CN112186075A - 一种波导型光电探测器及制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种波导型光电探测器及制造方法，第一衬底的正面形成有包覆层，包覆层中形成有第一氮化硅光波导，第二衬底的正面形成有锗外延层，第一衬底和第二衬底的正面键合之后，从第二衬底的背面进行减薄，以暴露锗外延层。而后对锗外延层进行刻蚀工艺，形成台阶结构，在台阶结构的侧壁形成第二氮化硅光波导，在锗外延层上形成光电探测器，从而实现氮化硅光波导与锗基探测器的集成。这样，第一氮化硅光波导传输的光能够通过第二氮化硅光波导更快传输至光电探测器中，利用氮化硅光波导较低的传输损耗性，提高光的传输效率，并且氮化硅波导与锗基光电探测器之间能形成高质量的氮化硅/锗界面，能够提高光电探测器的响应度以及光电转换能力。
Description
技术领域
本发明涉及光电集成技术领域，特别涉及一种波导型光电探测器及制造方法。
背景技术
光电探测器作为光电子集成电路中一种不可或缺的元件，能够完成光通信与光互连系统中的光电转换功能，实现数据从光域到电域的转换。光电探测器被广泛应用于光通信、光学传感、光学成像、自动驾驶等领域。尤其在光学传感、远距离成像等应用领域中，不仅要求光电探测器具有高的响应度、高的速率，而且要求器件具有宽的光谱范围。
由于光电探测器的光谱响应范围是受探测器材料的禁带宽度以及光生载流子的寿命限制的，光伏输出有限。目前采用光波导与光电探测器的集成，以提高光电探测器的性能。
但是目前的波导集成光电探测器的光损耗仍然较大，需要提供一种高响应度及低损耗的波导型光电探测器。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种波导型光电探测器及制造方法，提高响应度，降低光损耗。
一种波导型光电探测器的制造方法，包括：
提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底正面上的包覆层，形成于所述包覆层中的第一氮化硅光波导，所述第二衬底正面上的锗外延层；
进行所述第一衬底和所述第二衬底的正面键合，从所述第二衬底的背面进行减薄，以暴露所述锗外延层；
刻蚀所述锗外延层，形成台阶结构，在所述台阶结构的侧壁形成第二氮化硅光波导；
在所述锗外延层上形成光电探测器。
可选的，所述在所述锗外延层上形成光电探测器，具体包括：
对所述锗外延层进行掺杂，以在所述锗外延层中形成源漏区；
沉积介质材料，以形成覆盖所述锗外延层以及所述第二氮化硅光波导的介质层；
刻蚀所述介质层形成暴露所述源漏区的接触孔，在所述接触孔中填充金属材料，以形成所述源漏区的金属接触。
可选的，所述锗外延层包括第一部分和第二部分；
在所述锗外延层上形成光电探测器，具体包括：
在所述锗外延层的第一部分形成第一掺杂材料层；
在所述锗外延层的第二部分形成第二掺杂材料层；
沉积介质材料，形成覆盖所述锗外延层和所述第二氮化硅光波导的介质层；
刻蚀所述介质层形成暴露所述第一掺杂材料层的第一接触孔以及暴露所述第二掺杂材料层的第二接触孔；
在所述第一接触孔中填充金属材料，以形成所述第一掺杂材料层的金属接触，在所述第二接触孔中填充金属材料，以形成所述第二掺杂材料层的金属接触。
可选的，在刻蚀所述锗外延层，形成台阶结构之后，在所述台阶结构的侧壁形成第二氮化硅光波导之前，还包括：
在所述台阶结构的表面形成刻蚀阻挡层。
可选的，所述刻蚀阻挡层包括二氧化硅层和非晶硅层。
可选的，所述刻蚀所述锗外延层，形成台阶结构，在所述台阶结构的侧壁形成第二氮化硅光波导，包括：
刻蚀所述锗外延层，形成台阶结构；
沉积氮化硅层，以填充所述台阶结构，对所述氮化硅层进行平坦化工艺，直至露出所述刻蚀阻挡层；
刻蚀所述氮化硅层，以在所述台阶结构的侧壁形成第二氮化硅光波导。
