CN112189566B - 一种砧木用樱桃苗的快速繁育方法 - Google Patents

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Abstract

本发明属于果树育苗繁殖领域，涉及一种砧木用吉塞拉12号樱桃苗的快速繁育方法，1）初代培养，选取1‑2年生、健壮的春梢顶芽和顶芽下面的第一侧芽，进行组织培养；2）扩繁系代，将初代培养成活的无菌系瓶苗进行扩繁，取芽进行培养基培养；3）无菌系材料人工恒温箱脱毒，获得脱毒试管苗进行扩繁；4）扦插生根，将扩繁的脱毒试管苗，切去基部愈伤组织，进行生根培养，等小苗长到5‑10cm时，带土移入大田，参照大田育苗方法管理。采用本发明方法,a.使樱桃砧木初代培养成活率达到了90%，使培养基灭菌彻底，获得了樱桃砧木脱毒试管苗，使樱桃砧木扦插生根成活率达到了99%。本发明减少了脱毒苗木生产环节，节省了时间，节约了成本，解决果农栽植需求。

Description

一种砧木用樱桃苗的快速繁育方法
技术领域
本发明属于果树育苗繁殖技术领域，具体涉及涉一种砧木用樱桃苗的快速繁育的无性繁殖方法。
背景技术
吉塞拉12号用作甜樱桃的砧木：亲本为酸樱桃×灰毛叶樱桃，是由山东省果树研究所最早引进的德国矮化砧木。吉塞拉砧木有良好的矮化性状，矮化性能为乔砧树的65%，植株栽培后树体均衡生长。吉塞拉12号具有良好的早实性和丰产性，与大樱桃嫁接亲和力强，对土壤的适应性广泛，非常适合黏土地栽培，对根瘤病有较好的抗性，对盐碱性土壤抗性也不错，适宜壤土，黏土等多种土壤。吉塞拉砧木无根蘖，固地性如乔砧，无“小脚”现象，进入结果期后无树势早衰现象。吉塞拉砧木苗的繁育单位大多集中在我国山东泰安市一带，其中大多数单位都是在繁育吉塞拉5号和6号，这两种砧木樱桃苗，需要栽植在土壤肥沃、灌溉条件有保证、管理施肥比较精细的果园里，在贫瘠土壤和降水量少的条件下可能出现早衰！但我国的樱桃树大多栽种在灌溉条件不好，土壤比较贫瘠的丘陵山地上，而且管理都比较粗放。推广者最初推出的是吉塞拉5号和6号，强调的优点是他们的早果性，而忽视了他们的易早衰弱点。吉塞拉12号，是晚后时间推出的品种，在一定程度上克服了5号、6号的弱点，只有少数技术层次较高的单位在繁育吉塞拉12号，生产量少，而且提供的嫁接成品苗价格都非常高，栽植成本过高，果农大多忘而兴叹，不能满足果农的栽植需求。为了解决这个问题，我们开展了吉塞拉12号组培快繁和脱毒技术的研究。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中的缺点而提供一种砧木用樱桃苗的快速繁育方法，以快速生产出更多的吉塞拉12号脱毒组培苗，以较低的价格供应市场，解决果农栽植需求。
为解决本发明的技术问题采用如下技术方案。
一种砧木用樱桃苗的快速繁育方法，包括如下步骤：
（1）初代培养，剪取材料：5-6月份吉塞拉12号新芽萌发后，在连续晴天的第2-3天的早晨，选取大田或温室栽培砧木的1-2年生、健壮的顶芽和下面的第一侧芽的带芽茎段装入干净培养瓶中，分别标记放入组培室，将带芽茎段在体积浓度为2‰的84消毒液中浸泡5-10min后在流水下冲洗2-6min，然后放入洗洁精稀释液中清洗10-15min，然后放入脱脂纱布在流水中冲洗1-2 h，在超净工作台上用体积浓度为75%的酒精中浸泡10-25ms后用无菌水冲洗2-3次，然后在体积浓度为0.1%的升汞溶液中处理2-5min，处理完成后移到无菌水中冲洗4-6次，然后切0.4-0.5cm带芽茎段，用无菌滤纸吸干水分，转接到装有初代培养培养基的培养瓶中，每瓶接2个带芽茎段，移入培养室，培养温度为21-24℃，湿度为65-75％，分别给予暗培养7-10天、光照2000-2400LX15-20天进行培养；
