CN112313506A - 具有多个测量通道的x射线荧光分析仪和用于执行x射线荧光分析的方法 - Google Patents

具有多个测量通道的x射线荧光分析仪和用于执行x射线荧光分析的方法 Download PDF

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Abstract

一种X射线荧光分析仪，其包括用于沿第一光轴(204)的方向发射入射X射线(206)的X射线管(402)。浆料处理单元(201)被配置成维持浆料的样品(202)与所述X射线管之间的恒定距离。第一晶体衍射仪(601、1501)相对于所述浆料处理单元(201)沿第一方向定位。其包括第一晶体(603、1502)和第一辐射检测器(602、1505)，该第一辐射检测器被配置成以第一能量分辨率检测由所述第一晶体(603、1502)衍射的荧光X射线。第二晶体衍射仪(1511)相对于所述浆料处理单元(201)沿第二方向定位。其包括第二晶体(1512)和第二辐射检测器(1515)，该第二辐射检测器被配置成以第二能量分辨率检测由所述第二晶体(1512)衍射的荧光X射线。所述第一晶体(603、1502)是热解石墨晶体，所述第二晶体(1512)包括热解石墨以外的材料，并且所述第一晶体衍射仪和所述第二晶体衍射仪被配置成将相同元素的特征荧光辐射导向至其相应的辐射检测器。

Description

具有多个测量通道的X射线荧光分析仪和用于执行X射线荧光 分析的方法
技术领域
本发明涉及X射线荧光分析技术领域。具体地，本发明涉及在存在显著背景辐射和/或来自其他元素的荧光辐射的情况下检测来自感兴趣元素的相对少量的荧光辐射的任务。
背景技术
X射线荧光分析可用于检测感兴趣元素在其他元素基质中的存在并测量其浓度。例如，在采矿工业中，了解样品中是否存在感兴趣的矿物或金属以及其中的数量是重要的。为了可在工业过程中应用，X射线荧光分析方法即使在相对较短的曝光时间内也应该是相当精确的，并且可以用坚固且机械可靠的测量装置来实现。
X射线荧光分析在采矿工业中的一个具体应用是对浆料中感兴趣元素进行分析。根据定义，浆料是破碎和研磨后的矿石的细的、固体颗粒的水基悬浮液，其中固体颗粒的干重小于样品的总质量的90％，通常为20％-80％。样品呈浆料的形式，这一事实对样品处理提出了特殊的要求。例如，有利的是维持样品的流动为湍流，从而使样品的组成保持均匀混合，并且各组分(fraction，馏分)不会彼此分离。同时，测量几何结构(measurementgeometry)应尽可能保持恒定，以便不会在测量结果中导致不希望的基于几何结构的变化。
浆料中感兴趣元素的浓度通常非常低。例如铜、锌、铅和钼需要在如0.01％或更低的浓度下测量，而要测量的金的浓度可能仅为大约几ppm，如1ppm-5ppm。如此低的浓度使得测量变得困难，因为来自感兴趣元素的荧光辐射的强度非常低，这不可避免地增加了统计误差的影响。当该强度与所涉及的其他辐射强度(如来自其他不感兴趣元素的荧光辐射)相比较低时，与相邻峰的重叠会引发问题。不能将测量时间定为任意长度，因为浆料作为来自精炼过程的连续流而到来的，并且是过程中发生的重要在线指标。X射线荧光测量应该是足够快的以检测浆料成分中的趋势性变化，使得测量结果能够用于实时控制精炼过程。
发明内容
本发明的一个目的提供一种在苛刻的工业条件下对浆料中的小浓度元素执行精确且可靠的X射线荧光分析的设备和方法。本发明的另一个目的是提供能够适应不同种类样品和不同种类条件的这种设备和方法。
上述和其他目的是通过使用至少两个晶体衍射仪以及其各自的检测相同元素的特征荧光辐射的检测器来实现的，使得其中一个晶体衍射仪包含热解石墨晶体。
根据第一方面，提供了一种X射线荧光分析仪。该X射线荧光分析仪包括X射线管和浆料处理单元，该X射线管用于沿第一光轴的方向发射入射X射线，该浆料处理单元被配置成在所述第一光轴的方向上维持浆料样品与所述X射线管之间的恒定距离。X射线荧光分析仪包括相对于所述浆料处理单元沿第一方向定位的第一晶体衍射仪，所述第一晶体衍射仪包括第一晶体。X射线荧光分析仪包括第一辐射检测器，该第一辐射检测器被配置成以第一能量分辨率检测由所述第一晶体衍射的荧光X射线。X射线荧光分析仪包括相对于所述浆料处理单元沿第二方向定位的第二晶体衍射仪，所述第二晶体衍射仪包括第二晶体。X射线荧光分析仪包括第二辐射检测器，该第二辐射检测器被配置成以第二能量分辨率检测由所述第二晶体衍射的荧光X射线。所述第一晶体是热解石墨晶体，所述第二晶体包括热解石墨以外的材料。所述第一晶体衍射仪和所述第二晶体衍射仪被配置成将相同元素的特征荧光辐射导向至它们相应的辐射检测器。
在第一方面的可能实施方式中，所述第二晶体是以下之一：二氧化硅晶体、氟化锂晶体、磷酸二氢铵晶体、邻苯二甲酸氢钾晶体。其优点在于：利用第二晶体可以获得尖锐波长色散衍射(sharp wavelength dispersive diffraction)。
在第一方面的可能实施方式中，在5.9keV的参考能量下，所述第一分辨率优于300eV。其优点在于：检测器可以在热解石墨晶体通过的相对较宽的波长范围内提供精确的能量色散检测。
在第一方面的可能实施方式中，所述第一辐射检测器是以下之一：PIN二极管检测器、硅漂移检测器、锗检测器、锗漂移检测器。其优点在于：第一辐射检测器可以将精确和可靠的操作与紧凑的尺寸和坚固的整体外观相结合。
在第一方面的可能实施方式中，所述第二辐射检测器是充气正比计数器(gas-filled proportional counter)。其优点在于：能够以相对较低的制造成本来实现相对较好的检测效率。
在第一方面的可能实施方式中，所述元素是金。其优点在于：即使相对有价值的元素的浓度非常低也能被检测到。
在第一方面的可能实施方式中，所述浆料处理单元被配置成在面向所述X射线管的一侧维持所述浆料样品的平直表面，所述第一光轴与所述平直表面成倾斜角度，所述第一晶体衍射仪围绕所述第一光轴以那种旋转角度定位，在该旋转角度下，所述样品的所述平直表面覆盖第一晶体衍射仪的视场的最大部分，并且所述第二晶体衍射仪围绕所述第一光轴以另一旋转角度定位。其优点在于：可以从尽可能大的空间角度将荧光辐射收集到第一晶体衍射仪。
在第一方面的可能实施方式中，所述浆料处理单元被配置成在面向所述X射线管的一侧维持所述浆料样品的平直表面，并且所述第一光轴垂直于所述平直表面。其优点在于：可以围绕X射线管对称地放置多个测量通道。
在第一方面的可能实施方式中，所述X射线管的输入功率额定值为至少400瓦。其优点在于：可以产生相对大量的荧光辐射。
在第一方面的可能实施方式中，所述X射线管的输入功率额定值为至少1千瓦，优选至少2千瓦，更优选至少4千瓦。其优点在于：可以产生更大量的荧光辐射。
在第一方面的可能实施方式中，所述X射线管和所述浆料处理单元之间的光路是直接的(direct)，其间没有衍射仪。其优点在于：可以利用很大比例的初始入射辐射，并且X射线管可以被放置得非常靠近样品。
在第一方面的可能实施方式中，X射线管包括用于产生所述入射X射线的阳极，并且所述浆料处理单元被配置成在所述浆料样品和所述阳极之间保持短于50mm，优选短于40mm并且更优选短于30mm的最短线性距离。其优点在于：可以利用很大比例的初始入射辐射。
在第一方面的可能实施方式中，所述X射线管是端窗类型(end window type)的X射线管。其优点在于：可以实现X射线管和样品之间的短距离，同时为检测通道留出足够的空间。
在第一方面的可能实施方式中，所述热解石墨晶体的衍射表面是以下之一：在一个方向上弯曲的单连通表面(simply connected surface，简单连通表面)；在两个方向上弯曲的单连通表面；非单连通的旋转对称表面。其优点在于：为每种应用选择晶体的最有利的形式。
在第一方面的可能实施方式中，X射线荧光分析仪包括：分析仪本体；所述分析仪本体的前壁；所述前壁中的开口；以及保持器，用于将所述浆料处理单元可移除地保持为抵靠所述前壁的外侧，并与所述前壁中的所述开口对准。其优点在于：浆料处理单元易于移除以供维修。
在第一方面的可能实施方式中，所述X射线管和所述第一晶体衍射仪都在所述分析仪本体内部，在所述前壁的同一侧。其优点在于：结构是坚固的，可以获得良好的保护，防止意外照射(irradiating)任何东西。
在第一方面的可能实施方式中，X射线荧光分析仪包括在所述X射线管和所述浆料处理单元之间的光路上的滤光板。其优点在于：入射辐射的光谱能够以合适的方式进行调谐。
在第一方面的可能实施方式中，所述滤光板位于离所述X射线管比离所述浆料处理单元更近的位置。其优点在于：滤光片不会不必要地遮挡(obstruct)检测通道的视场。
在第一方面的可能实施方式中，X射线荧光分析仪包括校准器板和致动器，该致动器被配置为在至少两个位置之间可控制地移动所述校准器板，其中第一位置不在入射X射线的路径上，第二位置在入射X射线的路径上并且在第一晶体衍射仪的视场中。其优点在于：校准可以容易地自动化。
