CN112259650B - 发光二极管外延片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。p型GaN层上具有多个间隔分布的空穴注入槽，且每个空穴注入槽与填满空穴注入槽的GaN空穴注入结构均由p型GaN层延伸至多量子阱层。GaN空穴注入结构可到通道的作用，GaN空穴注入结构越过AlGaN电子阻挡层，将p型GaN层中的空穴直接引导至多量子阱层中。空穴通过GaN空穴注入结构进入多量子阱层时受到阻力，相对穿过AlGaN电子阻挡层进入多量子阱层中的阻力较小。因此更多的空穴可以通过GaN空穴注入结构进入多量子阱层中与电子复合发光。进入多量子阱层中的空穴数量增多，最终得到的发光二极管的发光效率也会提高。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管制作领域，特别涉及发光二极管外延片及其制备方法。
背景技术
发光二极管是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等，提高芯片发光效率是发光二极管不断追求的目标。
相关技术中，发光二极管的外延片通常包括衬底及在衬底上依次生长的n 型GaN层、多量子阱层、AlGaN电子阻挡层及p型GaN层。多量子阱层与p 型GaN层之间的AlGaN电子阻挡层可以起到阻挡多量子阱层中的电子溢流的作用，但同时AlGaN电子阻挡层也会对从p型GaN层中的空穴进入多量子阱层，使得原本迁移能力就低于电子的空穴更难以进入所量子阱层中。进入多量子阱层中空穴的数量相对电子少很多，可以在多量子阱层中与电子复合的空穴较少，最终得到的发光二极管的发光效率仍不够高。
发明内容
本发明实施例提供了发光二极管外延片及其制备方法，能够提高进入多量子阱层中的空穴的数量以最终提高发光二极管的发光效率。所述技术方案如下：
本发明实施例提供了一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型GaN层、多量子阱层、AlGaN电子阻挡层与p型GaN层，
所述p型GaN层上具有多个间隔分布的空穴注入槽，每个所述空穴注入槽均由所述p型GaN层延伸至所述多量子阱层，所述发光二极管外延片还包括多个GaN空穴注入结构，多个所述GaN空穴注入结构一一对应分布在多个所述空穴注入槽内且充满所述空穴注入槽。
可选地，每个所述空穴注入槽的横截面由靠近所述p型GaN层的一端至靠近所述n型GaN层的一端逐渐减小。
可选地，每个所述空穴注入槽靠近所述n型GaN层的一端，均延伸至所述多量子阱层中最靠近所述p型GaN层的量子阱中。
可选地，所述空穴注入槽的孔径为400nm～600nm。
可选地，多个所述空穴注入槽均匀分布在所述发光二极管外延片上，且相邻的两个所述空穴注入槽之间的最小距离为1000nm～2000nm。
可选地，所述发光二极管外延片还包括p型GaN填平层，所述p型GaN填平层层叠在所述p型GaN层与多个所述GaN空穴注入结构上。
可选地，所述p型GaN填平层的厚度为20～50nm。
可选地，每个所述GaN空穴注入结构靠近所述p型GaN层的一端的端面为凸起的圆锥面。
本公开实施例提供了一种发光二极管外延片的制备方法，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长n型GaN层、多量子阱层、p型GaN层；
在所述n型GaN层上交替生长多个InGaN阱层与GaN垒层以形成多量子阱层；
在所述p型GaN层形成多个空穴注入槽，每个所述空穴注入槽均由所述p 型GaN层延伸至所述多量子阱层；
在每个所述空穴注入槽内生长一个GaN空穴注入结构。
可选地，在所述p型GaN层形成多个空穴注入槽，每个所述空穴注入槽均由所述p型GaN层延伸至所述多量子阱层，包括：
在所述p型GaN层的表面上旋涂SiO2层；
