3公共层221-3可以介于第三像素电极210-3与第三下发射层222L-3之间。第二-3公共层227-3可以位于第三上发射层222U-3上。第三中间层220-3可以进一步包括第三电荷产生层224-3,并且第三电荷产生层224-3可以位于第三下发射层222L-3与第三上发射层222U-3之间。第三中间层220-3可以进一步包括第三-3公共层223-3和第四-3公共层225-3。例如,第三中间层220-3可以包括第一-3公共层221-3、第三下发射层222L-3、第三-3公共层223-3、第三电荷产生层224-3、第四-3公共层225-3、第三上发射层222U-3以及第二-3公共层227-3。
由于关于图5A中的第一-1公共层221-1、第三-1公共层223-1、第一电荷产生层224-1、第四-1公共层225-1和第二-1公共层227-1的描述可以分别应用于第一-3公共层221-3、第三-3公共层223-3、第三电荷产生层224-3、第四-3公共层225-3以及第二-3公共层227-3,因此省略了在这方面的冗余描述。
参考图5C并结合图5A和图5B,第一-1公共层221-1、第一-2公共层221-2和第一-3公共层221-3可以在相同的工艺中由相同的材料同时形成。例如,用于形成第一-1公共层221-1、第一-2公共层221-2和第一-3公共层221-3的材料可以沉积在基底100(见图4)的整个表面上。第三-1公共层223-1、第三-2公共层223-2和第三-3公共层223-3可以在相同的工艺中由相同的材料同时形成,并且第一电荷产生层224-1、第二电荷产生层224-2和第三电荷产生层224-3可以在相同的工艺中由相同的材料同时形成。例如,用于形成第三-1公共层223-1、第三-2公共层223-2和第三-3公共层223-3的材料可以沉积在基底100的整个表面上并且用于形成第一电荷产生层224-1、第二电荷产生层224-2和第三电荷产生层224-3的材料可以沉积在基底100的整个表面上。
第四-1公共层225-1、第四-2公共层225-2和第四-3公共层225-3可以在相同的工艺中由相同的材料同时形成,并且第二-1公共层227-1、第二-2公共层227-2和第二-3公共层227-3可以在相同的中由相同的材料同时形成。例如,用于形成第四-1公共层225-1、第四-2公共层225-2和第四-3公共层225-3的材料可以沉积在基底100的整个表面上,并且用于形成第二-1公共层227-1、第二-2公共层227-2和第二-3公共层227-3的材料可以沉积在基底100的整个表面。
第一对电极230-1可以位于第一中间层220-1上。第二对电极230-2可以位于第二中间层220-2上,并且第三对电极230-3可以位于第三中间层220-3上。换句话说,第一中间层220-1可以介于第一像素电极210-1与第一对电极230-1之间,第二中间层220-2可以介于第二像素电极210-2与第二对电极230-2之间,并且第三中间层220-3可以介于第三像素电极210-3与第三对电极230-3之间。第一对电极230-1、第二对电极230-2和第三对电极230-3可以在平面上彼此间隔开。换句话说,第二对电极230-2可以在平面上与第一对电极230-1间隔开,并且第三对电极230-3可以在平面上与第一对电极230-1和第二对电极230-2间隔开。
第一对电极230-1、第二对电极230-2和第三对电极230-3可以各自包括包含ITO、In2O3或IZO的透光导电层,并且还包括包含诸如Al或Ag等的金属的半透射膜。例如,第一对电极230-1、第二对电极230-2和第三对电极230-3可以各自包括包含Mg或Ag的半透射膜。根据一些实施例,封盖层可以位于第一对电极230-1、第二对电极230-2和第三对电极230-3上。例如,封盖层可以包括从有机材料、无机材料及其混合物之中选择的材料,并且可以以单层或多层提供。根据一些实施例,LiF层可以位于封盖层上。第一对电极230-1、第二对电极230-2和第三对电极230-3可以在相同的工艺中由相同的材料同时形成。例如,用于形成第一对电极230-1、第二对电极230-2和第三对电极230-3的材料可以沉积在基底100的整个表面上。
