CN112305750A - 一种mems振镜及光学系统 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种MEMS振镜及光学系统，其中，所述MEMS振镜将激励线圈、信号输入端和信号输出端均设置在边缘结构上，所述激励线圈根据接收的激励信号，通过机械耦合和机械放大效应，实现间接的微镜驱动，避免了激励线圈在工作过程中产生的热量给微镜扫描工作时的温度稳定性造成不良影响的情况出现，避免了快速扫描时激励线圈的疲劳失效的问题，提升了微镜的工作寿命；同样由于激励线圈没有直接设置在微镜表面上，降低了微镜扫描时的总体重量，提升了微镜的扫描频率，实现了微镜的高频率工作。
Description
技术领域
本申请涉及微机电系统技术领域，更具体地说，涉及一种MEMS振镜及光学系统。
背景技术
在微加工技术基础上兴起的微机电系统(Miciro-Electro-Mechanical System，MEMS)在汽车、手机等领域得到了非常广泛的应用，目前全球MEMS芯片的产值已经超过百亿美元。光学微机电系统是MEMS的一个重要方向，光学MEMS器件在光信息技术和光通信技术中有很多应用。MEMS振镜，作为一种重要的光学微机电系统器件，由于其体积小，成本低，扫描频率快，可以精确驱动和控制等优点，在投影显示、光通信、3D扫描等诸多领域有广阔的应用前景。
按照微镜的扫描运动形态来对MEMS振镜的扫描驱动方式分类时，MEMS振镜的扫描驱动方式一般分为准静态扫描和谐振扫描。当MEMS振镜的扫描驱动方式为准静态扫描时，由于驱动力的频率与MEMS振镜的固有频率相差较大，MEMS振镜处于受迫运动的模式。而当MEMS振镜的扫描驱动方式为谐振扫描时，驱动力的频率和MEMS振镜的固有频率相等，此时MEMS振镜的扫描转角最大，能耗最低。因此谐振扫描的MEMS振镜具有低能耗和大转角的优点。
现有技术中谐振扫描驱动形式的MEMS振镜的结构示意图参考图1，图1所示的MEMS振镜由转轴2、微镜4和边框1等结构构成，转轴2延伸方向两侧的边框1上分别设置有信号输入端6和信号输出端5，微镜4的一侧表面设置有激励线圈3，激励线圈3分别与信号输入端6和信号输出端5连接。在工作过程中，激励线圈3中通入激励信号，通入激励信号的激励线圈3在工作磁场(磁场方向平行于纸面)的作用下，产生驱动力驱动微镜4在垂直纸面的方向上转动，从而实现MEMS振镜的驱动。
但是图1所示的MEMS振镜中，由于激励线圈3设置于微镜4表面，这不仅会增加微镜4的重量，降低微镜4谐振工作的频率，而且激励线圈3在工作过程中产生的热量也会给微镜4扫描工作时的温度稳定性造成不良影响。
发明内容
为解决上述技术问题，本申请提供了一种MEMS振镜及光学系统，以实现提升MEMS振镜谐振工作的频率，并且提高微镜工作时的温度稳定性的目的。
为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：
一种MEMS振镜，包括：边缘结构、转轴和微镜；其中，
所述转轴连接所述边缘结构与所述微镜；
所述边缘结构上设置有信号输入端、信号输出端以及连接所述信号输入端和信号输出端的激励线圈；所述信号输入端，用于接收激励信号；所述激励信号通过所述激励线圈向所述信号输出端传输，所述激励线圈用于根据所述激励信号驱动所述微镜转动。
可选的，所述边缘结构包括：微镜边框和不动衬底；
所述转轴连接所述不动衬底和所述微镜；
所述微镜边框设置于所述转轴上，位于所述微镜与所述不动衬底之间；
所述激励线圈设置于所述边框表面。
可选的，所述激励信号用于在通过所述激励线圈时产生激励磁场；
所述激励线圈根据所述激励信号驱动所述微镜转动具体用于，所述激励磁场在工作磁场的控制下，控制所述微镜边框转动，以使所述微镜边框驱动所述转轴转动。
可选的，所述微镜的直径的取值范围为1000±100μm；
所述转轴的宽度的取值范围为100±20μm；
所述激励线圈包括多匝单匝线圈，多匝单匝线圈的总宽度的取值范围为400±100μm。
可选的，所述边缘结构包括：微镜边框和不动衬底；
所述转轴连接所述不动衬底和所述微镜；
所述微镜边框设置于所述转轴上，位于所述微镜与所述不动衬底之间；
所述激励线圈设置于所述不动衬底表面。
可选的，还包括：
设置于所述微镜表面的感应线圈；
所述激励信号为变化的电流信号；
