CN112331704A - 一种钙钛矿显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于显示器技术领域，公开了一种钙钛矿显示面板及其制备方法，该显示面板的发光显示层同时使用绿光像素化单元材料、红光像素化单元材料和蓝光像素化单元材料，能够在电场驱动下实现RGB显示，其中，绿光像素化单元材料为热蒸镀沉积的绿光卤素钙钛矿，红光像素化单元材料和蓝光像素化单元材料分别为热蒸镀沉积的红光有机发光材料和蓝光有机发光材料。本发明利用热蒸镀沉积的绿光卤素钙钛矿作为绿光像素化单元材料，并与热蒸镀沉积的红光有机发光材料和蓝光有机发光材料相配合，得到的钙钛矿显示面板能够在电场驱动下实现RGB显示，能够有效扩宽现有OLED显示面板光谱色域的宽度，提升显示色彩的饱和度和多样性。
Description
技术领域
本发明属于显示器技术领域，更具体地，涉及一种钙钛矿显示面板及其制备方法。
背景技术
现有市售的显示面板主要有液晶显示面板和有机发光二极管面板(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)。其中，对液晶显示面板来说，色域宽度仅受背光源的光谱特性和滤色片的透光频谱峰值限制，通常可达72％-75％National Television StandardsCommittee(NTSC)。对OLED显示面板来说，由于有机发光材料的多样性以及其有源发光的特性，色域宽度可以提升至110％NTSC。但受限于有机材料的结晶度不够，发光光谱的半峰宽通常较宽(30-50nm)，导致显示的色域宽度不能进一步提升，难以满足消费者日益增长的显示质量需求。同时OLED显示面板绿光光源主要采用有机材料作为发光层，发光原理为主客体发光，由于有机材料的热稳定性差，不耐潮，其器件难以耐受高工作电流，易老化，故长时间工作后的有机显示屏会出现色彩偏移，需要通过后期算法来补偿色彩平衡。
钙钛矿材料具有体缺陷密度低、发光量子效率高、色纯度高(光谱半峰宽窄)、使用寿命长等优良光电性质，使得基于钙钛矿材料作为发光层的钙钛矿发光二极管(Perovskite Light-Emitting Diode，PeLED)在照明与显示领域具有巨大的研究价值和广泛的应用前景，做得最好的绿光PeLED外量子效率已突破20％，接近商业化的标准。但是目前钙钛矿绿色显示发光二极管主要通过溶液旋涂的办法制备得到，难以与现有的OLED生产技术相兼容。同时钙钛矿绿光材料微像素化后，比表面积增大，表面缺陷(悬挂键)增多，容易导致钙钛矿绿光材料荧光产率降低，稳定性下降。因此，钙钛矿绿光材料与现有OLED产线兼容的工艺路径与技术有待于开发与完善。
发明内容
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明的目的在于提供一种钙钛矿显示面板及其制备方法，利用热蒸镀沉积的绿光卤素钙钛矿作为绿光像素化单元材料，并与热蒸镀沉积的红光有机发光材料和蓝光有机发光材料相配合，得到的钙钛矿显示面板能够在电场驱动下实现RGB显示，能够有效解决现有技术由于以有机物作为绿光发光材料，而有机物色纯度低、稳定性差、易老化容易导致绿光色彩暗淡与失真的技术问题，扩宽现有OLED显示面板光谱色域的宽度，提升显示色彩的饱和度和多样性。通过CIE坐标初步计算，将色纯度更高的绿光钙钛矿发光材料替换现有OLED显示面板中的绿光有机发光材料，色域宽度可提升至140％NTSC。并且，由于使用热蒸镀沉积绿光卤素钙钛矿，还能够实现与现有OLED生产技术的兼容。
