CN112300802A - 量子点及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于纳米材料技术领域,具体涉及一种量子点及其制备方法。该量子点包括CdxZn1‑ xTeyS1‑y量子点核和包覆在所述CdxZn1‑xTeyS1‑y量子点核表面的ZnS壳层;其中,0<x≤1,0<y≤1。本发明通过在CdxZn1‑xTeyS1‑y合金量子点核表面包覆具有更宽能级的ZnS半导体壳层,形成具有核壳结构的量子点,可以进一步提高量子点的稳定性,而且可以显著提升量子点的量子产率并且可有效抑制长波区缺陷态发光,在光电技术领域有广泛的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于纳米材料技术领域,具体涉及一种量子点及其制备方法。
背景技术
半导体量子点(Quantum Dot,QDs)由于其独特的光学特性,在量子点发光器件(如量子点发光二极管,Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)、显示器和其他光电器件中具有很大的应用前景。众所周知,光致发光(Photoluminescence,PL)发射可以通过改变颗粒的大小来获得,如CdS和CdSe等二元II-VI量子点已被深入研究。然而,这些二元QD系统的量子点由于颗粒细小而难以被覆盖层钝化,导致量子点的不稳定性及较低的量子产率。
近来,合金化的基于Zn1-xCdx的硫族化物量子点已经成为极有吸引力的可应用于光电器件的发光材料,因为它们的发射峰位可以容易地通过调整组分比例以覆盖整个可见光区域,而且这些合金量子点具有更高的稳定性和更优异的发光性能,但是作为量子点材料性能还有待进一步完善,例如,CdZnTe是一种光电性能优良的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有吸收系数高,禁带宽度与太阳光谱相匹配等优点,但CdZnTe量子点稳定性和量子产率还是较差。
因此,现有技术有待改进。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的上述不足,提供一种量子点及其制备方法,旨在解决现有CdZnTe类量子点不稳定、且量子产率低的技术问题。
为实现上述发明目的,本发明采用的技术方案如下:
本发明一方面提供一种量子点,所述量子点包括CdxZn1-xTeyS1-y量子点核和包覆在所述CdxZn1-xTeyS1-y量子点核表面的ZnS壳层;其中,0<x≤1,0<y≤1。
本发明提供的量子点使一种核壳结构的量子点,包括CdxZn1-xTeyS1-y量子点核和包覆在该CdxZn1-xTeyS1-y量子点核表面的ZnS壳层,CdxZn1-xTeyS1-y量子点核是合金量子点核,具有较好的稳定性和优异的发光性能,而通过在该CdxZn1-xTeyS1-y合金量子点核表面包覆具有更宽能级的ZnS半导体壳层,形成具有核壳结构的量子点,可以进一步提高量子点的稳定性,而且可以显著提升量子点的量子产率并且可有效抑制长波区缺陷态发光,在光电技术领域有广泛的应用前景。
本发明另一方面提供一种量子点的制备方法,包括如下步骤:
提供阳离子前驱体,将所述阳离子前驱体在第一温度条件下溶于非极性有机溶剂中,得到阳离子前驱体溶液;
将所述阳离子前驱体溶液继续升温至第二温度后,加入阴离子前驱体溶液,进行成核反应,得到CdxZn1-xTeyS1-y量子点核溶液;其中,0<x≤1,0<y≤1,当0<x<1时,所述阳离子前驱体包括镉离子前驱体和锌离子前驱体,当x=1时,所述阳离子前驱体包括镉离子前驱体,当0<y<1时,所述阴离子前驱体溶液包括碲离子前驱体溶液和硫离子前驱体溶液,当y=1,所述阴离子前驱体包括碲离子前驱体溶液;
在所述CdxZn1-xTeyS1-y量子点核溶液中加入锌离子前驱体溶液和硫离子前驱体溶液,在第三温度条件下进行外壳层生长,在CdxZn1-xTeyS1-y量子点核表面形成ZnS壳层,得到核壳量子点溶液。