所述激励线圈根据所述激励信号驱动所述微镜转动具体用于，所述感应线圈在所述激励磁场的激励下产生感应电流，具有感应电流的感应线圈在工作磁场的控制下，产生驱动力以驱动所述微镜转动。
可选的，所述信号输入端和信号输出端均为焊盘结构。
一种光学系统，包括：如上述任一项所述的MEMS振镜。
从上述技术方案可以看出，本申请实施例提供了一种MEMS振镜及光学系统，其中，所述MEMS振镜将激励线圈、信号输入端和信号输出端均设置在边缘结构上，所述激励线圈根据接收的激励信号，通过机械耦合和机械放大效应，实现间接的微镜驱动，避免了激励线圈在工作过程中产生的热量给微镜扫描工作时的温度稳定性造成不良影响的情况出现，避免了快速扫描时激励线圈的疲劳失效的问题，提升了微镜的工作寿命；同样由于激励线圈没有直接设置在微镜表面上，降低了微镜扫描时的总体重量，提升了微镜的扫描频率，实现了微镜的高频率工作。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为现有技术中的MEMS振镜的结构示意图；
图2-图7为本申请实施例提供的MEMS振镜的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有技术中的MEMS振镜，由于激励线圈设置于微镜表面，会给MEMS振镜的正常工作带来诸多不良影响，具体包括：
1、连接微镜的镜面的转轴上一般会有金属导线和介电材料，这些材料采用微加工工艺沉积和制备在单晶硅转轴的表面，这些材料中的缺陷导致微镜在扫描中的机械损耗增加，机械谐振品质因数Q值降低，扫描角度变小；Q是指MEMS振镜系统在谐振时贮存的机械能与在一个扫描周期内损耗的机械能之比。Q与环境阻尼、系统的结构和材料都有关系。Q值越大，扫描机械损耗越小，在其他条件相同的情况下扫描角度就越大。
2、连接微镜的镜面的转轴上面的金属导线和介电材料，由于材料本身的缺陷，以及与单晶硅的结合界面的缺陷，在微镜的快速扫描过程中，会导致这些缺陷的放大，导致材料的剥落和失效，会极大降低微镜的寿命
3、对于电磁驱动的微镜，微镜微镜的镜面上一般需要通过微加工方法制备电磁材料或者导电线圈，会增加微镜的镜面的重量，从而降低微镜谐振工作的频率。
4、电磁驱动方式，通过电能转换成机械能，其中有一部分的电能会转换成热能，如果这些力直接作用在微镜微镜的镜面或者转轴上，会提高微镜微镜的镜面和转轴的工作温度，给微镜扫描时的温度稳定性带来不良影响。
有鉴于此，本申请实施例提供了一种MEMS振镜，包括：边缘结构、转轴和微镜；其中，
所述转轴连接所述不动衬底与所述微镜；
所述边缘结构上设置有信号输入端、信号输出端以及连接所述信号输入端和信号输出端的激励线圈；所述信号输入端，用于接收激励信号；所述激励信号通过所述激励线圈向所述信号输出端传输，所述激励线圈用于根据所述激励信号驱动所述微镜转动。
所述MEMS振镜将激励线圈、信号输入端和信号输出端均设置在边缘结构上，所述激励线圈根据接收的激励信号，通过机械耦合和机械放大效应，实现间接的微镜驱动，避免了激励线圈在工作过程中产生的热量给微镜扫描工作时的温度稳定性造成不良影响的情况出现，避免了快速扫描时激励线圈的疲劳失效的问题，提升了微镜的工作寿命；同样由于激励线圈没有直接设置在微镜表面上，降低了微镜扫描时的总体重量，提升了微镜的扫描频率，实现了微镜的高频率工作。
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供了一种MEMS振镜，如图2所示，所述MEMS振镜包括：边缘结构30、转轴20和微镜10；其中，
所述转轴20连接所述边缘结构30与所述微镜10；
所述边缘结构30上设置有信号输入端50、信号输出端40以及连接所述信号输入端50和信号输出端40的激励线圈60；所述信号输入端50，用于接收激励信号；所述激励信号通过所述激励线圈60向所述信号输出端40传输，所述激励线圈60用于根据所述激励信号驱动所述微镜10转动。
在本实施例中，所述MEMS振镜将激励线圈60、信号输入端50和信号输出端40均设置在边缘结构30上，所述激励线圈60根据接收的激励信号，通过机械耦合和机械放大效应，实现间接的微镜10驱动，避免了激励线圈60在工作过程中产生的热量给微镜10扫描工作时的温度稳定性造成不良影响的情况出现，避免了快速扫描时激励线圈60的疲劳失效的问题，提升了微镜10的工作寿命；同样由于激励线圈60没有直接设置在微镜10表面上，降低了微镜10扫描时的总体重量，提升了微镜10的扫描频率，实现了微镜10的高频率工作。
