CN112133733A - 显示基板及其制备方法、显示面板的贴合方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示基板及其制备方法、显示面板的贴合方法、显示装置，显示基板包括显示区和边框区，显示区包括多个拐角区，拐角区包括交替设置的拐角显示区和空白切角区；拐角显示区包括设置在基底上的复合走线层、设置在复合走线层上的驱动结构层以及设置在驱动结构层上的发光元件，复合走线层包括第一走线层、第二走线层以及设置在第一走线层和第二走线层之间的第一绝缘层，驱动结构层包括像素驱动电路和多个连接电极；第一走线层包括栅线，第二走线层包括数据线，栅线、数据线和发光元件通过多个连接电极与像素驱动电路连接。本公开有效的消除了压缩形成的褶皱，贴合时显示基板内部的金属走线和无机层不会出现断裂，提高了显示品质。
Description
技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板的贴合方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，曲面屏成为目前显示领域的一大热门。曲面屏的侧边曲面弧度能够增大显示面积，提高屏占比，给用户带来更好的感官体验。
曲面屏包括显示屏两个相对的侧边具有一定的弯曲弧度形成的双曲面屏，以及显示屏的四个侧边均具有一定的弯曲弧度形成的四曲面屏等。对于四曲面屏来说，曲面屏弯曲的边至少具有两个相邻的弯曲部，在制作时，相邻的弯曲部之间的连接部位置容易褶皱，且该连接部位置的金属走线和无机层容易出现断裂，降低了产品品质。
发明内容
本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示面板的贴合方法、显示装置，能够有效的消除压缩形成的褶皱，且贴合时显示基板内部的金属走线和无机层不会出现断裂。
本公开实施例提供了一种显示基板，包括显示区和边框区，所述显示区包括多个拐角区，多个所述拐角区中的至少一个包括交替设置的拐角显示区和空白切角区；所述拐角显示区包括设置在基底上的复合走线层、设置在所述复合走线层上的驱动结构层以及设置在所述驱动结构层上的发光元件，所述复合走线层包括第一走线层、第二走线层以及设置在所述第一走线层和第二走线层之间的第一绝缘层，所述驱动结构层包括像素驱动电路和多个连接电极；所述第一走线层包括栅线，所述第二走线层包括数据线，所述栅线、数据线和发光元件通过所述多个连接电极与所述像素驱动电路连接。
在示例性实施方式中，所述像素驱动电路包括第一晶体管，所述多个连接电极包括第一连接电极、第二连接电极和第四连接电极，所述发光元件包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和阴极之间的有机发光层；所述第一连接电极连接所述栅线和所述第一晶体管的栅电极，所述第二连接电极连接所述数据线和所述第一晶体管的源电极，所述第四连接电极连接所述阳极和所述第一晶体管的漏电极。
在示例性实施方式中，所述边框区包括电源线、第三连接电极和第五连接电极，其中：所述电源线设置在所述第一走线层或所述第二走线层上；所述第三连接电极与所述第一晶体管的源电极和漏电极同层设置；所述第五连接电极与所述阳极同层设置；所述第三连接电极连接所述电源线和所述第五连接电极，所述第五连接电极连接所述第三连接电极和所述阴极。
在示例性实施方式中，所述基底包括第一柔性材料层和设置在所述第一柔性材料层上的第一阻挡层，所述复合走线层设置在所述第一阻挡层上。
在示例性实施方式中，所述基底包括第一柔性材料层和设置在所述第一柔性材料层上的第一阻挡层、第二绝缘层和设置在所述第二绝缘层上的第二柔性材料层，所述复合走线层设置在所述第一阻挡层和所述第二绝缘层之间。
在示例性实施方式中，所述空白切角区朝向所述边框区一侧的边缘为第一圆弧，所述拐角显示区朝向所述边框区一侧的边缘为第二圆弧，所述第一圆弧和第二圆弧位于相同圆心和相同半径的圆上。
在示例性实施方式中，所述第一圆弧的弧长为18至35微米，所述第二圆弧的弧长为180至250微米。
本公开实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。
本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括显示区和边框区，所述显示区包括多个拐角区，多个所述拐角区中的至少一个包括交替设置的拐角显示区和空白切角区，所述制备方法包括：
在基底上形成复合走线层，所述拐角显示区的复合走线层包括第一走线层、第二走线层以及设置在所述第一走线层和第二走线层之间的第一绝缘层，所述第一走线层包括栅线，所述第二走线层包括数据线；
在所述复合走线层上形成驱动结构层，所述拐角显示区的驱动结构层包括像素驱动电路和多个连接电极；
在所述驱动结构层上形成发光元件，去除空白切角区的所有膜层结构，所述栅线、数据线和发光元件通过所述多个连接电极与所述像素驱动电路连接。
在示例性实施方式中，所述像素驱动电路包括第一晶体管，所述多个连接电极包括第一连接电极、第二连接电极和第四连接电极，所述发光元件包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和阴极之间的有机发光层，所述边框区包括电源线、第三连接电极和第五连接电极；
所述驱动结构层包括设置在所述复合走线层上的第二绝缘层、设置在所述第二绝缘层上的有源层、覆盖所述有源层的第三绝缘层、设置在所述第三绝缘层上的第一栅金属层、覆盖所述第一栅金属层的第四绝缘层、设置在所述第四绝缘层上的第二栅金属层、覆盖所述第二栅金属层的第五绝缘层、设置在所述第五绝缘层上的第一源漏金属层、设置在所述第一源漏金属层上的钝化层、设置在所述钝化层上的第一平坦层、设置在所述平坦层上的金属导电层、设置在所述金属导电层上的第二平坦层；
所述电源线设置在所述第一走线层或所述第二走线层上；
所述第一连接电极设置在所述第二栅金属层上，所述第一连接电极连接所述栅线和所述第一晶体管的栅电极；
所述第二连接电极和所述第三连接电极设置在所述第一源漏金属层上，所述第二连接电极连接所述数据线和所述第一晶体管的源电极；所述第三连接电极连接所述电源线和所述第五连接电极；
