CN112114451A - 液晶装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种液晶装置，其包括第一高分子基板、第一缓冲层、多个薄膜晶体管、液晶层、以及第二高分子基板。第一缓冲层在第一高分子基板上，第一缓冲层的材料选自由氮化硅、氧化硅、与氮氧化硅组成的群组、多个薄膜晶体管在第一缓冲层上、液晶层在多个薄膜晶体管上、第二高分子基板在液晶层上。

Description

液晶装置

技术领域

本发明涉及一种液晶装置，特别是一种可挠式液晶装置。

背景技术

可挠式电子设备是将电子元件与装置制作在可弯折(或类似于可弯曲、可拉伸、可挠)基板的新兴技术。相较于刚性电子设备，可挠式电子设备提供许多优势，包括小尺寸、成本效益、轻巧性、耐用性、可挠性与可移植性。由于此技术在电子应用中的潜在用途，包括可挠式显示器、可挠式触控面板、穿戴式电子装置等，使得此技术越来越受欢迎。

基于此技术越来越受欢迎，所以现今对可挠式液晶显示设备技术的研究和开发已经进行了广泛的研究。然而，即便如此，其仍有诸多技术缺陷尚待克服。

发明内容

有鉴于此，有必要提出一种改良式的可挠式液晶装置，以解决现有可挠式液晶显示设备所遭遇的问题。例如，在有软性基板的可挠式液晶显示设备中，因为高分子基板与玻璃载板的应力不相同，所以在高分子基板涂布烘烤后会造成玻璃翘曲影响进行后续制程。

根据本发明的一种实施例，提供一种液晶装置，其包括第一高分子基板、第一缓冲层、多个薄膜晶体管、液晶层、以及第二高分子基板。第一缓冲层在第一高分子基板上，第一缓冲层的材料选自由氮化硅、氧化硅、与氮氧化硅组成的群组。多个薄膜晶体管在第一缓冲层上。液晶层在所述多个薄膜晶体管上。第二高分子基板在液晶层上。

根据本发明实施例的可挠式液晶装置，由于利用有机高分子基板上多盖一层无机缓冲层来作为应力层之用，可使下方的玻璃载板较平坦以利后续制程。或者可利用无机缓冲层减缓水气的进入，而达到改良式的可挠式液晶装置。

附图说明

图1是本发明第一实施例的可挠式液晶装置的剖面示意图。

图2是本发明第二实施例的可挠式液晶装置的剖面示意图。

图3是本发明第三实施例的可挠式液晶装置的剖面示意图。

图4是本发明第四实施例的可挠式液晶装置的剖面示意图。

图5是本发明第五实施例的可挠式液晶装置的剖面示意图。

图6是本发明第六实施例的可挠式液晶装置，在制作过程中的半成品的剖面示意图。

附图标记说明：100-可挠式液晶装置；101-半成品；109-玻璃载板；110-第一高分子基板；111-第一高分子下基板；112-第一高分子上基板；120,1200-第一缓冲层；121-复合层；130-第二缓冲层；131-迭合层；140-第三缓冲层；150-第四缓冲层；160-薄膜晶体管；170-液晶层；180-第二高分子基板；181-第二高分子下基板；182-第二高分子上基板；190-彩色滤光片层；191-彩色滤光片；192-彩色滤光片；193-彩色滤光片。

具体实施方式

藉由参考下文中的详细说明并同时结合附图，本技术领域的技术人员可理解本发明的内容。须注意的是，考虑到附图的简洁性，并为了使本技术领域的技术人员能容易了解，附图中的特定元件并非依照实际比例绘制。此外，附图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明的范围。

本发明说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域的技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在权利要求书与下文说明书中，「包含」、「包括」及「具有」等词为开放式用语，因此其应被解释为「含有但不限定为…」的意思。

当某一部件或一膜层被称为「设置在另一部件或另一膜层上」或「连接到另一部件或另一膜层」时，可代表部件或膜层直接设置在另一部件或膜层上，或直接连接到另一部件或膜层，或者两者之间可存在其他的中介部件或膜层。相较之下，当某一部件被称为「直接设置在另一部件或膜层上」或「直接连接到另一部件或膜层」时，则两者之间不存在任何的中介部件或膜层。

