CN109856853B - 彩膜基板及液晶显示器 - Google Patents
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Abstract
本公开提出一种彩膜基板及液晶显示器。彩膜基板包括衬底基板、彩色滤光片及黑矩阵。黑矩阵位于衬底基板的一侧,并具有多个呈阵列状排布的开口,彩色滤光片位于开口中。彩膜基板还包括图像传感器。图像传感器位于衬底基板的设有彩色滤光片的一侧。其中,图像传感器包括多个图像传感单元,多个图像传感单元在衬底基板的正投影位于黑矩阵在衬底基板的正投影中。据此,本公开利用设置在屏幕的多个图像传感单元组成图像传感器,使得屏幕能够具备摄像与图像识别的功能。
Description
技术领域
本公开涉及显示器件技术领域,尤其涉及一种彩膜基板及液晶显示器。
背景技术
例如手机的终端设备,存在以下新颖设计,即手机搭载OLED屏幕,能够使用3D面部识别(Face ID)传感器解锁手机,取消了沿用已久的位于手机底部的按键(例如Home键),采用无边框屏幕以及OLED技术。从外观上来看,该种现有手机正面由一块异形屏(即具有“刘海”结构)构成,整个前部只保留顶部的听筒、自拍相机和传感器。然而,屏幕上部预留的设置摄像头和传感器的上述区域,使得全面屏的概念大打折扣,给使用者带来极差的用户体验。
发明内容
本公开的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷,提供一种具有摄像功能与图像识别功能的彩膜基板。
本公开的另一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷,提供一种具有上述彩膜基板的液晶显示器。
为实现上述目的,本公开采用如下技术方案:
根据本公开的一个方面,提供一种彩膜基板,包括衬底基板、彩色滤光片及黑矩阵。所述黑矩阵位于所述衬底基板的一侧,并具有多个呈阵列状排布的开口,所述彩色滤光片位于所述开口中。所述彩膜基板还包括图像传感器。所述图像传感器位于所述衬底基板的设有所述彩色滤光片的一侧。其中,所述图像传感器包括多个图像传感单元,多个所述图像传感单元在所述衬底基板的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板的正投影中。
根据本公开的其中一个实施方式,多个所述图像传感单元位于所述衬底基板和所述黑矩阵之间。
根据本公开的其中一个实施方式,所述黑矩阵包括多条第一条状结构,多个所述图像传感单元在所述衬底基板的正投影位于所述第一条状结构在所述衬底基板的正投影中。
根据本公开的其中一个实施方式,所述黑矩阵包括多条第二条状结构,多条所述第二条状结构与多条所述第一条状结构网格状交叉而形成多个交叉结构,多个所述图像传感单元在所述衬底基板的正投影位于所述第二条状结构在所述衬底基板的正投影中,或位于所述交叉结构在所述衬底基板的正投影中。
根据本公开的其中一个实施方式,每个所述交叉结构在所述衬底基板的正投影中均落有至少一个所述图像传感单元在所述衬底基板的正投影。
根据本公开的其中一个实施方式,每个所述交叉结构在所述衬底基板的正投影中均落有两个所述图像传感单元在所述衬底基板的正投影,且该两个所述图像传感单元在所述衬底基板的正投影在所述第一条状结构在所述衬底基板的正投影的延伸方向上间隔分布。
根据本公开的其中一个实施方式,所述彩膜基板还包括柔性电路板、显示区和围绕于所述显示区的周边区,所述柔性电路板位于所述衬底基板的设有所述图像传感器的一侧且位于所述周边区,每个所述图像传感单元分别通过引线电连接于所述柔性电路板。
根据本公开的其中一个实施方式,所述图像传感器还包括至少一个逻辑电路元件,所述逻辑电路元件位于所述周边区并与所述柔性电路板电连接,所述图像传感单元分别通过所述引线电连接于所述逻辑电路元件。
根据本公开的其中一个实施方式,所述逻辑电路元件为多个,对应于同一条所述第一条状结构的各所述图像传感单元通过所述引线电连接于同一个所述逻辑电路元件。
根据本公开的其中一个实施方式,在所述第一条状结构的两端分别设有所述逻辑电路元件,对应于同一条所述第一条状结构的各所述图像传感单元通过所述引线电连接于所述第一条状结构两端的所述逻辑电路元件。
根据本公开的其中一个实施方式,所述图像传感器为电耦合器件图像传感器。
根据本公开的其中一个实施方式,所述图像传感单元在所述衬底基板的正投影的最大宽度为1.5μm~2μm。
