CN112331783A - 交流驱动的发光器件及其制备方法、发光装置 - Google Patents

交流驱动的发光器件及其制备方法、发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112331783A
CN112331783A CN201911248487.4A CN201911248487A CN112331783A CN 112331783 A CN112331783 A CN 112331783A CN 201911248487 A CN201911248487 A CN 201911248487A CN 112331783 A CN112331783 A CN 112331783A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
type semiconductor
light
electrode
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201911248487.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112331783B (zh
Inventor
苏亮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong Juhua Printing Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Guangdong Juhua Printing Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong Juhua Printing Display Technology Co Ltd filed Critical Guangdong Juhua Printing Display Technology Co Ltd
Priority to CN201911248487.4A priority Critical patent/CN112331783B/zh
Publication of CN112331783A publication Critical patent/CN112331783A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112331783B publication Critical patent/CN112331783B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/865—Intermediate layers comprising a mixture of materials of the adjoining active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及一种交流电驱动的发光器件及其制备方法、发光装置。其中，发光器件包括第一电极、第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层、设置在所述第一电极和所述发光层之间的体异质结层，以及设置在所述第一电极和所述体异质结层之间的N型半导体层，所述N型半导体层与所述体异质结层直接接触且能够复合发光。该发光器件能够在整个交流电周期内发光，可交流电驱动，而且驱动电压低，亮度高。

Description

交流驱动的发光器件及其制备方法、发光装置
技术领域
本发明涉及发光器件技术领域，特别是涉及一种交流驱动的发光器件及其制备方法、发光装置。
背景技术
以有机发光二极管(OLED)、量子点发光二极管(QLED)为代表的新型显示技术具有自发光、质量轻、可折叠、可柔性、对环境要求低等诸多液晶显示器(LCD)所不拥有的特性，一跃成为下一代的显示技术。同时，这些新型显示技术在对比度、色域、可视角等方面也比LCD更具优势。经过几十年的发展，OLED显示屏已走进高端消费市场，给人们带来更震撼的视觉体验；另一方面，QLED也逐渐步入商业化的轨道。
众所周知，市面上的发光二极管是直流驱动型器件，具有整流特性，其需要在稳定的直流信号源的驱动下才能正常工作，而实际生活用电通常是220V/50Hz的交流电，因此，在此环境下发光二极管无法正常工作。为了使发光二极管能够正常工作，其驱动系统中需要额外加装高性能的交流-直流转换装置，这不但增加了系统集成的复杂程度，而且交直流转换过程中的能量也会增加损失，不利于节能环保。因此，发展能够直接利用交流电的发光二极管显得更有意义。
目前，有技术通过在发光二极管的电极和电荷传输层之间设置厚度较厚的绝缘层，实现了发光二极管的交流驱动，但是，由于设置了厚度较厚的绝缘层，使得器件亮度很低、驱动电压很高。还有的发光二极管只能在交流电正半个周期内使器件发光，而负半个周期内器件不发光，如此实际上会造成电能的大量损失。
发明内容
基于此，有必要提供一种可交流电驱动的发光器件，不但亮度高、驱动电压低，还能够在整个交流电周期内发光。
一种交流驱动的发光器件，包括：第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的发光结构；
其中，所述发光结构包括N型半导体层、发光层和设于所述N型半导体层和所述发光层之间的体异质结层，所述N型半导体层与所述体异质结层直接接触且能够复合发光。