如图3和图4中所示,分隔物SP可以位于像素限定层215上方。例如,当从垂直于基底100的方向(例如,z轴方向)看时(例如,在平面图中),分隔物SP可以布置在第一开口OP1与第二开口OP2之间。如上参考图3所述,当从垂直于基底100的方向(例如,z轴方向)看时(例如,在平面图中),分隔物SP可以围绕第一开口OP1。因此,当从垂直于基底100的方向(例如,z轴方向)看时(例如,在平面图中),分隔物SP可以布置在第一开口OP1与第三开口OP3之间。
如图5D中所示,剩余中间层220a和剩余对电极230a可以位于分隔物SP上。图5D是图4的显示设备1的区E的示意性放大截面图。如图5D中所示,剩余中间层220a可以包括第一剩余公共层221a、第三剩余公共层223a、剩余电荷产生层224a、第四剩余公共层225a以及第二剩余公共层227a。
参考图5D并结合图5A至5C,第一剩余公共层221a、第一-1公共层221-1、第一-2公共层221-2和第一-3公共层221-3可以是在相同的工艺中由相同的材料同时形成的。例如,当用于形成第一-1公共层221-1、第一-2公共层221-2和第一-3公共层221-3的材料沉积在基底100(见图4)的整个表面上时,形成于分隔物SP上的层可以是第一剩余公共层221a。第三剩余公共层223a、第三-1公共层223-1、第三-2公共层223-2和第三-3公共层223-3可以在相同的工艺中由相同的材料同时形成。例如,当用于形成第三-1公共层223-1、第三-2公共层223-2和第三-3公共层223-3的材料沉积在基底100的整个表面上时,形成于分隔物SP上方的层可以是第三剩余公共层223a。例如,第三剩余公共层223a可以形成于第一剩余公共层221a上。
剩余电荷产生层224a、第一电荷产生层224-1、第二电荷产生层224-2和第三电荷产生层224-3可以在相同的工艺中由相同的材料同时形成。例如,当用于形成第一电荷产生层224-1、第二电荷产生层224-2和第三电荷产生层224-3的材料沉积在基底100的整个表面上时,形成于分隔物SP上方的层可以是剩余电荷产生层224a。例如,剩余电荷产生层224a可以形成于第三剩余公共层223a上。第四剩余公共层225a、第四-1公共层225-1、第四-2公共层225-2和第四-3公共层225-3可以在相同的工艺中由相同的材料同时形成。例如,当用于形成第四-1公共层225-1、第四-2公共层225-2和第四-3公共层225-3的材料沉积在基底100的整个表面上时,形成于分隔物SP上的层可以是第四剩余公共层225a。例如,第四剩余公共层225a可以形成于剩余电荷产生层224a上。
第二剩余公共层227a、第二-1公共层227-1、第二-2公共层227-2和第二-3公共层227-3可以在相同的工艺中由相同的材料同时形成。例如,当用于形成第二-1公共层227-1、第二-2公共层227-2和第二-3公共层227-3的材料沉积在基底100的整个表面上时,形成于分隔物SP上方的层可以是第二剩余公共层227a。例如,第二剩余公共层227a可以形成于第四剩余公共层225a上。剩余对电极230a、第一对电极230-1、第二对电极230-2和第三对电极230-3可以在相同的工艺中由相同的材料同时形成。例如,当用于形成第一对电极230-1、第二对电极230-2和第三对电极230-3的材料沉积在基底100的整个表面上时,形成于分隔物SP上方的层可以是剩余对电极230a。例如,剩余对电极230a可以形成于第二剩余公共层227a上。
分隔物SP可以包括有机绝缘材料。例如,分隔物SP可以包括BCB、聚酰亚胺、HMDSO、PMMA、聚苯乙烯、具有酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺基聚合物、芳醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或其混合物等。
分隔物SP的侧表面SPa可以包括倒锥形倾斜表面。分隔物SP的包括倒锥形倾斜表面的侧表面SPa可以是指分隔物SP的在与基底100相反的方向(+z方向)上的一部分的宽度大于分隔物SP的在靠近基底100的方向(-z方向)上的一部分的宽度。具有作为倒锥形倾斜表面的侧表面SPa的分隔物SP可以通过使用负性光致抗蚀剂形成。光致抗蚀剂可以被分为正性光致抗蚀剂和负性光致抗蚀剂。正性光致抗蚀剂可以是指具有通过曝光对显影剂增加的溶解度的光致抗蚀剂,并且负性光致抗蚀剂可以是指具有通过曝光对显影剂降低的溶解度的光致抗蚀剂。
