CN112289809A - 阵列基板及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板及显示面板。阵列基板包括：基底层，包括至少一个基底子层，每个基底子层为透光层；晶体管层，位于基底层上，晶体管层包括多个晶体管；以及光调整层，位于晶体管层的朝向基底层一侧，光调整层被配置为至少在预设状态下阻挡来自至少一侧表面的光线透过。根据本发明实施例的阵列基板，降低晶体管受到来自基底层侧光线的照射量，降低晶体管的光致漏电流，从而缓解显示画面的局部亮暗不均。

Description

阵列基板及显示面板
技术领域
本发明涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
主动矩阵(Active Matrix，AM)驱动技术，是使用薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)阵列控制每个像素发光的显示驱动技术，以AM方式驱动的显示面板中，每个像素独立运作并连续驱动，具有低驱动电压、低功耗、长寿命等优点。
然而，随着目前透明显示、屏下指纹、屏下摄像头等技术的应用，显示面板开始逐渐高透光率化，这就使得TFT会受到外界、显示面板发光的影响。这些光在照射到TFT上时会使得其内部产生光致漏电流，造成显示面板局部亮暗不均，影响显示效果。长期的光线照射，会导致TFT的特性改变，造成不可逆的显示影响，影响屏幕寿命。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及显示面板，缓解局部亮度显示不均现象。
第一方面，本发明实施例提供一种阵列基板，其包括：基底层，包括至少一个基底子层，每个基底子层为透光层；晶体管层，位于基底层上，晶体管层包括多个晶体管；以及光调整层，位于晶体管层的朝向基底层一侧，光调整层被配置为至少在预设状态下阻挡来自至少一侧表面的光线透过。
根据本发明第一方面的前述实施方式，光调整层为光致变色层，光致变色层在变色后状态下阻挡来自任意侧表面的光线透过。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式，光致变色层在变色后状态下为黑色层。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式，光致变色层在初始状态下为透光层。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式，光致变色层复用为基底层的基底子层。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式，光致变色层包括：基材层，基材层为透光层；以及分散于基材层中的光致变色粒子。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式，光致变色粒子的材质包括铝硼硅酸盐、硼硅酸盐、或卤化银。
根据本发明第一方面的前述任一实施方式，光调整层为单向透光层，单向透光层包括朝向晶体管层的第一表面和背离晶体管层的第二表面，单向透光层阻挡来自第二表面的光线透过。
第二方面，本发明实施例提供一种显示面板，其包括根据本发明第一方面的前述任一实施方式的阵列基板。
根据本发明第二方面的前述实施方式，显示面板的显示区包括感光模块复用区，显示面板还包括：支撑膜，位于基底层的背离晶体管层一侧；以及胶带层，位于支撑膜的背离晶体管层一侧，其中胶带层包括设置于感光模块复用区的开口。
根据本发明实施例的阵列基板，每个基底子层为透光层，外界光线从晶体管层的背离基底层一侧向基底层照射，在基底层中反射后，容易照射到晶体管。本发明实施例的阵列基板包括位于晶体管层的朝向基底层一侧的光调整层，该光调整层能至少在预设状态下阻挡来自至少一侧表面的光线透过，从而降低晶体管受到来自基底层侧光线的照射量，降低晶体管的光致漏电流，从而缓解显示画面的局部亮暗不均。
在一些可选的实施方式中，光调整层为光致变色层，光致变色层在变色后状态下阻挡来自任意侧表面的光线透过。在光致变色层处于变色后状态时，其两侧的光线均被阻挡，从而更高程度降低晶体管受到来自基底层侧光线的照射量，保证晶体管工作的稳定性。外界光线长期照射光调整层，使其长期处于变色后状态，从而避免晶体管长期处于光照状态，提高晶体管以及阵列基板的使用寿命。
