CN112290782A - 驱动信号控制电路及开关电源芯片 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种驱动信号控制电路及开关电源芯片，包括控制上功率管驱动信号产生模块以及控制下功率管驱动信号产生模块，所述控制上功率管驱动信号产生模块具有用于接收周期矩形波信号的输入端、连接至外部上功率管驱动电路的第一输出端、连接至所述控制下功率管驱动信号产生模块的第二输出端；以及所述控制下功率管驱动信号产生模块具有连接至所述控制上功率管驱动信号产生模块的输入端，以及连接至外部下功率管驱动电路的输出端。本发明基于双极晶体管工艺，实现了控制上、下功率管交替、有序工作并去除上功率管打开时产生的电流毛刺干扰的功能。

Description

驱动信号控制电路及开关电源芯片

技术领域

本发明涉及电源芯片领域，具体涉及一种驱动信号控制电路及开关电源芯片。

背景技术

开关电源芯片可分为异步整流芯片和同步整流芯片，在同步整流芯片中有上、下两个功率管作为功率开关，且所述上、下功率管是交替工作的；这便需要有一种逻辑信号控制上、下功率管有序不紊的正常工作，即上功率管打开时下功率管关闭、下功率管打开时上功率管关闭，并且不允许上、下功率管同时打开。例如，对于降压拓扑的电源芯片而言，当上、下功率管同时打开，在电源和地之间产生了一个通路，并且由于功率管打开时的导通电阻非常小，使得电源和地之间的电流非常大，会导致功率管发生损坏。芯片在工作时，上功率管打开瞬间，上功率管会出现电流毛刺，该毛刺将导致芯片误动作，如触发芯片内部的过流保护功能造成芯片无法正常工作。

传统的用于控制上、下功率管开关的非交叠防干扰控制信号产生电路用MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）制程，需要很多类似RS（复位/置位）触发器等数字逻辑电路，电路设计、结构复杂，电路抗干扰能力差，容易误触发，可移植性低。

发明内容

本发明提供了一种驱动信号控制电路及开关电源芯片，基于双极晶体管工艺，实现了控制上、下功率管正常工作并去除上功率管打开时产生的电流毛刺干扰的功能。

本发明的实施例提供了一种驱动信号控制电路，其包括控制上功率管驱动信号产生模块以及控制下功率管驱动信号产生模块，其中：所述控制上功率管驱动信号产生模块具有用于接收周期矩形波信号的输入端、连接至外部上功率管驱动电路的第一输出端、连接至所述控制下功率管驱动信号产生模块的第二输出端；以及所述控制下功率管驱动信号产生模块具有连接至所述控制上功率管驱动信号产生模块的输入端，以及连接至外部下功率管驱动电路的输出端；其中，当所述周期矩形波信号由低电平翻转为高电平时，所述控制下功率管驱动信号产生模块的输出端输出低电平信号，用于控制外部下功率管关闭，同时所述控制上功率管驱动信号产生模块的第一输出端经过第一时间段后输出高电平信号，用于控制外部上功率管打开；当所述周期矩形波信号由高电平翻转为低电平时，所述控制上功率管驱动信号产生模块的第一输出端输出低电平信号，用于控制所述外部上功率管关闭，所述控制下功率管驱动信号产生模块的输出端经过第二时间段后输出高电平信号，用于控制所述外部下功率管打开。

在一些实施例中，所述驱动信号控制电路还包括屏蔽干扰信号产生模块，所述屏蔽干扰信号产生模块具有连接至所述控制上功率管驱动信号产生模块的输入端，以及连接至外部过流保护电路的输出端，其中，当所述控制上功率管驱动信号产生模块输出高电平信号后的第三时间段内，所述屏蔽干扰信号产生模块的输出端输出高电平信号，以关闭所述外部过流保护电路。

在一些实施例中，所述控制上功率管驱动信号产生模块的输入端连接至所述控制上功率管驱动信号产生模块的第一三极管的基极，所述第一三极管的集电极连接至所述控制上功率管驱动信号产生模块的第二三极管的基极，所述第二三极管的集电极连接至所述控制上功率管驱动信号产生模块的第三三极管的基极，所述第三三极管的集电极连接至所述控制上功率管驱动信号产生模块的第四三极管的基极，所述第四三极管的集电极连接至所述控制上功率管驱动信号产生模块的第一输出端，用于与所述外部上功率管驱动电路连接。

