CN112067899A - 面板结构、显示装置及面板结构的对位检测方法 - Google Patents

Abstract

本发明描述了一种面板结构、显示装置及面板结构的对位检测方法。面板结构包括相对设置的第一基材和第二基材；电容组，包括第一电容和第二电容；其中，第一电容包括相对设置的第一甲电极和第一乙电极；第二电容包括相对设置的第二甲电极和第二乙电极；第一甲电极和第二甲电极位于第一基材上，第一乙电极和第二乙电极位于第二基材上；第一乙电极沿第一方向相对第一甲电极错位，第二乙电极沿着与第一方向相反的方向相对第二甲电极错位。本发明实施例提供还提供了包含该面板结构的显示装置，以及面板结构的对位检测方法。通过本发明不仅同时提高了对位检测的灵敏度和准确性，还可以获得对位偏差的方向，为对位调整提供了参考，提高了对位效率。

Description

面板结构、显示装置及面板结构的对位检测方法

技术领域

本发明涉及显示领域，特别是涉及面板结构、显示装置及面板结构的对位检测方法。

背景技术

在现有的显示技术中，显示面板包括多个膜层或多个基板，这些膜层需要对位贴合，对位的准确与否直接影响了显示面板的显示性能。所以在工厂阶段都会对面板结构中的基板贴合工艺进行检测，目前对绑定工艺的检测通常采用的摄像头来检查。

但是，因摄像头的镜头自身的景深和视场的影响，每个感光单元只能接受很小一部分的光线，对位标记每个点反射的光线被多个感光单元接受，导致对位标记边界对比度低，从而使镜头对位的精度有限。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种面板结构、显示装置及面板结构的对位检测方法。

第一方面，本发明实施例提供包括了一种面板结构，包括：

相对设置的第一基材和第二基材；

电容组，包括第一电容和第二电容；

其中，第一电容包括相对设置的第一甲电极和第一乙电极；

第二电容包括相对设置的第二甲电极和第二乙电极；

第一甲电极和第二甲电极位于第一基材上，第一乙电极和第二乙电极位于第二基材上；

第一乙电极沿第一方向相对第一甲电极错位，第二乙电极沿着与第一方向相反的方向相对第二甲电极错位。

第二方面，本发明实施例提供还提供了一种包含该面板结构的显示装置。

第三方面，本发明实施例提供还包括一种面板结构的对位检测方法，用于检测前述本发明第一方面任一实施方式的面板结构；

检测第一电容和第二电容的电容值；

根据检测结果判断第一基材和第二基材的对位情况。

通过本发明不仅同时提高了对位检测的灵敏度和准确性，还可以获得对位偏差的方向，为对位调整提供了参考，提高了对位效率。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种面板结构的俯视图；

图2是沿图1中A-A线所截的截面图；

图3是图1中的一种对位情况的示意图；

图4是本发明实施例提供的又一种面板结构的俯视图；

图5是本发明实施例提供的又一种面板结构的俯视图；

图6是沿图1中A-A线所截的另一种截面图；

图7是本发明实施例提供的又一种面板结构的俯视图；

图8是本发明实施例提供的又一种面板结构的俯视图；

图9是本发明实施例提供的又一种面板结构的俯视图；

图10是本发明实施例提供的又一种面板结构的俯视图；

图11是沿图1中A-A线所截的另一种截面图；

图12是本发明实施例提供的一种面板结构的俯视图；

图13是沿图12中A-A线所截的一种截面图；

图14是本发明实施例提供的又一种面板结构的俯视图；

图15是为本发明实施例提供的一种对位检测方法的流程示意图；

图16是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。

需要说明的是，在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。

在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。

需要注意的是，本发明实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本发明实施例的限定。此外在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件被形成在另一个元件“上”或“下”时，其不仅能够直接形成在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接形成在另一元件“上”或者“下”。

并且，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系，某些部位的层厚采用了夸张的绘图方式以便于理解，附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。本申请中各实施例的附图沿用了相同的附图的标记。此外，各实施例彼此相同之处不再赘述。

请参考图1～图2所示，图1为本发明实施例提供的一种面板结构的俯视图，图2为沿图1中A-A线所截的截面图，为方便理解，本申请部分附图图中的部分结构以可透视的方式展示。

面板结构100包括相对设置的第一基材110和第二基材120。

可选的，本实施例中的面板结构100可以为显示面板中的某些膜层组成。显示面板可以为液晶显示面板(LCD)、有机发光显示面板(OLED)或者是微型发光二极管(MicroLED)显示面板。

可选的，第一基材110和第二基材120可以分别为上述显示面板中的两个需要对位贴合的两个膜层或需要对位的两个部件。

具体的，当面板结构100用于液晶显示面板时，液晶显示面板包括阵列基板、彩膜基板、以及通过封框胶密封在阵列基板与彩膜基板之间的液晶层。第一基材110和第二基材120可以分别为阵列基板和彩膜基板。其中，阵列基板和彩膜基板可以参考现有技术中的阵列基板和彩膜基板的结构，这里不再赘述。

当面板结构100用于有机发光显示面板时，有机发光显示面板包括依次层叠设置的阵列基板、发光功能层以及封装层，由此形成基础显示面板。阵列基板可以包括衬底以及位于衬底朝向发光功能层一侧的阵列层，阵列层可以包括多个薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)，薄膜晶体管够构成像素电路，像素电路用于显示层中的发光部件。封装层可以为封装盖板，通过胶材与阵列层基板贴合，从而将发光功能层密封。第一基材110和第二基材120可以分别为阵列基板和封装层。

当然，在一些可选实施例中，封装层可以为薄膜封装层，封装层根据需要可以包括任意数量层叠的有机材料和无机材料，但至少包括一层有机材料和至少一层无机材料交替沉积，且最下层与最上层为无机材料构成。例如封装层包括沿发光功能层的方向依次设置的第一无机封装层、第一有机封装层以及第二无机封装层。

当然，在本发明其他可选实施例中，有机发光显示面板还包括位于封装层远离发光功能层一侧的第一功能层。可选的，第一功能层为偏光片、触控面板、彩膜基板、阻挡层、保护层、盖板中的一者或多者的组合。第一基材110和第二基材120可以分别为上述基础显示面板和第一功能层。

当面板结构100为微型发光二极管显示面板中的结构时，微型发光二极管显示面板包括阵列基板和位于阵列基板上的微型发光二极管(MicroLED)。第一基材110和第二基材120可以分别为阵列基板和微型发光二极管，具体结构将在下文详细介绍。