使用光刻工艺在所述p型GaN层上形成多个间隔分布的空穴注入槽，且每个所述空穴注入槽均延伸至所述多量子阱层；
在每个所述空穴注入槽内生长所述GaN空穴注入结构；
去除所述SiO2层。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在衬底上的n型GaN层、多量子阱层、AlGaN电子阻挡层与p型GaN层，能够实现发光二极管的正常发光功能。 p型GaN层上具有多个间隔分布的空穴注入槽，且每个空穴注入槽与填满空穴注入槽的GaN空穴注入结构均由p型GaN层延伸至多量子阱层。GaN空穴注入结构可到通道的作用，GaN空穴注入结构越过AlGaN电子阻挡层，将p型GaN 层中的空穴直接引导至多量子阱层中。空穴通过GaN空穴注入结构进入多量子阱层时受到阻力，相对穿过AlGaN电子阻挡层进入多量子阱层中的阻力较小。因此更多的空穴可以通过GaN空穴注入结构进入多量子阱层中与电子复合发光。进入多量子阱层中的空穴数量增多，最终得到的发光二极管的发光效率也会提高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的一种发光二极管外延片的结构示意图；
图2是本公开实施例提供的发光二极管外延片的俯视图；
图3是本公开实施例提供的另一种发光二极管外延片的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的制备方法流程图；
图5是本发明实施例提供的另一种发光二极管外延片的制备方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本公开实施例提供的一种发光二极管外延片的结构示意图，参考图1 可知，本公开实施例提供了一种发光二极管外延片，发光二极管外延片包括衬底1及依次层叠在衬底1上的n型GaN层2、多量子阱层3、AlGaN电子阻挡层4与p型GaN层5。
p型GaN层5上具有多个间隔分布的空穴注入槽6，每个空穴注入槽6均由 p型GaN层5延伸至多量子阱层3，发光二极管外延片还包括多个GaN空穴注入结构7，多个GaN空穴注入结构7一一对应分布在多个空穴注入槽6内且充满空穴注入槽6。
发光二极管外延片包括衬底1及依次层叠在衬底1上的n型GaN层2、多量子阱层3、AlGaN电子阻挡层4与p型GaN层5，能够实现发光二极管的正常发光功能。p型GaN层5上具有多个间隔分布的空穴注入槽6，且每个空穴注入槽6与填满空穴注入槽6的GaN空穴注入结构7均由p型GaN层5延伸至多量子阱层3。GaN空穴注入结构7可到通道的作用，GaN空穴注入结构7越过 AlGaN电子阻挡层4，将p型GaN层5中的空穴直接引导至多量子阱层3中。空穴通过GaN空穴注入结构7进入多量子阱层3时受到阻力，相对穿过AlGaN 电子阻挡层4进入多量子阱层3中的阻力较小。因此更多的空穴可以通过GaN 空穴注入结构7进入多量子阱层3中与电子复合发光。进入多量子阱层3中的空穴数量增多，最终得到的发光二极管的发光效率也会提高。
需要说明的是，GaN空穴注入结构7可为p型掺杂的GaN材料。GaN空穴注入结构7本身也可作为空穴的提供体。
在本公开所提供的其他实现方式中，GaN空穴注入结构7也可为未掺杂的 GaN材料，本公开对此不做限制。
参考图1可知，发光二极管外延片还可包括p型GaN填平层8，p型GaN 填平层8层叠在p型GaN层5与多个GaN空穴注入结构7上。
p型GaN填平层8可以覆盖GaN空穴注入结构7靠近p型层的一端，p型 GaN填平层8提供的空穴还可以从GaN空穴注入结构7靠近p型层的一端直接进入GaN空穴注入结构7内，空穴可以从GaN空穴注入结构7的端部及GaN 空穴注入结构7的周壁进入GaN空穴注入结构7，可以通过GaN空穴注入结构 7进入多量子阱层3的空穴数量更多，可以进一步提高最终得到的发光二极管的发光效率。
可选地，p型GaN填平层8的厚度可为20～50nm。