所述第四连接电极设置在所述金属导电层上，所述第四连接电极连接所述阳极和所述第一晶体管的漏电极；
所述第五连接电极与所述阳极同层设置，所述第五连接电极连接所述第三连接电极和所述阴极。
本公开实施例还提供了一种显示面板的贴合方法，所述显示面板包括显示区和边框区，所述显示区包括多个拐角区，多个所述拐角区中的至少一个包括交替设置的拐角显示区和空白切角区，所述贴合方法包括：
在所述显示面板朝向盖板的一侧形成光学胶层，所述光学胶层包括多个交替设置的第一扇形区和第一开口区，所述拐角显示区在所述显示面板上的正投影包含所述第一扇形区在所述显示面板上的正投影，所述第一开口区在所述显示面板上的正投影包含所述空白切角区在所述显示面板上的正投影；
在所述显示面板远离盖板的一侧贴附背膜；
通过承载膜牵引所述显示面板进行仿形；
将所述显示面板与盖板贴合，去除所述承载膜。
在示例性实施方式中，所述背膜包括多个交替设置的第二扇形区和第二开口区，所述拐角显示区在所述显示面板上的正投影包含所述第二扇形区在所述显示面板上的正投影，所述第二开口区在所述显示面板上的正投影包含所述空白切角区在所述显示面板上的正投影；所述承载膜包括多个交替设置的第三扇形区和第三开口区，所述拐角显示区在所述显示面板上的正投影包含所述第三扇形区在所述显示面板上的正投影，所述第三开口区在所述显示面板上的正投影包含所述空白切角区在所述显示面板上的正投影。
在示例性实施方式中，所述拐角显示区朝向所述边框区一侧的边缘为第二圆弧；所述第一扇形区朝向所述边框区一侧的边缘为第三圆弧，所述第三圆弧的弧长比所述第二圆弧的弧长小20微米至50微米；所述第二扇形区朝向所述边框区一侧的边缘为第四圆弧，所述第四圆弧的弧长比所述第二圆弧的弧长小20微米至50微米；所述第三扇形区朝向所述边框区一侧的边缘为第五圆弧，所述第五圆弧的弧长比所述第二圆弧的弧长小20微米至50微米。
在示例性实施方式中，所述背膜包括第四开口区，所述第四开口区在所述显示面板上的正投影包含所述拐角区在所述显示面板上的正投影；所述承载膜包括第五开口区，所述第五开口区在所述显示面板上的正投影包含所述拐角区在所述显示面板上的正投影。
本公开实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示面板的贴合方法、显示装置，通过将复合走线层设置在驱动结构层的下方，使得拐角显示区的信号走线可以从发光元件的下方走线，拐角位置的空白切角区无信号走线，在盖板贴合时，空白切角区被压缩，拐角显示区两两接触形成整体，有效的消除了压缩形成的褶皱，贴合时显示基板内部的金属走线和无机层不会出现断裂，提高了显示品质。
当然，实施本公开的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本公开的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本公开而了解。本公开实施例的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1为本公开实施例一种显示基板的平面结构示意图；
图2为图1所示显示基板的AA方向的一种横截面结构示意图；
图3为图1所示显示基板的AA方向的另一种横截面结构示意图；
图4为本公开实施例一种像素驱动电路的结构示意图；
图5为本公开实施例形成第一阻挡层之后的显示基板示意图；
图6为本公开实施例形成第一走线层之后的显示基板示意图；
图7为本公开实施例形成第二走线层之后的显示基板示意图；
图8为本公开实施例形成第二阻挡层之后的显示基板示意图；
图9为本公开实施例形成有源层之后的显示基板示意图；
图10为本公开实施例形成第一栅金属层之后的显示基板示意图；
图11为本公开实施例形成第四绝缘层之后的显示基板示意图；
图12为本公开实施例形成第二栅金属层之后的显示基板示意图；
图13为本公开实施例形成第五绝缘层之后的显示基板示意图；
图14为本公开实施例形成第一源漏金属层之后的显示基板示意图；
图15为本公开实施例形成钝化层之后的显示基板示意图；
图16为本公开实施例形成金属导电层之后的显示基板示意图；
图17为本公开实施例形成第二平坦层之后的显示基板示意图；
图18为本公开实施例形成阳极和第五连接电极之后的显示基板示意图；
图19为本公开实施例形成像素定义层之后的显示基板示意图；
图20为本公开实施例形成隔离柱之后的显示基板示意图；
图21为本公开实施例形成有机发光层和阴极之后的显示基板示意图；
图22为本公开实施例形成封装层之后的显示基板示意图；
图23为本公开实施例一种显示面板平面结构示意图；
图24为图23所示显示面板的BB方向的一种横截面结构示意图；
图25为本公开实施例一种显示面板的背膜和承载膜平面结构示意图；
图26为图23所示显示面板的BB方向的另一种横截面结构示意图；
图27为图23所示显示面板的仿形原理示意图；
图28为图23所示显示面板的贴合原理示意图。
附图标记说明:
100—显示区； 200—边框区； 101—拐角显示区；
102—空白切角区； 10—第一柔性材料层； 11—第一阻挡层；
12—栅线； 13—第一绝缘层； 14a—数据线；
14b—电源线； 15—第二阻挡层； 16—第二绝缘层；
17—有源层； 18—第三绝缘层； 19a—栅电极；
19b—第一电容电极； 20—第四绝缘层； 20a—第一过孔；
20b—第二过孔； 21a—第一连接电极； 21b—第二电容电极；
22a—第三过孔； 22b—第四过孔； 22c—第五过孔；
22d—第六过孔； 22—第五绝缘层； 23a—第二连接电极；
23b—源电极； 23c—漏电极； 23d—第三连接电极；
24—钝化层； 25—第一平坦层； 26—第四连接电极；
27—第二平坦层； 28a—阳极； 28b—第五连接电极；
29a—像素定义层； 29b—隔离层； 29c—第一坝基；
29d—第二坝基； 30—隔离柱； 31—有机发广层；
32—阴极； 33—封装层； 1—玻璃载板；
34—第七绝缘层； 35—第二柔性材料层； 2—光学胶层；
3—背膜； 4—承载膜； 5—盖板；
6—硅胶软垫； 7—显示面板； 201—第一扇形区；
202—第一开口区； 301—第二扇形区； 302—第二开口区；
401—第三扇形区； 402—第三开口区； 303—第四开口区；