面板结构100还包括电容组200；电容组200包括第一电容210和第二电容220；第一电容210和第二电容220不交叠。

可选的，面板结构为显示面板，显示面板包括显示区和围绕所述显示区的非显示区。可选的，第一基材和第二基材分别为显示面板中的两个膜层，第一电容与第二电容位于非显示区；这样可以不占用显示区，如后续对位检测完成后还可以根据需要选择是否切割去除电容组所在的非显示区，以实现窄边框的设计需求。进一步，第一电容与第二电容分别位于在第一方向上显示区相对两侧的非显示区中；这样可以避免一侧非显示区过大，同时可以使面板结构两侧都受到检测。

进一步，第一电容210包括相对设置的第一甲电极211和第一乙电极212；

第二电容220包括相对设置的第二甲电极221和第二乙电极222；

具体的，第一甲电极211和第二甲电极221位于第一基材110上，第一乙电极212和第二乙电极222位于第二基材120上。

需要说明的是，这里所说的“电极位于基材上”表示该电极是以该基材为衬底形成的，在第一基材和第二基材贴合之前，该电极是被承载在该基板上的。

可选的，第一甲电极211和第二甲电极221可以复用第一基材110上的其他导电膜层，第一乙电极212和第二乙电极222可以复用第二基材120上的导电膜层。例如，当第一基材110为阵列基板时，阵列基板包括薄膜晶体管、电容、走线等电路器件，第一甲电极211和第二甲电极221可以复用薄膜晶体管的栅极、源漏极、电容、走线所在膜层的材料，并在同一制程中完成制作，这样可以降低成本，提高效率。

可选的，第一乙电极212和第二乙电极222位于第二基材120朝向第一基材110的一侧，第二基材120在第一乙电极212和第二乙电极222朝向第一基材110的一侧上还可以设置有保护层。从而避免对位调整时，电容的电极被刮伤，影响检测结果。可选的，第一甲电极211和第二甲电极221同理，不再赘述。

进一步，第一乙电极212沿第一方向X相对第一甲电极211错位，第二乙电极222沿着与第一方向X相反的方向相对第二甲电极221错位。

具体的，上述同一电容中的电类极与乙类电极相互错开，并且这里所说的错位为同一电容中的电类极与乙类电极的在平行于第一方向X的方向上相对的两端不交叠。

也就是说，第一乙电极212的朝向第一方向X指向的一端与第一甲电极211不交叠，第一甲电极211背向第一方向X的一端与第一乙电极212不交叠；相反的，第二乙电极222背向第一方向X指向的一端与第二甲电极221不交叠，第二甲电极221朝向第一方向X指向的一端与第二乙电极222不交叠

换句话说，在平行于第一方向X的方向上：第一电容210相对的两端处，第一甲电极211与第一乙电极212均错开，第二电容220相对的两端处的第二甲电极221与第二乙电极222均错开。但是，第一甲电极211与第一乙电极212至少部分交叠，第二甲电极221与第二乙电极222至少部分交叠。

以本实施例附图为例，在平行于第一方向X的方向上：第一乙电极212与第二乙电极222相邻的两端均不与第一甲电极211和第二甲电极221交叠；而第一甲电极211和第二甲电极221相背离的两端均不与第一乙电极212与第二乙电极222交叠。

需要理解的，如无特别说明，本申请实施例所说的两个膜层或两个结构“交叠”指两个膜层或两个结构在面板结构所在平面上的正投影交叠，也可以理解为，两个结构或膜层中一个结构或膜层在另一个结构或膜层所在平面的正投影与该另一个结构或膜层交叠。

可选的，电容组200复用做第一基材110与第二基材120对位时的对位标记，通过第一电容210和第二电容220的电容值差异反馈对位情况。例如，当第二基材120相对于第一基材110向第一方向相反的方向发生对位偏移时(即，相对于参照物来说，第二基材120不动，第一基材110沿第一方向X发生移动时)，第一电容210中的第一甲电极211和第一乙电极212正对面积增大，检测的到的第一电容210的电容值相对于无对位偏差时的第一电容210的电容值增大。同理第二电容220的电容值会相对于无对位偏差时的第二电容220的电容值减小。因此，通过检测第一电容和第二电容的电容值，可以判断出“第一基材相对于第二基材向第一方向相反的方向发生对位偏移”的结果。进一步，因为第一电容210和第二电容220的变化趋势相反，根据第一电容210电容值和第二电容220的电容值的差值可以判断出对位偏移的大小。

可选的，面板结构还包括连接到各个第一电容和第二电容中的甲类电极和乙类电极的引线。引线将各个第一电容和第二电容中的甲类电极和乙类电极与处理模块电连接。可选的，处理模块可以为控制单元、检测单元、芯片等；处理模块可以向电容组发送检测信号、接受或检测电容组中电容的大小、处理检测到的数据。可以设置在面板结构上，也可以为不属于面板结构的外部装置。

虽然本实施例以电容组200包括一个第一电容210和一个第二电容220为例进行说明，但是可以理解的，本申请并不对电容组200中的电容组200包括第一电容210和第二电容220的数量进行限定。电容组200包括多对第一电容210和第二电容220。

通过本实施例，一方面，通过电容检测判断对位误差，相对于摄像头拍摄来说精度更高，提高了检测的准确性；另一方面，通过第一电容和第二电容的搭配，不仅可以检测出对位偏差，还可以检测出对位偏差的方向；再一方面，第一基材和第二基材的位置偏差不仅可以通过电容体现出基材的偏差方向，由于第一电容和第二电容中的第一甲电极、第二甲电极、第一乙电极以及第二乙电极的具有特殊的位置关系，当对位在第一方向上出现偏差时，第一电容的电容值和第二电容的电容值得变化趋势正好是相反的，而本申请是通过第一电容的电容值和第二电容的电容值的差值反应是否出现对位偏差，相当于检测结果是第一电容的电容值变化量和第二电容的电容值的变化量的叠加；也就是说，电容组对检测结果进行了放大，对于微小的偏差也可以在检测结果上明显体现，因此提高了检测灵敏度和准确性。即通过本实施例，不仅同时提高了对对位偏差的检测的灵敏度和准确性，还可以获得对位偏差的方向，为后续对位调整提供了参考，提高了对位效率。

继续参考图1和图2所示，可选的，第一电容210和第二电容220沿着平行于第一方向X的方向排布。

需要说明的，第一电容210和第二电容220的排布方向为满足平行于面板结构100所在平面的方向中的一个方向。为方便下面的描述，这里定义该电容组200中第一电容210和第二电容220的排布方向为第一方向X。

可选的，第一甲电极211和第二甲电极221之间的间隔为第一间隔310；

第一乙电极212和第二乙电极222之间的间隔为第二间隔320。

第二间隔320在面板结构100所在平面的正投影位于第一间隔310在面板结构100所在平面的正投影内。也就是说，第一乙电极212覆盖第一甲电极211靠近第二电容220的一侧的边缘。第二乙电极222覆盖第二甲电极221朝向第一电容210一侧的边缘。