在一些可选的实施方式中，光致变色层复用为基底层的基底子层，从而不增加阵列基板原本的所需厚度，便于实现阵列基板的轻薄化。
在一些可选的实施方式中，光调整层为单向透光层，单向透光层包括朝向晶体管层的第一表面和背离晶体管层的第二表面，单向透光层阻挡来自第二表面的光线透过。当阵列基板与感光模块集成时，感光模块位于单向透光层的第二表面侧，感光模块所需感应的光线来自单向透光层的第一表面所在侧，从而能够顺利通过单向透光层到达感光模块，保证感光模块的正常使用。同时，来自单向透光层的第二表面侧的反射光线被单向透光层阻挡，从而降低该反射光线对晶体管正常工作的影响，从而在不影响集成感光模块的正常工作的基础上保护晶体管。
附图说明
通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。
图1是根据本发明第一实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图2是根据本发明第二实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图3是根据本发明第二实施例提供的阵列基板与感光模块集成后在光致变色层处于初始状态下的结构示意图；
图4是根据本发明第二实施例提供的阵列基板与感光模块集成后在光致变色层处于变色后状态下的结构示意图；
图5是根据本发明第二实施例提供的阵列基板中光致变色层的结构示意图；
图6是根据本发明第三实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图7是根据本发明第四实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图8是根据本发明第四实施例提供的阵列基板与感光模块集成后的结构示意图；
图9是根据本发明第一实施例提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本发明进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明，并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
本发明实施例提供一种阵列基板，其可以应用于显示面板中。其中，显示面板可以是有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板、液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)等显示面板，也可以是利用发光二极管(Light EmittingDiode，LED)器件的显示面板，例如是微发光二极管(Micro-LED)显示面板。本发明实施例的阵列基板可以各种形式呈现，以下将描述其中一些示例。
图1是根据本发明第一实施例提供的阵列基板的结构示意图，该附图示出阵列基板100的截面结构。阵列基板100包括基底层110、晶体管层120以及光调整层130。本实施例以阵列基板100是OLED显示面板的阵列基板为例进行说明。
基底层110包括至少一个基底子层111，每个基底子层111为透光层。在一些可选的实施例中，基底层110包括多个基底子层111，多个基底子层111依次层叠设置，使得基底层110包括呈复合层结构的衬底，可选地，基底层110还可以包括缓冲层，缓冲层可以是单层结构，也可以是包括至少两层的结构。示例性地，基底子层111可以是例如聚酰亚胺(Polyimide，PI)层的有机层，也可以是例如氧化硅(SiO)层、氮化硅(SiN)层的无机层，或者可以是上述有机层和无机层的结合。
晶体管层120位于基底层110上，晶体管层120包括多个晶体管T1。晶体管T1为薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，其包括有源层以及位于有源层AT1上的栅极G1，栅极G1与有源层AT1之间通过栅绝缘层绝缘设置。其中有源层AT1可以包括相对设置的源区S1、漏区D1，在在栅极G1施加导通电压时，有源层AT1在源区S1与漏区D1之间具有导电的沟道CH1。如前所述，每个基底子层111为透光层，外界光线从晶体管层120的背离基底层110一侧向基底层110照射，在基底层110中反射后，容易照射到晶体管T1。当晶体管T1的沟道CH1受到光线照射时，容易产生光致漏电流。