根据本公开的其中一个实施方式,所述衬底基板与所述黑矩阵之间的未设置所述图像传感单元的部分设有第一平坦层。
根据本公开的另一个方面,提供一种液晶显示器,包括本公开提出的且在上述实施方式中所述的彩膜基板。
由上述技术方案可知,本公开提出的彩膜基板及液晶显示器的优点和积极效果在于:
本公开提出的彩膜基板包括电荷耦合器件图像传感器。图像传感器位于衬底基板的设有彩色滤光片的一侧。图像传感器包括多个图像传感单元,多个图像传感单元在衬底基板的正投影位于黑矩阵在衬底基板的正投影中。据此,利用设置在屏幕的多个图像传感单元组成图像传感器,使得屏幕能够具备摄像与图像识别的功能。
附图说明
通过结合附图考虑以下对本公开的优选实施方式的详细说明,本公开的各种目标、特征和优点将变得更加显而易见。附图仅为本公开的示范性图解,并非一定是按比例绘制。在附图中,同样的附图标记始终表示相同或类似的部件。其中:
图1是根据一示例性实施方式示出的一种彩膜基板的结构示意图;
图2是图1示出的彩膜基板沿直线A-A的层叠结构示意图;
图3是图1示出的彩膜基板的电路连接结构示意图;
图4是根据一示例性实施方式示出的一种液晶显示器的层叠结构示意图;
图5图4示出的液晶显示器的结构示意图;
图6是图1示出的彩膜基板的制备工艺的其中一个步骤中的彩膜基板的层叠结构示意图;
图7图1示出的彩膜基板的制备工艺的其中另一个步骤中的彩膜基板的层叠结构示意图。
附图标记说明如下:
100.彩膜基板;
110.第一衬底基板;
120.彩色滤光片;
121.黑矩阵;
1211.第一条状结构;
1212.第二条状结构;
1213.交叉结构;
122.RGB滤光片;
131.图像传感单元;
1311.引线;
140.柔性电路板;
141.逻辑电路元件;
1411.驱动电路;
150.第一平坦层;
160.第二平坦层;
200.TFT基板;
210.第二衬底基板;
220.液晶结构。
具体实施方式
体现本公开特征与优点的典型实施例将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本公开能够在不同的实施例上具有各种的变化,其皆不脱离本公开的范围,且其中的说明及附图在本质上是作说明之用,而非用以限制本公开。
在对本公开的不同示例性实施方式的下面描述中,参照附图进行,所述附图形成本公开的一部分,并且其中以示例方式显示了可实现本公开的多个方面的不同示例性结构、系统和步骤。应理解的是,可以使用部件、结构、示例性装置、系统和步骤的其他特定方案,并且可在不偏离本公开范围的情况下进行结构和功能性修改。而且,虽然本说明书中可使用术语“之上”、“之间”、“之内”等来描述本公开的不同示例性特征和元件,但是这些术语用于本文中仅出于方便,例如根据附图中所述的示例的方向。本说明书中的任何内容都不应理解为需要结构的特定三维方向才落入本公开的范围内。
参阅图1,其代表性地示出了本公开提出的彩膜基板的结构示意图。在该示例性实施方式中,本公开提出的彩膜基板是以应用于液晶显示器为例进行说明的。本领域技术人员容易理解的是,为将本公开的相关设计应用于其他类型的显示模组或其他器件中,而对下述的具体实施方式做出多种改型、添加、替代、删除或其他变化,这些变化仍在本公开提出的彩膜基板的原理的范围内。
如图1所示,在本实施方式中,本公开提出的彩膜基板100主要包括衬底基板(CFGlass)、彩色滤光片120(Color filter,缩写CF)以及电荷藕合器件图像传感器(charge-coupled device,缩写CCD,亦称电荷耦合器件)。其中,为了区分于本说明书中的其他实施方式的其他衬底基板,定义彩膜基板100的衬底基板为第一衬底基板110。配合参阅图2和图3,图2中代表性地示出了图1示出的彩膜基板100沿直线A-A的层叠结构示意图;图3中代表性地示出了能够体现本公开原理的彩膜基板100的电路连接结构示意图。另外,为了便于观察和理解,图1中省去了第一衬底基板。以下结合上述附图,对本公开提出的彩膜基板100的各主要组成部分的结构、连接方式和功能关系进行详细说明。
