CN112171504A - 一种晶圆蚀刻背面研磨机 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种晶圆蚀刻背面研磨机,其结构包括研磨机构、覆盖盘、设备座、控制面板,研磨机构嵌固安装在设备座的右侧上端面,覆盖盘活动卡合安装在研磨机构的设备座上端右侧面镶嵌卡合连接着覆盖盘,控制面板镶固卡合安装在设备座的右侧端面,当在对晶圆进行安装时可将晶圆挤入橡胶块所组成的环状平面内,通过活动板与柔性块所形成的夹角对晶圆片形成拦截,且在晶圆片挤压橡胶块的同时会使其内部轮廓随着挤压与第二橡胶块的支撑下造成形变,对晶圆片的横向外轮廓形成包裹状。
Description
技术领域
本发明属于晶圆蚀刻领域,更具体地说,尤其是涉及到一种晶圆蚀刻背面研磨机。
背景技术
晶圆蚀刻背面研磨机是一种通过激光与放置盘略微震动相互配合与网络中断的计算结果所得相互配合匹配后对晶圆厚度进行打磨,通过对晶圆后的打磨改变厚度从而增加晶圆的精密度。
基于上述本发明人发现,现有的主要存在以下几点不足,比如:当放置盘与激光相互配合振动打磨时晶圆时,反复的振动会使部分粘合度不高的晶圆产生细微的位移振动,而在研磨的过程中晶圆细微的振动与激光照射时所产生的高温衍射,容易使高温衍射区影响到无需研磨加工的位置,从而导致晶圆精度下降。
因此需要提出一种晶圆蚀刻背面研磨机。
发明内容
为了解决上述技术当放置盘与激光相互配合振动打磨时晶圆时,反复的振动会使部分粘合度不高的晶圆产生细微的位移振动,而在研磨的过程中晶圆细微的振动与激光照射时所产生的高温衍射,容易使高温衍射区影响到无需研磨加工的位置,从而导致晶圆精度下降的问题。
本发明一种晶圆蚀刻背面研磨机的目的与功效,由以下具体技术手段所达成:其结构包括研磨机构、覆盖盘、设备座、控制面板,所述研磨机构嵌固安装在设备座的右侧上端面,所述覆盖盘活动卡合安装在研磨机构的设备座上端右侧面镶嵌卡合连接着覆盖盘,所述控制面板镶固卡合安装在设备座的右侧端面;所述研磨机构包括真空槽、安装机构、研磨机、滑轨,所述真空槽镶嵌设于滑轨的正上方,所述安装机构镶嵌卡合安装在研磨机的正上方,所述研磨机活动卡合安装在滑轨的正上方,所述滑轨通过焊接安装在研磨机的正下方。
其中,所述安装机构包括卡齿、镶嵌块、放置盘、贴合机构,所述卡齿镶嵌卡合安装在镶嵌块的上端左右两侧,所述镶嵌块内侧端面镶嵌卡合安装着贴合机构,所述放置盘位于贴合机构的正下方,所述贴合机构对称安装在卡齿的下端左右两侧,所述放置盘采用厚度较薄的透明玻璃材质制成。
其中,所述贴合机构包括转轴、橡胶块、活动板、柔性块、弹簧,所述转轴活动卡合安装着活动板,所述橡胶块镶嵌设于活动板的正上方,所述活动板右侧外端面嵌固安装着柔性块,所述柔性块镶嵌设于弹簧的右侧方,所述弹簧镶嵌卡合安装在贴合机构的内侧端面,所述柔性块的厚度从上之下逐渐扩大。
其中,所述橡胶块包括橡胶条、空气槽、镶嵌槽、渗气孔、第二橡胶块,所述橡胶条镶嵌设于空气槽的正上方,所述空气槽镶嵌卡合安装在镶嵌槽的右侧方,所述镶嵌槽嵌固安装在渗气孔的右侧方,所述渗气孔均匀分布在橡胶块的左侧内端面,所述第二橡胶块对称安装在镶嵌槽的右侧上下两端,所述第二橡胶块与橡胶块的内侧端面连接端形成镂空状凹陷层。
所述研磨机包括隔热机构、放射口、导热块、限位板、延长管,所述隔热机构镶嵌安装在放射口的正上方,所述放射口横向外侧端面镶嵌贴合连接着导热块,所述导热块对称安装在限位板的上端左右两侧,所述限位板嵌固安装在延长管的正上方,所述延长管嵌套安装在研磨机的内侧端面,所述隔热机构与放射口的连接端面处设有嵌连管。
其中,所述隔热机构包括第二导热板、镶嵌条、散热条、水槽、照射孔,所述第二导热板对称安装在照射孔的左右两端,所述镶嵌条镶嵌卡合安装在隔热机构的内侧端面,所述散热条通过焊接均匀镶嵌卡合安装在镶嵌条的上端外侧面,所述水槽环绕包裹在照射孔的外侧端面,所述照射孔镶嵌设于隔热机构的正中心,所述镶嵌条采用黄铜材质制成。
与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:
1.当在对晶圆进行安装时可将晶圆挤入橡胶块所组成的环状平面内,通过活动板与柔性块所形成的夹角对晶圆片形成拦截,且在晶圆片挤压橡胶块的同时会使其内部轮廓随着挤压与第二橡胶块的支撑下造成形变,对晶圆片的横向外轮廓形成包裹状。
2.当热量以激光柱为中心点向四周扩散延伸时,位于其外侧的水槽内的水会吸附散发的余热,随后将热量通过贴合在水槽外侧端面的第二导热板扩散蔓延至镶嵌条处,最后通过嵌固安装在镶嵌条上的散热条散发热量,避免高温热量过度炙烤晶圆片表面。
附图说明
图1为本发明一种晶圆蚀刻背面研磨机的整体结构示意图。