进一步，第一电容210关于第二电容220以对称方式放置时，第一电容210的电容值等于第二电容220的电容值。

具体的，第一甲电极211和第二甲电极221在平行于第一方向X的方向上排布，第一甲电极211和第二甲电极221关于第一间隔310对称。也就是说，第一间隔310的垂直于第一方向X的中轴线相当于一个第一对称轴Z1，第一甲电极211和第二甲电极221关于第一对称轴Z1对称。

同理，第一乙电极212和第二乙电极222在平行于第一方向X的方向上排布，第一乙电极212和第二乙电极222关于第二间隔320对称。也就是说，第二间隔320的垂直于第一方向X的中轴线相当于一个第二对称轴Z2，第一乙电极212和第二乙电极222关于第二对称轴Z2对称。

第一电容210和第二电容220以对称方式放置时即第一间隔310和第二间隔320的中轴线重合，或者说是第一对称轴Z1与第二对称轴Z2重合。

可选的，本实施例中，理论上第一基材和第二基材正确对位后，第一电容的电容值等于第二电容的电容值。

当然，在考虑其他影响及误差允许的范围时，第一基材和第二基材正确对位后(即本实施例中第一电容210和第二电容220以对称方式放置时)，第一电容的电容值与第二电容的电容值不会大于下文所说的第一阈值，具体详见本申请后面的详细说明。

通过本实施例，可以使第一电容的电容值和第二电容的电容值变化起始量相同。也就是说，如果发生对位偏差，第一电容的电容值和第二电容的电容值都是基于同一大小的电容值(即第一电容和第二电容电容值相等时的电容值)发生了改变。那么可能出现的检测结果的数值范围不会跨度很大，有利于处理器的运算。

结合图1和图3所示，图3为图1中的一种对位情况的示意图，与上述实施例相同之处不再赘述。

不同的，在与第一方向X平行的方向上：

第一甲电极211和第二甲电极221的间隔距离为D1，第一乙电极212和第二乙电极222的间隔距离为D2，

也就是说，第一间隔310的宽度(即第一间隔310在第一方向X上的尺寸)为D1；第二间隔320的宽度(即第二间隔320在第一方向X上的尺寸)为D2。

其中，D1>D2；即第一间隔310的宽度大于第二间隔320的宽度。

进一步，第一乙电极212的长度为d1，第二乙电极222的长度为d2；

D1>d1，D1>d2。

通过本实施例，可以避免出现较大对位偏差时，第一电容中的电极与第二电容中的电极发生交叠，导致一个电容组的检测结果是两个电容的串扰后的得到的错误的结果。并且，通过本实施例可以避免出现误导性的反向结果。

需要说明的，对于电容组包括多个第一电容和第二电容的情况，本实施例所说的第一电容和第二电容为该电容组中相邻的(指中间没有该电容组中的另外的第一电容或第二电容间隔)两个电容。

进一步，在与第一方向X平行的方向上：

所述第一乙电极的长度等于所述第二乙电极的长度，且均为d；即d1＝d2＝d其中，d+D2＝D1。

通过本实施例，设置第一间隔的宽度D1的满足上述d+D2＝D1的要求，可以使面积有限的电容组得到充分的利用的同时，依旧保证准确性和灵敏度。电容组的有效检测距离实际上为正确对位时第一乙电极与第一甲电极(第二乙电极与第二甲电极)交叠区在第一方向上的长度。也就是说，在第一方向上的对位偏差不超过正确对位时第一乙电极与第一甲电极(第二乙电极与第二甲电极)交叠区的长的的话，检测出的结果都是由第一电容210和第二电容220的电容变化叠加(相当于放大检测结果)组成的，检测结果的准确性和灵敏度更稳定。

可选的，在所述第一方X向上：所述第一乙电极212的长度为d1，所述第二乙电极222的长度为d2。其中，d1和d2的范围为5微米～2000微米，进一步，d1和d2的范围为可以10微米～1000微米。

优选的，此时第一电容和第二电容优选设置在非显示区中。当然，在本申请的其他可选实施例中，电容组可以根据需要设置在显示区中。

可选的，当电容组设置在显示区中时，例如，第一基材为阵列基板，第二基材为微型发光二极管的实施例中：d1和d2的范围为5微米～200微米；进一步，d1和d2的范围为可以10微米～100微米。

因为一般对位偏差在5微米～10微米是较难以检测，因此可以将电容组按照上述参数要求设置；同时，可选的，在第一方向上，第一电容的两个电极的正对区域的长度为10微米～100微米，第二电容的两个电极的正对区域的长度为10微米～100微米。这样，既可以使电容组的量程满足检测需求，又可以减少电容组占用的面板结构的面积。

继续参考上述任一实施例及其附图，可选的，在第二方向Y上：第一甲电极211的长度和第一乙电极212的长度不同；和/或，第二甲电极221的长度和第二乙电极222的长度不同。其中，第二方向Y与第一方向X相交。

通过本实施例，将甲类电极与乙类电极在第二方向上相对设置的边缘之间保持一定距离，可以避免第一基材和第二基材在第二方向上的对位偏差对用于检测平行第一方向的偏差的电容组的检测结果造成影响。换句话说，甲类电极投影在第二方向上是落入乙类电极的，并且在第二方向上，甲类电极要想超出乙类电极的投影范围还需要移动一定的距离才可以，而只要甲类电极在第二方向的移动没有超出第二方向上乙类电极的投影范围，这些移动不会被反应到其对应的电容的电容值的改变上。或者，乙类电极投影在第二方向上是落入甲类电极的，并且在第二方向上，乙类电极要想超出甲类电极的投影范围还需要移动一定的距离才可以，而只要乙类电极在第二方向的移动没有超出第二方向上甲类电极的投影范围，这些移动不会被反应到其对应的电容的电容值的改变上。因此，通过本实施例，可以避免第二方向的对位偏差对检测结果造成影响。

例如，在一些可选实施例中，第一甲电极211的长度大于第一乙电极212的长度；和/或，第二甲电极221的长度大于第二乙电极222的长度。

当然，在一下可选实施例中，如图4所示，图4为本发明实施例提供的又一种面板结构的俯视图。

其中，在第二方向Y上，第一甲电极211的长度小于第一乙电极212的长度；和/或，第二甲电极221的长度小于第二乙电极222的长度。

可选的，第一方向X与第二方向Y垂直，且都平行于面板100所在的平面。

也就是说，虽然乙类电极在第一方向上的长度小于甲类电极，但是其在垂直于第一方向上的尺寸大于甲类电极，这样，乙类电极的面积与甲类电极的面积差别不会很大。

通过本实施例，可以在避免第二方向的对位偏差对检测结果造成影响的同时，保证每个电极的制作面积不会过小，提高制作出的电极的精度，从而提高检测精度。

当然，在一些可选实施例中，如图5所示，图5为本发明实施例提供的又一种面板结构的俯视图。与上述实施例不同的，电容组200中的电容为圆形或半圆形。

可选的，第一电容210中的第一甲电极211和第一乙电极212均为半圆形。可选的，第一甲电极211和第一乙电极212相似，但第一甲电极211的半圆形直径大于第一乙电极212的半圆形直径。