一种波导型光电探测器，包括：
键合的第一衬底和第二衬底，所述第一衬底正面上的包覆层，形成于所述包覆层中的第一氮化硅光波导，所述第二衬底正面上的锗外延层，所述锗外延层相对于所述包覆层为台阶结构；
所述台阶结构的侧壁形成有第二氮化硅光波导；
所述锗外延层上形成有光电探测器。
可选的，所述锗外延层上形成有光电探测器，具体包括：
所述锗外延层中的源漏区；
覆盖所述锗外延层和所述第二氮化硅光波导的介质层；
所述介质层中形成有所述源漏区的金属接触。
可选的，所述锗外延层包括第一部分和第二部分；
所述锗外延层上形成有光电探测器，具体包括：
所述锗外延层的第一部分形成有第一掺杂材料层；
所述锗外延层的第二部分形成有第二掺杂材料层；
覆盖所述锗外延层和所述第二氮化硅光波导的介质层；
所述介质层中形成有所述第一掺杂材料层的金属接触以及所述第二掺杂材料层的金属接触。
可选的，所述台阶结构的表面形成有刻蚀阻挡层。
本发明实施例提供的一种波导型光电探测器的制造方法，第一衬底的正面形成有包覆层，包覆层中形成有第一氮化硅光波导，第二衬底的正面形成有锗外延层，第一衬底和第二衬底的正面键合之后，从第二衬底的背面进行减薄，以暴露锗外延层。而后对锗外延层进行刻蚀工艺，形成台阶结构，在台阶结构的侧壁形成第二氮化硅光波导，在锗外延层上形成光电探测器，从而实现氮化硅光波导与锗基探测器的集成。这样，第一氮化硅光波导传输的光能够通过第二氮化硅光波导更快传输至光电探测器中，利用氮化硅光波导较低的传输损耗性，提高光的传输效率，并且氮化硅波导与锗基光电探测器之间能形成高质量的氮化硅/锗界面，能够提高光电探测器的响应度以及光电转换能力。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1示出了根据本发明实施例一种波导型光电探测器的制造方法的流程结构示意图；
图2-12示出了根据本发明实施例一种波导型光电探测器的剖面结构示意图；
图13示出了根据本发明实施例一种波导型光电探测器的立体结构示意图；
图14示出了根据本发明实施例另一种波导型光电探测器的立体结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
正如背景技术的描述，目前的波导集成光电探测器的光损耗仍然较大，需要提供一种高响应度及低损耗的波导型光电探测器。
为此，本申请提供一种波导型光电探测器的制造方法，第一衬底的正面形成有包覆层，包覆层中形成有第一氮化硅光波导，第二衬底的正面形成有锗外延层，第一衬底和第二衬底的正面键合之后，从第二衬底的背面进行减薄，以暴露锗外延层。而后对锗外延层进行刻蚀工艺，形成台阶结构，在台阶结构的侧壁形成第二氮化硅光波导，在锗外延层上形成光电探测器，从而实现氮化硅光波导与锗基探测器的集成。这样，第一氮化硅光波导传输的光能够通过第二氮化硅光波导更快传输至光电探测器中，利用氮化硅光波导较低的传输损耗性，提高光的传输效率，并且氮化硅波导与锗基光电探测器之间能形成高质量的氮化硅/锗界面，能够提高光电探测器的响应度以及光电转换能力。
为了便于理解本申请的技术方案和技术效果，以下将结合附图对具体的实施例进行详细的说明。
在步骤S01中，参考图1所示，提供第一衬底100和第二衬底200，第一衬底100正面上的包覆层102，形成于包覆层102中的第一氮化硅光波导104，第二衬底200正面上的锗外延层204，参考图2-图4所示。
本申请实施例中，第一衬底100和第二衬底200可以为相同的衬底，也可以为不同的衬底，第一衬底100和第二衬底200可以为，Si衬底、Ge衬底、SiGe衬底、SOI(绝缘体上硅，Silicon On Insulator)或GOI(绝缘体上锗，Germanium On Insulator)等。在其它实施例中，所述半导体衬底还可以为包括其它元素半导体或化合物半导体的衬底，例如GaAs、InP或SiC等，还可以为叠层结构，例如Si/SiGe等，还可以其它外延结构，例如SGOI(绝缘体上锗硅)等。