因此,当对部分曝光的正性光致抗蚀剂进行显影时,产生了其中去除了曝光部分的图案,并且当对部分曝光的负性光致抗蚀剂进行曝光时,产生了其中去除了未曝光部分的图案。因此,当通过使用掩模对其上施加负光致抗蚀剂的层进行曝光时,不仅位于掩模的透射部分下方的部分可以被曝光,而且与透射部分的下部分相邻的部分也可以被曝光。例如,与透射部分的下部分相邻的部分可以具有从位于靠近光源的方向的上端向位于与光源相反的方向的下端对显影剂逐渐增加的溶解度。因此,可以形成具有倒锥形倾斜表面的图案。
由于分隔物SP的侧表面SPa包括倒锥形倾斜表面,因此剩余中间层220a和剩余对电极230a可以不覆盖分隔物SP的侧表面Spa。因此,剩余中间层220a可以不连接到第一中间层220-1和第二中间层220-2,并且剩余对电极230a可以不连接到第一对电极230-1和第二对电极230-2。换句话说,剩余中间层220a可以与第一中间层220-1和第二中间层220-2间隔开,并且剩余对电极230a可以与第一对电极230-1和第二对电极230-2间隔开。剩余中间层220a也可以不连接到第三中间层220-3,并且剩余对电极230a也可以不连接到第三对电极230-3。换句话说,剩余中间层220a可以与第三中间层220-3间隔开,并且剩余对电极230a可以与第三对电极230-3间隔开。
因此,剩余中间层220a可以不电连接到第一中间层220-1和第二中间层220-2,并且剩余对电极230a可以不电连接到第一对电极230-1和第二对电极230-2。剩余中间层220a也可以不电连接到第三中间层220-3,并且剩余对电极230a也可以不电连接到第三对电极230-3。
如上所述,第一有机发光二极管OLED1的第一中间层220-1、第二有机发光二极管OLED2的第二中间层220-2和第三有机发光二极管OLED3的第三中间层220-3可以包括在相同的工艺中由相同的材料同时形成的层。例如,可以通过在基底100的整个表面上沉积用于形成相应层的材料来形成这样的层。当分隔物SP不存在于像素限定层215上时,这些层可能一体地形成于第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3中。因此,漏电流可能通过这些层在第一有机发光二极管OLED1与第二有机发光二极管OLED2之间流动。
例如,当电流仅被供应到发射绿色光的第一有机发光二极管OLED1时,电流可能经由与第一有机发光二极管OLED1的第一-1公共层221-1一体地形成的层(例如,第一-2公共层221-2)被供应到第二有机发光二极管OLED2。可替代地,电流可能经由与第三-1公共层223-1一体地形成的层(例如,第三-2公共层223-2)被供应到第二有机发光二极管OLED2,或者电流可能经由与第一电荷产生层224-1一体地形成的层(例如,第二电荷产生层224-2)被供应到第二有机发光二极管OLED2。可替代地,电流可能经由与第四-1公共层225-1一体地形成的层(例如,第四-2公共层225-2)被供应到第二有机发光二极管OLED2,或者电流可能经由与第一-1公共层227-1一体地形成的层(例如,第二-2公共层227-2)被供应到第二有机发光二极管OLED2。
结果,由于不仅第一有机发光二极管OLED1发射绿色光,而且第二有机发光二极管OLED2发射红色光,因此显示质量可能劣化。例如,色纯度下降。电流经由与第一有机发光二极管OLED1的第一-1公共层221-1一体地形成的层将被供应到第二有机发光二极管OLED2的现象也可能发生在第三有机发光二极管OLED3中。
然而,在根据一些实施例的显示设备1(见图4)的情况下,如上所述,分隔物SP可以位于平坦化层208上方。因此,即使当包含在第一中间层220-1中的一些层、包含在第二中间层220-2中的一些层以及包含在第三中间层220-3中的一些层在相同的工艺中由相同的材料同时形成时,这些层也可以不一体地形成于第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3中。换句话说,剩余中间层220a可以布置在第一中间层220-1与第二中间层220-2之间,并且剩余中间层220a可以与第一中间层220-1和第二中间层220-2不接触。因此,第一中间层220-1和第二中间层220-2可以彼此间隔开。
