CN112289904B - 红光led的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种红光LED的制作方法，属于半导体技术领域。包括：在GaAs衬底上依次生长腐蚀停止层、N型接触层、N型限制层、发光层、P型限制层、P型接触层；将转移基板键合在P型接触层上；依次去除GaAs衬底和腐蚀停止层；在N型接触层上形成第一键合金属层，并采用等离子束清洁第一键合金属层的表面；在Si衬底上形成第二键合金属层，并采用等离子束清洁第二键合金属层的表面，第二键合金属层的材料与第一键合金属层的材料相同；将第二键合金属层和第一键合金属层相贴放入真空腔内，使第二键合金属层和第一键合金属层键合在一起；脱离转移基板，露出P型接触层；设置P型电极和N型电极。本公开可提高发光效率。
Description
技术领域
本公开涉及半导体技术领域，特别涉及一种红光LED的制作方法。
背景技术
LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种能发光的半导体器件。随着多年的技术研究开发，红光LED的外延和芯片技术都非常成熟。
红光LED的外延技术主要是在GaAs衬底上外延生长AlGaInP材料。由于AlGaInP与GaAs之间的晶格匹配度较好，因此外延生长过程中产生的位错较少，AlGaInP材料内部的量子效率超过95％。但是GaAs的能隙较小，会吸收AlGaInP材料发出的光线，导致红光LED的光提取效率较低。
为了提高光提取效率，红光LED的芯片技术在AlGaInP材料上镀薄膜，将薄膜与透明基板在高温高压下进行键合，并去除GaAs衬底。但是键合过程中高温高压的处理方式会影响到AlGaInP材料的光电性能，造成红光LED的发光效率较低。
发明内容
本公开实施例提供了一种红光LED的制作方法，可以改变键合过程中的温度和压力，避免影响到AlGaInP材料的光电性能，保证红光LED的发光效率。所述技术方案如下：
本公开实施例提供了一种红光LED的制作方法，所述制作方法包括：
在GaAs衬底上依次生长腐蚀停止层、N型接触层、N型限制层、发光层、P型限制层、P型接触层；
在所述P型接触层上形成氧化硅薄膜，在转移基板上涂覆光刻胶，并利用压力将所述光刻胶键合在所述氧化硅薄膜上；
依次去除所述GaAs衬底和所述腐蚀停止层，露出所述N型接触层；
在所述N型接触层上形成第一键合金属层，并采用等离子束清洁所述第一键合金属层的表面；
在Si衬底上形成第二键合金属层，并采用所述等离子束清洁所述第二键合金属层的表面，所述第二键合金属层的材料与所述第一键合金属层的材料相同；
将所述第二键合金属层和所述第一键合金属层相贴放入真空腔内，使所述第二键合金属层和所述第一键合金属层键合在一起；
对所述光刻胶进行曝光和显影，将所述转移基板从所述氧化硅薄膜上脱离；
去除所述氧化硅薄膜，露出所述P型接触层；
在所述P型接触层上设置P型电极，在所述Si衬底上设置N型电极。
可选地，所述第一键合金属层的材料和所述第二键合金属层的材料为Au。
可选地，所述等离子束由Ar离子组成。
可选地，所述等离子束的能量为20eV～50eV，所述等离子束的清洁时间为10min～30min。
可选地，所述真空腔内的真空度为10-7Pa～10-5Pa。
可选地，所述N型接触层为N型GaAs层，所述制作方法还包括：
在所述N型接触层上形成第一键合金属层之前，在所述N型接触层内沿垂直于所述N型接触层的生长方向的方向开设凹槽；
在所述N型接触层上形成第一键合金属层之后，所述凹槽内填满所述第一键合金属层。
可选地，所述N型接触层中N型掺杂剂的掺杂浓度在1019/cm3以上。
可选地，所述制作方法还包括：
在所述N型接触层上形成第一键合金属层之前，在所述N型接触层上形成接触金属层。
可选地，所述制作方法还包括：
在所述P型接触层上设置P型电极之前，采用PLD技术在所述P型接触层上形成AZO薄膜。
可选地，所述制作方法还包括：