p型GaN填平层8的厚度在以上范围内时，可以稳定提供空穴，并不会过多地增加发光二极管外延片的制备成本。
示例性地，在存在p型GaN填平层8的前提下，p型GaN的厚度可为70～100nm。
参考图1可知，每个空穴注入槽6靠近n型GaN层2的一端，均可延伸至多量子阱层3中最靠近p型GaN层5的量子阱中。
空穴注入槽6采用这种结构，填满空穴注入槽6的GaN空穴注入结构7也会延伸至最靠近p型GaN层5的量子阱中，空穴可以进入多量子阱层3的量子阱中，便于空穴直接与电子复合。空穴注入槽6不会对多量子阱层3本身造成过多的破坏与影响。并且采用以上结构，空穴可以更容易进入多量子阱层3中，而多量子阱层3较为靠近n型GaN层2的一部分结构还可起到阻挡电子的作用，为空穴留出更多的注入时间。
示例性地，空穴注入槽6可呈圆台形。
便于制备，空穴注入槽6内的GaN空穴注入结构7也容易制备形成。
在本公开所提供的其他实现方式中，空穴注入槽6也可为圆柱状、多棱柱状或梯形状，本公开对此不做限制。
可选地，每个空穴注入槽6的横截面可由靠近p型GaN层5的一端至靠近 n型GaN层2的一端逐渐减小。
空穴注入槽6的横截面由靠近p型GaN层5的一端至靠近n型GaN层2的一端逐渐减小，GaN空穴注入结构7的横截面也由靠近p型GaN层5的一端至靠近n型GaN层2的一端逐渐减小，便于空穴进入多量子阱层3中，而减小可能有电子从多量子阱层3内进入GaN空穴注入结构7的可能，保证空穴稳定注入多量子阱层3中。
需要说明的是，发光二极管通电时，电子与空穴的移动均需要迁移时间，空穴可以从GaN空穴注入结构7直接进入多量子阱层3中，而此时多量子阱层 3本身会对电子进行阻挡，因此此时不会有大量电子通过GaN空穴注入结构7， GaN空穴注入结构7主要是作为空穴的流动通道。
可选地，每个GaN空穴注入结构7靠近p型GaN层5的一端的端面可为凸起的圆锥面。
在具有p型GaN填平层8的前提下，将GaN空穴注入结构7靠近p型GaN 层5的一端的端面控制为凸起的圆锥面，GaN空穴注入结构7与p型GaN层5 直接的接触面会更大，便于更多的空穴进入GaN空穴注入结构7内。
图2是本公开实施例提供的发光二极管外延片的俯视图，参考图2可知，空穴注入槽6的孔径d可为400nm～600nm。
空穴注入槽6的孔径d在此范围内时，可以实现空穴的稳定注入，而对多量子阱层3的结构不产生过大影响。
需要说明的是，空穴注入槽6的两端的孔径均可位于400nm～600nm的范围内。
可选地，多个空穴注入槽6可均匀分布在发光二极管外延片上，且相邻的两个空穴注入槽6之间的最小距离L为1000nm～2000nm。
相邻的两个空穴注入槽6之间的最小距离L为1000nm～2000nm，可以使得通过空穴注入槽6内的GaN空穴注入结构7进入多量子阱层3中的空穴数量最大化，同时又不会过多地提升成本。
需要说明的是，图2中为便于观察GaN空穴注入结构7，省略了p型GaN 填平层8的结构。
图3是本公开实施例提供的另一种发光二极管外延片的结构示意图，参考图3可知，在本公开提供的另一种实现方式中，发光二极管外延片可包括衬底1 及生长在衬底1上的缓冲层9、非掺杂GaN层10、n型GaN层2、多量子阱层 3、p型AlGaN层11、AlGaN电子阻挡层4、p型GaN层5、p型GaN填平层8 及p型接触层12。
需要说明的是，图3中所示的GaN空穴注入结构7与图1中所示的GaN空穴注入结构7的结构相同，此处不再赘述。
可选地，衬底1可为蓝宝石衬底1。易于制作与获取。
示例性地，缓冲层9可为AlN缓冲层9。能够保证在低温缓冲层9上生长的外延薄膜的晶体质量。
可选地，缓冲层9的厚度可为10～30nm。能够减小n型GaN层2与衬底1 之间的晶格失配，保证外延层的生长质量。
示例性地，非掺杂GaN层10的厚度可为1～3.5μm。此时得到的发光二极管外延片的质量较好。
在本公开提供的一种实现方式中，非掺杂GaN层10的厚度还可为1μm。本公开对此不做限制。
