CN115663008A - 发光芯片、发光结构及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请属于显示领域，具体涉及一种发光芯片、发光结构及显示装置，发光芯片包括第一衬底基板，以及设置在第一衬底基板同一侧的第一发光部和第二发光部，第一发光部靠近第一衬底基板的一侧设置有具有遮光性的第一电极，远离第一衬底基板的一侧设置有至少部分透光的第三电极，第一发光部的光线经第三电极射出，第二发光部和第一发光部间隔设置，且第二发光部与第一发光部之间设置有具有遮光性的第二电极，远离第一衬底基板的一侧设置有具有遮光性的第四电极，第二发光部的光线经第一衬底基板射出。第二电极隔离第一发光部和第二发光部之间侧壁光，减小或消除了两个发光部之间的光串扰，保证了LED显示装置的显示效果。

Description

发光芯片、发光结构及显示装置

技术领域

本申请属于显示领域，具体涉及一种发光芯片、发光结构及显示装置。

背景技术

Mini/Micro LED(迷你发光二极管)是指将传统LED发光芯片阵列化、微缩化后定址巨量转移到电路基板上，形成超小间距发光芯片显示面板，实现像素级LED直显。

现有的发光芯片，包括两个发光部且两个发光部设置在第一衬底基板的同一侧，以降低发光芯片的制造成本，同时将发光芯片做的更薄。然而，随着发光芯片尺寸的进一步缩小，发光芯片中两个发光部之间的光串扰现象变得尤为严重，影响LED显示面板的显示效果。

发明内容

本申请的目的在于提供一种发光芯片、发光结构及显示装置，以减小或消除发光芯片中两个发光部之间的光串扰，保证LED显示面板的显示效果。

为了达到上述目的，本申请提供了一种发光芯片，包括第一衬底基板，以及设置在所述第一衬底基板同一侧的第一发光部和第二发光部，所述第一发光部靠近所述第一衬底基板的一侧设置有具有遮光性的第一电极，远离所述第一衬底基板的一侧设置有至少部分透光的第三电极，所述第一发光部用于在所述第一电极和所述第三电极提供的电压下工作，所述第一发光部的光线经所述第三电极射出；

所述第二发光部和所述第一发光部间隔设置，且所述第二发光部与所述第一发光部之间设置有具有遮光性的第二电极，远离所述第一衬底基板的一侧设置有具有遮光性的第四电极，所述第二发光部用于在所述第二电极和所述第四电极提供的电压下工作，所述第二发光部的光线经所述第一衬底基板射出。

可选的，所述第二电极与所述第一电极同层设置且相连。

可选的，所述第一发光部和所述第二发光部均包括依次形成在所述第一衬底基板上的第一掺杂层、发光层和第二掺杂层；所述第一掺杂层和所述第二掺杂层中一者为N型掺杂层，另一者为P型掺杂层；其中，

所述第一发光部和所述第二发光部的第一掺杂层均与所述第二电极相接触。

可选的，所述第二电极远离所述第一衬底基板的端面与所述发光层远离所述第一衬底基板的端面相平齐；或

所述第二电极远离所述第一衬底基板的端面高于所述发光层远离所述第一衬底基板的端面，且低于所述第二掺杂层远离所述第一衬底基板的端面；或

所述第二电极远离所述第一衬底基板的端面与所述第二掺杂层远离所述第一衬底基板的端面相平齐。

可选的，所述第一电极在所述第一衬底基板上的正投影完全覆盖所述第一发光部在所述第一衬底基板上的正投影，且所述第四电极在所述第一衬底基板上的正投影完全覆盖所述第二发光部在所述第一衬底基板上的正投影；和/或

所述第一电极、所述第二电极和所述第四电极均具有反射性。

可选的，所述第三电极包括透明导电层和金属导电层，所述金属导电层位于所述透明导电层远离所述第一衬底基板一侧的局部区域，所述第三电极的金属导电层与所述第四电极同层设置且相互间隔；