本发明实施例中，光调整层130位于晶体管层120的朝向基底层110一侧，光调整层130被配置为至少在预设状态下阻挡来自至少一侧表面的光线透过。该光调整层130能至少在预设状态下阻挡来自至少一侧表面的光线透过，从而降低晶体管T1受到来自基底层110侧光线的照射量，降低晶体管T1的光致漏电流，从而缓解显示画面的局部亮暗不均。
需要说明的是，当阵列基板100用于显示面板以及显示装置中时，由于光调整层130的设置可以降低晶体管T1受到来自基底层110侧光线的照射，该来自基底层110侧的光线可以不限于是基底层110中的基底子层111反射的光线，也可能是基底层110侧的其它膜层反射或诸如背光模组的发光结构发射的光线。
需要说明的是，在图1涉及实施例中，以光调整层130设置在基底层110的其中两层基底子层111之间为例进行示意，然而，光调整层130的数量和位置可以不限于上述示意。可选地，光调整层130的数量也可以是两层、三层等其它数量，每层光调整层130可以位于任意相邻两层基底子层111之间，也可以位于基底层110的朝向晶体管层120一侧或背离晶体管层120一侧，只要光调整层130位于晶体管层120的朝向基底层110一侧。
图2是根据本发明第二实施例提供的阵列基板的结构示意图，该附图示出阵列基板100的截面结构。阵列基板100包括基底层110、晶体管层120以及光调整层，光调整层被配置为至少在预设状态下阻挡来自至少一侧表面的光线透过。第二实施例的阵列基板100的部分结构与第一实施例的阵列基板100相同，以下将对两者的不同之处进行说明，相同之处不再详述。
在本实施例中，光调整层为光致变色层130a，光致变色层130a在变色后状态下阻挡来自任意侧表面的光线透过。光致变色层130a位于晶体管层120的朝向基底层110一侧。在光致变色层130a处于变色后状态时，其两侧的光线均被阻挡，从而更高程度降低晶体管T1受到来自基底层110侧光线的照射量，保证晶体管T1工作的稳定性。外界光线长期照射光调整层130，使其长期处于变色后状态，从而避免晶体管T1长期处于光照状态，提高晶体管T1以及阵列基板100的使用寿命。
可选地，光致变色层130a在变色后状态下为黑色层，从而在变色后状态下能够吸收光线。
可选地，光致变色层130a在初始状态下为透光层。其中，光致变色层130a在未受到光线照射时为透光层，在受到光线照射时，逐渐变色，即逐渐转变为变色后状态，阻挡来自任意侧表面的光线透过。
阵列基板100在应用于显示面板或显示装置中时，可以与感光模块集成，此时感光模块位于基底层110及光致变色层130a的背离晶体管层120一侧。
图3是根据本发明第二实施例提供的阵列基板与感光模块集成后在光致变色层处于初始状态下的结构示意图。光致变色层130a在受到较长时间的光照时会逐渐转变为变色后状态，而在受到短时间光照时不会立即变色。如图3，在光致变色层130a处于初始状态下，来自晶体管层120背离基底层110一侧的光线L1能够透过光致变色层130a，使得光线L1能够被感光模块900接收，保证感光模块900的正常使用。在一个示例中，感光模块900可以是光学指纹识别模块，在光致变色层130a在受到短时间光照时其仍然为透光层，保证指纹识别的顺利进行。
图4是根据本发明第二实施例提供的阵列基板与感光模块集成后在光致变色层处于变色后状态下的结构示意图。光致变色层130a在受到较长时间的光照后，转变为变色后状态，其阻挡来自任意侧表面的光线透过。此时，来自晶体管层120背离基底层110一侧的光线L1、来自光致变色层130a背离晶体管层120一侧的光线L2均被光致变色层130a阻挡，从而降低晶体管T1受到来自基底层110侧光线的照射量，降低晶体管T1的光致漏电流，从而缓解显示画面的局部亮暗不均。
图5是根据本发明第二实施例提供的阵列基板中光致变色层的结构示意图，可选地，光致变色层130a包括基材层131a以及光致变色粒子131b。基材层131a为透光层。光致变色粒子131b分散于基材层131a中。可选地，光致变色粒子131b的材质包括铝硼硅酸盐、硼硅酸盐、或卤化银。
图6是根据本发明第三实施例提供的阵列基板的结构示意图，该附图示出阵列基板100的截面结构。阵列基板100包括基底层110、晶体管层120以及光调整层，光调整层为光致变色层130a。第三实施例的阵列基板100的部分结构与第二实施例的阵列基板100相同，以下将对两者的不同之处进行说明，相同之处不再详述。
