CN112106209B - 照明装置 - Google Patents

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Abstract

根据本发明的实施例的公开的照明装置包括：基板；设置在基板上的多个发光装置；设置在多个发光装置上的树脂层；设置在树脂层的上表面上的第一荧光体层；设置在树脂层的侧表面上的多个第二荧光体层；以及设置在第一荧光体层与第二荧光体层之间的第一遮光层。第一荧光体层和第二荧光体层可以具有不同的颜色。

Description

照明装置
技术领域
本发明的实施例涉及一种能够发出多种颜色的光的照明模块或照明装置。
背景技术
通常，与诸如荧光灯和白炽灯的常规光源相比，发光装置(例如发光二极管(LED))具有诸如低电力消耗、半永久寿命、快速响应速度、安全和环境友好的优点。这样的发光二极管被应用于各种显示装置、诸如室内灯或室外灯的各种照明装置。
近来，采用LED的灯已经被提出作为车辆光源。与白炽灯相比，LED在低电力消耗方面具有优势。由于发光装置小，因此可以增加灯的设计自由度，并且由于半永久性的使用寿命，其具有经济效益。常规的车辆照明装置包括发光装置和围绕发光装置的荧光体。荧光体将从发光装置发射的光转换为特定的颜色而发光。然而，在车辆中使用的照明装置，例如设置在车辆的前部和后部的灯，需要表现各种颜色的灯结构以实现功能追加或美观效果，但是由于常规照明装置的以相同颜色被实现的特性，存在发光表面不能满足这种需求的问题。
发明内容
技术问题
本发明的实施例可以提供一种具有不同颜色的发光表面的照明模块。本发明的实施例可以提供一种照明模块及照明装置，其中发光装置的光通过不同颜色的发光表面发射。本发明的实施例可以提供一种照明模块及照明装置，其中通过将遮光层设置在不同颜色的发光表面之间来划分从发光装置发射的光的发光区域和遮光区域。
技术方案
根据本发明的实施例的照明装置包括：基板；多个发光装置，所述多个发光装置设置在基板上；树脂层，所述树脂层设置在多个发光装置上；第一荧光体层，所述第一荧光体层设置在树脂层的上表面上；多个第二荧光体层，所述多个第二荧光体层设置在树脂层的侧表面上；以及遮光层，所述遮光层设置在第一荧光体层与第二荧光体层之间，其中，第一荧光体层和第二荧光体层具有不同的颜色。
根据本发明的实施例，遮光层可以设置在第一荧光体层的侧表面和第二荧光体层的上表面上。遮光层的宽度可以与第二荧光体层的宽度相同，并且遮光层的厚度可以与第一荧光体层的厚度相同。遮光层的宽度大于第二荧光体层的宽度，遮光层的厚度对应于第一荧光体层的厚度，并且遮光层的下部可以在垂直方向上与树脂层重叠。
根据本发明的一个实施例，遮光层的宽度大于第二荧光体层的宽度，遮光层的厚度大于第一荧光体层的厚度，并且遮光层可以在垂直方向和水平方向上与树脂层重叠。
根据本发明的实施例，遮光层可以设置在第一荧光体层的下表面和第二荧光体层的上表面上，并且遮光层可以在左右方向上与树脂层重叠。第一荧光体层包括设置在树脂层上的第一区域以及从第一区域向下弯曲并且设置在树脂层的侧表面上的第二区域，并且遮光层可以设置在第二区域的下表面和第二荧光体层的上表面上。根据本发明的实施例，遮光层可以设置在第一荧光体层的侧表面和第二荧光体层的内部侧表面上，并且遮光层可以在垂直方向上与树脂层重叠。遮光层可以设置在第一荧光体层的侧表面和第二荧光体层的上表面上。
根据本发明的一个实施例，遮光层可以包括：第一遮光部，设置在第一荧光体层的侧表面和第二荧光体层的上表面上；以及多个第二遮光部，设置在第二荧光体层的侧表面之间，其中第二遮光部从第一遮光部穿过第二遮光层之间在基板的方向上延伸。第一遮光部和多个第二遮光部彼此连接，并且第二遮光部的下表面可以接触基板。
根据本发明的实施例，包括设置在基板与树脂层之间的反射层，第二遮光部的下表面设置为高于反射层的下表面，第一遮光部在水平方向上与第一荧光体层重叠，并且第二遮光部可以在树脂层的每个拐角处与设置在树脂层的每个侧表面上的第二荧光体层接触。第二荧光体层可以包括不同的颜色，并且多个第二荧光体层可以包括与树脂层的侧表面相对应的数量。第一遮光部和第二遮光部可以包括反射光或/和吸收光的硅材料。
根据本发明实施例的照明装置包括：基板；多个发光装置，所述多个发光装置设置在基板上；树脂层，所述树脂层设置发光装置上；第一荧光体层，所述第一荧光体层设置在树脂层上；第二荧光体层，所述第二荧光体层设置在树脂层的侧部上；以及遮光层，所述遮光层设置在第一荧光体层与第二荧光体层之间，其中，遮光层的至少一部分可以在垂直方向上与第二荧光体层重叠，并且遮光层的至少一部分可以在水平方向上与第一荧光体层重叠。根据本发明的实施例，第二荧光体层可以设置为围绕树脂层。第二荧光体层可以设置在基板上。
有益效果
根据本发明的实施例，可以通过形成将不同颜色的光发射到发光表面的荧光体层来实现各种颜色的光。根据本发明的实施例，遮光层形成在发射不同颜色的光的荧光体层之间，从而防止由不同颜色混合得到的颜色显示到外部。根据本发明的实施例，增大了遮光层与荧光体层和树脂层的接触区域，从而防止遮光层与外部分离。根据本发明的实施例，遮光层通过印刷技术形成，从而显著地减小了其厚度，并且更广泛地确保了从荧光体发射的发光区域。根据本发明的实施例，遮光层通过印刷技术形成，从而提高了粘附力并且简化了工艺。
附图说明
图1是示出根据本发明的第一实施例的照明装置的立体图。
图2是图1的照明装置的A-A侧的剖视图。
图3至图10是示出根据本发明的第一实施例的照明装置的各种变型例的剖视图。
图11是示出根据本发明的第二实施例的照明装置的立体图。
图12是图11的照明装置的B-B侧的剖视图。
图13是沿着图11的照明装置的C-C侧的剖视图。
图14是示出本发明的在照明装置中不具有遮光层的结构以及具有遮光层的结构中的Cx和Cy变化的图。
图15是示出使用根据本发明实施例的照明装置的车灯的立体图。
具体实施方式
在下文中，通过对附图和实施例的描述，实施例将变得显而易见。在实施例的描述中，每个层(膜)、区域、图案或结构形成在基板、每个层(膜)、区域、焊盘或图案“上”或“下”。在描述为“上”和“下”的情况下，包括“直接地”形成或经由另一层“间接地”形成。另外，将基于附图描述对于每一层的顶部或底部的标准。
在下文中，将参照附图详细地描述根据本发明的实施例的照明装置。照明装置的发光装置可以包括发射紫外线、红外线或可见光的光的发光装置。作为半导体装置的示例，本发明涉及基于应用了发光装置的情况的半导体装置，并且包括诸如非发光装置的感测装置，例如，波长或热的监测装置，或发光装置应用于的封装或光源装置中的诸如齐纳二极管的装置。本发明提供基于应用了发光装置的情况的半导体装置的示例，并且提供了对包括发光装置的照明装置的详细描述。根据本发明的照明装置可以应用于照明所需的各种灯装置，例如，用于车辆的灯、用于移动容器的照明装置、家用照明装置和工业照明装置。例如，当应用于车灯时，它可以应用于前照灯、位置灯、后视镜灯、雾灯、尾灯、刹车灯、辅助刹车灯、方向指示灯、侧灯、日间行车灯，车辆内饰灯、门槛饰板(door scarp)、后组合灯、倒车灯、室内灯、仪表灯等。本发明的照明装置可以应用于室内和室外广告装置、显示装置、移动装置以及各种电动汽车。另外，该照明装置可以应用于当前发展和商业化的所有的照明相关领域或广告相关领域，或者可以根据未来技术发展来实施。
图1是示出根据本发明的第一实施例的照明装置的立体图。图2是图1的照明装置的A-A侧的剖视图。图3至图10是示出根据第一实施例的照明装置的各种变型例的剖视图。
根据本发明实施例的照明装置可以向外部发射至少两种以上的颜色。例如，可以将第一颜色发射到照明装置的上部，并且可以将第二颜色发射到照明装置的上表面或/和照明装置的侧表面。为此，在实施例的照明装置中，可以在发射表面上设置发射不同颜色的光的荧光体层。
参照图1和图2，根据本发明实施例的照明装置可以包括：设置在基板100上的发光装置200；设置在发光装置200上的树脂层300；以及设置在树脂层300的上表面上的第一荧光体层410和设置在树脂层的侧表面上的第二荧光体层420。
基板100可以包括印刷电路板(PCB)。例如，基板100可以包括基于树脂的印刷电路板(PCB)、金属芯(Metal Core)PCB、柔性PCB、陶瓷PCB或FR-4基板。基板210可以是柔性或非柔性材料。基板100可以包括绝缘或导电材料。基板100可以由刚性或柔性材料形成。基板100可以由透明或不透明材料形成。基板100可以具有形成在其上的导电图案的电极。可以根据使用目的以各种方式设计基板100。