在采用PLD技术在所述P型接触层上形成AZO薄膜之前，对所述P型接触层的表面进行粗化，形成多个圆锥状凸起。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过在N型接触层上形成第一键合金属层，并采用等离子束清洁第一键合金属层的表面，可以有效清除第一键合金属层表面的氧化膜，露出金属原子，并对金属原子起到一定的活化作用；在Si衬底上形成第二键合金属层，并采用等离子束清洁第二键合金属层的表面，可以有效清除第二键合金属层表面的氧化膜，露出金属原子，并对金属原子起到一定的活化作用；将第二键合金属层和第一键合金属层相贴放入真空腔内，第二键合金属层和第一键合金属层之间没有空气的阻挡，第一键合金属层表面露出的金属原子和第二键合金属层表面露出的金属原子相遇，由于第二键合金属层的材料与第一键合金属层的材料相同，并且第一键合金属层表面露出的金属原子和第二键合金属层表面露出的金属原子经过活化作用都具有一定的活化能，因此第一键合金属层表面露出的金属原子和第二键合金属层表面露出的金属原子之间会相互扩散和结合，从而将第二键合金属层和第一键合金属层键合在一起。整个过程都不涉及高温高压的处理，不存在进行高温高压的处理而影响到AlGaInP材料光电性能的问题，保证红光LED的发光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的一种红光LED的制作方法的流程图；
图2是本公开实施例提供的一种红光LED的制作方法的流程图；
图3是本公开实施例提供的制作方法形成的红光LED的结构示意图；
图4是本公开实施例提供的制作方法形成的红光LED的俯视图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
本公开实施例提供了一种红光LED的制作方法。图1为本公开实施例提供的一种红光LED的制作方法的流程图。参见图1，该制作方法包括：
步骤101：在GaAs衬底上依次生长腐蚀停止层、N型接触层、N型限制层、发光层、P型限制层、P型接触层。
在本公开实施例中，GaAs衬底可以起到支撑作用，并提供外延生长的表面。腐蚀停止层为GaInP层，可以在利用腐蚀溶液湿法去除GaAs衬底的过程中，防止腐蚀溶液作用到N型接触层等。发光层为未掺杂的AlGaInP层，可以进行电子和空穴的复合发光；N型限制层为N型AlGaInP层，可以提供进行复合发光的电子；P型限制层包括依次层叠在发光层上的P型AlGaInP层和P型AlInP层，可以提供进行复合发光的空穴。N型接触层为N型GaAs层，可以实现采用金属材料的N型电极和采用半导体材料的N型限制层之间的欧姆接触；P型接触层为P型GaP层，可以实现采用金属材料的P型电极和采用半导体材料的P型限制层之间的欧姆接触。
步骤102：在P型接触层上形成氧化硅薄膜，在转移基板上涂覆光刻胶，并利用压力将光刻胶键合在氧化硅薄膜上。
在本公开实施例中，转移基板主要在GaAs衬底替换为Si衬底的过程中临时起到支撑作用。在转移基板上涂覆光刻胶，后续可以利用光刻胶的特性，经过曝光显影即可将转移基板进行分离。而在P型接触层上形成氧化硅薄膜与转移基板上涂覆的光刻胶键合在一起，氧化硅薄膜的表面平整度较高，方便与光刻胶键合在一起；而且氧化硅薄膜的性质比较稳定，可以在曝光显影去除光刻胶的时候，对P型接触层等起到保护作用。
步骤103：依次去除GaAs衬底和腐蚀停止层，露出N型接触层。
去除GaAs衬底和腐蚀停止层，露出N型接触层，以便将N型接触层键合到Si衬底上，避免GaAs衬底吸收AlGaInP材料发出的光线，保证红光LED的光提取效率。
步骤104：在N型接触层上形成第一键合金属层，并采用等离子束清洁第一键合金属层的表面。
形成第一键合金属层之后，采用等离子束清洁第一键合金属层的表面，可以有效清除第一键合金属层表面的氧化膜，露出金属原子，并对金属原子起到一定的活化作用，有利于金属原子与非第一键合金属层的原子进行结合。
步骤105：在Si衬底上形成第二键合金属层，并采用等离子束清洁第二键合金属层的表面。
在本公开实施例中，第二键合金属层的材料与第一键合金属层的材料相同。
形成第二键合金属层之后，采用等离子束清洁第二键合金属层的表面，可以有效清除第二键合金属层表面的氧化膜，露出金属原子，并对金属原子起到一定的活化作用，有利于金属原子与非第二键合金属层的原子进行结合。