体异质结层中包括N型半导体材料和P型半导体材料，N型半导体材料和P型半导体材料在整个体异质结层中是充分混合的。
在其中一个实施例中，所述体异质结层中的N半导体材料的LUMO(最低未占分子轨道)能级≥5eV，所述N型半导体层中的N型半导体材料的LUMO能级为2eV～4eV。
在其中一个实施例中，所述N型半导体层中的N型半导体材料选自PO-T2T(2,4,6-三[3-(二苯基膦氧基)苯基]-1,3,5-三唑)、TPBi(1,3,5-三(苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)、TmPyPb(3,3’-[5’-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1’:3’1”-三联苯]-3,3”-二基]二吡啶)、Bphen(1,10-邻二氮杂菲)、B3PYMPM(4,6-双(3,5-二(3-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶)和3TPYMB(三[2,4,6-三甲基-3-(3-吡啶基)苯基]硼烷)中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述体异质结层中的N型半导体材料选自F4-TCNQ(2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌)、HATCN(2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲)、MoO3(三氧化钼)和WO3(三氧化钨)中的一种，P型半导体材料选自NPB(4,4’-[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯)、TCTA(三(4-(9咔唑基)苯基)胺)、CBP(4,4’-双(N-二咔唑)-2，2’联苯)、mCP(9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑)、TAPC(4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺])和m-MTDATA(4,4,4-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)中的一种。
在其中一个实施例中，所述N型半导体层的厚度为10nm～50nm，和/或所述体异质结层的厚度为10nm～50nm。
在其中一个实施例中，所述第一电极与所述N型半导体层直接接触；
所述第一电极的材料为低功函数金属或低功函数金属合金，所述低功函数金属或所述低功函数金属合金中的金属选自功函数≤4eV的金属中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述第一电极的材料选自镁、钙、镁银合金和镱银合金中的一种。
本发明另一目的在于提供一种交流驱动的发光器件的制备方法，该方法包括以下步骤：
于基板上形成第一电极；
于所述第一电极上形成发光结构；
于所述发光结构上形成第二电极；
其中，所述发光结构包括N型半导体层、发光层和设于所述N型半导体层和所述发光层之间的体异质结层，所述N型半导体层与所述体异质结层直接接触且能够复合发光。
本发明又一目的在于提供一种发光装置，该发光装置包括上述的发光器件或采用上述制备方法制备得到的发光器件。
进一步地，所述发光装置为照明装置或显示装置。
本发明上述交流驱动的发光器件的工作原理为：在交流电的正半个周期内，体异质结层能够同时产生空穴和电子，其产生的空穴在电场的作用下向发光层运动，电子由第二电极向发光层运动，空穴和电子在发光层中相遇并发生辐射复合，放出光子而发光；同时，因为体异质结层与N型半导体层直接接触，其产生的电子能够被N型半导体层提取并向第一电极方向运动，与第一电极产生的空穴复合，因此，体异质结层中产生的电子能够被及时提取，从而体异质结层可以源源不断地产生空穴并提供给发光层，可实现电荷的有效注入，显著降低发光器件的工作电压，有利于提高发光亮度。
在交流电的负半个周期内，体异质结层中产生的空穴在电场作用下有向第一电极方向运动的趋势，但被N型半导体层的HOMO(最高已占轨道)能级阻挡，累积在N型半导体层和体异质结层的界面且靠近体异质结层的一侧，电子从第一电极运动至N型半导体层，被体异质结层中低的LUMO能级阻挡，累积在N型半导体层和体异质结层的界面靠近N型半导体层的一侧，位于N型半导体LUMO能级处的电子与位于体异质结层中P型半导体材料HOMO能级处的空穴形成能够发光的激基复合物激子，并复合放出光子而发光。
与现有的发光器件相比，本发明上述发光器件既能实现高亮度、低驱动电压，又能利用交流电整个周期的电能；包括上述发光器件的发光装置(显示装置或照明装置)能够提高电能的使用效率。
附图说明
图1为本发明一实施方式交流驱动的发光器件的结构示意图；
图2为本发明一实施方式交流驱动的发光器件能带结构示意图；
图3为本发明交流电正半个周期内发光器件工作原理示意图；
图4为本发明交流电负半个周期内发光器件工作原理示意图；