在第三实施例中，光致变色层130a复用为基底层110的基底子层111。例如本实施例中，光致变色层130a为一层，其复用为一层基底子层111。在其它一些实施例中，光致变色层130a可以为至少两层，其中的至少一层可以复用为基底层110的基底子层111。由于光致变色层130a复用为基底层110的基底子层111，因此不增加阵列基板100原本的所需厚度，便于实现阵列基板100的轻薄化。
可选地，光致变色层130a可以是在任意至少一层基底子层111中添加光致变色粒子形成，使得光致变色层130a的形成工艺更简便，提高阵列基板100的制作效率。可选地，光致变色粒子的材质包括铝硼硅酸盐、硼硅酸盐、或卤化银。
图7是根据本发明第四实施例提供的阵列基板的结构示意图，该附图示出阵列基板100的截面结构。阵列基板100包括基底层110、晶体管层120以及光调整层，光调整层被配置为至少在预设状态下阻挡来自至少一侧表面的光线透过。第四实施例的阵列基板100的部分结构与第一实施例的阵列基板100相同，以下将对两者的不同之处进行说明，相同之处不再详述。
在本实施例中，光调整层为单向透光层130b，单向透光层130b包括朝向晶体管层120的第一表面S1和背离晶体管层120的第二表面S2。其中单向透光层130b允许来自第一表面S1的光线透过，单向透光层130b阻挡来自第二表面S2的光线透过。
可选地，单向透光层130b包括层叠设置的多个子层，每个子层为具有预设折射率的透光层，其中，从第一表面S1到第二表面S2方向上依次设置的多个子层的折射率递减。具有梯度变化折射率的单向透光层130b可以保证来自第一表面S1的光线顺利通过单向透光层130b，而来自第二表面S2的光线在经过单向透光层130b时，这些光线在第二表面S2处往往具有倾斜的入射角，并且每通过一个子层时，是从光密介质进入光疏介质，从而造成更多的反射，使得来自第二表面S2的光线难以穿过单向透光层130b。
需要说明的是，本实施例中的单向透光层不限于是允许来自一侧光线透过而完全不允许来自另一侧光线透过的膜层。单向透光层可以是例如上述示例的对来自其中一侧的光线阻挡，使其透过率明显低于来自另一侧光线的透过率的膜层。
阵列基板100在应用于显示面板或显示装置中时，可以与感光模块集成，以实现相应的感光功能。例如感光模块是光学指纹识别模块，用于实现指纹识别。
图8是根据本发明第四实施例提供的阵列基板与感光模块集成后的结构示意图。当阵列基板100与感光模块900集成时，感光模块900位于单向透光层130b的第二表面S2侧。来自单向透光层130b的第一表面S1所在侧的光线L3为感光模块900所需感应的光线，其例如是携带指纹信息的光线，光线L3能够顺利通过单向透光层130b到达感光模块900，保证感光模块900的正常使用。同时，来自单向透光层130b的第二表面S2侧的反射光线L4被单向透光层130b阻挡，从而降低该反射光线L4对晶体管T1正常工作的影响，从而在不影响集成感光模块900的正常工作的基础上保护晶体管T1。
本发明实施例还提供一种显示面板，其包括根据前述本发明任一实施方式的阵列基板100，以下将描述其中一些示例。
图9是根据本发明第一实施例提供的显示面板的结构示意图。该显示面板包括阵列基板100，阵列基板100包括基底层110、晶体管层120以及光调整层130。
基底层110包括至少一个基底子层111，每个基底子层111为透光层。晶体管层120位于基底层110上，晶体管层120包括多个晶体管T1。光调整层130位于晶体管层120的朝向基底层110一侧，光调整层130被配置为至少在预设状态下阻挡来自至少一侧表面的光线透过。
本实施例以显示面板是OLED显示面板为例进行说明。可选地，显示面板还包括发光元件层140，发光元件层140包括多个发光元件SP，本实施例中发光元件SP为OLED。可选地，显示面板还包括封装层150以及盖板160，封装层150位于发光元件层140背离基底层110一侧，盖板160位于封装层150背离发光元件层140一侧。
根据本发明实施例的显示面板，光调整层130能至少在预设状态下阻挡来自至少一侧表面的光线透过，从而降低晶体管T1受到来自基底层110侧光线的照射量，降低晶体管T1的光致漏电流，从而缓解显示画面的局部亮暗不均。
