CN112310254A - 发光组件 - Google Patents

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Abstract

发光组件包括堆叠结构及覆盖堆叠结构的至少多个侧面的第一绝缘层。堆叠结构包括P型及N型半导体层、位于P型及N型半导体层之间的发光层、位于N型半导体层上的N型电极、位于N型半导体层及N型电极之间的N型接触层、位于P型半导体层上的P型电极、位于N型电极上的N型接触垫、位于P型电极上的P型接触垫、以及位于发光层与N型接触层之间的半导体反射器。半导体反射器包括多个周期，各周期包括至少一第一层及至少一第二层，第一层的折射率不同于第二层的折射率，可以提升发光组件的发光效率。发光组件可应用于广色域背光模块或超薄背光模块。

Description

发光组件
技术领域
本揭露是关于一种发光组件。
背景技术
近年来，发光二极管(LED)由于具有高指向性、节能等优点，已被应用在各种照明元件及显示元件。微型发光二极管(Micro-LED)呈巨集型的排列，其可个别地被处理以例如应用在微型显示器上，相较于标准的大尺寸发光二极管，其可提升光输出量。
传统的发光二极管组件可具有N掺杂层及以多重量子井层(MQW)所隔开的P掺杂层，可凭借电极施加电压在N掺杂层及P掺杂层之间，电极与N掺杂层、P掺杂层之间的介面被期望是欧姆接触，以降低接触电阻。发光二极管组件通常具有位于它们之间的欧姆接触层以降低接触电阻，为了有效的取光，欧姆接触层的面积会尽可能的缩减，以最小化其吸光量。然而，在微型发光二极管中，制造小面积的欧姆接触层具有困难度。
发明内容
本揭露的一些实施例提供一种发光组件。发光组件包括位于发光层及N型接触层之间的半导体反射器，以避免N型接触层吸收发光层所发出的光线，因此，可以提升发光组件的发光效率。发光组件还包括第一绝缘层，第一绝缘层的折射率不同于P型半导体层的折射率，因此，可增进发光组件的发光效率。
其中的一个优点是，由于半导体反射器可避免N型接触层吸收发光层所发出的光线，因此，可提升发光组件的发光效率。另一个优点是，由于第一绝缘层的折射率小于P型半导体层的折射率，发光组件的发光效率同样可因此而提升。再另一个优点是，由于空气和P型半导体层的顶面之间的全反射所造成的损耗可被降低，因此，可提高发光组件的光取出效率。
于一些实施例中，发光组件包括堆叠结构及覆盖该堆叠结构的至少多个侧面的第一绝缘层。堆叠结构包括P型半导体层、位于P型半导体层上的N型半导体层、位于P型半导体层与N型半导体层之间的发光层、位于N型半导体层上的N型电极、位于N型半导体层与N型电极之间的N型接触层、位于P型半导体层上的P型电极、位于N型电极上的N型接触垫、位于P型电极上的P型接触垫、以及位于发光层及N型接触层之间的半导体反射器。半导体反射器包括多个周期，各周期包括至少一第一层及至少一第二层，第一层的折射率不同于第二层的折射率。
于一些实施例中，上述的P型半导体层具有背对半导体反射器的顶面，且顶面为粗糙面。
于一些实施例中，上述的第一绝缘层的折射率小于P型半导体层的折射率。
于一些实施例中，上述的第一绝缘层延伸至P型半导体层的顶面。
于一些实施例中，上述的第一绝缘层覆盖堆叠结构的底面，且露出N型接触垫的底部及P型接触垫的底部。
于一些实施例中，上述的N型半导体层具有第一部分及第二部分，第二部分通过半导体反射器与第一部分分开。
于一些实施例中，上述的第一绝缘层延伸至覆盖粗糙面。
于一些实施例中，上述的第一绝缘层的背对P型半导体层的顶面的形状相似于粗糙面的形状。
于一些实施例中，上述的半导体反射器的第一层与第二层包括铝，且第一层的铝的原子百分比实质上不同于第二层的铝的原子百分比。
于一些实施例中，上述的半导体反射器的第一层包括AlxGa1-xAs，其中0<x<1。
于一些实施例中，上述的半导体反射器的第二层包括AlyGa1-yAs，其中0<y<1。
于一些实施例中，上述的发光组件还包括第二绝缘层，第二绝缘层覆盖第一绝缘层，第二绝缘层的折射率不同于第一绝缘层的折射率。
于一些实施例中，上述的第二绝缘层的折射率小于第一绝缘层的折射率。
于一些实施例中，上述的第二绝缘层的背对P型半导体层的顶面的形状相似于第一绝缘层的顶面的形状。
附图说明
阅读以下详细叙述并搭配对应的附图，可了解本揭露的多个样态。需留意的是，附图中的多个特征并未依照该业界领域的标准作法绘制实际比例。事实上，所述的特征的尺寸可以任意的增加或减少以利于讨论的清晰性。
图1至图4是依照一些实施例的发光组件的剖面示意图。
【符号说明】
100、100a、100b、100c 发光组件
102 堆叠结构
104 第一绝缘层
104a 顶面
106 P型半导体层
106a 顶面
108 发光层
110 N型半导体层
110A 第一部分
110B 第二部分
112 N型接触层
114 N型电极
116 N型接触垫
118 P型电极
120 P型接触垫
122 半导体反射器
124 第一层
126 第二层
128 第二绝缘层
128a 顶面
具体实施方式
以下将以附图揭露本发明的多个实施例，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。
图1是依照一些实施例的发光组件100的剖面示意图。请参照图1，发光组件100具有堆叠结构102及覆盖堆叠结构102的至少多个侧面的第一绝缘层104。堆叠结构102包括P型半导体层106、N型半导体层110及发光层108。N型半导体层110位于P型半导体层106上方。发光层108位于P型半导体层106及N型半导体层110之间。于一些实施例中，P型半导体层106是P型磷化镓(GaP)层，N型半导体层110是N型磷化铝镓铟(AlGaInP)层。