根据第二方面，提供了一种进行X射线荧光分析的方法。该方法包括：用入射X射线照射浆料样品，并从所照射的样品接收荧光X射线；用相应的第一晶体衍射仪和第二晶体衍射仪从所述所接收的荧光X射线的相应的第一部分和第二部分中分离第一预定波长范围和第二预定波长范围，其中，所述第一波长范围和所述第二波长范围两者都包括相同元素的特征荧光辐射，并且其中，所述第一波长范围是所述第二波长范围的至少两倍宽；用相应的第一辐射检测器和第二辐射检测器检测在所述第一所分离的波长范围和所述第二所分离的波长范围内的荧光X射线，从而产生相应的第一检测结果和第二检测结果，其中，在5.9keV的参考能量下，所述第一辐射检测器的能量分辨率优于300eV；并且根据所述第一检测结果和所述第二检测结果中的至少一个计算所述样品中所述元素的浓度。
在第二方面的可能实施方式中，所述计算包括：使用第一检测结果和第二检测结果中的至少一个来计算背景辐射和除所述元素以外的其他元素的荧光X射线的组合强度；从在包含所述样品中待测量元素的荧光X射线的所述特征峰的波长范围内检测到的总强度中减去计算出的背景辐射和来自所述样品中除所述感兴趣元素之外的其他元素的荧光X射线的组合强度；并且提供所述减法的结果作为所述特征荧光X射线峰的计算强度。其优点在于：可以通过使用来自两个检测通道的检测结果来提高测量的精度。
在第二方面的可能实施方式中，所述计算包括：根据所述第一检测结果和所述第二检测结果分析来自另一元素的特征峰对所述第一检测结果的影响是否大于预定阈值；如果所述分析显示来自所述其他元素的所述特征峰对所述第一检测结果的影响大于所述预定阈值，则根据所述第二检测结果计算所述样品中所述元素的所述浓度；而如果所述分析显示来自所述其他元素的所述特征峰对所述第一检测结果的影响不大于所述预定阈值，则根据所述第一检测结果计算所述样品中所述元素的所述浓度。其优点在于：处理结果的方式可以与其他元素的荧光辐射的实际发生(情况)相适应。
在第二方面的可能实施方式中，所述元素是金。其优点在于：即使出现具有附近的特征荧光峰的另一种元素，也可以检测到金的存在和浓度。
在第二方面的可能实施方式中，所述特征荧光辐射包括30≤Z≤92的元素的K峰或L峰，其中是所述元素的原子序数。其优点在于：可以检测到多种元素。
在第二方面的可能实施方式中，所述样品包括由Z≤8的主要元素组成的基质中的所述元素，其中Z是原子序数。其优点在于：可以分析例如水基浆料。
附图说明
附图是为了提供对本发明的进一步理解并构成本说明书的一部分而包括的，附图示出了本发明的实施例，并且与说明书一起帮助解释本发明的原理。在附图中：
图1示出工业过程中X射线荧光分析的原理，
图2示出X射线荧光分析仪的一个示例的细节，
图3示出使用校准器板的一个示例，
图4示出X射线荧光分析仪的一个示例，
图5示出X射线荧光分析仪的一个示例的一些结构细节，
图6示出晶体衍射仪的一个示例，
图7示出晶体衍射仪的一些几何方面(geometrical aspect，几何方案)，
图8示出衍射仪晶体(diffractor crystal)的一些形状，
图9示出辐射传播几何结构的一个示例，
图10示出辐射传播几何结构的另一示例，
图11示出辐射光谱(radiation spectrum，辐射能谱)的一个示例，
图12示出辐射光谱的另一示例，
图13示出辐射光谱的另一示例，
图14示出辐射光谱的另一示例，
图15示出多个检测通道，
图16示出辐射光谱(radiation spectra)的一个示例，
图17示出浆料处理单元的一个示例，
图18示出其光轴垂直于样品表面的X射线管，
图19示出其光轴相对于样品表面成倾斜角度的X射线管，
图20示出放置多个检测通道的示例，
图21示出放置多个检测通道的示例，
图22示出所测量的一个示例设备的检测精度，
图23示出所测量的一个示例设备的检测精度，
图24示出所测量的一个示例设备的检测精度，以及
图25示出所测量的一个示例设备的检测精度。
具体实施方式
图1示出在工业过程中使用X射线荧光分析仪的原理的示例。对于工业过程，通常的是要分析的样品可以是作为样品材料的或多或少连续流而到来，因此存在将样品带入分析并在分析后将样品取走的样品处理单元或系统。在图1的示意性图示中，样品101作为在输送机102上的样品材料流(flow)而到来的，该输送机在这里构成样品处理系统。X射线源103产生入射X射线的射束104，该射束击中(hit，撞击)样品101在射束104的视场内的一部分。沿所有方向发射荧光X射线105，并且它们中的一些被收集至图1中的检测系统，该检测系统包括第一狭缝106、波长色散(wavelength-dispersive)衍射仪晶体107、第二狭缝108和辐射检测器109。该仪器(plant)可以包括控制计算机系统110，该计算机系统可以分别控制输送机102和X射线荧光分析仪113的控制子系统111和112。
荧光X射线的产生本质上是一个随机过程，因此能收集到越多的这种光子，基于所接收到的荧光X射线光子进行的任何分析基本上都是越可靠的。已知的一种增加X射线荧光分析的统计可靠性的方式为延长样品保持被入射辐射辐照(illuminated，照亮)的持续时间。如果样品是静止的，这意味着仅仅在改变样品之前等待更长的时间。然而，工业过程的性质可能需要样品作为不断移动的流(stream，物料流)到来。即使这样，更长测量时间的概念也以一种方式存在，因为如果样品流的组成基本保持恒定，则累加X分钟内从移动的样品中检测到的荧光X射线光子本质上与在分析中使样品材料的一部分保持静止X分钟是相同的。
然而，当对不断移动的样品流进行分析时，平均时间可以是多长是有限制的，因为样品流的组成确实会改变，并且这些改变可能是重要的并且因此应该被注意到。如果样品以浆料的形式到来，则存在使情况更加复杂的其他因素，如需要浆料的流动应当保持湍流以防止固相和液相分离。浆料样品以大约每分钟20升的速率流经浆料处理单元的情况并不少见。本发明的目的是通过使用大约几分钟(如2分钟或如3至5分钟)的平均时间能够获得相当好的检测结果。
因此，在下文中，考虑通过如测量几何结构、入射辐射功率、衍射仪晶体材料的选择、检测器类型的选择、多个检测通道的使用以及检测结果的深度利用(advancedutilization)等因素对X射线荧光分析进行改进。
图2是X射线荧光分析仪的某些部分的示意性截面图。X射线荧光分析仪包括用于沿第一光轴204的方向发射入射X射线206的X射线管。在图2中看到X射线管的辐射窗203。为了处理浆料样品202，X射线荧光分析仪包括浆料处理单元201，在这种情况下，该浆料处理单元包括配备有入口连接和出口连接的样品腔(sample chamber，样品室)208或样品室(sample cell，样品池)。样品腔208及其入口连接和出口连接被形成以保证样品202在腔内的湍流的确切方式与该特定描述无关。作为示例，可以遵循公开为WO2017140938的国际专利申请中解释的原理。在任何情况下，浆料处理单元被配置成维持浆料样品202和X射线管之间的恒定距离。例如，可以考虑在第一光轴204的方向上的恒定距离。
保持距离恒定具有这样的效果：测量几何结构不会改变，改变至少不会关于对入射X射线206将击中样品202的比例具有重要影响的距离和视角。这样，该设备可以包括用于改变距离的装置(means)，例如通过改变安装X射线管的距离。换句话说，所述距离将始终保持不变并不是强制的。仅仅出于直接处理检测结果的目的，X射线荧光分析仪的机械构造允许在测量期间在任何需要的时候维持所述距离恒定是有利的。
图3示出浆料处理单元201如何包括在样品腔208的壁中的样品窗301，用于允许X射线通过，同时将浆料样品保持在所述样品腔208内。样品窗301是由窗箔302覆盖的开口，该窗箔由对X射线尽可能透明的材料制成，同时具有足够强的机械强度以承受流动浆料的压力和由流动浆料引起的机械磨损。这样，浆料处理单元被配置成在面向X射线管的一侧维持浆料样品202的平直表面。在图2和图3所示的几何结构中，第一光轴204垂直于所述平直表面。
在图2和图3中还示出分析仪本体的前壁303和所述前壁303中的开口。另一窗箔304覆盖前壁303中的所述开口。就像样品腔208中的样品窗301的窗箔302一样，另一窗箔304由对X射线尽可能透明的材料制成。另一窗箔304的目的是保护X射线荧光分析仪装置的内部不受工业过程中其周围可能大量存在的灰尘、湿气和其他污染物的影响。
图2示出击中样品202的入射X射线206如何产生荧光X射线207。这些荧光射线最初指向所有方向，但是感兴趣的是通过样品窗301从样品腔208中出来并且可以被收集到一个或多个检测通道的那些荧光X射线207。稍后将更详细地描述这种检测通道的位置、几何结构和性质。
图2和图3中所示的另一特征是在X射线管和浆料处理单元之间的光路上的滤光板205。这种滤光板是可选特征。滤光板起到了高通滤光片的作用，特别是通过衰减最初在X射线管中产生的X射线的最低能量部分。滤光板205(如果使用的话)的材料和厚度可以被选择为使得它使那些能量足以在样品202中感兴趣的一种或多种元素中产生荧光的那些X射线通过。特别有用的是使用高通类型的滤光片，而不是例如构成带通滤光片的初级衍射仪，因为高通滤光片将使大范围的更高能的入射X射线通过，然后这些入射X射线可用于在多个感兴趣元素中同时产生荧光X射线。
