CN112309941B - 用于半导体加工设备的转运组件及半导体加工设备 - Google Patents
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Abstract
本申请公开一种用于半导体加工设备的转运组件及半导体加工设备,半导体加工设备包括反应腔室和基座,基座设置于反应腔室内,所公开的转运组件包括:托盘,托盘的边缘的底面上设有第一定位部,在托盘放置于基座上的情况下,托盘的边缘的下方具有避让空间;传送工具,传送工具包括取放手指,取放手指包括本体部和自本体部沿着托盘边缘延伸形成的延伸部,延伸部可用于伸入反应腔室的传片口并移动至托盘的边缘下方的避让空间,以托起托盘;延伸部朝向托盘的一侧设置有第二定位部,且第一定位部与第二定位部配合实现定位。上述方案能够解决碳化硅片在取放过程中存在掉落的风险,以及因取放动作需求而导致工艺气体出现紊流和浓度降低的问题。
Description
技术领域
本申请涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种用于半导体加工设备的转运组件及半导体加工设备。
背景技术
外延生长是碳化硅功率半导体器件制造的首道工序,不同于硅外延1000℃至1200℃的外延温度,碳化硅外延的温度通常为1500℃至1800℃,且生长时间一般较长。提高工艺质量可保证器件获得足够高的合格率,提高工艺效率则可以大大降低器件制造成本,其中,高温取放碳化硅片是提高工艺效率的关键方法之一。现有技术中,常用取放碳化硅片的取放装置16如图1a至图2所示,包括操纵杆18,两个肩部19通过V型枝部17连接至操纵杆18,两个翼部20分别连接至两个肩部19,翼部20与V型枝部17形成取放槽,在取放碳化硅片时,如图2所示,取放装置16伸入反应腔室中,以使承载有碳化硅片的支撑元件8滑入取放槽,两个翼部20向上托起支撑元件8,从而实现碳化硅片的取片过程,反之为放片过程。
在此取放过程中,两个翼部20与支撑元件8平行接触,使得两个翼部20与支撑元件8在取放装置16的运动方向没有定位,在取放碳化硅片的过程中,因取放装置16抖动,支撑元件8存在掉落的风险,进而导致碳化硅片被摔碎同时,为配合取放装置16的取放片动作,需要在反应腔室内开设引导间隙7,工艺气体在流经引导间隙7时,有产生紊流的风险,进而扰乱气流场,影响工艺质量;且反应腔室需要预留近20mm高的空间,在工艺气体流量相同的情况下,反应腔室中的工艺气体浓度会降低,导致工艺效率降低,而增加流量又会增加生产成本。
发明内容
本申请公开一种用于半导体加工设备的转运组件及半导体加工设备,能够解决碳化硅片在取放过程中存在掉落的风险,以及因取放动作需求而导致工艺气体出现紊流和浓度降低的问题。
为解决上述技术问题,本申请是这样实现的:
第一方面,本申请实施例公开一种用于半导体加工设备的转运组件,所述半导体加工设备包括反应腔室和基座,所述基座设置于所述反应腔室内,包括:
托盘,所述托盘的边缘的底面上设有第一定位部,在所述托盘放置于所述基座上的情况下,所述托盘的边缘的下方具有避让空间;
传送工具,所述传送工具包括取放手指,所述取放手指包括本体部和自所述本体部沿着所述托盘边缘延伸形成的延伸部,所述延伸部可用于伸入所述反应腔室的传片口并移动至所述托盘的边缘下方的避让空间,以托起所述托盘;所述延伸部朝向所述托盘的一侧设置有第二定位部,且所述第一定位部与所述第二定位部配合实现定位。
第二方面,本申请实施例公开一种半导体加工设备,包括反应腔室、基座和上述的用于半导体加工设备的转运组件,所述基座设置于所述反应腔室内,所述转运组件中的托盘设置于所述基座上,所述转运组件的传送工具通过所述反应腔室的传片口移动所述托盘。
本申请采用的技术方案能够达到以下有益效果:
本申请公开的用于半导体加工设备的转运组件及半导体加工设备中,托盘的边缘的底面上设有第一定位部,在托盘放置于基座上的情况下,托盘的边缘的下方具有避让空间,取放手指包括本体部和自本体部沿着托盘边缘延伸形成的延伸部,延伸部可用于伸入反应腔室的传片口并移动至托盘的边缘下方的避让空间,以托起托盘,延伸部朝向托盘的一侧设置有第二定位部,在延伸部托起托盘的情况下,第一定位部与第二定位部配合实现定位,避免因取放手指的抖动而导致托盘从延伸部上掉落,提高传送工具传送托盘的稳定性。同时,且由于取放手指没有向下弯折延伸的两个肩部及翼部,因此,反应腔室无需为配合取放手指的取放片动作而预留近20mm高的空间,在工艺气体流量相同的情况下,反应腔室中的工艺气体浓度较高,从而使得晶片的工艺效率较高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或背景技术中的技术方案,下面将对实施例或背景技术中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,对于本领域普通技术人员而言,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1a和图1b为现有技术中一种典型的传送工具的两种示意图;
