CN112074096A - 一种5g高频lcp材料钻孔方法 - Google Patents

一种5g高频lcp材料钻孔方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112074096A
CN112074096A CN202011091415.6A CN202011091415A CN112074096A CN 112074096 A CN112074096 A CN 112074096A CN 202011091415 A CN202011091415 A CN 202011091415A CN 112074096 A CN112074096 A CN 112074096A
Authority
CN
China
Prior art keywords
drilling
laser
lcp
focal length
lcp material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011091415.6A
Other languages
English (en)
Inventor
赵城
潘俊华
王有名
郑道远
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AKM Electronics Industrial (PanYu) Ltd
Original Assignee
AKM Electronics Industrial (PanYu) Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AKM Electronics Industrial (PanYu) Ltd filed Critical AKM Electronics Industrial (PanYu) Ltd
Priority to CN202011091415.6A priority Critical patent/CN112074096A/zh
Publication of CN112074096A publication Critical patent/CN112074096A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0026Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
    • H05K3/0032Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of organic insulating material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107Using laser light
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/14Related to the order of processing steps
    • H05K2203/1492Periodical treatments, e.g. pulse plating of through-holes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

本发明公开了一种5G高频LCP材料钻孔方法,包括以下步骤:S1、采用激光在预设焦距下按预设轨迹对LCP压合工件进行圆形钻孔;S2、将焦距下移一微距离,焦距下移过程中暂停激光钻孔;S3、继续采用激光在下移后的焦距下按预设轨迹对所述LCP压合工件进行圆形钻孔;S4、重复步骤S2和S3,直至钻孔完成。本发明的5G高频LCP材料钻孔方法中,在钻孔过程中随着孔的钻进进行了激光钻孔的暂停,从而避免加工能量的持续堆集,最大程度减小热影响效应,避免孔内缩,保证孔型良好,运用此发明的激光加工方法,该类型LCP带胶材料在激光钻通孔后,胶内缩可以控制在10μm以内,孔型呈现笔直状。

Description

一种5G高频LCP材料钻孔方法
技术领域
本发明属于PCB加工技术领域,具体涉及一种5G高频LCP材料钻孔方法。
背景技术
在5G发展时代的到来,电子产品不仅迅速走向小型化和多功能化,更加突出的是信号传输急剧走向高频化发展,作为电子产品的基础部件印制板(PCB)必然要快速的向高密度化、高精细化的要求发展,所以对于该类产品孔质量的提高显得尤为重要。
高频LCP带胶材料是5G时代PCB板的基础材料,在加工中需要对其进行钻孔。目前的钻孔方法有:
1、机械钻孔,机械钻孔属于接触式加工,主要是高转速钻机带动钻刀在一定落速下钻穿线路板,具有加工效率高、通孔孔型好、加工成本低的特点。但是,机械钻孔受限于加工方式,只能加工通孔,无法加工盲孔,一般只能加工大于100μm的通孔。
2、红外(CO2)激光钻孔,红外(CO2)激光钻孔属于非接触式加工,其原理是光热烧蚀原理,钻孔过程是板面吸收CO2激光后产生能量转换,当温度升高到熔点以上后,进行溶化、蒸发、等离子体喷溅形成微孔,具有加工质量好、加工效率高等特点。但是,红外(CO2)激光钻孔,由于铜箔表面反射率高,无法直接加工盲孔,需要通过开窗处理或者表面棕榈化处理,由于红外激光钻孔是采用热烧蚀原理,所以完成的孔是上大下小的“倒锥形”孔。
3、紫外激光钻孔,紫外激光钻孔也是属于非接触式加工,因紫外光波长短、材料吸收率高、加工速度快、热影响区小、可聚焦的光斑尺寸小的特点,微加工时候容易获得较高的加工精度和质量。但是,由于现阶段使用的都是纳秒级别的短脉冲紫外激光,虽然属于“冷加工”类型,但是在加工高频产品的微孔时,仍然会产品热量堆积的现象,导致孔壁出现“热损伤”,尽管孔壁情况好于红外激光加工的效果,但是仍然满足不了日益严格的孔壁质量要求。
现阶段使用以往的常规钻孔方法已经不能满足质量要求,特别是胶内缩严重和孔型质量差已经成为阻碍整个孔金属化质量提升的关键部分。
因此,需要一种新的技术以给高频LCP带胶材料进行钻孔,避免内缩,保证孔型良好。
发明内容
为解决现有技术中的上述问题,本发明提供了一种5G高频LCP材料钻孔方法,其能够避免钻孔时发生内缩,保证孔型良好。
本发明采用了以下技术方案:
一种5G高频LCP材料钻孔方法,包括以下步骤:
S1、采用激光在预设焦距下按预设轨迹对LCP压合工件进行圆形钻孔;
S2、将焦距下移一微距离,焦距下移过程中暂停激光钻孔;
S3、继续采用激光在下移后的焦距下按预设轨迹对所述LCP压合工件进行圆形钻孔;
S4、重复步骤S2和S3,直至钻孔完成。
上述方案中,在钻孔过程中随着孔的钻进进行了激光钻孔的暂停,从而避免加工能量的持续堆集,最大程度减小热影响效应,避免孔内缩,保证孔型良好。
作为本发明技术方案的进一步改进,在进行圆形钻孔时,同一焦距下重复多次圆形钻孔,以保证钻孔的平整性。
作为本发明技术方案的进一步改进,整个加工过程中,焦距每一次下移的微距离相等,以保证钻孔上下均匀。
作为本发明技术方案的进一步改进,所述微距离为30-60μm。
作为本发明技术方案的进一步改进,所述微距离为40μm。
作为本发明技术方案的进一步改进,加工过程中,所述激光的有效光斑直径不变,以使的钻出的孔上下大小均匀,为直通孔。
作为本发明技术方案的进一步改进,所述有效光斑直径为18-22μm。
作为本发明技术方案的进一步改进,所述有效光斑直径为20μm。
作为本发明技术方案的进一步改进,所述激光钻孔的暂停时间为40-70微秒。
作为本发明技术方案的进一步改进,还包括在步骤S4以后的步骤S5:
S5、将钻孔后的工件依次进行孔金属化前处理和孔金属化处理。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:
本发明的5G高频LCP材料钻孔方法中,在钻孔过程中随着孔的钻进进行了激光钻孔的暂停,从而避免加工能量的持续堆集,最大程度减小热影响效应,避免孔内缩,保证孔型良好,运用此发明的激光加工方法,该类型LCP带胶材料在激光钻通孔后,胶内缩可以控制在10μm以内,孔型呈现笔直状。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明的技术作进一步地详细说明:
图1是本发明5G高频LCP材料钻孔方法的步骤流程图;
图2是本发明的LCP压合工件的结构图;
图3是本发明的LCP压合工件的钻孔后的结构图;
图4是本发明的工件的钻孔后的孔金属化后的结构图。
具体实施方式
以下将结合实施例和附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整的描述,以充分地理解本发明的目的、方案和效果。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。附图中各处使用的相同的附图标记指示相同或相似的部分。
需要说明的是,如无特殊说明,当某一特征被称为“固定”、“连接”在另一个特征,它可以直接固定、连接在另一个特征上,也可以间接地固定、连接在另一个特征上。此外,本发明中所使用的上、下、左、右等描述仅仅是相对于附图中本发明各组成部分的相互位置关系来说的。
参照图1至图4,一种5G高频LCP材料钻孔方法,包括以下步骤:
S1、将LCP压合工件安装在激光钻孔设备上,对好位置并固定,导入加工文件,进行初步的样品加工焦距测量,加工刀具参数设置,加工对位孔抓点设置。在本实施例中,激光钻孔设备为ESI-5335纳秒级激光钻孔设备。在安装LCP压合工件时,可采用激光钻孔的专用治具安装在加工平台上固定,与LCP压合工件进行对位,通过增加使用激光钻孔的专用治具,得到完全笔直的孔壁,可以得到更加完美的孔型效果。