其中，所述金属导电层、所述第二电极、所述第四电极远离所述第一衬底基板的一侧均凸设有第一绑定点，各第一绑定点远离所述第一衬底基板的端面相平齐。

本申请还提供一种发光结构，包括驱动基板和多个发光芯片，所述驱动基板具有多个驱动单元，所述驱动单元与所述发光芯片一一对应连接，所述驱动单元包括相互独立的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和公共电极，所述第三电极与所述第一薄膜晶体管的源漏极中一者连接，所述第四电极与所述第二薄膜晶体管的源漏极中一者连接，所述第二电极与所述公共电极连接；

其中，所述第三电极的至少部分透光区与所述第一薄膜晶体管在所述驱动基板上的正投影不存在交叠。

可选的，所述驱动基板具有光透过区，所述光透过区与所述第三电极的至少部分透光区相对设置；其中，

所述光透光区设置光学处理层，自所述第一发光部的出光方向上，所述光学处理层的折射率依次减小或依次增大；和/或

所述驱动基板还包括遮光反射区，所述遮光反射区围绕所述光透光区设置。

本申请还提供一种显示装置，包括：

主板；

发光结构，所述主板与所述发光结构的驱动基板连接。

可选的，所述发光结构的至少一发光侧设置有光学调控件层和位于所述光学调控件层远离所述发光结构一侧的液晶盒。

本申请公开的发光芯片、发光结构及显示装置具有以下有益效果：

本实施例中，发光芯片包括第一衬底基板，以及设置在第一衬底基板同一侧的第一发光部和第二发光部，第一发光部靠近第一衬底基板的一侧设置有具有遮光性的第一电极，第一发光部远离第一衬底基板的一侧设置有至少部分透光的第三电极，第一发光部的光线经第三电极射出，第二发光部和第一发光部间隔设置，第二发光部与第一发光部之间设置有具有遮光性的第二电极，第二发光部远离第一衬底基板的一侧设置有具有遮光性的第四电极，第二发光部的光线经第一衬底基板射出。本申请中，第一电极遮挡第一发光部的光线，第四电极遮挡第二发光部的光线，第二电极隔离第一发光部和第二发光部之间侧壁光，这样在实现双面发光的同时，还可减小或消除发光芯片中两个发光部之间的光串扰问题，保证了显示装置的显示效果。

本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本申请的实践而习得。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例一中发光芯片的结构示意图。

图2是本申请实施例二中发光结构的结构示意图。

图3是本申请实施例二中光学处理层扩散光线示意图。

图4是本申请实施例二中光学处理层汇聚光线示意图。

图5是本申请实施例三中显示装置的结构示意图。

附图标记说明：

10、发光结构；20、光学调控件层；30、液晶盒；

100、发光芯片；

110、第一衬底基板；121、第一电极；122、第二电极；130a、第一发光部；130b、第二发光部；131、第一掺杂层；132、发光层；133、第二掺杂层；140a、第三电极；140b、第四电极；141、金属导电层；142、透明导电层；150、第一绑定点；

200、驱动基板；201、第一薄膜晶体管；202、第二薄膜晶体管；203、公共电极；204、连接电极；205、光学处理层；

210、第二衬底基板；220、栅极；230、栅极绝缘层；240、有源层；250、刻蚀阻隔层；260、源漏极层；261、源极；262、漏极；270、平坦层；281、遮光层；282、反射层；290、缓冲层；

300、像素定义层；400、薄膜绝缘层；500、硅胶固定层；600、无机薄膜封装层。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本申请将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。

此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本申请的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本申请的各方面。

下面结合附图和具体实施例对本申请作进一步详述。在此需要说明的是，下面所描述的本申请各个实施例中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

实施例一

参见图1所示，本实施例中发光芯片包括第一衬底基板110，以及设置在第一衬底基板110同一侧的第一发光部130a和第二发光部130b。举例而言，第一衬底基板110可为蓝宝石衬底。第一发光部130a和第二发光部130b的出光方向相反，如图1所示，第一发光部130a出光方向向下，第二发光部130b的出光方向向上。