其中，图3中的(1)表示空穴由体异质结层向发光层运动，(2)表示电子由第二电极向发光层运动，(3)表示体异质结层产生的电子被N型半导体层提取并在第一电极与空穴复合。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述，并给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
如图1所示，本发明一实施方式提供一种交流电驱动的发光器件，包括基板101、设于基板101之上的第一电极102和第二电极108、设置在第一电极102和第二电极108之间的发光层105、设置在第一电极102和发光层105之间的体异质结层104，以及设置在第一电极102和体异质结层104之间的N型半导体层103；N型半导体层103、体异质结层104和发光层105组成发光结构(图未标示)，其中，N型半导体层103与体异质结层104直接接触且能够复合发光。
在体异质结层104中，P型半导体材料和N型半导体材料是充分混合的，体异质结层中的电荷分布于整个活性层，由于P型半导体材料的HOMO能级与N型半导体材料的LUMO能级接近，有利于电荷的产生。而N型半导体层103与体异质结层104在界面处能够构成异质结型的激基复合物激子，可于交流电的负半个周期内复合发光。
上述发光器件具有如图2所示的能带结构，当体异质结层104中的P型半导体材料和N型半导体层103中的N型半导体材料相接触时，在电场的作用下，电子可以克服N型半导体层103中N型半导体与体异质结层104中P型半导体之间的势垒，向第一电极102运动。
如图3所示，在交流电的正半个周期内，第一电极102带正电，第二电极108带负电，体异质结层104能够产生电子和空穴，其中产生的空穴在电场作用下向发光层105运动(1)，电子由第二电极108向发光层105运动(2)，空穴和电子在发光层105中相遇并发生辐射复合，放出光子而发光；同时，体异质结层104中产生的电子被N型半导体层103提取，并向第一电极102(阳极)方向运动(3)，并与第一电极102的空穴复合，由于体异质结层104中产生的电子能够被N型半导体层103及时提取，因此，体异质结层104可以源源不断地产生空穴并提供给发光层，从而可实现电荷的有效注入，显著降低发光器件的工作电压，并有利于提高发光器件的发光亮度。
如图4所示，在交流电的负半个周期内，第一电极102带负电，第二电极108带正电，体异质结层104中产生的空穴在电场作用下有向第一电极102运动的趋势，但是由于N型半导体层103具有较深的HOMO能级，空穴在运动过程中会被N型半导体层103的HOMO能级阻挡而累积在N型半导层103和体异质结层104的界面靠近体异质结层104的一侧；而电子从第一电极102运动至N型半导层103，被体异质结层104中P型半导体材料低的LUMO能级阻挡，累积在N型半导层103和体异质结层104的界面靠近N型半导层103的一侧；因此，位于N型半导层103的LUMO能级处的电子与位于体异质结层104中P型半导体材料HOMO能级处的空穴形成异质结型激基复合物激子，并复合放出光子而发光，实现在交流电负半个周期内的发光。
在本实施例中，体异质结层104中的N半导体材料的LUMO能级≥5eV，N型半导体层103中的N型半导体材料的LUMO能级为2eV～4eV。
在本实施例中，N型半导体层103中的N型半导体材料选自PO-T2T、TPBi、TmPyPb、Bphen、B3PYMPM和3TPYMB中的至少一种。
较优地，N型半导体层103中的N型半导体材料的LUMO能级≥3.5eV。
进一步地，N型半导体层103中的N型半导体材料为PO-T2T。
如此，当第一电极102通正电，第二电极108通负电时，体异质结层104中产生的电子可以经过PO-T2T层转移到第一电极102(即阳极)，减少体异质结层104中的电子浓度，相应地有利于增大空穴浓度，从而有助于得到更大亮度的发光。
在本实施例中，体异质结层104中N型半导体材料选自F4-TCNQ、HATCN、MoO3和WO3中的一种，P型半导体材料选自NPB、TCTA、CBP、mCP、TAPC和m-MTDATA中的一种。
较优地，体异质结层104中的N型半导体材料为F4-TCNQ，P型半导体材料选自NPB、TCTA、CBP和mCP中的一种。即PN结电荷产生层104的物质组合可以为NPB:F4-TCNQ、TCTA:F4-TCNQ、CBP:F4-TCNQ和mCP:F4-TCNQ等。
如此，选择LUMO能级小的N型半导体材料与P型半导体材料搭配组成P:N结，在交流电的正半个周期内有利于体异质结层产生的电子经过N型半导体层向阳极转移。
在本实施例中，PN结电荷产生层104的厚度为10nm～50nm。
在本实施例中，N型半导体层103的厚度为10nm～50nm。
在本实施例中，第一电极102与N型半导体层103直接接触；第一电极102的材料为低功函数金属或低功函数金属合金，所述低功函数金属选自功函数功函数≤4eV的金属中的至少一种。
可以理解的，第一电极102的材料选择与N型半导体层103的材料有关，第一电极102的材料的功函数小于或等于N型半导体层103的材料的LUMO能级，第一电极102与N型半导体层103之间能够构成欧姆接触，在交流电的负半个周期内，有利于电子的注入，降低驱动电压，减少电荷传导的能耗，并提高发光亮度。
进一步地，第一电极102的材料选自Mg、Ca、Mg-Ag合金和Yb-Ag合金中的一种。
在本实施例中，发光层105的材料选自有机发光材料和量子点材料中的一种。
进一步地，有机发光材料包括荧光材料、磷光材料和TADF材料(热激活延迟荧光材料)等。