如果使用滤光板205，则有利的是将其放置在离X射线管比离浆料处理单元更近的位置。滤光板205甚至可以附接至X射线管，使得滤光板非常接近X射线管的辐射窗203。如果滤光板(filter pate)205在横向方向上附加地确定尺寸，使得其仅比辐射窗203稍大，或者根本不比辐射窗大，则可以保证滤光板205不会不必要地覆盖任何原本可用于检测通道的视场。滤光板205的厚度可以是毫米量级或甚至更小，因此使用滤光板不会将X射线管和样品之间的整体距离增加到任何显著程度。
图2和图3中所示的另一特征是校准器板305，该校准器板可以被可控制和选择性地带入其位于入射X射线206的路径上和用于接收荧光X射线207的检测通道的视场中的位置。校准器板305具有非常精确地已知的成分，因此它可以用于不时地校准检测通道。如果校准过程应该自动化，则X射线荧光分析仪可以配备有致动器，该致动器被配置成在至少两个位置之间可控制地移动校准器板305，其中一个位置是图3中所示的位置，而另一个位置是不在入射X射线206的路径上的位置。
图4示出根据本发明实施例的X射线荧光分析仪的示例。该X射线荧光分析仪包括分析仪本体401，该分析仪本体起到基本支撑和保护结构的作用。分析仪本体的前壁303在图4中的左侧可见。如先前参考图2和图3所说明的，在前壁303中有一个开口，用于由X射线管402产生的入射X射线通过。设置有保持器403，用于将浆料处理单元201保持为抵靠前壁303的外侧，并与前壁303中的所述开口对准。
在一个有利的实施例中，保持器403可以被配置成将浆料处理单元201可移除地保持为抵靠前壁。保持器403可以包括例如允许将浆料处理单元201转向侧面的铰链，或者允许将浆料处理单元201从前壁303快速脱离的卡口安装件(bayonet mount)，以便暴露出上述参考图2和图3描述的窗箔。这允许相对直接地检查和维修那些对入射X射线和荧光X射线的传播都至关重要的部件。浆料中的固体颗粒可能对样品窗301的窗箔302的内侧造成显著的磨损(见图3)，因此有利的是，为样品窗301配备允许在必要时更换窗箔302的机构。
在图4中用虚线矩形404标记的X射线荧光分析仪的一部分在图5中从X射线管402的光轴的方向示出。该图示示出如何设置致动器501以在两个位置之间可控制地移动校准器板305的示例。在图5所示的第一位置，校准器板305不在从X射线管的辐射窗203出来的入射X射线的路径上。在第二位置，校准器板305将基本上与图5中的辐射窗203同心。
图4和图5还示出如何可以设置一个或多个检测通道502。检测通道的结构和操作将在本文后面更详细地描述。图4和图5示出定位原理，根据该定位原理，每个检测通道围绕X射线管402的光轴以相应的旋转角度定位。当X射线管402的光轴垂直于样品的平直表面(其由作为浆料处理单元201的一部分的样品窗限定)时，这种放置检测通道的方式允许为所有检测通道布置完全相等的视场。
图4所示的其他特征是在分析仪本体401内部为每个检测通道和X射线管402提供电子盒405、406和407，以及为X射线管402提供冷却水循环408。
图6是上述所谓的检测通道的某些部分的示意性图示。图6的检测通道的主要特征是晶体衍射仪601和辐射检测器602。如其名称指示，晶体衍射仪601包括晶体603，该晶体可以被称为衍射仪晶体或简称为晶体。晶体603是晶体衍射仪601的波长色散组件。可以在浆料处理单元(图6中未示出)和晶体603之间的第一光路605上设置第一狭缝604，并且可以在晶体603和辐射检测器602之间的第二光路607上设置第二狭缝606。由于晶体603对X射线的衍射性质高度依赖于X射线的波长，因此这种布置可以用于将特定波长范围与最初发射到该特定晶体衍射仪所在的方向中的那部分荧光X射线分离。附图标记608示出封闭晶体衍射仪601的外壳，该外壳为晶体衍射仪的所有组件提供结构支撑。
图7以轴测投影示出晶体衍射仪的示例。晶体衍射仪被认为相对于浆料处理单元(图7中未示出)沿第一方向定位，使得第一光路605代表在该晶体衍射仪中接收的那部分荧光X射线的标称方向。第一狭缝604和第二狭缝606形成在相应的限制件之间，并且第二光路607代表导向至辐射检测器(图7中未示出)的衍射荧光X射线的标称方向。晶体衍射仪被封闭在外壳608中，该外壳由第一平直表面701和平行于所述第一平直表面701的第二平直表面702界定。
这里描述的机械结构是有利的，因为平直表面701和702提供支撑，晶体衍射仪的内部部件能够以相对简单的方式附接至该支撑。
X射线在晶体中的衍射受布拉格定律支配，布拉格定律将衍射角与网状面之间的距离联系起来。常规的晶体衍射仪已经使用例如二氧化硅、氟化锂、磷酸二氢铵或邻苯二甲酸氢钾的晶体，因为这些材料的足够大的单晶片可以相对容易地以所需的精度以期望的形状制造。然而，已经发现，虽然这种常规晶体的波长选择性相对较好，但是传入的X射线衍射的效率相对较差。
热解石墨是用于生产晶体衍射仪的晶体的替代材料。热解石墨是一个通用的术语，指的是通过将包含如苯环等平面结构的有机化合物置于高温下，使其基本上只保留结构中的碳原子而由该有机化合物制造成的材料。初始的平面分子结构使热解石墨呈现出高度有序的微观结构，因此它通常被称为HOPG(高定向热解石墨)或HAPG，其中HAPG指的是合成材料的方法略微不同。热解石墨通常不是像上面提到的更常规的晶体材料一样意义上的单晶的，而是多晶的。虽然如此，为了保持与本技术领域中的既定措辞的一致性，将由热解石墨制成的衍射仪元件称为“晶体”是切实可行的。在下面的描述中，将使用术语“HOPG晶体”。
已经发现HOPG晶体作为荧光X射线的衍射仪的效率显著优于常规的衍射仪晶体材料。换句话说，与常规晶体材料相比，击中HOPG晶体的X射线实际上衍射的比例要高得多。然而，热解石墨的多晶性质意味着并非所有的网状平面都像单晶二氧化硅那样精确定向。这反过来意味着晶体衍射仪中的HOPG晶体的波长选择性不是非常精确：衍射到特定方向中的荧光X射线代表了在根据布拉格定律被衍射到该方向中的标称波长附近的波长范围，并且该范围比常规晶体材料衍射的X射线要宽得多。
然而，HOPG晶体较不精确的波长选择性并不是一个严重的缺点，因为它可以在X射线荧光分析仪的设计中与其他因素平衡。一种可能的途径是使用固态半导体检测器作为辐射检测器602，将所分离的波长范围内的荧光X射线从HOPG晶体导向至该辐射检测器。辐射检测器602可以是例如PIN二极管检测器、硅漂移检测器、锗检测器或锗漂移检测器。与例如充气正比计数器相反，固态半导体检测器的能量分辨率可以更精确。通常在5.9keV的参考能量下表示(express)X射线检测器的能量分辨率。在5.9keV的所述参考能量下，上述种类的固态半导体检测器可以具有优于300eV的能量分辨率。
将晶体衍射仪601中的HOPG晶体的使用与作为辐射检测器602的固态半导体检测器的使用相结合可以产生有利的情况，其中晶体衍射仪601被配置成将预定第一波长范围与传播到晶体衍射仪601所在的方向上的荧光X射线207分离(参考浆料处理单元201)，并且被配置成将所分离的预定第一波长范围内的荧光X射线导向至辐射检测器602，该辐射检测器为固态半导体检测器。然后使用固态半导体检测器的良好的能量分辨率来产生测量结果，该测量结果指示处于所分离的预定第一波长范围内的荧光X射线的能谱。根据所述能谱，并且可以使用其他测量作为支持，能够以相对良好的精确度确定来自感兴趣元素的荧光X射线的量。
在X射线荧光分析仪的设计中，HOPG晶体的衍射表面的几何形式是另一个需要考虑的因素。图8示出一些几何形式的示例。这里可以注意到，确切地说，“晶体”只是构成实际衍射表面的晶体(例如在二氧化硅的情况下为单晶的，或例如在HOPG的情况下为多晶的)材料的薄层。晶体衍射仪包括晶体材料附接的基板。基板材料的示例是例如玻璃和铝，但是基板材料也可以是铁或任何其他本身不容易引起不想要的干扰荧光辐射的材料。晶体材料可以通过例如范德华力附接至基板的适当形成的表面。或者，晶体材料可以直接生长在基板的适当形成的表面上，或者可以使用一些其他合适的附接方法，如胶水。
基板和晶体材料一起构成三维实体，这些实体的示例见图8。为了与该技术领域的既定用语保持一致，这些实体在本文中被称为晶体，尽管上文解释的这一术语略有不准确。术语“衍射表面”是指晶体材料的外部、暴露的表面，在该表面处发生X射线的衍射；严格地说，X射线的衍射发生在晶体材料内部靠近表面(这里称为衍射表面)的网状平面处。
图8中的晶体603、晶体802和804的共同特征是由HOPG晶体和基板构成的实体的三维几何结构为棱镜的三维几何结构，该棱镜的一个侧面被弯曲的衍射表面切掉。在这三种晶体的上线图示(upper-line illustration)中，用虚线示出了棱镜的假想形式。
图8中的相同晶体的下线图示(lower-line illustration)示出在所有三种情况下衍射表面弯曲的方式是如何不同的。在晶体603中，衍射表面801仅在一个方向(纵向方向)上弯曲。换句话说，如果在任意位置处绘制横跨衍射表面801的假想横线，如图8所示的虚线，它总会是直的。这种晶体的一个特别优点是它相对容易制造。与图6和图7相比，可以看出，衍射表面801的曲率半径位于由第一光路605和第二光路606限定的平面内。该平面也平行于平直表面701和702。