在第一衬底100正面上形成有包覆层102，为了便于区分，将第一衬底100的相对侧表面分为正面和背面，在第一衬底100的正面上形成包覆层102，在包覆层102中形成第一氮化硅光波导104。包覆层102对氮化硅光波导104起到保护作用，增加包覆层102的厚度可以减少光泄露，包覆层102例如可以为氧化硅层。
为了便于描述，将包覆层102分为下包层和上包层，形成第一氮化硅光波导104的方法，可以为，在第一衬底100的正面沉积下包层，对形成的下包层进行平坦化工艺，而后在下包层上沉积氮化硅层，可以对氮化硅层进行平坦化工艺，氮化硅层的厚度越均匀，越有利于光的传输。随后，可以对氮化硅层进行图案化处理，形成所需厚度和尺寸的氮化硅光波导104。例如，可以利用光刻技术，将预先处理好的图案转移至氮化硅层，刻蚀去除图案以外的氮化硅层，从而获得图案化的氮化硅层即氮化硅光波导104，参考图2所示。
在形成氮化硅光波导104之后，在氮化硅光波导104上继续沉积氧化硅材料，而后对上包层进行平坦化工艺，以形成包覆氮化硅光波导104的上包层，参考图3所示。由于上包层和下包层形成的包覆层102能够将氮化硅光波导104完全隔离，避免光在氮化硅光波导104中传输时发生泄露。
在具体的应用中，在形成氮化硅光波导104的同时，可以在氮化硅光波导104的一端形成光栅106，光栅106沿氮化硅光波导104延伸方向布置，光栅106具有色散作用，能够使得光向氮化硅光波导104的上下方向散射。
本实施例中，氮化硅光波导104还可以为倾斜结构，以降低光传输的速率，避免由于光传输过快，导致光电探测器无法有效实现光的转换。具体的，氮化硅光波导104包括第一部分、第二部分和第三部分，第二部分位于第一部分和第三部分的中间位置，第二部分将第一部分和第三部分连接在一起，第一部分和第三部分平行于第一衬底100，第二部分倾斜于第一衬底100且第二部分与第一部分延伸方向的夹角小于90。
本申请实施例中，第二衬底200正面上形成有锗外延层202，参考图4所示。为了便于区分，将第二衬底200的相对两侧表面分为正面和背面，在第二衬底200的正面上形成锗外延层202。可以利用锗低温过渡层技术形成锗外延层202，例如，在形成锗外延层202之前，预先在第二衬底200的正面外延生长一层低温低质量的锗层，而后在该锗层上生长高质量的锗外延层202。可以对锗外延层202进行平坦化工艺，以便后续与第一衬底100进行键合，例如可以采用化学机械研磨工艺。
本实施例中，可以在锗外延层202上生长一层介质层204，例如可以采用原子层沉积方法生长介质层204，介质层204例如可以为高k氧化物，以利于第二衬底200与第一衬底100进行键合。
在步骤S02中，进行第一衬底100和第二衬底200的正面键合，参考图5所示，从第二衬底200的背面进行减薄，以暴露锗外延层202。
本实施例中，在第一衬底100的正面形成氮化硅光波导104，在第二衬底200的正面形成锗外延层202，将第一衬底100的正面与第二衬底200的正面进行键合。可以利用第一衬底100正面上的包覆层102以及第二衬底200正面上的介质层204，实现第一衬底100和第二衬底200的键合。
而后，从第二衬底200的背面进行减薄，以去除第二衬底200，暴露锗外延层202。例如，可以酸液腐蚀或化学机械研磨方法去除第二衬底200。在去除第二衬底200之后，还可以通过化学机械研磨工艺去除低温低质量的锗层，仅保留高温高质量的锗外延层202，以利于后续光电器件的制备。
在步骤S03中，刻蚀锗外延层202，形成台阶结构，在所述台阶结构的侧壁形成第二氮化硅光波导210，参考图6-图10所示。