本发明提供的量子点的制备方法,是一种CdxZn1-xTeyS1-y量子点核和包覆在所述CdxZn1-xTeyS1-y量子点核表面的ZnS壳层组成的CdxZn1-xTeyS1-y/ZnS核壳量子点的制备方法,该制备方法先将阳离子前驱体溶液和阴离子前驱体溶液混合进行成核反应,得到CdxZn1- xTeyS1-y量子点核溶液,再与锌离子前驱体溶液和硫离子前驱体溶液混合进行对空气不敏感的外壳层生长,从而得到CdxZn1-xTeyS1-y/ZnS核壳量子点;整个工艺过程在一个连续的溶液体系中进行,操作简单,可重复性好,易宏量制备。这样的制备方法得到的核壳量子点,其荧光发射峰在可见光及红外光谱范围内连续可调,量子点的成分参数可调整,而且具有高稳定性,可显著提升量子产率和有效抑制长波区缺陷态发光。
附图说明
图1为本发明提供的量子点的制备方法流程图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
一方面,本发明实施例提供了一种量子点,所述量子点包括CdxZn1-xTeyS1-y量子点核和包覆在所述CdxZn1-xTeyS1-y量子点核表面的ZnS壳层;其中,0<x≤1,0<y≤1。
本发明实施例提供的量子点使一种核壳结构的量子点,包括CdxZn1-xTeyS1-y量子点核和包覆在该CdxZn1-xTeyS1-y量子点核表面的ZnS壳层,CdxZn1-xTeyS1-y量子点核是合金量子点核,具有较好的稳定性和优异的发光性能,而通过在该合金量子点核表面包覆具有更宽能级的ZnS半导体壳层,形成具有核壳结构的量子点,可以进一步提高量子点的稳定性,而且可以显著提升量子点的量子产率并且可有效抑制长波区缺陷态发光,在光电技术领域有广泛的应用前景。
CdZnTe量子点稳定性较差,本发明实施例通过在核里掺杂硫形成CdxZn1-xTeyS1-y合金量子点核,同时在其表面包覆硫化锌(ZnS)形成CdxZn1-xTeyS1-y/ZnS核壳量子点,则有效提高了量子点稳定性,且量子产率可以大于90%,半峰宽小于30nm。在本发明一实施例中,所述CdxZn1-xTeyS1-y/ZnS核壳量子点中的CdxZn1-xTeyS1-y量子点核的粒径为5-10nm,所述ZnS壳层的厚度为2-4nm。
在一具体实施例中,本发明实施例提供一种量子产率>90%,半峰宽<30nm的红色发光的Cd0.9Zn0.1Te/ZnS量子点。在另一具体实施例中,本发明实施例提供一种量子产率>90%,半峰宽约为20nm的绿色发光的Cd0.5Zn0.5Te0.3S0.7/ZnS核壳量子点
另一方面,本发明实施例还提供了一种量子点的制备方法,如图1所示,该制备方法包括如下步骤:
S01:提供阳离子前驱体,将所述阳离子前驱体在第一温度条件下溶于非极性有机溶剂中,得到阳离子前驱体溶液;
S02:将所述阳离子前驱体溶液继续升温至第二温度后,加入阴离子前驱体溶液,进行成核反应,得到CdxZn1-xTeyS1-y量子点核溶液;其中,0<x≤1,0<y≤1,当0<x<1时,所述阳离子前驱体包括镉离子前驱体和锌离子前驱体,当x=1时,所述阳离子前驱体包括镉离子前驱体,当0<y<1时,所述阴离子前驱体溶液包括碲离子前驱体溶液和硫离子前驱体溶液,当y=1,所述阴离子前驱体包括碲离子前驱体溶液;
S03:在所述CdxZn1-xTeyS1-y量子点核溶液中加入锌离子前驱体溶液和硫离子前驱体溶液,在第三温度条件下进行外壳层生长,在CdxZn1-xTeyS1-y量子点核表面形成ZnS壳层,得到核壳量子点溶液。
本发明实施例提供的量子点的制备方法是CdxZn1-xTeyS1-y/ZnS核壳量子点的制备方法,该制备方法先将阳离子前驱体溶液和阴离子前驱体溶液混合进行成核反应,得到CdxZn1-xTeyS1-y量子点核溶液,再与锌离子前驱体溶液和硫离子前驱体溶液混合进行对空气不敏感的外壳层生长,从而得到CdxZn1-xTeyS1-y/ZnS核壳量子点;整个工艺过程在一个连续的溶液体系中进行,操作简单,可重复性好,易宏量制备。这样的制备方法得到的核壳量子点,其荧光发射峰在可见光及红外光谱范围内连续可调,量子点的成分参数可调整,而且具有高稳定性,可显著提升量子产率和有效抑制长波区缺陷态发光。