图2为本发明一种晶圆蚀刻背面研磨机研磨机构的结构示意图。
图3为本发明一种晶圆蚀刻背面研磨机安装机构的结构示意图。
图4为本发明一种晶圆蚀刻背面研磨机贴合机构的结构示意图。
图5为本发明一种晶圆蚀刻背面研磨机橡胶块的结构示意图。
图6为本发明一种晶圆蚀刻背面研磨机研磨器的结构示意图。
图7为本发明一种晶圆蚀刻背面研磨机导热机构的结构示意图。
图中:研磨机构-1、覆盖盘-2、设备座-3、控制面板-4、真空槽-11、安装机构-12、研磨器-13、滑轨-14、卡齿-121、镶嵌块-122、放置盘-123、贴合机构-124、转轴-241、橡胶块-242、活动板-243、柔性块-244、弹簧-245、橡胶条-421、空气槽-422、镶嵌槽-423、渗气孔-424、第二橡胶块-425、隔热机构-131、放射口-132、导热块-133、限位板-134、延长管-135、第二导热板-311、镶嵌条-312、散热条-313、水槽-314、照射孔-315。
具体实施方式
以下结合附图对本发明做进一步描述:
实施例1:
如附图1至附图5所示:
本发明提供一种晶圆蚀刻背面研磨机,其结构包括研磨机构1、覆盖盘2、设备座3、控制面板4,所述研磨机构1嵌固安装在设备座3的右侧上端面,所述覆盖盘2活动卡合安装在研磨机构1的设备座3上端右侧面镶嵌卡合连接着覆盖盘2,所述控制面板4镶固卡合安装在设备座3的右侧端面;所述研磨机构1包括真空槽11、安装机构12、研磨机13、滑轨14,所述真空槽11镶嵌设于滑轨14的正上方,所述安装机构12镶嵌卡合安装在研磨机13的正上方,所述研磨机13活动卡合安装在滑轨14的正上方,所述滑轨14通过焊接安装在研磨机13的正下方。
其中,所述安装机构12包括卡齿121、镶嵌块122、放置盘123、贴合机构124,所述卡齿121镶嵌卡合安装在镶嵌块122的上端左右两侧,所述镶嵌块122内侧端面镶嵌卡合安装着贴合机构124,所述放置盘123位于贴合机构124的正下方,所述贴合机构124对称安装在卡齿121的下端左右两侧,所述放置盘123采用厚度较薄的透明玻璃材质制成,能够将晶圆底面进行有效的暴露且对其做托起作用。
其中,所述贴合机构124包括转轴241、橡胶块242、活动板243、柔性块244、弹簧245,所述转轴241活动卡合安装着活动板243,所述橡胶块242镶嵌设于活动板243的正上方,所述活动板243右侧外端面嵌固安装着柔性块244,所述柔性块244镶嵌设于弹簧245的右侧方,所述弹簧245镶嵌卡合安装在贴合机构124的内侧端面,所述柔性块244的厚度从上之下逐渐扩大,能够通过材料间的相互挤压形成限位效果,对晶圆片进行固定。
其中,所述橡胶块242包括橡胶条421、空气槽422、镶嵌槽423、渗气孔424、第二橡胶块425,所述橡胶条421镶嵌设于空气槽422的正上方,所述空气槽422镶嵌卡合安装在镶嵌槽423的右侧方,所述镶嵌槽423嵌固安装在渗气孔424的右侧方,所述渗气孔424均匀分布在橡胶块242的左侧内端面,所述第二橡胶块425对称安装在镶嵌槽423的右侧上下两端,所述第二橡胶块425与橡胶块242的内侧端面连接端形成镂空状凹陷层,在受力挤压时可使橡胶块242向内凹陷。
本实施例的具体使用方式与作用:
本发明在使用中通过将晶圆放置于研磨机构1内的安装机构12中,通过安装机构12内的放置盘23与镶嵌块122对其进行贴合固定钩,利用控制面板4控制设备进行工作,通过带动晶圆片的振动与研磨机13的激光炙烤来将晶圆厚度进行削减,而当在对晶圆进行安装时可将晶圆挤入橡胶块242所组成的环状平面内,将活动板243向下挤压,使其以转轴241为中心支点进行摆动,在摆动的同时通过活动板243与柔性块244所形成的夹角对晶圆片形成拦截,且在晶圆片挤压橡胶块242的同时会使其内部轮廓随着挤压与第二橡胶块425的支撑下造成形变,对晶圆片的横向外轮廓形成包裹状。
实施例2:
如附图6至附图7所示:所述研磨机13包括隔热机构131、放射口132、导热块133、限位板134、延长管135,所述隔热机构131镶嵌安装在放射口132的正上方,所述放射口132横向外侧端面镶嵌贴合连接着导热块133,所述导热块133对称安装在限位板134的上端左右两侧,所述限位板134嵌固安装在延长管135的正上方,所述延长管135嵌套安装在研磨机13的内侧端面,所述隔热机构131与放射口132的连接端面处设有嵌连管,通过对激光温度衍射的区域进行限定,能够有效的解决研磨区域的精准性。