在晶体802中，衍射表面803在两个方向(纵向和横向)上弯曲，形成环形表面的一部分。这意味着，如果在任意位置处绘制横跨衍射表面803的横向圆弧，例如如图8所示的两个虚线圆弧，这些横向圆弧中的每个将彼此相同。尽管该几何形式在所需的精确度下的制造可能比在左侧的表面801的几何形式稍微复杂一些，但其涉及这样的优点：其使衍射后的X射线更精确地聚焦。
在晶体804中，衍射表面805在两个方向(纵向和横向)上弯曲，但以与中间的表面803不同的方式弯曲。衍射表面805形成旋转对称表面的一部分，其旋转轴线806在由传入的和衍射后的X射线的光路限定的平面内。这意味着，如果绘制横跨衍射表面805的横向圆弧，例如如图8中的虚线圆弧，这种横向圆弧的曲率半径将根据其在哪个纵向位置处绘制而不同。在图8中可以看出，中间的虚线圆弧不像在晶体804的端部处看到的弧形边缘那样明显弯曲。这是因为虚线圆弧比晶体端部处的弧形边缘更远离旋转轴线806。
从数学上讲，当连续曲线绕旋转轴线旋转时，就形成了旋转对称表面。所述连续曲线的形式限定了表面的每个点将离旋转轴线多远，以及表面可能具有什么性质。可以用于形成图8中的衍射表面805的曲线的一个示例是对数螺线的一段。尽管这种表面比上面作为表面801和803介绍的那些表面制造起来更复杂，但是用对数螺线的一段制成的旋转对称表面涉及这样的固有优点：其提供非常精确的衍射后的X射线的聚焦。
图8中的所有衍射表面801、803和805共有的特征是在拓扑意义上它们是单连通表面。单连通表面是路径连接的表面(即，表面上的任意两点可以用完全属于所述表面的路径相连)，并且另外，任何环形的路径可以连续地收缩到一点，使得收缩的环的所有中间形式也完全属于所述表面。
对单连通表面的直观描述是它不具有孔。因此，可以钻出穿过图8中的衍射表面801、803或805中的任一个的小孔，而不会改变它们作为衍射仪的性质，而不仅仅是通过减少被钻掉的表面积。出于这个原因，这里的定义的是，要求表面在拓扑意义上是单连通的将被解释为与表面的一般形式有关：在这样的解释下，表面中的一个小孔并不意味着它将不是单连通的。关于单连通的要求应该如何解释的另一个定义如下：如果晶体像图8中那样“侧躺”(即，定义晶体端部之间的纵向曲率的主曲率半径在水平平面内；因此衍射表面通常是竖直定向的)，则任何假想的水平线最多将在一点处刺穿衍射表面。如果一个表面符合这些直观描述中的至少一种，那么它就是一个单连通表面。
在图8中的右边，示出晶体807作为比较示例。晶体807的衍射表面808在两个方向(纵向和横向)上弯曲，形成完整的旋转对称表面，其旋转轴线809可以在由传入的和衍射后的X射线的光轴限定的平面中。曲线围绕旋转轴线809的旋转限定了衍射表面808的形式，该曲线可以是例如对数螺线的一段。显然，衍射表面808在拓扑意义上不是单连通的，因为环绕表面钻孔的闭合曲线不能收缩到一点。这种晶体的制造相对复杂，但是它们可以与合适的屏蔽件(图8中未示出)一起使用，该屏蔽件阻挡直接的、非衍射的X射线的传播，与具有诸如801、803或805的单连通表面的那些晶体相比，该晶体从更大的空间角度收集荧光辐射。
衍射表面的几何形状和由此产生的光学性质可能对晶体衍射仪的其他部分应该如何设计产生影响。上面解释了晶体衍射仪601如何可以包括在浆料处理单元201和(热解石墨)晶体之间的第一光路605上的第一狭缝604，以及如何在(热解石墨)晶体和辐射检测器602之间存在第二光路607。如果所述(热解石墨)晶体603的衍射表面801仅在一个方向上弯曲，具有在由所述第一光路605和第二光路607限定的平面中的曲率半径，则有利的是使所述第一狭缝604成为垂直于所述平面定向的线性狭缝，如图7所示。如果所述(热解石墨)晶体802的衍射表面803在两个方向上弯曲，形成环形表面的一部分，则有利的是使所述第一狭缝为具有垂直于所述第一光路定向的曲率半径的弯曲狭缝。如果所述(热解石墨)晶体804的衍射表面805在两个方向上弯曲，形成旋转对称表面的一部分，该旋转对称表面的旋转轴线806在由所述第一和第二光路限定的平面内，则有利的是使所述第一狭缝成为点状的。
如果在第二光路607上使用第二狭缝606，则可以应用类似的考虑。然而，应当注意，第二狭缝并不总是必需的：它的使用与衰减背景和散射辐射有关，特别是对于具有高度波长选择性的衍射仪晶体。考虑到HOPG的波长选择性不是那么高，用第二狭缝获得的额外优势相对较小。
如果在(热解石墨)晶体603、802、804和第一辐射检测器之间的第二光路607上使用第二狭缝，则晶体衍射仪的几何结构可以遵循例如约翰几何结构或约翰逊几何结构的原理。这些分别在图9和图10中示出。在图9中，所述衍射表面的中心点902、所述第一狭缝604和所述第二狭缝606位于半径为R的罗兰圆(Rowland circle)上。所述衍射表面在由所述第一和第二光路限定的平面中的曲率半径为2R，并且所述晶体内的网状平面901的曲率半径为2R。这意味着第一晶体衍射仪具有约翰几何结构。在图10中，所述衍射表面的中心点1002、所述第一狭缝604和所述第二狭缝606类似地位于半径为R的罗兰圆上。然而，这里所述衍射表面在由所述第一和第二光路限定的平面中的曲率半径为R，并且所述晶体内的网状平面1001的曲率半径为2R，从而第一晶体衍射仪具有约翰逊几何结构。
为了维持晶体衍射仪的紧凑尺寸，如果R的量值可以保持相对较小，则是有利的。作为示例，R可以最多为40厘米。
图11至图14是某些情况下荧光X射线光谱的示意性图示。光谱通常表示为在每个光子能量处检测到的计数。实际上，产生计数的检测器具有一定的能量分辨率，该能量分辨率定义了两个光子的能量可以彼此接近的程度，从而使得检测器能够产生两种不同类型的输出信号。利用信号处理将接收到的X射线光子分类到有限宽度的能量仓(energy bin)中，并按每个能量仓给出计数。检测器分辨率越精确，能量仓就能做得越窄(就能量单位而言)。
在图11中，曲线图1101是平滑的，没有任何可见的峰或光谱孔(spectral hole，光谱缺陷)。这样的光谱实际上很少获得，但它示出仅接收背景和随机散射辐射，而没有感兴趣元素的任何特征峰的情况。在图12中，曲线图1201在其他方面是相同的，但是存在感兴趣元素的特征峰1202。问题在于，所测量的样品中感兴趣元素的浓度太小，以至于特征峰1202的高度相对于处于相同能量范围的光谱的一般水平较低。因此，即使在该能量范围内观察到相对较多数量的光子，实际上其中相对较少的光子是来自感兴趣元素的荧光光子。
光子的能量与其波长成反比，因此当以上各种衍射晶体(diffractive crystal)的波长选择性已被考虑时，能量选择性也可以被考虑。图13示意性示出配备有HOPG晶体的晶体衍射仪的辐射检测器可以接收到什么。HOPG晶体将导向至所述辐射检测器的荧光X射线的能量范围1301相对较宽，这是HOPG晶体相对适中的波长选择性的直接结果。然而，同时，HOPG晶体的衍射效率相对较好。因此，辐射检测器将接收落在图13中两个阴影区域内的相当大比例的光子。其中，属于第一阴影区域1302的光子是背景和散射光子，而属于第二阴影区域1303的光子是来自感兴趣元素的实际荧光光子。
图14示意性示出配备有二氧化硅(或其他常规)晶体的晶体衍射仪的辐射检测器在相同情况下可以接收到什么。常规晶体将导向至其辐射检测器的荧光X射线的能量范围1401相对较窄，这是常规晶体相对较好的波长选择性的直接结果。然而，同时，常规晶体的衍射效率低于HOPG晶体的衍射效率。因此，辐射检测器将仅接收实际源自样品中感兴趣元素的有限比例的光子(参见图13中的阴影区域1303)。图14中的小峰1402代表在这种情况下实际上会被检测到的这些荧光X射线。
在X射线荧光分析仪的设计中要考虑的一个因素是使用不同配备的检测通道的可能性。这里，“不同配备”主要指衍射仪晶体的选择和辐射检测器的选择。
图15示意性示出用于分析浆料样品的工业X射线荧光分析仪如何可以包括多个检测通道。检测通道在图15中以直线示出，因为表示是示意性的。实际上，它们可以例如以如图4和图5所示的旋转对称的方式围绕X射线管定位，每个都具有指向X射线荧光分析仪的浆料处理单元的视场。
所述X射线荧光分析仪包括第一晶体衍射仪1501，该第一晶体衍射仪相对于所述浆料处理单元沿第一方向定位，所述第一晶体衍射仪1501包括第一晶体。第一辐射检测器1505被配置成以第一能量分辨率检测由所述第一晶体1502衍射的荧光X射线。X射线荧光分析仪包括第二晶体衍射仪1511，该第二晶体衍射仪1511相对于所述浆料处理单元沿第二方向定位，所述第二晶体衍射仪包括第二晶体1512。第二辐射检测器1515被配置成检测由所述第二晶体1512衍射的荧光X射线作为第二能量分辨率。
作为第一假设，可以假设第一晶体1502是热解石墨(HOPG)晶体，并且所述第二晶体1512包括热解石墨以外的材料，例如二氧化硅、氟化锂、磷酸二氢铵或邻苯二甲酸氢钾。另外，作为第一假设，可以假设第一和第二晶体衍射仪被配置成将相同元素的特征荧光辐射导向至它们相应的辐射检测器。也就是说，这两个检测通道配备不同，但目的都是检测浆料样品中相同元素的存在和浓度。