堆叠结构102还包括N型电极114、N型接触层112、P型电极118、N型接触垫116及P型接触垫120。N型电极114位于N型半导体层110上方，N型接触层112位于N型半导体层110及N型电极114之间。N型接触垫116位于N型电极114上方。P型电极118位于P型半导体层106上方，P型接触垫120位于P型电极118上方。于一些实施例中，N型接触层112是N型砷化镓(GaAs)层。
于一些实施例中，发光层108是多重量子井层(multiple quantum well activelayer)。于一实施例中，多重量子井层是由井层(well layer)及阻障层(barrier layer)的交替层所形成。于一些实施例中，发光层108发红光，且发光组件100是红光发光元件。
堆叠结构102还包括位于发光层108及N型接触层112之间的半导体反射器122。于一些实施例中，N型半导体层110具有第一部分110A及第二部分110B，第二部分110B通过半导体反射器122与第一部分110A分开。N型半导体层110的第二部分110B比N型半导体层110的第一部分110A更靠近N型接触层112。发光层108在N型半导体层110的第二部分110B的垂直投影重叠于半导体反射器122在N型半导体层110的第二部分110B的垂直投影。半导体反射器122可反射发光层108所发出的光线。进一步而言，半导体反射器122可避免N型接触层112吸收发光层108所发出的光线，因此可提升发光组件100的发光效率。换言之，半导体反射器122可以导引光线从朝向下方(例如朝向N型接触层112的方向)变成朝向上方(朝向P型半导体层106的方向)。
于一些实施例中，半导体反射器122是分布式布拉格反射器(distributed Braggreflector；DBR)。半导体反射器122包括多个周期。各周期包括至少第一层124及至少第二层126，第一层124的折射率不同于第二层126的折射率。于一些实施例中，半导体反射器122的第一层124及第二层126包括铝。第一层124的折射率及第二层126的折射率取决于其中的铝的原子百分比。举例而言，半导体反射器122的第一层124包括AlxGa1-xAs，其中0<x<1。半导体反射器122的第二层126包括AlyGa1-yAs，其中0<y<1，且y不同于x。换言之，第一层124的铝的原子百分比实质上不同于第二层126的铝的原子百分比。
在一些实施例中，第一绝缘层104覆盖堆叠结构102的底面，且露出N型接触垫116的底部及P型接触垫120的底部。第一绝缘层104的折射率小于P型半导体层106的折射率，使得光取出效率可通过第一绝缘层104所增强。
P型半导体层106具有背对半导体反射器122的顶面106a，P型半导体层106的顶面106a具有多个不规则。换言之，P型半导体层106的顶面106a是粗糙面，因此，可降低空气与P型半导体层106的顶面106a之间的全反射(total internal reflection；TIR)所造成的损耗，从而提升发光组件100的光取出效率。
图2是依照另一实施例的发光组件100a的剖面示意图。如图2所示，发光组件100a与发光组件100的主要差异在于发光组件100a的第一绝缘层104延伸至覆盖P型半导体层106的顶面106a。于一些实施例中，第一绝缘层104的背对P型半导体层106的顶面104a的形状相似于P型半导体层106的顶面106a的形状。换言之，P型半导体层106的顶面106a与第一绝缘层104的顶面104a具有不规则。也就是说，P型半导体层106的顶面106a及第一绝缘层104的顶面104a为粗糙面，因此，可降低空气与第一绝缘层104的顶面104a之间的全反射所造成的损耗，从而提升发光组件100a的光取出效率。
图3是依照另一实施例的发光组件100b的剖面示意图。如图3所示，发光组件100b与发光组件100的主要差异在于发光组件100b还包括覆盖第一绝缘层104的第二绝缘层128。换言之，第一绝缘层104位于堆叠结构102及第二绝缘层128之间。第二绝缘层128的折射率不同于第一绝缘层104的折射率。于一些实施例中，第二绝缘层128的折射率小于第一绝缘层104的折射率。因此，发光组件100b的光取出效率可以被提升。
图4是依照另一实施例的发光组件100c的剖面示意图。如图4所示，发光组件100c与发光组件100b的主要差异在于第一绝缘层104及第二绝缘层128延伸至P型半导体层106的顶面106a。第二绝缘层128覆盖第一绝缘层104。进一步而言，第一绝缘层104部分地位于P型半导体层106的顶面106a及第二绝缘层128之间。第二绝缘层128的背对P型半导体层106的顶面128a的形状相似于第一绝缘层104的顶面104a的形状。于一些实施例中，第二绝缘层128的顶面128a为粗糙面，且第一绝缘层104的顶面104a为粗糙面，如先前对图1的描述。第二绝缘层128的顶面128a具有不规则，因此，可降低空气与第二绝缘层128的顶面128a之间的全反射所造成的损耗，从而提升发光组件100c的光取出效率。
由以上论述，可见本揭露提供多个优点。可理解的是，其他实施例可提供额外的优点，并非所有的优点都在此被必须地揭露，且各实施例毋需特定的优点。其中的一个优点是由于半导体反射器可避免N型接触层吸收发光层所发出的光线，因此可提升发光组件的发光效率。另一个优点是由于第一绝缘层的折射率小于P型半导体层的折射率，发光组件的发光效率同样可因此而提升。再另一个优点是，由于空气和P型半导体层的顶面之间的全反射所造成的损耗可被降低，因此可提高发光组件的光取出效率。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (20)

1.一种发光组件，其特征在于，包含：
一堆叠结构，包含：
一P型半导体层；
一N型半导体层，位于该P型半导体层上；
一发光层，位于该P型半导体层与该N型半导体层之间；
一N型电极，位于该N型半导体层上；
一N型接触层，位于该N型半导体层与该N型电极之间；
一P型电极，位于该P型半导体层上；
一N型接触垫，位于该N型电极上；
一P型接触垫，位于该P型电极上；以及