下面本申请实施例对MEMS振镜中激励线圈60的具体设置位置进行举例说明。
在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，如图3所示，所述边缘结构30包括：微镜边框31和不动衬底32；
所述转轴20连接所述不动衬底32和所述微镜10；
所述微镜边框31设置于所述转轴20上，位于所述微镜10与所述不动衬底32之间；
所述激励线圈60设置于所述边框表面。
在本实施例中，参考图4，所述激励信号用于在通过所述激励线圈60时产生激励磁场；
所述激励线圈60根据所述激励信号驱动所述微镜10转动具体用于，所述激励磁场在工作磁场的控制下，控制所述微镜边框31转动，以使所述微镜边框31驱动所述转轴20转动。
更具体地，所述激励信号为电流信号，当激励信号流经激励线圈60时，激励线圈60收到洛伦兹力的作用，产生推动微镜边框31运动的驱动力。
其中，当电流信号流向和工作磁场的磁场方向如图4中所示时，根据左手定则可知，在微镜10的第一方向一侧的线圈受到的洛伦兹力垂直纸面向外，在微镜10的第一方向反方向一侧的线圈受到的洛伦兹力垂直直面向里，在这两个洛伦兹力的作用下，边框开始转动，并带动与其相邻的转轴20开始运动，转轴20又带动微镜10运动，实现对微镜10的驱动。
可选的，参考图5，图5示出了本申请的一个具体实施例提供的一种MEMS振镜的结构示意图，在图5中，所述微镜10的直径D的取值范围为1000±100μm；
所述转轴20的宽度H2的取值范围为100±20μm；
所述激励线圈60包括多匝单匝线圈，多匝单匝线圈的总宽度H1的取值范围为400±100μm。
所述信号输入端50和信号输出端40均为焊盘结构，通过走线实现与激励线圈60的连接。
在上述实施例的基础上，在本申请的另一个实施例中，如图6所示，所述边缘结构30包括：微镜边框31和不动衬底32；
所述转轴20连接所述不动衬底32和所述微镜10；
所述微镜边框31设置于所述转轴20上，位于所述微镜10与所述不动衬底32之间；
所述激励线圈60设置于所述不动衬底32表面。
为了更好地驱动所述微镜10，仍然参考图6，所述MEMS振镜还包括：
设置于所述微镜10表面的感应线圈70；
所述激励信号为变化的电流信号；
所述激励线圈60根据所述激励信号驱动所述微镜10转动具体用于，所述感应线圈70在所述激励磁场的激励下产生感应电流，具有感应电流的感应线圈70在工作磁场的控制下，产生驱动力以驱动所述微镜10转动。
更具体地，参考图7，当变化的电流信号流经所述激励线圈60时，激励线圈60产生的磁场随着电流信号的变化在感应线圈70中的磁通量发生变化，从而使得感应线圈70中产生感应电流，具有感应电流的感应线圈70在工作磁场的驱动下，位于第一方向上的感应线圈70部分受到垂直纸面向外的洛伦兹力，位于第一方向的反方向上的感应线圈70部分受到垂直直面向里的洛伦兹力，在这两个洛伦兹力的作用下，推动微镜10运动。
可选的，所述信号输入端50和信号输出端40均为焊盘结构，通过走线实现与激励线圈60的连接。
下面的具体实施例以图5所示的MEMS振镜和现有技术中的MEMS振镜的具体工作效果进行对比。
在图5中，主要参数的取值为：所述微镜10的直径的取值范围为1000±100μm；
所述转轴20的宽度的取值范围为100±20μm；
所述激励线圈60包括多匝单匝线圈，多匝单匝线圈的总宽度的取值范围为400±100μm。
现有技术中的微镜10的直径的取值设置为与图5所示的MEMS振镜的微镜10的直径相同。
在同样驱动直径为1000μm左右的微镜10转动工作的过程中，图5所示的MEMS振镜的机械转动角度在驱动电流为90mA时，机械偏转角度可达到11.5°，Q值高达1500，共振频率高达27kHz。
在现有技术中的MEMS振镜工作时，机械转动角度在90mA时，机械偏转角度只达到3.4°，Q值仅为169，共振频率仅为18kHz，同时寿命原小于外框机械能量耦合型振镜。
通过对比可以发现，本申请实施例提供的MEMS振镜解决现有技术中的MEMS振镜存在的诸多问题。
相应的，本申请实施例提供了一种光学系统，包括如上述任一实施例所述的MEMS振镜。
