CN112185997A - 显示设备 - Google Patents

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朴埈亨
辛在敏
金相佑
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Abstract

提供了一种显示设备，所述显示设备包括：基底，具有岛和从岛的端部沿不同方向延伸且连接到不同岛的多个连接部；显示区域，设置在岛上且包括连接到共电极的显示元件；共电压电源线，设置在岛上且设置在从岛延伸的多个连接部中的至少一个第一连接部上；以及至少一个接触部，设置在至少一个第一连接部上，其中，至少一个接触部连接到共电极和共电压电源线。

Description

显示设备
本申请要求于2019年7月5日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0081523号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及显示设备，更具体地，涉及可伸展的显示设备。
背景技术
平板显示设备是用于使人们能够观看内容(例如，静止图像和运动图像、文本等)的电子观看技术。平板显示设备比传统的阴极射线管电视机和视频显示器轻得多、薄得多且使用小的功率。平板显示设备可以包括液晶显示器、发光二极管显示器、有机发光二极管显示器、等离子体显示器、电致发光面板和量子点发光二极管显示器。
然而，平板显示设备通常是刚性的且如果弯曲会被损坏。柔性显示设备可以折叠或卷曲而不被损坏。可伸展的显示设备也可以变换成各种形状而不被损坏。
发明内容
公开的至少一个示例性实施例提供了一种具有可伸展的或可变形的形状的显示设备。
根据发明构思的示例性实施例，提供了一种显示设备，该显示设备包括：基底，具有岛和从岛的端部沿不同方向延伸且连接到不同的岛的多个连接部；显示区域，设置在岛上且包括连接到共电极的显示元件；共电压电源线，设置在岛上且设置在从岛延伸的多个连接部中的至少一个第一连接部上；以及至少一个接触部，设置在至少一个第一连接部上，其中，至少一个接触部连接到共电极和共电压电源线。
在实施例中，显示设备还包括设置在岛中的至少一个上的驱动电压电源线，其中，驱动电压电源线设置在与设置有共电压电源线的层不同的层上。
在实施例中，驱动电压电源线设置在至少一个第一连接部上，并且布置为与共电压电源线叠置。
在实施例中，共电压电源线的宽度比驱动电压电源线的宽度大。
在实施例中，显示设备还包括：薄膜晶体管，设置在岛上且连接到显示元件；以及无机保护层，设置在薄膜晶体管与显示元件之间，其中，无机保护层在无机接触区域中直接接触共电极，并且无机接触区域设置为围绕显示区域。
在实施例中，至少一个接触部设置在无机接触区域外部。
在实施例中，显示设备还包括：封装层，具有有机封装层、设置在有机封装层下方的第一无机封装层和设置在有机封装层上的第二无机封装层，其中，有机封装层与显示区域叠置，并且第一无机封装层和第二无机封装层在无机接触区域中彼此接触。
在实施例中，第一无机封装层和第二无机封装层形成在基底上，并且第一无机封装层和第二无机封装层在多个连接部上彼此接触。
在实施例中，基底包括在岛周围穿透基底的多个通孔，并且第一无机封装层和第二无机封装层至少部分地设置在多个通孔的侧表面上。
在实施例中，显示设备还包括设置在显示元件下方的至少一个无机绝缘层，其中，至少一个无机绝缘层包括与多个连接部中的每个的至少一部分对应的开口区域，并且开口区域被至少一个有机材料层填充。
在实施例中，接触部设置在至少一个无机绝缘层上。
在实施例中，显示设备还包括设置在岛和多个连接部中的至少一个上的驱动电压电源线，其中，驱动电压电源线设置在与设置有共电压电源线的层相同的层上。
在实施例中，共电压电源线的宽度比驱动电压电源线的宽度大。
在实施例中，显示设备还包括：驱动电压电源线，设置在岛上且设置在多个连接部中的至少一个第二连接部上，至少一个第二连接部在与至少一个第一连接部延伸所沿的方向不同的方向上延伸，其中，共电压电源线在显示区域中与驱动电压电源线交叉。
在实施例中，显示设备还包括：上扫描线，设置在多个连接部中的至少一个第二连接部上，至少一个第二连接部在与至少一个第一连接部延伸所沿的方向不同的方向上延伸；以及下扫描线，设置在岛上，其中，上扫描线和下扫描线设置在彼此不同的层中，并且经由设置在至少一个第二连接部中的接触孔彼此连接。
在实施例中，显示设备还包括设置在至少一个第一连接部上的多条数据线，其中，多条数据线和上扫描线设置在同一层上。
根据发明构思的示例性实施例，提供了一种显示设备，该显示设备包括：基底，具有彼此分隔开的多个岛、连接多个岛的多个连接部以及在多个连接部之间穿透基底的多个通孔；多个显示区域，分别设置在多个岛上，每个显示区域包括：有机发光二极管；以及封装层，气密地密封多个显示区域中的每个，其中，多个连接部中的一个包括共电压电源线和接触部，接触部连接到多个岛中的一个的多个显示区域中的一个的一个有机发光二极管的共电极和共电压电源线。
在实施例中，显示设备还包括设置在共电极与共电压电源线之间的接触部中的接触电极，其中，接触电极包括与有机发光二极管的像素电极的材料相同的材料。
在实施例中，显示设备还包括设置在一个岛上和多个连接部的部分上的驱动电压电源线，其中，驱动电压电源线设置在与设置共电压电源线的层不同的层上。
在实施例中，驱动电压电源线设置为与共电压电源线的至少一部分叠置。
在实施例中，一个显示区域还包括：薄膜晶体管，连接到有机发光二极管；以及无机保护层，设置在薄膜晶体管与有机发光二极管之间，其中，无机保护层在无机接触区域中直接接触共电极，并且无机接触区域围绕一个显示区域。
在实施例中，封装层包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，并且第一无机封装层和第二无机封装层在无机接触区域中彼此直接接触。
根据发明构思的示例性实施例，提供了一种显示设备，该显示设备包括：基底，包括在第一方向上彼此分隔开的第一对岛和在第一方向上彼此分隔开的第二对岛，第一对与第二对在与第一方向不同的第二方向上分隔开，其中，每个岛包括：显示区域，包括至少一个显示元件；多个连接部，包括连接第一对岛的第一连接部、连接第二对岛的第二连接部、连接每对的第一岛的第三连接部以及连接每对的第二岛的第四连接部；以及无机层，完全地围绕显示区域中的每个。
在示例性实施例中，显示设备包括：第一电源线，用于将第一电源电压传输到多个岛中的一个的多个显示区域中的一个，第一电源线设置在连接到一个岛的一端的多个连接部中的一个连接部上和连接到一个岛的另一端的附加连接部上；以及第二电源线，用于将与第一电源电压不同的第二电源电压传输到一个显示区域，第二电源线设置在一个连接部和附加连接部上。