因此，配置晶体衍射仪以将特定元素的特征荧光辐射导向其辐射检测器通常通过以下方式完成：1)选择在其网状平面之间具有特定距离的晶体；2)选择晶体和网状平面的曲率；以及3)选择晶体和一个或多个狭缝的角度和距离值，使得仅具有特定波长范围的X射线将到达检测器，所述特定波长范围包括感兴趣元素的所需的特征峰。感兴趣元素可以具有数个特征峰，因此说两个检测通道被配置成用于测量相同元素的特征荧光辐射并不一定意味着它们将被配置成用于测量相同的特征峰，尽管也不排除这种情况。
如果两个检测通道被配置成用于测量相同的特征峰，则它们产生的测量结果可以类似于图13(用于具有HOPG晶体的沟道)和图14(用于具有另一个晶体的沟道)中的测量结果。找出感兴趣元素的实际浓度的任务能够采取如下所述的方法的形式进行描述。
该方法的目的是进行X射线荧光分析，并且包括用入射X射线照射浆料样品并从所照射的样品接收荧光X射线。由于测量几何结构，荧光X射线的第一部分将被导向至第一检测通道，而荧光X射线的第二部分将被导向至第二检测通道。该方法包括用相应的第一晶体衍射仪1501和第二晶体衍射仪1511从所述所接收的荧光X射线的相应的第一和第二部分分离第一预定波长范围1301和第二预定波长范围1401。所述第一波长范围1301和所述第二波长范围1401都包括相同元素的特征荧光辐射。另外，所述第一波长范围1301是所述第二波长范围1401的至少两倍宽。
该方法包括用相应的第一辐射检测器1505和第二辐射检测器1515检测在所述第一和第二所分离的波长范围内的荧光X射线。在5.9keV的参考能量下，所述第一辐射检测器1505的能量分辨率优于300eV。因此，该方法包括产生相应的第一和第二检测结果。该方法包括根据所述第一和第二检测结果中的至少一个计算所述样品中所述元素的浓度。
这里的“至少一个”强调了这样一个事实，即并非所有的检测结果都能以平等的方式得到最好的处理。很大程度上取决于样品。在一些样品中，感兴趣元素的浓度可能相对较大，导致即使在第二辐射检测器1515中，尽管第二晶体1512的衍射效率适中，也会检测到相对较大数量的荧光光子。在一些其他情况下，感兴趣元素的浓度可能很小，以至于在第二波长范围1401内仅有非常小且模糊的峰可见。在一些情况下，第一波长范围1301可能看起来相对干净，不受任何干扰辐射，而一些其他样品可能包含大量的一些其他元素，这些元素的特征峰非常接近，以至于在第一波长范围1301中是可见的，甚至是占主导地位的，但是在第二波长范围1401中不是这样。
通常，计算可以包括使用第一和第二检测结果中的至少一个来计算背景辐射和来自除所述元素以外的其他元素的荧光X射线的组合强度。然后，该方法可以包括从在包含所述样品中待测量元素的荧光X射线的所述特征峰的波长范围内检测到的总强度中减去计算出的背景辐射和所述样品中除所述感兴趣元素之外的其他元素的荧光X射线的组合强度。然后，该方法可以包括提供所述减法的结果作为所述特征荧光X射线峰的计算强度。
计算可以包括根据所述第一和第二检测结果分析来自另一元素的特征峰对所述第一检测结果的影响是否大于预定阈值。如果所述分析显示来自所述其他元素的所述特征峰对所述第一检测结果的影响大于所述预定阈值，则所述方法可以包括根据所述第二检测结果计算所述样品中所述元素的所述浓度。另一方面，如果所述分析显示来自所述其他元素的所述特征峰对所述第一检测结果的影响不大于所述预定阈值，则该方法可以包括根据所述第一检测结果计算所述样品中所述元素的所述浓度。
另一种可能性是使用校准样品为每个样品线的每个测量通道形成特定模型。然后根据其中哪一个通道给出最精确的校准来选择用于该样品线的实际测量的测量通道。
感兴趣元素可能是金，因为金是有价值的，而且因为即使从其浓度很低的浆料流中提取它也存在合理有效的方法。存在其他元素，其干扰特征峰可能存在或可能不存在，并且可能看起来非常接近金的一个特征峰。如果样品中存在大量的这种干扰元素，则具有HOPG晶体的检测通道可能给出相对不精确和不可靠的结果，至少如果单独使用是这样。
可以存在这两种极端情况的中间形式，其中以各种方式考虑第一和第二检测结果的贡献。例如，关于选择哪种计算方法的决定可以使用人工智能算法来作出，该人工智能算法将第一和第二检测结果与先前获得的可比较结果以及与关于各种可用计算方法如何使用所述可比较结果执行的某种评估数据进行比较。
图16示意性示出包括两个清晰峰(clear peak，明显的峰)1601和1602的荧光X射线光谱。在这种情况下，所选择的计算方法可以取决于峰1601和1602是否都是相同感兴趣元素的特征峰，或者它们中的一个是否是某个干扰元素的特征峰。更靠近能量轴的较小峰表示配备有常规(例如二氧化硅)晶体的检测通道将产生这两个峰的估计检测结果。
一个感兴趣的情况是峰1601和1602都是感兴趣元素的峰的情况。特别感兴趣的是，它们中的一个(这里：峰1601)是否更强，配置了配备SiO2的检测通道用于其测量。在这种情况下，可以开始使用两个通道的最佳特征：二氧化硅晶体的精确波长选择性可用来分离仅包括所需的特征峰的严格限定的波长范围1401，使得该峰的相对大的强度仍然在相对短的时间内在对应的检测器中给出足够数量的计数。同时，HOPG晶体的良好衍射效率可以用于分离包括另一较低特征峰的较宽波长范围1301。当两个检测通道的整体性能根据校准测量已知时，可以根据两个检测器给出的检测结果计算出感兴趣元素的浓度。
在特征荧光辐射包括具有30≤Z≤92的元素的K峰或L峰的许多情况下，上述种类的方法可以适用，其中Z是所述元素的原子序数。该方法的灵活适应性很好地适于对在Z≤8的主要元素组成的基质中包括一种或多种感兴趣元素的样品进行测量，其中Z是原子序数。例如，水基浆料就是这种情况。
上面已经讨论的关于使用两个检测通道的原理可以被推广到涉及使用三个或更多个检测通道。如上所述的检测通道的形式因子，即其中每个晶体衍射仪601被封闭在由第一平直表面701和与所述第一平直表面701平行的第二平直表面702界定的外壳中的形式因子，使得能够将多个检测通道作为“盒状部(cassette)”以例如围绕X射线管旋转对称的布局分布。来自被配置成检测相同元素的特征荧光辐射的检测通道的检测结果能够以如上所述的各种方式组合。如果检测通道被配置成测量这样两种或更多种感兴趣元素的特征荧光辐射，则大量检测通道允许同时计算样品中两种或更多种感兴趣元素的浓度。使来自被配置成检测不同元素的通道的检测结果互相关(cross-correlating)也是可能的。例如，如果一个元素具有两个特征峰，其中一个用专用的第一检测通道测量，而另一个接近另一感兴趣元素的特征峰，则来自第一通道的检测结果可以用于校正来自被配置成测量另一元素的特征峰的那个通道的检测结果。
在用于分析浆料样品的工业X射线荧光分析仪的设计中，要考虑的一个因素是X射线管的功率，以及X射线管和浆料处理单元之间的区域的几何结构和尺寸。
图17示出使用所谓的传输几何结构的可能性。X射线管的辐射窗203在图17中的右侧可见，并且入射X射线通过初级滤光板205沿光轴204的方向发射。浆料处理单元201包括具有输出狭缝1702的腔1701，样品202在重力的影响下从该腔以幕状(curtain-like)形式流出并向下下落。入射X射线在相对较薄的下落浆料中产生荧光X射线。附图标记1703指向斜向后导向的荧光X射线，并且可以使用以非常类似于前面参考图2、图3、图4和图5描述的几何结构放置的检测通道(图17中未示出)来检测该荧光X射线。附图标记1704指向被导向至其他方向的荧光X射线，特别是被导向至在样品流的另一侧的方向。这些可以通过放置在该侧的检测通道(图17中未示出)来检测。这可能是放置检测通道的特别有利的方式，因为它们可以获得更好的视场，并因此获得更好的收集荧光X射线的空间效率。这也可能有助于使X射线管非常靠近样品。然而，必须注意的是，必须采取适当的辐射屏蔽几何预防措施，以防止任何入射X射线进入检测通道。
图18是X射线管402的输出部分的部分横截面。X射线管包括用于产生入射X射线的阳极1801。入射X射线将在光轴204的方向上朝向样品202发射，这里出于图形清楚的原因仅示意性示出样品而没有示出浆料处理单元。然而假设浆料处理单元被配置成在面向X射线管402的一侧维持浆料样品202的平直表面1802。如前所述，这可以例如通过提供具有由对X射线透明的材料制成的窗箔的样品窗来实现。样品窗可以设置在样品腔的壁中，用于在将浆料样品保持在样品腔中的同时，允许X射线通过。
图18中示意性示出的X射线管的其他部分是冷却水循环1803、用于发射加速电子的环形阴极1804和辐射窗203。
当目的是产生如此多的荧光辐射以至于甚至可以检测到非常小浓度的感兴趣元素时，如果可以使尽可能多的(具有足够的能量的)入射辐射的光子击中样品202，则是有利的。实现该目的的一个方式是有一个非常大功率的(very powerful)X射线管。根据一个实施例，X射线管402的输入功率额定值至少为400瓦。可以使用甚至更大功率的X射线管：根据其他实施例，X射线管402的输入功率额定值可以是至少1千瓦，或至少2千瓦，或甚至至少4千瓦。即使被宣布为X射线管输入功率额定值的功率只有一小部分最终将以所产生的入射X射线的形式出现，输入功率额定值仍然是X射线管产生入射X射线的高通量的能力的重要指标。
使用比以前功率额定值更高的X射线管意味着必须重新考虑与先前已知的较低功率的X射线源相关的辐射屏蔽。根据一个实施例，可以使用更厚的辐射屏蔽板和更密的辐射屏蔽材料来确保电离辐射不会泄漏到其可能是危险的区域中。