403—第五开口区。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。
在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。
在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
本公开实施例提供了一种显示基板，该显示基板包括显示区和边框区，显示区包括多个拐角区，多个拐角区中的至少一个包括交替设置的拐角显示区和空白切角区；
在垂直于显示基板的平面内，拐角显示区包括设置在基底上的复合走线层、设置在复合走线层上的驱动结构层以及设置在驱动结构层上的发光元件，复合走线层包括第一走线层、第二走线层以及设置在第一走线层和第二走线层之间的第一绝缘层，驱动结构层包括像素驱动电路和多个连接电极；
第一走线层包括栅线，第二走线层包括数据线，栅线、数据线和发光元件通过多个连接电极与像素驱动电路连接。发光元件配置为出射光线，像素驱动电路配置为驱动发光元件。
本公开实施例提供的显示基板，通过将复合走线层设置在驱动结构层的下方，使得拐角显示区的信号走线可以从发光元件的下方走线，拐角位置的空白切角区无信号走线，在盖板贴合时，空白切角区被压缩，拐角显示区两两接触形成整体，有效的消除了压缩形成的褶皱，贴合时显示基板内部的金属走线和无机层不会出现断裂，提高了显示品质。
图1为本公开实施例的一种显示基板的平面结构示意图，图2为图1所示显示基板AA区的一种截面结构示意图，图3为图1所示显示基板AA区的另一种截面结构示意图。如图1、图2和图3所示，在示例性实施方式中，显示基板包括显示区100和边框区200，显示区100包括多个拐角区，多个拐角区中的至少一个包括交替设置的拐角显示区101和空白切角区102；
在垂直于显示基板的平面内，拐角显示区101包括设置在基底上的复合走线层、设置在复合走线层上的驱动结构层以及设置在驱动结构层上的发光元件，复合走线层包括第一走线层、第二走线层以及设置在第一走线层和第二走线层之间的第一绝缘层13，驱动结构层包括像素驱动电路和多个连接电极；
第一走线层包括栅线12，第二走线层包括数据线14a，栅线12、数据线14a和发光元件通过多个连接电极与像素驱动电路连接。发光元件配置为出射光线，像素驱动电路配置为驱动发光元件。
在示例性实施方式中，像素驱动电路可以包括多个薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)和存储电容，如3T1C、4T1C、5T1C、6T1C或7T1C等，本公开对此不做限定。
图4为一种像素驱动电路的等效电路示意图，示意了一种3T1C的驱动结构。如图3所示，像素驱动电路与第一扫描线GN、第二扫描线SN、数据线DN、第一电源线VDD以及补偿线SE电连接，像素驱动电路包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3和存储电容CST。在示例性实施方式中，第一晶体管T1为驱动晶体管，第二晶体管T2为开关晶体管，第三晶体管T3为补偿晶体管。在示例性实施方式中，第一晶体管T1的栅电极连接第二晶体管T2的第二极和存储电容CST的第一极，第一晶体管T1的第一极连接第一电源线VDD，第一晶体管T1的第二极连接存储电容CST的第二极以及第三晶体管T3的第二极。第二晶体管T2的栅电极连接扫描线GN，第二晶体管T2的第一极连接数据线DN。第三晶体管T3的栅电极连接第二扫描线SN，第三晶体管T3的第一极连接补偿线SE。OLED的阳极连接第一晶体管T1的第二极，OLED的阴极连接第二电源线VSS，OLED配置为响应第一晶体管T1的第二极的电流而发出相应亮度的光。在示例性实施方式中，第三晶体管T3能够响应补偿的时序提取第一晶体管T1的阈值电压Vth以及迁移率，以对阈值电压Vth进行补偿，存储电容CST配置为保持在一帧发光周期内N1节点和N2节点电压。
在一种示例性实施例中，如图2和图3所示，像素驱动电路包括第一晶体管，多个连接电极包括第一连接电极21a、第二连接电极23a和第四连接电极26，发光元件包括阳极28a、阴极32以及设置在阳极28a和阴极32之间的有机发光层31，其中，第一连接电极21a连接栅线12和第一晶体管的栅电极19a，第二连接电极23a连接数据线14a和第一晶体管的源电极23b，第四连接电极26连接阳极28a和第一晶体管的漏电极23c。
在一种示例性实施例中，如图2和图3所示，边框区200包括电源线14b、第三连接电极23d和第五连接电极28b，其中，电源线14b设置在第一走线层或第二走线层上；第三连接电极23d与第一晶体管的源电极23b和漏电极23c同层设置；第五连接电极28b与阳极28a同层设置。第三连接电极23d连接电源线14b和第五连接电极28b，第五连接电极28b连接第三连接电极23d和阴极32。
在一种示例性实施例中，如图2和图3所示，驱动结构层包括设置在复合走线层上的第二绝缘层16、设置在第二绝缘层16上的有源层17、覆盖有源层17的第三绝缘层18、设置在第三绝缘层18上的第一栅金属层、覆盖第一栅金属层的第四绝缘层20、设置在第四绝缘层20上的第二栅金属层、覆盖第二栅金属层的第五绝缘层22、设置在第五绝缘层22上的第一源漏金属层、设置在第一源漏金属层上的钝化层24、设置在钝化层24上的第一平坦层25、设置在第一平坦层25上的金属导电层、设置在金属导电层上的第二平坦层27，其中，第一连接电极21a设置在第二栅金属层上；第二连接电极23a和第三连接电极23d设置在第一源漏金属层上；第四连接电极26设置在金属导电层上。
在示例性实施方式中，如图2所示，显示基板包括：
第一柔性材料层10；
设置在第一柔性材料层10上的第一阻挡层11；
设置在第一阻挡层11上的第一走线层，第一走线层包括形成在拐角显示区101的栅线12；
设置在第一走线层上的第一绝缘层13；
设置在第一绝缘层13上的第二走线层，第二走线层包括形成在拐角显示区101的数据线14a和形成在边框区200的电源线14b；
覆盖第二走线层的第二阻挡层15；
设置在第二阻挡层15上的第二绝缘层16；
设置在第二绝缘层16上的半导体层，半导体层包括形成在拐角显示区101的有源层17；
覆盖半导体层的第三绝缘层18；