在示例性实施例中，显示设备包括：第一电源线，用于将第一电源电压传输到多个岛中的一个的多个显示区域中的一个，第一电源线设置在连接到一个岛的第一端的连接部中的一个连接部上和连接到一个岛的与第一端相对的第二端的第一附加连接部上；以及第二电源线，用于将与第一电源电压不同的第二电源电压传输到一个显示区域，第二电源线设置在连接到一个岛的第三端的第二附加连接部上和连接到一个岛的与第三端相对的第四端的第三附加连接部上。
附图说明
通过下面结合附图的描述，以上公开将更加清楚，在附图中：
图1是根据公开的示例性实施例的显示设备的示意性平面图；
图2是图1的区域A的示例的示意性平面图；
图3A和3B是根据公开的示例性实施例的显示设备的任意一个像素的等效电路图；
图4是根据公开的示例性实施例的显示设备的基底的基本单元的示意性平面图；
图5是沿着图4的线I-I′截取的示意性剖视图；
图6是根据公开的示例性实施例的显示设备的示意性剖视图；
图7是根据公开的示例性实施例的显示设备的示意性剖视图；
图8是根据公开的示例性实施例的显示设备的示意性剖视图；
图9是根据公开的示例性实施例的显示设备的示意性平面图；以及
图10是可应用于公开的实施例的信号线的示意性平面图。
具体实施方式
现在将详细参照公开的示例性实施例，附图中示出了公开的示例，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于在此所阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图描述实施例以解释本描述的多个方面。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
在以下描述中，以单数使用的表达包含复数的表达，除非它在上下文中具有明显不同的含义。
在以下描述中，将理解的是，当诸如层、膜、区域或板的组件被称为“在”另一组件“上”时，所述组件可以直接在所述另一组件上，或者可以在所述另一组件上存在中间组件。
当可以不同地实施某一实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
在以下描述中，将理解的是，当层、区域或组件被称为“连接到”另一层、区域或组件时，所述层、区域或组件可以直接连接到所述另一层、区域或组件，或者经由中间层、区域或组件间接连接到所述另一层、区域或组件。例如，在本说明书中，当层、区域或组件被称为电连接到另一层、区域或组件时，所述层、区域或组件可以直接电连接到所述另一层、区域或组件，或者经由中间层、区域或组件间接电连接到所述另一层、区域或组件。
图1是根据公开的示例性实施例的显示设备10的示意性平面图。图2是图1的区域A的示例的示意性平面图。
参照图1，根据公开的示例性实施例的显示设备10包括基底100和设置在基底100上的多个显示单元200(例如，显示区域)。
基底100可以包括各种材料。例如，基底100可以包括玻璃、金属或其他有机材料。
在可选的实施例中，基底100可以包括柔性材料。例如，基底100可以包括可弯曲的、可折叠的或可卷曲的材料。用于形成基底100的柔性材料可以是超薄玻璃、金属或塑料。当基底100包括塑料时，基底100可以包括聚酰亚胺PI。在另一示例中，基底100可以包括另一种类型的塑料材料。
基底100包括彼此分开的多个岛101、将岛101彼此连接的多个连接部102以及在连接部102之间穿透基底100的多个通孔V(气泡、空隙、空间等)。
岛101布置成彼此分开或分隔开。例如，岛101在第一方向X和与第一方向X不同的第二方向Y上重复地布置，形成平坦网格图案。在示例中，第一方向X和第二方向Y是彼此垂直的方向。在另一示例中，第一方向X和第二方向Y形成钝角或锐角。
显示单元200布置在岛101上。显示单元200可以包括至少一个显示元件以提供可见光线或图像。
连接部102将岛101彼此连接。在示例性实施例中，岛101中的每个连接到四个连接部102。在示例性实施例中，岛101的四个连接部102在彼此不同的方向上延伸，从而围绕一个岛101。例如，四个连接部102中的第一连接部可以连接到一个岛101的第一端，四个连接部102中的第二连接部可以连接到所述一个岛101的与第一端相对的第二端，四个连接部102中的第三连接部可以连接到所述一个岛101的第三端，四个连接部102中的第四连接部可以连接到所述一个岛101的与第三端相对的第四端。例如，四个连接部102可以形成辐条(spoke)。岛101和连接部102中的至少部分可以由相同的材料连续地形成。岛101可以与连接部102一体地形成。
通孔V通过穿透基底100形成。通孔V可以提供岛101之间的分离区域，从而减小基底100的重量且增强基底100的柔性。另外，当基底100弯曲、折叠或卷曲时，由于通孔V的形状改变，因此容易减少基底100的变形期间应力的产生，因此，可以防止基底100的异常变形且可以改善基底100的耐久性。因此，可以在显示设备10的使用期间改善用户便利性，具体地，显示设备10可以容易地应用于诸如智能手表的可穿戴装置。
通孔V可以通过诸如蚀刻的方法去除基底100的区域来形成，在另一示例中，通孔V可以在基底100的制造期间形成。通孔V可以使用各种方法形成在基底100中。
在以下描述中，限定作为用于形成基底100的基本单元的基本单元U，并且通过使用基本单元U来详细描述基底100的结构。
基本单元U可以在第一方向X和第二方向Y上重复地布置。换句话说，基底100可以被解释为通过组合在第一方向X和第二方向Y上重复地布置的基本单元U来形成。基本单元U可以包括一个岛101和连接到岛101的至少一个连接部102。例如，四个连接部102可以连接到一个岛101。
在示例性实施例中，两个相邻的基本单元U的岛101彼此分开或分隔开，两个相邻的基本单元U的连接部102可以彼此连接。包括在基本单元U中的连接部102可以指连接部102的位于基本单元U的区域中的部分区域，或者连接部102的在两个相邻的岛101之间连接两个岛101的整体。在示例性实施例中，两个相邻的岛101彼此分隔开，但经由连接部102彼此连接。
基本单元U之中的四个相邻的基本单元U在其间形成闭环CL，闭环CL可以限定作为空的空间的通孔V。作为通过去除基底100的部分区域形成的区域的通孔V可以改善基底100的柔性且减小当基底100变形时产生的应力。在示例性实施例中，连接部102具有比岛101的宽度小的宽度，因此，通孔V可以与四个基本单元U的岛101接触。例如，连接部102在第二方向Y上的宽度可以比岛101的宽度小。
基本单元U中的两个相邻的基本单元U可以彼此对称。在示例性实施例中，如图1中示出的，一个基本单元U相对于平行于第一方向X的对称轴与另一基本单元U对称，所述另一基本单元U设置为在第二方向Y上与所述一个基本单元U相邻，同时所述一个基本单元U相对于平行于第二方向Y的对称轴与又一基本单元U对称，所述又一基本单元U设置为在第一方向X上与所述一个基本单元U相邻。