按照预设参数和加工文件,采用激光在预设焦距下按预设轨迹对LCP压合工件进行圆形钻孔。本实施例中,加工的通孔的孔径为150μm,使用的短脉冲激光器的波长小于400nm,单脉冲能量都小于80μJ,激光器的重复频率为40KHZ-60KHZ,振镜扫描速度设置为400.2mm/s。加工过程中,所述激光的有效光斑直径不变,以使的钻出的孔上下大小均匀,为直通孔,所述有效光斑直径为18-22μm,优选地,所述有效光斑直径为20μm。激光的通断及多棱镜系统的扫描范围、扫描轨迹和均由计算机程序控制和加工文件设定。其中,所述LCP压合工件是使用常规的低温压合设备进行压合得到,该样品是1+2结构。
在进行圆形钻孔时,同一焦距下重复多次圆形钻孔,以保证钻孔的平整性。例如,初始焦距时,Z轴高度设置为0,有效光斑直径为20μm,重复加工此时为5次。
S2、将焦距下移一微距离,焦距下移过程中暂停激光钻孔。其中,所述微距离为30-60μm,优选地,所述微距离为40μm,此时Z轴为-40μm,通过暂停激光钻孔,避免了加工能量的持续堆集,最大程度减小热影响效应,避免孔内缩。ESI-5335纳秒级激光钻孔设备,通过设置在加工过程将焦距下移,在移动过程中激光钻孔的操作是自动暂停的,下移后又能够立刻恢复激光钻孔,整个过程中,激光钻孔的暂停时间只有40-70微秒,相比于主动暂停激光钻孔再启动,更加快捷,并不会影响加工效率,其目的主要是为了避免加工能量的持续堆集,最大程度减小热影响效应,并且随着加工的进行,每一步的加工扫描速度都在400mm/s左右,可以有效的避免加工能量过大能导致对于加工过区域的二次损伤,此方法可以很好的改善5G高频LCP带胶材料通孔胶内缩状况,暂停时间更短,加工效率更高。
S3、继续采用激光在下移后的焦距下按预设轨迹对所述LCP压合工件进行圆形钻孔,同样地,振镜扫描速度设置为400.2mm/s,有效光斑直径为20μm,重复加工次数设置为5次;
S4、重复以上步骤,直至钻孔完成。例如:
S41、在步骤S3后,继续将焦距下移40μm,此时Z轴高度为-80μm,下移时暂停激光钻孔;
S42、继续进行圆形钻孔,激光器的重复频率为40KHZ-60KHZ,振镜扫描速度设置为400.2mm/s,有效光斑直径为20μm,重复5次;
S43、继续将焦距下移40μm,此时Z轴高度为-120μm,下移时暂停激光钻孔;
S44、继续进行圆形钻孔,激光器的重复频率为40KHZ-60KHZ,振镜扫描速度设置为400.2mm/s,有效光斑直径为20μm,重复5次;
S45、继续将焦距下移40μm,此时Z轴高度为-160μm,下移时暂停激光钻孔;
S46、继续进行圆形钻孔,激光器的重复频率为40KHZ-60KHZ,振镜扫描速度设置为400.2mm/s,有效光斑直径为20μm,重复5次;
S47、继续将焦距下移40μm,此时Z轴高度为-200μm,下移时暂停激光钻孔;
S48、继续进行圆形钻孔,激光器的重复频率为40KHZ-60KHZ,振镜扫描速度设置为400.2mm/s,有效光斑直径为20μm,重复5次;钻孔完成。
上述方案中,在钻孔过程中随着孔的钻进进行了激光钻孔的暂停,从而避免加工能量的持续堆集,最大程度减小热影响效应,避免孔内缩,保证孔型良好。
整个加工过程中,焦距每一次下移的微距离相等,以保证钻孔上下均匀。
S5、将钻孔后的工件依次进行孔金属化前处理和孔金属化处理。
本发明所述的5G高频LCP材料钻孔方法的其它内容参见现有技术,在此不再赘述。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制,故凡是未脱离本发明技术方案内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种5G高频LCP材料钻孔方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、采用激光在预设焦距下按预设轨迹对LCP压合工件进行圆形钻孔;
S2、将焦距下移一微距离,焦距下移过程中暂停激光钻孔;
S3、继续采用激光在下移后的焦距下按预设轨迹对所述LCP压合工件进行圆形钻孔;
S4、重复步骤S2和S3,直至钻孔完成。
2.根据权利要求1所述的5G高频LCP材料钻孔方法,其特征在于:在进行圆形钻孔时,同一焦距下重复多次圆形钻孔。
3.根据权利要求1所述的5G高频LCP材料钻孔方法,其特征在于:整个加工过程中,焦距每一次下移的微距离相等。
4.根据权利要求1所述的5G高频LCP材料钻孔方法,其特征在于:所述微距离为30-60μm。
5.根据权利要求4所述的5G高频LCP材料钻孔方法,其特征在于:所述微距离为40μm。