第一发光部130a靠近第一衬底基板110的一侧设置有具有遮光性的第一电极121，第一发光部130a远离第一衬底基板110的一侧设置有至少部分透光的第三电极140a。第一发光部130a用于在第一电极121和第三电极140a提供的电压下工作，第一发光部130a的光线经第三电极140a射出。

第二发光部130b形成在第一衬底基板110上，第二发光部130b和第一发光部130a间隔设置。第二发光部130b与第一发光部130a之间设置有具有遮光性的第二电极122，第二发光部130b远离第一衬底基板110的一侧设置有具有遮光性的第四电极140b，第二发光部130b用于在第二电极122和第四电极140b提供的电压下工作，第二发光部130b的光线经第一衬底基板110射出。

需要说明的是，第二发光部130b可直接形成在第一衬底基板110上，但不限于此，第二发光部130b与第一衬底基板110之间还可设置透明电极，该透明电极与第二电极122连接，具体可视情况而定。

本实施例中，第一电极121遮挡第一发光部130a的光线，第四电极140b遮挡第二发光部130b的光线，第二电极122隔离第一发光部130a和第二发光部130b之间侧壁光，这样在实现双面发光的同时，还可减小或消除发光芯片中两个发光部之间的光串扰问题，保证了显示装置的显示效果。

示例的，参见图1所示，第二电极122与第一电极121同层设置且相连。

应该理解的是，在本申请中“同层设置”指的是采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构，即一次构图工艺对应一道掩模板(mask，也称光罩)。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的，这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。从而简化制作工艺，节省制作成本，提高生产效率。

也就是说，第二电极122与第一电极121可采用同一成膜工艺形成，降低了发光芯片的制作成本。

举例而言，第一电极121和第二电极122均采用银、铜、铬等金属形成，使第一电极121和第二电极122能够导电、遮挡及反射光线。

参见图1所示，第一发光部130a和第二发光部130b均包括依次形成在第一衬底基板110上的第一掺杂层131、发光层132和第二掺杂层133；第一掺杂层131和第二掺杂层133中一者为N型掺杂层，另一者为P型掺杂层，例如N型掺杂层可为N型氮化镓，P型掺杂层可为P型氮化镓，发光层132可为多量子阱(MQWS)。

其中，第一发光部130a和第二发光部130b的第一掺杂层131均与第二电极122相接触，也就是说，此第二电极122既能驱动第二发光部130b工作，又可以驱动第一发光部130a工作。应当理解的是，第二电极122可与第一电极121输入同一电位，这样可以保证第一发光部130a的第一掺杂层131更稳定地被第一电极121和第二电极122同时驱动。

参见图1所示，第二电极122远离第一衬底基板110的端面与第二掺杂层133远离第一衬底基板110的端面相平齐。

第二电极122用于隔离第一发光部130a和第二发光部130b之间的侧壁光，第二电极122的高度越大，隔绝第一发光部130a和第二发光部130b之间的侧壁光的效果越好。本申请中第二电极122远离第一衬底基板110的端面与第二掺杂层133远离第一衬底基板110的端面相平齐，可完全隔绝第一发光部130a和第二发光部130b之间的侧壁光。

在第二电极122远离第一衬底基板110的端面与第二掺杂层133远离第一衬底基板110的端面相平齐时，第二电极122与第二掺杂层133形成间隔或两者之间通过绝缘层绝缘。

第二电极122与第二掺杂层133形成间隔或两者之间通过绝缘层绝缘，防止第二电极122与第二掺杂层133接触并导电。

需要说明的是，第二电极122远离第一衬底基板110的端面不限于与第二掺杂层133远离第一衬底基板110的端面相平齐，即：第二电极122远离第一衬底基板110的端面与发光层132远离第一衬底基板110的端面相平齐，或第二电极122远离第一衬底基板110的端面高于发光层132远离第一衬底基板110的端面，且低于第二掺杂层133远离第一衬底基板110的端面，具体可视情况而定。