另外，由连接部102延伸所沿的方向与岛101的连接部102连接到其的侧表面形成的角度θ可以是锐角。例如，当岛101具有矩形形状，并且该形状的矩形的拐角部分布置为面对第一方向X和第二方向Y时，连接部102可以在与拐角部分相邻的区域中连接到岛101，并且可以在与第二方向Y或第一方向X平行的方向上延伸。换句话说，连接到位于第一方向X上的拐角部分的连接部102可以在第二方向Y或-第二方向-Y上延伸，连接到位于第二方向Y上的拐角部分的连接部102可以在第一方向X或-第一方向-X上延伸。例如，-第一方向-X可以在与第一方向X相对的方向上，-第二方向-Y可以在与第二方向Y相对的方向上。因此，连接到一个连接部102的两个相邻的岛101的侧表面与连接部102延伸所沿的方向可以形成锐角。因此，岛101可以密集地布置，连接部102的长度可以减小，并且通孔V的尺寸可以增大。另外，如图2中示出的，基底100可以设置为具有拉伸性。
图2示出了当基底100在第一方向X和第二方向Y上拉伸时的形状。参照图2，当外力施加到基底100时，岛101的连接部102连接到其的侧表面与连接部102之间的角度θ'全部增大(θ<θ')，因此，通孔V的尺寸可以增大。因此，随着岛101之间的间隔增大，基底100可以在第一方向X和第二方向Y上拉伸，因此，基底100的形状可以在二维或三维上改变。
由于连接部102具有比岛101的宽度小的宽度，因此当外力施加到基底100时，针对增加角度θ的形状改变主要发生在连接部102中，并且即使在基底100的拉伸中，岛101的形状也可以不改变。因此，即使当基底100拉伸时，也可以稳定地保持设置在岛101上的显示单元200。因此，显示设备10可以容易地应用于需要柔性的显示设备，例如，弯曲的(例如，可弯曲的)显示设备、柔性显示设备或可伸展的显示设备。
当基底100拉伸时，应力集中在连接部102的连接到相应的岛101的侧表面的接触部上。因此，为了防止连接部102由于应力集中而撕裂，连接部102的接触部可以包括弯曲表面。
显示单元200设置有具有显示元件的像素PX以提供某一图像。每个像素PX可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。例如，每个像素PX可以包括有机发光二极管。另外，每个像素PX还可以包括诸如薄膜晶体管TFT或电容器的器件。
在示例性实施例中，像素PX表示发射如上所述的红光、绿光、蓝光和白光中的任意一种的子像素。
尽管上面描述了有机发光显示设备作为显示设备10的示例，但是公开的显示设备10不限于此。例如，显示设备10可以是液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机电致发光(EL)显示器、场发射显示器、表面传导电子发射器显示器、等离子体显示器或阴极射线显示器。
图3A和图3B是根据公开的示例性实施例的显示设备10的任意一个像素PX的等效电路图。
参照图3A，每个像素PX包括连接到扫描线SL(例如，栅极线)和数据线DL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。
像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且响应于通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst可以连接到开关薄膜晶体管T2和第一电源线PL1，并且可以存储与从开关薄膜晶体管T2接收的电压与供应到第一电源线PL1的第一电源电压(ELVDD或驱动电压)之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1可以连接到第一电源线PL1和存储电容器Cst，并且响应于存储在存储电容器Cst中的电压值，可以控制从第一电源线PL1流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有一定亮度的光。
尽管图3A示出了其中像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情况，但是公开不限于此。例如，像素电路PC可以包括附加的薄膜晶体管。
参照图3B，像素电路PC包括驱动薄膜晶体管T1和开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7。
尽管图3B示出了其中针对每个像素PX设置信号线SLn、SLn-1、EL和DL、初始化电压线VL和第一电源线PL1的情况，但是公开不限于此。在另一实施例中，信号线SLn、SLn-1、EL和DL或/和初始化电压线VL中的至少一条可以被相邻的像素PX共享。
驱动薄膜晶体管T1的漏电极经由发射控制薄膜晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED。驱动薄膜晶体管T1通过响应于开关薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm，将驱动电流供应到有机发光二极管OLED。
开关薄膜晶体管T2的栅电极连接到扫描线(例如，SLn)，并且开关薄膜晶体管T2的源电极连接到数据线DL。开关薄膜晶体管T2的漏电极连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极，并且经由操作控制薄膜晶体管T5连接到第一电源线PL1。
开关薄膜晶体管T2可以响应于通过扫描线SLn接收的扫描信号Sn导通并且可以执行开关操作以将数据信号Dm通过数据线DL传输到驱动薄膜晶体管T1的源电极。
补偿薄膜晶体管T3的栅电极连接到扫描线SLn。补偿薄膜晶体管T3的源电极连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极，并经由发射控制薄膜晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极。补偿薄膜晶体管T3的漏电极连接到存储电容器Cst的第一电极、第一初始化薄膜晶体管T4的源电极和驱动薄膜晶体管T1的栅电极。补偿薄膜晶体管T3可以响应于通过扫描线SLn接收的扫描信号Sn导通，并且可以通过将驱动薄膜晶体管T1的栅电极和漏电极彼此连接来使驱动薄膜晶体管T1二极管连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的栅电极连接到前一扫描线SLn-1。第一初始化薄膜晶体管T4的漏电极连接到初始化电压线VL。第一初始化薄膜晶体管T4的源电极连接到存储电容器Cst的第一电极、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和驱动薄膜晶体管T1的栅电极。第一初始化薄膜晶体管T4可以响应于通过前一扫描线SLn-1接收的前一扫描信号Sn-1导通，并将初始化电压VINT传输到驱动薄膜晶体管T1的栅电极，从而执行将驱动薄膜晶体管T1的栅电极的电压初始化的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管T5的栅电极连接到发射控制线EL。操作控制薄膜晶体管T5的源电极连接到第一电源线PL1。操作控制薄膜晶体管T5的漏电极连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极和开关薄膜晶体管T2的漏电极。