其中，荧光材料包括DMQA、DBQA、DPVBi等，磷光材料包括Ir(piq)3、Ir(piq)2(acac)、Ir(ppy)3、Ir(ppy)2(acac)等，TADF材料包括PBICT、PIC-TRZ2、DIC-TRZ、DCzTrz、5CzCN等。
进一步地，量子点材料包括CdSe、ZnCdSeS、CdSe/CdS、CdSe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS、ZnCdS/ZnS、ZnCdSeS/ZnS、InP、InP/ZnS、CuInS、AgInS、CuInS/ZnS、AnInS/ZnS、CsPbX3(X为Cl、Br或I)等。
在本实施例中，发光器件还包括第一功能层106，第一功能层设置在第二电极108和发光层105之间。
在本实施实例中，第一功能层106的材料选自有机电子传输材料和无机电子传材料。其中，有机电子传输材料包括TPBi、BCP、Bphen、TmPyPb、B3PYMPM等，无机电子传输材料包括TiO2、ZnO等。
需要说明的是，若发光层105的材料为有机发光材料，则第一功能层106的材料优选为有机电子传输材料；若发光层105的材料为量子点材料，则第一功能层106的材料优选为无机电子传输材料。
在本实施例中，第一功能层106的厚度为10nm～100nm。
在本实施例中，发光器件还包括第二功能层107，第二功能层107设置在第一功能层106和第二电极108之间。
进一步地，第二功能层107的材料选自碱金属盐和低功函数金属中的至少一种。
具体地，碱金属盐包括LiF、NaF、CsF、Cs2CO3等；低功函数金属包括Mg、Mg-Ag合金、Yb等。
在其他实施例中，发光器件还包括第三功能层，第三功能层设置在体异质结层和发光层之间。
进一步地，第三功能层可以是有机空穴传输材料，也可以是无机空穴传输材料。
具体地，有机空穴传输材料选自Poly-TPD、TFB、PVK、TCTA、CBP、NPB和NPD等中的一种；无机空穴传输材料选自NiO和Cu-doped NiO等中的一种。
本发明另一实施方式还提供一种上述发光器件的制备方法，包括以下步骤：
于基板上形成第一电极；
于第一电极上形成发光结构；
于发光结构上形成第二电极；
其中，发光结构包括N型半导体层、发光层和设于N型半导体层和发光层之间的体异质结层，N型半导体层与体异质结层直接接触且能够复合发光。
具体地，上述发光器件的各层可以采用蒸镀法、溶剂法、喷墨印刷、丝网印刷等方法进行制备。比如体异质结层可通过将含有N型半导体材料和P型半导体材料的混合溶液以旋涂、丝网印刷和喷墨打印靠等方式制备，也可通过共同蒸镀的方式获得，还可以通过热处理的方式将真空蒸镀的平面型双层异质结转换为体异质结结构。
可以理解地，发光结构中各层的形成顺序由发光器件的类型决定，比如正置发光器件中，发光结构中各层形成的顺序为N型半导体层、体异质结层和发光层；反之倒置式发光器件中，各层形成的顺序为发光层、体异质结层和N型半导体层。
本发明另一实施方式提供一种发光装置，该发光装置包括上述的发光器件或者采用上述方法制备得到的发光器件。
进一步地，发光装置用于显示或照明，可为显示装置或照明装置。
以下为具体实施例
实施例1一种交流驱动的发光器件的制备方法
(1)在基板上利用蒸镀法沉积Mg-Ag合金，形成第一电极，第一电极的厚度为20nm。
(2)在第一电极上利用蒸镀法沉积PO-T2T，形成N型半导体层，N型半导体层的厚度为30nm。
(3)在N型半导体层上利用蒸镀法共沉积TCTA:F4-TCNQ，形成体异质结层，体异质结层的厚度为30nm。
(4)在体异质结层上利用蒸镀法沉积TCTA作为第三功能层，第三功能层厚度为30nm。
(5)在第三功能层上利用蒸镀法沉积TCTA:DMQA，形成发光层，发光层的厚度为30nm。
(6)在发光层上利用蒸镀法沉积TPBi，形成第一功能层，第一功能层的厚度为30nm。
(7)在第一功能层上利用蒸镀法沉积LiF，形成第二功能层，第二功能层的厚度为1nm。
(8)在第二功能层上利用蒸镀法沉积Al，形成第二电极，第二电极的厚度为120nm。
实施例2一种交流驱动的发光器件的制备方法
(1)在基板上利用蒸镀法沉积Mg:Ag合金，形成第一电极，第一电极的厚度为20nm。
(2)在第一电极上利用蒸镀法沉积PO-T2T，形成n型半导体层，n型半导体层的厚度为30nm。
(3)在n型半导体层上利用蒸镀法共沉积mCP:F4-TCNQ，形成体异质结层，体异质结层的厚度为30nm。
(4)在体异质结层上利用蒸镀法沉积mCP作为第三功能层，第三功能层厚度为30nm。
(5)在第三功能层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS，形成发光层，发光层的厚度为25nm。
(6)在发光层上利用溶液法沉积ZnO，形成第一功能层，第一功能层的厚度为30nm。
(7)在第一功能层上利用蒸镀法沉积Ag，形成第二电极，第二电极的厚度为120nm。
实施例3一种交流驱动的发光器件的制备方法
(1)在基板上利用蒸镀法沉积Mg-Ag合金，形成第一电极，第一电极的厚度为20nm。
(2)在第一电极上利用蒸镀法沉积TmPyPb，形成N型半导体层，N型半导体层的厚度为30nm。
(3)在N型半导体层上利用蒸镀法共沉积TCTA:F4-TCNQ，形成体异质结层，体异质结层的厚度为30nm。
(4)在体异质结层上利用蒸镀法沉积TCTA作为第三功能层，第三功能层厚度为30nm。