并且，半圆形的第一甲电极211的直边和半圆形的第一乙电极212的直边均朝向第二电容210。

和/或，第二电容220中的第二甲电极221和第二乙电极222均为半圆形。可选的，第二甲电极221和第二乙电极222相似，但第二甲电极221的半圆形直径大于第二乙电极222的半圆形直径。并且，半圆形的第二甲电极221的直边和半圆形的第二乙电极222的直边均朝向第一电容210。

也就是说，如果第一电容210和第二电容220均为半圆形，则两个半圆形的电容的直边相对设置。第一电容210和第二电容220可以拼成一个完整的圆形。

由于需要排除非平行于第一方向X上的对位偏差对检测结果的影响，因此需要在非平行于第一方向X的方向上，甲类电极的的尺寸与乙类电极的尺寸不同。通过本案可以将非平行于第一方向X的其他任一方向上都使甲、乙两类电极的错位预留一定的空间，即使在非平行于第一方向X的方向上发生一定错位也不会对检测结果造成影响；并且使非平行于第一方向X的方向上的其他各个方向上的预留空间均一，使检测精度的稳定性更好。并且，半圆形和圆形的设计可以减小电容组占用面板结构的空间。即通过本实施例在进一步提高检测结果的准确性同时还可以节省面板空间。

如图6所示，图6为沿图1中A-A线所截的另一种截面图。

面板结构100还包括介质层400。具体的，介质层400至少位于第一甲电极211和第一乙电极212之间以及位于第二甲电极221和第二乙电极222之间。

可选的，介质层400为绝缘的有机层或绝缘无机层。

可选的，介质层400为平整的整面结构，间隔在第一基材110和第二基材120之间。也就是说，第一基材110和第二基材120上分别形成甲类电极和乙类电极后、第一基材110和第二基材120对位贴合前，先在第一基材110朝向第二基材120一侧或第二基材120朝向第一基材110的一侧形成介质层400。

可选的，介质层400包括第一区域410和在平行于第一方向X的方向上分别位于第一区域410两侧的第二区域420。

其中，第一区域410的介电常数为ε1，第二区域420的介电常数为ε2，并且ε1<ε2。第一区域410的介电常数小于第二区域420的介电常数。

可选的，第一甲电极211和第二甲电极221之间的间隔为第一间隔310；第一乙电极212和第二乙电极222之间的间隔为第二间隔320。第一甲电极211和第二甲电极221的间隔距离为D1，第一乙电极212和第二乙电极222的间隔距离为D2，也就是说，第一间隔310的宽度(即第一间隔310在第一方向X上的尺寸)为D1；第二间隔320的宽度(即第二间隔320在第一方向X上的尺寸)为D2。其中，D1>D2；即第一间隔310的宽度大于第二间隔320的宽度。

其中，第二间隔320在面板结构100所在平面的正投影位于第一间隔310在面板结构100所在平面的正投影内。

第一基材110和第二基材120在对位时的偏差可能导致第一间隔310和第二间隔320的中心线不重合，或者导致第一间隔310和第二间隔320的位置关系不满足使第一电容210等于第二电容220的情况，但是在第二间隔320沿平行第一方向X的方向在第一间隔310的范围内位移时，第一区域410和第二区域420的交界位置满足如下要求：

第一区域410与第二区域420的交界落入第一甲电极211和第一乙电极212的交叠区域内，并相对于二者中的一个(本实施例为相对于第一乙电极212)发生位移。也就是说，第一区域410的至少部分区域与第一甲电极211和第一乙电极212的在垂直于面板结构100所在平面的方向上的正对的区域交叠，同时，第二区域420的至少部分区域与第一甲电极211和第一乙电极212的在垂直于面板结构100所在平面的方向上的正对的区域交叠。并且，随着第二间隔320沿平行第一方向X的方向相对与第一间隔310位移，第一甲电极211和第一乙电极212的在垂直于面板结构100所在平面的方向上的正对的区域面积发生改变，同时，第一区域410与第二区域420的交界也相对于第一甲电极211或相对于第一乙电极212发生位移。

和/或，第一区域410与第二区域420的交界落入第二甲电极221和第二乙电极222的交叠区域内，并相对于二者中的一个发生位移。也就是说，第一区域410的至少部分区域与第二甲电极221和第二乙电极222的在垂直于面板结构100所在平面的方向上的正对的区域交叠，同时，第二区域420的至少部分区域与第二甲电极221和第二乙电极222的在垂直于面板结构100所在平面的方向上的正对的区域交叠。并且，随着第二间隔320沿平行第一方向X的方向相对与第一间隔310位移，第二甲电极221和第二乙电极222的在垂直于面板结构100所在平面的方向上的正对的区域面积发生改变，同时，第一区域410与第二区域420的交界也相对于第一甲电极211或相对于第一乙电极212发生位移。

通过本实施例，以第一电容为例，对位发生偏移后，第一电容的电容值的改变不仅由第一甲电极和第一乙电极的正对面积的改变引起，还由第一甲电极和第一乙电极正对区域之间的介质层的介电常数的改变引起。而通过本申请的设计，将介质层针对本案的电容结构及设置特点进行特定的分区设计，并且使第一区域的介电常数小于第二区域的介电常数；由于电容的电容值与介电常数、电容电极正对面积都是成正比的关系，保证了对于相同方向的位移偏差，第一甲电极和第一乙电极的正对面积的改变引起的电容值的变化趋势与介电常数的改变引起的电容值的变化趋势是一致的。第二电容原理相同，这里不再赘述。由此，通过本实施例，相当于通过介质层将电容变化量进行了放大，使检测结果更易被检测到，进一步提高了检测的灵敏度和准确性。

如图7所示，图7为本发明实施例提供的又一种面板结构的俯视图。与上述实施例相同之处不再赘述。

不同的，一个电容组200包括多个的第一电容210。同一电容组200中的第一电容210的第一甲电极211都电连接在一起。具体的，第一甲电极211通过走线电连接在一起，然后再一同连接到控制单元。同一电容组200中的第一电容210的第一乙电极212都电连接在一起。具体的，第一乙电极212通过走线电连接在一起，然后再一同连接到控制单元。

和/或，

一个电容组200多个的第二电容220。同一电容组200中的第二电容220的第二甲电极221都电连接在一起。具体的，第二甲电极221通过走线电连接在一起，然后再一同连接到控制单元。同一电容组200中的第二电容220的第二乙电极222都电连接在一起。具体的，第二乙电极222通过走线电连接在一起，然后再一同连接到控制单元。