确保非常高通量的入射X射线击中样品202的另一种方式是使阳极1801和样品202之间的距离尽可能小。浆料处理单元可以被配置成在阳极1801和样品202之间维持最短的线性距离d，使得d短于50mm。在另一实施例中，d可以短于40mm。在另一实施例中，d可以短于30mm。
然而，必须注意，通常X射线管402的阳极1801越靠近样品202，围绕样品202的越大的空间角度被X射线管的结构所阻挡。这是需要考虑的重要因素，因为X射线管402的结构可能会阻挡检测通道的视场。缓解该问题的一种方式是使用所谓端窗类型的X射线管，而不是侧窗类型的X射线管。图18和图19可以被认为示出了端窗类型的X射线管的使用。在这种X射线管中，辐射窗203通常位于大致管状结构的一端，这在所述管状结构周围留下相对较大的自由空间用于放置检测通道。另一种可能性是使用侧窗类型的X射线管，并将检测通道放置在X射线管的一侧或两侧。
在到目前为止所描述的所有图中，X射线管402和样品202之间的光路也是直接的，这意味着在它们之间没有衍射仪。这是确保最大数量的入射X射线光子可以击中样品的另一种方式。首先，在X射线管和样品之间设置衍射仪将不可避免地意味着阳极1801和样品202之间的更长距离，因为需要为衍射仪保留一些空间。其次，衍射仪的本质是从初始辐射光谱中仅分离出某个波长范围，这必然意味着更少的入射X射线光子击中样品。在X射线管402和样品202之间不使用任何所谓的初级衍射仪的其他有利结果是同时提供(多个)入射X射线以激励样品中的多个元素的特征峰，并且存在较少的可能会阻挡检测通道的视场的结构件。
在图18中，X射线管402的光轴204垂直于样品202的平直表面1802。虽然这种布置为围绕X射线管402放置的检测通道提供了极好的旋转对称，但它不是唯一的可能性。图19示出可选实施例，其中X射线管402的光轴204与所述平直表面成倾斜角度。这样的布置可以有助于使阳极1801和样品202之间的最短线性距离d变得甚至更短，同时为X射线管402的至少一些侧面上的检测通道留下充分自由的视场。下面参考图20和图21进一步阐述该原理。
图20示出从样品方向看到的X射线管402和五个检测通道。X射线管402的辐射窗203在图的中间可见。用于接收荧光辐射的每个检测通道的入口窗位于相应的晶体衍射仪的近端端面中；入口窗2001作为示例示出。为了使所产生的荧光辐射尽可能大比例地进入检测通道，有利的是将这些入口窗放置在尽可能靠近样品的位置，并且还使得入口窗以尽可能大的空间角度看到样品表面。多个晶体衍射仪中的每个围绕X射线管402的光轴以相应的旋转角度定位。每个所述晶体衍射仪被配置成从传播到相应方向中的荧光X射线分离预定波长范围，并且被配置成将在相应的所分离的预定第一波长范围内的荧光X射线导向至相应的辐射检测器。
图21示出从侧面看到的X射线管402和两个检测通道。样品窗301在图21中示意性示出：这示出浆料处理单元被配置成在面向X射线管402的一侧维持浆料样品的平直表面的区域。因此，这是应该在X射线管402的视场内的区域，以便使入射X射线击中样品。这还示出应在检测通道的视场中覆盖尽可能大的空间角度的区域，以便收集尽可能多的荧光X射线。
X射线管402的光轴204与所述平直表面成倾斜角度。第一晶体衍射仪1501围绕所述光轴204以那种旋转角度定位，以该旋转角度，所述样品的所述平直表面覆盖第一晶体衍射仪1501的视场的最大部分。假设没有其他结构阻挡可用视场的任何部分，实际上这意味着第一晶体衍射仪1501位于X射线管的对面，即，如果样品表面是镜面，则在沿着光轴204的假想光束将反射到的方向上。
第二晶体衍射仪1511围绕所述光轴204以另一旋转角度定位。在图21中，第二晶体衍射仪1511能够以被描述为最差可能的旋转角度定位，因为其样品表面的视野受到靠近样品窗301的X射线管402的边缘的限制。如果所述其他旋转角度与第一晶体衍射仪1501所处的旋转角度相差小于180度，则第二晶体衍射仪1511可以定位得更像图20中的多个其他晶体衍射仪中的一个。在这种情况下，样品窗301处的样品的平直表面将覆盖位于图21所示的两个极端之间的第二晶体衍射仪1511的视场的一部分。
根据一个实施例，在图20和图21中以最佳旋转角度(就视场而言)放置的第一晶体衍射仪1501是这样的晶体衍射仪，其中，衍射仪晶体是HOPG晶体，辐射检测器是固态半导体检测器。考虑到HOPG晶体的良好衍射效率，这样放置第一晶体衍射仪有助于保证最大数量的荧光X射线光子将最终到达检测器。如果有关于待测量样品中各种元素的假设浓度水平的一些先验知识，则有利的是将晶体衍射仪放置到最佳旋转角度，该旋转角度被配置成将预期具有最小浓度的感兴趣元素的特征荧光辐射分离出并导向至其相应的检测器。
在用于分析浆料样品的工业X射线荧光分析仪的设计中要考虑的一个因素是在具有除了热解石墨以外的其他材料的衍射仪晶体的那些通道中选择辐射检测器。诸如二氧化硅的常规衍射仪晶体材料的波长选择性相对较好，这可以理解为，使得在辐射检测器中不像使用HOPG晶体那样需要精确的能量分辨率。充气正比计数器可以在具有除了HOPG以外的衍射仪晶体的检测通道中以比固态半导体检测器有利地更低的制造成本提供相当令人满意的检测结果。
然而，前述内容不应被理解为反对选择固态半导体检测器也用于具有除了HOPG以外的衍射仪晶体的检测通道。同样，如果发现另一种类型的辐射检测器的能量分辨率足够，则不强制要求在配备有HOPG晶体的检测通道中使用固态半导体检测器。
图22至图25示出校准测量，其中纵轴代表用被测试设备的一个检测通道测量的浓度，该被测试设备是根据实施例的用于分析浆料样品的工业X射线荧光分析仪。横轴代表相同样品中的浓度，但使用实验室级设备(equipment)进行长时间测量，以便得到尽可能精确可靠的结果。为了使实验室测量与工业类型的测量是可比较的，对于实验室测量，对浆料样品进行干燥和均质，并通过计算补偿去水量。如果这种校准测量示出点沿着直线稳定分布(settle)，两个不同的设备给出高度匹配的结果，这意味着被测试设备非常精确。偏离直线示出被测试设备产生不精确的结果。
标度是任意的，但是图22和图23中的标度相同的，并且图24和图25中的标度相同的。在所有测量中，感兴趣元素都是金。图22和图23代表其中干扰元素的浓度低于300ppm的样品的测量，而图24和图25的测量的干扰元素的浓度在0％和2％之间变化。干扰元素是具有接近感兴趣元素的至少一个特征荧光峰的特征荧光峰的元素。
图22和图24代表使用在晶体衍射仪中具有二氧化硅晶体和将充气正比计数器作为辐射检测器的检测通道进行用被测试设备的测量的情况。图23和图25代表使用在晶体衍射仪中具有HOPG晶体和将固态半导体检测器作为辐射检测器的检测通道进行用被测试设备的测量的情况。
图22和图23之间的比较表明，当干扰元素浓度较小时，具有HOPG晶体和固态半导体检测器的检测通道比具有二氧化硅晶体和充气正比计数器的检测通道给出更精确的检测结果。用被测试设备的HOPG通道测得的浓度与实验室测得的浓度之间的平均误差为+/-0.24ppm，而用二氧化硅晶体和充气正比计数器(测量出)的可比较的平均误差为+/-0.56ppm。
图24和图25之间的比较表明，当干扰元素浓度显著时，具有HOPG晶体和固态半导体检测器的检测通道给出的检测结果不如具有二氧化硅晶体和充气正比计数器的检测通道精确。用被测试设备的HOPG通道测得的浓度与实验室测得的浓度之间的平均误差为+/-1.62ppm，而用二氧化硅晶体和充气正比计数器(测量出)的可比较的平均误差为+/-0.42ppm。
可以采取多种方式来利用图22至图25所示的结果。例如，用于分析浆料样品的工业X射线荧光分析仪可以配备有第一、第二和第三检测通道，其中第一和第二检测通道都配备有晶体衍射仪，该晶体衍射仪被配置成将相同元素(如金)的特征荧光X射线分离并导向至其相应的检测器。第一检测通道可以是具有HOPG晶体和固态半导体检测器的检测通道，第二检测通道可以是具有二氧化硅晶体和充气正比计数器的检测通道。第三检测通道可以配备有晶体衍射仪，该晶体衍射仪被配置成将干扰元素的荧光X射线分离并导向至其相应的检测器特征荧光X射线。然后可以分析所有三个检测通道的检测结果。如果由第三检测通道产生的检测结果表明在样品中存在显著浓度的干扰元素，则金的浓度的计算将更多地注重(或甚至专门使用)第二检测通道的检测结果。相应地，如果由第三检测通道产生的检测结果表明在样品中仅存在很小(insignificant)浓度的干扰元素，则金的浓度的计算将更多地注重(或甚至专门使用)第一检测通道的检测结果。
上面已经描述了用于分析浆料样品的工业X射线荧光分析仪的许多有利特征。最终，它们都服务于一个共同的目的，即以合理的成本，在工业环境可能处于的恶劣条件(测量时间短；极端温度；经常出现湿气、灰尘和污垢；维修间隔时间长等)下对各种浆料中的即使非常小的浓度的感兴趣元素进行可靠的测量。有利特征能够以多种方式彼此组合，使得最有利的组合可以取决于特定情况及其特定边界条件。