在一些实施例中，所述控制上功率管驱动信号产生模块还包括第一电容，所述第一电容的一端分别连接所述第二三极管的集电极和所述第三三极管的基极，所述第一电容的另一端接地。

在一些实施例中，所述控制上功率管驱动信号产生模块的第二输出端分别连接所述第一三极管的集电极和所述第二三极管的基极。

在一些实施例中，所述控制下功率管驱动信号产生模块的输入端分别连接所述控制上功率管驱动信号产生模块的第二输出端和所述控制下功率管驱动信号产生模块的第五三极管的基极，所述第五三极管的集电极连接至所述控制下功率管驱动信号产生模块的第六三极管的基极，所述第六三极管的集电极连接至所述控制下功率管驱动信号产生模块的第七三极管的基极，所述第七三极管的集电极连接至所述控制下功率管驱动信号产生模块的第八三极管的基极，所述第八三极管的集电极连接至所述控制下功率管驱动信号产生模块的输出端，用于与所述外部下功率管驱动电路连接。

在一些实施例中，所述控制下功率管驱动信号产生模块还包括第二电容，所述第二电容的一端分别连接所述第六三极管的集电极和所述第七三极管的基极，所述第二电容的另一端接地。

在一些实施例中，所述控制上功率管驱动信号产生模块还包括连接至所述屏蔽干扰信号产生模块的第三输出端，所述第三输出端分别连接所述控制上功率管驱动信号产生模块的第三三极管的集电极和所述控制上功率管驱动信号产生模块的第四三极管的基极。

在一些实施例中，所述屏蔽干扰信号产生模块的输入端分别连接所述控制上功率管驱动信号产生模块的第三输出端和所述屏蔽干扰信号产生模块的第九三极管的基极，所述第九三极管的发射极连接至所述屏蔽干扰信号产生模块的第三电容的一端，所述第三电容的另一端连接至所述屏蔽干扰信号产生模块的第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端连接至所述屏蔽干扰信号产生模块的第十三极管的基极，所述第十三极管的集电极连接至所述屏蔽干扰信号产生模块的输出端，用于与所述外部过流保护电路连接。

本发明的实施例还提供一种开关电源芯片，包括如本发明任一实施例所提供的驱动信号控制电路。

本发明基于双极晶体管工艺，用模拟电路产生数字逻辑控制信号，实现了控制上、下功率管有序导通，并避免上功率管打开时的电流毛刺干扰芯片正常工作的功能，具有电路结构简单，成本低，可靠性高，抗干扰能力强，可移植性好等优点。

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本发明实施例提供的一种驱动信号控制电路的结构框图；

图2为图1所示的驱动信号控制电路的连接示意图；

图3为图1所示的驱动信号控制电路的波形示意图；

图4为本发明实施例提供的一种开关电源芯片的示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

具体的，请参阅图1和图4所示，在本实施例中提供了一种驱动信号控制电路100，包括控制上功率管驱动信号产生模块120以及控制下功率管驱动信号产生模块140。所述控制上功率管驱动信号产生模块120具有接收周期矩形波信号PWM1的输入端PWM、连接至外部上功率管驱动电路200的第一输出端DRP、连接至所述控制下功率管驱动信号产生模块140的第二输出端A，所述控制下功率管驱动信号产生模块140具有连接至所述控制上功率管驱动信号产生模块120的输入端A’，以及连接至外部下功率管驱动电路400的输出端DRN。

在本实施例中提供的驱动信号控制电路100还进一步包括屏蔽干扰信号产生模块130，其具有连接至所述控制上功率管驱动信号产生模块120的输入端B’，以及连接至外部过流保护电路300的输出端PD。

在本实施例中提供的驱动信号控制电路100的控制上功率管驱动信号产生模块120、屏蔽干扰信号产生模块130，以及控制下功率管驱动信号产生模块140均连接至基准模块110，所述基准模块110为所述驱动信号控制电路100提供偏置。

以下将参考图2以具体说明各个模块的结构和功能。

所述基准模块110包括：三极管Q1、Q2和电阻R1，所述三极管Q1的发射极连接供电端口vdd，所述三极管Q1的集电极连接三极管Q2的集电极，所述三极管Q2的基极连接输入端口VREF，输入端口VREF用于接收芯片内部电路产生的基准电压VREF1，所述三极管Q2的发射极连接电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端接地gnd。在本实施例中提供的三极管Q1为PNP型三极管，三极管Q2为NPN型三极管。