通过本实施例，可以增强对对位偏移的检测，通过多个连接在一起的第一电容和多个连接在一起的第二电容将检测结果放大，进一步提高了检测的灵敏度和准确性。

可选的，一个电容组200中的多个的第一电容210沿着第一方向X排布；和/或，一个电容组200中的多个的第二电容220沿着第一方向X排布。

进一步，第一电容210为宽度与第一方向X平行的条形电容；和/或，第二电容220为宽度与第一方向X平行的条形电容。

具体的，第一电容210中的第一甲电极211和第一乙电极212均为长条形或矩形，并且延长方向或长度方向为垂直与第一方向X的方向。第二电容220中的第二甲电极221和第二乙电极222均为长条形或矩形，并且延长方向或长度方向为垂直于第一方向X的方向。

也就是说，以第一电容210为例，其在第一方向X上占用的面积更小，因此可以排列更多的第一电容210；同时，其在垂直于第一方向X的方向上的长度较大，因此，较小的在第一方向X上的偏移，会因此较大面积的第一甲电极211和第一乙电极212正对面积的改变，因此第一电容的电容值变化量会相对来说更大，很微小的对位偏移也可以被检测出来。因此通过本实施例，充分利用了电容面积，同样大小面积的电容，可以更准确、更灵敏的检测位移偏差，在充分利用面板结构空间的同时还进一步提高了检测的灵敏度和准确性。

继续参考图7所示实施例，可选的，本实施例以同一电容组200中的第一电容210和第二电容220共同沿着同一个平行于第一方向X的直线排布。

当然，在本申请的其他可选的实施例中，如图8所示，图8为本发明实施例提供的又一种面板结构的俯视图。同一电容组200中的第一电容210和第二电容220可以两两凑对，每一对分别设置在面板结构不同的位置，每一对中的第一电容210和第二电容220沿同一个平行于第一方向X的直线相对设置，不同对的第一电容210和第二电容220位于不同的直线上。同一对中的第一电容210和第二电容220可选的满足上述各实施例的对第一电容和第二电容的要求。这样，可以使面板结构的多个位置都能够被检测到，提高检测结果的可靠性。

需要说明的，图7所示实施例，以同一电容组中的第一电容沿着第一方向连续设置进行说明。当然，在本申请其他可选实施例中，沿着第一方向，同一电容组中的第一电容和第二电容可以交替设置。其中，相邻的两个第一电容和第二电容可选的满足上述各实施例中对第一电容和第二电容的限定。

如图9所示，图9为本发明实施例提供的又一种面板结构的俯视图。其中，第一甲电极211和第一乙电极212中的一者为网格状电极，和/或，第二甲电极221和第二乙电极222中的一者为网格状电极。

具体的，第一甲电极211和第一乙电极212中的一者包括多个贯穿电极的镂空。可选的，多个镂空形成阵列排布，最终使该电极形成网状结构；网孔即为上述镂空。同理，第二甲电极221和第二乙电极222中的一者包括多个贯穿电极的镂空。可选的，多个镂空形成阵列排布，最终使该电极形成网状结构；网孔即为上述镂空。

通过本实施例，以第一电容中的第一乙电极为网状电极为例，一方面，电极周边会产生较多感应电场，本实施例通过变换电极图案，对同样大面积(指该电极最外轮廓所圈的面积)的电极，电极的边缘更多，因为除了电极最外轮廓边缘，还引入了电极内镂空形成的边缘或网孔对应的边缘，这样可以引入更多的电场，并且在位移导致第一甲电极和第一乙电极发生偏移后，的第一乙电极被第一甲电极覆盖的边缘的变化量会更多，因此，使偏移导致的电容变化量相当于被放大，从而进一步提高了检测的灵敏度和准确性。另一方面，由于同一电容中的两个电极形状不同，因此在通过电容组检测对位偏差前可以通过摄像头拍摄或者人工观察较大的、超出电容组检测范围内的对位偏差时，可以更容易观察。

如图10所示，图10为本发明实施例提供的又一种面板结构的俯视图。一个面板结构100包括多个电容组200，至少两个电容组200中的所述错位方向不同。通过本实施例，可以检测多个方向的对位偏差，提高对位效率。

具体的，至少两个电容组200中的一个电容组200中的第一乙电极212沿X1方向相对第一甲电极211错位，第二乙电极222沿着与X1方向相反的方向相对第二甲电极221错位；其中，对于这个电容组200来说，第一方向X即为X1方向。至少两个电容组200中的另一个电容组200中的第一乙电极212沿X2方向相对第一甲电极211错位，第二乙电极222沿着与X2方向相反的方向相对第二甲电极221错位。其中，上述另一个电容组200来说，第一方向X即为X2方向。X1方向与X2方向平行于面板结构100所在平面，但是X1方向与X2方向不平行，即X1方向与X2方向在平行于面板结构所在平面内相交。这样，不仅可以检测X1方向上的对位偏差，还可以检测X2方向上的对位偏差。

可选的，X1方向与X2方向垂直。

如图11所示，图11为沿图1中A-A线所截的另一种截面图。其中，第一甲电极211与第二甲电极221位于不同层。

具体的，面板结构100还包括位于第一甲电极211与第二甲电极221之间的第一绝缘层510。第二甲电极221位于第一绝缘层510与第一基材110之间，第一甲电极211位于第一绝缘层510远离第一基材110的一侧。其中，第一甲电极211与第二甲电极位于第一基材110朝向第二基材120的一侧。

可选的，第一乙电极212和第二乙电极222位于不同膜层。

具体的，面板结构100还包括位于第一乙电极212和第二乙电极22之间的第二绝缘层520。第二乙电极22位于第一绝缘层510与第一基材110之间，第一乙电极212位于第二绝缘层520远离第二基材120的一侧。其中，第一乙电极212和第二乙电极222位于第二基材120朝向第一基材110的一侧。

可选的，第一绝缘层510和第二绝缘层520为平整的膜层，第一绝缘层510和第二绝缘层520可以分别复用显示面板中的平坦化层或其他有机绝缘层。

通过本实施例，第一甲电极211与第二甲电极221位于不同的膜层层级上，第一甲电极211与第一乙电极212之间的距离和第二甲电极221与第二乙电极222之间的距离不同。

通过本实施例，第二电容220中的第二甲电极221与第二乙电极222之间的介质比第一电容210中的第一甲电极211与第二甲电极221之间的介质多了一个第一绝缘层510和一个第二绝缘层520。第二电容220中的第二甲电极221与第二乙电极222之间的距离比第一电容210中的第一甲电极211与第二甲电极221之间的距离多了一个第一绝缘层510和一个第二绝缘层520的厚度(垂直于面板结构100所在平面的方向上的厚度)。