对于本领域技术人员显而易见的是，随着技术的进步，本发明的基本思想能够以各种方式实现。因此，本发明及其实施例不限于上述示例，相反，它们可以在权利要求书的范围内变化。作为示例，即使金已经在上面被频繁地提到作为典型的感兴趣元素，相同的原理也适用于其他感兴趣元素的测量。这种其他感兴趣元素的示例例如是铜、银、铂族金属和铀。

Claims (25)

1.一种X射线荧光分析仪，包括：
-X射线管(402)，用于沿第一光轴(204)的方向发射入射X射线(206)，
-浆料处理单元(201)，被配置成维持浆料的样品(202)与所述X射线管之间的恒定距离，
-第一晶体衍射仪(601、1501)，相对于所述浆料处理单元(201)沿第一方向定位，所述第一晶体衍射仪(601、1501)包括第一晶体(603、1502)，
-第一辐射检测器(602、1505)，被配置成以第一能量分辨率检测由所述第一晶体(603、1502)衍射的荧光X射线，
-第二晶体衍射仪(1511)，相对于所述浆料处理单元(201)沿第二方向定位，所述第二晶体衍射仪(1511)包括第二晶体(1512)，
-第二辐射检测器(1515)，被配置成以第二能量分辨率检测由所述第二晶体(1512)衍射的荧光X射线，
其特征在于：
-所述第一晶体(603、1502)为热解石墨晶体，
-所述第二晶体(1512)包括热解石墨以外的材料，以及
-所述第一晶体衍射仪和所述第二晶体衍射仪都被配置成将相同元素的特征荧光辐射导向至其相应的辐射检测器。
2.根据权利要求1所述的X射线荧光分析仪，其中，所述第二晶体(1512)是以下之一：二氧化硅晶体，氟化锂晶体，磷酸二氢铵晶体，邻苯二甲酸氢钾晶体。
3.根据权利要求1或2中的任一项所述的X射线荧光分析仪，其中，在5.9keV的参考能量下，所述第一能量分辨率优于300eV。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线荧光分析仪，其中，所述第一辐射检测器(1505)是以下之一：PIN二极管检测器，硅漂移检测器，锗检测器，锗漂移检测器。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线荧光分析仪，其中，所述第二辐射检测器(1515)是充气正比计数器。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线荧光分析仪，其中，所述元素是金。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线荧光分析仪，其中：
-所述浆料处理单元(201)被配置成在面向所述X射线管(402)的一侧维持浆料的所述样品(202)的平直表面，
-所述第一光轴(204)与所述平直表面成一倾斜角度，
-所述第一晶体衍射仪(601、1501)围绕所述第一光轴(204)以旋转角度定位，在该位置处，所述样品(202)的所述平直表面覆盖所述第一晶体衍射仪(601、1501)的视场的最大部分，以及
-所述第二晶体衍射仪(1511)围绕所述第一光轴(204)以另一旋转角度定位。
8.根据权利要求1至6中的任一项所述的X射线荧光分析仪，其中：
-所述浆料处理单元(201)被配置成在面向所述X射线管(402)的一侧维持浆料的所述样品(202)的平直表面，以及
-所述第一光轴(204)垂直于所述平直表面。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线荧光分析仪，其中，所述X射线管(402)的输入功率额定值为至少400瓦。
10.根据权利要求9所述的X射线荧光分析仪，其中，所述X射线管(402)的输入功率额定值为至少1千瓦，优选为至少2千瓦，更优选为至少4千瓦。
11.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线荧光分析仪，其中，所述X射线管(402)与所述浆料处理单元(201)之间的光路是直接的，其间没有衍射仪。
12.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线荧光分析仪，其中
-所述X射线管(402)包括用于产生所述入射X射线(206)的阳极，以及
-所述浆料处理单元(201)被配置成在浆料的所述样品(202)与所述阳极之间维持短于50mm、优选短于40mm、并且更优选短于30mm的最短线性距离。
13.根据权利要求12所述的X射线荧光分析仪，其中，所述X射线管(402)是端窗类型的X射线管。
14.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线荧光分析仪，其中，所述热解石墨晶体(603)的衍射表面是以下之一：在一个方向上弯曲的单连通表面；在两个方向上弯曲的单连通表面；非单连通的旋转对称表面。
15.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线荧光分析仪，包括：
-分析仪本体(401)，
-所述分析仪本体(401)的前壁(303)，
-所述前壁(303)中的开口，以及
-保持器(403)，用于将所述浆料处理单元(201)能移除地保持为抵靠所述前壁(303)的外侧，并且与所述前壁(303)中的所述开口对准。
16.根据权利要求15所述的X射线荧光分析仪，其中，所述X射线管(402)和所述第一晶体衍射仪(601)都位于所述分析仪本体的内部，在所述前壁(303)的同一侧。
17.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线荧光分析仪，包括位于所述X射线管(402)与所述浆料处理单元(201)之间的光路上的滤光板(205)。
18.根据权利要求17所述的X射线荧光分析仪，其中，所述滤光板(205)被定位成到所述X射线管(402)的距离小于到所述浆料处理单元(201)的距离。
19.根据前述权利要求中的任一项所述的X射线荧光分析仪，包括校准器板(305)和致动器(501)，所述致动器被配置成使所述校准器板(305)在至少两个位置之间能控制地移动，其中第一位置不在所述入射X射线(206)的路径上，而第二位置在所述入射X射线(206)的路径上并且在所述第一晶体衍射仪(601)的视场中。
20.一种执行X射线荧光分析的方法，包括：
-用入射X射线照射浆料的样品(202)，并从所照射的所述样品(202)接收荧光X射线，
-用相应的第一晶体衍射仪(1501)和第二晶体衍射仪(1511)从所接收的所述荧光X射线的相应的第一部分和第二部分中分离预定第一波长范围(1301)和预定第二波长范围(1401)，其中，所述第一波长范围(1301)和所述第二波长范围(1401)都包括相同元素的特征荧光辐射，并且其中，所述第一波长范围(1301)是所述第二波长范围(1401)的至少两倍宽，
-用相应的第一辐射检测器(1505)和第二辐射检测器(1515)检测处于所分离的所述第一波长范围和所分离的所述第二波长范围内的荧光X射线，从而产生相应的第一检测结果和第二检测结果，其中，在5.9keV的参考能量下，所述第一辐射检测器(1505)的能量分辨率优于300eV，以及
-根据所述第一检测结果和所述第二检测结果中的至少一个来计算所述样品(202)中的所述元素的浓度。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述计算包括：
-使用所述第一检测结果和所述第二检测结果中的至少一个来计算背景辐射和来自除所述元素以外的其他元素的荧光X射线的组合强度，
-从处于包含所述样品中的待测量元素的荧光X射线的所述特征峰的波长范围内检测到的总强度中减去计算出的背景辐射和来自所述样品中的除所述感兴趣元素之外的其他元素的荧光X射线的组合强度，以及
-将所述减去的结果设为所述特征荧光X射线峰的计算强度。
22.根据权利要求20或21中的任一项所述的方法，其中，所述计算包括：
-根据所述第一检测结果和所述第二检测结果分析来自另一元素的特征峰对于所述第一检测结果的影响是否大于预定阈值，
-如果所述分析显示来自所述其他元素的所述特征峰对于所述第一检测结果的影响大于所述预定阈值，则根据所述第二检测结果来计算所述样品(202)中的所述元素的所述浓度，以及
-如果所述分析显示来自所述其他元素的所述特征峰对于所述第一检测结果的影响不大于所述预定阈值，则根据所述第一检测结果来计算所述样品(202)中的所述元素的所述浓度。
23.根据权利要求20至22中的任一项所述的方法，其中，所述元素是金。
24.根据权利要求20至22中的任一项所述的方法，其中，所述特征荧光辐射包括30≤Z≤92的元素的K峰或L峰，其中Z是所述元素的原子序数。
25.根据权利要求20至24中的任一项所述的方法，其中，所述样品包括由Z≤8的主要元素组成的基质中的所述元素，其中Z是原子序数。
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ZA (1) ZA202007014B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113294150A (zh) * 2021-06-11 2021-08-24 中国石油天然气股份有限公司 一种元素分类的方法及系统

