CN112216706A - 驱动背板及发光基板 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 102
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 241001465382 Physalis alkekengi Species 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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Abstract
本申请提供一种驱动背板及发光基板，该驱动背板用于驱动外置的LED灯发光，驱动背板包括基底、多个驱动薄膜晶体管、多条第一漏极走线以及多条第二漏极走线；每一驱动薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极；第一漏极走线设置在基底上，第一漏极走线的接入端与对应的驱动薄膜晶体管的漏极电性连接；第二漏极走线设置在基底上，且与第一漏极走线异层设置，第二漏极走线的接入端电连接于对应的第一漏极走线的输出端，第二漏极走线的输出端电连接于对应的外置的LED灯，第二漏极走线于基底所在平面的正投影与第一漏极走线于基底所在平面的正投影至少部分重叠。本申请提高了驱动背板的驱动性能。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种驱动背板及发光基板。
背景技术
Mini LED(Mini Light Emitting Diode,迷你发光二极管)背光模组因其高亮度、超窄边框、异形以及能够实现局部分区设计等优点而受到越来越多的关注。
目前，通常采用主动式驱动的方式来驱动MiniLED发光，也即，通过在基板上设计驱动器件如薄膜晶体管来驱动MiniLED发光，以减少驱动芯片的使用数量，降低驱动成本。
在现有技术的MiniLED驱动背板中，在驱动电流经薄膜晶体管传输至外置的MiniLED灯的过程中，由于电连接薄膜晶体管输出端与外置的MiniLED灯之间的漏极走线本身存在较大阻抗，导致漏极走线上通过的驱动电流较低，从而使得传输至MiniLED灯上的驱动电流降低，进而降低了MiniLED驱动背板的驱动性能。
发明内容
本申请提供一种驱动背板及发光基板，以解决现有技术的MiniLED驱动背板中漏极走线上通过的驱动电流较低的技术问题。
本申请提供一种驱动背板，其用于驱动外置的LED灯发光，所述驱动背板包括：
基底；
多个驱动薄膜晶体管，每一所述驱动薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极；
多条第一漏极走线，所述第一漏极走线设置在所述基底上，所述第一漏极走线的接入端与对应的所述驱动薄膜晶体管的所述漏极电性连接；以及
多条第二漏极走线，所述第二漏极走线设置在所述基底上，且与所述第一漏极走线异层设置，所述第二漏极走线的接入端电连接于对应的所述第一漏极走线的输出端，所述第二漏极走线的输出端电连接于对应的所述外置的LED灯，所述第二漏极走线于所述基底所在平面的正投影与所述第一漏极走线于所述基底所在平面的正投影至少部分重叠。
在本申请所述的驱动背板中，所述驱动背板包括依次设置于所述基底上的有源层、栅极绝缘层、栅极金属层、介电绝缘层、第一金属结构层、第一平坦化层和第二金属结构层；
所述第一金属结构层包括所述第一漏极走线，所述第二金属结构层包括所述第二漏极走线，所述第一平坦化层上开设有第一通孔，所述第二漏极走线通过所述第一通孔与对应的所述第一漏极走线电性连接。
在本申请所述的驱动背板中，所述驱动背板还包括钝化层，所述钝化层设置于所述第一平坦化层与所述第二金属结构层之间；
所述钝化层对应于所述第一通孔的部分上开设有第二通孔，所述第二通孔连通于所述第一通孔，所述第二漏极走线依次通过所述第二通孔和所述第一通孔与所述第一漏极走线电性连接。
在本申请所述的驱动背板中，所述驱动背板还包括：
多个绑定垫，所述绑定垫与所述第二漏极走线同层设置，且与对应的所述第二漏极走线相连，所述绑定垫用于与对应的所述外置的LED灯绑定连接；以及
第二平坦化层，所述第二平坦化层设置在所述第二金属结构层远离所述第一平坦化层的一侧上，所述第二平坦化层上开设有第一开口，所述第一开口裸露出所述绑定垫。
在本申请所述的驱动背板中，所述绑定垫位于所述第二漏极走线远离对应的所述驱动薄膜晶体管的所述漏极的一端，且所述绑定垫于所述基底所在平面的正投影位于所述第一漏极走线于所述基底所在平面的正投影的外侧。
在本申请所述的驱动背板中，所述驱动背板还包括保护层，所述保护层设置于所述第二平坦化层上；