因此，当对位偏差导致第一电容中的电极与第二电容中的电极相互交叠时，由于介质和电极之间德垂直距离不同，因此，相较于对位偏差引起的电容内容部电极正对面积改变引起的电容变化，检测到的电容变化结果会有很大的跳变，可以判断出是无效的检测结果，继而可以选择通过摄像头拍摄或人工观察先对较大的对位偏差进行纠正，而不会受到检测结果的误导。

当然，在本申请的一些其他可选实施例中，第一乙电极212和第二乙电极222可以根据需要位于同一膜层，即第一乙电极212和第二乙电极222位于同一平行于面板结构所在平面的平面内，这里不再赘述。

如图12和图13所示，图12为本发明实施例提供的又一种面板结构的俯视图，图13为沿图12中A-A线所截的一种截面图。本实施例中，面板结构100为微型发光二极管显示面板，第一基材110和第二基材120可以分别为阵列基板10和微型发光二极管20。

具体的，阵列基板10包括衬底11和设置在衬底上的阵列层12，阵列层12包括构成驱动微型发光二极管20发光的像素电路的薄膜晶体管13，还包括覆盖薄膜晶体管13的平坦化层14；阵列基板10还包括设置在平坦化层14上的连接电极15(即共晶层)。连接电极15通过平坦化层14上的过孔与薄膜晶体管13电连接。发光二极管20的电极包括正极21和负极22。发光二极管20在生长基板上形成后需要通过转运后再对位连接到阵列基板上，从而使发光二极管20的通过正极21和负极22分别与对应的连接电极15对位连接。

可选的，第一甲电极211与第二甲电极221位于阵列基板10上。可选的，第一甲电极211与第二甲电极221可以与连接电极15同层同材料。当然，在本申请的其他可选实施例中，第一甲电极211与第二甲电极221可以与阵列层12中的其他导电层同层同材料。

可选的，第一乙电极212和第二乙电极222位于微型发光二极管20上。

可选的，面板结构100包括多个微型发光二极管20。每个微型发光二极管20中对应设置一个电容组200，并且通过引线连接到基板外侧的测试机台上，通过机台的数据处理，了解到每颗微型发光二极管20的对位情况。然后数据反馈到微型发光二极管20的贴合机台上，针对每一颗微型发光二极管20进行调整。通过本实施例，可以提高微型发光二极管对位的准确性。

可选的，每个微型发光二极管20对应的电容组200包括两个第一电容和两个第二电容。四个电容分别对应微型发光二极管20的四个角设置。这样，既可以避免微型发光二极管本身导电层对电容组的影响，避免影响微型发光二极管出光，又可以使微型发光二极管各区域的都被检测到。

可选的，图12中的虚线表示，同一电容组中：第一甲电极通过引线彼此电连接、第一乙电极通过引线彼此电连接、第二甲电极通过引线彼此电连接以及第二乙电极通过引线彼此电连接。

如图14所示，图14为本发明实施例提供的又一种面板结构的俯视图。与上述实施例不同的，面板结构100包括多个阵列排布的微型发光二极管20，N个所述微型发光二极管20形成一个微型发光二极管组30，一个微型发光二极管组30中M个微型发光二极管20对应设置有电容组200，其中，M<N。即，一个具有N个微型发光二极管20的微型发光二极管组30对应设置M个电容组200。也就是说，对应某一微型发光二极管组30的电容组200的数量小于该微型发光二极管组30中微型发光二极管20的数量。例如本实施例中，N＝4，M＝1。

可选的，一个微型发光二极管组30对应设置一个电容组200。其中，第一乙电极212和第二乙电极222设置在同一个微型发光二极管20上。

对于一些像素密度高的显示面板，线空间有限。并且实际情况下很难针对每一颗微型发光二极进行调位。通本实施例，比如对于阵列排布的为发光二极管，选择10*10数量的微型发光二极管作为一个微型发光二极管组，并对应放置一个电容组，每次针对这10*10的微型发光二极管(即该微型发光二极管组)总体进行调节。同一个微型发光二极管组中的微型发光二极管是一同被转运的，因此同一微型发光二极管组中的微型发光二极管具有相同的偏移情况，因此可以根据这批同一微型发光二极管组中的一个微型发光二极管的检测结果来判断其所在的微型发光二极管组中的所有微型发光二极管的偏移情况。提高效率、减少电容和走线的占用空间，降低成本。

结合上述各实施例附图及图15所示，图15为本发明实施例提供的一种对位检测方法的流程示意图。

本发明还提供了对位检测方法，用于检测上述各实施例中的面板结构的对位情况。具体的，将第一基材110和第二基材120相对放置，即进行第一基材110和第二基材120的初次对位。检测第一电容210的电容值和第二电容220的电容值；根据检测结果判断第一基材110和第二基材120的对位情况。原理及分析可以参考上述相关描述，这里不再赘述。

可选的，当第一电容的实际检测电容值超出理论上正确对位时第一电容的电容值的(1+5％)的范围时，判断出现平面对位误差。也就是说，将电容组的引线导出到机台可测量位置。根据已有电容相关参数，计算可得设计的电容值，并将其与实测的电容值比较，如果两者相等，或者偏差在某比例以内，可视为对位准确。第二电容同理，不再赘述。这样，可以通过第一电容和第二电容相互检验检测结果的准确性。

可选的，所述根据所述检测结果判断所述第一基材和所述第二基材的对位情况包括：

当所述第一电容和所述第二电容之间的电容差值小于第一阈值时，判断可以进行后续其他操作；

当所述第一电容和所述第二电容之间的电容差值小于第一阈值时，判断所述第一基材和第二基材需要调整对位；

其中所述第一阈值为满足平面对位要求的理论电容差值。

具体的，“满足平面对位要求”为对位偏差满足不大于“在误差允许范围内的允许发生的第一基材于第二基材在平行于面板结构所在平面上的对位偏差”的要求。第一阈值即为满足上述要求时，理论上允许的第一电容和第二电容具有的差值的最大值。而满足上述情况时，实际检测到的第一电容与第二电容之间的电容值差值不能大于第一阈值。因此，将检测得到的第一电容的电容值和第二电容的电容值做差处理，得到实际电容差值。将实际电容差值与第一阈值比较，如果实际电容差值小于第一阈值，则说明在平行于面板结构所在平面上的对位合格，不用再将第一基材相对第二基材沿着上述平面进行位置调整，可以进行接下来的其他操作。如果实际电容差值大于第一阈值，说明平面对位不合格，还需要将第一基材相对第二基材沿着上述平面进行位置调整，然后再进行“检测第一电容的电容值和第二电容的电容值；根据检测结果判断第一基材和第二基材的对位情况”的步骤，直到满足“实际电容差值小于第一阈值”。

需要说明的是，本申请所说的平面对位指：沿着平行于面板结构所在平面方向相对移动第一基材和第二基材，进行对位调整。

可选的，本申请提供的对位检测方法还包括：“当所述第一电容和所述第二电容之间的电容差值小于第一阈值时，判断可以进行后续其他操作”之后，判断所述检测结果是否小于第二阈值：