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11815480B2 (en) 2018-04-20 2023-11-14 Outotec (Finland) Oy X-ray fluorescence analyzer and a method for performing an x-ray fluorescence analysis
AU2019322935B2 (en) * 2018-08-17 2022-03-10 MicroTrace Pty. Ltd. Apparatus for the measurement of mineral slurries
KR20210076942A (ko) * 2018-10-18 2021-06-24 시큐리티 매터스 엘티디. 물질 내의 이물의 검출 및 식별을 위한 시스템 및 방법
JP7380421B2 (ja) * 2020-05-27 2023-11-15 株式会社島津製作所 Ｘ線分析装置およびｘ線分析方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0345949A2 (en) * 1988-05-06 1989-12-13 Gersan Establishment Sensing a narrow frequency band of radiation and examining objects or zones
CN101614684A (zh) * 2009-07-27 2009-12-30 北京矿冶研究总院 一种x射线荧光激发检测装置
CN102460135A (zh) * 2009-06-03 2012-05-16 特莫尼托恩分析仪器股份有限公司 检测器位于聚焦元件内部的x射线系统和方法
CN102770753A (zh) * 2009-12-17 2012-11-07 赛默飞世尔科技(埃居布朗)有限公司 进行样本的x射线分析的方法和设备
US20140037053A1 (en) * 2012-08-02 2014-02-06 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Trace element x-ray flourescence analyser using dual focusing x-ray monochromators
RU137951U1 (ru) * 2013-06-18 2014-02-27 Российская Федерация, от имени которой выступает Федеральное государственное казенное учреждение "Войсковая часть 68240" Устройство для рентгеновского микроанализа
CN204556542U (zh) * 2015-04-24 2015-08-12 北京邦鑫伟业技术开发有限公司 一种用于x荧光光谱分析仪的热解石墨晶体分光器
US20150362445A1 (en) * 2014-06-13 2015-12-17 Hitachi High-Tech Science Corporation X-ray fluorescence analyzer
CN105628720A (zh) * 2015-03-10 2016-06-01 深圳市禾苗分析仪器有限公司 连续衍射分光与探测装置及顺序式x射线荧光光谱仪
RU2594646C1 (ru) * 2015-06-29 2016-08-20 Совместное предприятие в форме закрытого акционерного общества "Изготовление, внедрение, сервис" Автоматический рентгеновский анализатор пульп и растворов в потоке

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3198944A (en) * 1961-11-06 1965-08-03 Gen Electric X-ray emission analyzer with standardizing system and novel switch means
NL289708A (zh) * 1962-03-05
US3354308A (en) 1965-04-30 1967-11-21 Philips Electronic Pharma Apparatus with means to measure the characteristic X-ray emission from and the density of a material
US7298817B2 (en) * 2003-12-01 2007-11-20 X-Ray Optical Systems, Inc. Portable and on-line arsenic analyzer for drinking water
JP3950156B1 (ja) * 2006-04-11 2007-07-25 理学電機工業株式会社 蛍光ｘ線分析装置
US8208602B2 (en) * 2010-02-22 2012-06-26 General Electric Company High flux photon beams using optic devices

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0345949A2 (en) * 1988-05-06 1989-12-13 Gersan Establishment Sensing a narrow frequency band of radiation and examining objects or zones
CN102460135A (zh) * 2009-06-03 2012-05-16 特莫尼托恩分析仪器股份有限公司 检测器位于聚焦元件内部的x射线系统和方法
CN101614684A (zh) * 2009-07-27 2009-12-30 北京矿冶研究总院 一种x射线荧光激发检测装置
CN102770753A (zh) * 2009-12-17 2012-11-07 赛默飞世尔科技(埃居布朗)有限公司 进行样本的x射线分析的方法和设备
US20140037053A1 (en) * 2012-08-02 2014-02-06 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Trace element x-ray flourescence analyser using dual focusing x-ray monochromators
RU137951U1 (ru) * 2013-06-18 2014-02-27 Российская Федерация, от имени которой выступает Федеральное государственное казенное учреждение "Войсковая часть 68240" Устройство для рентгеновского микроанализа
US20150362445A1 (en) * 2014-06-13 2015-12-17 Hitachi High-Tech Science Corporation X-ray fluorescence analyzer
CN105628720A (zh) * 2015-03-10 2016-06-01 深圳市禾苗分析仪器有限公司 连续衍射分光与探测装置及顺序式x射线荧光光谱仪
CN204556542U (zh) * 2015-04-24 2015-08-12 北京邦鑫伟业技术开发有限公司 一种用于x荧光光谱分析仪的热解石墨晶体分光器
RU2594646C1 (ru) * 2015-06-29 2016-08-20 Совместное предприятие в форме закрытого акционерного общества "Изготовление, внедрение, сервис" Автоматический рентгеновский анализатор пульп и растворов в потоке

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113294150A (zh) * 2021-06-11 2021-08-24 中国石油天然气股份有限公司 一种元素分类的方法及系统
CN113294150B (zh) * 2021-06-11 2023-05-23 中国石油天然气股份有限公司 一种元素分类的方法及系统

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