第二电极122远离第一衬底基板110的端面与发光层132远离第一衬底基板110的端面相平齐，这样设计，可省去将第二掺杂层133和第二电极122之间绝缘的工序，可降低发光芯片的制造成本。

参见图1所示，第三电极140a包括透明导电层142和金属导电层141，透明导电层142完全覆盖第一发光部130a的第二掺杂层133远离第一衬底基板110的端面，金属导电层141位于透明导电层142远离第一衬底基板110一侧的局部区域，第三电极140a的金属导电层141与第四电极140b同层设置且相互间隔。透明导电层142可采用氧化铟锡沉积形成。

第三电极140a包括金属导电层141，第三电极140a的金属导电层141与第四电极140b同层设置且相互间隔，发光芯片绑定时，焊点更容易附着金属电极，发光芯片绑定更容易。

为避免金属导电层141遮挡光线，增大第一发光部130a的出光角度，金属导电层141尺寸需要尽可能的小，但减小金属导电层141尺寸不利于金属导电层141和第二掺杂层133导电连接。本实施例中，第三电极140a包括透明导电层142，透明导电层142完全覆盖第一发光部130a的第二掺杂层133远离第一衬底基板110的端面，通过透明导电层142可增强第二掺杂层133和金属导电层141之间导电连接。同时，又可以减小金属导电层141尺寸，减少金属导电层141遮挡光线。

需要说明的是，第三电极140a包括透明导电层142和金属导电层141，但不限于此，第三电极140a也可仅包括透明导电层142和金属导电层141两者之一，具体可视情况而定。

金属导电层141、第二电极122、第四电极140b远离第一衬底基板110的一侧均凸设有第一绑定点150，各第一绑定点150远离第一衬底基板110的端面相平齐。

金属导电层141、第二电极122、第四电极140b远离第一衬底基板110的一侧与驱动基板绑定，因此在金属导电层141、第二电极122、第四电极140b远离第一衬底基板110的一侧均凸设有第一绑定点150，且各第一绑定点150远离第一衬底基板110的端面相平齐，通过第一绑定点150绑定发光芯片更容易。

参见图1所示，第一电极121在第一衬底基板110上的正投影完全覆盖第一发光部130a在第一衬底基板110上的正投影，且第四电极140b在第一衬底基板110上的正投影完全覆盖第二发光部130b在第一衬底基板110上的正投影。金属导电层141可采用银、铜、铬等金属形成，第三电极140a和第四电极140b能够导电、遮挡及反射光线；第一电极121和第二电极122均采用银、铜、铬等金属形成，使第一电极121和第二电极122能够导电、遮挡及反射光线，也就是说，第一电极121、第二电极122、第三电极140a及第四电极140b均具有反射性。

由于第一电极121、第二电极122、第三电极140a及第四电极140b均具有反射性，第一电极121、第二电极122、第三电极140a及第四电极140b均可反射光线，从而提高光线的利用率。

本实施例中，发光芯片为Mini LED/Micro LED(迷你发光二极管)芯片。其中，MiniLED芯片的尺寸为50微米～200微米，绑定在驱动基板上时，相邻两个Mini LED芯片之间间隙为0.3毫米～1.2毫米。Micro LED芯片的尺寸小于50微米，绑定在驱动基板上时，相邻两个Micro LED芯片之间间隙小于0.3毫米。

Mini LED/Micro LED芯片尺寸小，芯片之间间隙小，集成在驱动基板上的芯片数量多，从而可划分成更多精细的背光分区，极大提升屏幕的对比度。此外，Mini LED/MicroLED芯片尺寸缩小到像素级时，可用于LED直显，省去传统的液晶显示面板，降低显示屏的制造成本，提升显示屏的画质。

实施例二

结合图1和图2所示，本实施例中发光结构包括驱动基板200以及多个间隔设置的发光芯片100，该发光芯片100包括实施例一公开的发光芯片100。驱动基板200具有多个驱动单元，驱动单元与发光芯片100一一对应连接。