为实现上述目的，按照本发明的一个方面，提供了一种钙钛矿显示面板，自上而下包括半透明电极层、第一功能层、发光显示层、第二功能层、反射层以及驱动电路层，其特征在于，所述发光显示层同时使用有绿光像素化单元材料、红光像素化单元材料和蓝光像素化单元材料，能够在电场驱动下实现RGB显示，其中，所述绿光像素化单元材料为热蒸镀沉积的绿光卤素钙钛矿，所述红光像素化单元材料和所述蓝光像素化单元材料分别为热蒸镀沉积的红光有机发光材料和蓝光有机发光材料；
所述第一功能层和所述第二功能层中的一者为电子传输层，另一者为空穴传输层；所述第一功能层和所述第二功能层用于在电场作用下将电子或空穴注入到所述发光显示层，并调节电子和空穴的注入平衡；
所述半透明电极层用于连接外部电源及用于出光；
所述反射层用于全反射所述发光显示层产生的光子；
所述驱动电路层用于连接外部电源并提供驱动电源。
作为本发明的进一步优选，所述绿光像素化单元材料为金属溴化物A钝化CsnPblBrk对应形成的材料，其中，CsnPblBrk为绿光卤素钙钛矿材料的化学式，n、l、k均为大于0的实数，l≤n≤2l，k＝n+2l；并且，所述金属溴化物A沉积在由所述绿光卤素钙钛矿材料构成的绿光发光层上形成钝化层，记所述钝化层的厚度为m，所述绿光发光层的厚度为j，则，0＜m＜0.2j；
所述绿光像素化单元材料的制备是先通过CsBr和PbBr2二元共蒸的方式得到绿光材料CsnPblBrk，再在CsnPblBrk的表面蒸镀沉积作为第三元材料的金属溴化物A，由此钝化CsnPblBrk表面的悬挂键，得到绿光像素化单元材料；
优选的，A选自CdBr2、RbBr、KBr、LiBr、CuBr和NaBr。
作为本发明的进一步优选，所述绿光像素化单元材料的光谱半峰宽15～20nm。
作为本发明的进一步优选，所述红光有机发光材料选自红荧烯、PTPP、DCJTB以及Tz-Gl；
所述蓝光有机发光材料选自蒽、TMTPEPA、BDPAS、Balq、DPVBi以及v-DABNA。
作为本发明的进一步优选，所述发光显示层是通过先热蒸镀沉积绿光卤素钙钛矿，再热蒸镀沉积红光有机发光材料和蓝光有机发光材料，从而制备形成的。
作为本发明的进一步优选，所述电子传输层通过磁控溅射沉积形成，是采用磁控溅射沉积的ZnO、ZnMgO、TiO2、SnO中的一种或多种无机材料；所述空穴传输层通过磁控溅射沉积形成，是采用磁控溅射沉积的NiOx、CuGaO2、WO3和Zn1-ySiyO中的一种或多种无机材料，所述NiOx中x为满足1≤x≤1.5的实数，所述Zn1-ySiyO中y为满足0＜y＜1的实数。
作为本发明的进一步优选，所述透明电极层为可见光区域透光的导电膜层，用于出光显示；
所述反射层为反光导电膜层，其导电功能优选是通过在上表面和下表面设置上下两层透明导电层实现的。
作为本发明的进一步优选，所述驱动电路层为光刻的CMOS芯片或多晶硅TFT芯片。
按照本发明的另一方面，本发明提供了上述钙钛矿显示面板的制备方法，其特征在于，该钙钛矿显示面板中发光显示层的制备，是先热蒸镀沉积绿光卤素钙钛矿，再热蒸镀沉积红光有机发光材料和蓝光有机发光材料，由此得到发光显示层。
作为本发明的进一步优选，所述热蒸镀沉积绿光卤素钙钛矿，是先通过CsBr和PbBr2二元共蒸的方式得到绿光材料CsnPblBrk，再在CsnPblBrk的表面蒸镀沉积作为第三元材料的金属溴化物A，由此钝化CsnPblBrk表面的悬挂键，完成绿光卤素钙钛矿的沉积。