(5)在第三功能层上利用蒸镀法沉积TCTA:DMQA，形成发光层，发光层的厚度为30nm。
(6)在发光层上利用蒸镀法沉积TPBi，形成第一功能层，第一功能层的厚度为30nm。
(7)在第一功能层上利用蒸镀法沉积LiF，形成第二功能层，第二功能层的厚度为1nm。
(8)在第二功能层上利用蒸镀法沉积Al，形成第二电极，第二电极的厚度为120nm。
实施例4一种交流驱动的发光器件的制备方法
(1)在基板上利用蒸镀法沉积Tb:Ag合金，形成第一电极，第一电极的厚度为20nm。
(2)在第一电极上利用蒸镀法沉积PO-T2T，形成n型半导体层，n型半导体层的厚度为30nm。
(3)在n型半导体层上利用蒸镀法共沉积mCP:MoO3，形成体异质结层，体异质结层的厚度为30nm。
(4)在体异质结层上利用蒸镀法沉积mCP作为第三功能层，第三功能层厚度为30nm。
(5)在第三功能层上利用溶液法沉积CdSe/ZnS，形成发光层，发光层的厚度为25nm。
(6)在发光层上利用溶液法沉积ZnO，形成第一功能层，第一功能层的厚度为30nm。
(7)在第一功能层上利用蒸镀法沉积Ag，形成第二电极，第二电极的厚度为120nm。
对比例1
对比例1与实施例1基本上同，不同之处在于对比例1无N型半导体层，即体异质结层直接沉积在第一电极上。
性能测试
对实施例1～4制备得到的发光器件和对比例1制备得到的发光器件进行性能测试，结果见下表1。
表1
Figure BDA0002308358390000141
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种交流驱动的发光器件，其特征在于，包括：第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的发光结构；
其中，所述发光结构包括N型半导体层、发光层和设于所述N型半导体层和所述发光层之间的体异质结层，所述N型半导体层与所述体异质结层直接接触且能够复合发光。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述体异质结层中的N型半导体材料的LUMO能级≥5eV，所述N型半导体层中的N型半导体材料的LUMO能级为2eV～4eV。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述N型半导体层中的N型半导体材料选自PO-T2T、TPBi、TmPyPb、Bphen、B3PYMPM和3TPYMB中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述体异质结层中的N型半导体材料选自F4-TCNQ、HATCN、MoO3和WO3中的一种，所述体异质结层中的P型半导体材料选自NPB、TCTA、CBP、mCP、TAPC和m-MTDATA中的一种。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述N型半导体层的厚度为10nm～50nm，和/或
所述体异质结层的厚度为10nm～50nm。
6.根据权利要求1～5任一项所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极与所述N型半导体层直接接触；
所述第一电极的材料为低功函数金属或低功函数金属合金，所述低功函数金属或所述低功函数金属合金中的金属选自功函数≤4eV的金属中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极的材料选自镁、钙、镁银合金和镱银合金中的一种。
8.一种交流驱动的发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
于基板上形成第一电极；
于所述第一电极上形成发光结构；
于所述发光结构上形成第二电极；
其中，所述发光结构包括N型半导体层、发光层和设于所述N型半导体层和所述发光层之间的体异质结层，所述N型半导体层与所述体异质结层直接接触且能够复合发光。
9.一种发光装置，其特征在于，包括权利要求1～7任一项所述的发光器件或采用权利要求8的制备方法制备得到的发光器件。
10.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置为照明装置或显示装置。
CN201911248487.4A 2019-12-09 2019-12-09 交流驱动的发光器件及其制备方法、发光装置 Active CN112331783B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911248487.4A CN112331783B (zh) 2019-12-09 2019-12-09 交流驱动的发光器件及其制备方法、发光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911248487.4A CN112331783B (zh) 2019-12-09 2019-12-09 交流驱动的发光器件及其制备方法、发光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112331783A true CN112331783A (zh) 2021-02-05
CN112331783B CN112331783B (zh) 2023-06-06