可选地，显示面板的显示区包括感光模块复用区PA，显示面板还包括支撑膜170以及胶带层180。支撑膜170位于基底层110的背离晶体管层120一侧。胶带层180位于支撑膜170的背离晶体管层120一侧，其中胶带层180包括设置于感光模块复用区PA的开口。
光调整层130包括朝向晶体管层120的第一表面S1和背离晶体管层120的第二表面S2。其中，光调整层130至少在第一状态下阻挡至少来自第二表面S2的光线透过，使得晶体管T1至少在第一状态下受到的光照量降低，保证其工作稳定性。光调整层130至少在第二状态下允许来自第一表面S1的光线透过，使得感光模块900至少在第二状态能够接收到来自光调整层130朝向发光元件层140侧的光线，实现相应地感光功能。
可选地，光调整层130为光致变色层，光致变色层在变色后状态下阻挡来自任意侧表面的光线透过。可选地，光致变色层在初始状态下为透光层。其中，光致变色层在未受到光线照射时为透光层，在受到光线照射时，逐渐变色，即逐渐转变为变色后状态，阻挡来自任意侧表面的光线透过。
可选地，光调整层130为单向透光层，其中单向透光层允许来自第一表面S1的光线透过，单向透光层130b阻挡来自第二表面S2的光线透过。
在图9涉及实施例中，以光调整层130设置在基底层110的其中两层基底子层111之间为例进行示意，然而，光调整层130的数量和位置可以不限于上述示意。可选地，光调整层130的数量也可以是两层、三层等其它数量，每层光调整层130可以位于任意相邻两层基底子层111之间，也可以位于基底层110的朝向晶体管层120一侧或背离晶体管层120一侧，只要光调整层130位于晶体管层120的朝向基底层110一侧。
感光模块900可以是光学指纹识别模块，用于实现指纹识别。在其它一些实施例中，感光模块900可以是图像采集装置、光线传感器等其它感光装置，或者可以是上述感光装置的组合。
依照本发明如上文所述的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基底层，包括至少一个基底子层，每个所述基底子层为透光层；
晶体管层，位于所述基底层上，所述晶体管层包括多个晶体管；以及
光调整层，位于所述晶体管层的朝向所述基底层一侧，所述光调整层被配置为至少在预设状态下阻挡来自至少一侧表面的光线透过。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光调整层为光致变色层，所述光致变色层在变色后状态下阻挡来自任意侧表面的光线透过。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述光致变色层在变色后状态下为黑色层。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述光致变色层在初始状态下为透光层。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述光致变色层复用为所述基底层的所述基底子层。
6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述光致变色层包括：
基材层，所述基材层为透光层；以及
分散于所述基材层中的光致变色粒子。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述光致变色粒子的材质包括铝硼硅酸盐、硼硅酸盐、或卤化银。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光调整层为单向透光层，所述单向透光层包括朝向所述晶体管层的第一表面和背离所述晶体管层的第二表面，所述单向透光层阻挡来自所述第二表面的光线透过。
9.一种显示面板，其特征在于，包括根据权利要求1至8任一项所述的阵列基板。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板的显示区包括感光模块复用区，所述显示面板还包括：
支撑膜，位于所述基底层的背离所述晶体管层一侧；以及
胶带层，位于所述支撑膜的背离所述晶体管层一侧，其中所述胶带层包括设置于所述感光模块复用区的开口。
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