设置在第三绝缘层18上的第一栅金属层，第一栅金属层包括形成在拐角显示区101的栅电极19a；
覆盖第一栅金属层的第四绝缘层20，其上设置有暴露出栅电极19a的第一过孔20a和暴露出栅线12的第二过孔20b；
设置在第四绝缘层20上的第二栅金属层，第二栅金属层包括第一连接电极21a和第二电容电极21b，第一连接电极21a通过第一过孔20a和第二过孔20b连接栅电极19a与栅线12，第二电容电极21b与第一电容电极19b的位置相对应；
设置在第二栅金属层上的第五绝缘层22，其上设置有暴露出电源线14b的第三过孔22a、暴露出数据线14a的第四过孔22b、暴露出有源层17两端的第五过孔22c和第六过孔22d；
设置在第五绝缘层22上的第一源漏金属层，第一源漏金属层包括：形成在拐角显示区101的第二连接电极23a、源电极23b和漏电极23c，以及形成在边框区200的第三连接电极23d，源电极23b和漏电极23c通过第五过孔22c和第六过孔22d与有源层17的两端连接，第二连接电极23a通过第四过孔22b连接源电极23b和数据线14a，第三连接电极23d通过第三过孔22a连接电源线14b；
覆盖第一源漏金属层的钝化层24，第三连接电极23d上方的钝化层24被去掉；
设置在钝化层24上的第一平坦层25和金属导电层，第一平坦层25上设置有暴露出漏电极23c的第七过孔和暴露出第三连接电极23d的第一隔断，金属导电层包括第四连接电极26，第四连接电极26通过第七过孔连接漏电极23c；
设置在金属导电层上的第二平坦层27，其上设置有暴露出第四连接电极26的第七过孔和暴露出第一隔断的第二隔断；
设置在第二平坦层27上的阳极28a和第五连接电极28b，阳极28a通过第八过孔与第四连接电极26连接，第五连接电极28b与第三连接电极23d连接，且第五连接电极28b上设置有多个第九过孔；
设置在阳极28a上的像素定义层29a，像素定义层22上设置有暴露出阳极28a的像素开口；
设置在像素开口内的有机发光层31，有机发光层31与阳极28a连接；
设置在机发光层31和像素定义层22上的阴极32，阴极32与有机发光层31连接；
覆盖上述结构的封装层26。
本实施例中，基底为单层基底，包括第一柔性材料层10和设置在第一柔性材料层10上的第一阻挡层11，复合走线层设置在第一阻挡层11上。
在示例性实施方式中，如图3所示，显示基板还包括：第七绝缘层34和第二柔性材料层35，第七绝缘层34和第二柔性材料层35设置在第二走线层和第二阻挡层15之间，第二柔性材料层35设置在第七绝缘层34上。
本实施例中，基底为双层基底，包括第一柔性材料层10、设置在第一柔性材料层10上的第一阻挡层11、第七绝缘层34和设置在第七绝缘层34上的第二柔性材料层35，复合走线层设置在第一阻挡层11和第七绝缘层34之间。
在一种示例性实施例中，如图1所示，空白切角区102朝向边框区200一侧的边缘为第一圆弧，拐角显示区101朝向边框区200一侧的边缘为第二圆弧，第一圆弧和第二圆弧位于相同圆心和相同半径的圆上。
在一种示例性实施例中，第一圆弧的弧长a约为18至35微米，第二圆弧的弧长b约为180至250微米。
下面通过显示基板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“B的正投影位于A的正投影的范围之内”，是指B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。
在示例性实施方式中，如图1所示，显示基板包括显示区100和边框区200，显示区100包括主显示区和多个拐角区，拐角区包括多个拐角显示区101和多个空白切角区102，拐角显示区101和空白切角区102交替设置。显示基板的制备过程可以包括如下操作：
(1)在玻璃载板1上制备基底。在示例性实施例中，如图5所示，基底包括第一柔性材料层10和第一阻挡层11。第一柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一阻挡(Barrier)层的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高基底的抗水氧能力。
在示例性实施方式中，基底的制备过程可以包括：先在玻璃载板1上涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第一柔性(PI1)层；随后在第一柔性层上沉积一层第一阻挡薄膜，形成覆盖第一柔性层的第一阻挡(Barrier1)层。本次工艺后，边框区200、拐角显示区101和空白切角区102均包括第一柔性材料层10和第一阻挡层11。
(2)在基底上沉积第一金属薄膜，通过图案化工艺对第一金属薄膜进行图案化，形成第一走线层图案。如图6所示，第一走线层图案包括位于拐角显示区101的栅线12。本次工艺后，边框区200和空白切角区102的膜层结构没有变化，均包括第一柔性材料层10和第一阻挡层11。
(3)在形成前述图案的基底上沉积第一绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过图案化工艺对第二金属薄膜进行图案化，形成覆盖整个基底的第一绝缘层13，以及设置在第一绝缘层13上的第二走线层图案。如图7所示，第二走线层图案包括位于拐角显示区101的数据线14a和位于边框区200的电源线14b。本次工艺后，空白切角区102包括基底以及设置在基底上的第一绝缘层13。
(4)在形成前述图案的基底上沉积一层第二阻挡薄膜，形成覆盖整个基底的第二阻挡层15，如图8所示。
(5)在形成前述图案的基底上依次沉积第二绝缘薄膜和半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，形成覆盖整个基底的第二绝缘层16，以及设置在第二绝缘层16上的半导体层图案，半导体层图案至少包括位于拐角显示区101的有源层17，如图9所示。
(6)在形成前述图案的基底上依次沉积第三绝缘薄膜和第三金属薄膜，通过图案化工艺对第三金属薄膜进行图案化，形成覆盖半导体层图案的第三绝缘层18，以及设置在第三绝缘层18上的第一栅金属层图案，如图10所示，第一栅金属层图案至少包括位于拐角显示区101的栅电极19a和第一电容电极19b。