图2为现有技术中一种典型的半导体加工设备的部分结构示意图;
图3为本申请实施例公开的传送工具的示意图;
图4为本申请实施例公开的传送工具的另一示意图;
图5至图7为本申请实施例公开的传送工具的局部示意图;
图8为本申请实施例公开的取放手指及托盘的示意图;
图9为本申请实施例公开的取放手指的示意图;
图10为本申请实施例公开的半导体加工设备的示意图;
图11为本申请实施例公开的半导体加工设备的另一示意图。
附图标记说明:
7-引导间隙、8-支撑元件、16-取放装置、17-V型枝部、18-操纵杆、19-肩部、20-翼部;
100-反应腔室、110-腔室上壁、120-第一防护盖板、121-定位部;
200-托盘、210-第一定位部;
300-取放手指、310-本体部、320-延伸部、330-第二定位部;
410-基部、420-手臂、430-锁定板、440-锁紧块、450-偏心轴、460-配重块、470-支架、480-探测杆、490-定位板、500-导向轴、510-触位块、520-传感器;
600-第二防护盖板。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类,并不限定对象的个数,例如第一对象可以是一个,也可以是多个。此外,说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一,字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
下面结合附图,通过具体的实施例及其应用场景对本申请各个实施例公开的技术方案进行详细地说明。
请参考图3至图11,本申请实施例公开一种用于半导体加工设备的转运组件,半导体加工设备包括反应腔室100和基座,基座设置于反应腔室100内,所公开的转运组件包括托盘200和传送工具,传送工具用于在反应腔室100中取放托盘200,晶片(包括上文所述的碳化硅片)在托盘200上外延生长,在晶片外延生长完成后,需要通过传送工具将托盘200从反应腔室100中取出,然后在托盘200上取下晶片,再将托盘200通过传送工具放入反应腔室100中进行下一个晶片的外延生长,以此循环,完成多个晶片的外延生长。请再次参考图10,在半导体加工设备中,在托盘200放置于基座上的情况下,托盘200的边缘的下方具有避让空间,且位于腔室上壁110与第一防护盖板120之间,也就是说,托盘200高于第一防护盖板120,且托盘200与第一防护盖板120之间的距离可以为第一距离。
在本申请实施例中,所公开的传送工具包括取放手指300,取放手指300包括本体部310和自本体部310沿着托盘200边缘延伸形成的延伸部320,延伸部320可用于伸入反应腔室100的传片口并移动至托盘200的边缘下方的避让空间,以托起托盘200,该延伸部320可以的形状可以呈U形或C形,在延伸部320托起托盘200时,延伸部320位于托盘200边缘的下方。托盘200的边缘的底面上设有第一定位部210,延伸部320朝向托盘200的一侧设置有第二定位部330,在延伸部320托起托盘200的情况下,第一定位部210与第二定位部330配合实现定位,第一定位部210与第二定位部330能够对托盘200进行定位,避免因取放手指300的抖动而导致托盘200从延伸部320上掉落,进而避免晶片被摔碎,以使延伸部320在托起托盘200传送的过程中稳定性较高,提高传送工具传送托盘200的稳定性。
同时,且由于取放手指300没有向下弯折延伸的两个肩部及翼部,因此,反应腔室100无需为配合取放手指300的取放片动作而预留近20mm高的空间,以使反应腔室100的腔室上壁110与第一防护盖板120之间距离较小,也就使得反应腔室100的空间较小,在工艺气体流量相同的情况下,反应腔室100中的工艺气体浓度较高,从而使得晶片的工艺效率较高,避免因增加工艺气体的流量而导致晶片的生产成本较高。