发射控制薄膜晶体管T6的栅电极连接到发射控制线EL。发射控制薄膜晶体管T6的源电极连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极和补偿薄膜晶体管T3的源电极。发射控制薄膜晶体管T6的漏电极可以电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6可以响应于通过发射控制线EL接收的发射控制信号EM同时地导通，并且可以将第一电源电压ELVDD传输到有机发光二极管OLED，因此驱动电流在有机发光二极管OLED中流动。
第二初始化薄膜晶体管T7的栅电极连接到前一扫描线(例如，SLn-1)。第二初始化薄膜晶体管T7的源电极连接到有机发光二极管OLED的像素电极。第二初始化薄膜晶体管T7的漏电极连接到初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7可以响应于通过前一扫描线SLn-1接收的前一扫描信号Sn-1导通，并可以将有机发光二极管OLED的像素电极初始化。
尽管图3B示出了其中第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7连接到前一扫描线SLn-1的情况，但是公开不限于此。在另一实施例中，第一初始化薄膜晶体管T4可以连接到前一扫描线SLn-1且可以由前一扫描信号Sn-1驱动，第二初始化薄膜晶体管T7可以连接到单独的信号线(例如，下一扫描线)，并且可以由传输到相应的扫描线的信号驱动。
存储电容器Cst的第二电极连接到第一电源线PL1。存储电容器Cst的第一电极连接到驱动薄膜晶体管T1的栅电极、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和第一初始化薄膜晶体管T4的源电极。
有机发光二极管OLED的共电极(例如阴极)连接到第二电源线PL2并接收第二电源电压(ELVSS或共电源电压)。有机发光二极管OLED可以通过从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流来发光。第二电源电压ELVSS可以是接地电压。第二电源电压ELVSS可以比第一电源电压ELVDD低。
因为数量和电路设计可以各种改变，所以像素电路PC不限于参照图3A和图3B描述的薄膜晶体管和存储电容器的数量以及电路设计。
图4是根据公开的示例性实施例的基本单元U的示意性平面图。图5是沿着图4的线I-I'截取的示意性剖视图。
参照图4和图5，显示单元200(例如，显示区域)和围绕显示单元200的无机接触区域ICA可以位于基本单元U的岛101上，连接部102可以包括一对第一连接部102a和一对第二连接部102b，一对第一连接部102a位于相对于岛101的相对侧处且在与第一方向X平行的方向上延伸，一对第二连接部102b位于相对于岛101的相对侧处且在与第二方向Y平行的方向上延伸。
显示单元200位于岛101上。发射例如红光、蓝光、绿光或白光的至少一个有机发光二极管OLED可以位于显示单元200内。在实施例中，有机发光二极管OLED电连接到薄膜晶体管TFT。在本实施例中，有机发光二极管OLED被描述为显示元件。然而，由于显示单元200可以包括各种类型的显示元件(诸如无机EL器件、量子点发光器件或液晶器件)，所以公开的实施例不限于此。
显示单元200均可以包括用于不同颜色的光的多个OLED。例如，如图4中示出的，一个显示单元200可以包括用于发射红色R光的OLED、用于发射绿色G光的OLED和用于发射蓝色B光的OLED。
然而，公开的实施例不限于此。在另一示例中，显示单元200中的每个可以仅包括用于发射红光、蓝光、绿光或白光的一个有机发光二极管OLED，使得显示单元200中的每个可以形成子像素。
另外，显示单元200中的有机发光二极管OLED可以根据有机发光层的材料的效率以诸如RGB法、pentile结构或蜂窝结构的各种方式布置。
在示例性实施例中，岛101上的显示单元200被无机接触区域ICA完全地围绕。例如，一个或更多个无机层可以围绕每个显示单元200。在这方面，图4示出了红色R OLED、绿色G OLED和蓝色B OLED在平面上被无机接触区域ICA完全地围绕。
在示例性实施例中，无机接触区域ICA是由包括无机材料的彼此直接接触的至少两个层形成的区域。无机接触区域ICA可以防止外部湿气侵入到设置在每个像素PX中的显示元件中。无机接触区域ICA可以沿着岛101的边缘延伸，并且像素PX可以设置在无机接触区域ICA内部。
在示例性实施例中，连接部102设置在无机接触区域ICA外部，连接到显示单元200的线设置在连接部102上。在示例性实施例中，线的全部或部分穿过连接部102。例如，电源线可以穿过连接部102使得连接部102完全地围绕电源线。
例如，用于将第一电源电压ELVDD(见图3A和图3B)传输到显示单元200的第一电源线PL1(或驱动电压电源线)和用于将第二电源电压ELVSS(见图3A和图3B)传输到显示单元200的第二电源线PL2(或共电压电源线)可以通过连接部102连接到显示单元200。
在示例性实施例中，如图4中示出的，第一电源线PL1和第二电源线PL2设置在沿第一方向X延伸的第一连接部102a中且穿过显示单元200。例如，第一电源线PL1和第二电源线PL2的部分可以与显示单元200叠置。在另一实施例中，第一电源线PL1和第二电源线PL2设置在沿第二方向Y延伸的第二连接部102b中且穿过显示单元200。在另一实施例中，第一电源线PL1设置在第一连接部102a中，第二电源线PL2设置在第二连接部102b中。例如，第一连接部102a可以完全地围绕第一电源线PL1，第二连接部102b可以完全地围绕第二电源线PL2。
如图4中示出的，第一电源线PL1和第二电源线PL2可以设置在不同的层中以便在岛101内部彼此交叉。然而，公开的实施例不限于此。在示例性实施例中，第一电源线PL1和第二电源线PL2在平面上彼此不交叉，第一电源线PL1和第二电源线PL2可以设置在同一层上。尽管图4示出了第二电源线PL2比第一电源线PL1厚，但是公开的实施例不限于此。例如，电源线PL1和PL2可以具有相同或基本上相同的厚度，或者第一电源线PL1可以比第二电源线PL2厚。
连接部102可以设置有用于将一定的电压施加到每个显示元件的共电极的共电极接触部CCNT(在下文中，称为接触部)。由于显示元件的共电极和第二电源线PL2通过接触部CCNT彼此连接，因此第二驱动电压(ELVSS)可以传输到共电极。接触部CCNT可以设置在无机接触区域ICA外部。
接触部CCNT可以设置在连接部102的第一连接部102a中。接触部CCNT可以设置在第一连接部102a两者中，或者设置在第一连接部102a的任意一个中。然而，公开的实施例不限于此。接触部CCNT可以根据第二电源线PL2的布置位置各种地变形。例如，接触部CCNT可以设置在第二连接部102b中。