当芯片上电时，输入端口VREF提供基准电压VREF1，所述三极管Q1、Q2以及电阻R1所在电路产生基准电流I0，为整个电路提供偏置，其中I0=(VREF1-Vbe)/R1，其中Vbe为三极管Q2基极发射极结压降。

继续参考图2，所述控制上功率管驱动信号产生模块120包括：三极管Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q9、Q10和电容C1。所述三极管Q3、Q5、Q7和Q9的基极连接所述三极管Q1的基极，其发射极连接供电端口vdd，其集电极分别连接所述三极管Q4、Q6、Q8和Q10的集电极。所述控制上功率管驱动信号产生模块120的输入端PWM连接至所述三极管Q4的基极，为芯片内部产生周期矩形波信号PWM1（即下文中的PWM1信号）。所述三极管Q4的集电极连接至所述三极管Q6的基极，所述三极管Q6的集电极连接至所述三极管Q8的基极，所述三极管Q8的集电极连接至所述三极管Q10的基极，所述三极管Q10的集电极连接至所述输出端DRP，用于与所述外部上功率管驱动电路200（如图4所示）连接。所述三极管Q4、Q6、Q8和Q10的发射极接地gnd。所述控制上功率管驱动信号产生模块120还包括电容C1，所述电容C1的一端分别连接所述三极管Q6的集电极和所述三极管Q8的基极，所述电容C1的另一端接地gnd。在本实施例中提供的三极管Q3、Q5、Q7和Q9为PNP型三极管，三极管Q4、Q6、Q8和Q10为NPN型三极管，且三极管Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q9、Q10的基极发射极结压降（即基极发射极的电压差值）的绝对值均为Vbe。

所述控制上功率管驱动信号产生模块120的输出端A分别连接所述三极管Q4的集电极和所述三极管Q6的基极，并与所述控制下功率管驱动信号产生模块140的输入端A’连接。所述控制上功率管驱动信号产生模块120的输出端B分别连接所述三极管Q8的集电极和所述三极管Q10的基极，并与所述屏蔽干扰信号产生模块130的输入端B’连接。

所述控制上功率管驱动信号产生模块120在工作时，当输入端PWM所输入的PWM1信号翻转为高电平时，三极管Q4导通、Q6关断，电流I1对电容C1充电，在T1时间后电容C1的上极板电压为三极管Q8基极发射极结压降Vbe时，三极管Q8导通，其中T1=C1*Vbe/I1，I1由I0按比例镜像得到。当三极管Q8导通时，输出端B变为低电平，三极管Q10关断，输出端DRP输出高电平信号。当输入端PWM所输入的PWM1信号翻转为低电平时，三极管Q4关断、Q6导通，电容C1的上极板开始通过三极管Q6对地放电，使得电容C1的上极板电压瞬间变为0，三极管Q8关断、Q10导通，输出端DRP输出一个低电平信号。

继续参考图2，所述屏蔽干扰信号产生模块130包括：三极管Q11、Q12、Q13、Q14、Q15、电阻R2和电容C2。所述三极管Q11、Q13和Q14的基极连接所述三极管Q1的基极，所述三极管Q11、Q13和Q14的发射极连接供电端口vdd，所述三极管Q11和Q14的集电极分别连接所述三极管Q12的发射极和和Q15的集电极。所述屏蔽干扰信号产生模块的输入端B’分别连接所述控制上功率管驱动信号产生模块的输出端B和所述屏蔽干扰信号产生模块的三极管Q12的基极，所述Q12的发射极连接电容C2的一端，所述电容C2的另一端与电阻R2的一端连接以形成公共节点，所述公共节点连接所述三极管Q13的集电极。所述电阻R2的另一端连接至三极管Q15的基极，所述三极管Q15的集电极连接至输出端PD，用于与所述外部过流保护电路300（如图4所示）连接。在本实施例中提供的三极管Q11、Q12、Q13和Q14为PNP型三极管，三极管Q15为NPN型三极管，且三极管Q11、Q12、Q13、Q14和Q15的基极发射极结压降的绝对值均为Vbe。