本申请公开的用于半导体加工设备的转运组件及半导体加工设备中,托盘200的边缘的底面上设有第一定位部210,在托盘200放置于基座上的情况下,托盘200的边缘的下方具有避让空间,取放手指300包括本体部310和自本体部310沿着托盘200边缘延伸形成的延伸部320,延伸部320可用于伸入反应腔室100的传片口并移动至托盘200的边缘下方的避让空间,以托起托盘200,延伸部320朝向托盘200的一侧设置有第二定位部330,在延伸部320托起托盘200的情况下,第一定位部210与第二定位部330配合实现定位,避免因取放手指300的抖动而导致托盘200从延伸部320上掉落,提高传送工具传送托盘200的稳定性。同时,且由于取放手指300没有向下弯折延伸的两个肩部及翼部,因此,反应腔室100无需为配合取放手指300的取放片动作而预留近20mm高的空间,在工艺气体流量相同的情况下,反应腔室100中的工艺气体浓度较高,从而使得晶片的工艺效率较高。
进一步地,第二定位部330与延伸部320的厚度可以为第二距离,也就是说,第二定位部330与延伸部320厚度之和为第二距离,且第一距离大于第二距离,此种情况下,托盘200与第一防护盖板120之间存在高度差,取放手指300可沿第一防护盖板120的上表面直接进入反应腔室100中,且取放手指300能够沿第一防护盖板120的上表面直接移动至托盘200的位置,并能够托起托盘200,避免为配合取放手指300的取放片动作,需要在第一防护盖板120上开设引导间隙,从而能够防止工艺气体出现紊流的情况,保证气流场稳定,进而使得晶片外延生长的工艺质量较高,以使晶片的良率较高。
在传送工具取放托盘200的过程中,传送工具可能受其自重就托盘200与的重量影响,取放手指300可能会倾斜向下,导致延伸部320在取放托盘200时不能保持水平,进而增加托盘200滑落的风险。基于此,在一种可选的实施例中,传送工具还可以包括转动支架和手臂420、转动支架包括基部410和锁紧块440,基部410和锁紧块440转动连接,以使锁紧块440可以相对于基部410转动,手臂420的一端与本体部310连接,手臂420的另一端插设于锁紧块440内,基部410用于和动力源连接。此种情况下,在锁紧块440相对基部410转动时,锁紧块440能够通过手臂420带动本体部310转动,通过调整锁紧块440相对基部410的转动角度,能够使得本体部310保持水平,防止取放手指300倾斜向下,从而使得延伸部320在取放托盘200时能够保持水平,进一步防止托盘200滑落。
进一步地,锁紧块440可以位于基部410上,也就是说,基部410能托住锁紧块440,防止锁紧块440的第二端向下转动,从而避免进一步加剧延伸部320的倾斜程度。
具体地,驱动锁紧块440相对基部410转动的方式可以有多种,例如,在基部410上设置伺服马达,通过伺服马达驱动锁紧块440相对基部410转动,但是,此种方式会使得传送工具的结构复杂,成本较高,且重量较大。基于此,在一种可选的实施例中,传送工具还可以包括调节组件,调节组件设置于锁紧块440和基部410之间,用于调节锁紧块440和基部410之间的夹角。
具体地,基部410上设有调节孔,调节组件可以包括偏心轴450和设置于所述偏心轴450一端的转动轴,转动轴设置于调节孔内,偏心轴450与锁紧块440抵接。此种情况下,在偏心轴450转动的情况下,偏心轴450能够驱动锁紧块440转动,以使锁紧块440与基部410之间的夹角可调节,在基部410保持水平的情况下,锁紧块440向上倾斜,从而使得本体部310也向上倾斜,以补偿因重力而向下倾斜的延伸部320,从而使得延伸部320在取放托盘200时能够保持水平,进一步防止托盘200滑落。
此种驱动锁紧块440相对基部410转动的方式简单可靠,方便设置,避免因设置伺服马达而导致传送工具的结构复杂,成本较高,且重量较大。
在晶片加工过程中,反应腔室100内的温度较高,为了避免高温环境对传送工具造成损伤,在一种可选的实施例中,取放手指300的材质可以为石英材质,手臂420的材质可以为金属材质,由于石英件的耐高温性能较好,因此,能够避免高温环境对取放手指300造成损伤,延长传送工具的使用寿命。