本实施例中，可以利用干法刻蚀或湿法刻蚀等工艺，刻蚀锗外延层202，以形成所需尺寸的锗外延层202。刻蚀后的锗外延层202在沿键合方向的尺寸减小，锗外延层202相对于介质层204为台阶结构，参考图7所示。
在台阶结构的表面形成刻蚀阻挡层204，即在锗外延层202和介质层204的表面形成刻蚀阻挡层204，刻蚀阻挡层204可以为单层结构，也可以为叠层结构，例如可以包括氧化硅层和非晶硅层。
在刻蚀阻挡层220上沉积氮化硅层210’，以填充台阶结构。由于介质层204的高度低于锗外延层202的高度，且介质层202上方的氮化硅的沉积速率与锗外延层202上方的氮化硅相同，因而在锗外延层202上方的氮化硅层的高度与介质层202上方的氮化硅层的高度不同，参考图8所示。对氮化硅层210’进行平坦化工艺，直至露出刻蚀阻挡层220，参考图9所示，刻蚀阻挡层220为氮化硅层210’的刻蚀停止层。平坦化工艺之后，锗外延层202上方的氮化硅层210’被去除，此时介质层202上方的氮化硅层210’的高度基本上与台阶结构的高度相同。
而后，刻蚀氮化硅层110’，以在台阶结构的侧壁形成第二氮化硅光波导210，参考图10所示。具体的，可以为在氮化硅层210’以及刻蚀阻挡层220的上方依次形成硬掩模层和光阻层，通过曝光、显影等工艺在光阻层中形成第二氮化硅光波导的图案，将第二氮化硅光波导的图案转移至硬掩模层中，以硬掩模层为刻蚀，刻蚀氮化硅层210’，以在台阶结构的侧壁形成第二氮化硅光波导210。本实施例中，在刻蚀部分氮化硅层之后，还可以将该部分氮化硅层下方的刻蚀阻挡层去除，可以通过氢氟酸(HF)去除氧化硅层，通过四甲基氢氧化铵(TMAH)去除非晶硅层，从而去除部分该部分氮化硅层下方的刻蚀阻挡层220。
在具体的应用中，为了便于描述，在沿键合方向上，将台阶结构的两侧分为第一侧和第二侧，第一侧与第一氮化硅光波导104的输入端所在的一侧为相同侧，可以仅在第一侧形成第二氮化硅光波导210，反映在附图10中，为台阶结构的左侧。
在步骤S04中，在锗外延层202上形成光电探测器，参考图11-图14所示。
本实施例中，在锗外延层202上形成光电探测器，可以为，在锗外延层202中掺杂N型、P型杂质，以形成源漏区212、222，参考图11所示。具体的，可以为，在锗外延层202上形成光刻胶层，刻蚀部分光刻胶层形成暴露锗外延层202的第一开口，通过第一开口向锗外延层202中注入N型锗离子。而后，可以继续刻蚀部分光刻胶层形成第二开口，第一开口和第二开口之间不连通，第一开口和第二开口的距离可以根据需要确定，通过第二开口向锗外延层202中注入P型锗离子。也可以在锗外延层202上形成光刻胶层之后，在光刻胶层的两端同时形成第一开口和第二开口，而后通过第一开口向锗外延层202中注入N型锗离子，通过第二开口向锗外延层202中注入P型锗离子，N型锗掺杂区和P型锗掺杂区被锗外延层202隔离开。
而后，沉积介质材料，介质材料例如可以为氧化硅，以形成覆盖锗外延层202和第二氮化硅光波导210的介质层206，可以对介质层206进行平坦化工艺，随后，刻蚀介质层206形成暴露源漏区212、222的接触孔。
为了便于描述，将源区212的接触孔224称为第一接触孔，将漏区222的接触孔称为第二接触孔，在第一接触孔和第二接触孔中填充金属材料，例如可以为钨等，在第一接触孔和第二接触孔中填充金属材料的过程中会在介质层206表面沉积金属材料，可以采用化学机械研磨方法去除介质层206表面的金属材料，以仅在第一接触孔和第二接触孔中填充金属材料，从而形成源区212的第一金属接触224和漏区222的第二金属接触216。而后，还可以在第一金属接触224上方形成第一引出衬垫208，在第二金属接触216上方形成第二引出衬垫218，参考图12和图13所示，图13为立体结构示意图，以便与其他器件实现电连接，引出衬垫208、218可以为金属材料，例如为铜等。