在一实施例中,步骤S01为阳离子前驱体溶液制备,其中,所述阳离子前驱体中的镉离子前驱体选自氧化镉、硬脂酸镉、醋酸镉和草酸镉中的至少一种;所述阳离子前驱体中的锌离子前驱体选自硬脂酸锌、草酸锌和醋酸锌中的一种;所述非极性有机溶剂选自十八烯、石蜡油、二苯醚、二辛醚、油酸、硬脂酸、软脂酸和橄榄油中的至少一种。优选地,所述第一温度为150-200℃,在该温度条件下镉离子前驱体和锌离子前驱体均可以很好地溶解在上述非极性有机溶剂中,其中,当0<x<1时,所述阳离子前驱体包括镉离子前驱体和锌离子前驱体,当x=1时,所述阳离子前驱体即为镉离子前驱体。
进一步地,将所述阳离子前驱体在第一温度条件下溶于非极性有机溶剂的步骤包括:先将所述阳离子前驱体加入所述非极性有机溶剂中进行真空搅拌和脱气处理,然后在惰性气氛条件下加热至所述第一温度。这样可以更好地去除阳离子前驱体溶液中的水氧,防止后续生成的量子点核被氧化;在一实施例中,该操作步骤可以为:将阳离子前驱体加入非极性有机溶剂中,真空下搅拌25~60mins并脱气20~50mins,随后将脱气后的混合液于惰性气氛下加热至150~200℃,使阳离子前驱体固体颗粒完全溶解。
在一实施例中,步骤S02为成核反应步骤,即将所述阳离子前驱体溶液和阴离子前驱体溶液混合在第二温度条件下进行成核反应;优选地,所述第二温度为250-320℃,在所述第二温度条件下进行所述成核反应的时间为5-60mins,在上述温度和时间范围内,成核反应效果最佳。其中,所述碲离子前驱体溶液为NaHTe溶液,在一实施例中,NaHTe溶液通过硼氢化钠和碲粉按(2~3):1的摩尔比溶于乙醇中,然后在冰水浴中反应得到;而所述硫离子前驱体溶液为单质硫溶解在三正丁基膦、三正辛基膦膦、油胺、油酸、十八烯和石蜡油中的至少一种溶剂中得到的溶液。而且,当0<y<1时,阴离子前驱体溶液包括碲离子前驱体溶液和硫离子前驱体溶液,当y=1,所述阴离子前驱体为碲离子前驱体溶液。
步骤S02的成核反应温度高、速度快,因此为了使阳离子前驱体溶液和阴离子前驱体溶液更加充分地进行成核反应,可在阳离子前驱体溶液中快速注入阴离子前驱体溶液。在一优选实施例中,将所述阳离子前驱体溶液继续升温至第二温度后,加入阴离子前驱体溶液的步骤包括:用1-2s的时间,将所述阴离子前驱体溶液注入到所述阳离子前驱体溶液的液面下。即在1-2s的时间内将所述阴离子前驱体溶液完全注入到所述阳离子前驱体溶液的液面下,从而快速地使阴离子前驱体和阳离子前驱体接触、充分进行成核反应。在一具体实施例中,阴离子前驱体溶液为:碲离子前驱体溶液5ml和硫离子前驱体溶液1ml,以6ml/(1-2s)的注入速率将上述阴离子前驱体溶液注入到阳离子前驱体溶液的液面下,进行成核反应。在另一具体实施例中,阴离子前驱体溶液为:碲离子前驱体溶液15ml,以15ml/(1-2s)的注入速率将该阴离子前驱体溶液注入到阳离子前驱体溶液的液面下,进行成核反应。总之,成核反应中阴离子前驱体溶液在1-2s的时间内完全注入阳离子前驱体溶液中,注入方式可以通过设置注入器的参数完成。
在一实施例中,步骤S03为壳层生长步骤,本发明实施例通过采用对空气不敏感的壳层生长用的前驱体溶液(即锌离子前驱体溶液和硫离子前驱体溶液)以及逐层生长的合成方法,进一步提升量子点的荧光特性及光化学稳定性。优选地,所述第三温度为180-300℃,该温度条件下壳层生长效果更佳。
进一步地,在所述CdxZn1-xTeyS1-y量子点核溶液中加入锌离子前驱体溶液和硫离子前驱体溶液的步骤包括:先将锌离子前驱体溶液注入所述CdxZn1-xTeyS1-y量子点核溶液中,然后再注入硫离子前驱体溶液,即先加入壳层的阳离子前驱体,使CdxZn1-xTeyS1-y合金量子点核表面结合锌离子,然后再加入壳层的阴离子前驱体,使CdxZn1-xTeyS1-y合金量子点核表面结合的锌离子更进一步结合硫离子,从而更好地生长ZnS半导体壳层。