一半导体反射器，位于该发光层及该N型接触层之间，该半导体反射器包括多个周期，各该周期包含至少一第一层及至少一第二层，该第一层的折射率不同于该第二层的折射率；以及
一第一绝缘层，覆盖该堆叠结构的至少多个侧壁。
2.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该P型半导体层具有背对该半导体反射器的一顶面，且该顶面为一粗糙面。
3.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该第一绝缘层的折射率小于该P型半导体层的折射率。
4.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该第一绝缘层延伸至该P型半导体层的一顶面。
5.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该第一绝缘层覆盖该堆叠结构的一底面，且露出该N型接触垫的一底部及该P型接触垫的一底部。
6.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该N型半导体层具有一第一部分及一第二部分，该第二部分通过该半导体反射器与该第一部分分开。
7.根据权利要求2所述的发光组件，其特征在于，该第一绝缘层延伸至覆盖该粗糙面。
8.根据权利要求7所述的发光组件，其特征在于，该第一绝缘层的背对该P型半导体层的一顶面的形状相似于该粗糙面的形状。
9.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该半导体反射器的该第一层与该第二层包含铝，且该第一层的铝的原子百分比不同于该第二层的铝的原子百分比。
10.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该半导体反射器的该第一层包括AlxGa1-xAs，其中0<x<1。
11.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该半导体反射器的该第二层包括AlyGa1-yAs，其中0<y<1。
12.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，还包含一第二绝缘层，该第二绝缘层覆盖该第一绝缘层，其中该第二绝缘层的折射率不同于该第一绝缘层的折射率。
13.根据权利要求12所述的发光组件，其特征在于，该第二绝缘层的折射率小于该第一绝缘层的折射率。
14.根据权利要求4所述的发光组件，其特征在于，还包含一第二绝缘层，该第二绝缘层覆盖该第一绝缘层，其中该第二绝缘层的折射率不同于该第一绝缘层的折射率。
15.根据权利要求14所述的发光组件，其特征在于，该第二绝缘层的折射率小于该第一绝缘层的折射率。
16.根据权利要求7所述的发光组件，其特征在于，还包含一第二绝缘层，该第二绝缘层覆盖该第一绝缘层，其中该第二绝缘层的折射率不同于该第一绝缘层的折射率。
17.根据权利要求16所述的发光组件，其特征在于，该第二绝缘层的折射率小于该第一绝缘层的折射率。
18.根据权利要求8所述的发光组件，其特征在于，还包含一第二绝缘层，该第二绝缘层覆盖该第一绝缘层，其中该第二绝缘层的折射率不同于该第一绝缘层的折射率。
19.根据权利要求18所述的发光组件，其特征在于，该第二绝缘层的折射率小于该第一绝缘层的折射率。
20.根据权利要求18所述的发光组件，其特征在于，该第二绝缘层的背对该P型半导体层的一顶面的形状相似于该第一绝缘层的该顶面的形状。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107681034B (zh) * 2017-08-30 2019-11-12 天津三安光电有限公司 微型发光二极管及其制作方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001148508A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子及びその製造方法
CN1486513A (zh) * 2001-01-15 2004-03-31 丰田合成株式会社 Iii族氮化物半导体器件
CN101320766A (zh) * 2007-06-05 2008-12-10 台达电子工业股份有限公司 电流扩散层、发光二极管装置及其制造方法
CN101441297A (zh) * 2007-11-22 2009-05-27 财团法人工业技术研究院 极化的发光元件
TW200941727A (en) * 2008-01-17 2009-10-01 Idemitsu Kosan Co Field effect transistor, semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
JP2010232649A (ja) * 2009-03-06 2010-10-14 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ
CN102903811A (zh) * 2011-07-25 2013-01-30 广镓光电股份有限公司 发光装置结构
CN103811413A (zh) * 2012-11-15 2014-05-21 上海华虹宏力半导体制造有限公司 半导体基片的制造工艺方法
CN106257696A (zh) * 2015-06-17 2016-12-28 三星电子株式会社 半导体发光装置
CN106711316A (zh) * 2015-11-18 2017-05-24 晶元光电股份有限公司 发光元件
CN107863435A (zh) * 2016-09-21 2018-03-30 晶元光电股份有限公司 可用于治疗的发光模块