(7)在形成前述图案的基底上沉积第四绝缘薄膜，通过图案化工艺对第四绝缘薄膜进行图案化，形成包括第一过孔20a和第二过孔20b的第四绝缘层20图案，如图11所示，第一过孔20a和第二过孔20b形成在拐角显示区101，第一过孔20a内的第四绝缘层20被刻蚀掉，暴露出栅电极19a的表面。第二过孔20b内的第四绝缘层20、第三绝缘层18、第二绝缘层16、第二阻挡层15和第一绝缘层13被刻蚀掉，暴露出栅线12的表面。
(8)在形成前述图案的基底上沉积第四金属薄膜，通过图案化工艺对第四金属薄膜进行图案化，形成设置在第四绝缘层20上的第二栅金属层图案，如图12所示，第二栅金属层图案至少包括位于拐角显示区101的第一连接电极21a和第二电容电极21b，第一连接电极21a形成在第一过孔20a和第二过孔20b的上方，第一连接电极21a连接栅电极19a和栅线，第二电容电极21b的位置与第一电容电极19b的位置相对应。
(9)在形成前述图案的基底上沉积第五绝缘薄膜，通过图案化工艺对第五绝缘薄膜进行图案化，形成包括第三过孔22a、第四过孔22b、第五过孔22c和第六过孔22d的第五绝缘层22，如图13所示，第三过孔22a形成在边框区200，第四过孔22b、第五过孔22c和第六过孔22d形成在拐角显示区101，第三过孔22a内的第五绝缘层22、第四绝缘层20、第三绝缘层18、第二绝缘层16和第二阻挡层15被刻蚀掉，暴露出电源线14b的表面。第四过孔22b内的第五绝缘层22、第四绝缘层20、第三绝缘层18、第二绝缘层16和第二阻挡层15被刻蚀掉，暴露出数据线14a的表面。第五过孔22c和第六过孔22d内的第五绝缘层22、第四绝缘层20和第三绝缘层18被刻蚀掉，暴露出有源层17的两端。
(10)在形成前述图案的基底上沉积第五金属薄膜，通过图案化工艺对第五金属薄膜进行图案化，形成设置在第五绝缘层22上的第一源漏金属层图案，如图14所示，第一源漏金属层图案至少包括：形成在拐角显示区101的第二连接电极23a、源电极23b、漏电极23c以及形成在边框区200的第三连接电极23d。源电极23b通过第五过孔22c与有源层17的一端连接，漏电极23c通过第六过孔22d与有源层17的另一端连接，第二连接电极23a的一端形成在第四过孔22b的上方，第二连接电极23a的另一端与源电极23b连接，第二连接电极23a连接源电极23b和数据线14a，第三连接电极23d形成在第三过孔22a的上方，第三连接电极23d与电源线14b连接。
有源层17、栅电极19a、源电极23b和漏电极23c组成第一晶体管，第一电容电极19b和第二电容电极21b组成存储电容，第一晶体管可以是图4像素驱动电路中的驱动晶体管T1，第一存储电容可以是图4像素驱动电路中的存储电容CST。
(11)在形成前述图案的基底上沉积第六绝缘薄膜，通过图案化工艺对第六绝缘薄膜进行图案化，形成钝化层24图案，如图15所示，钝化层24至少覆盖拐角显示区101的第二连接电极23a、第一源电极23b和第一漏电极23c。边框区200第三连接电极23d上方的钝化层24被刻蚀掉，暴露出第三连接电极23d的表面。
(12)在形成前述图案的基底上涂覆第一平坦薄膜和第六金属薄膜，通过图案化工艺对第一平坦薄膜和第六金属薄膜进行图案化，形成第一平坦(PLN)层25和金属导电层图案。如图16所示，第一平坦层25上形成有第七过孔和第一隔断。第七过孔形成在拐角显示区101，第七过孔内的第一平坦层25和钝化层24被刻蚀掉，暴露出漏电极23c的表面。第一隔断形成在边框区200，第一隔断内的第一平坦层25被去掉，暴露出第三连接电极的表面。金属导电层图案包括位于拐角显示区101的第四连接电极26，第四连接电极26形成在第七过孔的上方，第四连接电极26连接漏电极23c。
(13)在形成前述图案的基底上涂覆第二平坦薄膜，通过图案化工艺对第二平坦薄膜进行图案化，形成第二平坦层27。如图17所示，第二平坦层27上形成有第八过孔和第二隔断图案，第八过孔形成在拐角显示区101，第八过孔内的第二平坦层27被刻蚀掉，暴露出第四连接电极26的表面。第二隔断形成在边框区200，第二隔断内的第二平坦层27被去掉，暴露出第一隔断的表面。
(14)在形成前述图案的基底上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成阳极28a和第五连接电极28b图案。如图18所示，阳极28a形成在拐角显示区101的第二平坦层27上，通过第八过孔与第四连接电极26连接，第五连接电极28b形成在边框区200，第五连接电极28b的一部分设置在第一隔断中，第五连接电极28b与第三连接电极23d连接，第八过孔与第一隔断之间的第五连接电极28b上开设有多个第九过孔。
(15)在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成像素定义(PDL)层29a、隔离层29b、第一坝基29c和第二坝基29d图案，利用光刻工艺去除空白切角区102的所有膜层，形成如图1所示的拐角显示区101和空白切角区102交替设置的拐角结构。如图19所示，像素定义层29a形成在拐角显示区101，其上开设有像素开口，像素开口内的像素定义薄膜被显影掉，暴露出阳极28a的表面。隔离层29b、第一坝基29c和第二坝基29d形成在边框区200，隔离层29b的一端形成在第一隔断内的第五连接电极28b上，另一端形成在第九过孔与第一隔断之间的第五连接电极28b上，第一坝基29c设置在第一隔断内的第五连接电极28b上，第二坝基29d设置在第一坝基29c远离拐角显示区101一侧的第二平坦层27上，第一坝基29c和第二坝基29d配置为形成两个隔离坝(dam)。
在示例性实施例中，空白切角区102朝向边框区200一侧的边缘为第一圆弧，拐角显示区101朝向边框区200一侧的边缘为第二圆弧，第一圆弧和第二圆弧位于相同圆心、相同半径的圆上。
在示例性实施例中，第一圆弧的弧长约为18至35微米，第二圆弧的弧长约为180至250微米。
(16)在形成前述图案的基底上涂覆有机材料薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，在边框区200形成多个隔离柱(PS)30图案。如图20所示，多个隔离柱30分别设置在第一坝基29c和第二坝基29d以及第九过孔的上方，多个第九过孔上的多个隔离柱30之间暴露出第五连接电极28b。