步骤S03的壳层生长反应相对步骤S02的成核反应没有那么剧烈,比较缓慢,因此可以缓慢注入壳层生长的硫离子前驱体溶液,从而使CdxZn1-xTeyS1-y量子点核表面包覆一层均匀的ZnS半导体壳层。在一优选实施例中,先将锌离子前驱体溶液加入所述CdxZn1-xTeyS1-y量子点核溶液中,然后加入硫离子前驱体溶液的步骤包括:先用1-2s的时间将所述锌离子前驱体溶液注入到所述CdxZn1-xTeyS1-y量子点核溶液中,进行混合,然后用0.5-1.5h的时间注入硫离子前驱体溶液;如此,不仅可以使CdxZn1-xTeyS1-y量子点核表面快速结合锌离子,提高壳层生长效率,更可以使CdxZn1-xTeyS1-y合金量子点核表面缓慢、均匀包覆ZnS半导体壳层,提高壳层生长质量。在具体实施例中,以壳层生长的锌离子前驱体溶液为5ml、硫离子前驱体溶液为1ml为例,以5ml/(1-2s)的注入速率将锌离子前驱体溶液注入到所述CdxZn1- xTeyS1-y量子点核溶液中,进行搅拌混合(约5mins),然后以1ml/(0.5-1.5h)的注入速率将硫离子前驱体溶液注入。总之,壳层生长的锌离子前驱体溶液在1-2s的时间内完全注入到CdxZn1-xTeyS1-y量子点核溶液中,而硫离子前驱体溶液在0.5-1.5h的时间内注入完,注入方式可以通过设置注入器的参数完成。
更进一步地,在CdxZn1-xTeyS1-y量子点核表面形成ZnS壳层之后,还包括将核壳量子点溶液进行固液分离的步骤。具体地,固液分离的步骤包括:先用丙酮和甲醇反复溶解沉淀,然后再离心分离提纯,最后真空干燥沉淀物,得到CdxZn1-xTeyS1-y/ZnS核壳量子点粉末。
在一实施例中,该CdxZn1-xTeyS1-y/ZnS核壳量子点的制备包括如下步骤:
A.成核反应的阴离子前驱体溶液制备:在惰性气体保护下,将NaBH4(硼氢化钠)和碲粉按(2~3):1的摩尔比溶于乙醇中;然后在冰水浴中反应至黑色碲粉全部消失,生成淡紫色透明澄清溶液,即NaHTe溶液。将硫单质溶解在膦化合物、油胺、油酸、十八烯、石蜡油中的一种或多种,得到硫离子前驱体溶液。
B.成核反应的阳离子前驱体溶液制备:将镉源(氧化镉、硬脂酸镉、醋酸镉、草酸镉中的一种)、锌源(硬脂酸锌、草酸锌、醋酸锌中的一种)同时与非极性有机溶剂(十八烯、石蜡油、二苯醚、二辛醚、油酸、硬脂酸、软脂酸、橄榄油中的一种或多种)混合,真空下搅拌25~60mins并脱气20~50mins,随后将脱气后的混合液于惰性气氛下加热至150~200℃,固体颗粒完全溶解,得到镉锌前驱体溶液;
C.成核反应:将镉锌前驱体溶液继续升温至250~320℃,然后注入NaHTe溶液和硫离子前驱体溶液,反应5~60mins,产生不同粒径与荧光特性的CdxZn1-xTeyS1-y合金量子点核;其中,0<x≤1,0<y≤1。
D.壳层生长:将上述CdxZn1-xTeyS1-y合金量子点核溶液在温度180~300℃条件下,注入锌离子前驱体溶液(醋酸锌或硬脂酸锌溶解在十八烯和/或油酸中形成的胶体溶液),搅拌3~5mins,将硫离子前躯体溶液(硫单质溶解在三正丁基膦和/或三正辛基膦中形成的胶体溶液)通过注射泵缓慢注入,通过生长不同厚度的ZnS分子层进一步改善量子点的半峰宽与发射峰强度,冷却至室温,得到CdxZn1-xTeyS1-y/ZnS核壳结构量子点溶液。
E.将步上述得到的CdxZn1-xTeyS1-y/ZnS核壳结构量子点溶液经过丙酮和甲醇反复溶解、沉淀、离心提纯、真空干燥,得到CdxZn1-xTeyS1-y/ZnS核壳量子点。
本发明先后进行过多次试验,现举一部分试验结果作为参考对发明进行进一步详细描述,下面结合具体实施例进行详细说明。
实施例1
一种绿色发光的Cd0.5Zn0.5Te0.3S0.7/ZnS核壳量子点的制备方法,包括如下步骤:
(1)制备成核反应用的Te前驱体溶液:
在惰性气体氛围下,依次加入34mg硼氢化钠(NaBH4)、38mg碲粉(Te)和5mL乙醇溶剂,在氩气保护下反应1h,待黑色碲粉全部消失,生成淡紫色透明溶液,即NaHTe溶液,待用。
(2)制备成核反应用的Cd0.5Zn0.5前驱体溶液:
在惰性气体氛围下,将5mL十八烯(1-Octadecene)、5mL油酸(Oleic acid)、64.2mg氧化镉(CdO)和91.7mg醋酸锌(Zn(acet)2)混合,接着将混合液真空下加热至120℃并脱气60mins,然后将脱气后的混合液于惰性气氛下加热至170℃,待溶液变为澄清形成CdZn前驱体溶液。
(3)制备成核反应用的S前驱体溶液:
取22.4mg硫单质和1ml十八烯搅拌并升温至100℃,待硫单质全部溶解,得到S前驱体溶液。
(4)制备壳层生长用的Zn前驱体溶液和S前驱体溶液:
在惰性气体氛围下,将183.5mg醋酸锌(Zn(acet)2)、1ml油酸(Oleic acid)、4ml十八烯混合,接着将混合液真空下加热至120℃并脱气60mins,然后将脱气后的混合液于惰性气氛下加热至150℃,待溶液变为澄清形成Zn前驱体溶液。
取32mg硫单质与1ml三正辛基膦(TOP)混合搅拌,升温至140℃,待硫单质溶解完全得到S前驱体溶液。
(5)制备绿色发光的Cd0.5Zn0.5Te0.3S0.7/ZnS量子点:
将步骤(2)中的CdZn前驱体溶液继续升温至300℃,用注射器依次抽取并快速注入步骤(1)中的Te前驱体溶液和步骤(3)中的S前驱体溶液至CdZn前驱体溶液的液面以下,成核反应30mins,形成Cd0.5Zn0.5Te0.3S0.7合金量子点核。将步骤(4)中的Zn前驱体溶液注入到成核反应后的溶液中,搅拌5mins。将温度保持至300℃,利用注射泵以2ml/h的速率注入步骤(4)中的S前驱体溶液,进行ZnS壳层生长。
反应完成后迅速降温至室温,用丙酮和无水甲醇将产物反复溶解、沉淀,离心提纯,得到量子产率>90%,半峰宽≈20nm的绿色发光的Cd0.5Zn0.5Te0.3S0.7/ZnS核壳量子点。
实施例2
一种红色发光的Cd0.9Zn0.1Te/ZnS核壳量子点的制备方法,包括如下步骤:
(1)制备成核反应用的Te前驱体溶液:
在惰性气体氛围下,依次加入101mg硼氢化钠、114mg碲粉和15mL乙醇溶剂,在氩气保护下反应1h,待黑色碲粉全部消失,生成淡紫色透明溶液,即NaHTe溶液,待用。
(2)制备成核反应用的Cd0.9Zn0.1前驱体溶液:
在惰性气体氛围下,将5mL十八烯、5mL油酸、115.6mg氧化镉和18.4mg醋酸锌混合,接着将混合液真空下加热至120℃并脱气60mins,然后将脱气后的混合液于惰性气氛下加热至170℃,待溶液变为澄清形成CdZn前驱体溶液。
(3)制备壳层生长用的Zn前驱体溶液与S前驱体溶液:
在惰性气体氛围下,将183.5mg醋酸锌、1ml油酸、4ml十八烯混合,接着将混合液真空下加热至120℃并脱气60mins,然后将脱气后的混合液于惰性气氛下加热至150℃,待溶液变为澄清形成Zn前驱体溶液。
取32mg S单质与1ml三正辛基膦(TOP)混合搅拌,升温至140℃,待S单质溶解完全得到S前驱体溶液。
(4)制备红色发光的Cd0.9Zn0.1Te/ZnS量子点:
将步骤(2)中的CdZn前驱体溶液继续升温至300℃,用注射器依次抽取并快速注入步骤(1)中的Te前驱体溶液至CdZn前体液的液面以下,成核反应30mins,形成Cd0.9Zn0.1Te合金量子点核。将步骤(3)中的Zn前驱体溶液注入到成核反应后的溶液中,搅拌5mins。将温度保持至300℃,利用注射泵以2ml/h的速率注入步骤(3)中的S前驱体溶液,进行ZnS壳层生长。