根据本发明实施例的液晶装置可包括显示设备、天线装置、感测装置或拼接装置，但不以此为限。液晶装置可为可弯折或可挠式装置。本发明实施例中所提到的「可挠式装置」，是指装置可以沿着至少一弯折轴被弯曲、弯折、卷曲、挠曲或是其他类似的作动，但不限定于此。根据一些实施例，装置亦可以沿着两个以上的弯折轴被分别弯折。

在不脱离本发明的精神下，下文所描述的不同实施例中的技术特征彼此间可以被置换、重组、混合，以构成其他的实施例。

请参考图1与图2。图1是本发明第一实施例的可挠式液晶装置100的剖面示意图，图2是本发明第二实施例的可挠式液晶装置100的剖面示意图。可挠式液晶装置100包括第一高分子基板110、第一缓冲层120、多个薄膜晶体管160、液晶层170、以及第二高分子基板180。其中第一缓冲层120直接位于第一高分子基板上110，多个薄膜晶体管160位于第一缓冲层120上，亦即位于第一缓冲层120远离于第一高分子基板110的一侧。

第一高分子基板110及第二高分子基板180可以是一种有机的聚合物材料，可以经由涂布后烘烤的步骤成形。第一高分子基板110及第二高分子基板180的吸湿率(waterabsorption)通常会高于缓冲层的吸湿率。第一高分子基板110及第二高分子基板180可以是聚酰亚胺系树脂的材料，例如多孔性的透明聚酰亚胺高分子材料。

第一缓冲层120可以选用吸湿率低于第一高分子基板110及第二高分子基板180的无机含硅材料，例如选自由氮化硅、氧化硅、与氮氧化硅所组成的群组。一方面，在图1所例示的本发明第一实施例中，第一缓冲层120的材料是氮化硅材料。在图1所例示的本发明第一实施例中，第一缓冲层120的厚度d1可以由直接设置于其下方的第一高分子基板110的厚度D1来决定，而第一缓冲层120的厚度d1对第一高分子基板110的厚度D1的比值(d1/D1)可以大于0.001并小于或等于0.9[即0.001<(d1/D1)≤0.9]。举例而言，第一高分子基板110的厚度D1可以是大于或等于5微米(μm)并小于或等于45微米(μm)，也可以是大于或等于6微米并小于或等于20微米。第一缓冲层120中的氮化硅材料，可以作为应力层之用，使经过烘烤后产生翘曲现象的玻璃载板较平坦，以利后续制程。

在图2所例示的本发明第二实施例中，第一缓冲层1200的材料是氧化硅材料。第一缓冲层1200的厚度d1可以由直接设置于其下方的第一高分子基板110的厚度D1来决定，第一缓冲层1200的厚度d2对第一高分子基板110的厚度的比值(d2/D1)可以大于0.005并小于或等于0.9[即0.005<(d2/D1)≤0.9]。举例而言，第一高分子基板的厚度D1可以是大于或等于5微米并小于或等于45微米，也可以是大于或等于6微米并小于或等于20微米。第一缓冲层120中的氧化硅材料，可以作为应力层之用，使经过烘烤后产生翘曲现象的玻璃载板较平坦，以利后续制程。

多个薄膜晶体管160中包含有设置于底部的闸极、设置于闸极上的闸极介电层、设置于闸极上两侧的源/汲极、还有夹设于闸极介电层和源/汲极之间的半导体层，但本发明不限于此。

液晶层170位于第一高分子基板110与第二高分子基板180之间，藉由薄膜晶体管160的开关可以调控液晶层170中液晶分子的转向。液晶层170中的液晶材料可以包含向列型液晶、层列型液晶、胆固醇液晶等多种适合的材料，但本发明不限于此。

第二高分子基板180位于液晶层170上，也可以视为位于多个薄膜晶体管160上。本发明可另外包含直接连接设置在第二高分子基板180表面上的第四缓冲层150，第四缓冲层150位于液晶层170与第二高分子基板180之间。在一些实施例中，第四缓冲层150与液晶层170之间，还可以设置彩色滤光片层190，使得彩色滤光片层190对应薄膜晶体管160设置。彩色滤光片层190中可以包含多个彩色滤光片191、192、193，而且可以是颜色各自不同的彩色滤光片。