Family

ID=74319779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911248487.4A Active CN112331783B (zh) 2019-12-09 2019-12-09 交流驱动的发光器件及其制备方法、发光装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112331783B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015097215A (ja) * 2015-01-21 2015-05-21 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN106098956A (zh) * 2016-07-14 2016-11-09 Tcl集团股份有限公司 一种qled及其制备方法
CN110212101A (zh) * 2018-02-28 2019-09-06 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 发光器件及其显示屏

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015097215A (ja) * 2015-01-21 2015-05-21 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN106098956A (zh) * 2016-07-14 2016-11-09 Tcl集团股份有限公司 一种qled及其制备方法
CN110212101A (zh) * 2018-02-28 2019-09-06 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 发光器件及其显示屏

Also Published As

Publication number Publication date
CN112331783B (zh) 2023-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101447555B (zh) 基于有机半导体异质结电荷产生层作为连接层的叠层有机电致发光器件及制法
Qiu et al. Organic light-emitting diodes with improved hole-electron balance by using copper phthalocyanine/aromatic diamine multiple quantum wells
JP3695714B2 (ja) 有機層を持つ発光素子
CN107256927B (zh) 有机发光器件和显示装置
CN106972111B (zh) 有机发光器件和显示装置
CN107104193B (zh) 复合空穴传输层、led器件结构、应用和制备方法
CN101694849B (zh) 一种有机电致发光叠层器件
CN102439746A (zh) 用于有机电子器件的内部连接器
WO2017000634A1 (zh) 一种串联式有机发光二极管、阵列基板及显示装置
WO2017000635A1 (zh) 一种串联式有机发光二极管、阵列基板及显示装置
CN103227294A (zh) 一种红绿磷光oled器件及其制造方法
Feng et al. High efficiency non-doped white organic light-emitting diodes based on blue exciplex emission
CN110752307A (zh) 发光器件和显示面板
WO2016070503A1 (zh) 单色oled及其制作方法和oled显示面板
CN108963099B (zh) 一种用于有机电致发光元件的组合物及有机电致发光元件
CN108807710A (zh) 非掺杂与掺杂互补白光串联有机电致发光器件及制备方法
CN111564566A (zh) 有机电致发光器件及阵列基板
Matsushima et al. High-current injection and transport on order of kA/cm2 in organic light-emitting diodes having mixed organic/organic heterojunction interfaces
Cai et al. Efficient low-driving-voltage blue phosphorescent homojunction organic light-emitting devices
CN112331783B (zh) 交流驱动的发光器件及其制备方法、发光装置
CN203232913U (zh) 一种红绿磷光有机电致发光器件
CN208655702U (zh) 非掺杂与掺杂互补白光串联有机电致发光器件
CN112331788B (zh) 发光器件及其制作方法
CN111490172B (zh) 发光器件
CN208028089U (zh) 掺杂与非掺杂互补型白光有机电致发光器件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant