CN112086446A - 整流桥 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种整流桥，属于半导体元器件技术领域。它包括封装壳体、引线框架、整流芯片和过压保护芯片，引线框架包括层叠设于所述封装壳体内的第一框架、第二框架和第三框架，整流芯片包括设于所述第一框架和所述第二框架之间的第一层芯片和设于所述第二框架和所述第三框架之间的第二层芯片，过压保护芯片设于所述第一框架和所述第三框架之间，所述过压保护芯片位于所述整流芯片水平方向的一侧。本发明使得整个产品在PCB板上占用的平面空间小，解决了PCB板上的空间利用率问题，利于整流桥产品的微型化发展。

Description

整流桥
技术领域
本发明涉及半导体元器件技术领域，特别涉及一种整流桥。
背景技术
整流桥在开关电源中的主要作用是将交流电整流滤波成直流电，整流桥是各种开关电源必不可缺的电子元器件之一，其性能优劣直接关系到开关电源的技术指标及能否安全可靠地工作。现有整流桥芯片一般采用全包结构，即除了芯片的引脚外，其余的部分均为塑封体所包裹。
为了保护电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击，一般会在整流桥中单独添加瞬态抑制二极管或压敏电阻来负责保护电路中的元器件，但在电路板中单独焊接瞬态抑制二极管或压敏电阻，占据空间大、不利于电子产品微型化。
发明内容
针对上述问题，本发明提供一种空间布局紧凑、占用平面空间小且利于产品微型化的整流桥。
一种整流桥，包括封装壳体、引线框架、整流芯片和过压保护芯片，引线框架包括层叠设于所述封装壳体内的第一框架、第二框架和第三框架，整流芯片包括设于所述第一框架和所述第二框架之间的第一层芯片和设于所述第二框架和所述第三框架之间的第二层芯片，过压保护芯片设于所述第一框架和所述第三框架之间，所述过压保护芯片位于所述整流芯片水平方向的一侧。
可选地，所述过压保护芯片为瞬态抑制二极管芯片或压敏电阻芯片。
可选地，所述第一框架包括第一平焊盘和第一凸点焊盘，所述第一平焊盘包括第一区域和第二区域，所述第一凸点焊盘设于所述第一区域，所述第一区域对应连接所述第一层芯片，所述第二区域对应连接所述过压保护芯片，所述第一凸点焊盘朝向所述第二框架。
可选地，所述第二框架包括第二平焊盘和设于所述第二平焊盘的第二凸点焊盘，所述第二平焊盘对应于所述第一平焊盘的所述第一区域，所述第二凸点焊盘朝向所述第三框架。
可选地，所述第二单元体有两个，两者在水平方向平行且间隔开设置。
可选地，所述第三框架包括第三平焊盘，所述第三平焊盘对应于所述第一平焊盘的所述第一区域和所述第二区域，所述第三平焊盘用于连接所述第二层芯片和所述过压保护芯片。
可选地，所述第二框架作为交流输入端，所述第一框架和所述第三框架作为直流输出端。
可选地，所述第一框架、所述第二框架和所述第三框架的末端设有引脚，所述引脚位于所述封装壳体外部。
可选地，所述第一芯片层包括两颗并联的第一单芯片，所述第一单芯片设于所述第一框架和所述第二框架之间，所述第二芯片层包括两颗并联的第二单芯片，所述第二单芯片设于所述第二框架和所述第三框架之间。
相比现有技术，本发明有益效果在于：
1、采用叠层结构将四个整流芯片整合后，将过压保护芯片与四个整流芯片之间通过水平向整合的方式进行同体封装，封装结构空间布局更加合理，有效减少了芯片在垂直方向上的空间需求，且在水平方向也不需要过多的空间设置，使得整个产品在PCB板上占用的平面空间小，解决了PCB板上的空间利用率问题，利于整流桥产品的微型化发展。
2、采用三层框架对五个芯片进行封装连接，在最外层的两个框架之间合理设置用于连接整流芯片和过压保护芯片的水平向区域，并且通过中间框架将四个整流芯片在垂直向分隔开，使得体积较大的过压保护芯片和体积较小的整流芯片能够紧凑布局，有效节省了封装所需的空间。
附图说明
图1为本发明一实施例的整体结构示意图；
图2为本发明一实施例的内部结构示意图；
图3为本发明一实施例的引线框架、整流芯片及过压保护芯片的组装结构图；
图4为本发明一实施例的第一单元体的结构示意图；
图5为本发明一实施例的第二单元体的结构示意图；
图6为本发明一实施例的第三单元体的结构示意图；
图7为本发明一实施例的第一基带的结构示意图；
图8为本发明一实施例的第二基带的结构示意图；
图9为本发明一实施例的第三基带的结构示意图。
具体实施方式
以下结合较佳实施例及其附图对发明技术方案作进一步非限制性的详细说明。
如图1、图2、图3所示，本发明一实施例的一种整流桥，包括封装壳体1和位于封装壳体1内的引线框架、整流芯片及过压保护芯片2，引线框架，包括在垂直方向层叠设于封装壳体内的第一框架、第二框架和第三框架，整流芯片包括设于第一框架和第二框架之间的第一层芯片和设于第二框架和第三框架之间的第二层芯片；过压保护芯片2设于第一框架和第三框架之间，过压保护芯片2位于整流芯片水平方向的一侧，这样，有效减少了芯片多层堆叠需要的垂直方向的空间，且在水平方向也不需要过多的空间设置，使得整个芯片的空间布局紧凑合理，从而有利于整流桥的微型化。
其中，第二框架位于第一框架和第三框架之间，第二框架作为交流输入端，第一框架和第三框架作为直流输出端，第一框架、第二框架和第三框架的末端均设置有引脚6，封装后，引脚6露出于封装壳体1的外部。具体的，如图4所示，第一框架包括相互连接的第一单元体4和第一基带41，第一单元体4包括第一平焊盘401和设于第一平焊盘401的两个第一凸点焊盘402，为了在水平方向能够同时安装配合过压保护芯片2和整流芯片，第一平焊盘401具有用于配合第一层芯片的第一区域403和用于配合保护芯片2的第二区域404，第一凸点焊盘402朝向第二框架。
如图5所示，第二框架包括相互连接的第二单元体5和第二基带51，第二单元体5包括第二平焊盘501和设于第一平焊盘501的第二凸点焊盘502，其中，第二单元体5有两个，两者在水平方向平行且间隔开设置，第一平焊盘501用于安装配合第一层芯片和第二层芯片，因此，第一平焊盘501的尺寸对应于第一平焊盘401的第一区域403，而第二凸点焊盘502朝向第三框架。
如图6所示，第三框架包括相互连接的第三单元体8和第三基带81，第三单元体8包括第三平焊盘801，第三平焊盘801的尺寸与第一平焊盘401的尺寸相近，因而第三平焊盘801能够对应第一平焊盘401的第一区域403和第二区域404。
如图3所示，第一芯片层包括两颗并联的第一单芯片3，两个第一单芯片3设于第一平焊盘401和第二平焊盘501之间，两个第一单芯片3的负极分别连接两个第二平焊盘501，两个第一单芯片3的正极分别连接第一平焊盘401上的两个第一凸点焊盘402。第二芯片层包括两颗并联的第二单芯片7，两个第二单芯片7设于第二平焊盘501和第三平焊盘801之间，两个第二单芯片7的负极均连接第三平焊盘801，两个第二单芯片7的正极分别连接第二平焊盘501上的第二凸点焊盘502。而过压保护芯片2的正负极分别连接于第一平焊盘401的第二区域404和第三平焊盘801，由于第二平焊盘501基本对应于第一平焊盘401的第一区域403，因而第二平焊盘501对过压保护芯片2的安装不够成干涉。过压保护芯片2为瞬态抑制二极管芯片或压敏电阻芯片，由于过压保护芯片2相对体积较大，采用上述结构的第一框架、第二框架和第三框架来组装整流芯片和过压保护芯片2，克服了传统的整流桥中焊盘设计复杂、空间布局不紧凑的缺点，既实现了整流芯片和过压保护芯片2的整体封装，又有效缩小了产品整体的体积。