在实施例中，可以针对每个基本单元U设置接触部CCNT。在另一实施例中，可以针对基本单元U周期性地设置接触部CCNT，而不是针对每一个基本单元U。
尽管在图4中未示出，但是各种信号线(例如，数据线DL和扫描线SL)可以设置在连接部102和显示单元200中。
下面参照图5描述根据公开的示例性实施例的显示设备10的堆叠结构。首先，按照堆叠顺序描述设置在岛101上的显示单元200。
缓冲层201形成在岛101上。缓冲层201可以防止杂质侵入到薄膜晶体管TFT的半导体层Act中。缓冲层201可以包括诸如氧化硅SiOx或氮化硅SiNx的无机绝缘材料，并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
像素电路PC设置在缓冲层201上。像素电路PC包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。薄膜晶体管TFT包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。尽管在本实施例中，示出了其中栅电极GE设置在半导体层Act上且栅电极GE与半导体层Act之间具有栅极绝缘层203的顶栅型，但是根据另一实施例，薄膜晶体管TFT可以是底栅型。
半导体层Act可以包括多晶硅。可选地，半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括包含铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可以包括包含上述材料的多层或单层。
半导体层Act与栅电极GE之间的栅极绝缘层203可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪的无机绝缘材料。栅极绝缘层203可以包括包含上述材料的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE可以包括表现出优良导电性的材料。源电极SE和漏电极DE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可以包括包含上述材料的多层或单层。在实施例中，源电极SE和漏电极DE可以包括Ti/Al/Ti的多层。
存储电容器Cst包括下电极CE1和上电极CE2，下电极CE1和上电极CE2彼此叠置且下电极CE1与上电极CE2之间具有第一层间绝缘层205。存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT叠置。在这方面，图5示出了薄膜晶体管TFT的栅电极GE是存储电容器Cst的下电极CE1。在另一实施例中，存储电容器Cst不与薄膜晶体管TFT叠置。存储电容器Cst被第二层间绝缘层207覆盖。
源电极SE和漏电极DE、数据线DL和第一电源线PL1设置在第二层间绝缘层207上。源电极SE和漏电极DE可以经由穿透第二层间绝缘层207、第一层间绝缘层205和栅极绝缘层203的通孔连接到半导体层Act。
第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪的无机绝缘材料。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207均可以包括包含上述材料的单层或多层。
无机保护层PVX设置在薄膜晶体管TFT、数据线DL和第一电源线PL1上。无机保护层PVX可以覆盖并保护薄膜晶体管TFT的源电极SE和漏电极DE、数据线DL和第一电源线PL1。在形成源电极SE的同一工艺中一起形成的线(未示出)会暴露在基底100的部分区域中。线的暴露部分会被用于像素电极221的图案化的蚀刻剂损坏。在图5中示出的本实施例中，由于无机保护层PVX覆盖线的至少一部分，因此可以防止线在像素电极221的图案化工艺中被损坏。
无机保护层PVX可以包括氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的单层或多层。
下平坦化层208可以设置在无机保护层PVX上。下平坦化层208可以包括诸如通用聚合物的有机绝缘材料。通用聚合物可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和它们的共混物。
在示例性实施例中，将像素电极221连接到薄膜晶体管TFT的连接金属CM设置在下平坦化层208上。在示例性实施例中，第二电源线PL2与连接金属CM设置在同一层上。连接金属CM和第二电源线PL2可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料且可以包括包含上述材料的多层或单层。第二电源线PL2可以设置为与第一电源线PL1或数据线DL部分叠置。由于设置下平坦化层208，因此线可以设置在下平坦化层208的上表面上，因此，可以改善显示单元200的密度。
在示例性实施例中，平坦化层209设置在下平坦化层208上以覆盖第二电源线PL2。平坦化层209可以包括诸如通用聚合物的有机绝缘材料。通用聚合物可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和它们的共混物。在实施例中，平坦化层209包括聚酰亚胺。
在示例性实施例中，平坦化层209具有近似平坦或完全平坦的上表面。在示例性实施例中，像素电极221形成在平坦化层209上。像素电极221可包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的导电氧化物。在另一实施例中，像素电极221可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的混合物的反射层。在另一实施例中，像素电极221还可以包括在上述反射层上或下方的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
在示例性实施例中，像素限定层211形成在像素电极221上。像素限定层211可以包括暴露像素电极221的上表面的开口211OP，同时覆盖像素电极221的边缘。因此，像素限定层211可以限定像素PX的发光区域。像素限定层211可以包括有机绝缘材料。
在示例性实施例中，中间层222设置在开口211OP中以覆盖像素电极221的暴露部分。有机发光二极管OLED的中间层222可以包括低分子量材料或聚合物材料。当包括低分子量材料时，中间层222可以具有堆叠结构，并且可以包括诸如铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)或三-8-羟基喹啉铝(Alq3)的各种有机材料，所述堆叠结构具有空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的单层或复合结构。这些层可以以真空沉积法来形成。