通过本发明所构思的以上技术方案，与现有技术相比，本发明提供的钙钛矿显示面板与现有市售OLED显示面板相比，能够解决绿光色纯度不高导致的色彩暗淡问题，提高图像的色彩显示质量。本发明使用热蒸镀沉积的绿光卤素钙钛矿作为绿光像素化单元材料，将绿光钙钛矿发光材料作为显示面板的绿光像素单元，能够扩宽面板色域的宽度，提升面板的色彩显示质量。
本发明使用热蒸镀沉积绿光卤素钙钛矿，还能够实现与现有OLED生产技术的兼容。钙钛矿显示面板中发光显示层内的红光有机发光材料和蓝光有机发光材料均可通过热蒸镀沉积，能够与绿光卤素钙钛矿的制备工艺相兼容。基于本发明，为避免蒸镀时不同发光颜色材料之间的相互污染，尤其可以采用先蒸熔沸点高的绿光钙钛矿材料，再蒸镀熔沸点较低的红、蓝光有机小分子材料，以实现发光显示层的制备，工艺兼容性好。
并且，本发明中钙钛矿像素单元表面可优选沉积一层金属溴化物，能够钝化钙钛矿像素单元表面大量空位缺陷(悬挂键)，抑制非辐射复合速率，提升显示器件的发光效率和响应速度。也就是说，本发明中绿光像素化单元材料可描述为(A)m(CsnPblBrk)j，其中CsnPblBrk为绿光发光层的化学式，n、l、k均为大于0的实数，且l≤n≤2l，k＝n+2l，A为金属溴化物钝化层，m、j分别对应钝化层和CsnPblBrk发光层的沉积厚度，两者优选满足0＜m＜0.2j。金属溴化物A能够起到钝化钙钛矿主体材料CsnPblBrk的作用，抑制非辐射复合速率，提升显示器件的发光效率和响应速度；而且，相比于现有技术中常用的有机胺钝化剂如苯乙胺、奈甲胺等，本发明所用金属溴化物熔沸点更高，热稳定性好，同时拥有更高的饱和蒸汽压，蒸镀速率稳定，易于工艺控制，金属溴化物A与钙钛矿材料CsnPblBrk的厚度比可优选控制为m：j<0.2。由金属溴化物钝化CsnPblBrk对应得到的绿光钙钛矿材料，绿光像素单元的色纯度高，光谱半峰宽15～20nm。在制备时，可以先通过CsBr和PbBr2二元共蒸的办法得到绿光材料CsnPblBrk，再在CsnPblBrk的表面蒸镀沉积第三元材料金属溴化物，钝化CsnPblBrk像素单元表面的悬挂键。发光显示层的绿光像素单元材料为热蒸镀沉积的卤素钙钛矿薄膜，平整、致密的同时具有高的热稳定性；另外，卤素钙钛矿具有低的缺陷态密度和刚性的晶体结构，其发光效率高，光谱半峰宽窄，色纯度高。
另外，本发明优选采用磁控溅射的无机传输层ZnO、ZnMgO、TiO2、SnO、NiOx、CuGaO2、WO3、Zn1-ySiyO等作为电子传输层和空穴传输层，能够进一步提升面板显示亮度，并增强器件的工作稳定性。相较于OLED现有技术中的传统有机电子传输层TPBi、Bphen或空穴传输层TCTA、TAPC等，由于有机材料的低载流子迁移率限制(10-6～10-3cm2/V/s)，注入电流密度较低导致得到的最终面板显示亮度比较低(开口率16％，白光亮度＜100cd/m2)，正是考虑到这一点，本发明优选采用无机材料替换传统有机材料，这些无机材料的载流子迁移率更高(10-2～100cm2/V/s)，且热稳定性更好，得到了用磁控溅射的无机传输层ZnO、ZnMgO、TiO2、SnO、NiOx、CuGaO2、WO3、Zn1-ySiyO等替换原有的低迁移率有机传输层的新型全无机发光结构，发光效率更高：这一优选的全反射电极/无机功能层/无机发光层/无机功能层/半透明金属电极显示面板结构，提升面板显示亮度的同时增强了器件的工作稳定性。以磁控溅射NiOx为例，本发明磁控溅射(如在只通入氩气条件下，压强控制在2.7Pa，100W功率磁控溅射)得到的NiOx薄膜载流子迁移率为0.62cm2/V/s，远大于常见有机传输材料TPBi的载流子迁移率(10-6～10-4cm2/V/s)。