如图1和图2所示,在本实施方式中,彩色滤光片120设置在第一衬底基板110的一侧。电荷耦合器件图像传感器设置在第一衬底基板110的设置有彩色滤光片120的一侧。具体而言,彩色滤光片120具有RGB滤光片122和黑矩阵121,RGB滤光片122位于第一衬底基板110的该侧,黑矩阵121位于RGB滤光片122与第一衬底基板110之间,且黑矩阵121具有多个呈阵列状排布的开口。电荷藕合器件图像传感器位于彩色滤光片120与第一衬底基板110之间。其中,电荷耦合器件图像传感器包括多个图像传感单元131,多个图像传感单元131在第一衬底基板110的正投影位于黑矩阵121在第一衬底基板110的正投影中。即,组成电荷藕合器件图像传感器的多个图像传感单元131,是位于第一衬底基板110的设有彩色滤光片120的一侧,即具体地位于黑矩阵121与第一衬底基板110之间。通过上述设计,本公开提出的彩膜基板100能够利用设置在屏幕(即第一衬底基板110)的多个图像传感单元131组成电荷耦合器件图像传感器,使得屏幕能够具备摄像与图像识别的功能。
需说明的是,在本实施方式中,是以电荷藕合器件图像传感器为例对图像传感器进行说明。在其他实施方式中,亦可采用可以分为多个单元的其他类型的图像传感器,并不以本实施方式为限。
如图1所示,黑矩阵121包括多条第一条状结构1211。基于黑矩阵121的上述结构特点,在本实施方式中,多个图像传感单元131在第一衬底基板110的正投影位于第一条状结构1211在第一衬底基板110的正投影中。即,组成电荷藕合器件图像传感器的多个图像传感单元131,是具体地位于第一条状结构1211与第一衬底基板110之间。据此,由于第一条状结构1211相比于黑矩阵的其他结构(例如第二条状结构1212)具有较宽的宽度,因此将图像传感单元131设置在与第一条状结构1211相对应的位置上,相比于设置在与黑矩阵121的其他结构相对应的位置上,而具有便于图像传感单元131布置的功效产生。
需说明的是,对于具有本公开提出的彩膜基板的液晶显示器而言,彩膜基板的黑矩阵121的第一条状结构1211与第二条状结构1212,可以是分别与液晶显示器的栅线和数据线的形状和尺寸相对应的结构。
进一步地,如图1所示,基于多个图像传感单元131在第一衬底基板110的正投影位于第一条状结构1211在第一衬底基板110的正投影中的设计,在本实施方式中,黑矩阵121包括多条第二条状结构1212,多条第二条状结构1212与多条第一条状结构1211呈网格状交叉的布置形式,而形成多个交叉结构1213。其中,多个图像传感单元131在第一衬底基板110的正投影位于交叉结构1213在第一衬底基板110的正投影中。即,组成电荷藕合器件图像传感器的多个图像传感单元131,是具体地位于交叉结构1213与第一衬底基板110之间。据此,具有进一步便于图像传感单元131布置的功效产生。另外,基于黑矩阵121包括多条第二条状结构1212的设计,多个图像传感单元131在第一衬底基板110的正投影亦可位于第二条状结构1212在第一衬底基板110的正投影中。
更进一步地,如图1所示,基于多个图像传感单元131在第一衬底基板110的正投影位于交叉结构1213在第一衬底基板110的正投影中的设计,在本实施方式中,每个交叉结构1213在第一衬底基板110的正投影中均落有至少一个图像传感单元131在第一衬底基板110的正投影。即,对于每个交叉结构1213而言,其与第一衬底基板110之间均设置有至少一个图像传感单元131。据此,黑矩阵121的各交叉结构1213均对应设置有图像传感单元131,使得组成电荷藕合器件图像传感器的多个图像传感单元131分布的较为均匀,从而能够提供较佳的摄像与图像识别功能。
更进一步地,如图1所示,基于每个交叉结构1213在第一衬底基板110的正投影中均落有至少一个图像传感单元131在第一衬底基板110的正投影的设计,在本实施方式中,每个交叉结构1213在第一衬底基板110的正投影中均落有两个图像传感单元131在第一衬底基板110的正投影。即,对于每个交叉结构1213而言,其与第一衬底基板110之间均设置有两个图像传感单元131。并且,对于每个交叉结构1213而言,该两个图像传感单元131在第一衬底基板110的正投影在第一条状结构1211在第一衬底基板110的正投影的延伸方向上间隔分布。据此,使得组成电荷藕合器件图像传感器的多个图像传感单元131分布的更加均匀合理,并使图像传感单元131的布置更加合理地利用黑矩阵121的结构特点。