步骤106：将第二键合金属层和第一键合金属层相贴放入真空腔内，使第二键合金属层和第一键合金属层键合在一起。
将第二键合金属层和第一键合金属层相贴放入真空腔内，第二键合金属层和第一键合金属层之间没有空气的阻挡，第一键合金属层表面露出的金属原子和第二键合金属层表面露出的金属原子相遇，由于第二键合金属层的材料与第一键合金属层的材料相同，并且第一键合金属层表面露出的金属原子和第二键合金属层表面露出的金属原子经过活化作用都具有一定的活化能，因此第一键合金属层表面露出的金属原子和第二键合金属层表面露出的金属原子之间会相互扩散和结合，从而将第二键合金属层和第一键合金属层键合在一起。另外，在上述整个过程中，都不需要进行高温高压的处理。
步骤107：对光刻胶进行曝光和显影，将转移基板从氧化硅薄膜上脱离。
对光刻胶进行曝光和显影，利用光刻胶的特性，将转移基板从氧化硅薄膜上自然脱离。
步骤108：去除氧化硅薄膜，露出P型接触层。
去除氧化硅薄膜，露出P型接触层，以便在P型接触层上设置P型电极。
步骤109：在P型接触层上设置P型电极，在Si衬底上设置N型电极。
在P型接触层上设置P型电极，在Si衬底上设置N型电极，以便将电流注入器件中促使电子和空穴复合发光。
本公开实施例通过在N型接触层上形成第一键合金属层，并采用等离子束清洁第一键合金属层的表面，可以有效清除第一键合金属层表面的氧化膜，露出金属原子，并对金属原子起到一定的活化作用；在Si衬底上形成第二键合金属层，并采用等离子束清洁第二键合金属层的表面，可以有效清除第二键合金属层表面的氧化膜，露出金属原子，并对金属原子起到一定的活化作用；将第二键合金属层和第一键合金属层相贴放入真空腔内，第二键合金属层和第一键合金属层之间没有空气的阻挡，第一键合金属层表面露出的金属原子和第二键合金属层表面露出的金属原子相遇，由于第二键合金属层的材料与第一键合金属层的材料相同，并且第一键合金属层表面露出的金属原子和第二键合金属层表面露出的金属原子经过活化作用都具有一定的活化能，因此第一键合金属层表面露出的金属原子和第二键合金属层表面露出的金属原子之间会相互扩散和结合，从而将第二键合金属层和第一键合金属层键合在一起。整个过程都不涉及高温高压的处理，不存在进行高温高压的处理而影响到AlGaInP材料光电性能的问题，保证红光LED的发光效率。而且没有高温的处理，可以节省加热和冷却的时间，生产效率高，有利于批量化生产。
本公开实施例提供了一种红光LED的制作方法。图2为本公开实施例提供的一种红光LED的制作方法的流程图。参见图2，该制作方法包括：
步骤201：在GaAs衬底上依次生长腐蚀停止层、N型接触层、过渡层、N型扩展层、N型限制层、发光层、P型限制层、P型扩展层、P型接触层。
在本公开实施例中，GaAs衬底可以起到支撑作用，并提供外延生长的表面。腐蚀停止层为GaInP层，可以在利用腐蚀溶液湿法去除GaAs衬底的过程中，防止腐蚀溶液作用到N型接触层等。发光层为未掺杂的AlGaInP层，可以进行电子和空穴的复合发光；N型限制层为N型AlGaInP层，可以提供进行复合发光的电子；P型限制层包括依次层叠在发光层上的P型AlGaInP层和P型AlInP层，可以提供进行复合发光的空穴。N型接触层为N型GaAs层，可以实现采用金属材料的N型电极和采用半导体材料的N型限制层之间的欧姆接触；P型接触层为掺杂C的GaP层，可以实现采用金属材料的P型电极和采用半导体材料的P型限制层之间的欧姆接触。N型扩散层为N型AlGaInP层，可以对经过N型限制层的电流进行横向扩展，有利于电流到达N型限制层的所有区域；P型扩展层包括依次层叠在P型限制层上的P型AlGaInP层和掺杂Mg的GaP层，可以对经过P型限制层的电流进行横向扩展，有利于电流到达P型限制层的所有区域。过渡层为GaInP层，缓解N型接触层和N型扩展层之间的晶格失配。