第四缓冲层150可以选用吸湿率低于第一高分子基板110及第二高分子基板180的无机含硅材料，例如选自由氮化硅、氧化硅、与氮氧化硅所组成的群组。在图1所例示的本发明第一实施例中，第四缓冲层150的材料可以是氮化硅材料。在图2所例示的本发明第二实施例中，第四缓冲层150的材料则可以是氧化硅材料。

在图1所例示的本发明第一实施例中，或是在图2所例示的本发明第二实施例中，第一高分子基板110及第二高分子基板180的厚度可以相同或是不同。另外，在图1所例示的本发明第一实施例中，或是在图2所例示的本发明第二实施例中，第一缓冲层120的材料及第四缓冲层150的材料，也可以是相同或是不同，另外第一缓冲层120的厚度及第四缓冲层150的厚度可以相同或是不同。

本发明第三实施例与本发明第四实施例的可挠式液晶装置100的缓冲层可以包括不同材料的复合层(composite layer)或不同材料的迭合层(stack layer)。请分别参考图3与图4。图3是本发明第三实施例的可挠式液晶装置100的剖面示意图，图4是本发明第四实施例的可挠式液晶装置100的剖面示意图。

在本发明第三实施例中，第一缓冲层120、第二缓冲层130可以选用吸湿率低于第一高分子基板110及第二高分子基板180的无机含硅材料，例如选自由氮化硅、氧化硅、与氮氧化硅所组成的群组。例如，第一缓冲层120的材料是氮化硅材料，而第二缓冲层130的材料是氧化硅材料。第一缓冲层120的材料与第二缓冲层130的材料可以是相同或是不同，又第一缓冲层120的厚度与第二缓冲层130的厚度可以是相同或是不同。在一些实施例中，缓冲层中的氮化硅层会直接接触第一高分子基板110或是第二高分子基板180。

在图3所例示的本发明第三实施例中，第一缓冲层120的厚度d3与第二缓冲层130的厚度d4所构成复合层121的总厚度(d3+d4)，可以由第一高分子基板110的厚度D1来决定，第一缓冲层120与第二缓冲层130的复合层121的总厚度(d3+d4)对第一高分子基板110的厚度D1的比值[(d3+d4)/D1]可以大于0.001并小于或等于1[即0.001<(d3+d4)/D1≤1]。举例而言，第一高分子基板110的厚度D1可以是大于或等于5微米并小于或等于45微米，也可以是大于或等于6微米并小于或等于20微米。

第一缓冲层120的厚度d3可以大于第二缓冲层130的厚度d4，或者说，氮化硅材料的厚度可以大于氧化硅材料的厚度，如此一来可以有较佳的阻绝水气效果或较大的矫正应力。第一缓冲层120的厚度d3也可以小于第二缓冲层130的厚度d4，或者说，氮化硅材料的厚度可以小于氧化硅材料的厚度，如此一来，较容易以氧化硅材料来补偿氮化硅材料的脆性，降低氮化硅材料脆裂的机会。

复合层121中的第一缓冲层120与第二缓冲层130，可以一起作为应力层之用，使经过烘烤后的玻璃载板较平坦，以利后续制程。氮化硅层直接接触高分子基板，则有利于材料性质间的匹配或强化阻水性。氧化硅层直接接触金属材料，则有利于材料性质间的匹配。在本发明的一个实施方式中，第一高分子基板110与第二高分子基板180间可以具有多个缓冲层，例如第一缓冲层120与第二缓冲层130构成的复合层121，而第二高分子基板180上可以具有单一缓冲层或复合层。第二缓冲层130可以位于第一缓冲层120与多个薄膜晶体管160之间。

在本发明第四实施例中，第一缓冲层120、第二缓冲层130可以选用吸湿率低于第一高分子基板110及第二高分子基板180的无机含硅材料，例如选自由氮化硅、氧化硅、与氮氧化硅所组成的群组。第一缓冲层120的与第二缓冲层130的材料可以是相同或是不同。例如，第一缓冲层120的材料可以是氮化硅材料与氧化硅材料的复合层，而第二缓冲层130的材料也可以是氮化硅材料与氧化硅材料的复合层，而一起形成迭合层131，或是视情况需要，再加上材料选自氮氧化硅、氮化硅或氧化硅的第三缓冲层140，来一起成为迭合层132。

如此一来，原本各为单层的无机层，在迭合在一起后成为多层结构，例如可以为氮化硅、氧化硅、氮化硅、氧化硅…这样重复排列的迭合层131、132结构。在如此重复排列的迭合层131、132结构中，重复排列的单层无机层越多，越能延长水气侵入的路径，藉此可使阻挡水气的效果提升。

在一些实施例中，迭合层131中的氮化硅层会直接设置在第一高分子基板110或是第二高分子基板180上，也就是说会直接接触第一高分子基板110或是第二高分子基板180。

在图4所例示的本发明第四实施例中，第一缓冲层120的厚度与第二缓冲层130的厚度所构成迭合层131的总厚度，可以由第一高分子基板110的厚度D1来决定。以第一缓冲层120与第二缓冲层130所构成的迭合层131为例，迭合层131的总厚度中至少有氮化硅层的厚度(d11+d12)以及氧化硅层的厚度(d21+d22)。第一缓冲层120与第二缓冲层130所构成的迭合层131的总厚度(d11+d12+d21+d22)对第一高分子基板110的厚度D1的比值[(d11+d12+d21+d22)/D1]，可以大于0.001并小于或等于1[即0.001<(d11+d12+d21+d22)/D1≤1]。举例而言，第一高分子基板110的厚度D1可以是大于或等于5微米并小于或等于45微米，也可以是大于或等于6微米并小于或等于20微米。迭合层131中的各个缓冲层，可以一起作为应力层之用，使经过烘烤后产生翘曲现象的玻璃载板较平坦，以利后续制程。当氮化硅层直接接触高分子基板时，还有利于材料性质间的匹配或强化阻水性。

在一些实施例中，第一缓冲层120的厚度、第二缓冲层130的厚度与第三缓冲层140的厚度所构成迭合层132的总厚度，可以由第一高分子基板110的厚度D1来决定，例如迭合层132的总厚度对第一高分子基板110的厚度的比值可以大于0并小于或等于1。在本发明的一个实施方式中，第二缓冲层130也可以视情况需要，是一片高分子膜，换言之，此时的第二缓冲层130可以视为另一片高分子基板。另外，第三缓冲层140的材料也可以等同于第一缓冲层120的材料，同时让第三缓冲层140介于第二缓冲层130与多个薄膜晶体管160间。

还有，在图4所例示的本发明第四实施例中，迭合层131或迭合层132的材料与第四缓冲层150的材料，可以是相同或是不同。迭合层131或迭合层132的厚度与第四缓冲层150的厚度可以相同或是不同。迭合层131或迭合层132的层迭结构与第四缓冲层150的层迭结构，可以是相同或是不同。视情况需要，第一高分子基板110与第二高分子基板180间可以具有多个缓冲层，而第二高分子基板180上可以具有单一缓冲层或多个缓冲层。

请参考图5。图5是本发明第五实施例的可挠式液晶装置100的剖面示意图。可挠式液晶装置100包括第一高分子基板110、复合层121、多个薄膜晶体管160、液晶层170、以及第二高分子基板180。在一实施例中，复合层121包含第一缓冲层120和第二缓冲层130，第一高分子基板110包含第一高分子下基板111和第一高分子上基板112，且第一高分子下基板111、第一缓冲层120、第一高分子上基板112、第二缓冲层130依序堆栈，多个薄膜晶体管160位于第二缓冲层130上。本发明第五实施例的可挠式液晶装置100，在例示中原本单层的高分子基板可变为双层或多层(其中至少一层高分子基板的厚度，可例如小于原本单层的高分子基板的厚度)，并在双层或多层的高分子基板中间，又设置一层选自氮化硅材料、氧化硅材料与氮氧化硅材料的缓冲层。当制备一层厚度较薄的高分子基板时，可以缩短涂布后烤干的时间，有利于减少暴露在环境中被掉落的粒子污染的机会。

在本发明第五实施例中，第一缓冲层120会直接接触第一高分子基板110，而夹置在第一高分子下基板111与第一高分子上基板112之间。

在图5所例示的本发明第五实施例中，第一缓冲层120的厚度d11与第二缓冲层130的厚度d12所构成复合层121的总厚度(d11+d12)，可以由第一高分子基板110的总厚度(D1+D2)来决定，第一缓冲层120与第二缓冲层130的复合层121的总厚度(d11+d12)对第一高分子基板的总厚度(D1+D2)的比值可以大于0并小于或等于1[即0<(d11+d12)/(D1+D2)≤1]。第一高分子基板的总厚度(D1+D2)可以是大于或等于5微米并小于或等于45微米，也可以是大于或等于6微米并小于或等于20微米。

第四缓冲层150会直接接触第二高分子基板180，而夹置在第二高分子下基板181与第一高分子上基板182之间。

在本发明的实施方式中，第一高分子基板110、复合层121、第二高分子基板180与第四缓冲层150之间的材料选择、厚度、层迭结构的搭配等可相同或不同，举例来说，可以使用氮化硅材料的第一缓冲层120与氧化硅材料的第二缓冲层130的复合层搭配第一高分子基板110，以及第二高分子基板180搭配第四缓冲层150都是氮化硅材料的复合层。第一高分子基板110与第二高分子基板180间可以具有多个缓冲层，且第二高分子基板180上可以具有单一缓冲层或多个缓冲层。

请参考图6。图6是本发明第六实施例的可挠式液晶装置在制作过程中的半成品101的剖面示意图。可挠式液晶装置100除了包括第一高分子基板110、第一缓冲层120、多个薄膜晶体管160、液晶层170、以及第二高分子基板180外，还有作为第一高分子基板110的载板与第二高分子基板180的载板用的玻璃载板109。

例如，可以先分别形成包含多个薄膜晶体管160、第一缓冲层120、第一高分子基板110与玻璃载板109的下元件，以及包含彩色滤光片层190、第四缓冲层150、第二高分子基板180与玻璃载板109的上元件。之后，将下元件、上元件与液晶层170结合在一起，就可以得到图6所绘示的半成品101。之后通过分离玻璃载板109的制程，例如使用激光处理高分子基板与玻璃载板109间的界面来移除半成品101中的玻璃载板109，即可以得到图1所绘示的可挠式液晶装置100。接下来，本发明各实施例中的可挠式液晶装置100还可以更进一步与背光模块(图未示)再组装在一起，即得到可挠式液晶显示设备。

所以，在上述各实施例中，可挠式液晶装置100还可以进一步具有背光模块。另外、各个上元件与下元件中还可以有开关元件、偏光板、走线等部件或层，或是可选择性包括有彩色滤光片、偏光片、遮光层、走线等部件或层，为了简洁起见，各图中并未绘示。

另外，在上述各实施例中，适用于本发明的多孔性透明聚酰亚胺高分子材料与一般现有的黄色聚酰亚胺高分子材料的外观差异例如色彩(L*a*b*值)不同。黄色聚酰亚胺高分子材料的穿透率低于多孔性透明聚酰亚胺高分子材料的穿透率。举例来说，多孔性透明聚酰亚胺高分子材料的色b*值可以小于10，色b*值例如约为1～6，而黄色聚酰亚胺高分子材料的色b*值则约大于40，有显著的差异。

上述色b*值定义为色彩空间CIE 1976(L*,a*,b*)，即(CIELAB)。CIEL*a*b*是常用的颜色模型，可以用来描述人眼可见的所有色彩，其由国际照明委员会(CommissionInternational d'Eclairage)所开发。模型中的三个参数分别表示：L*关于色彩的亮度，L*＝0表示黑色，而L*＝100表示白色；a*关于红紫色和绿色之间的位置，负值表示绿色，而正值表示红紫色；b*关于黄色和蓝色之间的位置，负值表示蓝色，而正值表示黄色。所以说，多孔性透明聚酰亚胺高分子材料的色b*值小于10，表示多孔性透明聚酰亚胺高分子材料在视觉上的黄色极浅，或是实质上透明。

传统上在可挠式液晶显示器中，因为聚酰亚胺高分子材料与玻璃载板的应力不相同，所以聚酰亚胺高分子材料涂布烘烤后，会造成玻璃载板翘曲无法进行后续制程。利用聚酰亚胺高分子材料上多盖一层无机层作为应力层，有利于使翘曲的玻璃载板较平坦，以利后续制程。或者无机层也可以达到阻隔水气的效果。

根据上述各实施例的本发明可挠式液晶装置100中，由于缓冲层可以改善玻璃载板在高分子基板涂布烤干后，因为应力造成的翘曲现象，例如从玻璃载板的最低点至玻璃载板的边缘的垂直翘曲高度可以矫正而降至0.01公厘以下，因此可以有效地提高软性基板液晶装置的产品质量。在一些实施例中，缓冲层与高分子基板的应力匹配较佳，或者缓冲层可提供较高的阻隔水气的效果，可增加可挠式液晶显示设备的可靠度或产品质量。

关于厚度的测量可使用光学显微镜(optical microscopy，OM)扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)、薄膜厚度轮廓测量仪(α-step)、椭圆测厚仪测量或其它合适的方式测量厚度。详细而言，在一些实施例中，可于移除液晶层170之后，使用扫描式电子光学显微镜取得结构的剖面影像，并测量剖面影像中的最大厚度。上述最大厚度，可为任一剖面影像中的最大厚度，换句话说，可为液晶装置局部区域中的最大厚度。

以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (14)

1.一种液晶装置，其特征在于，所述液晶装置包括：

一第一高分子基板；

一第一缓冲层，设置在所述第一高分子基板上，所述第一缓冲层的一材料选自由氮化硅、氧化硅、与氮氧化硅组成的群组；

多个薄膜晶体管，设置在所述第一缓冲层上；

一液晶层，设置在所述多个薄膜晶体管上；以及

一第二高分子基板，设置在所述液晶层上。

2.如权利要求1所述的液晶装置，其特征在于，所述第一缓冲层的一厚度对所述第一高分子基板的一厚度的一比值大于0.001并小于或等于1。

3.如权利要求2所述的液晶装置，其特征在于，所述第一高分子基板的所述厚度大于或等于5微米并小于或等于45微米。

4.如权利要求2所述的液晶装置，其特征在于，所述第一高分子基板的所述厚度大于或等于6微米并小于或等于20微米。

5.如权利要求1所述的液晶装置，其特征在于，更包括一第二缓冲层，位于所述第一缓冲层与所述多个薄膜晶体管之间，其中所述第二缓冲层的一材料选自由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、与高分子组成的群组。

6.如权利要求5所述的液晶装置，其特征在于，所述第一缓冲层的所述材料不同于所述第二缓冲层的所述材料。

7.如权利要求5所述的液晶装置，其特征在于，所述第一缓冲层与所述第二缓冲层的一总厚度对所述第一高分子基板的一厚度的一比值大于0并小于或等于1。

8.如权利要求5所述的液晶装置，其特征在于，所述第二缓冲层包括一高分子膜，且所述高分子膜的一厚度大于或等于6微米并小于或等于10微米。

9.如权利要求5所述的液晶装置，其特征在于，更包括一第三缓冲层，位于所述第二缓冲层与所述多个薄膜晶体管之间，其中所述第三缓冲层的一材料相同于所述第一缓冲层的所述材料。

10.如权利要求9所述的液晶装置，其特征在于，所述第一缓冲层、所述第二缓冲层与所述第三缓冲层的一总厚度对所述第一高分子基板的一厚度的一比值大于0并小于或等于1。

11.如权利要求1所述的液晶装置，其特征在于，更包括一第四缓冲层，位于所述第二高分子基板上，所述第四缓冲层的一材料选自由氮化硅、氧化硅、与氮氧化硅组成的群组。

12.如权利要求11所述的液晶装置，其特征在于，所述第二高分子基板在所述多个薄膜晶体管上，且所述第二高分子基板的一厚度与所述第一高分子基板的一厚度相同。

13.如权利要求11所述的液晶装置，其特征在于，所述第二高分子基板的一厚度不同于所述第一高分子基板的一厚度，且所述第四缓冲层的一厚度不同于所述第一缓冲层的一厚度。

14.如权利要求11所述的液晶装置，其特征在于，所述第一高分子基板与所述第二高分子基板间具有多个缓冲层，且所述第二高分子基板上具有单一缓冲层。

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