其中,所述隔热机构131包括第二导热板311、镶嵌条312、散热条313、水槽314、照射孔315,所述第二导热板311对称安装在照射孔315的左右两端,所述镶嵌条312镶嵌卡合安装在隔热机构131的内侧端面,所述散热条313通过焊接均匀镶嵌卡合安装在镶嵌条312的上端外侧面,所述水槽314环绕包裹在照射孔315的外侧端面,所述照射孔315镶嵌设于隔热机构131的正中心,所述镶嵌条312采用黄铜材质制成,当热量顺着第二导热板311传递时,可通过镶嵌条312传导至散热条313处。
本实施例的具体使用方式与作用:
本发明中当激光通过放射口132向外照射的同时,设备会控制延长管135的伸缩使隔热机构131贴合在放置盘123的下端表面将激光顺着照射孔315处向外照射,由于照射孔315的横向外轮廓由水槽314进行包裹,当热量以激光柱为中心点向四周扩散延伸时,位于其外侧的水槽内的水会吸附散发的余热,随后将热量通过贴合在水槽314外侧端面的第二导热板311扩散蔓延至镶嵌条312处,最后通过嵌固安装在镶嵌条312上的散热条313散发热量,避免高温热量过度炙烤晶圆片表面。
利用本发明所述技术方案,或本领域的技术人员在本发明技术方案的启发下,设计出类似的技术方案,而达到上述技术效果的,均是落入本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种晶圆蚀刻背面研磨机,其结构包括研磨机构(1)、覆盖盘(2)、设备座(3)、控制面板(4),所述研磨机构(1)嵌固安装在设备座(3)的右侧上端面,所述覆盖盘(2)活动卡合安装在研磨机构(1)的设备座(3)上端右侧面镶嵌卡合连接着覆盖盘(2),所述控制面板(4)镶固卡合安装在设备座(3)的右侧端面;其特征在于:
所述研磨机构(1)包括真空槽(11)、安装机构(12)、研磨机(13)、滑轨(14),所述真空槽(11)镶嵌设于滑轨(14)的正上方,所述安装机构(12)镶嵌卡合安装在研磨机(13)的正上方,所述研磨机(13)活动卡合安装在滑轨(14)的正上方,所述滑轨(14)通过焊接安装在研磨机(13)的正下方。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆蚀刻背面研磨机,所述安装机构(12)包括卡齿(121)、镶嵌块(122)、放置盘(123)、贴合机构(124),所述卡齿(121)镶嵌卡合安装在镶嵌块(122)的上端左右两侧,所述镶嵌块(122)内侧端面镶嵌卡合安装着贴合机构(124),所述放置盘(123)位于贴合机构(124)的正下方,所述贴合机构(124)对称安装在卡齿(121)的下端左右两侧。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆蚀刻背面研磨机,所述贴合机构(124)包括转轴(241)、橡胶块(242)、活动板(243)、柔性块(244)、弹簧(245),所述转轴(241)活动卡合安装着活动板(243),所述橡胶块(242)镶嵌设于活动板(243)的正上方,所述活动板(243)右侧外端面嵌固安装着柔性块(244),所述柔性块(244)镶嵌设于弹簧(245)的右侧方,所述弹簧(245)镶嵌卡合安装在贴合机构(124)的内侧端面。
4.根据权利要求3所述的一种晶圆蚀刻背面研磨机,所述橡胶块(242)包括橡胶条(421)、空气槽(422)、镶嵌槽(423)、渗气孔(424)、第二橡胶块(425),所述橡胶条(421)镶嵌设于空气槽(422)的正上方,所述空气槽(422)镶嵌卡合安装在镶嵌槽(423)的右侧方,所述镶嵌槽(423)嵌固安装在渗气孔(424)的右侧方,所述渗气孔(424)均匀分布在橡胶块(242)的左侧内端面,所述第二橡胶块(425)对称安装在镶嵌槽(423)的右侧上下两端。
5.根据权利要求2所述的一种晶圆蚀刻背面研磨机,所述研磨机(13)包括隔热机构(131)、放射口(132)、导热块(133)、限位板(134)、延长管(135),所述隔热机构(131)镶嵌安装在放射口(132)的正上方,所述放射口(132)横向外侧端面镶嵌贴合连接着导热块(133),所述导热块(133)对称安装在限位板(134)的上端左右两侧,所述限位板(134)嵌固安装在延长管(135)的正上方,所述延长管(135)嵌套安装在研磨机(13)的内侧端面。