当中间层222包括聚合物材料时，中间层222通常可以具有包括HTL和EML的结构。在这种状态下，HTL可以包括PEDOT，EML可以包括聚苯撑乙烯撑(PPV)类和聚芴类聚合物材料。中间层222可以通过丝网印刷法、喷墨印刷法或激光诱导热成像(LITI)法形成。
中间层222不限于此且可以具有各种结构。中间层222可以包括覆盖多个像素电极221的集成层且可以包括被图案化为与像素电极221中的每个对应的层。
共电极223包括导电材料。导电材料可以具有低功函数。例如，共电极223可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的合金的(半)透明层。可选地，共电极223还可以包括位于包括上述材料的(半)透明层上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。共电极223不仅可以形成在显示区域(例如，显示单元200)中，还可以形成在非显示区域中。非显示区域可以围绕显示区域。中间层222和共电极223可以通过热沉积法形成。共电极223可以形成在基底100的整个表面上且部分地形成在通孔V的侧表面上。
用于保护共电极223的覆盖层(未示出)还可以设置在共电极223上。覆盖层可以包括氟化锂(LiF)、其他无机材料或/和有机材料。
下平坦化层208、平坦化层209和像素限定层211可以包括暴露岛101的边缘处的无机保护层PVX的无机接触孔ICH。无机接触区域ICA可以由无机接触孔ICH暴露无机保护层PVX的区域限定。
无机接触孔ICH可以由彼此连接的下平坦化层208的第一孔208H、平坦化层209的第二孔209H和像素限定层211的第三孔211H形成。因此，无机接触孔ICH的内侧表面可以形成台阶。
由于共电极223设置在无机接触孔ICH中，因此包括无机材料的无机保护层PVX和共电极223可以直接彼此接触。在示例性实施例中，无机保护层PVX的端部直接接触共电极223。由于包括有机材料的下平坦化层208、平坦化层209、像素限定层211的部分被去除，因此形成无机接触孔ICH，因此无机接触区域ICA可以防止湿气通过有机材料侵入到有机发光二极管OLED中。
接下来，下面描述设置在第一连接部102a中的一个中的堆叠结构。
设置在岛101中的缓冲层201、栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以延伸到基底100的第一连接部102a以设置在基底100的第一连接部102a中。可以被称为无机绝缘层215的缓冲层201、栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以包括无机材料。无机绝缘层215可以包括与第一连接部102a的部分对应的开口区域OA。换句话说，缓冲层201、栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207均可以具有与第一连接部102a的部分对应的开口。尽管在附图中开口被示出为具有彼此匹配的内侧表面，但是公开的实施例不限于此。例如，无机绝缘层215的形成开口区域OA的侧表面可以具有台阶。
根据公开的示例性实施例的显示设备10包括填充无机绝缘层215的开口区域OA的有机材料层202。由于基底100的第一连接部102a具有比岛101的宽度小的宽度，因此第一连接部102a可以弱于当显示设备10变形时产生的应力。
在公开的示例性实施例中，在第一连接部102a中，开口区域OA通过去除无机绝缘层215的具有高裂纹产生概率的部分来形成，有机材料层202设置在开口区域OA中，因此即使当显示设备10变形时，也可以防止或减少裂纹的产生。
在示例性实施例中，开口区域OA的宽度比第一连接部102a的长度小。换句话说，无机绝缘层215的部分可以延伸到第一连接部102a以设置在第一连接部102a中。无机绝缘层215的端部EG设置在第一连接部102a上。换句话说，缓冲层201、栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207的端部EG可以设置在第一连接部102a上。
有机材料层202可以设置为覆盖无机绝缘层215的端部EG。可选地，有机材料层202可以被理解为填充开口区域OA且延伸到无机绝缘层215的上表面以设置在无机绝缘层215的上表面上。用于将电压或信号传输到显示单元200的线PL1、PL2和WL设置在有机材料层202上。有机材料层202可以减小当线PL1、PL2和WL延伸到岛101时的高度差，并且同时地吸收会施加到线PL1、PL2和WL的应力。
有机材料层202可以包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(HMDSO)和酚醛树脂的有机绝缘材料。有机材料层202可以具有如上的有机绝缘材料的单层或多层的结构。
设置在有机材料层202上的线WL和第一电源线PL1可以包括与设置在岛101上的薄膜晶体管TFT的源电极SE或漏电极DE的材料相同的材料。可选地，设置在有机材料层202上的线WL可以包括与薄膜晶体管TFT的栅电极GE的材料相同的材料。线WL可以是用于将信号传输到像素电路PC的线。例如，线WL可以是用于将数据信号(例如，Dm)传输到像素电路PC的数据线。可选地，线WL可以是用于将扫描信号(例如，Sn)传输到像素电路PC的扫描线。线WL和第一电源线PL1可以被下平坦化层208覆盖。
第二电源线PL2可以设置在下平坦化层208上。在本实施例中，第二电源线PL2可以设置在与设置有第一电源线PL1和线WL的层不同的层上。因此，第二电源线PL2形成为与各种线WL和PL1叠置，从而改善密度。
尽管在附图中示出了一条第一电源线PL1和一条线WL，但是公开的实施例不限于此。设置在一个第一连接部102a上的第一电源线PL1和线WL可以分别包括多条第一电源线PL1和多条线WL。
第二电源线PL2被平坦化层209覆盖，平坦化层209可以包括暴露第二电源线PL2的部分(例如，上表面)的接触部CCNT。接触电极COE可以设置在接触部CCNT中。接触电极COE可以包括与像素电极221相同的材料。接触电极COE可以被引入以防止第二电源线PL2在制造工艺期间被损坏。接触电极COE可以设置在第二电源线PL2与共电极223之间。
在示例性实施例中，共电极223完全地形成在岛101和第一连接部102a上方，并且经由接触部CCNT连接到第二电源线PL2。在实施例中，共电极223通过设置在接触部CCNT中的接触电极COE连接到第二电源线PL2。在另一实施例中，共电极223直接接触第二电源线PL2。例如，可以省略接触电极COE。
在实施例中，接触部CCNT设置在从岛101延伸的诸如缓冲层201的无机绝缘层215上。换句话说，接触部CCNT可以设置在第一连接部102a上以与缓冲层201、栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和/或第二层间绝缘层207叠置。在这种情况下，当形成接触部CCNT时，与岛101的区域的高度差相对小，这在制造工艺中可以是有利的。