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5286335A (en) 1992-04-08 1994-02-15 Georgia Tech Research Corporation Processes for lift-off and deposition of thin film materials
JPH10223929A (ja) 1996-12-05 1998-08-21 Showa Denko Kk ＡｌＧａＩｎＰ発光素子用基板
US6791119B2 (en) 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
TW480752B (en) 2001-04-09 2002-03-21 United Epitaxy Co Ltd Structure and manufacturing method for light emitting diode
US20040211972A1 (en) 2003-04-22 2004-10-28 Gelcore, Llc Flip-chip light emitting diode
TWI312582B (en) 2003-07-24 2009-07-21 Epistar Corporatio Led device, flip-chip led package and light reflecting structure
TWI285970B (en) 2005-08-26 2007-08-21 Arima Optoelectronics Corp Window interface layer structure of LED
JP5217800B2 (ja) 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
US10205059B2 (en) * 2010-02-09 2019-02-12 Epistar Corporation Optoelectronic device and the manufacturing method thereof
CN102386200B (zh) 2010-08-27 2014-12-31 财团法人工业技术研究院 发光单元阵列与投影系统
KR101813935B1 (ko) 2011-06-09 2018-01-02 엘지이노텍 주식회사 발광소자
US9142741B2 (en) 2011-06-15 2015-09-22 Sensor Electronic Technology, Inc. Emitting device with improved extraction
KR102007402B1 (ko) 2012-08-06 2019-08-05 엘지이노텍 주식회사 발광소자
TWI474516B (zh) 2012-08-30 2015-02-21 Lextar Electronics Corp 覆晶式發光二極體結構及其製造方法
US10154626B2 (en) * 2013-03-07 2018-12-18 Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. LED for plant illumination
US9368939B2 (en) * 2013-10-18 2016-06-14 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable laser diode formed on C-plane gallium and nitrogen material
TWI637534B (zh) 2013-11-29 2018-10-01 晶元光電股份有限公司 發光裝置
KR102197082B1 (ko) 2014-06-16 2020-12-31 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
US9847454B2 (en) * 2015-10-02 2017-12-19 Epistar Corporation Light-emitting device
KR101754528B1 (ko) 2016-03-23 2017-07-06 한국광기술원 건식 접착구조를 갖는 ｌｅｄ 구조체 어레이의 전사체와 이를 이용한 ｌｅｄ 구조체 어레이의 이송방법 및 ｌｅｄ 구조체
US10734786B2 (en) * 2016-09-07 2020-08-04 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor light emitting element and light emitting device including same
KR20180058564A (ko) * 2016-11-24 2018-06-01 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 패키지
US10950756B2 (en) * 2016-12-06 2021-03-16 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device including a passivation layer on a light emitting structure
JP6840352B2 (ja) 2016-12-13 2021-03-10 学校法人 名城大学 半導体多層膜ミラー、これを用いた垂直共振器型発光素子及びこれらの製造方法
TWI790984B (zh) 2017-01-26 2023-01-21 晶元光電股份有限公司 發光元件