6.根据权利要求1所述的5G高频LCP材料钻孔方法,其特征在于:加工过程中,所述激光的有效光斑直径不变。
7.根据权利要求6所述的5G高频LCP材料钻孔方法,其特征在于:所述有效光斑直径为18-22μm。
8.根据权利要求7所述的5G高频LCP材料钻孔方法,其特征在于:所述有效光斑直径为20μm。
9.根据权利要求1所述的5G高频LCP材料钻孔方法,其特征在于:所述激光钻孔的暂停时间为40-70微秒。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的5G高频LCP材料钻孔方法,其特征在于:还包括在步骤S4以后的步骤S5:
S5、将钻孔后的工件依次进行孔金属化前处理和孔金属化处理。
CN202011091415.6A 2020-10-13 2020-10-13 一种5g高频lcp材料钻孔方法 Pending CN112074096A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011091415.6A CN112074096A (zh) 2020-10-13 2020-10-13 一种5g高频lcp材料钻孔方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011091415.6A CN112074096A (zh) 2020-10-13 2020-10-13 一种5g高频lcp材料钻孔方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112074096A true CN112074096A (zh) 2020-12-11

Family

ID=73655367

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011091415.6A Pending CN112074096A (zh) 2020-10-13 2020-10-13 一种5g高频lcp材料钻孔方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112074096A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113695750A (zh) * 2021-09-14 2021-11-26 中国联合重型燃气轮机技术有限公司 一种蜂窝密封组件激光加工装置及加工方法
CN113732527A (zh) * 2021-09-08 2021-12-03 常州英诺激光科技有限公司 一种用于切割lcp材料的紫外皮秒激光切割方法
CN113923868A (zh) * 2021-09-07 2022-01-11 德中(天津)技术发展股份有限公司 一种利用激光制作高频微波板的方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1312146A (zh) * 1994-02-24 2001-09-12 三菱电机株式会社 能消除切割条件改变区内各种缺陷的激光切割方法
CN101610643A (zh) * 2009-07-14 2009-12-23 华中科技大学 一种激光加工盲孔的方法
CN103878495A (zh) * 2014-04-02 2014-06-25 温州大学 一种变焦距激光精密加工深槽深孔的方法及装置
KR20160094776A (ko) * 2015-02-02 2016-08-10 주식회사 디에이피 인쇄회로기판 가공 방법
CN107442930A (zh) * 2017-07-13 2017-12-08 华中科技大学 一种激光焦点动态加工方法及装置
CN107486640A (zh) * 2017-08-24 2017-12-19 江苏大学 一种改善孔锥度和内壁质量的激光打孔装置及方法
CN110587121A (zh) * 2018-08-17 2019-12-20 蓝思科技(长沙)有限公司 透光脆性材料基体的激光打孔方法、盖板和电子产品
CN110695549A (zh) * 2019-09-26 2020-01-17 张立国 一种激光钻通孔的方法、系统、装置和设备
CN111590197A (zh) * 2020-05-11 2020-08-28 苏州优快激光科技有限公司 陶瓷基板多孔阵列皮秒激光振镜扫描钻孔系统及方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1312146A (zh) * 1994-02-24 2001-09-12 三菱电机株式会社 能消除切割条件改变区内各种缺陷的激光切割方法