所述保护层对应于所述第一开口的部分上设置有第二开口，所述第二开口连通于所述第一开口。
在本申请所述的驱动背板中，所述第一开口的内壁上设置有光反射层。
在本申请所述的驱动背板中，所述驱动背板还包括多条第一源极走线，所述第一源极走线设置在所述基底上，所述第一源极走线的输出端与对应的所述驱动薄膜晶体管的所述源极电性连接。
在本申请所述的驱动背板中，所述驱动背板还包括多条第二源极走线，所述第二源极走线设置在所述基底上，并与所述第一源极走线异层设置，所述第二源极走线的接入端电连接于对应的数据线，所述第二源极走线的输出端电连接于对应的所述第一源极走线的接入端，所述第二源极走线于所述基底所在平面的正投影与所述第一源极走线于所述基底所在平面的正投影至少部分重叠。
本申请还提供一种发光基板，其包括上述任一项所述的驱动背板。
相较于现有技术中的驱动背板，本申请提供的驱动背板在基底上设置第一漏极走线和对应于第一漏极走线的第二漏极走线，第一漏极走线和第二漏极走线异层设置且电性连接，第一漏极走线于基底所在平面的正投影与第二漏极走线于基底所在平面的正投影至少部分重叠。由此，本申请通过并联设置的第一漏极走线和第二漏极走线来传输驱动电流，以驱动外置的LED灯发光。相较于一条漏极走线，两条漏极走线的并联设置可以降低漏极走线整体的阻抗，从而增大了漏极走线上通过的驱动电流，使得传输至外置的LED灯上的驱动电流增大，从而有利于提高外置的LED灯的发光亮度，进而提升了驱动背板的驱动性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请第一实施例提供的驱动背板的等效电路示意图；
图2为本申请第一实施例提供的驱动背板的结构示意图；
图3为本申请第二实施例提供的驱动背板的结构示意图；
图4为本申请第三实施例提供的驱动背板的等效电路示意图；
图5为本申请第三实施例提供的驱动背板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参阅图1和图2，其中，图1为本申请第一实施例提供的驱动背板的等效电路示意图；图2为本申请第一实施例提供的驱动背板的结构示意图。
本申请第一实施例提供一种驱动背板100，其用于驱动外置的LED灯发光。驱动背板100包括基底10和设置在基底10上的多个驱动薄膜晶体管11、多条第一源极走线12、多条第一漏极走线13、多条第二漏极走线14、多条数据线15以及多条扫描线16。
其中，多条数据线15和多条扫描线16交叉设置，以形成阵列排布的多个驱动薄膜晶体管11。
每一驱动薄膜晶体管11包括栅极11a、源极11b和漏极11c。栅极11a电连接于对应的扫描线16，并用于控制驱动薄膜晶体管11的打开与关闭。第一源极走线12的接入端电连接于对应的数据线15。第一源极走线12的输出端与对应的驱动薄膜晶体管11的源极11b电性连接。第一漏极走线13的接入端与对应的驱动薄膜晶体管11的漏极11c电性连接。第二漏极走线14与第一漏极走线13异层设置。第二漏极走线14的接入端电连接于对应的第一漏极走线13的输出端。第二漏极走线14的输出端电连接于对应的外置的LED灯。第二漏极走线14于基底10所在平面的正投影与第一漏极走线13于基底10所在平面的正投影至少部分重叠。
由此，本申请第一实施例提供的驱动背板100在基底10上设置第一漏极走线13和对应于第一漏极走线13的第二漏极走线14，第一漏极走线13和第二漏极走线14异层设置且电性连接，第一漏极走线13于基底10所在平面的正投影与第二漏极走线14于基底10所在平面的正投影至少部分重叠。因而，本申请第一实施例通过并联设置的第一漏极走线13和第二漏极走线14来传输驱动电流，以驱动外置的LED灯发光。相较于一条漏极走线，两条漏极走线的并联设置可以降低漏极走线整体的阻抗，从而增大了漏极走线上通过的驱动电流，使得传输至外置的LED灯上的驱动电流增大，从而有利于提高外置的LED灯的发光亮度，进而提升了驱动背板的驱动性能。
需要说明的是，本申请中外置的LED灯可以由一个晶体管驱动，也可以由多个晶体管驱动，如可以由三个、五个或七个薄膜晶体管驱动。具体的，当外置的LED灯由一个薄膜晶体管驱动时，薄膜晶体管单独控制每颗LED灯的亮、灭；当外置的LED灯由三个薄膜晶体管驱动时，驱动背板中的驱动电路架构为3T1C；当外置的LED灯由五个薄膜晶体管驱动时，驱动背板中的驱动电路架构为5T1C；当外置的LED灯由七个薄膜晶体管驱动时，驱动背板中的驱动电路架构为7T1C。本申请以下实施例仅以外置的LED灯由一个晶体管驱动为例进行说明，但并不限于此。