WO2018143751A1 (ko) 2017-02-06 2018-08-09 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR102390828B1 (ko) * 2017-08-14 2022-04-26 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자
KR20190022326A (ko) * 2017-08-24 2019-03-06 서울바이오시스 주식회사 분포 브래그 반사기를 가지는 발광 다이오드
US11282981B2 (en) * 2017-11-27 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Passivation covered light emitting unit stack
US20190164945A1 (en) * 2017-11-27 2019-05-30 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode for display and display apparatus having the same
US10892297B2 (en) * 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US10748881B2 (en) * 2017-12-05 2020-08-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11552057B2 (en) * 2017-12-20 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US10566508B2 (en) 2018-05-18 2020-02-18 Sct Ltd. Molded surface mount device LED display module
TWI701882B (zh) * 2018-11-08 2020-08-11 晶智達光電股份有限公司 雷射元件
KR102601950B1 (ko) * 2018-11-16 2023-11-14 삼성전자주식회사 Led 소자, led 소자의 제조 방법 및 led 소자를 포함하는 디스플레이 장치
KR20200079817A (ko) * 2018-12-26 2020-07-06 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
US11508876B2 (en) * 2018-12-31 2022-11-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device package and display device having the same
US11251340B2 (en) * 2019-01-23 2022-02-15 Epistar Corporation Light-emitting device with distributed Bragg reflection structure
US11855121B2 (en) * 2019-05-14 2023-12-26 Seoul Viosys Co., Ltd. LED chip and manufacturing method of the same
US11756980B2 (en) * 2019-05-14 2023-09-12 Seoul Viosys Co., Ltd. LED chip package and manufacturing method of the same

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001148508A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子及びその製造方法
CN1486513A (zh) * 2001-01-15 2004-03-31 丰田合成株式会社 Iii族氮化物半导体器件
CN101320766A (zh) * 2007-06-05 2008-12-10 台达电子工业股份有限公司 电流扩散层、发光二极管装置及其制造方法
CN101441297A (zh) * 2007-11-22 2009-05-27 财团法人工业技术研究院 极化的发光元件
TW200941727A (en) * 2008-01-17 2009-10-01 Idemitsu Kosan Co Field effect transistor, semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
JP2010232649A (ja) * 2009-03-06 2010-10-14 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ
CN102903811A (zh) * 2011-07-25 2013-01-30 广镓光电股份有限公司 发光装置结构
CN103811413A (zh) * 2012-11-15 2014-05-21 上海华虹宏力半导体制造有限公司 半导体基片的制造工艺方法
CN106257696A (zh) * 2015-06-17 2016-12-28 三星电子株式会社 半导体发光装置
CN106711316A (zh) * 2015-11-18 2017-05-24 晶元光电股份有限公司 发光元件
CN107863435A (zh) * 2016-09-21 2018-03-30 晶元光电股份有限公司 可用于治疗的发光模块

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