例如,第一剩余公共层221a可以与第一-1公共层221-1和第一-2公共层221-2不接触,并且第三剩余公共层223a可以与第三-1公共层223-1和第三-2公共层223-2不接触。剩余电荷产生层224a可以与第一电荷产生层224-1和第二电荷产生层224-2不接触,第四剩余公共层225a可以与第四-1公共层225-1和第四-2公共层225-2不接触,并且第二剩余公共层227a可以与第二-1公共层227-1和第二-2公共层227-2不接触。
因此,电流可能不会通过这些层在第一有机发光二极管OLED1与第二有机发光二极管OLED2之间泄漏。由于分隔物SP在平面上被布置在第一开口OP1与第三开口OP3之间,因此可以在第一有机发光二极管OLED1与第三有机发光二极管OLED3之间获得防止第一有机发光二极管OLED1与第二有机发光二极管OLED2之间的电流泄漏的效果。
参考图4并结合图5A至图5D,连接电极CNE可以介于像素限定层215与分隔物SP之间。换句话说,连接电极CNE可以位于像素限定层215上。因此,连接电极CNE可以与第一像素电极210-1、第二像素电极210-2和第三像素电极210-3位于不同的层上。当连接电极CNE与第一像素电极210-1、第二像素电极210-2和第三像素电极210-3位于相同的层上(例如,在平坦化层208上)时,可能减小由第一像素电极210-1、第二像素电极210-2和/或第三像素电极210-3所占的面积。因此,可能减小第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和/或第三发射区域EA3的尺寸。然而,在根据一些实施例的显示设备1的情况下,连接电极CNE可以与第一像素电极210-1、第二像素电极210-2和第三像素电极210-3位于不同的层上。因此,可以不减小由第一像素电极210-1、第二像素电极210-2和/或第三像素电极210-3所占的面积。因此,可以形成期望尺寸的第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和/或第三发射区域EA3。
连接电极CNE可以包括与包含在第一像素电极210-1、第二像素电极210-2和第三像素电极210-3中的材料不同的材料。例如,连接电极CNE可以包括比包含在第一像素电极210-1、第二像素电极210-2和第三像素电极210-3中的材料具有低的电阻的材料。例如,连接电极CNE可以包括Cu。如下所述,连接电极CNE可以将多个对电极彼此电连接,并且当所述多个对电极彼此电连接时,电信号可以经由连接电极CNE而被有效地传送到所述多个对电极。由于将所述多个对电极彼此电连接的连接电极CNE的电阻(即电气电阻)低,因此电信号可以被有效地传送到所述多个对电极。
当从垂直于基底100的方向(例如,z轴方向)看时(例如,在平面图中),连接电极CNE可以布置在第一开口OP1与第二开口OP2之间。如上参考图3所述,当从垂直于基底100的方向(例如,z轴方向)看时(例如,在平面图中),连接电极CNE可以被第一开口OP1围绕。因此,当从垂直于基底100的方向(例如,z轴方向)看时(例如,在平面图中),连接电极CNE也可以布置在第一开口OP1与第三开口OP3之间。
第一中间层220-1可以位于连接电极CNE上方。例如,第一中间层220-1可以位于连接电极CNE的上表面的与连接电极CNE的一个侧表面相邻的部分上。如上所述,包含在第一中间层220-1中的一些层(例如,第一-1公共层221-1、第三-1公共层223-1、第一电荷产生层224-1、第四-1公共层225-1或第二-1公共层227-1)可以通过将用于形成这些层的材料分别沉积在基底100的整个表面上而形成。因此,当从垂直于基底100的方向(例如,z轴方向)看时(例如,在平面图中),第一中间层220-1不仅可以与第一像素电极210-1重叠,而且可以与像素限定层215和连接电极CNE重叠。
第一对电极230-1可以位于连接电极CNE的上方。例如,由于第一对电极230-1可以位于第一中间层220-1上,因此第一对电极230-1可以位于第一中间层220-1的位于连接电极CNE上的部分上。与包括在上述第一中间层220-1中的一些层一样,第一对电极230-1可以通过将用于形成第一对电极230-1的材料沉积在基底100的整个表面上而形成。因此,当从垂直于基底100的方向(例如,z轴方向)看时(例如,在平面图中),第一对电极230-1不仅可以与第一像素电极210-1重叠,而且可以与像素限定层215和连接电极CNE重叠。