当检测结果小于所述第二阈值，可以进行后续其他操作；

当检测结果小于所述第二阈值，则对所述第一基材和所述第二基材的压合进行调整；

其中，所述第二阈值为满足垂直方向贴合要求的理论电容差值。

具体的，由于对位贴合后，由于压合不均等问题，第一基材和第二基材不同区域贴合紧密度不同，例如有的地方翘起而并没有贴合死，导致一些区域不平整，因此对于第一电容和第二电容之间的来说，上述问题会导致其各自对应的实际介电情况、电容内电极间垂直距离的情况与无上述问题时的介电情况、电容内电极间垂直距离产生差异，因此第一电容和第二电容之间的实际电容差值与理论电容差值会产生差异。本实施例中，“满足垂直方向贴合要求的理论电容差值”为在误差允许范围内的满足垂直方向上不出现上述问题时第一电容与第二电容之间的差值的允许最大值(即第二阈值)。而要想改善上述问题，实际检测到的第一电容与第二电容之间的电容值差值不能大于第二阈值。因此，将检测得到的第一电容的电容值和第二电容的电容值做差处理，得到实际电容差值。将实际电容差值与第一阈值比较，如果实际电容差值小于第一阈值，则说明在垂直方向压合对位合格，可以进行接下来的其他操作。如果实际电容差值大于第二阈值，说明垂直压合不合格，对所述第一基材和所述第二基材的压合进行调整，然后再进行“检测第一电容210的电容值和第二电容220的电容值；根据检测结果判断第一基材110和第二基材120的对位情况”等步骤，直到满足“实际电容差值小于第二阈值”。

需要说明的是，本实施例所说的“垂直方向贴合”指：沿着垂直与面板结构所在平面方向相对移动第一基材和第二基材，进行压合调整。

可以理解的，垂直方向上的误差与水平方向上的误差不是一个量级的，因此第二阈值比第一阈值小。

通过本实施例，不仅可以检测平面对位偏差，还可以检测垂直对位偏差。提供了多维护的偏差检测，提高了检测效率。

可选的，本申请提供的对位检测方法还包括：

根据所述检测结果判断所述第一基材和所述第二基材的对位偏移量；

以及，当所述第一电容和所述第二电容之间的电容差值小于第一阈值时，判断所述第一基材和第二基材需要调整对位后，根据所述偏移量对所述第一基材和所述第二基材调整位置。

可选的，本实施例还提供了偏移量的计算方式。具体的，所述偏移量Δx＝[p*(C1-C2)]/(C1+C2)。其中，Δx为第一基材110和第二基材120在平行于第一方向X的方向上发生的对位偏移量。C1为检测出的第一电容210的电容值，C2为检测出的第二电容220的电容值，p为理论上准确对位时，在第一方向上，第一电容210中第一甲电极211与第一乙电极212交叠的尺寸，此外，在第一方向上，第二电容220中第二甲电极221与第二乙电极222交叠的尺寸也为p。可选的，在第一方向上，第一电容210中第一甲电极211与第一乙电极212交叠的尺寸与第二电容220中第二甲电极221与第二乙电极222交叠的尺寸相同。可选的，在第二方向Y上，第一乙电极212和第二乙电极222的尺寸相同，假设均为a，第一甲电极211与第二甲电极221的尺寸相同。第一方向X与第二方向Y相互垂直，但均平行于面板结构100所在平面。

由于电容的电容值为C＝εS/d.(ε为极板间介质的介电常数，S为极板面积，d为极板间的距离)。因为在第一方向偏移时，第一电容与第二电容变化趋势正好相反，且变化量相同，因此第一电容的增加量就是第二电容的减小量，因此C1+C2在电容组的检测范围内容不随位移偏差发生改变，结合图1实施例，第一电容和第二电容在基材正确对位时电容值相同。

则C1+C2＝2εS/d＝2εa*p/d；

C1-C2＝ε*(S1-S2)/d＝ε[a*(p+Δx)-a*(p-Δx)]/d＝εa*2Δx/d；

则(C1-C2)/(C1+C2)＝(εa*2Δx/d)/(2εa*p/d)＝Δx/p；

因此，Δx＝[p*(C1-C2)]/(C1+C2)。

通过本实施例，不仅可以提高检测精度和检测灵敏度，还可以直接获得对位偏差量，提高了对位效率。

此外，需要说明：C1*C2≠0，因为C1*C2＝0时，说明第一电容或第二电容中有一个电容为0，说明有一个电容中的甲类电极和乙类电极完全没有交叠，那么这种情况说明是很大的对位偏差，直接通过摄像头观察就可以先进行调整。

可选的，在检测第一电容210的电容值和第二电容220的电容值电容之前还包括：通过摄像机检测第一基材110和第二基材120的对位情况。具体的，通过摄像机的摄像头(即CCD)拍摄、观察：第一甲电极211和第一乙电极212的位置关系，以及第二甲电极221与第二乙电极222的位置关系。如果观察到“第一甲电极211和第一乙电极212没有交叠、或者第一电容中的电极与第二电容中的电极交叠、或者第一甲电极211和第一乙电极212在第二方向Y发生会影响第一电容变化的错位”时，则对第一基材110和第二基材120的位置进行调整。例如，调整对位机器、或者调整对位参数，然后再次对位第一基材110和第二基材120，再重复上述“通过摄像机检测第一基材110和第二基材120的对位情况”。直到没有“第一甲电极211和第一乙电极212没有交叠、或者第一电容中的电极与第二电容中的电极交叠、或者第一甲电极211和第一乙电极212在第二方向Y发生会影响第一电容变化的错位”的情况发生后，再进行“检测第一电容210的电容值和第二电容220的电容值；根据检测结果判断第一基材110和第二基材120的对位情况”。需要理解的，上述“第一甲电极211和第一乙电极212在第二方向Y发生会影响第一电容变化的错位”的情况例如：第二方向Y上，第一甲电极211尺寸大于第一乙电极212，正确对位时，第一甲电极211在第二方向Y上时覆盖第一乙电极212的，但是摄像机拍摄到第一乙电极212在第二方向Y上超出第一甲电极的覆盖范围时，第二方向Y的位置偏移就会影响第一电容检测第一方向X上的对位偏移情况。

通过本实施例，由于“第一甲电极211和第一乙电极212没有交叠、或者第一电容中的电极与第二电容中的电极交叠、或者第一甲电极211和第一乙电极212在第二方向Y发生会影响第一电容变化的错位”的情况观察起来相对来说比较明显，更适合通过摄像机观测，而这类情况会反而会影响电容组的检测。因此本实施例通过两种检测方式的结合，避免误操作，将两种方式配适起来，结合本案结构特定有选择的搭配，进一步提高了对位检测的效率和可靠性。