发光装置200可以被实现为LED芯片。作为另一示例，发光装置200可以被实现为LED芯片被设置在主体中的封装，例如，俯视型封装。当发光装置200被实现为LED芯片时，LED芯片可以通过上表面和多个侧表面发光。发光装置200可以发出蓝光、绿光、红光、白光、红外线光或紫外线光中的至少一种或两种以上。发光装置200可以发射蓝光。发光装置200可以在例如420nm至470nm范围内发射蓝光。发光装置200可以被设置为化合物半导体。发光装置200例如可以包括II-VI族元素或III-V族元素的化合物半导体。例如，可以通过包括选自铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、磷(P)、砷(As)和氮(N)中的至少两种以上元素来提供发光装置200。发光装置200可以包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层。第一导电型半导体层和第二导电型半导体层可以用III-V族元素或II-VI族元素的化合物半导体中的至少一种来实现。第一导电型半导体层和第二导电型半导体层例如可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成。例如，第一导电型半导体层和第二导电型半导体层可以包括选自包含GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP等的组中的至少一种。第一导电型半导体层可以是掺杂有诸如Si、Ge、Sn、Se和Te的n型掺杂物的n型半导体层。第二导电型半导体层可以是掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba的p型掺杂物的p型半导体层。有源层可以被实现为化合物半导体。有源层可以被实现为III-V族元素或II-VI族元素的化合物半导体中的至少一种。当有源层以多阱结构实现时，有源层可以包括交替设置的多个阱层和多个势垒层，并且可以设置为具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)组合式的半导体材料。例如，有源层可以包括选自包含InGaN/GaN、GaN/AlGaN、AlGaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、AlGaAs/GaAs、InGaAs/GaAs、InGaP/GaP、AlInGaP/InGaP和InP/GaAs的组中的至少一种。发光装置200可以设置在基板100上的至少一行或/和至少一列中，或者可以设置在至少两行和两个以上的列中。
反射层120可以设置在基板100的上部上。反射层120用于向上引导由发光装置200产生的光。反射层120可以包括白色材料。反射层120可以包括树脂材料。反射层120可以包括诸如硅树脂或环氧树脂的树脂材料。反射层120的材料可以包括诸如TiO2的反射材料。反射层120可以是设置在基板100的上表面上的保护层，并且该保护层可以由抗蚀材料形成。抗蚀材料可以是阻焊材料。反射层120可以包括保护层和/或反射膜。反射层120可以设置在基板100与树脂层300之间。反射层120可以被粘接在基板100与树脂层300之间。
树脂层300设置在基板100上并且可以密封发光装置200。树脂层300可以形成为厚度比发光装置200的厚度更厚。树脂层300可以设置为高于发光装置200的上表面。树脂层300的上部可以设置在发光装置200的上表面与树脂层300的上表面之间。树脂层300可以是透明树脂材料，例如，诸如UV(紫外光)树脂、硅树脂或环氧树脂的树脂材料。UV树脂例如可以使用以氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物为主要原料的树脂(低聚物型)作为主要材料。例如，可以使用作为合成低聚物的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物。主要材料可以进一步包括单体，所述单体中混合有作为低沸点稀释型反应性单体的丙烯酸异冰片酯(IBOA)、丙烯酸羟丁酯(HBA)和丙烯酸羟甲基丙烯酸酯(HEMA)，并且可以混合光引发剂(例如，1-羟基环己基苯基酮，二苯基)、二苯基(2,4,6-三甲基苯甲酰膦氧化物)、抗氧化剂等作为添加剂。UV树脂可以由包含10％至21％的低聚物、30％至63％的单体和1.5％至6％的添加剂的组合物形成。在这种情况下，单体可以是10％至21％的丙烯酸异冰片酯(IBOA)、10％至21％的丙烯酸羟丁酯(HBA)和10％至21％的丙烯酸羟基间乙基酯(HEMA)的混合物。添加剂可以以1％至5％的光引发剂的量添加，以能够发挥引发光反应性的作用，并且可以由能够通过添加0.5％至1％的抗氧化剂来改善泛黄的混合物形成。使用上述组成的树脂层的形成可以用诸如UV树脂的树脂而不是导光板来形成层，以调节折射率和厚度，同时可以通过使用上述组成来使粘合特性、可靠性和大规模生产率都得到满足。
树脂层300可以进一步在其中包括珠或扩散剂(beads or diffusion agent)。扩散剂可以是球形的，并且其尺寸可以在4μm至6μm的范围内。扩散剂的形状和尺寸不限于此。树脂层300可以形成为单层，或者可以形成为两层以上的多层结构。在多层结构中，树脂层300可以包括不包含杂质的第一树脂层、以及在第一树脂层上包括扩散材料的第二树脂层。作为另一示例，具有扩散材料的第二树脂层可以没有杂质地设置在第一树脂层的上表面或/和下表面上。
树脂层300可以包括上表面和多个侧表面。多个侧表面可以相对于基板100或/和反射层120的上表面垂直、倾斜或凸出地设置。树脂层300的上表面可以设置在多个侧表面的内部区域上。树脂层300的上表面可以在与侧表面正交的方向上水平地设置。
荧光体层400可以设置在树脂层300周围。荧光体层400可以包括透明材料。荧光体层400可以在透明绝缘材料中包括荧光体或波长转换材料。荧光体层400可以设置在树脂层300的上表面或/和侧表面上。荧光体层400可以转换从发光装置100发射的一部分光的波长。
荧光体层400可以由硅形成，并且可以由具有不同化学键的硅形成。硅是作为无机材料的硅与作为有机材料的碳结合在一起的聚合物，并且硅具有诸如热稳定性、化学稳定性、耐磨性、光泽度等的物理性质、以及作为有机材料的特性的反应性、溶解性、弹性、和可加工性。硅树脂可以包括普通硅树脂和氟比率增大的氟硅树脂。在此，当增大氟硅树脂的氟比率时，可以提高耐湿性能。
荧光体层400可以包括波长转换单元，该波长转换单元用于接收从发光装置200发射的光并提供经波长转换的光。例如，荧光体层400可以包括选自包含荧光体、量子点等的组中的至少一种。荧光体或量子点可以发射蓝色、绿光或红光。
荧光体可以均匀地设置在荧光体层400的内部。荧光体可以包括氟化合物的荧光体，例如，可以包括基于MGF的荧光体、基于KSF的荧光体或基于KTF的荧光体中的至少一种。荧光体可以发射具有不同峰值波长的光，并且可以发射从发光装置200发射的具有不同的黄色和红色或不同的红色峰值波长的光。当荧光体是红色荧光体时，红色荧光体可以具有610nm至650nm的波长范围，并且该波长可以具有小于10nm的宽度。红色荧光体可以包括基于萤石(fluorite)的荧光体。基于萤石的荧光体可以包括基于KSF的红色K2SiF6:Mn4+、K2TiF6:Mn4+、NaYF4:Mn4+、NaGdF4:Mn4+和K3SiF7:Mn4+中的至少一种。基于KSF的荧光体，例如KaSi1-cFb:Mn4+c，可以具有这样的组成式，其中a可以满足1≤a≤2.5，b可以满足5≤b≤6.5，并且c可以满足0.001≤c≤0.1。另外，为了提高在高温/高湿度下的可靠性，基于萤石的红色荧光体可以涂布有不含Mn的氟化物，或者可以在荧光体的表面或不含Mn的氟化物涂层的表面上进一步包含有机材料涂层。在上述的基于萤石的红色荧光体的情况中，与其他荧光体不同，由于可以实现10nm以下的宽度，因此它可以在高分辨率装置中使用。构成根据本实施例的荧光体的元素的组成应基本上符合化学计量，并且每个元素可以被元素周期表上的各族中的另一元素取代。例如，Sr可以被碱土(II)族的Ba、Ca、Mg等替代，Y可以被镧系的Tb、Lu、Sc、Gd等替代。另外，作为活化剂的Eu等可以根据期望的能级被Ce、Tb、Pr、Er、Yb等来替代，并且副活性剂等可以额外地单独应用于活化剂或改变其性能。
量子点可以包括II-VI化合物或III-V化合物半导体，并且可以发射红光。量子点例如可以由ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InP、InAs、In、Sb、AlS、AlP、AlAs、PbS、PbSe、Ge、Si、CuInS2、CuInSe2等及其组合形成。
荧光体层400可以包括设置在树脂层300的上表面上的第一荧光体层410和设置在树脂层300的侧表面上的第二荧光体层420。第二荧光体层420可以设置在基板100的边缘，或者可以沿着树脂层300的外侧设置。第一荧光体层410可以粘接到树脂层300的上表面。第二荧光体层420可以设置在树脂层300的至少一个、两个或所有的侧表面上。第二荧光体层420可以与树脂层300的至少一个、两个或所有的侧表面接触。第二荧光体层420可以沿着树脂层300的侧表面设置为具有一种荧光体的单个层或多个区域，或具有不同种类的荧光体的多个第二荧光体层或区域。第二荧光体层420可以与第一荧光体层间隔开或分离。第二荧光体层420的上表面可以设置为等于或低于第一荧光体层410的下表面。第一荧光体层410可以在垂直方向上与多个发光装置200重叠。第二荧光体层420可以在垂直方向上不与多个发光装置200重叠。第二荧光体层420的下部可以在水平方向上与多个发光装置200重叠。
第一荧光体层410可以将从发光装置200发射的光转换成第一光或第一颜色。第一荧光体层410的内部可以包括用于将光转换为第一光或第一颜色的第一荧光体。第一荧光体层410可以由单层形成或者可以由多层形成。第一光或第一颜色可以包括具有相同峰值波长或不同峰值波长的光。
第二荧光体层420可以将从发光装置200发射的光转换成第二光或第二颜色。第二荧光体层420可以包括用于将光转换为第二光或第二颜色的第二荧光体。第二光或第二颜色可以包括具有相同峰值波长或不同峰值波长的光。
根据本发明的实施例的照明装置可以通过在树脂层300的发光表面上设置产生不同颜色的荧光体层来发射各种颜色的光。这里，两种颜色可以在发射不同颜色的光的荧光体层的边界处混合。例如，当第一荧光体层410和第二荧光体层420在水平方向或垂直方向上重叠时，通过第一荧光体层410和第二荧光体层420混合的光可以发射到外侧。当混合光发射到外部时，可能存在发射非期望的颜色的光的问题。为了防止这种情况，根据本发明实施例的照明装置可以将遮光层500设置在具有不同颜色的荧光体层(多个)之间的边界区域中。
遮光层500可以设置在第一荧光体层410与第二荧光体层420之间。遮光层500可以在水平方向或左右方向上与第一荧光体层410重叠。遮光层500可以在垂直方向或上下方向上与第二荧光体层420重叠。遮光层500可以沿第一荧光体层410的侧表面的边缘设置。遮光层500可以沿第二荧光体层420的上表面设置。遮光层500可以与第一荧光体层410的侧表面和第二荧光体层420的上表面接触。遮光层500可以在垂直方向上不与发光装置200重叠。遮光层500可以在水平方向上不与发光装置200重叠。遮光层500可以包括与树脂层300的边缘接触或/和不接触的区域。
遮光层500的宽度w2是从第一荧光体层410的侧表面在水平方向上的长度，并且可以与第二荧光体层420的宽度w1相同。宽度w2可以是遮光层500的上表面或下表面的宽度，宽度w1可以是第二荧光体层420的上表面或/和下表面的宽度。遮光层500可以在第一荧光体层410的外部形成为环形或框架形状。环形或框架形状可以是连续连接的形状或不连续连接的形状。遮光层500可以具有开口区域，并且该开口区域可以与树脂层300的上部区域相同或者可以是第二荧光体层420的内部区域。
遮光层500的厚度t2可以与第一荧光体层410的厚度t1相同。第一荧光体层410的厚度t1是从下表面到上表面的长度。遮光层500的厚度t2可以是从树脂层300或第二荧光体层420的上表面朝向第一荧光体层410或遮光层500的上表面的方向上的长度。遮光层500的侧表面的高度可以与第一荧光体层400的侧表面的高度相同。遮光层500可以形成为不突出到第一荧光体层410和第二荧光体层420的外部。遮光层500的上表面可以设置在与第一荧光体层410的上表面相同的水平表面上。遮光层500可以由能够遮挡或吸收光的材料形成。遮光层500可以在树脂材料中包括SiO2、TiO2、CaCO3、BaSO4和Al2O3中的至少一种。遮光层500可以包含白色硅。遮光层500的树脂材料可以形成为与荧光体层400的树脂材料相同。因此，遮光层500可以改善与荧光体层400的粘接性。
由于如上所述的遮光层500设置在显示不同颜色的荧光体层之间的界面处，因此具有防止由不同颜色混合的颜色显示到外侧的效果。
根据本发明实施例的遮光层500可以根据荧光体层400的布置结构而被不同地设置。在下文中，将参考图3到图10来描述遮光层的布置结构。在对图3到图10的描述中，基板100、发光装置200和树脂层300将参考第一实施例的描述，并且可以选择性地应用于变型例(多个)。
参照图3，根据本发明实施例的照明装置1000包括：基板100；设置在基板100上的多个发光装置200；设置在多个发光装置200上的树脂层300；设置在树脂层300的上表面上的第一荧光体层410；设置在树脂层300的侧表面上的第二荧光体层420；以及设置在第一荧光体层410与第二荧光体层420之间的遮光层500。
基板100可以包括绝缘或导电材料。基板100可以由刚性材料或柔性材料形成。基板100可以由透明材料或不透明材料形成。用于反射从发光装置200产生的光的反射层120可以形成在基板100的上表面上。发光装置200可以设置在基板100上。多个发光装置200可以以规定间隔设置。树脂层300可以设置为围绕发光装置200。树脂层300可是透明树脂材料，例如，诸如UV(紫外光)树脂、硅树脂或环氧树脂的树脂材料。树脂层300可以在其中进一步包括扩散珠。
荧光体层400可以包括第一荧光体层410和第二荧光体层420。第一荧光体层410可以设置在树脂层300的上表面上。第一荧光体层410可以包括用于将从发光装置200发射的光转换为第一光或第一颜色的第一荧光体。第二荧光体层420可以设置在树脂层300的侧表面上。第二荧光体层420可以设置在基板100的边缘上。第二荧光体层420可以包括用于将从发光装置200发射的光转换为第二光或第二颜色的第二荧光体。
遮光层500可以设置在第一荧光体层410与第二荧光体层420之间。遮光层500可以设置在第一荧光体层410的侧表面和第二荧光体层420的上表面上。遮光层500可以由能够遮挡或吸收光的材料形成。遮光层500可以在树脂材料中包括SiO2、TiO2、CaCO3、BaSO4和Al2O3中的至少一种。遮光层500可以包括白色硅。
遮光层500的宽度w2可以大于第二荧光体层420的宽度w1。遮光层500的上表面的宽度w2可以大于第二荧光体层420的上表面的宽度w1。遮光层500的宽度w2是从外侧到内侧的长度，并且可以是从第一荧光体层410的外侧到遮光层500的外侧的直线距离或最小距离。遮光层500可以在垂直方向上不与发光装置200重叠。遮光层500的内侧可以设置为比树脂层300的侧表面、即其外侧更靠内。遮光层500的内侧可以设置为比发光装置200中的最外侧的发光装置更靠外，并且可以设置为比树脂层300的外侧更靠内。遮光层500的厚度t2可以对应于第一荧光体层410的厚度t1。
遮光层500的一部分可以设置在树脂层300上。遮光层500可以在垂直方向或竖直方向上与树脂层300重叠。遮光层500的内侧可以与第一荧光体层410的侧表面接触。遮光层500的下表面可以与树脂层300的上表面和第二荧光体层420的上表面接触。由于遮光层500的下表面与树脂层300的上表面和第二荧光体层420的上表面接触，因此可以增加与其它层的接触面积。由此，具有防止遮光层500与荧光体层400分离并与外侧分离的效果。设置在遮光层500内的开口区域可以具有多边形环形或圆环形状，并且可以对应于第一荧光体层410的上部区域。
遮光层500的宽度w2小于第二荧光体层420的宽度w1和第二荧光体层420与设置在最外侧的发光装置200之间的距离之和。遮光层500设置为不与发光装置200重叠，从而防止光效率降低。遮光层500朝向第一荧光体层410的中心区域延伸，从而防止在第二荧光体层420内产生的光朝向垂直方向或上部方向发射。遮光层500可以减少从第一荧光体层410发射的第一光或第一颜色与从第二荧光体层420发射的第二光或第二颜色之间的干涉。
参照图4，根据本发明实施例的照明装置1000包括基板100、设置在基板100上的多个发光装置200、设置在多个发光装置200上的树脂层300、设置在树脂层300的上表面上的第一荧光体层410、设置在树脂层300的侧表面上的第二荧光体层420、以及设置在第一荧光体层410与第二荧光体层420之间的遮光层500。
基板100可以包括绝缘或导电材料。基板100可以由刚性或柔性材料形成。基板100可以由透明或不透明材料形成。用于反射从发光装置200产生的光的反射层120可以形成在基板100的上表面上。发光装置200可以设置在基板100上。多个发光装置200可以以规定间隔设置。树脂层300可以设置为围绕发光装置200。树脂层300可以是透明树脂材料，例如，诸如UV(紫外线光)树脂、硅树脂或环氧树脂的树脂材料。树脂层300可以进一步在其中包括扩散珠。
荧光体层400可以包括第一荧光体层410和第二荧光体层420。第一荧光体层410可以设置在树脂层300的上表面上。第一荧光体层410可以包括用于将从发光装置200发射的光转换为第一光或第一颜色的第一荧光体。第二荧光体层420可以设置在树脂层300的侧表面上。第二荧光体层420可以设置在基板100的边缘上。第二荧光体层420可以包括用于将从发光装置200发射的光转换成第二光或第二颜色的第二荧光体。
遮光层500可以设置在第一荧光体层410与第二荧光体层420之间。遮光层500可以设置在第一荧光体层410的侧表面和第二荧光体层420的上表面上。遮光层500可以由能够遮挡或吸收光的材料形成。遮光层500可以包括白色硅。遮光层500可以具有垂直弯曲的形状。遮光层500的内部可以延伸到树脂层300的外部上表面，并且遮光层500的下部可以延伸到树脂层300的侧表面的上部。遮光层500可以包括从树脂层300的上边缘沿水平方向朝向树脂层300的上表面的中心延伸的部分以及沿垂直方向朝向基板延伸的部分。因此，遮光层500可以在水平方向或左右方向上与第一荧光体层410和树脂层300的上部侧表面重叠。在垂直方向上，遮光层500可以重叠在第二荧光体层420的上表面和树脂层300的上表面的外侧。设置在第一荧光体层410的侧表面上的遮光层500的宽度w2可以大于第二荧光体层420的宽度w1。设置在第二荧光体层420的上表面上的遮光层500的厚度t2可以大于第一荧光体层410的厚度t1。
遮光层500的内部可以在垂直方向或上下方向上与树脂层300重叠。遮光层500的外侧的下部可以在水平方向或左右方向上与树脂层300重叠。遮光层500的内表面可以与树脂层300的上表面和侧表面接触。遮光层500设置在光被混合的区域上的宽广区域中，或者设置在第一荧光体层410与第二荧光体层420之间的区域上，从而进一步改善遮光效果。遮光层500可以增大与树脂层300的接触面积，从而改善与遮光层500的粘接性，并提供从第二荧光体层420发射的第二颜色或第二光的遮挡效果。
参照图5，根据本发明实施例的照明装置1000包括基板100、设置在基板100上的多个发光装置200、设置在多个发光装置200上的树脂层300、设置在树脂层300的上表面上的第一荧光体层410、设置在树脂层300的侧表面上的第二荧光体层420以及设置在第一荧光体层410与第二荧光体层420之间的遮光层500。
基板100可以包括绝缘或导电材料。基板100可以由刚性或柔性材料形成。基板100可以由透明或不透明材料形成。用于反射从发光装置200产生的光的反射层120可以形成在基板100的上表面上。
发光装置200可以设置在基板100上。多个发光装置200可以以规定间隔设置。树脂层300可以设置为围绕发光装置200。树脂层300可以是透明树脂材料，例如，诸如UV(紫外线光)树脂、硅树脂或环氧树脂的树脂材料。树脂层300可以在其中进一步包括扩散珠。
荧光体层400可以包括第一荧光体层410和第二荧光体层420。第一荧光体层410可以设置在树脂层300的上表面上。第一荧光体层410可以包括用于将从发光装置200发射的光转换为第一光或第一颜色的第一荧光体。第二荧光体层420可以设置在树脂层300的侧表面上。第二荧光体层420可以设置在基板100的边缘上。第二荧光体层420可以包括用于将从发光装置200发射的光转换为第二光或第二颜色的第二荧光体。
遮光层500可以设置在第一荧光体层410与第二荧光体层420之间。遮光层500的上表面高度可以等于或低于树脂层300的上表面高度h1。遮光层500可以设置在第一荧光体层410的下表面和第二荧光体层420的上表面上。遮光层500可以由能够遮挡或吸收光的材料形成。遮光层500可以包括白色硅。遮光层500可以在垂直方向或上下方向上与第一荧光体层410和第二荧光体层420重叠。遮光层500的上表面可以与第一荧光体层410的下表面接触，并且遮光层500的下表面可以与第二荧光体层420的上表面接触。遮光层500的内部侧表面可以与树脂层300的侧表面接触。遮光层500的内部侧表面可以不与树脂层300的上表面接触。遮光层500可以在水平方向或左右方向上不与第一荧光体层410重叠。遮光层500的上表面可以设置为等于或低于树脂层300的上表面。遮光层500的外表面可以设置在垂直平面上，例如，第一荧光体层410的侧表面和第二荧光体层420的外部侧表面上。遮光层500设置在第一荧光体层410的下方，并且有效地遮挡从设置在第一荧光体层410下方的第二荧光体层420产生的光。遮光层500通过与第一荧光体层410、第二荧光体层420和树脂层300接触而具有改善粘接性的效果。
参照图6，根据本发明实施例的照明装置1000包括基板100、设置在基板100上的多个发光装置200、设置在多个发光装置200上的树脂层300、设置在树脂层300的上表面上的第一荧光体层410、设置在树脂层300的侧表面上的第二荧光体层420以及设置在第一荧光体层410与第二荧光体层420之间的遮光层500。
基板100可以包括绝缘或导电材料。基板100可以由刚性或柔性材料形成。基板100可以由透明或不透明材料形成。用于反射从发光装置200产生的光的反射层120可以形成在基板100的上表面上。发光装置200可以设置在基板100上。多个发光装置200可以以规定间隔设置。树脂层300可以设置为围绕发光装置200。树脂层300可以是透明树脂材料，例如，诸如UV(紫外线光)树脂、硅树脂或环氧树脂的树脂材料。树脂层300可以在其中进一步包括扩散珠。
荧光体层400可以包括第一荧光体层410和第二荧光体层420。第一荧光体层410可以设置在树脂层300的上表面和侧表面上。第一荧光体层410可以包括用于将从发光装置200发射的光转换为第一光或第一颜色的第一荧光体。第一荧光体层410可以包括设置在树脂层300的上表面上的第一区域410a和设置在树脂层300的侧表面上的第二区域410b。第一区域410a和第二区域410b可以彼此连接。第二荧光体层420可以设置在树脂层300的侧表面上。第二荧光体层420可以在垂直方向或上下方向上与第一荧光体层410的第二区域410b重叠。第二荧光体层420可以设置在基板100的边缘上。第二荧光体层420可以包括用于将从发光装置200发射的光转换成第二光或第二颜色的第二荧光体。
遮光层500可以设置在第一荧光体层410与第二荧光体层420之间。遮光层500可以设置在第一荧光体层410的第二区域410b的下表面和第二荧光体层420的上表面上。遮光层500可以在垂直方向或上下方向上与第一荧光体层410和第二荧光体层420重叠。遮光层500的下表面或第二荧光体层420的上表面可以设置为高于发光装置200的上表面。遮光层500可以由能够遮挡或吸收光的材料形成。遮光层500可以包括白色硅。
遮光层500可以在垂直方向或上下方向上与第一荧光体层410的第二区域410b和第二荧光体层420重叠。遮光层500的上表面与第一荧光体层410的第二区域410b的下表面接触，遮光层500的下表面与第二荧光体层420的上表面接触，并且遮光层500的内部侧表面可以与树脂层300的侧表面接触。遮光层500设置在第一荧光体层410的下方，从而可以有效地阻挡由与第一荧光体层410间隔开的第二荧光体层420在基板方向上产生的第二光。遮光层500通过与第一荧光体层410、第二荧光体层420和树脂层300接触而具有改善粘接性的效果。
参照图7，根据本发明实施例的照明装置1000包括基板100、设置在基板100上的多个发光装置200、设置在多个发光装置200上的树脂层300、设置在树脂层300的上表面上的第一荧光体层410、设置在树脂层300的侧表面上的第二荧光体层420以及设置在第一荧光体层410与第二荧光体层420之间的遮光层500。
基板100可以包括绝缘或导电材料。基板100可以由刚性或柔性材料形成。基板100可以由透明或不透明材料形成。用于反射从发光装置200产生的光的反射层120可以形成在基板100的上表面上。发光装置200可以设置在基板100上。多个发光装置200可以以规定间隔设置。树脂层300可以设置为围绕发光装置200。树脂层300可以是透明树脂材料，例如，诸如UV(紫外线光)树脂、硅树脂或环氧树脂的树脂材料。树脂层300可以在其中进一步包括扩散珠。荧光体层400可以包括第一荧光体层410和第二荧光体层420。第一荧光体层410可以设置在树脂层300的上表面上。第一荧光体层410可以包括用于将从发光装置200发射的光转换为第一颜色的第一荧光体。第二荧光体层420可以设置在树脂层300的侧表面和第一荧光体的侧表面上。第二荧光体层420可以设置在基板100的边缘上。第二荧光体层420可以包括用于将从发光装置200发射的光转换成第二颜色的第二荧光体。第二荧光体层420可以设置为围绕第一荧光体层410。第二荧光体层420的上部可以用作第一荧光体层410的边缘。第二荧光体层420的上部可以在水平方向上与第一荧光体层410和遮光层500重叠。
遮光层500可以设置在第一荧光体层410与第二荧光体层420之间。遮光层500可以设置在第一荧光体层410的侧表面和第二荧光体层420的侧表面上。遮光层500可以在垂直方向上不与发光装置200重叠。遮光层500可以在垂直方向上不与第二荧光体层420重叠。因此，遮光层500在树脂层300的上方划分第一荧光体层410和第二荧光体层420的区域，并且可以尽可能地抑制光之间的干涉。因此，第一荧光体层410和第二荧光体层420的发光表面可以暴露在树脂层300上。遮光层500可以由能够遮挡或吸收光的材料形成。遮光层500可以包括白色硅。遮光层500可以在垂直方向或上下方向上与树脂层300重叠。因此，遮光层500可以与第一荧光体层410的侧表面、第二荧光体层420的侧表面和树脂层300的上表面接触。
遮光层500具有防止在第一荧光体层410与第二荧光体层420之间的界面处的颜色混合的效果。由于遮光层500设置在第一荧光体层410与第二荧光体层420之间，所以可以用不同的颜色来表现照明的边缘。遮光层500与第一荧光体层410、第二荧光体层420和树脂层300接触，从而可以进一步改善粘接性。
参照图8，根据本发明实施例的照明装置1000包括基板100、设置在基板100上的多个发光装置200、设置在多个发光装置200上的树脂层300、设置在树脂层300的上表面上的第一荧光体层410、设置在树脂层300的侧表面上的第二荧光体层420以及设置在第一荧光体层410与第二荧光体层420之间的遮光层500。
基板100可以包括绝缘或导电材料。基板100可以由刚性或柔性材料形成。基板100可以由透明或不透明材料形成。用于反射从发光装置200产生的光的反射层120可以形成在基板100的上表面上。发光装置200可以设置在基板100上。多个发光装置200可以以规定间隔设置。树脂层300可以设置为围绕发光装置200。树脂层300可是透明树脂材料，例如，诸如UV(紫外线光)树脂、硅树脂或环氧树脂的树脂材料。树脂层300可以在其中进一步包括扩散珠。荧光体层400可以包括第一荧光体层410和第二荧光体层420。第一荧光体层410可以设置在树脂层300的上表面上。第一荧光体层410可以包括用于将从发光装置200发射的光转换为第一光或第一颜色的第一荧光体。第二荧光体层420可以设置在树脂层300的侧表面上。第二荧光体层420可以设置在基板100的边缘上。第二荧光体层420可以包括用于将从发光装置200发射的光转换成第二光或第二颜色的第二荧光体。
遮光层500可以设置在第一荧光体层410与第二荧光体层420之间。遮光层500可以设置在第一荧光体层410的侧表面和第二荧光体层420的上表面上。遮光层500可以由能够遮挡或吸收光的材料形成。遮光层500的厚度t2可以小于第一荧光体层410的厚度t1。遮光层500的厚度t2可以设置有光不能透射通过的厚度，例如。纳米的厚度。可以通过在第二荧光体层420上印刷以具有纳米的厚度来形成遮光层500。为此，遮光层500可包括膜或油墨。第一荧光体层410的侧表面可以与遮光层500的侧表面和第二荧光体层420的侧表面接触。遮光层500的上表面可以设置在与第一荧光体层410的上表面相同的表面上。遮光层500可以在垂直方向或水平方向上不与树脂层300重叠。遮光层500的侧表面可以设置在与第二荧光体层420的外表面相同的表面上。由此，遮光层500不突出到外部。
由于根据本发明的实施方式的遮光层500是通过印刷技术形成的，因此可以显著减小其厚度，因此，具有确保从荧光体发射的光的面积更大的效果。另外，由于通过印刷技术形成根据本发明实施例的遮光层500，因此可以改善粘接性并且可以简化工艺。
参照图9，根据本发明实施例的照明装置1000包括基板100、设置在基板100上的多个发光装置200、设置在多个发光装置200上的树脂层300、设置在树脂层300的上表面上的第一荧光体层410、设置在树脂层300的侧表面上的第二荧光体层420以及设置在第一荧光体层410与第二荧光体层420之间的遮光层500。
基板100可以包括绝缘或导电材料。基板100可以由刚性或柔性材料形成。基板100可以由透明或不透明材料形成。用于反射从发光装置200产生的光的反射层120可以形成在基板100的上表面上。发光装置200可以设置在基板100上。多个发光装置200可以以规定间隔设置。树脂层300可以设置为围绕发光装置200。树脂层300可以是透明树脂材料，例如，诸如UV(紫外线光)树脂、硅树脂或环氧树脂的树脂材料。树脂层300可以在其中进一步包括扩散珠。
荧光体层400可以包括第一荧光体层410和第二荧光体层420。第一荧光体层410可以设置在树脂层300的上表面上。第一荧光体层410可以包括用于将从发光装置200发射的光转换为第一光或第一颜色的第一荧光体。第二荧光体层420可以设置在树脂层300的侧表面上。第二荧光体层420可以设置在基板100的边缘上。第二荧光体层420可以包括用于将从发光装置200发射的光转换成第二光或第二颜色的第二荧光体。
遮光层500可以设置在第一荧光体层410与第二荧光体层420之间。遮光层500可以设置在第一荧光体层410的下表面和第二荧光体层420的上表面上。遮光层500可以在垂直方向或竖直方向上与第一荧光体层410和第二荧光体层420重叠。
遮光层500可以由能够遮挡或吸收光的材料形成。遮光层500可以包括膜或油墨。可以通过印刷在第二荧光体层420的上表面上来形成遮光层500。因此，遮光层500可以以纳米厚度形成。
遮光层500的上表面可以与第一荧光体层410接触，遮光层500的下表面可以与第二荧光体层420的上表面接触，并且遮光层500的侧表面可以与树脂层300的侧表面接触。根据本发明的示例性实施例，通过以纳米厚度形成遮光层，可以显著减小遮光层的厚度并且可以进一步改善粘接强度。
参照图10，根据本发明实施例的照明装置1000包括基板100、设置在基板100上的多个发光装置200、设置在多个发光装置200上的树脂层300、设置在树脂层300的上表面上的第一荧光体层410、设置在树脂层300的侧表面上的第二荧光体层420以及设置在第一荧光体层410与第二荧光体层420之间的遮光层500。
基板100可以包括绝缘或导电材料。基板100可以由刚性或柔性材料形成。基板100可以由透明或不透明材料形成。用于反射从发光装置200产生的光的反射层120可以形成在基板100的上表面上。发光装置200可以设置在基板100上。多个发光装置200可以以规定间隔设置。树脂层300可以设置为围绕发光装置200。树脂层300可以是透明树脂材料，例如，诸如UV(紫外线光)树脂、硅树脂或环氧树脂的树脂材料。树脂层300可以在其中进一步包括扩散珠。
荧光体层400可以包括第一荧光体层410和第二荧光体层420。第一荧光体层410可以设置在树脂层300的上表面和侧表面上。第一荧光体层410可以包括设置在树脂层300的上表面上的第一区域410a和设置在树脂层300的侧表面上的第二区域410b。第二区域410b是指从第一区域410a垂直弯曲的区域。第一荧光体层410可以包括用于将从发光装置200发射的光转换为第一颜色的第一荧光体。第二荧光体层420可以设置在树脂层300的侧表面上。第二荧光体层420可以设置在基板100的边缘上。第二荧光体层420可以包括用于将从发光装置200发射的光转换为第二颜色的第二荧光体。
遮光层500可以设置在第一荧光体层410与第二荧光体层420之间。遮光层500可以设置在第一荧光体层410的第二区域410b的下表面和第二荧光体层420的上表面上。遮光层500可以设置为与第一荧光体层410的第二区域410b和第二荧光体层420垂直地重叠。遮光层500可以由能够遮挡光或吸收光的材料形成。遮光层500可以包括膜或油墨。可以通过在第二荧光体层420的上表面上印刷来形成遮光层500。因此，遮光层500可以以纳米厚度形成。
遮光层500的上表面可以与第一荧光体层410的第二区域410b接触，遮光层500的下表面可以与第二荧光体层420的上表面接触。遮光层500的内部侧表面可以与树脂层300的外表面接触。根据本发明的实施例，通过以纳米厚度形成遮光层，可以显著降低遮光层的厚度，并且可以进一步改善粘接强度。
图11是示出根据本发明的第二实施例的照明装置的立体图。图12是沿着图11的照明装置的线B-B侧截取的剖视图。图13是沿着图11的线C-C侧截取的剖视图。当以上公开的第二实施例的结构与第一实施例的结构相同时，第一实施例的结构可以应用于第二实施例。
参照图11，根据本发明第二实施例的照明装置可以向外部发射至少三种以上颜色。例如，可以从照明装置的上表面发射第一颜色，可以从照明装置的侧表面发出两种或五种颜色。这里，已经描述了基于六面体的照明装置，但是当其具有六面体以上的结构时，可以发射六种以上的颜色。
参照图12和图13，根据本发明实施例的照明装置可以包括：设置在基板(PCB：印刷电路板)100上的发光装置200；设置在发光装置200上的树脂层300；设置在树脂层300的上表面上的第一荧光体层410；设置在树脂层300的侧表面上以发出不同颜色的第二荧光体层420；以及设置在第一荧光体层410与第二荧光体层之间的遮光层500。
基板100可以包括绝缘或导电材料。基板100可以由刚性或柔性材料形成。基板100可以由透明或不透明的材料形成。用于反射从发光装置200产生的光的反射层120可以形成在基板100的上表面上。发光装置200可以设置在基板100上。多个发光装置200可以以规定间隔设置。树脂层300可以设置为围绕发光装置200。树脂层300可以是透明树脂材料，例如，诸如UV(紫外线光)树脂、硅树脂或环氧树脂的树脂材料。树脂层300可以在其中进一步包括扩散珠。
荧光体层400可以包括第一荧光体层410和第二荧光体层。第一荧光体层410可以设置在树脂层300的上表面上。第一荧光体层410可以包括用于将从发光装置200发射的光转换为第一光或第一颜色的第一荧光体。第二荧光体层可以发射不同的颜色。这里，为了便于描述，将设置在树脂层300的侧表面上的第二荧光体层称为第二荧光体层至第五荧光体层420、430、440、450。
第二荧光体层420可以设置在树脂层300的第一侧表面上。第三荧光体层430可以设置在树脂层300的与第二荧光体层420相邻的第二侧表面上。第四荧光体层440可以设置在树脂层300的第三侧表面上以面对第二荧光体层420。第五荧光体层450可以设置在树脂层300的第四侧表面上以面对第三荧光体层430。第二荧光体可以被包括在第二荧光体层420的内部，以将从发光装置200发射的光转换成第二光或第二颜色。第三荧光体可以被包括在第三荧光体层430的内部，以将从发光装置200发射的光转换成第三光或第三颜色。第四荧光体可以被包括在第四荧光体层440中，以将从发光装置200发射的光转换成第四光或第四颜色。第五荧光体可以被包括在第五荧光体层450中，以将从发光装置200发射的光转换成第五光或第五颜色。在根据本发明实施例的照明装置中，从五个发光表面发射的所有颜色的光可以形成为不同。也就是说，第二荧光体层至第五荧光体层420、430、440、450可以发射相同颜色的光或不同颜色的光，并且它们可以与第一荧光体层410的颜色的光或颜色不同。
遮光层500可以设置在第一荧光体层至第五荧光体层410、420、430、440、450之间。遮光层500可以与第一荧光体层410的外部侧表面接触并且可以与第二荧光体层至第五荧光体层420、430、440、450的上表面或/和侧表面接触。遮光层500可以包括反射或吸收光的硅材料。遮光层500可以包括第一遮光部510和第二遮光部520。
第一遮光部510可以设置为围绕第一荧光体层410的边缘或外表面。第一遮光部510可以设置在第一荧光体层410的侧表面和第二荧光体层420的上表面上。第一遮光部510的宽度可以与第二荧光体层420的宽度相同，并且第一遮光部510的厚度可以与第一荧光体层410的厚度相同。第一遮光部510的厚度可以选择性地应用于上述实施例或变型例的结构。也就是说，第一遮光部510可以采用根据第一实施例的遮光层的各种结构。
第二遮光部520可以设置在第二荧光体层至第五荧光体层420、430、440、450之间。第二遮光部520可以具有从第一遮光部510向下弯曲的结构。第二遮光部520可以分别设置在第二荧光体层至第五荧光体层420、430、440和450之间的界面处。第二遮光部520可以设置在树脂层300的每个拐角区域中。第二遮光部520可以与树脂层300的每个边缘区域接触。第二遮光部520可以在水平方向上与树脂层300重叠。第二遮光部520可以在水平方向上与第二荧光体层至第五荧光体层420、430、440、450重叠。多个第二遮光部520可以在垂直方向上与第一遮光部510的每个边缘区域重叠。这里，第二遮光部520可以设置在树脂层300的两个相邻侧表面之间的区域中，即，拐角区域中。第二遮光部520的下部可以与基板100或/和反射层120接触。第二遮光部520的下表面可以与基板100的上表面接触并且可以设置为低于反射层120的上表面。如上面公开的实施例或变型例中那样，第二遮光部510可以与树脂层300的上表面部分地重叠或者可以接触树脂层300的上表面。在本发明的实施例中，遮光部可以设置在发射不同光或不同颜色的荧光体层之间或设置在照明装置的侧表面上，由此具有防止光在相邻的荧光体层之间的界面处混合的效果。
另一方面，当照明装置中不具有遮光层时，从第一荧光体层发射的第一光可以在照明装置的上部中央区域中发射。另一方面，在照明装置的上边缘区域中，从第一荧光体层产生的光和从第二荧光体产生的光可以被混合并且混合的第二光可以被发射。当提供遮光层时，仅是从第一荧光体层发射的第一光可以在照明装置的中心区域和边缘区域中被发射。也就是说，可以看出，从照明装置的上表面根本看不到从第二荧光体层发射的光。
参照图14，当不具有遮光层时和当具有遮光层时，具有混合区域，在该混合区域中存在Cx和Cy中的色坐标的差异，并且可以看出从其中发出了不想要的颜色。根据本发明实施例的照明装置通过在不同颜色的光或具有不同颜色的荧光体层之间形成遮光层，具有防止发射不想要的光的效果。
图15是示出使用根据本发明实施例的照明装置的车灯的立体图。参照图15，根据本发明的实施例的车灯可以包括照明装置1000和围绕照明装置1000的边框2000。照明装置1000可以形成为发射多个颜色的结构。照明装置1000可以包括基板、安装在基板上的多个发光装置、设置在发光装置上的树脂层和荧光体层400。基板可以形成为具有多个突起或多个桥接部的形状。桥接部或突起可以在不同的方向上突出。基板可以形成为具有曲面，并且可以由柔性材料形成使得基板可以弯曲。由此，可以提高照明装置的自由度。遮光层500可以设置在荧光体层400的外部周围。
荧光体层400可以包括：在树脂层上发射第一光或第一色的第一荧光体层410；以及设置在树脂层的侧表面上以发射第二光或第二颜色的第二荧光体层420(参照图2)。荧光体层400可以选择性地应用上面公开的第一实施例和第二实施例的结构。第一荧光体层可以显示第一光或第一颜色，第二荧光体层可以用作包围第一荧光体层的边缘。在这种情况下，遮光层500可以设置在第一荧光体层与第二荧光体层之间。在本发明的实施例中，遮光层500可以具有设置在第一荧光体层的侧表面和第二荧光体层的侧表面上的结构。由此，从第一荧光体层发射的第一颜色以及从第二荧光体层发射的第二光或第二颜色不被混合，并且可以实现期望的颜色。例如，根据本发明的示例性实施例的照明装置1000可以表现各种颜色，例如，具有在深红色区域和浅红色区域中发射光的结构、在具有不同色坐标的白色区域中发射光的结构、或在红色区域和蓝色区域中发射光的结构等。边框200可以开放以暴露第二荧光体层的侧表面，或者可以是透明材料。边框2000可以形成为围绕照明装置1000的侧部。边框2000可以在照明装置1000被嵌入的状态下被组装在车辆中。在上面，以从第二荧光体产生的第二颜色用作第一颜色的边界线的结构为例进行了描述，但是本发明不限于此，并且可以被改变为以各种结构实现照明装置。

Claims (15)

1.一种照明装置，包括：
基板；
多个发光装置，所述多个发光装置设置在所述基板上；
树脂层，所述树脂层围绕所述多个发光装置；
第一荧光体层，所述第一荧光体层设置在所述树脂层的上表面上；
第二荧光体层，所述第二荧光体层设置在所述树脂层的侧表面上；以及
遮光层，所述遮光层设置在所述第一荧光体层与所述第二荧光体层之间，
其中，所述第一荧光体层和所述第二荧光体层具有不同的颜色，
其中，所述第一荧光体层在垂直方向上与所述多个发光装置重叠，
其中，所述树脂层设置在所述多个发光装置与所述第一荧光体层之间、所述多个发光装置的侧表面之间、以及所述多个发光装置的最外侧的发光装置与所述第二荧光体层之间，
其中，所述第二荧光体层设置在所述树脂层的不同的侧表面上，
其中，所述遮光层设置在所述第一荧光体层的不同的侧表面上，并且
其中，所述遮光层沿着设置在所述树脂层的不同的侧表面中的每一个侧表面上的所述第二荧光体层的上表面设置。
2.根据权利要求1所述的照明装置，其中，所述遮光层还设置在所述第二荧光体层的上表面上，并且
其中，所述第二荧光体层设置为高于所述发光装置的上表面。
3.根据权利要求2所述的照明装置，其中，所述遮光层的宽度与所述第二荧光体层的宽度相同，并且
其中，所述遮光层的厚度与所述第一荧光体层的厚度相同。
4.根据权利要求2所述的照明装置，其中，所述遮光层的宽度大于所述第二荧光体层的宽度，
其中，所述遮光层的厚度与所述第一荧光体层的厚度相同，并且
其中，所述遮光层的一部分在垂直方向上与所述树脂层重叠。
5.根据权利要求2所述的照明装置，其中，所述遮光层的宽度大于所述第二荧光体层的宽度，
其中，所述遮光层的厚度大于所述第一荧光体层的厚度，
其中，所述遮光层在垂直方向和水平方向上与所述树脂层重叠。
6.根据权利要求1所述的照明装置，其中，所述第二荧光体层包括多个第二荧光体，所述多个第二荧光体发射不同颜色的光并且设置在所述树脂层的每个侧表面上，
其中，所述遮光层围绕所述第一荧光体层的侧表面的周缘和所述第二荧光体层的上表面的周缘，并且
其中，所述遮光层设置为高于所述树脂层的所述上表面。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的照明装置，
其中，所述第二荧光体层包括设置在所述树脂层的每个侧表面上的多个第二荧光体，
其中，所述遮光层包括设置在所述第一荧光体层的侧表面和每个所述第二荧光体层的上表面上的第一遮光部、以及分别设置在多个所述第二荧光体层之间的多个第二遮光部，并且
其中，每个所述第二遮光部从所述第一遮光部穿过所述第二荧光体层之间并朝向所述基板延伸。
8.根据权利要求7所述的照明装置，其中，所述多个第二遮光部中的每一个分别设置在所述树脂层的边缘处，
其中，所述第二遮光部在所述树脂层的每个所述边缘处设置在每个所述第二荧光体层的两侧，并且
其中，所述多个第二荧光体层具有不同的颜色并且具有与所述树脂层的侧表面的数量相同的数量。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的照明装置，其中，所述遮光层包括反射或吸收光的硅材料、膜或油墨，并且以固定厚度形成在所述第二荧光体层的上表面上。
10.一种照明装置，包括：
基板；
多个发光装置，所述多个发光装置设置在所述基板上；
树脂层，所述树脂层围绕所述多个发光装置；
第一荧光体层，所述第一荧光体层设置在所述树脂层的上表面上；
第二荧光体层，所述第二荧光体层设置在所述树脂层的侧表面上；以及
遮光层，所述遮光层设置在所述第一荧光体层与所述第二荧光体层之间，
其中，所述第一荧光体层和所述第二荧光体层具有不同的颜色，
其中，所述第一荧光体层在垂直方向上与所述多个发光装置重叠，
其中，所述树脂层设置在所述多个发光装置与所述第一荧光体层之间、所述多个发光装置的侧表面之间、以及所述多个发光装置的最外侧的发光装置与所述第二荧光体层之间，
其中，所述第二荧光体层设置在所述树脂层的不同的侧表面上，
其中，所述遮光层设置在所述第一荧光体层的下表面和所述第二荧光体层的上表面上，并且
其中，所述遮光层在水平方向上与所述树脂层重叠。
11.根据权利要求10所述的照明装置，其中，所述第一荧光体层包括设置在所述树脂层的所述上表面上的第一区域以及从所述第一区域延伸到所述树脂层的所述侧表面的第二区域，并且
其中，所述遮光层设置在所述第二区域的下表面和所述第二荧光体层的所述上表面上。
12.一种照明装置，包括：
基板；
多个发光装置，所述多个发光装置设置在所述基板上；
树脂层，所述树脂层围绕所述多个发光装置；
第一荧光体层，所述第一荧光体层设置在所述树脂层的上表面上；
第二荧光体层，所述第二荧光体层设置在所述树脂层的侧表面上；以及
遮光层，所述遮光层设置在所述第一荧光体层与所述第二荧光体层之间，
其中，所述第一荧光体层和所述第二荧光体层具有不同的颜色，
其中，所述第一荧光体层在垂直方向上与所述多个发光装置重叠，
其中，所述树脂层设置在所述多个发光装置与所述第一荧光体层之间、所述多个发光装置的侧表面之间、以及所述多个发光装置的最外侧的发光装置与所述第二荧光体层之间，
其中，所述第二荧光体层设置在所述树脂层的不同的侧表面上，
其中，所述遮光层设置在所述第一荧光体层的不同的侧表面上，
其中，所述遮光层设置在所述第二荧光体层的内部侧表面上，并且
其中，所述遮光层在垂直方向上与所述树脂层重叠。
13.一种照明装置，包括：
基板；
多个发光装置，所述多个发光装置设置在所述基板上；
树脂层，所述树脂层设置在所述发光装置上；
第一荧光体层，所述第一荧光体层设置在所述树脂层上；
第二荧光体层，所述第二荧光体层设置在所述树脂层的侧表面上；以及
遮光层，所述遮光层设置在所述第一荧光体层与所述第二荧光体层之间，
其中，所述遮光层在垂直方向上与所述第二荧光体层至少部分地重叠，并且在水平方向上与所述第一荧光体层至少部分地重叠，
其中，所述第一荧光体层在垂直方向上与所述多个发光装置重叠，
其中，所述树脂层布置在所述多个发光装置与所述第一荧光体层之间、所述多个发光装置的侧表面之间、以及所述多个发光装置的最外侧的发光装置与所述第二荧光体层之间，
其中，所述第二荧光体层设置在所述树脂层的不同的侧表面上，
其中，所述遮光层设置在所述第一荧光体层的不同的侧表面上，并且
其中，所述遮光层沿着设置在所述树脂层的不同的侧表面中的每一个侧表面上的所述第二荧光体层的上表面设置。
14.根据权利要求13所述的照明装置，其中，所述第二荧光体层设置为围绕所述树脂层。
15.根据权利要求13或14所述的照明装置，其中，所述第二荧光体层设置在所述基板上。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022094043A1 (en) * 2020-10-29 2022-05-05 Bitro Group, Inc. Led lighting device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007035885A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Kyocera Corp 発光装置およびそれを用いた照明装置
CN102856312A (zh) * 2011-06-28 2013-01-02 株式会社小糸制作所 平面发光组件
KR20150108698A (ko) * 2014-03-18 2015-09-30 박현적 청색 발광다이오드소자를 이용한 백색 발광 장치 및 그의 광변환표시필름 제조방법
KR20160080945A (ko) * 2014-12-30 2016-07-08 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지와, 발광 소자 패키지 조합과, 발광 소자 패키지 모듈과, 백라이트 유닛 및 조명 장치
CN106949419A (zh) * 2015-10-13 2017-07-14 福特环球技术公司 用于车辆的发光标志

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003217521A (ja) 2002-01-28 2003-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd ガス放電ランプ及びそれを用いた情報表示システム
JP4289852B2 (ja) * 2002-09-18 2009-07-01 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセント素子の製造方法
JP5320655B2 (ja) 2004-06-30 2013-10-23 三菱化学株式会社 発光装置、照明、表示装置用バックライトユニット及び表示装置
US7737623B2 (en) * 2004-06-30 2010-06-15 Mitsubishi Chemical Corporation Light emitting device, lighting system, backlight unit for display device, and display device
JP2006019409A (ja) 2004-06-30 2006-01-19 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置並びにそれを用いた照明、ディスプレイ用バックライト及びディスプレイ
JP4771800B2 (ja) * 2005-12-02 2011-09-14 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
US8545960B2 (en) 2006-10-23 2013-10-01 Entrotech, Inc. Articles comprising protective sheets and related methods
KR101156898B1 (ko) 2007-09-21 2012-06-21 도시바 마테리알 가부시키가이샤 조명용 백색 발광 램프와 그것을 사용한 조명 기구
JP4796031B2 (ja) 2007-09-28 2011-10-19 パナソニック株式会社 車両前照灯光源および車両前照灯
JP5262054B2 (ja) * 2007-10-10 2013-08-14 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
WO2009144922A1 (ja) 2008-05-30 2009-12-03 株式会社 東芝 白色ｌｅｄおよびそれを用いたバックライトならびに液晶表示装置
KR100986336B1 (ko) * 2009-10-22 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 제조방법 및 발광소자 패키지
KR20110125518A (ko) 2010-05-13 2011-11-21 삼성전자주식회사 백라이트 어셈블리 및 이를 갖는 표시장치
CN102270732B (zh) 2010-06-03 2015-06-10 展晶科技(深圳)有限公司 荧光层结构及其形成方法以及发光二极管封装结构
KR20110132988A (ko) 2010-06-03 2011-12-09 어드밴스드 옵토일렉트로닉 테크놀로지 인코포레이티드 형광층구조 및 그 제조방법과, 형광층구조를 갖는 발광 다이오드 패키지구조
KR20140003394A (ko) 2010-09-21 2014-01-09 쿠오-쿠앙 창 발광 다이오드 패키지를 제조하기 위한 방법
JP2012199539A (ja) * 2011-03-08 2012-10-18 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置及び発光装置を備えた照明装置
JP2012204349A (ja) 2011-03-23 2012-10-22 Panasonic Corp 発光装置
US8899767B2 (en) * 2011-03-31 2014-12-02 Xicato, Inc. Grid structure on a transmissive layer of an LED-based illumination module
JP2012248553A (ja) 2011-05-25 2012-12-13 Panasonic Corp 発光装置及びそれを用いた照明装置
US20130093362A1 (en) * 2011-10-13 2013-04-18 Intematix Corporation Methods and apparatus for implementing tunable light emitting device with remote wavelength conversion
JP5902908B2 (ja) 2011-10-19 2016-04-13 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置および車両用灯具
JP2013105826A (ja) * 2011-11-11 2013-05-30 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置及びそれを備えた電子機器並びにその製造方法
WO2013097736A1 (zh) 2011-12-30 2013-07-04 大连路明发光科技股份有限公司 一种彩色发光模块及光源
WO2013102861A1 (en) * 2012-01-04 2013-07-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Remote phosphor led lighting device
JP6005953B2 (ja) 2012-03-02 2016-10-12 スタンレー電気株式会社 発光装置
US10134961B2 (en) * 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
KR20150004818A (ko) 2012-03-30 2015-01-13 코닌클리케 필립스 엔.브이. 파장 변환 측면 코트를 갖는 발광 장치
JP5980577B2 (ja) * 2012-05-31 2016-08-31 シチズン電子株式会社 側面照射型ｌｅｄ発光装置及び側面照射型ｌｅｄ発光装置の製造方法
US9111464B2 (en) * 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
JP2015176960A (ja) 2014-03-14 2015-10-05 株式会社東芝 発光装置
KR102142718B1 (ko) * 2014-03-20 2020-08-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
JP6100831B2 (ja) * 2015-05-26 2017-03-22 シャープ株式会社 発光装置および画像表示装置
KR102401828B1 (ko) * 2015-07-24 2022-05-25 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지
CN106816520A (zh) * 2015-11-30 2017-06-09 隆达电子股份有限公司 波长转换材料及其应用
KR101836253B1 (ko) 2015-12-15 2018-03-08 현대자동차 주식회사 광원 모듈 및 이를 이용한 차량용 헤드 램프
KR102605472B1 (ko) * 2016-09-09 2023-11-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
KR101863538B1 (ko) * 2017-04-19 2018-06-04 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007035885A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Kyocera Corp 発光装置およびそれを用いた照明装置
CN102856312A (zh) * 2011-06-28 2013-01-02 株式会社小糸制作所 平面发光组件
KR20150108698A (ko) * 2014-03-18 2015-09-30 박현적 청색 발광다이오드소자를 이용한 백색 발광 장치 및 그의 광변환표시필름 제조방법
KR20160080945A (ko) * 2014-12-30 2016-07-08 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지와, 발광 소자 패키지 조합과, 발광 소자 패키지 모듈과, 백라이트 유닛 및 조명 장치
CN106949419A (zh) * 2015-10-13 2017-07-14 福特环球技术公司 用于车辆的发光标志

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