关于连接电极CNE与第一中间层220-1和第一对电极230-1之间的位置关系的描述可以应用于连接电极CNE与第二中间层220-2和第二对电极230-2之间的位置关系。此外,关于连接电极CNE与第一中间层220-1和第一对电极230-1之间的位置关系的描述可以应用于连接电极CNE与第三中间层220-3和第三对电极230-3之间的位置关系。因此,省略了在这方面的冗余描述。
图6是图4的显示设备1的区F的示意性放大截面图。如上所述,第一中间层220-1和第一对电极230-1可以与连接电极CNE重叠。例如,连接电极CNE的一部分可以被第一中间层220-1和/或第一对电极230-1覆盖。
当从垂直于基底100(见图4)的方向(例如,z轴方向)看时(例如,在平面图中),第一中间层220-1的与连接电极CNE重叠的部分的宽度220-1OW可以不同于第一对电极230-1的与连接电极CNE重叠的部分的宽度230-1OW。如图6中所示,当从垂直于基底100的方向(例如,z轴方向)看时(例如,在平面图中),第一中间层220-1的与连接电极CNE重叠的部分的宽度220-1OW可以小于第一对电极230-1的与连接电极CNE重叠的部分的宽度230-1OW。换句话说,当从垂直于基底100的方向(例如,z轴方向)看时(例如,在平面图中),第一对电极230-1的与连接电极CNE重叠的部分的宽度230-1OW可以大于第一中间层220-1的与连接电极CNE重叠的部分的宽度220-1OW。因此,即使当位于第一中间层220-1上时,第一对电极230-1也可以与连接电极CNE接触。因此,第一对电极230-1可以电连接到连接电极CNE。
类似地,当从垂直于基底100的方向(例如,z轴方向)看时(例如,在平面图中),第二中间层220-2的与连接电极CNE重叠的部分的宽度220-2OW可以不同于第二对电极230-2的与连接电极CNE重叠的部分的宽度230-2OW。如图6中所示,当从垂直于基底100的方向(例如,z轴方向)看时(例如,在平面图中),第二中间层220-2的与连接电极CNE重叠的部分的宽度220-2OW可以小于第二对电极230-2的与连接电极CNE重叠的部分的宽度230-2OW。换句话说,当从垂直于基底100的方向(例如,z轴方向)看时(例如,在平面图中),第二对电极230-2的与连接电极CNE重叠的部分的宽度230-2OW可以大于第二中间层220-2的与连接电极CNE重叠的部分的宽度220-2OW。因此,即使当位于第二中间层220-2上时,第二对电极230-2也可以与连接电极CNE接触。因此,第二对电极230-2可以电连接到连接电极CNE。
由于关于第二中间层220-2的与连接电极CNE重叠的部分的宽度220-2OW以及第二对电极230-2的与连接电极CNE重叠的部分的宽度230-2OW的描述可以分别应用于第三中间层220-3(见图4)的与连接电极CNE重叠的部分的宽度以及第三对电极230-3(见图4)的与连接电极CNE重叠的部分的宽度,因此省略在这方面的冗余描述。
通常,由于包含在显示元件中的多个对电极遍及显示区域DA(见图1)的整个表面一体地形成,因此包含在显示元件中的多个对电极可能彼此电连接。通过一体地形成的多个对电极可能将相同的电信号供应到显示元件。例如,通过一体地形成的多个对电极可能将相同的电极电力电压ELVSS(见图2)供应到显示元件。因此,一体地形成的多个对电极可能用作用于向显示元件供应电极电力电压ELVSS的布线。
当公共地提供于包含在显示元件中的中间层中的多个层通过使用分隔物SP而被切断或彼此分离时,包含在显示元件中的多个对电极可能被切断或彼此分离。因此,包含在显示元件中的多个对电极可能彼此不电连接。
然而,根据一个或多个实施例的显示设备1(见图4)可以包括电连接到第一对电极230-1和第二对电极230-2的连接电极CNE。换句话说,由于包含在显示元件中的对电极电连接到连接电极CNE,因此包含在显示元件中的多个对电极可以彼此电连接。因此,在根据一个或多个实施例的显示设备1的情况下,即使当公共地提供于包含在显示元件中的中间层中的多个层通过使用分隔物SP而被切断或彼此分离时,包含在显示元件中的多个对电极也可以彼此电连接。因此,电信号可以被有效地传送到对电极。