（2）扩繁系代：将初代培养成活的无菌系瓶苗进行扩繁，选取生长健壮、整体度一致的芽转接到扩繁培养基中，每瓶接4个芽，移入培养室，培养温度为21-24℃，湿度为65％-75％，先后分别给予暗培养7-10天、光照2000-2400LX20-35天培养；
（3）无菌系材料人工恒温箱脱毒：初代培养无菌系材料萌发长到0.5-0.8cm时，剪取新芽0.4-0.6cm进行扩繁系代转接，转接到扩繁培养基，每瓶接4株，具体为：先在22-25℃条件下培养15-20天，然后转移到人工气候箱中后分别给予每天光照培养16h、暗培养8h，前11-13天人工气候箱暗培养从25℃开始，每天温度升高1度，升温至32℃后不再升温，保持32℃不变；光照培养从25℃开始，每天温度升高1度，升温至36-38℃后温度保持不变，后20天人工气候箱光照培养在36-38℃进行，暗培养在32℃的温度下进行，然后从获得材料嫩梢上剥取0.4-0.5mm茎尖进行转接培养 12-16天，然后进行第二次剥茎尖，剥取0.4-0.5mm茎尖培养35-45天时，剪取1.5-3.5cm的芽，病毒检测，获得脱毒试管苗按照步骤（2）的方法做扩繁系代；
（4）扦插生根：
1）将扩繁35-45天的脱毒试管苗扩繁材料，用镊子从培养瓶中取出，切去基部愈伤组织，剪取长1.5-2.5cm的单株茎段，摘去基部2-4片小叶，装入容器中喷水封口备用；
2）准备营养钵，放入基质，加入生根营养液；
3）把剪好的试管苗按2×2cm间距插入营养钵内基质中，插满后用白色塑料薄膜覆盖整盘营养钵，使小苗置于营养钵内较封闭的空间中，进行生根培养；
4）培养15-20天后，观察生根情况，当小苗基部生出丛状根时，揭去塑料膜，将营养钵移至地面遮荫培养，湿度保持在85％以上管理；
5）培养40-60天后，营养钵中的小苗叶片变绿变厚，根系加速生长时，将小苗单株移入蛭石和腐熟有机肥中，其中蛭石与腐熟有机肥的质量比为1：0.3，按时浇透水，使苗木逐渐适应露地生长环境，等小苗长到5-10cm时，带土移入大田，参照大田育苗方法管理。
所述步骤（1）中培养基为MS+6-BA6-苄基腺嘌呤0.2-0.5mg/L+NAA萘乙酸 0.02-0.06mg/L+VC维生素C50-100mg/L+活性炭 10g/L+白砂糖30g/L+琼脂5g/L，pH为5.6。
所述步骤（1）中培养瓶为100-150ML，每瓶灌装25-30mL培养基，将分装了培养基的培养瓶放置高压锅中在0.137-0.140MPa大气压下灭菌20-25分钟，取出放置2-3天后接带芽茎段。
所述步骤（2）中扩繁培养基为MS培养基+白砂糖30g/L+琼脂5g/L+6-BA6-苄基腺嘌呤0.60mg/L+IBA萘乙酸0.05-0.10mg/L+GA赤霉素0.05-0.15mg/L，pH为5.6。
所述步骤（3）中培养基为MS+6-BA6-苄基腺嘌呤0.6mg/L+IBA吲哚丁酸0.05mg/L+GA赤霉素0.05mg/L。
所述步骤（4）中扦插生根所用基质为蛭石。
所述步骤（4）中营养钵内基质为每升三分之一到二分之一MS基本培+IBA吲哚丁酸0.2-0.4mg/L。
所述步骤（1）中洗洁精稀释液是由100毫升自来水加5滴洗洁精得到的。
所述步骤（1）中在体积浓度为0.1%的升汞溶液中处理时不断搅动使药液均匀浸到处理材料表面。
采用本发明方法，a.使吉塞拉12号樱桃砧木初代培养成活率达到了90%，获得了试管苗材料。b.使培养基灭菌彻底，灭菌污染率为0,为吉塞拉12号樱桃砧木试管苗繁殖奠定了基础。c.获得了吉塞拉12号樱桃砧木脱毒试管苗,为生产脱毒苗做了铺垫。d.使吉塞拉12号樱桃砧木试管苗扩繁系数达到了6.5；加快了试管苗繁殖速度。e.使吉塞拉12号樱桃砧木扦插生根成活率达到了99%,平均生根条数5.2条；减少了脱毒苗木生产环节，节省了时间，节约了成本，解决果农栽植需求。
具体实施方式
实施例1