所述屏蔽干扰信号产生模块130在工作时，当输入端PWM所输入的PWM1信号翻转为高电平时，经过T1时长后，所述屏蔽干扰信号产生模块的输入端B’为低电平，三极管Q12导通，电容C2的左极板电压由vdd变为三极管Q12的基极发射极结压降的绝对值Vbe，右极板电压变为2Vbe-vdd，这是由于三极管Q12关断时，电容C2左极板电压为vdd，右极板电压为Vbe，电容C2两端压差为vdd-Vbe，当三极管Q12导通时电容C2的左极板电压变为三极管Q12的基极发射极结压降的绝对值Vbe，由于电容C2两端的电压差不能突变，所以电容C2的右极板电压变为2Vbe-vdd，在本实施例中，供电端口vdd的电压为5V，三极管Q12的基极发射极结压降的绝对值Vbe为0.7V，由于vdd电压大于2Vbe，所以此时电容C2右极板电压小于0，导致三极管Q15关闭，电流I2开始对电容C2进行充电，直到电容C2的右极板电压变为Vbe，使得三极管Q15导通，该充电时间为T2，其中T2=C2*（vdd-Vbe）/I2，I2由I0按比例镜像得到。在电容C2充电时间T2内，由于三极管Q15一直处于关断状态，所以输出端PD输出持续时间为T2的高电平信号，以控制所述外部过流保护电路300不工作，防止误触发过流保护功能；而在电容C2的右极板电压变为Vbe后（即持续T2时间后），输出端PD输出低电平信号，以控制所述外部过流保护电路300工作。也即，当PWM1信号翻转为高电平时，只有经过T1+T2时刻后，所述屏蔽干扰信号产生模块的输出端PD才输出低电平信号，以启动过流保护电路。此操作可以防止上功率管打开时的毛刺电流误触发过流保护造成芯片不能正常工作。

当输入端PWM所输入的PWM1信号翻转为低电平时，所述屏蔽干扰信号产生模块的输入端B’为高电平，因此三极管Q12关断，电容C2的右极板电压仍然为Vbe，因此三极管Q15处于导通状态，输出端PD输出低电平信号，以控制所述外部过流保护电路300继续工作。

继续参考图2，所述控制下功率管驱动信号产生模块140包括：三极管Q16、Q17、Q18、Q19、Q20、Q21、Q22、Q23和电容C3。所述三极管Q16、Q18、Q20和Q22的基极连接所述三极管Q1的基极，发射极连接供电端口vdd，集电极分别连接所述三极管Q17、Q19、Q21和Q23的集电极。所述控制下功率管驱动信号产生模块140的输入端A’分别连接所述控制上功率管驱动信号产生模块的输出端A和所述三极管Q17的基极，所述三极管Q17的集电极连接至所述三极管Q19的基极，所述三极管Q19的集电极连接至所述三极管Q21的基极，所述三极管Q21的集电极连接至所述三极管Q23的基极，所述三极管Q23的集电极连接至所述输出端DRN，用于与所述外部下功率管驱动电路400（如图4所示）连接。所述三极管Q17、Q19、Q21和Q23的发射极接地gnd。所述控制下功率管驱动信号产生模块140还包括电容C3，所述电容C3的一端分别连接所述三极管Q19的集电极和所述三极管Q21的基极，所述电容C3的另一端接地gnd。在本实施例中提供的三极管Q16、Q18、Q20和Q22为PNP型三极管，三极管Q17、Q19、Q21和Q23为NPN型三极管，且三极管Q16、Q17、Q18、Q19、Q20、Q21、Q22和Q23的基极发射极结压降的绝对值均为Vbe。

在输入端PWM所输入的PWM1信号翻转为高电平时，所述控制上功率管驱动信号产生模块120的三极管Q4导通，所述控制下功率管驱动信号产生模块140的输入端A’为低电平，因此，三极管Q17关断，Q19导通，电容C3的上极板开始通过三极管Q19对地放电，且电容C3的上极板电压瞬间低于三极管Q21基极发射极结压降Vbe，三极管Q21关断、Q23导通，输出端DRN输出一个低电平信号。当输入端PWM所输入的PWM1信号翻转为低电平时，所述控制上功率管驱动信号产生模块的三极管Q4关断，所述控制下功率管驱动信号产生模块140的输入端A’为高电平，三极管Q17导通、Q19关断，电流I3对电容C3开始充电，在充电T3时长后，电容C3的上极板电压为三极管Q21基极发射极结压降Vbe，则三极管Q21导通、Q23关断，输出端DRN输出高电平信号。其中，T3=C3*Vbe/I3，I3由I0按比例镜像得到。