反应完成后迅速降温至室温,用丙酮和无水甲醇将产物反复溶解、沉淀,离心提纯,得到量子产率>90%,半峰宽<30nm的红色发光的Cd0.9Zn0.1Te/ZnS核壳量子点。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种量子点,其特征在于,所述量子点包括CdxZn1-xTeyS1-y量子点核和包覆在所述CdxZn1-xTeyS1-y量子点核表面的ZnS壳层;其中,0<x≤1,0<y≤1。
2.如权利要求1所述的量子点,其特征在于,所述CdxZn1-xTeyS1-y量子点核的粒径为5-10nm;和/或,
所述ZnS壳层的厚度为2-4nm。
3.一种量子点的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供阳离子前驱体,将所述阳离子前驱体在第一温度条件下溶于非极性有机溶剂中,得到阳离子前驱体溶液;
将所述阳离子前驱体溶液继续升温至第二温度后,加入阴离子前驱体溶液,进行成核反应,得到CdxZn1-xTeyS1-y量子点核溶液;其中,0<x≤1,0<y≤1,当0<x<1时,所述阳离子前驱体包括镉离子前驱体和锌离子前驱体,当x=1时,所述阳离子前驱体包括镉离子前驱体,当0<y<1时,所述阴离子前驱体溶液包括碲离子前驱体溶液和硫离子前驱体溶液,当y=1,所述阴离子前驱体包括碲离子前驱体溶液;
在所述CdxZn1-xTeyS1-y量子点核溶液中加入锌离子前驱体溶液和硫离子前驱体溶液,在第三温度条件下进行外壳层生长,在CdxZn1-xTeyS1-y量子点核表面形成ZnS壳层,得到核壳量子点溶液。
4.如权利要求3所述的量子点的制备方法,其特征在于,将所述阳离子前驱体溶液继续升温至第二温度后,加入阴离子前驱体溶液的步骤包括:用1-2s的时间,将所述阴离子前驱体溶液注入到所述阳离子前驱体溶液的液面下。
5.如权利要求3所述的量子点的制备方法,其特征在于,在所述CdxZn1-xTeyS1-y量子点核溶液中加入锌离子前驱体溶液和硫离子前驱体溶液的步骤包括:先将锌离子前驱体溶液加入所述CdxZn1-xTeyS1-y量子点核溶液中,然后加入硫离子前驱体溶液。
6.如权利要求5所述的量子点的制备方法,其特征在于,先将锌离子前驱体溶液加入所述CdxZn1-xTeyS1-y量子点核溶液中,然后加入硫离子前驱体溶液的步骤包括:先用1-2s的时间将所述锌离子前驱体溶液注入到所述CdxZn1-xTeyS1-y量子点核溶液中,进行混合,然后用0.5-1.5h的时间注入硫离子前驱体溶液。
7.如权利要求3所述的量子点的制备方法,其特征在于,将所述阳离子前驱体在第一温度条件下溶于非极性有机溶剂的步骤包括:先将所述阳离子前驱体加入所述非极性有机溶剂中进行真空搅拌和脱气处理,然后在惰性气氛条件下加热至所述第一温度。
8.如权利要求3-7任一项所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述第一温度为150-200℃;和/或,
所述第三温度为180-300℃;和/或,
所述第二温度为250-320℃;和/或,
在所述第二温度条件下进行所述成核反应的时间为5-60mins。
9.如权利要求3-7任一项所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述阳离子前驱体中的镉离子前驱体选自氧化镉、硬脂酸镉、醋酸镉和草酸镉中的至少一种;和/或,
所述阳离子前驱体中的锌离子前驱体选自硬脂酸锌、草酸锌和醋酸锌中的一种;和/或,
所述非极性有机溶剂选自十八烯、石蜡油、二苯醚、二辛醚、油酸、硬脂酸、软脂酸和橄榄油中的至少一种;和/或,
所述碲离子前驱体溶液为NaHTe溶液;和/或,
所述硫离子前驱体溶液为单质硫溶解在三正丁基膦、三正辛基膦膦、油胺、油酸、十八烯和石蜡油中的至少一种溶剂中得到的溶液。
10.如权利要求3-7任一项所述的量子点的制备方法,其特征在于,在CdxZn1-xTeyS1-y量子点核表面形成ZnS壳层,得到核壳量子点溶液之后,还包括将核壳量子点溶液进行固液分离的步骤。
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