然而，公开的实施例不限于此。可以对接触部CCNT进行各种修改使得接触部CCNT形成在作为去除无机绝缘层215的区域的开口区域OA中。
图6是根据公开的示例性实施例的显示设备10的示意性剖视图。在图6中，附图标记与图5的附图标记相同，并且省略其冗余的描述。
参照图6，显示设备10包括具有岛101和第一连接部102a的基底100。显示元件设置在岛101上，显示元件的共电极223和第二电源线PL2连接到其的接触部CCNT设置在第一连接部102a上。另外，第一电源线PL1和第二电源线PL2在彼此不同的层上设置第一连接部102a中。
尽管图5示出了第一电源线PL1和第二电源线PL2在第一连接部102a上彼此不叠置，但是公开的实施例不限于此。如图6中示出的，第二电源线PL2与第一电源线PL1叠置。由于第二电源线PL2设置在与设置有第一电源线PL1的层不同的层上，因此第二电源线PL2的宽度W2可以比第一电源线PL1的宽度W1大。因此，可以显著地减少第二电源电压ELVSS中的电压降现象。
图7是根据发明构思的示例性实施例的显示设备10的示意性剖视图。在图7中，附图标记与图5的附图标记相同，并且省略其冗余的描述。
参照图7，显示设备10包括密封显示单元200的封装层300。封装层300可以阻挡外部氧和湿气，并且可以包括单层或多层。封装层300可以包括有机封装层和无机封装层中的至少一种。
尽管图7示出了封装层300包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及置于第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320，但是公开的实施例不限于此。在其他实施例中，有机封装层的数量、无机封装层的数量和堆叠顺序可以改变。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的至少一种无机绝缘材料，并且可以通过化学气相沉积(CVD)法形成。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。
由于第一无机封装层310根据其下的结构形成，因此如图7中示出的，第一无机封装层310的上表面不平坦。有机封装层320覆盖第一无机封装层310以具有与第一无机封装层310不同的近似平坦的上表面。在示例性实施例中，有机封装层320在与作为显示元件的有机发光二极管OLED对应的部分中具有近似平坦的上表面。另外，有机封装层320可以减小在第一无机封装层310和第二无机封装层330中产生的应力。
有机封装层320可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)、丙烯酸树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺、聚乙烯、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯或六甲基二硅氧烷。
在示例性实施例中，有机封装层320包括分别与显示单元200对应的多个单元有机封装层320u。换句话说，每个单元有机封装层320u可以设置在基底100的岛101上，而不在连接部102中。因此，由于第一无机封装层310和第二无机封装层330在单元有机封装层320u的边缘处彼此接触，因此显示单元200中的每个可以单独地封装。
由于封装层300可以包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330，因此即使当封装层300中出现裂纹时，由于多层结构，可以防止裂纹在第一无机封装层310与有机封装层320之间或者在有机封装层320与第二无机封装层330之间彼此连接。因此，可以防止或减少外部湿气或氧侵入到显示单元200中的路径的形成。另外，由于第二无机封装层330在位于单元有机封装层320u外部的边缘处接触第一无机封装层310，因此可以防止单元有机封装层320u被暴露到外部。
在示例性实施例中，单元有机封装层320u不设置在无机接触区域ICA中。由于第一无机封装层310和第二无机封装层330在无机接触区域ICA中直接彼此接触，因此作为无机材料层的无机保护层PVX、共电极223、第一无机封装层310和第二无机封装层330顺序地堆叠在无机接触区域ICA中。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以通过使用化学气相沉积(CVD)法形成在基底100的整个表面上，使得第一无机封装层310和第二无机封装层330覆盖通孔V的侧表面。
有机封装层320不设置在第一连接部102a上。因此，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以在第一连接部102a上彼此直接接触。
在公开的示例性实施例中，封装层300气密地密封显示单元200中的每个。因此，即使当显示设备10的形状变形时，也可以减小封装层300的密封性质的改变。
图8是根据公开的示例性实施例的显示设备10的示意性剖视图。在图8中，附图标记与图5的附图标记相同，并且省略其冗余的描述。
参照图8，显示设备10包括具有岛101和第一连接部102a的基底100。显示元件设置在岛101上，显示元件的共电极223和第二电源线PL2连接到其的接触部CCNT设置在第一连接部102a上。
在图8中示出的本实施例中，第一连接部102a上的第一电源线PL1、第二电源线PL2和线WL设置在同一层上。例如，第一电源线PL1、第二电源线PL2和线WL可以设置在有机材料层202上。在这种情况下，第一电源线PL1、第二电源线PL2和线WL可以包括与源电极SE相同的材料。由于第一电源线PL1、第二电源线PL2和线WL设置在同一层上，因此在本实施例中，省略下平坦化层208。在本实施例中，第二电源线PL2的宽度W2可以比第一电源线PL1的宽度W1大。
图9是根据公开的示例性实施例的显示设备10的示意性平面图。在图9中，附图标记与图4的附图标记相同，并且省略其冗余的描述。
参照图9，围绕显示单元200的无机接触区域ICA可以位于基本单元U的岛101上，连接部102可以包括第一连接部102a和第二连接部102b，第一连接部102a位于相对于岛101的相对侧处且均在与第一方向X平行的方向上延伸，第二连接部102b位于相对于岛101的相对侧处且均在与第二方向Y平行的方向上延伸。
在本实施例中，第一电源线PL1和第二电源线PL2中的一条设置在第一连接部102a中，另一条设置在第二连接部102b中。
例如，如图9中示出的，第一电源线PL1可以设置在沿第二方向Y延伸的第二连接部102b上，第二电源线PL2可以设置在沿第一方向X延伸的第一连接部102a上。可选地，第二电源线PL2可以设置在沿第二方向Y延伸的第二连接部102b上，第一电源线PL1可以设置在沿第一方向X延伸的第一连接部102a上。因此，第一电源线PL1和第二电源线PL2在显示单元200中彼此交叉。在这种情况下，第一电源线PL1和第二电源线PL2可以设置在彼此不同的层上。第一电源线PL1可以包括多条第一电源线。