本发明的实施例所提供的驱动信号控制电路100控制外部上功率管和下功率管交替工作的控制逻辑是：当输入端PWM所输入的PWM1信号翻转为高电平时，立刻关闭外部下功率管，并延迟T1时长后打开外部上功率管，同时在打开外部上功率管后，输出端PD输出持续时间为T2的高电平以关闭与之相连的过流保护电路，并在T2时长以后，输出端PD才会输出低电平信号以启动过流保护电路；当输入端PWM所输入的PWM1信号翻转为低电平时，立刻关闭外部上功率管，并延迟T3时长后打开外部下功率管。如此操作可以实现确保在外部上功率管彻底关闭后，外部下功率管才会打开，且下功率管彻底关闭后，上功率管才会打开，可以有效避免存在上下功率管同时打开的问题；另外，在上功率管打开后的T2时长内不启动过流保护电路的操作还可以防止上功率管打开时的毛刺电流（持续时间小于T2）误触发过流保护造成芯片不能正常工作。

图3为图1所示的驱动信号控制电路100的波形示意图。具体的，所述驱动信号控制电路100工作时，在t0时刻，PWM1信号由低电平变为高电平，此时三极管Q4导通、Q6关断，电流I1对电容C1充电，经过充电时长T1后，电容C1的上极板电压等于Vbe时三极管Q8导通、Q10关断，输出端DRP输出一个高电平信号，并控制上功率管驱动电路打开上功率管；同时三极管Q8导通时，三极管Q12导通，电容C2的左极板存储的能量被迅速放电，电流I2开始为电容C2右极板充电，由于电容C2右极板电压充电充到Vbe需要的时间为T2，在电容C2右极板电压充到Vbe电压之前，三极管Q15一直处于关闭状态，所以输出端PD输出一个持续时间为T2的高电平信号以控制过流保护电路不工作，当电容C2右极板电压充电达到Vbe电压之后，三极管Q15导通，输出端PD输出低电平信号以控制过流保护电路开始工作；同时，当PWM1信号为高电平时，三极管Q4导通、Q17关断、Q19导通，电容C3通过三极管Q19对地放电，电容C3上极板电压瞬间小于Vbe，并迅速接近0V，使得三极管Q21关断、Q23导通，输出端DRN迅速输出一个低电平信号，并控制下功率管驱动电路迅速关断下功率管。

同理，在t1时刻，PWM1信号由高电平变为低电平，三极管Q6导通，电容C1通过三极管Q6对地放电，使得电容C1上极板电压瞬间小于Vbe，并迅速接近0V，输出端DRP迅速输出低电平信号，并通过上功率管驱动电路迅速关断上功率管；同时，三极管Q19关断，电流I3对电容C3充电，经过T3时间后电容C3上极板电压等于Vbe时三极管Q21导通、Q23关断，输出端DRN输出一个高电平信号，并通过下功率管驱动电路打开下功率管；由于输入端PWM所输入的PWM1信号由高电平翻转为低电平时，电容C2右极板电压状态还是为Vbe，因此三极管Q15仍然处于导通状态，输出端PD持续输出低电平。

图4为本发明实施例提供的一种开关电源芯片的示意图。在本实施例中，本发明提供了一种开关电源芯片1000，所述开关电源芯片包括上述驱动信号控制电路100。所述驱动信号控制电路100的具体结构在此不再详述。所述开关电源芯片1000还包括分别与所述驱动信号控制电路100的输出端DRP、PD和DRN分别连接的上功率管驱动电路200、过流保护电路300和下功率管驱动电路400。所述开关电源芯片1000还包括由所述上功率管驱动电路200控制的上功率管500以及由所述下功率管驱动电路400控制的下功率管600。所述过流保护电路300为上功率管驱动电路200提供过流保护，以防止大电流对开关电源芯片1000造成损坏。

本发明实施例提供的一种驱动信号控制电路能够采用简单的模拟电路产生数字逻辑控制信号，用于实现开关电源芯片内的上、下功率管的不交叠、交替、有序工作，同时该驱动信号控制电路100还具有屏蔽开关电流毛刺的功能，使得上功率管在打开瞬间产生的电流毛刺不会误触发芯片内的过流保护功能，避免芯片工作异常。同时，本发明实施例提供的驱动信号控制电路中的晶体管每个器件都是相互隔离的，所以具有良好的耐闩锁性能和较高的抗干扰能力，降低了整个系统的设计难度，增加了系统的可靠性。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的一种驱动信号控制电路及开关电源芯片进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种驱动信号控制电路，其特征在于，包括控制上功率管驱动信号产生模块、控制下功率管驱动信号产生模块，以及屏蔽干扰信号产生模块，其中：