第一基带41、第二基带51和第三基带81的尺寸基本相同，在可选的实施例中，如图7所示，第一基带41包括两条第一边带42、连接于两条第一边带42之间的多条第一中间筋44和第一引线框架单元43，第一中间筋44设置有12条，第一引线框架单元43为14行24列的矩阵式排列，相邻的两列第一引线框架单元43对称的连接于第一中间筋44的左右两侧。如图8所示，第二基带51包括两条第二边带52、连接于两条第二边带52之间的多条第二中间筋54和第二引线框架单元53，第二中间筋54设置有13条，第二引线框架单元53为14行24列的矩阵式排列，位于第二基带51中部的相邻两列第二引线框架单元53对称的连接于第二中间筋54的左右两侧，而位于第二基带51左右两侧边缘的第二中间筋54上连接有单列的第二引线框架单元53。如图9所示，第三基带81包括两条第三边带82、连接于两条第三边带82之间的多条第三中间筋84和第三引线框架单元83，第三中间筋84设置有12条，第三引线框架单元83为14行24列的矩阵式排列，相邻的两列第三引线框架单元83对称的连接于第三中间筋84的左右两侧。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种整流桥，其特征在于，包括：
封装壳体；
引线框架，包括层叠设于所述封装壳体内的第一框架、第二框架和第三框架；
整流芯片，包括设于所述第一框架和所述第二框架之间的第一层芯片和设于所述第二框架和所述第三框架之间的第二层芯片；
过压保护芯片，设于所述第一框架和所述第三框架之间，所述过压保护芯片位于所述整流芯片水平方向的一侧。
2.根据权利要求1所述的整流桥，其特征在于，所述过压保护芯片为瞬态抑制二极管芯片或压敏电阻芯片。
3.根据权利要求1或2所述的整流桥，其特征在于，所述第一框架包括第一平焊盘和第一凸点焊盘，所述第一平焊盘包括第一区域和第二区域，所述第一凸点焊盘设于所述第一区域，所述第一区域对应连接所述第一层芯片，所述第二区域对应连接所述过压保护芯片，所述第一凸点焊盘朝向所述第二框架。
4.根据权利要求3所述的整流桥，其特征在于，所述第二框架包括第二平焊盘和设于所述第二平焊盘的第二凸点焊盘，所述第二平焊盘对应于所述第一平焊盘的所述第一区域，所述第二凸点焊盘朝向所述第三框架。
5.根据权利要求4所述的整流桥，其特征在于，所述第二单元体有两个，两者在水平方向平行且间隔开设置。
6.根据权利要求3所述的整流桥，其特征在于，所述第三框架包括第三平焊盘，所述第三平焊盘对应于所述第一平焊盘的所述第一区域和所述第二区域，所述第三平焊盘用于连接所述第二层芯片和所述过压保护芯片。
7.根据权利要求1或2所述的整流桥，其特征在于，所述第二框架作为交流输入端，所述第一框架和所述第三框架作为直流输出端。
8.根据权利要求1或2所述的整流桥，其特征在于，所述第一框架、所述第二框架和所述第三框架的末端设有引脚，所述引脚位于所述封装壳体外部。
9.根据权利要求1或2所述的整流桥，其特征在于，所述第一芯片层包括两颗并联的第一单芯片，所述第一单芯片设于所述第一框架和所述第二框架之间，所述第二芯片层包括两颗并联的第二单芯片，所述第二单芯片设于所述第二框架和所述第三框架之间。
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