驱动单元包括相互独立的第一薄膜晶体管201、第二薄膜晶体管202和公共电极203。第三电极140a与第一薄膜晶体管201的源漏极中一者连接，第四电极140b与第二薄膜晶体管202的源漏极中一者连接，第二电极122与公共电极203连接。

其中，第三电极140a的至少部分透光区与第一薄膜晶体管201在驱动基板200上的正投影不存在交叠。同时，第二发光部130b在驱动基板200上的正投影与第二薄膜晶体管202至少部分交叠。

本实施例中，发光芯片100的两个发光部位于第一衬底基板110的同一侧，与两个发光部分别位于第一衬底基板110两侧相比，本实施例中发光芯片100的制造成本更低。两个发光部分别连接两个薄膜晶体管，第二发光部130b在驱动基板200上的正投影与第二薄膜晶体管202至少部分交叠，这样设计，可以减小薄膜晶体管的占用空间，进而可在驱动基板200上绑定更多的发光芯片100，发光结构用于背光模组时，可划分成更多精细的背光分区，极大提升屏幕的对比度。发光结构用于LED直显时，绑定更多的发光芯片100可提高分辨率，从而提升显示屏的画质。第三电极140a的至少部分透光区与第一薄膜晶体管201在驱动基板200上的正投影不存在交叠，可避免第一薄膜晶体管201遮挡光线。

驱动基板200还包括第二衬底基板210、栅极220、栅极绝缘层230、有源层240、刻蚀阻隔层250、源漏极层260、平坦层270和连接电极204。栅极220、栅极绝缘层230、有源层240、刻蚀阻隔层250、源漏极层260以及平坦层270依次形成在第二衬底基板210上。源漏极层260包括源极261和漏极262，薄膜晶体管的第一端可为漏极262。公共电极203与源漏极层260位于同一层。平坦层270具有通孔，连接电极204通过通孔连接漏极262和发光芯片100。如图2所示，驱动基板200具有相邻的第一薄膜晶体管201和第二薄膜晶体管202，第一薄膜晶体管201的漏极262与发光芯片100的第三电极140a连接，第二薄膜晶体管202的漏极262与发光芯片100的第四电极140b连接。

金属导电层141、第二电极122、第四电极140b远离第一衬底基板110的一侧均凸设有第一绑定点150，各第一绑定点150远离第一衬底基板110的端面相平齐。连接电极204上相应地可设置第二绑定点，第一绑定点150和第二绑定点连接，使发光芯片100绑定更容易。

参见图1和图2所示，驱动基板200具有光透过区，光透过区与第三电极140a的至少部分透光区相对设置；其中，光透光区设置光学处理层205，自第一发光部130a的出光方向上，光学处理层205的折射率依次减小或依次增大。驱动基板200还包括遮光反射区，遮光反射区围绕光透光区设置。

发光结构用于背光模组时，光学处理层205使第一发光部130a的出光逐渐扩散，如图3所示，可减小或消除发光芯片100之间的亮暗线，形成均匀的面光源；发光结构用于LED直显时，与采用单侧显示LED芯片的发光结构相比，同一侧相邻两个发光部之间间距比更大，通过光学处理层205使第一发光部130a的出光逐渐扩散，可增大屏幕视角，取得更好的显示效果。

需要说明的是，光学处理层205可设置在第一发光部130a远离第一衬底基板110一侧，但不限于此，光学处理层205也可同时设置在第二发光部130b远离驱动基板200一侧，具体可视情况而定。光学处理层205可使第一发光部130a的出光逐渐扩散，但不限于此，也可通过光学处理层205使第一发光部130a的出光逐渐汇聚，如图4所示，从而减小或消除同一侧相邻两个发光部之间的光串扰。具体通过光学处理层205汇聚光学或扩散光线，可根据相邻发光芯片100之间距离以及发光部的出光角度等选择。