图10是可应用于公开的实施例的信号线的示意性平面图。在图10中，附图标记与图4的附图标记相同，并且省略其冗余的描述。
参照图10，围绕显示单元200的无机接触区域ICA和显示单元200位于基本单元U的岛101中，连接部102包括第一连接部102a和第二连接部102b，第一连接部102a位于相对于岛101的相对侧处且均在与第一方向X平行的方向上延伸，第二连接部102b位于相对于岛101的相对侧处且均在与第二方向Y平行的方向上延伸。
多个像素电路PC1、PC2和PC3设置在岛101中。第一像素电路PC1连接到蓝色BOLED，第二像素电路PC2连接到红色R OLED，第三像素电路PC3连接到绿色G OLED，从而驱动各个OLED。
在示例性实施例中，扫描线SL从一侧处的第二连接部102b延伸，并且通过另一侧处的第二连接部102b穿过第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3到达相邻的岛。扫描线SL包括设置在彼此不同的层上的上扫描线SLa和下扫描线SLb。上扫描线SLa可以设置在第二连接部102b上且通过接触孔SCNT连接到下扫描线SLb。上扫描线SLa可以设置在有机材料层202(见图5)上。下扫描线SLb可以设置在岛101上，并且可以设置在栅极绝缘层203(见图5)或第一层间绝缘层205(见图5)上。前一扫描线SLn-1和发射控制线EL(见图3B)可以与扫描线SL平行设置。
数据线DL可以包括第一数据线DL1、第二数据线DL2和第三数据线DL3。第一数据线DL1可以连接到第一像素电路PC1，第二数据线DL2可以连接到第二像素电路PC2，第三数据线DL3可以连接到第三像素电路PC3。第一电源线PL1可以与数据线DL平行设置。数据线DL可以与图5至图8的线WL对应。数据线DL和扫描线SL可以在显示单元200中彼此交叉。
根据上述实施例中的至少一个，可以提供具有高亮度均匀性的具有可变形或可伸展的形状的显示设备。然而，公开的示例性实施例的范围不限于上述效果。
尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离发明构思的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (15)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底，包括岛和从所述岛的端部沿不同方向延伸且连接到不同的岛的多个连接部；
显示区域，设置在所述岛上且包括连接到共电极的显示元件；
共电压电源线，设置在所述岛上且设置在从所述岛延伸的所述多个连接部中的至少一个第一连接部上；以及
至少一个接触部，设置在所述至少一个第一连接部上，其中，所述至少一个接触部连接到所述共电极和所述共电压电源线。
2.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
驱动电压电源线，设置在所述岛中的至少一个上，
其中，所述驱动电压电源线设置在与设置有所述共电压电源线的层不同的层上。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，
所述驱动电压电源线设置在所述至少一个第一连接部上，并且布置为与所述共电压电源线叠置。
4.根据权利要求2所述的显示设备，其中，
所述共电压电源线的宽度比所述驱动电压电源线的宽度大。
5.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
薄膜晶体管，设置在所述岛上且连接到所述显示元件；以及
无机保护层，设置在所述薄膜晶体管与所述显示元件之间，
其中，所述无机保护层在无机接触区域中直接接触所述共电极，并且所述无机接触区域设置为围绕所述显示区域。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，
所述至少一个接触部设置在所述无机接触区域外部。
7.根据权利要求5所述的显示设备，所述显示设备还包括：
封装层，包括有机封装层、设置在所述有机封装层下方的第一无机封装层和设置在所述有机封装层上的第二无机封装层，
其中，所述有机封装层与所述显示区域叠置，并且所述第一无机封装层和所述第二无机封装层在所述无机接触区域中彼此接触。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，
所述基底包括在所述岛周围穿透所述基底的多个通孔，并且所述第一无机封装层和所述第二无机封装层至少部分地设置在所述多个通孔的侧表面上。
9.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
至少一个无机绝缘层，设置在所述显示元件下方，
其中，所述至少一个无机绝缘层包括与所述多个连接部中的每个的至少一部分对应的开口区域，并且所述开口区域被至少一个有机材料层填充，
其中，所述至少一个接触部设置在所述至少一个无机绝缘层上。
10.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
驱动电压电源线，设置在所述岛和所述多个连接部中的至少一个上，
其中，所述驱动电压电源线设置在与设置有所述共电压电源线的层相同的层上。
11.根据权利要求10所述的显示设备，其中，
所述共电压电源线的宽度比所述驱动电压电源线的宽度大。
12.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
驱动电压电源线，设置在所述岛上且设置在所述多个连接部中的至少一个第二连接部上，所述至少一个第二连接部在与所述至少一个第一连接部延伸所沿的方向不同的方向上延伸，
其中，所述共电压电源线在所述显示区域中与所述驱动电压电源线交叉。
13.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
上扫描线，设置在所述多个连接部中的至少一个第二连接部上，所述至少一个第二连接部在与所述至少一个第一连接部延伸所沿的方向不同的方向上延伸；以及
下扫描线，设置在所述岛上，
其中，所述上扫描线和所述下扫描线设置在彼此不同的层中，并且经由设置在所述至少一个第二连接部中的接触孔彼此连接。
14.根据权利要求13所述的显示设备，所述显示设备还包括：
多条数据线，设置在所述至少一个第一连接部上，
其中，所述多条数据线和所述上扫描线设置在同一层上。
15.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
接触电极，设置在所述共电极与所述共电压电源线之间的所述接触部中，
其中，所述接触电极包括与有机发光二极管的像素电极的材料相同的材料。
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