一种砧木用樱桃苗的快速繁育方法，其步骤如下：
（1）初代培养：初代培养材料的剪取：甘肃天水地区5月份吉塞拉12号新芽萌发后，选连续晴天的第2天的早晨，选取 2年生、健壮的顶芽和下面的第一侧芽的带芽茎段装入干净培养瓶中，装入干净培养瓶中分别标记带回组培室，将带芽茎段在体积浓度为2‰的84消毒液中浸泡5分钟后在流水下冲洗2 min，放入立白牌的洗洁精稀释液（其中稀释比例为100毫升自来水加5滴洗洁精 ）清洗15min后放入脱脂纱布在流水中冲洗下冲洗2h，在超净工作台上用体积浓度为75%酒精浸泡10ms后用无菌水冲洗3次，然后在体积浓度为0.1%的升汞溶液中处理5min，处理时不断搅动使药液均匀浸到处理材料表面，处理完成后移到无菌水中冲洗6次，然后切0.5cm带芽茎段。将做好的初代培养基分装到培养瓶中，其中培养瓶为100ML，每瓶灌装25mL培养基，其中初代培养培养基为MS+6-BA0.5mg/L+NAA0.02 mg/L+VC100mg/L+活性炭10g/L，白砂糖30g/L+琼脂5g/L，pH为5.6，每瓶灌装25mL，将做好的培养基放置高压锅中在0.140MPa气压下灭菌20分钟，取出放置2天后才接种，每瓶接2个芽，移入培养室，培养温度24℃，湿度75％，分别给予暗培养，光照2000LX进行培养。10天后调查成活率可达到70%。
（2）扩繁系代：将初代培养成活的吉塞拉12号无菌系瓶苗进行扩繁，以取得大量的无菌系材料，扩繁培养基筛选：基本培养基为MS培养基，白砂糖30g/L、琼脂5g/L，pH为5.6。设置一个三因素三水平的正交试验，可得到9个不同激素和不同浓度的培养基处理组合：数据调查，方差分析和SSR检测。
① a1b1c1 MS+6-BA 0.40mg/L+IBA 0.04mg/L+GA 0.05mg/L、
② a1b2c2 MS+6-BA 0.40mg/L+IBA 0.10mg/L+GA 0.10mg/L、
③ a1b3c3 MS+6-BA 0.40mg/L+IBA 0.15mg/L+GA 0.15mg/L、
④ a2b1c3 MS+6-BA 0.60mg/L+IBA 0.05mg/L+GA 0.15mg/L、
⑤ a2b2c1 MS+6-BA 0.60mg/L+IBA 0.10mg/L+GA 0.05mg/L、
⑥ a2b3c2 MS+6-BA 0.60mg/L+IBA 0.15mg/L+GA 0.10mg/L
⑦ a3b1c2 MS+6-BA 0.80mg/L+IBA 0.05mg/L+GA 0.10mg/L
⑧ a3b2c3 MS+6-BA 0.80mg/L+IBA 0.10mg/L+GA 0.15mg/L
⑨ a3b3c1 MS+6-BA 0.80mg/L+IBA 0.15mg/L+GA 0.05mg/L
（表1）每种培养基每瓶灌装25mL，将做好的培养基放置高压锅中在0.137MPa大气压下灭菌20分钟，取出放置3天接种灭菌，每瓶接4个芽，移入培养室，培养温度24℃，湿度75％，分别给予暗培养，光照2000LX培养。25天后调查扩繁系数，做方差分析和SSR检测，筛选出最佳的扩繁培养基为（表2）：⑤、④号培养基，扩繁系数达到了6.5、5.3，和⑥、⑧、⑨、⑦、②、③、①存在着0.05和0.01的显著性。
表1 试验因子与水平表
Figure DEST_PATH_IMAGE001
表2 吉塞拉12号扩繁系数SSR检测表
Figure DEST_PATH_IMAGE002
（3）无菌系材料人工恒温箱脱毒：a、脱毒：将吉塞拉12号初代培养无菌系材料萌发长到0.5cm时，剪取新芽0.4cm进行扩繁系代转接，转接基本培养基为：MS+6-BA0.6mg/L+IBA0.05mg/L+GA 0.05mg/L扩繁培养45天时，剪取1.5cm的芽转接，每瓶4株。先在25℃条件下培养20天，然后转移到人工气候箱中后分别给予每天光照培养16h、暗培养8h，前13天人工气候箱暗培养从25℃开始，每天温度升高1度，升温至32℃后不再升温，保持32℃不变；光照培养从25℃开始，每天温度升高1度，升温至38℃后温度保持不变，后20天人工气候箱光照培养在38℃进行，暗培养在32℃的温度下进行，然后从获得材料嫩梢上剥取0.5mm茎尖进行转接培养 12天，然后进行第二次剥茎尖，剥取0.4mm茎尖培养45天时，剪取1.5cm的芽，病毒检测：将热处后吉塞拉12号茎尖培养的瓶苗剪取以单株为系进行扩繁，苗数达150-200株时，随机抽取5个样本，每个样本15株，采用酶联免疫分析法进行李坏死环斑病毒（PNRSV）、和苹果褪绿叶斑病毒（ACLSV）和李矮缩病毒检测。检测各板设阴性、阳性及空白对照，反应结束时用肉眼来观色，阳性样本的颜色应深于阴性对照物，阴性样本的颜色则与阴性对照物相当或浅于阴性对照物。通过检测，吉塞拉12号这三种病毒的脱毒率达到了100%，取得了预期的效果。获得脱毒试管苗按照步骤（2）的方法做扩繁系代。
（4）扦插生根：将扩繁45天的吉塞拉12号脱毒试管苗扩繁材料，用镊子从培养瓶中取出，在操作台上切去基部愈伤组织，剪取长2.5cm的单株茎段，摘去基部2片小叶，装入容器中喷入少量水分，封口备用；b选择大小方便搬运的平底托盘，托盘沿高2cm。托盘内整齐摆放10cm高的营养钵，钵内装入4cm高的蛭石，使蛭石表面平整。托盘中注入生根营养液，（营养液见表3）使生根营养液透过营养钵底部的小孔，浸透蛭石；c把剪好的试管苗按2×2cm间距插入营养钵内蛭石中，插满后用白色塑料薄膜覆盖整盘营养钵，使小苗置于营养钵内较封闭的空间中，进行生根培养；d培养15天后，观察生根情况，当小苗基部生出丛状根时，揭去塑料膜，将营养钵移至地面遮荫培养，湿度保持在85％以上管理；e当营养钵中的小苗叶片变绿变厚，根系加速生长时，将小苗单株移入蛭石∶腐熟有机肥=1：0.3的基质中，及时浇透水，使苗木逐渐适应露地生长环境，等小苗长到5-10cm时，带土移入大田，参照大田育苗方法管理。
表3同一环境、不同营养液和生根剂对吉塞拉12号脱毒试管苗扦插生根的影响表
Figure DEST_PATH_IMAGE003
实施例2
一种砧木用樱桃苗的快速繁育方法，其步骤如下：
（1）初代培养：初代培养材料的剪取：甘肃天水地区6月份吉塞拉12号新芽萌发后，选连续晴天的第3天的早晨，选取1 年生、健壮的顶芽和下面的第一侧芽的带芽茎段装入干净培养瓶中，装入干净培养瓶中分别标记带回组培室，将带芽茎段在体积浓度为2‰的84消毒液中浸泡10分钟后在流水下冲洗6 min，放入立白牌的洗洁精稀释液（其中稀释比例为100毫升自来水加5滴洗洁精 ）清洗10min后放入脱脂纱布在流水中冲洗下冲洗1h，在超净工作台上用体积浓度为75%酒精浸泡25ms后用无菌水冲洗3次，然后在体积浓度为0.1%的升汞溶液中处理2min，处理时不断搅动使药液均匀浸到处理材料表面，处理完成后移到无菌水中冲洗4次，然后切0.4cm带芽茎段备用。将做好的初代培养基分装到培养瓶中，其中培养瓶为150ML，每瓶灌装30mL培养基，初代培养培养基为MS+6-BA0.2mg/L+NAA0.06mg/L+VC50mg/L+活性炭10g/L+白砂糖30g/L+琼脂5g/L，pH为5.6，先要将做好的培养基放置高压锅中在0.137MPa气压下灭菌25分钟，取出放置3天后才接种，每瓶接2个芽，移入培养室，培养温度21℃，湿度70％，分别给予暗培养，光照2400LX进行培养。10天后调查成活率达到90%。
（2）扩繁系代：将初代培养成活的吉塞拉12号无菌系瓶苗进行扩繁，以取得大量的无菌系材料。基本培养基为MS培养基，白砂糖30g/L、琼脂5g/L，pH为5.6。每种培养基每瓶灌装30mL，将做好的培养基放置高压锅中在0.140MPa大气压下灭菌25分钟，取出放置2天接种灭菌，每瓶接4个芽，移入培养室，培养温度21℃，湿度70％，分别给予暗培养，光照2400LX培养。
（3）无菌系材料人工恒温箱脱毒：a、脱毒：将吉塞拉12号初代培养无菌系材料萌发长到0.8cm时，剪取新芽0.6cm进行扩繁系代转接，转接基本培养基为：MS+6-BA 0.6mg/L+IBA 0.05mg/L+GA 0.05mg/L扩繁培养35天时，剪取3.5cm的芽转接，每瓶4株。先在22℃条件下培养15天，然后转移到人工气候箱中后分别给予每天光照培养16h、暗培养8h，前13天人工气候箱暗培养从25℃开始，每天温度升高1度，升温至32℃后不再升温，保持32℃不变；光照培养从25℃开始，每天温度升高1度，升温至36℃后温度保持不变，后20天人工气候箱光照培养在36℃进行，暗培养在32℃的温度下进行，然后从获得材料嫩梢上剥取0.4mm茎尖进行转接培养 16天，然后进行第二次剥茎尖，剥取0.5mm茎尖培养35天时，剪取3.5cm的芽。病毒检测：将热处后吉塞拉12号茎尖培养的瓶苗剪取以单株为系进行扩繁，苗数达150-200株时，随机抽取5个样本，每个样本10株，采用酶联免疫分析法进行李坏死环斑病毒（PNRSV）、和苹果褪绿叶斑病毒（ACLSV）和李矮缩病毒检测。检测各板设阴性、阳性及空白对照，反应结束时用肉眼来观色，阳性样本的颜色应深于阴性对照物，阴性样本的颜色则与阴性对照物相当或浅于阴性对照物。通过检测，吉塞拉12号这三种病毒的脱毒率达到了100%，取得了预期的效果。获得脱毒试管苗按照步骤（2）的方法做扩繁系代。
（4）扦插生根：将扩繁35天的吉塞拉12号脱毒试管苗扩繁材料，用镊子从培养瓶中取出，在操作台上切去基部愈伤组织，剪取长1.5cm的单株茎段，摘去基部4片小叶，装入容器中喷入少量水分，封口备用；b选择大小方便搬运的平底托盘，托盘沿高4cm。托盘内整齐摆放12cm高的营养钵，钵内装入6cm高的蛭石，使蛭石表面平整。托盘中注入生根营养液，使生根营养液透过营养钵底部的小孔，浸透蛭石；c把剪好的试管苗按2cm×2 cm间距插入营养钵内蛭石中，插满后用白色塑料薄膜覆盖整盘营养钵，使小苗置于营养钵内较封闭的空间中，进行生根培养；d培养15天后，观察生根情况，当小苗基部生出丛状根时，揭去塑料膜，将营养钵移至地面遮荫培养，湿度保持在85％以上管理；e当营养钵中的小苗叶片变绿变厚，根系加速生长时，将小苗单株移入蛭石∶腐熟有机肥=1：0.3的基质中，及时浇透水，使苗木逐渐适应露地生长环境，等小苗长到5-10cm时，带土移入大田，参照大田育苗方法管理。

Claims (9)

1.一种砧木用樱桃苗的快速繁育方法，其特征在于包括如下步骤：
（1）初代培养，剪取材料：5-6月份吉塞拉12号新芽萌发后，在连续晴天的第2-3天的早晨，选取大田或温室栽培砧木的1-2年生、健壮的顶芽和下面的第一侧芽的带芽茎段装入干净培养瓶中，分别标记放入组培室，将带芽茎段在体积浓度为2‰的84消毒液中浸泡5-10min后在流水下冲洗2-6min，然后放入洗洁精稀释液中清洗10-15min，然后放入脱脂纱布在流水中冲洗1-2 h，在超净工作台上用体积浓度为75%的酒精中浸泡10-25ms后用无菌水冲洗2-3次，然后在体积浓度为0.1%的升汞溶液中处理2-5min，处理完成后移到无菌水中冲洗4-6次，然后切0.4-0.5cm带芽茎段，用无菌滤纸吸干水分，转接到装有初代培养培养基的培养瓶中，每瓶接2个带芽茎段，移入培养室，培养温度为21-24℃，湿度为65-75％，分别给予暗培养7-10天、光照2000-2400LX15-20天进行培养；
（2）扩繁系代：将初代培养成活的无菌系瓶苗进行扩繁，选取生长健壮、整体度一致的芽转接到扩繁培养基中，每瓶接4个芽，移入培养室，培养温度为21-24℃，湿度为65％-75％，先后分别给予暗培养7-10天、光照2000-2400LX20-35天培养；
（3）无菌系材料人工恒温箱脱毒：初代培养无菌系材料萌发长到0.5-0.8cm时，剪取新芽0.4-0.6cm进行扩繁系代转接，转接到扩繁培养基，每瓶接4株，具体为：先在22-25℃条件下培养15-20天，然后转移到人工气候箱中后分别给予每天光照培养16h、暗培养8h，前11-13天人工气候箱暗培养从25℃开始，每天温度升高1度，升温至32℃后不再升温，保持32℃不变；光照培养从25℃开始，每天温度升高1度，升温至36-38℃后温度保持不变，后20天人工气候箱光照培养在36-38℃进行，暗培养在32℃的温度下进行，然后从获得材料嫩梢上剥取0.4-0.5mm茎尖进行转接培养 12-16天，然后进行第二次剥茎尖，剥取0.4-0.5mm茎尖培养35-45天时，剪取1.5-3.5cm的芽，病毒检测，获得脱毒试管苗按照步骤（2）的方法做扩繁系代；
（4）扦插生根：
1）将扩繁35-45天的脱毒试管苗扩繁材料，用镊子从培养瓶中取出，切去基部愈伤组织，剪取长1.5-2.5cm的单株茎段，摘去基部2-4片小叶，装入容器中喷水封口备用；
2）准备营养钵，放入基质，加入生根营养液；
3）把剪好的试管苗按2×2cm间距插入营养钵内基质中，插满后用白色塑料薄膜覆盖整盘营养钵，使小苗置于营养钵内较封闭的空间中，进行生根培养；
4）培养15-20天后，观察生根情况，当小苗基部生出丛状根时，揭去塑料膜，将营养钵移至地面遮荫培养，湿度保持在85％以上管理；
5）培养40-60天后，营养钵中的小苗叶片变绿变厚，根系加速生长时，将小苗单株移入蛭石和腐熟有机肥中，其中蛭石与腐熟有机肥的质量比为1：0.3，按时浇透水，使苗木逐渐适应露地生长环境，等小苗长到5-10cm时，带土移入大田，参照大田育苗方法管理。
2.根据权利要求1所述的一种砧木用樱桃苗的快速繁育方法，其特征在于：所述步骤（1）中培养基为MS培养基+6-BA 0.2-0.5mg/L+NAA 0.02-0.06mg/L+VC 50-100mg/L+活性炭10g/L+白砂糖30g/L+琼脂5g/L，pH为5.6。
3.根据权利要求2所述的一种砧木用樱桃苗的快速繁育方法，其特征在于：所述步骤（1）中培养瓶为100-150ML，每瓶灌装25-30mL培养基，将分装了培养基的培养瓶放置高压锅中在0.137-0.140MPa大气压下灭菌20-25分钟，取出放置2-3天后接带芽茎段。
4.根据权利要求3所述的一种砧木用樱桃苗的快速繁育方法，其特征在于：所述步骤（2）中扩繁培养基为MS培养基+白砂糖30g/L+琼脂5g/L+6-BA 0.60mg/L+IBA 0.05-0.10mg/L+GA 0.05-0.15mg/L，pH为5.6。
5.根据权利要求3或4所述的一种砧木用樱桃苗的快速繁育方法，其特征在于：所述步骤（3）中培养基为MS培养基+6-BA 0.6mg/L+IBA 0.05mg/L+GA 0.05mg/L。
6.根据权利要求5所述的一种砧木用樱桃苗的快速繁育方法，其特征在于：所述步骤（4）中扦插生根所用基质为蛭石。
7.根据权利要求6所述的一种砧木用樱桃苗的快速繁育方法，其特征在于：所述步骤（4）中生根营养液为每升三分之一到二分之一MS培养基+IBA 0.2-0.4mg/L。
8.根据权利要求1所述的一种砧木用樱桃苗的快速繁育方法，其特征在于：所述步骤（1）中洗洁精稀释液是由100毫升自来水加5滴洗洁精得到的。
9.根据权利要求1或8所述的一种砧木用樱桃苗的快速繁育方法，其特征在于：所述步骤（1）中在体积浓度为0.1%的升汞溶液中处理时不断搅动使药液均匀浸到处理材料表面。
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