综上所述，本申请实施例提供了一种MEMS振镜及光学系统，其中，所述MEMS振镜将激励线圈、信号输入端和信号输出端均设置在边缘结构上，所述激励线圈根据接收的激励信号，通过机械耦合和机械放大效应，实现间接的微镜驱动，避免了激励线圈在工作过程中产生的热量给微镜扫描工作时的温度稳定性造成不良影响的情况出现，避免了快速扫描时激励线圈的疲劳失效的问题，提升了微镜的工作寿命；同样由于激励线圈没有直接设置在微镜表面上，降低了微镜扫描时的总体重量，提升了微镜的扫描频率，实现了微镜的高频率工作。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (8)
1.一种MEMS振镜，其特征在于，包括：边缘结构、转轴和微镜；其中，
所述转轴连接所述边缘结构与所述微镜；
所述边缘结构上设置有信号输入端、信号输出端以及连接所述信号输入端和信号输出端的激励线圈；所述信号输入端，用于接收激励信号；所述激励信号通过所述激励线圈向所述信号输出端传输，所述激励线圈用于根据所述激励信号驱动所述微镜转动。
2.根据权利要求1所述的MEMS振镜，其特征在于，所述边缘结构包括：微镜边框和不动衬底；
所述转轴连接所述不动衬底和所述微镜；
所述微镜边框设置于所述转轴上，位于所述微镜与所述不动衬底之间；
所述激励线圈设置于所述边框表面。
3.根据权利要求2所述的MEMS振镜，其特征在于，所述激励信号用于在通过所述激励线圈时产生激励磁场；
所述激励线圈根据所述激励信号驱动所述微镜转动具体用于，所述激励磁场在工作磁场的控制下，控制所述微镜边框转动，以使所述微镜边框驱动所述转轴转动。
4.根据权利要求2所述的MEMS振镜，其特征在于，所述微镜的直径的取值范围为1000±100μm；
所述转轴的宽度的取值范围为100±20μm；
所述激励线圈包括多匝单匝线圈，多匝单匝线圈的总宽度的取值范围为400±100μm。
5.根据权利要求1所述的MEMS振镜，其特征在于，所述边缘结构包括：微镜边框和不动衬底；
所述转轴连接所述不动衬底和所述微镜；
所述微镜边框设置于所述转轴上，位于所述微镜与所述不动衬底之间；
所述激励线圈设置于所述不动衬底表面。
6.根据权利要求5所述的MEMS振镜，其特征在于，还包括：
设置于所述微镜表面的感应线圈；
所述激励信号为变化的电流信号；
所述激励线圈根据所述激励信号驱动所述微镜转动具体用于，所述感应线圈在所述激励磁场的激励下产生感应电流，具有感应电流的感应线圈在工作磁场的控制下，产生驱动力以驱动所述微镜转动。
7.根据权利要求1所述的MEMS振镜，其特征在于，所述信号输入端和信号输出端均为焊盘结构。
8.一种光学系统，其特征在于，包括：如权利要求1-7任一项所述的MEMS振镜。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023036269A1 (zh) * | 2021-09-10 | 2023-03-16 | 华为技术有限公司 | 微镜芯片封装结构、激光设备以及汽车 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004029109A (ja) * | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Hitachi Via Mechanics Ltd | スキャナ装置およびスキャナ装置におけるミラーのねじり振動防止方法 |
| US20080266630A1 (en) * | 2007-04-26 | 2008-10-30 | Brown Dean R | Suspension for maintaining mirror flatness of a MEMS device in a scanner systenm or the like |
| US20080266628A1 (en) * | 2007-04-26 | 2008-10-30 | Brown Dean R | MEMS device having a drive coil with curved segments |
| WO2013065126A1 (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-10 | パイオニア株式会社 | アクチュエータ |