6.根据权利要求3所述的一种晶圆蚀刻背面研磨机,所述隔热机构(131)包括第二导热板(311)、镶嵌条(312)、散热条(313)、水槽(314)、照射孔(315),所述第二导热板(311)对称安装在照射孔(315)的左右两端,所述镶嵌条(312)镶嵌卡合安装在隔热机构(131)的内侧端面,所述散热条(313)通过焊接均匀镶嵌卡合安装在镶嵌条(312)的上端外侧面,所述水槽(314)环绕包裹在照射孔(315)的外侧端面,所述照射孔(315)镶嵌设于隔热机构(131)的正中心。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113184358A (zh) * | 2021-04-26 | 2021-07-30 | 宁波财经学院 | 一种生物医药用运输装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6443824B2 (en) * | 1995-06-09 | 2002-09-03 | Applied Materials, Inc. | Fluid-pressure regulated wafer polishing head |
CN101246822A (zh) * | 2008-03-03 | 2008-08-20 | 苏州固锝电子股份有限公司 | 半导体晶片激光刻蚀开沟方法 |
CN106463383A (zh) * | 2014-07-17 | 2017-02-22 | 应用材料公司 | 用于化学机械研磨的方法、系统与研磨垫 |
CN107799433A (zh) * | 2016-09-07 | 2018-03-13 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体制造装置及其研磨模块 |
CN209681887U (zh) * | 2018-12-25 | 2019-11-26 | 苏州美法光电科技有限公司 | 一种防断裂晶圆抛光装置 |
CN110774077A (zh) * | 2019-10-21 | 2020-02-11 | 王春宏 | 一种晶圆加工减薄机 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6443824B2 (en) * | 1995-06-09 | 2002-09-03 | Applied Materials, Inc. | Fluid-pressure regulated wafer polishing head |
CN101246822A (zh) * | 2008-03-03 | 2008-08-20 | 苏州固锝电子股份有限公司 | 半导体晶片激光刻蚀开沟方法 |
CN106463383A (zh) * | 2014-07-17 | 2017-02-22 | 应用材料公司 | 用于化学机械研磨的方法、系统与研磨垫 |
CN107799433A (zh) * | 2016-09-07 | 2018-03-13 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体制造装置及其研磨模块 |
CN209681887U (zh) * | 2018-12-25 | 2019-11-26 | 苏州美法光电科技有限公司 | 一种防断裂晶圆抛光装置 |
CN110774077A (zh) * | 2019-10-21 | 2020-02-11 | 王春宏 | 一种晶圆加工减薄机 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113184358A (zh) * | 2021-04-26 | 2021-07-30 | 宁波财经学院 | 一种生物医药用运输装置 |
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Publication number | Publication date |
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Effective date of registration: 20210721 Address after: 223800 No. 11, Huzhuang group, Dulou village, Buzi Town, Sucheng District, Suqian City, Jiangsu Province Applicant after: Che Aijian Address before: 155100 north side of South Building of baiguazi market, Baoqing County, Shuangyashan City, Heilongjiang Province Applicant before: Li Shanlong |
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