参见图2所示，驱动基板200还包括遮光层281和反射层282，第一薄膜晶体管201和第二薄膜晶体管202均位于第二衬底基板210一侧，遮光层281位于第一薄膜晶体管201和第二薄膜晶体管202远离第二衬底基板210一侧，反射层282位于遮光层281远离第二衬底基板210一侧。

具体的，驱动基板200还包括缓冲层290，缓冲层290位于源漏极层260远离刻蚀阻隔层250一侧，遮光层281和反射层282位于缓冲层290和平坦层270之间，遮光层281位于靠近第一衬底基板110一侧，反射层282位于靠近第二衬底基板210一侧。其中，至少遮光层281和反射层282具有过孔，光学处理层205位于过孔内。本实施例中，过孔贯穿缓冲层290、反射层282、遮光层281以及平坦层270。

驱动基板200还包括遮光层281和反射层282，第一薄膜晶体管201和第二薄膜晶体管202均位于第二衬底基板210一侧，遮光层281位于第一薄膜晶体管201和第二薄膜晶体管202远离第二衬底基板210一侧，反射层282位于遮光层281远离第二衬底基板210一侧，通过遮光层281和反射层282可反射和隔离发光芯片100两面的光，消除两侧光串扰。

需要说明的是，本实施例中发光结构还包括像素定义层300、薄膜绝缘层400、硅胶固定层500和无机薄膜封装层600，像素定义层300位于平坦层270远离第二衬底基板210一侧，像素定义层300开设绑定发光芯片100的凹槽，发光芯片100位于凹槽中，薄膜绝缘层400位于发光芯片100与平坦层270之间，用于连接发光芯片100和驱动基板200，以及使各第一绑定点150之间绝缘。硅胶固定层500位于凹槽侧壁以及发光芯片100之间，用于发光芯片100的连接与固定，无机薄膜封装层600位于像素定义层300、硅胶固定层500以及发光芯片100远离驱动基板200一侧，用于封装保护发光芯片100。

实施例三

参见图2和图5所示，本实施例中显示装置包括主板和发光结构10，发光结构10包括实施例二公开的发光结构10，主板与发光结构10的驱动基板200连接。也就是说，发光结构10用于LED直显。

本实施例中显示装置包括发光结构10，发光结构10包括发光芯片100，发光芯片100包括第一衬底基板110，以及设置在第一衬底基板110同一侧的第一发光部130a和第二发光部130b，第一发光部130a靠近第一衬底基板110的一侧设置有具有遮光性的第一电极121，第一发光部130a远离第一衬底基板110的一侧设置有至少部分透光的第三电极140a，第一发光部130a的光线经第三电极140a射出，第二发光部130b和第一发光部130a间隔设置，第二发光部130b与第一发光部130a之间设置有具有遮光性的第二电极122，第二发光部130b远离第一衬底基板110的一侧设置有具有遮光性的第四电极140b，第二发光部130b的光线经第一衬底基板110射出。本申请中，第一电极121遮挡第一发光部130a的光线，第四电极140b遮挡第二发光部130b的光线，第二电极122隔离第一发光部130a和第二发光部130b之间侧壁光，减小或消除了发光芯片100中两个发光部之间的光串扰，保证了显示装置的显示效果。

参见图5所示，发光结构10的至少一发光侧设置有光学调控件层20和位于光学调控件层20远离发光结构10一侧的液晶盒30。也就是说，可在发光结构10一侧设置光学调控件层20和液晶盒30，设置光学调控件层20和液晶盒30一侧，发光结构10作为背光模组，未设置光学调控件层20和液晶盒30一侧，发光结构10作为LED直显装置，但不限于此，也可在发光结构10两侧均设置光学调控件层20和液晶盒30，具体可视情况而定。液晶盒30为液晶显示面板(LCD)的液晶盒30。

发光结构10作为LED直显装置时，发光部的尺寸需要达到像素级，发光结构10制作成本高，在发光结构10的一侧设置光学调控件层20和液晶盒30，将发光结构10作为背光模组，可降低显示装置的制作难度。