示例性地，GaAs衬底的厚度为350微米。腐蚀停止层的厚度为100埃～300埃。N型接触层的厚度为600埃～1000埃。过渡层的厚度为100埃～300埃。N型扩展层中Al组分的含量为40％～60％，N型扩展层的厚度为1微米～3微米。N型限制层中Al组分的含量为60％～70％，N型限制层的厚度为800埃～1000埃。发光层的厚度为1550埃～2000埃。P型限制层中P型AlGaInP层中Al组分的含量为60％～70％，P型限制层中P型AlGaInP层的厚度为800埃～1000埃；P型限制层中掺杂Mg的GaP层的厚度为0.4微米～0.6微米。P型扩展层的厚度为3.5微米～4.5微米。P型接触层的厚度为0.1微米～0.5微米。
可选地，该步骤201包括：
采用MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)技术在GaAs衬底上依次生长腐蚀停止层、N型接触层、过渡层、N型扩展层、N型限制层、发光层、P型限制层、P型扩展层、P型接触层。
步骤202：在P型接触层上形成氧化硅薄膜，在转移基板上涂覆光刻胶，并利用压力将光刻胶键合在氧化硅薄膜上。
可选地，该步骤202包括：
采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积)技术在P型接触层上形成氧化硅薄膜；
采用旋涂技术在转移基板上涂覆光刻胶；
将光刻胶与氧化硅薄膜相贴并施加压力，使光刻胶键合在氧化硅薄膜上。
示例性地，转移基板为玻璃基板，光刻胶为BCB(苯并环丁烯)。
示例性地，键合压力为1000kg，键合温度为25℃～80℃。
步骤203：依次去除GaAs衬底和腐蚀停止层，露出N型接触层。
可选地，该步骤203包括：
利用腐蚀溶液湿法依次去除GaAs衬底和腐蚀停止层，露出N型接触层。
可选地，在步骤203之后，该制作方法还包括：
在N型接触层内沿垂直于N型接触层的生长方向的方向开设凹槽。
在N型接触层内沿垂直于N型接触层的生长方向的方向开设凹槽，可以减小N型接触层的横截面积，从而减少被吸收的光线，有利于提高红光LED的出光效率。而且在N型接触层内开设凹槽之后，第一键合金属层(详见步骤205)会填满凹槽内的空间，有利于第一键合金属层牢固设置在N型接触层上。
示例性地，N型接触层内开设凹槽之后，N型接触层为圆柱体阵列，圆柱体的直径为5微米～20微米，相邻两个圆柱体之间的距离为5微米～20微米。
可选地，N型接触层中N型掺杂剂的掺杂浓度在1019/cm3以上。
N型接触层中N型掺杂剂的掺杂浓度较高，以弥补凹槽开设区域缺少的N型接触层，保证器件的正常工作。
步骤204：在N型接触层上形成接触金属层。
在N型接触层上形成接触金属层，有利于金属材料的N型电极和采用半导体材料的N型限制层之间实现欧姆接触。
示例性地，接触金属层包括依次层叠在N型接触层上的Au层和AuGe层。
在本公开实施例的一种实现方式中，该步骤204包括：
采用蒸镀技术在N型接触层上铺设接触金属层。
在上述实现方式中，不会在N型接触层内开设凹槽。
在本公开实施例的另一种实现方式中，该步骤204包括：
采用蒸镀技术在N型接触层上形成图形化的接触金属层；
干法刻蚀N型接触层上未形成接触金属层的区域，在N型接触层内开设凹槽。
在实际应用中，图形化的接触金属层可以通过控制工艺参数实现，也可以通过光刻工艺实现：先在N型接触层上形成图形化的光刻胶，再在光刻胶和N型接触层未形成光刻胶的区域上铺设接触金属层，然后去除光刻胶和光刻胶上的接触金属层，留下的就是图形化的接触金属层。
图形化的接触金属层形成之后，即可利用形成图形化的接触金属层作为掩膜版，在N型接触层内形成多个凹槽。
步骤205：在接触金属上形成第一键合金属层，并采用等离子束清洁第一键合金属层的表面。
可选地，该步骤205包括：
采用蒸镀技术在接触金属上形成第一键合金属层；
采用等离子束轰击第一键合金属层的表面。
可选地，第一键合金属层的材料为Au，Au的扩散性比较强，有利于进入到第二键合金属层内，使得第一键合金属层和第二键合金属层键合在一起。而且Au的性质比较稳定，采用等离子束清洁之后露出的金属原子可以保持较长的时间，有利于与第二键合金属层中的金属原子进行结合，使得第一键合金属层和第二键合金属层键合在一起。
可选地，等离子束的能量为20eV～50eV，等离子束的清洁时间为10min～30min。
控制等离子束的能量为20eV～50eV，等离子束的清洁时间为10min～30min，既能保证清洁效果，也能避免对第一键合金属层造成损伤，同时对实现成本进行控制。