可选地，n型GaN层2可为n型GaN层2，n型GaN层2的掺杂元素可为 Si，且Si元素的掺杂浓度可为1×1018～1×1019cm-3。n型GaN层2整体的质量较好。
示例性地，n型GaN层2的厚度可为2～3μm。得到的n型GaN层2整体的质量较好。
在本公开提供的一种实现方式中，n型GaN层2的厚度可为2μm。本公开对此不做限制。
示例性地，多量子阱层3包括多个交替层叠的InGaN阱层及GaN垒层， InGaN阱层的厚度可为2～3nm，GaN垒层的厚度可为9～20nm。
InGaN阱层的层数与GaN垒层的层数均可为5～11。得到的多量子阱层3的结构较好。
示例性地，发光二极管外延片还可包括设置在多量子阱层3与AlGaN电子阻挡层4之间的p型AlGaN层11，空穴注入槽6与GaN空穴注入结构7均穿过p型AlGaN层11。
p型AlGaN层11也可以作为空穴的提供载体，进一步保证进入多量子阱层 3的空穴数量，同时还可以起到一定的阻挡电子的作用。
可选地，p型AlGaN层11的厚度可为20～100nm，掺杂的Mg元素的浓度可为5×1019～1×1021cm-3。
能够提供足够的空穴，并保证发光二极管外延片整体的成本不会过高。
可选地，AlGaN电子阻挡层4中Al组分可为0.15～0.25。阻挡电子的效果较好。
可选地，p型GaN层5可掺Mg，p型GaN层5的厚度可与图1中所示结构相同，此处不再赘述。
示例性地，p型接触层的厚度可为15nm。
需要说明的是，图3中所示的外延片结构相对图1中所示的外延片结构，在缓冲层9与n型GaN层2之间增加了缓解晶格失配的缓冲层9与非掺杂GaN 层10，并在p型GaN层5上还生长有p型接触层。得到的外延片的质量及发光效率会更好。
图4是本公开实施例提供的一种发光二极管外延片的制备方法流程图，如图4所示，该发光二极管外延片制备方法包括：
S101：提供一衬底。
S102：在衬底上依次生长n型GaN层、多量子阱层、p型GaN层。
S103：在n型GaN层上交替生长多个InGaN阱层与GaN垒层以形成多量子阱层。
S104：在p型GaN层形成多个空穴注入槽，每个空穴注入槽均由p型GaN 层延伸至多量子阱层，在每个空穴注入槽内生长一个GaN空穴注入结构。
发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在衬底上的n型GaN层、多量子阱层、AlGaN电子阻挡层与p型GaN层，能够实现发光二极管的正常发光功能。 p型GaN层上具有多个间隔分布的空穴注入槽，且每个空穴注入槽与填满空穴注入槽的GaN空穴注入结构均由p型GaN层延伸至多量子阱层。GaN空穴注入结构可到通道的作用，GaN空穴注入结构越过AlGaN电子阻挡层，将p型GaN 层中的空穴直接引导至多量子阱层中。空穴通过GaN空穴注入结构进入多量子阱层时受到阻力，相对穿过AlGaN电子阻挡层进入多量子阱层中的阻力较小。因此更多的空穴可以通过GaN空穴注入结构进入多量子阱层中与电子复合发光。进入多量子阱层中的空穴数量增多，最终得到的发光二极管的发光效率也会提高。
可选地，步骤S104，包括：
在p型GaN层的表面上旋涂SiO2层；使用光刻工艺在p型GaN层上形成多个间隔分布的空穴注入槽，且每个空穴注入槽均延伸至多量子阱层。
SiO2层可以对p型GaN层不需要刻蚀的地方形成保护，保证多个空穴注入槽的稳定形成。
可选地，在p型GaN层的表面上旋涂的SiO2层的厚度可为200～500nm。可以合理保护p型GaN层的同时，不造成过多材料浪费。
示例性地，使用光刻工艺在p型GaN层上形成多个间隔分布的空穴注入槽，可包括：
在SiO2层的表面旋涂光刻胶；对光刻胶进行曝光处理；去除曝光软化的光刻胶；在没有光刻胶覆盖的SiO2层与p型GaN层的位置刻蚀出空穴注入槽。
可选地，光刻胶厚度可为1000～3000nm。