此外,在根据一个或多个实施例的显示设备1的情况下,连接电极CNE可以围绕对电极。例如,在位于像素限定层215上的同时,连接电极CNE可以在平面上围绕包含在像素限定层215中的多个开口。对电极可以位于开口中。对电极不仅可以位于开口中,而且可以位于像素限定层215和连接电极CNE上。例如,包含在具有网状结构的连接电极CNE中的多个孔(例如,图3中的第一连接电极孔CNEH1、第二连接电极孔CNEH2和第三连接电极孔CNEH3)可以由多个对电极(例如,第一对电极230-1、第二对电极230-2和第三对电极230-3)填充。这可以与其中包含在显示元件中的多个对电极不被切断或不彼此分离的情况下具有相同的效果。因此,电信号可以被有效地传送到对电极。
由于有机发光二极管OLED(见图2)可能容易被外部湿气或氧气等损坏,因此可以通过用封装层覆盖有机发光二极管OLED来保护有机发光二极管OLED。封装层可以包括第一无机封装层、有机封装层以及第二无机封装层,并且覆盖显示区域DA并延伸到显示区域DA的外部。
如上所述,根据如上所述的一个或多个实施例,可以实现如下显示设备:所述显示设备可以减小漏电流并且还可以相对有效地将电信号传送到多个对电极。根据本公开的实施例的范围不受所述效果的限制。
应理解的是本文中所述的实施例应仅在描述性的意义上考虑,而非出于限制的目的。每个实施例内的对特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。虽然已经参考附图描述了一个或多个实施例,但是本领域普通技术人员将理解的是在不脱离由所附权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下可以在其中对形式和细节做出各种改变。

Claims (10)

1.一种显示设备,其特征在于,所述显示设备包括:
第一像素电极和第二像素电极,在基底上,并且在平面图中所述第一像素电极和所述第二像素电极彼此间隔开;
像素限定层,具有暴露所述第一像素电极的中心部分的第一开口以及暴露所述第二像素电极的中心部分的第二开口;
分隔物,在所述像素限定层上方,并且在所述平面图中所述分隔物在所述第一开口与所述第二开口之间;
连接电极,在所述像素限定层与所述分隔物之间;
第一对电极,在所述第一像素电极上并且电连接到所述连接电极;以及
第二对电极,在所述第二像素电极上并且在所述平面图中所述第二对电极与所述第一对电极间隔开,并且所述第二对电极电连接到所述连接电极。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其特征在于,所述显示设备还包括:
第一中间层,在所述第一像素电极上;和
第二中间层,在所述第二像素电极上,并且在所述平面图中所述第二中间层与所述第一中间层间隔开;
其中,所述第一对电极在所述第一中间层上;并且
其中,所述第二对电极在所述第二中间层上。
3.根据权利要求1或2所述的显示设备,其特征在于,在所述平面图中,所述第一对电极的与所述连接电极重叠的部分的宽度大于所述第一中间层的与所述连接电极重叠的部分的宽度,并且所述第二对电极的与所述连接电极重叠的部分的宽度大于所述第二中间层的与所述连接电极重叠的部分的宽度。
4.根据权利要求3所述的显示设备,其特征在于,所述连接电极与所述第一对电极和所述第二对电极接触。
5.根据权利要求1或2所述的显示设备,其特征在于,所述显示设备进一步包括:
剩余对电极,在所述分隔物上;和
剩余中间层,在所述分隔物与所述剩余对电极之间。
6.根据权利要求1或2所述的显示设备,其特征在于,在所述平面图中,所述分隔物围绕所述第一开口和所述第二开口,并且所述连接电极围绕所述第一开口和所述第二开口。
7.根据权利要求1或2所述的显示设备,其特征在于,所述分隔物的侧表面包括倒锥形倾斜表面。
8.根据权利要求7所述的显示设备,其特征在于,所述显示设备进一步包括在所述分隔物上的剩余对电极,
其中,所述剩余对电极不覆盖所述分隔物的所述侧表面;并且
其中,在所述平面图中,所述剩余对电极与所述第一对电极和所述第二对电极间隔开,并且剩余对电极不电连接到所述第一对电极和所述第二对电极。
9.根据权利要求8所述的显示设备,其特征在于,所述显示设备进一步包括在所述分隔物与所述剩余对电极之间的剩余中间层,
其中,所述剩余中间层不覆盖所述分隔物的所述侧表面。
10.根据权利要求9所述的显示设备,其特征在于,在所述平面图中,所述剩余中间层与所述第一中间层和所述第二中间层间隔开,并且所述剩余中间层不电连接到所述第一中间层和所述第二中间层。
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