步骤206：在Si衬底上形成粘附金属层。
先在Si衬底上形成粘附金属层，再在粘附金属层上形成第二键合金属层，可以利用粘附金属层加强Si衬底和第二键合金属层之间粘附的牢固性。
可选地，该步骤206包括：
采用蒸镀技术在Si衬底上形成粘附金属层。
示例性地，粘附金属层包括依次层叠在Si衬底上的Ti层和Pt层。
步骤207：在粘附金属层上形成第二键合金属层，并采用等离子束清洁第二键合金属层的表面。
在本公开实施例中，第二键合金属层的材料与第一键合金属层的材料相同。
可选地，该步骤207包括：
采用蒸镀技术形成第二键合金属层；
采用等离子束轰击第二键合金属层的表面。
示例性地，第二键合金属层的材料为Au。
可选地，等离子束的能量为20eV～50eV，等离子束的清洁时间为10min～30min。
控制等离子束的能量为20eV～50eV，等离子束的清洁时间为10min～30min，既能保证清洁效果，也能避免对第二键合金属层造成损伤，同时对实现成本进行控制。
步骤208：将第二键合金属层和第一键合金属层相贴放入真空腔内，使第二键合金属层和第一键合金属层键合在一起。
在本公开实施例中，键合温度为25℃～30℃，即常温，不需要额外对温度进行控制。
可选地，真空腔内的真空度为10-7Pa～10-5Pa。
当真空腔内的真空度为10-7Pa～10-5Pa时，第二键合金属层和第一键合金属层的键合效果好。
步骤209：对光刻胶进行曝光和显影，将转移基板从氧化硅薄膜上脱离。
可选地，该步骤209包括：
采用紫外光照射光刻胶，使光刻胶进行分解；
将光刻胶浸泡在显影液中，使光刻胶进行溶解。
在实际应用中，当光刻胶的大部分都溶解在显影液中之后，转移基板自动从氧化硅薄膜上脱离。
步骤210：去除氧化硅薄膜，露出P型接触层。
可选地，该步骤210包括：
采用干法刻蚀技术去除氧化硅薄膜，露出P型接触层。
步骤211：对P型接触层的表面进行粗化，形成多个圆锥状凸起。
对P型接触层的表面进行粗化，形成多个圆锥状凸起，可以改变光线的出射方向，有利于减少发生全反射的光线比例，提高出光效率。
可选地，该步骤211包括：
采用光刻技术在P型接触层上形成图形化的光刻胶；
采用干法刻蚀技术对P型接触层的表面进行粗化，形成多个圆锥状凸起；
去除图形化的光刻胶。
步骤212：在P型接触层上形成AZO(铝掺杂的氧化锌)薄膜。
在P型接触层上形成AZO薄膜，AZO薄膜的折射率2.0～2.2，位于P型接触层的折射率3.5和LED封装采用的环氧树脂的折射率1.5之间，可以利用AZO薄膜改善P型接触层和LED封装的环氧树脂之间由于折射率相差太大而导致的全反射。
电流的扩散能力采用电流扩展长度来表征，电流扩展长度Ls采用如下公式计算：
其中，t是电流扩展层的厚度；nideal是器件的理想因子，数值为1.37；k是玻尔兹曼常数，数值为1.38×10-23J/K；T是绝对温度；ρ为电流扩展层的电阻率；J0是金属下的电流密度；q是基本电荷。
经过计算，AZO薄膜的电流扩展长度为150微米～180微米。AZO薄膜的电流扩展长度大，扩散能力强，在P型接触层上形成AZO薄膜，使得注入电流分布比较均匀，可以将注入的电流扩展到整个芯片，进而使得从LED表面提取的光线得到增多，因此AZO薄膜还可以有效地改善AlGaInP电流扩散效果，减少焦耳热的积累，在降低器件温度的同时提高器件的输出功率。
电流扩展长度达到150微米～180微米，可以有效减少焦耳热的积累。
可选地，该步骤212包括：
采用PLD(Pulsed Laser Deposition，脉冲激光沉积)技术在P型接触层上形成AZO薄膜。
PLD技术可以在常温下实现，可以有效避免高温处理造成器件性能受损。
示例性地，AZO薄膜的厚度为200nm。
步骤213：在AZO薄膜上设置P型电极，在Si衬底上设置N型电极。
可选地，该步骤213包括：
采用蒸镀技术在P型接触层上设置P型电极；
采用蒸镀技术在Si衬底上设置N型电极。
示例性地，P型电极包括依次层叠的Cr层、Ti层和Au层，N型电极包括依次层叠的Ti层和Au层。
可选地，该制作方法还包括：
在Si衬底上设置N型电极之前，减薄Si衬底。
示例性地，Si衬底减薄后的厚度为140微米～160微米。