此外，考虑到第一功能层和第二功能层是红、绿、蓝三色显示单元的共有层，在三色像素单元中逐一蒸镀工艺复杂，浪费原料；如图1所示，本发明通过计算功能层中的载流子横向扩散距离范围：
①横向扩散极小的情况(纵向电场大，漂移时间很短)
假定功能层厚度d为100纳米，承载压降为1V，功能层迁移率为μ；
则电场强度F为10V/100nm，漂移时间t为d/Fμ
已知扩散系数D＝kT/μe，扩散距离s2＝4Dt，求得扩散距离s为10nm
②横向扩散极大的情况(纵向电场极小，载流子湮灭在功能层中)
取发光材料载流子的寿命为100纳秒，前面提到无机功能层迁移率
μ的范围10-2cm2/V/s≤μ≤10cm2/V/s；
计算得到最大扩散距离范围为10nm≤s≤1um
可见，不论是上述哪种情况，扩散距离远小于现有技术中像素单元的尺寸(50微米)，证明了横向载流子扩散不会影响显示面板的三色分辨率。因此本发明简化工艺，采用共同的第一和第二功能层，节省了大量的原料与时间成本。
综上，本发明通过热蒸镀沉积绿光卤素钙钛矿像素化单元，得到色纯度高(半峰宽窄)的绿光，扩宽色域宽度，提升了面板的色彩显示质量；同时优选在钙钛矿材料像素单元表面沉积了一层金属溴化物，钝化了其大量的表面缺陷，抑制了非辐射复合速率，得到的显示器件发光效率高、响应速率快。
附图说明
图1为本发明对功能层中载流子横向扩散距离计算的模型。
图2为本发明实施例提供的一种钙钛矿显示面板的结构示意图。
图3为本发明实施例提供的(LiBr)5(CsPbBr3)50绿光显示单元的电致发光光谱图；其中，(LiBr)5(CsPbBr3)50代表由LiBr钝化CsPbBr3对应形成的绿光像素化单元材料，LiBr层作为钝化层沉积在CsPbBr3层上，LiBr层的厚度为5(单位：纳米)，CsPbBr3层的厚度为50(单位：纳米)，下同。
图4为本发明实施例提供的(LiBr)5(CsPbBr3)50绿光显示单元光谱的CIE坐标图。
图5为本发明实施例提供的(LiBr)5(CsPbBr3)50绿光显示单元的结构概念图。
图6为本发明一种钙钛矿显示面板的制备方法较佳实施例的流程图。
图5中各附图标记的含义如下：1为钝化层，2为发光层(即，共蒸CsPbBr3绿光发光单元)。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
本发明中的钙钛矿显示面板，如图2所示，所述钙钛矿显示面板从上至下依次包括半透明电极层、第一功能层、发光显示层、第二功能层、反射层以及驱动电路层；
其中，发光显示层的绿光像素化单元材料为卤素钙钛矿，红、蓝光像素化单元材料为有机发光材料；
第一功能层和第二功能层均用于将电子或空穴局域在发光层，并调节电子和空穴的注入平衡；
半透明电极层用于出光，同时是导电薄膜，连接外部电源与第一功能层的电流。
反射层用于全反射发光显示层产生的光子，同时是导电薄膜，连接第二功能层与驱动电路层的电流。
驱动电路层用于结合驱动程序，控制整个显示面板的动画效果，连接外部电源与反射层的电流。
其中，发光显示层的绿光像素单元材料可以为热蒸镀沉积的卤素钙钛矿，且优选为金属溴化物钝化绿光卤素钙钛矿材料所对应形成的材料，蓝光和红光像素单元材料为热蒸镀沉积的有机发光材料；如图3所示，相比于传统的OLED有机绿光材料Alq3，热蒸镀沉积的绿光像素单元材料(LiBr)5(CsPbBr3)50电致发光光谱色纯度更高(半峰宽更窄～18nm)。光谱对应的CIE坐标如图4所示，能够实现更宽广的色域，能够解决现有市售OLED显示面板绿光色纯度不高导致的色彩暗淡问题，提高图像的色彩显示质量。