本实施例中，锗外延层202包括第一部分、第二部分和第三部分，在第一部分中形成第一掺杂材料层232，在第二部分形成第二掺杂材料层234，第一部分和第二部分之间的第三部分未进行掺杂，称为本征材料层，参考图14所示。第一掺杂材料层232和第二掺杂材料层234具有相反的掺杂类型，第一掺杂材料层232为p型半导体材料层，则第二掺杂材料层234为n型半导体材料层；第一掺杂材料层232为n型半导体材料层，则第二掺杂材料层234为p型半导体材料层。第一掺杂材料层104和第二掺杂材料层106可以为半导体材料或半导体化合物材料，例如可以为硅、锗或砷化铟镓等材料。
而后，沉积介质材料，介质材料可以为氧化硅，以形成覆盖锗外延层202和第二氮化硅光波导210的介质层(图未示出)，介质层起到保护作用。随后，刻蚀介质层形成暴露第一掺杂材料层232的第一接触孔，暴露第二掺杂材料层234的第二接触孔，以及暴露本征材料层的第三接触孔。
在第一接触孔中填充金属材料，以形成第一掺杂材料层232的第一金属接触242，在第二接触孔中填充金属材料，以形成第二掺杂材料层234的第二金属接触246，在第三接触孔中填充金属材料，以形成本征材料层的第三接触孔244。还可以在第一金属接触242上形成第一引出衬垫262，在第二金属接触246上形成第二引出衬垫266，在第三金属接触244上形成第三引出衬垫264。在形成引出衬垫之后，还可以进行合金退火工艺。
以上对本申请实施例提供的波导型光电探测器的制造方法进行了详细的描述，本申请实施例还提供一种波导型光电探测器，参考图13和图14所示，包括：
键合的第一衬底100和第二衬底200，第一衬底100正面上的包覆层102，形成于包覆层102中的第二氮化硅光波导104，第二衬底200正面上的锗外延层202，锗外延层202相对于包覆层102为台阶结构；
台阶结构的侧壁形成有第二氮化硅光波导210；
锗外延层202上形成有光电探测器。
本申请实施例中，在第一衬底100正面上形成有第一氮化硅光波导104，在第二衬底200正面上形成有锗外延层202，本实施例中，为了便于理解，将锗外延层202与第二衬底200接触的表面称为锗外延层202的正面，与正面相对的表面称为锗外延层202的背面，在锗外延层202的背面形成光电探测器。本实施例中，可以在台阶结构的表面形成有刻蚀阻挡层220，即在锗外延层202和包覆层102的表面形成刻蚀阻挡层220。
本实施例中，锗外延层背面上形成有光电探测器，可以为，锗外延层202形成有源漏区212、222，源漏区212、222上形成有介质层206，该介质层206覆盖锗外延层202和第二氮化硅光波导210，介质层206中形成有源漏区212、222的金属接触，参考图13所示。
本实施例中，者外延层202包括第一部分、第二部分和第三部分，锗外延层202背面上形成有光电探测器，还可以为，锗外延层202的第一部分形成有第一掺杂材料层232，锗外延层202的第二部分形成有第二掺杂材料层234，第一部分和第二部分之间的第三部分未进行掺杂，为本征材料层，覆盖锗外延层202以及第二氮化硅光波导210的介质层206，介质层206中形成有第一掺杂材料层232的第一金属接触242、本征材料层的第二金属接触244以及第二掺杂材料层234的第三金属接触246，参考图14所示。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处。尤其，对于结构实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何的简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