可选地，该制作方法还包括：
在Si衬底上设置N型电极之后，进行退火；
激光划片；
测试分选。
示例性地，退火温度为300℃。
图3为本公开实施例提供的制作方法形成的红光LED的结构示意图。参见图3，N型电极10、Si衬底11、粘附金属层12、第二键合金属层13、第一键合金属层14、接触金属层15、N型接触层16、过渡层17、N型扩展层18、N型限制层19、发光层20、P型限制层21、P型扩展层中P型AlGaInP层22、P型扩展层中P型AlInP层23、P型接触层24、AZO薄膜25、P型电极26依次层叠，P型接触层24的表面具有多个圆锥状凸起，接触金属层15和N型接触层16为圆柱体阵列。
图4为本公开实施例提供的制作方法形成的红光LED的俯视图。参见图4，P型电极26为圆柱状，以方便与电路板连接。AZO薄膜25包括与P型电极26相对的圆形区域31和自圆形区域向远离圆形区域的方向延伸的条形区域32，以方便将P型电极26注入的电流扩展到P型接触层24的整个表面。
以上所述仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种红光LED的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在GaAs衬底上依次生长腐蚀停止层、N型接触层、N型限制层、发光层、P型限制层、P型接触层；
在所述P型接触层上形成氧化硅薄膜，在转移基板上涂覆光刻胶，并利用压力将所述光刻胶键合在所述氧化硅薄膜上；
依次去除所述GaAs衬底和所述腐蚀停止层，露出所述N型接触层；
在所述N型接触层上形成第一键合金属层，并采用等离子束清洁所述第一键合金属层的表面，所述等离子束由Ar离子组成，所述等离子束的能量为20eV～50eV，所述等离子束的清洁时间为10min～30min；
在Si衬底上形成粘附金属层，所述粘附金属层包括依次层叠在所述Si衬底上的Ti层和Pt层；
在所述粘附金属层上形成第二键合金属层，并采用所述等离子束清洁所述第二键合金属层的表面，所述第一键合金属层的材料和所述第二键合金属层的材料均为Au；
将所述第二键合金属层和所述第一键合金属层相贴放入真空腔内，使所述第二键合金属层和所述第一键合金属层键合在一起，键合温度为25℃～30℃；
对所述光刻胶进行曝光和显影，将所述转移基板从所述氧化硅薄膜上脱离；
去除所述氧化硅薄膜，露出所述P型接触层；
采用PLD技术在所述P型接触层上形成AZO薄膜，所述AZO薄膜的折射率2.0～2.2，所述AZO薄膜的电流扩展长度为150微米～180微米，所述AZO薄膜包括用于 与P型电极相对的圆形区域和自所述圆形区域向远离所述圆形区域的方向延伸的条形区域；
在所述P型接触层上设置P型电极，在所述Si衬底上设置N型电极。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述真空腔内的真空度为10-7Pa～10- 5Pa。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述N型接触层为N型GaAs层，所述制作方法还包括：
在所述N型接触层上形成第一键合金属层之前，在所述N型接触层内沿垂直于所述N型接触层的生长方向的方向开设凹槽；
在所述N型接触层上形成第一键合金属层之后，所述凹槽内填满所述第一键合金属层。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述N型接触层中N型掺杂剂的掺杂浓度在1019/cm3以上。
5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
在所述N型接触层上形成第一键合金属层之前，在所述N型接触层上形成接触金属层。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
在采用PLD技术在所述P型接触层上形成AZO薄膜之前，对所述P型接触层的表面进行粗化，形成多个圆锥状凸起。
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