本发明中使用的卤素钙钛矿绿光像素单元可以描述为(A)m(CsnPblBrk)j；其中，CsnPblBrk为绿光发光层的化学式，A为金属溴化物钝化层(A除了可以是LiBr外，还采用CdBr2、RbBr、KBr、CuBr、NaBr等)，m、j为钝化层和绿色发光层之间的沉积厚度(m、j的单位可以为纳米)，m、n、l、k、j均为大于0的实数，并且，0＜m＜0.2j，l≤n≤2l，k＝n+2l；
以绿光像素单元材料(LiBr)5(CsPbBr3)50为例，图5是具体实施例中的结构概念图，发光层2是沉积在第二功能层上的共蒸CsPbBr3绿光发光单元，由于CsPbBr3绿光发光单元的尺寸微小(1～100um)，比表面积大，晶体表面存在很多空位缺陷(悬挂键)。钝化层1是在CsPbBr3绿光发光单元2上再沉积的一层金属溴化物LiBr(当然，还可以采用CdBr2、RbBr、KBr、CuBr、NaBr等作为金属溴化物)，其作用是消灭CsPbBr3绿光发光单元2表面多余的悬挂键，钝化晶界，提升整体的发光效率。
另一方面，由于发光显示层采用热蒸镀沉积制备所得，在制备过程中，可以参照现有技术，通过控制蒸镀速度、蒸镀厚度或退火温度、退火时间等参数，来控制发光材料的结晶性和光电性质。同时蒸镀顺序可设置为先蒸熔沸点高的绿光钙钛矿材料，再依次蒸镀熔沸点较低的红、蓝光有机材料。可以采用现有技术中已知的红光有机发光材料、蓝光有机发光材料，例如，红光有机材料可选自红荧烯、PTPP、DCJTB以及Tz-Gl，蓝光有机发光材料可选自蒽、TMTPEPA、BDPAS、Balq、DPVBi以及v-DABNA。
由上可知，本发明中的发光层材料具有荧光产率高，发光强，峰位合适，半峰宽窄等优点。
本发明中显示面板内的各层结构，未详细论述的，均可参照现有技术进行制备；半透明电极层、第一功能层、第二功能层、反射层、驱动电路层等中所使用的材料，除示例的外，也可以采用现有技术中具有相似功能的其他材料。例如：
本发明所述第一功能层和第二功能层材料为电子传输层和空穴传输层(或者，可以是空穴传输层和电子传输层)，电子传输层的材料可优选选自但不限于磁控溅射沉积的ZnO、ZnMgO、TiO2、SnO中的一种或多种无机材料，空穴传输层的材料可优选选自但不限于磁控溅射沉积的NiOx、CuGaO2、WO3、Zn1-ySiyO中的一种或多种无机材料，所述NiOx中x为满足1≤x≤1.5的实数，所述Zn1-ySiyO中y为满足0＜y＜1的实数。磁控溅射工艺所采用的具体参数条件，可参考现有技术进行设置。当然，根据实际需要，也可以使用其他现有技术中已知的有机空穴传输材料和有机电子传输材料，只是此时面板显示亮度在同等条件下会变低，热稳定性也会有所下降。
本发明所述半透明电极层为在可见光区域透光的导电膜层，用于出光显示，可选自但不限于LiF/Al、LiF/Ag等薄层金属电极结构或LiF/ITO、LiF/IZO等导电金属氧化物电极结构。
本发明所述反射层包括一层热蒸镀或溅射金属得到的高反射率导电薄膜，金属材料可选自但不限于Al、Ag或Au等高导电金属材料，同时反射层还包括两层透明导电层，用以在反射层与驱动电路层和第二功能层之间导通电流，透明导电层可选自但不限于ITO、IZO或AZO中的一种。
本发明所述驱动电路层为光刻的CMOS或多晶硅TFT芯片，结合对应的软件驱动程序可在面板上设计呈现动画效果。
本发明在完成上述钙钛矿显示面板的制作后，可将钙钛矿显示面板进行手工或机械封装。
实施例1
本实施例中钙钛矿显示面板制备方法，如图6所示，包括以下步骤：