步骤S104可包括：在温度为850～1000℃且压力为100～300torr的前提下，在每个空穴注入槽内生长GaN空穴注入结构。得到的GaN空穴注入结构的质量较好。
步骤S104还可包括：得到空穴注入槽之后，使用清洗液去除SiO2层。完成发光二极管外延片的制备。
执行完步骤S104之后的发光二极管的外延片结构可参考图1。
图5是本公开实施例提供的另一种发光二极管外延片的制备方法流程图，如图5所示，该发光二极管外延片制备方法包括：
S201：提供一衬底。
其中，衬底可为蓝宝石衬底。易于实现与制作。
可选地，步骤S201还可包括：在氢气气氛下，处理衬底用于生长外延层的表面5～6min。
示例性地，处理衬底用于生长外延层的表面时，反应腔的温度可为 1000～1100℃，反应腔的压力可为200～500torr。
S202：在衬底上生长缓冲层。
缓冲层可为AlN缓冲层。AlN层可通过磁控溅射得到。
示例性地，AlN层的沉积温度可为400～800℃，溅射功率可为3000～5000W，压力可为2～20mtorr。得到的AlN层的质量较好。
S203：在缓冲层上生长非掺杂GaN层。
非掺杂GaN层的厚度可为0.5～3um。
示例性地，非掺杂GaN层的生长温度可为1000～1100℃，生长压力控制在 100～300torr。得到的非掺杂GaN层的质量较好。
S204：在非掺杂GaN层上生长n型GaN层。
可选地，n型GaN层可为n型GaN层，n型GaN层的生长温度可为 1000～1100℃，n型GaN层的生长压力可为100～300Torr。
可选地，n型GaN层的厚度可为0.5～3um。
S205：在n型GaN层上生长多量子阱层。
多量子阱层包括交替层叠的InGaN阱层与GaN垒层，InGaN阱层的厚度可为2～3nm，GaN垒层的厚度可为9～20nm。
可选地，多量子阱层中，InGaN阱层的生长温度与InGaN阱层的生长温度均可为700～830℃，GaN垒层的生长温度、GaN垒层的生长温度及第三GaN垒层的生长温度均可为800～960℃。在此条件下生长得到的多量子阱层的质量较好，能够保证发光二极管的发光效率。
需要说明的是，步骤S205中多量子阱层的生长条件、生长方式及结构，与图4的步骤S103中多量子阱层的生长条件、生长方式及结构相同。此处不再赘述。
S206：在多量子阱层上生长p型AlGaN层。
p型AlGaN层的生长温度可为600～800℃，生长压力可为200～500Torr。
S207：在p型AlGaN层上生长AlGaN电子阻挡层。
AlGaN电子阻挡层的生长温度可为800～1000℃，AlGaN电子阻挡层的生长压力可为100～300Torr。在此条件下生长得到的AlGaN电子阻挡层的质量较好，有利于提高发光二极管的发光效率。
S208：在电子阻挡层上生长p型GaN层。
可选地，p型GaN层的生长压力可为200～600Torr，p型GaN层的生长温度可为800～1000℃。
S209：在p型GaN层形成多个空穴注入槽，每个空穴注入槽均由p型GaN 层延伸至多量子阱层，在每个空穴注入槽内生长一个GaN空穴注入结构。
步骤S208的实现方式可参考图4中步骤S104的实现方式，此处不再赘述。
S210：在p型GaN层上生长覆盖p型GaN层与GaN空穴注入结构的p型 GaN填平层。
可选地，p型GaN填平层的生长压力可为200～600Torr，p型GaN填平层的生长温度可为800～1000℃。得到的p型GaN填平层的质量较好。
S211：在p型GaN填平层上生长p型接触层。
可选地，p型接触层的生长压力可为100～300Torr，p型接触层的生长温度可为800～1000℃。
需要说明的是，图5中所示的发光二极管外延片的制备方法，相对图4中所示的发光二极管的制备方法，提供了一种更为详细的发光二极管外延片的生长方式。
执行完步骤S211后的发光二极管外延片的结构可参见图3。