(17)在形成前述图案的基底上依次形成有机发光层31和阴极32，如图21所示，有机发光层31形成在拐角显示区101的像素开口内，实现有机发光层31与阳极28a连接。由于阳极28a与第四连接电极26连接，第四连接电极26与第一晶体管的第一漏电极23c连接，因而实现了有机发光层31与第一晶体管的第一漏电极23c的连接。阴极32的一部分形成在拐角显示区101的有机发光层31上，阴极32与有机发光层31连接，阴极32的另一部分形成在边框区200，阴极32包裹多个隔垫柱30，阴极32与多个隔离柱30之间暴露出的第五连接电极28b连接，由于阴极32与第五连接电极28b连接，第五连接电极28b与第三连接电极23d连接，第三连接电极23d与电源线14b连接，因而实现了阴极32与电源线14b的连接。在示例性实施方式中，有机发光层31可以包括叠设的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，阴极32可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。
(18)在形成前述图案的基础上形成封装层33，封装层33形成在边框区200和拐角显示区101，如图22所示。拐角显示区101的封装层33可以采用无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构，有机材料层设置在两个无机材料层之间，边框区200的封装层33可以采用无机材料/无机材料的叠层结构。
在示例性实施方式中，显示基板的制备过程还可以包括：通过剥离工艺将显示基板从玻璃载板1上剥离，采用滚轮贴合方式在显示基板背面(基底远离膜层的一侧表面)贴附一层背膜等等，形成的显示基板如图1和图2所示。
本公开中，第一绝缘薄膜、第二绝缘薄膜、第三绝缘薄膜、第四绝缘薄膜、第五绝缘薄膜和第六绝缘薄膜可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第二绝缘层称之为缓冲(Buffer)层，用于提高基底的抗水氧能力，第三绝缘层和第四绝缘层称之为栅绝缘(GI)层，第五绝缘层称之为层间绝缘(ILD)层。第一平坦层和第二平坦层可以采用有机材料。第一金属薄膜、第二金属薄膜、第三金属薄膜、第四金属薄膜、第五金属薄膜和第六金属薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Mo/Cu/Mo等。阴极32可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或更多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。透明导电薄膜可以采用氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO，像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。
在示例性实施方式中，图3所示显示基板的制备过程可以与前述实施例的制备过程基本上相同，所不同的是，在通过图案化工艺形成第二走线层图案图案之后，形成覆盖整个基底的第七绝缘层34和第二柔性材料层35，此时，第一柔性材料层10、第一阻挡层11、第七绝缘层34、第二柔性材料层35和第二阻挡层15构成双层基底，第一走线层12、第一绝缘层13和第二走线层设置在双层基底内。第二柔性材料层35的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第七绝缘层34的材料可以采用非晶硅(a-si)。
本公开显示基板的结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。在示例性实施方式中，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少图案化工艺，本公开在此不做限定。
通过本公开实施例的制备过程可以看出，本公开实施例中的显示基板，通过将复合走线层设置在驱动结构层的下方，使得拐角显示区101的信号走线可以从发光元件的下方走线，拐角位置的空白切角区102无信号走线，在盖板贴合时，空白切角区102被压缩，拐角显示区101两两接触形成整体，有效的消除了压缩形成的褶皱，显示基板内部的金属走线和无机层不会出现断裂，提高了显示品质。本公开示例性实施例显示基板的制备过程具有良好的工艺兼容性，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。
本公开还提供了一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括显示区和边框区，显示区包括多个拐角区，多个拐角区中的至少一个包括交替设置的拐角显示区和空白切角区；在示例性实施方式中，所述制备方法包括：
S1、在基底上形成复合走线层，拐角显示区的复合走线层包括第一走线层、第二走线层以及设置在第一走线层和第二走线层之间的第一绝缘层，第一走线层包括栅线，第二走线层包括数据线；
S2、在复合走线层上形成驱动结构层，拐角显示区的驱动结构层包括像素驱动电路和多个连接电极；
S3、在驱动结构层上形成发光元件，去除空白切角区的所有膜层结构，栅线、数据线和发光元件通过多个连接电极与像素驱动电路连接。
在示例性实施方式中，像素驱动电路包括第一晶体管，多个连接电极包括第一连接电极、第二连接电极和第四连接电极，发光元件包括阳极、阴极以及设置在阳极和阴极之间的有机发光层，边框区包括电源线、第三连接电极和第五连接电极；
驱动结构层包括设置在复合走线层上的第二绝缘层、设置在第二绝缘层上的有源层、覆盖有源层的第三绝缘层、设置在第三绝缘层上的第一栅金属层、覆盖第一栅金属层的第四绝缘层、设置在第四绝缘层上的第二栅金属层、覆盖第二栅金属层的第五绝缘层、设置在第五绝缘层上的第一源漏金属层、设置在第一源漏金属层上的钝化层、设置在钝化层上的第一平坦层、设置在平坦层上的金属导电层、设置在金属导电层上的第二平坦层；
电源线设置在第一走线层或第二走线层上；
第一连接电极设置在第二栅金属层上，第一连接电极连接栅线和第一晶体管的栅电极；