所述控制上功率管驱动信号产生模块具有用于接收周期矩形波信号的输入端、连接至外部上功率管驱动电路的第一输出端、连接至所述控制下功率管驱动信号产生模块的第二输出端；

所述控制下功率管驱动信号产生模块具有连接至所述控制上功率管驱动信号产生模块的输入端，以及连接至外部下功率管驱动电路的输出端；以及

所述屏蔽干扰信号产生模块具有连接至所述控制上功率管驱动信号产生模块的输入端，以及连接至外部过流保护电路的输出端；

其中，当所述周期矩形波信号由低电平翻转为高电平时，所述控制下功率管驱动信号产生模块的输出端输出低电平信号，用于控制外部下功率管关闭，同时所述控制上功率管驱动信号产生模块的第一输出端经过第一时间段后输出高电平信号，用于控制外部上功率管打开；

当所述周期矩形波信号由高电平翻转为低电平时，所述控制上功率管驱动信号产生模块的第一输出端输出低电平信号，用于控制所述外部上功率管关闭，所述控制下功率管驱动信号产生模块的输出端经过第二时间段后输出高电平信号，用于控制所述外部下功率管打开；

当所述控制上功率管驱动信号产生模块输出高电平信号后的第三时间段内，所述屏蔽干扰信号产生模块的输出端输出高电平信号，以关闭所述外部过流保护电路。

2.如权利要求1所述的驱动信号控制电路，其特征在于，所述控制上功率管驱动信号产生模块的输入端连接至所述控制上功率管驱动信号产生模块的第一三极管的基极，所述第一三极管的集电极连接至所述控制上功率管驱动信号产生模块的第二三极管的基极，所述第二三极管的集电极连接至所述控制上功率管驱动信号产生模块的第三三极管的基极，所述第三三极管的集电极连接至所述控制上功率管驱动信号产生模块的第四三极管的基极，所述第四三极管的集电极连接至所述控制上功率管驱动信号产生模块的第一输出端，用于与所述外部上功率管驱动电路连接。

3.如权利要求2所述的驱动信号控制电路，其特征在于，所述控制上功率管驱动信号产生模块还包括第一电容，所述第一电容的一端分别连接所述第二三极管的集电极和所述第三三极管的基极，所述第一电容的另一端接地。

4.如权利要求2所述的驱动信号控制电路，其特征在于，所述控制上功率管驱动信号产生模块的第二输出端分别连接所述第一三极管的集电极和所述第二三极管的基极。

5.如权利要求1所述的驱动信号控制电路，其特征在于，所述控制下功率管驱动信号产生模块的输入端分别连接所述控制上功率管驱动信号产生模块的第二输出端和所述控制下功率管驱动信号产生模块的第五三极管的基极，所述第五三极管的集电极连接至所述控制下功率管驱动信号产生模块的第六三极管的基极，所述第六三极管的集电极连接至所述控制下功率管驱动信号产生模块的第七三极管的基极，所述第七三极管的集电极连接至所述控制下功率管驱动信号产生模块的第八三极管的基极，所述第八三极管的集电极连接至所述控制下功率管驱动信号产生模块的输出端，用于与所述外部下功率管驱动电路连接。

6.如权利要求5所述的驱动信号控制电路，其特征在于，所述控制下功率管驱动信号产生模块还包括第二电容，所述第二电容的一端分别连接所述第六三极管的集电极和所述第七三极管的基极，所述第二电容的另一端接地。

7.如权利要求1所述的驱动信号控制电路，其特征在于，所述控制上功率管驱动信号产生模块还包括连接至所述屏蔽干扰信号产生模块的第三输出端，所述第三输出端分别连接所述控制上功率管驱动信号产生模块的第三三极管的集电极和所述控制上功率管驱动信号产生模块的第四三极管的基极。

8.如权利要求7所述的驱动信号控制电路，其特征在于，所述屏蔽干扰信号产生模块的输入端分别连接所述控制上功率管驱动信号产生模块的第三输出端和所述屏蔽干扰信号产生模块的第九三极管的基极，所述第九三极管的发射极连接至所述屏蔽干扰信号产生模块的第三电容的一端，所述第三电容的另一端连接至所述屏蔽干扰信号产生模块的第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端连接至所述屏蔽干扰信号产生模块的第十三极管的基极，所述第十三极管的集电极连接至所述屏蔽干扰信号产生模块的输出端，用于与所述外部过流保护电路连接。

9.一种开关电源芯片，其特征在于，所述开关电源芯片包括权利要求1至权利要求8任一项所述的驱动信号控制电路。

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