需要说明的是，在本公开实施例中，采用VeecoK465iorC4orRBMOCVD (MetalOrganicChemicalVaporDeposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备实现发光二极管的生长方法。采用高纯H2(氢气)或高纯N2(氮气)或高纯 H2和高纯N2的混合气体作为载气，高纯NH3作为N源，三甲基镓(TMGa)及三乙基镓(TEGa)作为镓源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，硅烷(SiH4)作为 N型掺杂剂，三甲基铝(TMAl)作为铝源，二茂镁(CP2Mg)作为P型掺杂剂。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型GaN层、多量子阱层、AlGaN电子阻挡层与p型GaN层，其特征在于，
所述p型GaN层上具有多个间隔分布的空穴注入槽，每个所述空穴注入槽均由所述p型GaN层延伸至所述多量子阱层，所述发光二极管外延片还包括多个GaN空穴注入结构，多个所述GaN空穴注入结构一一对应分布在多个所述空穴注入槽内且充满所述空穴注入槽，所述GaN空穴注入结构为未掺杂的GaN材料，每个所述GaN空穴注入结构靠近所述p型GaN层的一端的端面为凸起的圆锥面，所述p型GaN的厚度可为70～100nm，
所述发光二极管外延片还包括p型GaN填平层，所述p型GaN填平层层叠在所述p型GaN层与多个所述GaN空穴注入结构上，所述p型GaN填平层的厚度为20～50nm。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，每个所述空穴注入槽的横截面由靠近所述p型GaN层的一端至靠近所述n型GaN层的一端逐渐减小。
3.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，每个所述空穴注入槽靠近所述n型GaN层的一端，均延伸至所述多量子阱层中最靠近所述p型GaN层的量子阱中。
4.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述空穴注入槽的孔径为400nm～600nm。
5.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，多个所述空穴注入槽均匀分布在所述发光二极管外延片上，且相邻的两个所述空穴注入槽之间的最小距离为1000nm～2000nm。
6.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长n型GaN层、多量子阱层、p型GaN层；
在所述n型GaN层上交替生长多个InGaN阱层与GaN垒层以形成多量子阱层；
在所述p型GaN层形成多个空穴注入槽，每个所述空穴注入槽均由所述p型GaN层延伸至所述多量子阱层，在每个所述空穴注入槽内生长一个GaN空穴注入结构，所述GaN空穴注入结构为未掺杂的GaN材料，每个所述GaN空穴注入结构靠近所述p型GaN层的一端的端面为凸起的圆锥面，所述p型GaN的厚度可为70～100nm，
所述发光二极管外延片还包括p型GaN填平层，所述p型GaN填平层层叠在所述p型GaN层与多个所述GaN空穴注入结构上，所述p型GaN填平层的厚度为20～50nm。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述p型GaN层形成多个空穴注入槽，每个所述空穴注入槽均由所述p型GaN层延伸至所述多量子阱层，包括：
在所述p型GaN层的表面上旋涂SiO2层；
使用光刻工艺在所述p型GaN层上形成多个间隔分布的空穴注入槽，且每个所述空穴注入槽均延伸至所述多量子阱层；
在每个所述空穴注入槽内生长所述GaN空穴注入结构；
去除所述SiO2层。
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