为避免高温环境对手臂420造成损伤,可选地,传送工具还可以包括检测组件,转动支架还包括锁定板430,锁定板430设置于锁紧块440朝向手臂420的一端,锁定板430和锁紧块440的连接处对应设置连接孔,手臂420插设于连接孔内;检测组件包括探测杆480和传感器520,探测杆480与手臂420相平行设置,探测杆480的一端用于抵接反应腔室100的外壁,探测杆480的另一端穿设于锁定板430上;传感器520设置于基部410上,且正对探测杆480的穿设于锁定板430的一端,用于获取探测杆480的位置信息,并且用于通过判断位置信息控制动力源停止移动驱动。
具体地,探测杆480的一端设置可以有触位块510,触位块510设置于探测杆480背离传感器520的一端,另一端可以穿过锁定板430与定位板490相连,且探测杆480可沿其延伸方向相对于锁定板430移动,导向轴500可以设置于锁定板430,且可以与探测杆480平行设置,定位板490可以与导向轴500导向配合,支架470可以设置于基部410,传感器520可以设置于支架470,且传感器520可以与定位板490相对设置;反应腔室100的外壁上可以设置有定位部121,在触位块510与定位部121接触的情况下,手臂420与本体部310的连接处位于反应腔室100外,定位板490向着靠近传感器520的方向移动,且传感器520被触发。
在具体的工作过程中,传送工具向着托盘200移动,在触位块510碰到定位部121时,触位块510带动探测杆480向着与传送工具移动方向相反的方向移动,探测杆480带动定位板490在导向轴500的导向作用下靠近设置在支架470上的传感器520,在定位板490与传感器520之间的距离小于传感器520的触发值时,传感器520被触发,此时传送工具停止移动,使传送工具能够对取放托盘200的位置做出准确判断,避免出现因位置偏差导致传取片失败的情况。同时,此种方式也能避免手臂420伸入至反应腔室100中,进而防止高温环境对手臂420造成损伤。
为了进一步确保手臂420不伸入至反应腔室100中,可选地,手臂420与本体部310的连接处位于触位块510与锁定板430之间,在传送工具向着托盘200移动过程中,触位块510先触碰到定位部121,此时,手臂420与本体部310的连接处位于触位块510背离反应腔室100的一侧,因此,手臂420更不可能伸入至反应腔室100中,从而能够进一步确保手臂420不伸入至反应腔室100中,进而进一步地防止高温环境对手臂420造成损伤。
为了使传送工具在托起托盘200时的重力分布较为均衡,可选地,传送工具还可以包括配重块460,配重块460可以设置于锁定板430,且配重块460和探测杆480可以位于手臂420的两侧。配重块460可以通过螺纹连接件固定于锁定板430,配重块460的形状可以为圆柱形。此种情况下,配重块460增加传送工具的质量,从而使得传送工具的惯性增大,降低传送工具抖动的幅度,同时,配重块460能够使传送工具的质量分布均匀,从而使传送工具在做取放托盘200时能够获得很好的动平衡,以使传送工具能够保持平稳,减少传送工具出现晃动或抖动的情况,从而降低取放托盘200的失败几率。
为了使手臂420与本体部310在连接后具有较高的刚性,可选地,手臂420与本体部310可以通过螺纹连接件相连,此种连接方式简单,方便传送工具的组装,且通过螺纹连接件连接后的手臂420与本体部310具有较高的刚性,避免手臂420与本体部310的连接处较容易弯折或形变,进而使得传送工具能够保持良好的刚度。当然,手臂420与本体部310可以通过焊接的方式连接。
如上文所述,第一定位部210与第二定位部330可定位配合,可选地,第一定位部210和第二定位部330中,一者可以为凹槽,另一者可以为凸起,即在第一定位部210为凹槽的情况下,第二定位部330可以为凸起,在第一定位部210为凸起的情况下,第二定位部330可以为凹槽,此种定位结构简单,便于设置,且定位效果较好。
为了进一步提高第一定位部210与第二定位部330对延伸部320与托盘200的定位效果,可选地,第一定位部210和第二定位部330的数量均可以为多个,且多个第一定位部210与多个第二定位部330可以一一对应设置,多个第一定位部210与多个第二定位部330共同定位配合无疑能够进一步提高延伸部320与托盘200的定位效果,从而进一步避免因取放手指300的抖动而导致托盘200从延伸部320上掉落,以使延伸部320在托起托盘200传送的过程中稳定性更高,进一步提高传送工具传送托盘200的稳定性。
在延伸部320的形状为环状的情况下,多个第二定位部330可以绕延伸部320的圆形等间隔排布,以使托盘200在第一定位部210与第二定位部330定位配合时受力均匀。