另外，本申请中所述的外置的LED灯可以为Mini LED灯，也可以为Micro LED灯，本申请以下实施例仅以外置的LED灯为Mini LED灯为例进行说明，但并不能理解为对本申请的限制。
在本申请第一实施例中，驱动背板100包括依次设置于基底10上的缓冲层101、有源层102、栅极绝缘层103、栅极金属层104、介电绝缘层105、第一金属结构层106、第一平坦化层107、钝化层108、第二金属结构层109、第二平坦化层110和保护层111。
其中，基底10可以为玻璃基板或可挠式基板。栅极金属层104包括栅极11a。
在本申请第一实施例中，第一金属结构层106包括第一源极走线12、源极11b、漏极11c以及第一漏极走线13。具体地，源极11b和对应的第一源极走线12一体成型。漏极11c和对应的第一漏极走线13一体成型。
需要说明的是，本申请第一实施例中第一金属结构层106为三层金属层的叠层结构，如可以为Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo、Ti/Cu/Ti、Mo/Cu/Mo、Ti/Ag/Ti或Mo/Ag/Mo中的一种。在一些实施例中，第一金属结构层106也可以为单层或双层结构，本申请对第一金属结构层106的膜层结构及材料均不作具体限定。
第一平坦化层107上开设有第一通孔107A。钝化层108对应于第一通孔107A的部分上开设有第二通孔108A。第二通孔108A连通于第一通孔107A。
其中，钝化层108的设置可以提高第一平坦化层107与后续膜层之间的附着力，以提高显示面板的产品良率。具体的，钝化层108的材料可以为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的一种或多种的组合。
在本申请第一实施例中，第一平坦化层107的厚度介于2000纳米～3000纳米之间。钝化层108的厚度介于100纳米～300纳米之间。在上述厚度范围内，在保证第一漏极走线13和第二漏极走线14并联形成的导线的阻抗降低的同时，可以减小第一漏极走线13和第二漏极走线14之间因交叠而产生的寄生电容。
在本申请第一实施例中，第二金属结构层109包括第二漏极走线14。第二漏极走线14依次通过第二通孔108A和第一通孔107A与对应的第一漏极走线13电性连接。
其中，第二金属结构层109为两层金属层的叠层结构，如可以为Ti/Al、Mo/Al、Ti/Cu、Mo/Cu、Ti/Ag或Mo/Ag中的一种。在本申请第一实施例中，第二金属结构层109为Ti/Al的叠层结构。
在一些实施例中，第二金属结构层109也可以为单层或多层结构，本申请对第二金属结构层109的膜层结构及材料均不作具体限定。
第二平坦化层110上开设有第一开口110A。其中，第二平坦化层110的厚度介于1000纳米～2000纳米之间，第二平坦化层110的材料可以为树脂等有机材料。
保护层111对应于第一开口110A的部分上设置有第二开口111A。第二开口111A连通于第一开口110A。其中，保护层111的厚度介于100纳米～300纳米之间，保护层111的材料可以为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种或几种的组合。
由于第二平坦化层110的材料为有机材料，因此，本申请第一实施例通过在第二平坦化层110上设置保护层111，可以降低外界水氧透过第二平坦化层110进入到第二金属结构层109中的几率，从而降低了第二漏极走线14中金属材料的腐蚀及氧化风险，有利于提高第二漏极走线14的导电性能。
在本申请第一实施例中，驱动背板100还包括多个绑定垫17。绑定垫17与第二漏极走线14同层设置，且与对应的第二漏极走线14相连。第一开口110A裸露出绑定垫17，以使绑定垫17与对应的外置的LED灯绑定连接。
其中，绑定垫17与第二漏极走线14一体成型。该设置可以简化工艺制程，有利于节约工艺成本。另外，由于本实施例中的第二金属结构层109为Ti/Al的叠层结构，且第二漏极走线14设置在第二金属结构层109中，因此，绑定垫17最外侧金属层的材料也为Al，由于Al具有良好的导电性能且价格便宜，故本实施例在保证绑定垫17具有良好导电性能的同时，还可以降低工艺成本。
进一步的，在本申请第一实施例中，绑定垫17位于第二漏极走线14远离对应的驱动薄膜晶体管11的漏极11c的一端，且绑定垫17于基底10所在平面的正投影位于第一漏极走线13于基底10所在平面的正投影的外侧。
可以理解的是，第一漏极走线13和第二漏极走线14在垂直于基底10所在平面上的重叠面积越大，两者并联形成的导线的阻抗越低，通过该导线上的电流也就越大，相应地，与其电连接的外置的LED灯的发光亮度就越高。
因此，上述设置通过将绑定垫17设置在第一漏极走线13的外侧，在保证第一漏极走线13和第二漏极走线14之间形成的导线的阻抗较低的同时，可以增大绑定垫17的占用空间，使得绑定垫17与外置的LED灯具有足够大的接触面积，进而能够提高两者之间的电连接稳定性，以进一步提升驱动背板的驱动性能。
本申请第一实施例提供的驱动背板100在基底10上设置第一漏极走线13和对应于第一漏极走线13的第二漏极走线14，第一漏极走线13和第二漏极走线14异层设置且电性连接，第一漏极走线13于基底10所在平面的正投影与第二漏极走线14于基底10所在平面的正投影至少部分重叠。由此，本申请第一实施例通过并联设置的第一漏极走线13和第二漏极走线14来传输驱动电流，以驱动外置的LED灯发光，相较于一条漏极走线，两条漏极走线的并联设置可以降低漏极走线整体的阻抗，从而增大了漏极走线上通过的驱动电流，使得传输至外置的LED灯上的驱动电流增大，从而有利于提高外置的LED灯的发光亮度，进而提升了驱动背板的驱动性能。
请参阅图3，图3为本申请第二实施例提供的驱动背板的结构示意图。本申请第二实施例与第一实施例的不同之处在于：第一开口110A的内壁上设置有光反射层112。光反射层112同时覆盖第一开口110A的内壁和第二开口111A的内壁。
由于第一开口110A裸露出的绑定垫17用于与外置的LED灯绑定连接，因此，本申请第二实施例通过在第一开口110A的内壁上设置光反射层112，可以提高待绑定的LED灯发出的光线在第一开口110A内壁上的反射率，进而有利于提高LED灯的发光效率，从而进一步提升了驱动背板的驱动性能。
请参阅图4和图5，其中，图4为本申请第三实施例提供的驱动背板的等效电路示意图；图5为本申请第三实施例提供的驱动背板的结构示意图。本申请第三实施例与第一实施例的不同之处在于：驱动背板100还包括多条第二源极走线18。第二源极走线18设置在基底10上，并与第一源极走线12异层设置。第二源极走线18的接入端电连接于对应的数据线15。第二源极走线18的输出端电连接于对应的第一源极走线12的接入端。第二源极走线18于基底10所在平面的正投影与第一源极走线12于基底10所在平面的正投影至少部分重叠。
本申请第三实施例通过在驱动背板100中设置第二源极走线18，并使第二源极走线18与第一源极走线12并联设置，进而降低了第一源极走线12和第二源极走线18形成的并联导线的阻抗，增大了该导线上通过的驱动电流，从而可以进一步提高外置LED灯的发光亮度，以进一步提升驱动背板的驱动性能。
在本申请第三实施例中，第二源极走线18与第二漏极走线14同层设置。该设置可以简化工艺制程，有利于节约工艺成本。
其中，第一平坦化层107上开设有第三通孔107B。钝化层108对应于第三通孔107B的部分上开设有第四通孔108B。第四通孔108B连通于第三通孔107B。第二源极走线18依次通过第四通孔108B和第三通孔107B与对应的第一源极走线12电性连接。
相较于现有技术中的驱动背板，本申请提供的驱动背板在基底上设置第一漏极走线和对应于第一漏极走线的第二漏极走线，第一漏极走线和第二漏极走线异层设置且电性连接，第一漏极走线于基底所在平面的正投影与第二漏极走线于基底所在平面的正投影至少部分重叠。由此，本申请通过并联设置的第一漏极走线和第二漏极走线来传输驱动电流，以驱动外置的LED灯发光。相较于一条漏极走线，两条漏极走线的并联设置可以降低漏极走线整体的阻抗，从而增大了漏极走线上通过的驱动电流，使得传输至外置的LED灯上的驱动电流增大，从而有利于提高外置的LED灯的发光亮度，进而提升了驱动背板的驱动性能。
本申请实施例还提供一种发光基板，其包括驱动背板和LED灯，所述驱动背板可以为上述任一实施例所述的驱动背板100，所述LED灯为多个，且与驱动背板100中的多个驱动薄膜晶体管11一一对应设置。所述LED灯为Mini LED灯或Micro LED灯。其中，驱动背板100的结构可以参照前述实施例的描述，在此不再赘述。
以上对本申请实施方式提供了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种驱动背板，用于驱动外置的LED灯发光，其特征在于，所述驱动背板包括：
基底；
多个驱动薄膜晶体管，每一所述驱动薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极；
多条第一漏极走线，所述第一漏极走线设置在所述基底上，所述第一漏极走线的接入端与对应的所述驱动薄膜晶体管的所述漏极电性连接；以及
多条第二漏极走线，所述第二漏极走线设置在所述基底上，且与所述第一漏极走线异层设置，所述第二漏极走线的接入端电连接于对应的所述第一漏极走线的输出端，所述第二漏极走线的输出端电连接于对应的所述外置的LED灯，所述第二漏极走线于所述基底所在平面的正投影与所述第一漏极走线于所述基底所在平面的正投影至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述驱动背板包括依次设置于所述基底上的有源层、栅极绝缘层、栅极金属层、介电绝缘层、第一金属结构层、第一平坦化层和第二金属结构层；
所述第一金属结构层包括所述第一漏极走线，所述第二金属结构层包括所述第二漏极走线，所述第一平坦化层上开设有第一通孔，所述第二漏极走线通过所述第一通孔与对应的所述第一漏极走线电性连接。
3.根据权利要求2所述的驱动背板，其特征在于，所述驱动背板还包括钝化层，所述钝化层设置于所述第一平坦化层与所述第二金属结构层之间；
所述钝化层对应于所述第一通孔的部分上开设有第二通孔，所述第二通孔连通于所述第一通孔，所述第二漏极走线依次通过所述第二通孔和所述第一通孔与所述第一漏极走线电性连接。
4.根据权利要求2所述的驱动背板，其特征在于，所述驱动背板还包括：
多个绑定垫，所述绑定垫与所述第二漏极走线同层设置，且与对应的所述第二漏极走线相连，所述绑定垫用于与对应的所述外置的LED灯绑定连接；以及
第二平坦化层，所述第二平坦化层设置在所述第二金属结构层远离所述第一平坦化层的一侧上，所述第二平坦化层上开设有第一开口，所述第一开口裸露出所述绑定垫。
5.根据权利要求4所述的驱动背板，其特征在于，所述绑定垫位于所述第二漏极走线远离对应的所述驱动薄膜晶体管的所述漏极的一端，且所述绑定垫于所述基底所在平面的正投影位于所述第一漏极走线于所述基底所在平面的正投影的外侧。
6.根据权利要求4所述的驱动背板，其特征在于，所述驱动背板还包括保护层，所述保护层设置于所述第二平坦化层上；
所述保护层对应于所述第一开口的部分上设置有第二开口，所述第二开口连通于所述第一开口。
7.根据权利要求4所述的驱动背板，其特征在于，所述第一开口的内壁上设置有光反射层。
8.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述驱动背板还包括多条第一源极走线，所述第一源极走线设置在所述基底上，所述第一源极走线的输出端与对应的所述驱动薄膜晶体管的所述源极电性连接。
9.根据权利要求8所述的驱动背板，其特征在于，所述驱动背板还包括多条第二源极走线，所述第二源极走线设置在所述基底上，并与所述第一源极走线异层设置，所述第二源极走线的接入端电连接于对应的数据线，所述第二源极走线的输出端电连接于对应的所述第一源极走线的接入端，所述第二源极走线于所述基底所在平面的正投影与所述第一源极走线于所述基底所在平面的正投影至少部分重叠。
10.一种发光基板，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的驱动背板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011268398.9A CN112216706B (zh) | 2020-11-13 | 2020-11-13 | 驱动背板及发光基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011268398.9A CN112216706B (zh) | 2020-11-13 | 2020-11-13 | 驱动背板及发光基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112216706A true CN112216706A (zh) | 2021-01-12 |
| CN112216706B CN112216706B (zh) | 2022-07-29 |
Family
ID=74057059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011268398.9A Active CN112216706B (zh) | 2020-11-13 | 2020-11-13 | 驱动背板及发光基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112216706B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113345922A (zh) * | 2021-05-28 | 2021-09-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 驱动背板及其制作方法、显示面板 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105140298A (zh) * | 2015-09-24 | 2015-12-09 | 武汉华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管和阵列基板 |