CN101610643A (zh) * 2009-07-14 2009-12-23 华中科技大学 一种激光加工盲孔的方法
CN103878495A (zh) * 2014-04-02 2014-06-25 温州大学 一种变焦距激光精密加工深槽深孔的方法及装置
KR20160094776A (ko) * 2015-02-02 2016-08-10 주식회사 디에이피 인쇄회로기판 가공 방법
CN107442930A (zh) * 2017-07-13 2017-12-08 华中科技大学 一种激光焦点动态加工方法及装置
CN107486640A (zh) * 2017-08-24 2017-12-19 江苏大学 一种改善孔锥度和内壁质量的激光打孔装置及方法
CN110587121A (zh) * 2018-08-17 2019-12-20 蓝思科技(长沙)有限公司 透光脆性材料基体的激光打孔方法、盖板和电子产品
CN110695549A (zh) * 2019-09-26 2020-01-17 张立国 一种激光钻通孔的方法、系统、装置和设备
CN111590197A (zh) * 2020-05-11 2020-08-28 苏州优快激光科技有限公司 陶瓷基板多孔阵列皮秒激光振镜扫描钻孔系统及方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
蔡积庆: "积层板用激光钻孔", 《印制电路信息》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113923868A (zh) * 2021-09-07 2022-01-11 德中(天津)技术发展股份有限公司 一种利用激光制作高频微波板的方法
CN113732527A (zh) * 2021-09-08 2021-12-03 常州英诺激光科技有限公司 一种用于切割lcp材料的紫外皮秒激光切割方法
CN113695750A (zh) * 2021-09-14 2021-11-26 中国联合重型燃气轮机技术有限公司 一种蜂窝密封组件激光加工装置及加工方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112074096A (zh) 一种5g高频lcp材料钻孔方法
CN101610643B (zh) 一种激光加工盲孔的方法
CA2373565C (en) Beam shaping and projection imaging with solid state uv gaussian beam to form vias
KR100231716B1 (ko) 레이저 가공장치
US6657159B2 (en) Method for laser drilling
CN108098147B (zh) 一种用于pcb阵列微孔的双面激光加工方法
CN110280914B (zh) 一种激光超声技术辅助脉冲激光打孔装置及方法
CN106735943A (zh) 一种激光辅助加热长脉冲激光打孔装置及其方法
CN109807477B (zh) 一种pcb孔复合加工方法
CN110625271A (zh) 超快激光pcb钻孔的装备及其方法
CN112917028A (zh) 一种封装基板表面平底盲孔的激光加工方法
CN108176928B (zh) 一种角度可调的阵列微孔激光加工方法
WO2022222411A1 (zh) Pcb短波长脉冲激光钻孔方法及相关钻孔装置
CN109702326A (zh) 一种提高激光打孔深度的装置及其方法
CN112188740B (zh) 一种5g高频mpi材料钻孔方法
JP2004351513A (ja) 超短パルスレーザーによる材料加工方法、プリント配線板、及びその製造方法
JPH0575253A (ja) レーザ光による回路パターンの形成方法及びスルーホール内の導体形成方法
CN114951967A (zh) 基于超快激光的微通孔加工方法和系统
JP2017051990A (ja) レーザ加工方法
CN210967521U (zh) 超快激光pcb钻孔的装备
JPH07193375A (ja) フィルム付きセラミックグリーンシートの加工方法
CN112139679B (zh) 一种ltcc生陶瓷超快激光钻孔系统及方法
CN112692454A (zh) 一种双头激光光路系统及其加工pcb板盲孔的方法
CN114273800A (zh) 一种适用于不锈钢工件的超快激光打孔方法及系统
JPH03142087A (ja) プリント配線基板の穴明け加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20201211