| US20140354085A1 (en) * | 2011-10-25 | 2014-12-04 | Lemoptix Sa | Actuator |
| CN105893905A (zh) * | 2016-05-12 | 2016-08-24 | 全普光电科技(上海)有限公司 | 射频识别传感器及具有该射频识别传感器的投影装置 |
| CN107643594A (zh) * | 2016-07-20 | 2018-01-30 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 扫描镜装置 |
| CN108025908A (zh) * | 2015-10-12 | 2018-05-11 | 英特尔公司 | 用于mems扫描镜的机电设计 |
| US20190219814A1 (en) * | 2016-10-19 | 2019-07-18 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical component and method for producing a micromechanical component |
-
2019
- 2019-08-02 CN CN201910713721.XA patent/CN112305750A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004029109A (ja) * | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Hitachi Via Mechanics Ltd | スキャナ装置およびスキャナ装置におけるミラーのねじり振動防止方法 |
| US20080266630A1 (en) * | 2007-04-26 | 2008-10-30 | Brown Dean R | Suspension for maintaining mirror flatness of a MEMS device in a scanner systenm or the like |
| US20080266628A1 (en) * | 2007-04-26 | 2008-10-30 | Brown Dean R | MEMS device having a drive coil with curved segments |
| US20140354085A1 (en) * | 2011-10-25 | 2014-12-04 | Lemoptix Sa | Actuator |
| WO2013065126A1 (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-10 | パイオニア株式会社 | アクチュエータ |
| CN108025908A (zh) * | 2015-10-12 | 2018-05-11 | 英特尔公司 | 用于mems扫描镜的机电设计 |
| CN105893905A (zh) * | 2016-05-12 | 2016-08-24 | 全普光电科技(上海)有限公司 | 射频识别传感器及具有该射频识别传感器的投影装置 |
| CN107643594A (zh) * | 2016-07-20 | 2018-01-30 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 扫描镜装置 |
| US20190219814A1 (en) * | 2016-10-19 | 2019-07-18 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical component and method for producing a micromechanical component |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023036269A1 (zh) * | 2021-09-10 | 2023-03-16 | 华为技术有限公司 | 微镜芯片封装结构、激光设备以及汽车 |
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