Claims (10)
1.一种波导型光电探测器的制造方法，其特征在于，包括：
提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底正面上的包覆层，形成于所述包覆层中的第一氮化硅光波导，所述第二衬底正面上的锗外延层；
进行所述第一衬底和所述第二衬底的正面键合，从所述第二衬底的背面进行减薄，以暴露所述锗外延层；
刻蚀所述锗外延层，形成台阶结构，在所述台阶结构的侧壁形成第二氮化硅光波导；
在所述锗外延层上形成光电探测器。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述锗外延层上形成光电探测器，具体包括：
对所述锗外延层进行掺杂，以在所述锗外延层中形成源漏区；
沉积介质材料，以形成覆盖所述锗外延层以及所述第二氮化硅光波导的介质层；
刻蚀所述介质层形成暴露所述源漏区的接触孔，在所述接触孔中填充金属材料，以形成所述源漏区的金属接触。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述锗外延层包括第一部分和第二部分；
在所述锗外延层上形成光电探测器，具体包括：
在所述锗外延层的第一部分形成第一掺杂材料层；
在所述锗外延层的第二部分形成第二掺杂材料层；
沉积介质材料，形成覆盖所述锗外延层和所述第二氮化硅光波导的介质层；
刻蚀所述介质层形成暴露所述第一掺杂材料层的第一接触孔以及暴露所述第二掺杂材料层的第二接触孔；
在所述第一接触孔中填充金属材料，以形成所述第一掺杂材料层的金属接触，在所述第二接触孔中填充金属材料，以形成所述第二掺杂材料层的金属接触。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蚀所述锗外延层，形成台阶结构之后，在所述台阶结构的侧壁形成第二氮化硅光波导之前，还包括：
在所述台阶结构的表面形成刻蚀阻挡层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层包括二氧化硅层和非晶硅层。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述锗外延层，形成台阶结构，在所述台阶结构的侧壁形成第二氮化硅光波导，包括：
刻蚀所述锗外延层，形成台阶结构；
沉积氮化硅层，以填充所述台阶结构，对所述氮化硅层进行平坦化工艺，直至露出所述刻蚀阻挡层；
刻蚀所述氮化硅层，以在所述台阶结构的侧壁形成第二氮化硅光波导。
7.一种波导型光电探测器，其特征在于，包括：
键合的第一衬底和第二衬底，所述第一衬底正面上的包覆层，形成于所述包覆层中的第一氮化硅光波导，所述第二衬底正面上的锗外延层，所述锗外延层相对于所述包覆层为台阶结构；
所述台阶结构的侧壁形成有第二氮化硅光波导；
所述锗外延层上形成有光电探测器。
8.根据权利要求7所述的光电探测器，其特征在于，所述锗外延层上形成有光电探测器，具体包括：
所述锗外延层中的源漏区；
覆盖所述锗外延层和所述第二氮化硅光波导的介质层；
所述介质层中形成有所述源漏区的金属接触。
9.根据权利要求7所述的光电探测器，其特征在于，所述锗外延层包括第一部分和第二部分；
所述锗外延层上形成有光电探测器，具体包括：
所述锗外延层的第一部分形成有第一掺杂材料层；
所述锗外延层的第二部分形成有第二掺杂材料层；
覆盖所述锗外延层和所述第二氮化硅光波导的介质层；
所述介质层中形成有所述第一掺杂材料层的金属接触以及所述第二掺杂材料层的金属接触。
10.根据权利要求7所述的光电探测器，其特征在于，所述台阶结构的表面形成有刻蚀阻挡层。
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