另一种可选的实施例中,第一定位部210和第二定位部330的数量均可以为三个,且三个第一定位部210可以呈三角形分布,以使第一定位部210与第二定位部330的定位效果更好。
为了提高延伸部320在托起托盘200时的稳定性,避免托盘200侧翻,可选地,延伸部320的形状可以为环状,且延伸部320的两个端部与圆心的连线之间的夹角可以大于180°,延伸部320的直径可以与托盘200的直径相等。此种情况下,延伸部320的投影能够与托盘200一半以上部分的投影重合,以使托盘200的重心能够位于延伸部320所形成的承载区域之内,避免托盘200侧翻,从而提高延伸部320在托起托盘200时的稳定性。
基于本申请实施例公开的用于半导体加工设备的转运组件,本申请实施例还公开一种半导体加工设备,所公开的半导体加工设备包括反应腔室100、基座和上文任意实施例所述的用于半导体加工设备的转运组件,基座设置于反应腔室100内,转运组件中的托盘200设置于基座上,转运组件的传送工具通过反应腔室100的传片口移动托盘200。
如图10和11所示,进一步地,半导体加工设备可以包括第一防护盖板120和第二防护盖板600,第一防护盖板120和第二防护盖板600均设置于反应腔室100内,第一防护盖板120位于基座朝向传片口的一侧,第二防护盖板600设置于基座背向传片口的一侧;第二防护盖板600的上端面与托盘200的上端面平齐,第一防护盖板120的上端面位置低于传片口的底壁。请再次参考图10,在第二防护盖板600的上端面与托盘200的上端面平齐的情况下,工艺气体能够平稳地流动至托盘200上,有利于托盘200上晶片的外延生长,从而使得气流场更加稳定,进而使得晶片外延生长的工艺质量更高,以使晶片的良率更高。
本申请上文实施例中重点描述的是各个实施例之间的不同,各个实施例之间不同的优化特征只要不矛盾,均可以组合形成更优的实施例,考虑到行文简洁,在此则不再赘述。
以上所述仅为本申请的实施例而已,并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的权利要求范围之内。
Claims (10)
1.一种用于半导体加工设备的转运组件,所述半导体加工设备包括反应腔室(100)和基座,所述基座设置于所述反应腔室(100)内,其特征在于,包括:
托盘(200),所述托盘(200)的边缘的底面上设有第一定位部(210),在所述托盘(200)放置于所述基座上的情况下,所述托盘(200)的边缘的下方具有避让空间;
传送工具,所述传送工具包括取放手指(300),所述取放手指(300)包括本体部(310)和自所述本体部(310)沿着所述托盘(200)边缘延伸形成的延伸部(320),所述延伸部(320)可用于伸入所述反应腔室(100)的传片口并移动至所述托盘(200)的边缘下方的避让空间,以托起所述托盘(200);所述延伸部(320)朝向所述托盘(200)的一侧设置有第二定位部(330),且所述第一定位部(210)与所述第二定位部(330)配合实现定位;
所述传送工具还包括转动支架和手臂(420),所述转动支架包括基部(410)和锁紧块(440),所述基部(410)和所述锁紧块(440)转动连接,所述手臂(420)的一端与所述本体部(310)连接,所述手臂(420)的另一端插设于所述锁紧块(440)内,所述基部(410)用于和动力源连接;
所述传送工具还包括调节组件,所述调节组件设置于所述锁紧块(440)和所述基部(410)之间,用于调节所述锁紧块(440)和所述基部(410)之间的夹角。
2.根据权利要求1所述的转运组件,其特征在于,所述传送工具还包括检测组件,所述转动支架还包括锁定板(430),所述锁定板(430)设置于所述锁紧块(440)朝向所述手臂(420)的一端,所述锁定板(430)和所述锁紧块(440)的连接处对应设置连接孔,所述手臂(420)插设于所述连接孔内;
所述检测组件包括探测杆(480)和传感器(520),所述探测杆(480)与所述手臂(420)相平行设置,所述探测杆(480)的一端用于抵接所述反应腔室(100)的外壁,所述探测杆(480)的另一端穿设于所述锁定板(430)上;
所述传感器(520)设置于所述基部(410)上,且正对所述探测杆(480)的穿设于所述锁定板(430)的一端,用于获取所述探测杆(480)的位置信息,并且用于通过判断所述位置信息控制所述动力源停止移动驱动。