术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“装配”、“连接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本说明书的描述中，参考术语“一些实施例”、“示例地”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，故但凡依本申请的权利要求和说明书所做的变化或修饰，皆应属于本申请专利涵盖的范围之内。

Claims (10)

1.一种发光芯片，包括第一衬底基板，以及设置在所述第一衬底基板同一侧的第一发光部和第二发光部，其特征在于，

所述第一发光部靠近所述第一衬底基板的一侧设置有具有遮光性的第一电极，远离所述第一衬底基板的一侧设置有至少部分透光的第三电极，所述第一发光部用于在所述第一电极和所述第三电极提供的电压下工作，所述第一发光部的光线经所述第三电极射出；

所述第二发光部和所述第一发光部间隔设置，且所述第二发光部与所述第一发光部之间设置有具有遮光性的第二电极，远离所述第一衬底基板的一侧设置有具有遮光性的第四电极，所述第二发光部用于在所述第二电极和所述第四电极提供的电压下工作，所述第二发光部的光线经所述第一衬底基板射出。

2.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述第二电极与所述第一电极同层设置且相连。

3.根据权利要求2所述的发光芯片，其特征在于，所述第一发光部和所述第二发光部均包括依次形成在所述第一衬底基板上的第一掺杂层、发光层和第二掺杂层；所述第一掺杂层和所述第二掺杂层中一者为N型掺杂层，另一者为P型掺杂层；其中，

所述第一发光部和所述第二发光部的第一掺杂层均与所述第二电极相接触。

4.根据权利要求3所述的发光芯片，其特征在于，

所述第二电极远离所述第一衬底基板的端面与所述发光层远离所述第一衬底基板的端面相平齐；或

所述第二电极远离所述第一衬底基板的端面高于所述发光层远离所述第一衬底基板的端面，且低于所述第二掺杂层远离所述第一衬底基板的端面；或

所述第二电极远离所述第一衬底基板的端面与所述第二掺杂层远离所述第一衬底基板的端面相平齐。

5.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，

所述第一电极在所述第一衬底基板上的正投影完全覆盖所述第一发光部在所述第一衬底基板上的正投影，且所述第四电极在所述第一衬底基板上的正投影完全覆盖所述第二发光部在所述第一衬底基板上的正投影；和/或

所述第一电极、所述第二电极和所述第四电极均具有反射性。

6.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，

所述第三电极包括透明导电层和金属导电层，所述金属导电层位于所述透明导电层远离所述第一衬底基板一侧的局部区域，所述第三电极的金属导电层与所述第四电极同层设置且相互间隔；

其中，所述金属导电层、所述第二电极、所述第四电极远离所述第一衬底基板的一侧均凸设有第一绑定点，各第一绑定点远离所述第一衬底基板的端面相平齐。

7.一种发光结构，包括驱动基板和多个如权利要求1～6中任一项所述的发光芯片，所述驱动基板具有多个驱动单元，所述驱动单元与所述发光芯片一一对应连接，其特征在于，

所述驱动单元包括相互独立的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和公共电极，所述第三电极与所述第一薄膜晶体管的源漏极中一者连接，所述第四电极与所述第二薄膜晶体管的源漏极中一者连接，所述第二电极与所述公共电极连接；

其中，所述第三电极的至少部分透光区与所述第一薄膜晶体管在所述驱动基板上的正投影不存在交叠。

8.根据权利要求7所述的发光结构，其特征在于，所述驱动基板具有光透过区，所述光透过区与所述第三电极的至少部分透光区相对设置；其中，

所述光透光区设置光学处理层，自所述第一发光部的出光方向上，所述光学处理层的折射率依次减小或依次增大；和/或

所述驱动基板还包括遮光反射区，所述遮光反射区围绕所述光透光区设置。

9.一种显示装置，其特征在于，包括：

主板；

如权利要求7～8任意一项所述的发光结构，所述主板与所述发光结构的驱动基板连接。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述发光结构的至少一发光侧设置有光学调控件层和位于所述光学调控件层远离所述发光结构一侧的液晶盒。

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