本发明还提供了一种显示装置，包括本发明提供的显示面板。如图16所示，图16是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。显示装置1000包括本发明上述任一实施例提供的面板结构100。图16实施例仅以手机为例，对显示装置1000进行说明，可以理解的是，本发明实施例提供的显示装置，可以是电脑、电视、车载显示装置等其他具有显示功能的显示装置，本发明对此不作具体限制。本发明实施例提供的显示装置，具有本发明实施例提供的显示面板的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于显示面板的具体说明，本实施例在此不再赘述。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (20)

1.一种面板结构，其特征在于，包括：

相对设置的第一基材和第二基材；

电容组，包括第一电容和第二电容；

其中，所述第一电容包括相对设置的第一甲电极和第一乙电极；

所述第二电容包括相对设置的第二甲电极和第二乙电极；

所述第一甲电极和所述第二甲电极位于所述第一基材上，所述第一乙电极和所述第二乙电极位于所述第二基材上；

所述第一乙电极沿所述第一方向相对所述第一甲电极错位，所述第二乙电极沿着与所述第一方向相反的方向相对所述第二甲电极错位。

2.如权利要求1所述的面板结构，其特征在于，

所述第一电容和所述第二电容排布方向平行于所述第一方向；

所述第一甲电极与所述第二甲电极之间的间隔为第一间隔；

所述第一乙电极与所述第二乙电极之间的间隔为第二间隔；

所述第二间隔在所述面板结构所在平面的正投影位于所述第一间隔在所述面板结构所在平面的正投影内。

3.如权利要求1所述的面板结构，其特征在于，所述第一电容和所述第二电容排布方向平行于所述第一方向，

所述第一电容关于所述第二电容以对称方式放置时，所述第一电容的电容值等于所述第二电容的电容值。

4.如权利要求1所述的面板结构，其特征在于，

在所述第一方向上：

所述第一甲电极与所述第二甲电极的间隔距离为D1，所述第一乙电极与所述第二乙电极的间隔距离为D2，D1>D2；

所述第一乙电极的长度为d1，所述第二乙电极的长度为d2；

D1>d1，D1>d2。

5.如权利要求4所述的面板结构，其特征在于，在所述第一方向上：

所述第一乙电极的长度等于所述第二乙电极的长度，且均为d；

其中，d+D2＝D1。

6.如权利要求1所述的面板结构，其特征在于，在所述第二方向上：

所述第一甲电极和所述第一乙电极的长度不同；

和/或，所述第二甲电极和所述第二乙电极的长度不同；

其中，所述第二方向与所述第一方向相交。

7.如权利要求6所述的面板结构，其特征在于，在所述第二方向上：

所述第一甲电极的长度小于所述第一乙电极的长度；

和/或，所述第二甲电极的长度小于所述第二乙电极的长度。

8.如权利要求1所述的面板结构，其特征在于，还包括：

介质层，所述介质层至少位于所述第一甲电极和所述第一乙电极之间以及位于所述第二甲电极和所述第二乙电极之间；

所述介质层包括第一区域和位于第一区域两侧第二区域，其中，

所述第一甲电极与所述第二甲电极之间的间隔为第一间隔；

所述第一乙电极与所述第二乙电极之间的间隔为第二间隔；

所述第二间隔沿平行所述第一方向的方向在所述第一间隔范围内位移时：

所述第一区域与所述第二区域的交界落入所述第一甲电极和所述第一乙电极的交叠区域内，并相对于二者中的一个发生位移，

和/或，所述第一区域与所述第二区域的交界落入所述第二甲电极和所述第二乙电极的交叠区域内，并相对于二者中的一个发生位移；

其中，所述第一区域的介电常数为ε1，所述第二区域的介电常数为ε2，ε1<ε2。

9.如权利要求1所述的面板结构，其特征在于，

所述电容组包括：

多个沿着所述第一方向排布的所述第一电容，同一所述电容组中：多个所述第一甲电极电连接，多个所述第一乙电极电连接；其中，所述第一电容为宽度与所述第一方向平行的条形电容；

和/或，

多个沿着所述第一方向排布的所述第二电容，同一所述第二电极组中：多个所述第二甲电极电连接，多个所述第二乙电极电连接；所述第二电容为宽度与所述第一方向平行的条形电容。

10.如权利要求1所述的面板结构，其特征在于，

所述第一甲电极和所述第一乙电极中的一者为网格状电极，和/或，

所述第二甲电极和所述第二乙电极中的一者为网格状电极。

11.如权利要求1所述的面板结构，其特征在于，还包括多个所述电容组，至少两个所述电容组中的所述错位的方向不同。

12.如权利要求1所述的面板结构，其特征在于，所述电容组中的电容为圆形或半圆形。

13.如权利要求1所述的面板结构，其特征在于，所述第一甲电极与所述第二甲电极位于不同层。

14.如权利要求1所述的面板结构，其特征在于，所述面板结构为微型发光二极管显示面板，所述第一基材为阵列基板，所述第二基材为微型发光二极管。

15.如权利要求14所述的面板结构，其特征在于，所述面板结构包括多个阵列排布的微型发光二极管，N个所述微型发光二极管形成一个微型发光二极管组，一个微型发光二极管组中M个所述微型发光二极管上设置有所述电容组，其中，M<N。

16.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至15任一项所述的面板结构。

17.一种面板结构的对位检测方法，用于检测权利要求1至15任一项所述的面板结构，其特征在于，

检测所述第一电容和所述第二电容的电容值；

根据所述检测结果判断所述第一基材和所述第二基材的对位情况。

18.根据权利要求17所述的检测方法，其特征在于，所述根据所述检测结果判断所述第一基材和所述第二基材的对位情况包括：

当所述第一电容和所述第二电容之间的电容差值小于第一阈值时，判断可以进行后续其他操作；

当所述第一电容和所述第二电容之间的电容差值小于第一阈值时，判断所述第一基材和第二基材需要调整对位；

其中所述第一阈值为满足平面对位要求的理论电容差值。

19.根据权利要求18所述的检测方法，其特征在于，还包括：

根据所述检测结果判断所述第一基材和所述第二基材的对位偏移量；

当所述第一电容和所述第二电容之间的电容差值小于第一阈值时，判断所述第一基材和第二基材需要调整对位后还包括：根据所述偏移量对所述第一基材和所述第二基材调整位置。

20.根据权利要求18所述的检测方法，其特征在于，当所述第一电容和所述第二电容之间的电容差值小于第一阈值时，判断可以进行后续其他操作之后，判断所述第一电容和所述第二电容之间的电容差值是否小于第二阈值；

当检测结果小于所述第二阈值，可以进行后续其他操作；

当检测结果小于所述第二阈值，则对所述第一基材和所述第二基材的压合进行调整；

其中，所述第二阈值为满足垂直方向贴合要求的理论电容差值。

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