步骤A、在像素化的驱动电路芯片上依次制作反射层、第二功能层、发光显示层、第一功能层、半透明导电层；具体地，在蒸镀或溅射第二功能层之前，先清洗、干燥基板，再通过现有技术中光学对焦的办法，将掩模版对准TFT或CMOS芯片进行精细贴合，精准沉积后续各功能层。
步骤B、按蒸发温度从高到低的顺序蒸镀沉积RGB三基色像素单元；具体地，先在绿光像素单元对应的位置以
的相同蒸镀速率共蒸CsBr和PbBr2，沉积得到50nm厚度的绿光钙钛矿CsPbBr3，再在其表面沉积一层5nm厚度的LiBr金属溴化物钝化层以提升荧光效率，随后在相应的像素位置以
的蒸镀速率依次沉积50nm厚度的蓝光材料DPVBi和50nm厚度的红光材料红荧烯。
步骤C、将钙钛矿显示面板进行手工或机械封装。
实施例2
步骤A、在像素化的驱动电路芯片上依次制作反射层、第二功能层、发光显示层、第一功能层、半透明导电层；具体地，在蒸镀或溅射第二功能层之前，先清洗、干燥基板，再通过现有技术中光学对焦的办法，将掩模版对准TFT或CMOS芯片进行精细贴合，精准沉积后续各功能层。
步骤B、按蒸发温度从高到低的顺序蒸镀沉积RGB三基色像素单元；具体地，先在绿光像素单元对应的位置分别以
和
的蒸镀速率共蒸CsBr和PbBr2，沉积得到50nm厚度的绿光钙钛矿Cs2PbBr4；相比于CsPbBr3，Cs2PbBr4多的CsBr会自发的分布在CsPbBr3周围，更大带隙的CsBr会使得载流子限域在CsPbBr3发光中心，获得更高的辐射发光效率以及更窄的半峰宽(另外，超过2:1的Cs/Pb比会使得载流子难以注入到发光单元中，从而器件电学性能下降)；再在其表面沉积一层5nm厚度的LiBr金属溴化物钝化层进一步提升发光效率，随后在相应的像素位置以
的蒸镀速率依次沉积50nm厚度的蓝光材料DPVBi和50nm厚度的红光材料红荧烯。
步骤C、将钙钛矿显示面板进行手工或机械封装。
实施例3
步骤A、在像素化的驱动电路芯片上依次制作反射层、第二功能层、发光显示层、第一功能层、半透明导电层；具体地，在蒸镀或溅射第二功能层之前，先清洗、干燥基板，再通过现有技术中光学对焦的办法，将掩模版对准TFT或CMOS芯片进行精细贴合，精准沉积后续各功能层。
步骤B、按蒸发温度从高到低的顺序蒸镀沉积RGB三基色像素单元；具体地，先在绿光像素单元对应的位置分别以
和
的蒸镀速率共蒸CsBr和PbBr2，沉积得到50nm厚度的绿光钙钛矿Cs2PbBr4；相比于CsPbBr3，Cs2PbBr4多的CsBr会自发的分布在CsPbBr3周围，更大带隙的CsBr会使得载流子被限域在CsPbBr3发光中心，获得更高的辐射发光效率以及更窄的半峰宽；再在其表面沉积一层10nm的LiBr金属溴化物钝化层进一步提升发光效率，更厚的LiBr钝化层可以更好的降低发光单元的缺陷密度，提升荧光效率，但超过10nm的厚度会使得载流子难以注入到发光单元中，使得器件电学性能下降；随后在相应的像素位置以
的蒸镀速率依次沉积50nm厚度的蓝光材料DPVBi和50nm厚度的红光材料红荧烯。
步骤C、将钙钛矿显示面板进行手工或机械封装。
本发明中的像素单元(也即，像素化单元)，其尺寸可以是现有技术中通常使用的50微米，当然也适用于不小于10微米的其他尺寸。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种钙钛矿显示面板，自上而下包括半透明电极层、第一功能层、发光显示层、第二功能层、反射层以及驱动电路层，其特征在于，所述发光显示层同时使用有绿光像素化单元材料、红光像素化单元材料和蓝光像素化单元材料，能够在电场驱动下实现RGB显示，其中，所述绿光像素化单元材料为热蒸镀沉积的绿光卤素钙钛矿，所述红光像素化单元材料和所述蓝光像素化单元材料分别为热蒸镀沉积的红光有机发光材料和蓝光有机发光材料；