3.根据权利要求2所述的转运组件,其特征在于,所述检测组件还包括触位块(510),所述触位块(510)设置于所述探测杆(480)背离所述传感器(520)的一端。
4.根据权利要求2所述的转运组件,其特征在于,所述传送工具还包括配重块(460),所述配重块(460)设置于所述锁定板(430)上,且所述配重块(460)和所述探测杆(480)位于手臂(420)的两侧。
5.根据权利要求1所述的转运组件,其特征在于,所述基部(410)上设有调节孔,所述调节组件包括偏心轴(450)和设置于所述偏心轴(450)一端的转动轴,所述转动轴设置于所述调节孔内,所述偏心轴(450)与所述锁紧块(440)抵接。
6.根据权利要求1所述的转运组件,其特征在于,所述取放手指(300)的材质为石英材质,所述手臂(420)的材质为金属材质。
7.根据权利要求1所述的转运组件,其特征在于,所述第一定位部(210)和所述第二定位部(330)中,一者为凹槽,另一者为凸起。
8.根据权利要求1所述的转运组件,其特征在于,所述第一定位部(210)和所述第二定位部(330)的数量均为三个,且三个所述第一定位部(210)呈三角形分布。
9.一种半导体加工设备,其特征在于,包括反应腔室(100)、基座和如权利要求1至8中任一项所述的用于半导体加工设备的转运组件,所述基座设置于所述反应腔室(100)内,所述转运组件中的托盘(200)设置于所述基座上,所述转运组件的传送工具通过所述反应腔室(100)的传片口移动所述托盘(200)。
10.根据权利要求9所述的半导体加工设备,其特征在于,所述半导体加工设备还包括第一防护盖板(120)和第二防护盖板(600),所述第一防护盖板(120)和所述第二防护盖板(600)均设置于所述反应腔室(100)内,所述第一防护盖板(120)位于所述基座朝向所述传片口的一侧,所述第二防护盖板(600)设置于所述基座背向所述传片口的一侧;
所述第二防护盖板(600)的上端面与所述托盘(200)的上端面平齐,所述第一防护盖板(120)的上端面位置低于所述传片口的底壁。
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CN113818076B (zh) * | 2021-11-19 | 2022-03-15 | 华芯半导体研究院(北京)有限公司 | 一种承载装置及气相外延设备 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103465266A (zh) * | 2013-09-10 | 2013-12-25 | 光垒光电科技(上海)有限公司 | 半导体处理系统、衬底托盘以及机械手 |
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---|---|---|---|---|
DE69402918T2 (de) * | 1993-07-15 | 1997-08-14 | Applied Materials Inc | Substratfangvorrichtung und Keramikblatt für Halbleiterbearbeitungseinrichtung |
JP2011086795A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Ulvac Japan Ltd | 基板搬送装置及びこの基板搬送装置を備えた真空処理システム |
CN103192401B (zh) * | 2012-01-05 | 2015-03-18 | 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 | 机械手末端执行器 |
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---|---|---|---|---|
CN103465266A (zh) * | 2013-09-10 | 2013-12-25 | 光垒光电科技(上海)有限公司 | 半导体处理系统、衬底托盘以及机械手 |
CN209947813U (zh) * | 2019-05-06 | 2020-01-14 | 杭州弘晟智能科技有限公司 | 一种用于操纵衬底的工具及包含该工具的外延生长炉 |
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