第二连接电极和第三连接电极设置在第一源漏金属层上，第二连接电极连接数据线和第一晶体管的源电极；第三连接电极连接电源线和第五连接电极；
第四连接电极设置在金属导电层上，第四连接电极连接阳极和第一晶体管的漏电极；
第五连接电极与阳极同层设置，第五连接电极连接第三连接电极和阴极。
本公开提供的显示基板的制备方法，通过将复合走线层设置在驱动结构层的下方，使得拐角显示区的信号走线可以从发光元件的下方走线，拐角位置的空白切角区无信号走线，在盖板贴合时，空白切角区被压缩，拐角显示区两两接触形成整体，有效的消除了压缩形成的褶皱，显示基板内部的金属走线和无机层不会出现断裂，提高了显示品质。本公开示例性实施例显示基板的制备过程具有良好的工艺兼容性，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。
本公开还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本公开还提供了一种显示面板的贴合方法，其中，显示面板的结构与前文所述的显示基板的结构相同。如图23至图28所示，显示面板7包括显示区100和边框区200，显示区100包括多个拐角区，多个拐角区中的至少一个包括交替设置的拐角显示区101和空白切角区102。在示例性实施方式中，所述贴合方法包括：
S1’、在显示面板7朝向盖板5的一侧形成光学胶(OCA)层2，光学胶层2包括多个交替设置的第一扇形区201和第一开口区202，拐角显示区101在显示面板7上的正投影包含第一扇形区201在显示面板7上的正投影，第一开口区202在显示面板7上的正投影包含空白切角区102在显示面板7上的正投影；
S2’、在显示面板7远离盖板5的一侧贴附背膜3；
S3’、通过承载膜4牵引显示面板7进行仿形；
S4’、将显示面板7与盖板5贴合，去除承载膜4。
在一种示例性实施方式中，背膜3包括多个交替设置的第二扇形区301和第二开口区302，拐角显示区101在显示面板7上的正投影包含第二扇形区301在显示面板7上的正投影，第二开口区302在显示面板7上的正投影包含空白切角区102在显示面板7上的正投影；
承载膜4包括多个交替设置的第三扇形区401和第三开口区402，拐角显示区101在显示面板7上的正投影包含第三扇形区401在显示面板7上的正投影，第三开口区402在显示面板7上的正投影包含空白切角区102在显示面板7上的正投影。
在一种示例性实施方式中，拐角显示区101朝向边框区200一侧的边缘为第二圆弧b；
第一扇形区201朝向边框区200一侧的边缘为第三圆弧，第三圆弧的弧长c比第二圆弧的弧长b小20微米至50微米；
第二扇形区301朝向边框区200一侧的边缘为第四圆弧，第四圆弧的弧长d比第二圆弧的弧长b小20微米至50微米；
第三扇形区401朝向边框区200一侧的边缘为第五圆弧，第五圆弧的弧长e比第二圆弧的弧长b小20微米至50微米。
本实施例中，在模组(MDL)阶段进行贴合时，为了实现柔性屏四角的可压缩，显示面板7上方的光学胶层2以及显示面板7背面的背膜3和承载膜4在四角均采用扇形设计，为避免贴合压缩时相干涉挤压，上述资材(包括显示面板7上方的光学胶层2以及显示面板7背面的背膜3和承载膜4)的扇形区宽度均较显示面板7的拐角区的扇形宽度小20至50um。光学胶层2、背膜3和承载膜4的四角结构及截面如图23和图24所示。
在另一种示例性实施方式中，背膜3包括第四开口区303，第四开口区303在显示面板7上的正投影包含拐角区在显示面板7上的正投影；
承载膜4包括第五开口区403，第五开口区403在显示面板7上的正投影包含拐角区在显示面板7上的正投影。
本实施例中，在模组阶段进行贴合时，为了实现柔性屏四角的可压缩，显示面板7上方的光学胶层2在四角采用扇形设计，光学胶层2的扇形宽度较显示面板7的拐角区的扇形宽度小20至50um。显示面板7的拐角区的下方采用无背膜设计，承载膜和背膜只贴附于主显示区(即非拐角区)，扇形区域膜层减少可使扇形之间更容易拼接于一体。光学胶层2的四角结构如图23所示，背膜3和承载膜4的四角结构如图25所示，光学胶层2、背膜3和承载膜4的截面如图26所示。
如图27所示，将上述两种方案的结构采用承载膜牵引柔性屏在硅胶软垫(Pad)6上进行仿形，仿形时四角出现压缩，扇形区域的切角区受挤压而宽度变窄，最后扇形区域的显示区两两接触形成整体。四角区域由于PI刻蚀形成的扇形结构在弯曲变形时压缩拼接，有效的消除了压缩形成的褶皱。如图28所示，将仿形状态的柔性屏与四边弯曲盖板进行贴合，实现四边弯曲全面显示。
本公开提供的显示面板的贴合方法，通过将柔性屏四角刻蚀成扇形结构，形成若干空白切角区102，在盖板贴合时，空白切角区102被压缩，拐角显示区101两两拼接形成整体，使柔性屏四角面积等于玻璃盖板四角面积。为实现无边框拼接，本公开实施例通过将数据线、栅线和电源线从显示区的像素单元的下方进行布线的方法，使相邻扇形区之间无需进行走线布线，进而实现了相邻扇形区之间的无边框拼接，增强了其显示效果。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (14)
1.一种显示基板，包括显示区和边框区，所述显示区包括多个拐角区，多个所述拐角区中的至少一个包括交替设置的拐角显示区和空白切角区；
所述拐角显示区包括设置在基底上的复合走线层、设置在所述复合走线层上的驱动结构层以及设置在所述驱动结构层上的发光元件，所述复合走线层包括第一走线层、第二走线层以及设置在所述第一走线层和第二走线层之间的第一绝缘层，所述驱动结构层包括像素驱动电路和多个连接电极；
所述第一走线层包括栅线，所述第二走线层包括数据线，所述栅线、数据线和发光元件通过所述多个连接电极与所述像素驱动电路连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述像素驱动电路包括第一晶体管，所述多个连接电极包括第一连接电极、第二连接电极和第四连接电极，所述发光元件包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和阴极之间的有机发光层；