所述第一功能层和所述第二功能层中的一者为电子传输层，另一者为空穴传输层；所述第一功能层和所述第二功能层用于在电场作用下将电子或空穴注入到所述发光显示层，并调节电子和空穴的注入平衡；
所述半透明电极层用于连接外部电源及用于出光；
所述反射层用于全反射所述发光显示层产生的光子；
所述驱动电路层用于连接外部电源并提供驱动电源。
2.如所述权利要求1所述钙钛矿显示面板，其特征在于，所述绿光像素化单元材料为金属溴化物A钝化CsnPblBrk对应形成的材料，其中，CsnPblBrk为绿光卤素钙钛矿材料的化学式，n、l、k均为大于0的实数，l≤n≤2l，k＝n+2l；并且，所述金属溴化物A沉积在由所述绿光卤素钙钛矿材料构成的绿光发光层上形成钝化层，记所述钝化层的厚度为m，所述绿光发光层的厚度为j，则，0＜m＜0.2j；
所述绿光像素化单元材料的制备是先通过CsBr和PbBr2二元共蒸的方式得到绿光材料CsnPblBrk，再在CsnPblBrk的表面蒸镀沉积作为第三元材料的金属溴化物A，由此钝化CsnPblBrk表面的悬挂键，得到绿光像素化单元材料；
优选的，A选自CdBr2、RbBr、KBr、LiBr、CuBr和NaBr。
3.如所述权利要求1所述钙钛矿显示面板，其特征在于，所述绿光像素化单元材料的光谱半峰宽15～20nm。
4.如所述权利要求1所述钙钛矿显示面板，其特征在于，所述红光有机发光材料选自红荧烯、PTPP、DCJTB以及Tz-Gl；
所述蓝光有机发光材料选自蒽、TMTPEPA、BDPAS、Balq、DPVBi以及v-DABNA。
5.如所述权利要求1所述钙钛矿显示面板，其特征在于，所述发光显示层是通过先热蒸镀沉积绿光卤素钙钛矿，再热蒸镀沉积红光有机发光材料和蓝光有机发光材料，从而制备形成的。
6.如所述权利要求1所述钙钛矿显示面板，其特征在于，所述电子传输层通过磁控溅射沉积形成，是采用磁控溅射沉积的ZnO、ZnMgO、TiO2、SnO中的一种或多种无机材料；所述空穴传输层通过磁控溅射沉积形成，是采用磁控溅射沉积的NiOx、CuGaO2、WO3和Zn1-ySiyO中的一种或多种无机材料，所述NiOx中x为满足1≤x≤1.5的实数，所述Zn1-ySiyO中y为满足0＜y＜1的实数。
7.如所述权利要求1所述钙钛矿显示面板，其特征在于，所述透明电极层为可见光区域透光的导电膜层，用于出光显示；
所述反射层为反光导电膜层，其导电功能优选是通过在上表面和下表面设置上下两层透明导电层实现的。
8.如所述权利要求1所述钙钛矿显示面板，其特征在于，所述驱动电路层为光刻的CMOS芯片或多晶硅TFT芯片。
9.如权利要求1至8任意一项所述钙钛矿显示面板的制备方法，其特征在于，该钙钛矿显示面板中发光显示层的制备，是先热蒸镀沉积绿光卤素钙钛矿，再热蒸镀沉积红光有机发光材料和蓝光有机发光材料，由此得到发光显示层。
10.如所述权利要求9所述制备方法，其特征在于，所述热蒸镀沉积绿光卤素钙钛矿，是先通过CsBr和PbBr2二元共蒸的方式得到绿光材料CsnPblBrk，再在CsnPblBrk的表面蒸镀沉积作为第三元材料的金属溴化物A，由此钝化CsnPblBrk表面的悬挂键，完成绿光卤素钙钛矿的沉积。
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