| US20180267374A1 (en) * | 2017-03-16 | 2018-09-20 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate and display device |
| CN109148375A (zh) * | 2018-08-20 | 2019-01-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管器件制造方法及薄膜晶体管器件 |
| CN109166886A (zh) * | 2018-08-20 | 2019-01-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及oled显示设备 |
| WO2019042474A1 (zh) * | 2017-09-04 | 2019-03-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
| US20200312831A1 (en) * | 2019-03-29 | 2020-10-01 | Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. | Display panel and display device |
-
2020
- 2020-11-13 CN CN202011268398.9A patent/CN112216706B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105140298A (zh) * | 2015-09-24 | 2015-12-09 | 武汉华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管和阵列基板 |
| US20180267374A1 (en) * | 2017-03-16 | 2018-09-20 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate and display device |
| WO2019042474A1 (zh) * | 2017-09-04 | 2019-03-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
| CN109148375A (zh) * | 2018-08-20 | 2019-01-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管器件制造方法及薄膜晶体管器件 |
| CN109166886A (zh) * | 2018-08-20 | 2019-01-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及oled显示设备 |
| US20200312831A1 (en) * | 2019-03-29 | 2020-10-01 | Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. | Display panel and display device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113345922A (zh) * | 2021-05-28 | 2021-09-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 驱动背板及其制作方法、显示面板 |
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| Publication number | Publication date |
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| CN112216706B (zh) | 2022-07-29 |
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