所述第一连接电极连接所述栅线和所述第一晶体管的栅电极，所述第二连接电极连接所述数据线和所述第一晶体管的源电极，所述第四连接电极连接所述阳极和所述第一晶体管的漏电极。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述边框区包括电源线、第三连接电极和第五连接电极，其中：
所述电源线设置在所述第一走线层或所述第二走线层上；所述第三连接电极与所述第一晶体管的源电极和漏电极同层设置；所述第五连接电极与所述阳极同层设置；
所述第三连接电极连接所述电源线和所述第五连接电极，所述第五连接电极连接所述第三连接电极和所述阴极。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述基底包括第一柔性材料层和设置在所述第一柔性材料层上的第一阻挡层，所述复合走线层设置在所述第一阻挡层上。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述基底包括第一柔性材料层和设置在所述第一柔性材料层上的第一阻挡层、第二绝缘层和设置在所述第二绝缘层上的第二柔性材料层，所述复合走线层设置在所述第一阻挡层和所述第二绝缘层之间。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述空白切角区朝向所述边框区一侧的边缘为第一圆弧，所述拐角显示区朝向所述边框区一侧的边缘为第二圆弧，所述第一圆弧和第二圆弧位于相同圆心和相同半径的圆上。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第一圆弧的弧长为18至35微米，所述第二圆弧的弧长为180至250微米。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至7任一所述的显示基板。
9.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板包括显示区和边框区，所述显示区包括多个拐角区，多个所述拐角区中的至少一个包括交替设置的拐角显示区和空白切角区，所述制备方法包括：
在基底上形成复合走线层，所述拐角显示区的复合走线层包括第一走线层、第二走线层以及设置在所述第一走线层和第二走线层之间的第一绝缘层，所述第一走线层包括栅线，所述第二走线层包括数据线；
在所述复合走线层上形成驱动结构层，所述拐角显示区的驱动结构层包括像素驱动电路和多个连接电极；
在所述驱动结构层上形成发光元件，去除空白切角区的所有膜层结构，所述栅线、数据线和发光元件通过所述多个连接电极与所述像素驱动电路连接。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述像素驱动电路包括第一晶体管，所述多个连接电极包括第一连接电极、第二连接电极和第四连接电极，所述发光元件包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和阴极之间的有机发光层，所述边框区包括电源线、第三连接电极和第五连接电极；
所述驱动结构层包括设置在所述复合走线层上的第二绝缘层、设置在所述第二绝缘层上的有源层、覆盖所述有源层的第三绝缘层、设置在所述第三绝缘层上的第一栅金属层、覆盖所述第一栅金属层的第四绝缘层、设置在所述第四绝缘层上的第二栅金属层、覆盖所述第二栅金属层的第五绝缘层、设置在所述第五绝缘层上的第一源漏金属层、设置在所述第一源漏金属层上的钝化层、设置在所述钝化层上的第一平坦层、设置在所述平坦层上的金属导电层、设置在所述金属导电层上的第二平坦层；
所述电源线设置在所述第一走线层或所述第二走线层上；
所述第一连接电极设置在所述第二栅金属层上，所述第一连接电极连接所述栅线和所述第一晶体管的栅电极；
所述第二连接电极和所述第三连接电极设置在所述第一源漏金属层上，所述第二连接电极连接所述数据线和所述第一晶体管的源电极；所述第三连接电极连接所述电源线和所述第五连接电极；
所述第四连接电极设置在所述金属导电层上，所述第四连接电极连接所述阳极和所述第一晶体管的漏电极；
所述第五连接电极与所述阳极同层设置，所述第五连接电极连接所述第三连接电极和所述阴极。
11.一种显示面板的贴合方法，其特征在于，所述显示面板包括显示区和边框区，所述显示区包括多个拐角区，多个所述拐角区中的至少一个包括交替设置的拐角显示区和空白切角区，所述贴合方法包括：
在所述显示面板朝向盖板的一侧形成光学胶层，所述光学胶层包括多个交替设置的第一扇形区和第一开口区，所述拐角显示区在所述显示面板上的正投影包含所述第一扇形区在所述显示面板上的正投影，所述第一开口区在所述显示面板上的正投影包含所述空白切角区在所述显示面板上的正投影；
在所述显示面板远离盖板的一侧贴附背膜；
通过承载膜牵引所述显示面板进行仿形；
将所述显示面板与盖板贴合，去除所述承载膜。
12.根据权利要求11所述的贴合方法，其特征在于，
所述背膜包括多个交替设置的第二扇形区和第二开口区，所述拐角显示区在所述显示面板上的正投影包含所述第二扇形区在所述显示面板上的正投影，所述第二开口区在所述显示面板上的正投影包含所述空白切角区在所述显示面板上的正投影；
所述承载膜包括多个交替设置的第三扇形区和第三开口区，所述拐角显示区在所述显示面板上的正投影包含所述第三扇形区在所述显示面板上的正投影，所述第三开口区在所述显示面板上的正投影包含所述空白切角区在所述显示面板上的正投影。
13.根据权利要求12所述的贴合方法，其特征在于，所述拐角显示区朝向所述边框区一侧的边缘为第二圆弧；
所述第一扇形区朝向所述边框区一侧的边缘为第三圆弧，所述第三圆弧的弧长比所述第二圆弧的弧长小20微米至50微米；
所述第二扇形区朝向所述边框区一侧的边缘为第四圆弧，所述第四圆弧的弧长比所述第二圆弧的弧长小20微米至50微米；
所述第三扇形区朝向所述边框区一侧的边缘为第五圆弧，所述第五圆弧的弧长比所述第二圆弧的弧长小20微米至50微米。
14.根据权利要求11所述的贴合方法，其特征在于，
所述背膜包括第四开口区，所述第四开口区在所述显示面板上的正投影包含所述拐角区在所述显示面板上的正投影；
所述承载膜包括第五开口区，所述第五开口区在所述显示面板上的正投影包含所述拐角区在所述显示面板上的正投影。
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