如图3所示,在本实施方式中,本公开提出的彩膜基板100还可以优选地包括柔性电路板140、显示区和周边区。具体而言,该柔性电路板140设置在第一衬底基板110的设有电荷耦合器件图像传感器的一侧,且每个图像传感单元131分别通过引线1311电连接于柔性电路板140。显示区为彩膜基板100的大致对应于黑矩阵121和彩色滤光片的区域的区域,周边区为环绕于显示区的区域,即彩膜基板的大致环绕于黑矩阵121外周的区域,柔性电路板140位于该周边区。据此,能够利用柔性电路板140与各图像传感单元131形成电连接,从而能够便于实现各图像传感单元131的供电与信号传递等功能。在其他实施方式中,各图像传感单元131的供电与信号传递等功能还可通过其他器件同时或分别实现,并不以本实施方式为限。
进一步地,如图3所示,基于彩膜基板100包括柔性电路板140的设计,在本实施方式中,电荷耦合器件图像传感器还可以优选地包括逻辑电路元件141,该逻辑电路元件141位于彩膜基板100的周边区。具体而言,该逻辑电路元件141通过驱动电路1411电连接于柔性电路板140,且逻辑电路元件141在第一衬底基板110的正投影位于黑矩阵121在第一衬底基板110的正投影的外周,每个图像传感单元131分别通过引线1311电连接于逻辑电路元件141,从而间接地电连接于柔性电路板140。另外,逻辑电路元件141可以为一个,则各图像传感单元131分别通过引线1311电连接于一个逻辑电路元件141,逻辑电路元件141亦可为多个,则多个图像传感单元131可以分为多组地分别电连接于多个逻辑电路元件141。
更进一步地,如图3所示,基于电荷耦合器件图像传感器包括逻辑电路元件141的设计,同时基于多个图像传感单元131在第一衬底基板110的正投影位于第一条状结构1211在第一衬底基板110的正投影中的设计,在本实施方式中,电荷耦合器件图像传感器可以优选地包括与第一条状结构1211数量相同的多个逻辑电路元件141,且对应于同一条第一条状结构1211的图像传感单元131电连接于与该条第一条状结构1211相对应的同一个逻辑电路元件141。据此,能使多个图像传感单元131与逻辑电路元件141的电连接的布置形式较为合理,同时便于图像传感单元131的引线1311的走线布置。
更进一步地,如图3所示,基于上述有关逻辑电路元件141数量和布置的设计,同时基于第一条状结构1211在第一衬底基板110的正投影落有多个图像传感单元131在第一衬底基板110的正投影的设计。在本实施方式中,多个逻辑电路元件141可以优选地呈多对分布,多对逻辑电路元件141分别与多条第一条状结构1211相对应,且同对的两个逻辑电路元件141在第一衬底基板110的正投影分别位于其所对应的第一条状结构1211在第一衬底基板110的正投影的两端。并且,与该条第一条状结构1211相对应的多个图像传感单元131的其中一部分分别通过引线1311电连接于其中一个逻辑电路元件141,其中另一部分分别通过引线1311电连接于同对的另一个逻辑电路元件141。据此,能使多个图像传感单元131与逻辑电路元件141的电连接的布置形式更加合理,同时进一步便于图像传感单元131的引线1311的走线布置。
进一步地,在本实施方式中,每个图像传感单元131在第一衬底基板110的正投影的最大宽度可以优选为1.5μm~2μm。
需说明的是,为实现大致相同的屏幕分辨率,以电荷耦合器件图像传感器为1/3”的电荷耦合器件为例,相关标准电耦合图像传感器的尺寸为3.6mm×4.8mm,对角线长度为6mm,但是屏幕下方的黑矩阵121在第一条状结构1211方向上的尺寸为14μm,在第二条状结构1212方向上的尺寸是4μm,且还包括引线1311的设置空间,因此无法在黑矩阵121下直接放置一个完整的电荷耦合器件图像传感器。然而,在本实施方式中,电荷耦合器件图像传感器由多个图像传感单元131组成,每个图像传感单元131的尺寸约为1.5~2um左右,则能够实现对应于黑矩阵121的合理布置,这样就可以满足放置的要求。另外,以FHD(Full HighDefinition,全高清)的分辨率为1920*1080像素的手机屏幕为例,像素数量为2073600,约200万像素。以一个图像传感单元131的尺寸为2μm计算,黑矩阵121在第一条状结构1211方向上的尺寸为14μm,则可以满足放置要求,这样可以将FHD分辨率的CCD集成在液晶显示屏的黑矩阵121,从而集成200万像素的相机。
进一步地,在本实施方式中,第一衬底基板110与黑矩阵121之间的未设置图像传感单元131的部分可以优选地设置有第一平坦层150。
进一步地,在本实施方式中,第一衬底基板110的背向彩色滤光片120的一侧可以优选地设置有第一偏光片。
在此应注意,附图中示出而且在本说明书中描述的彩膜基板仅仅是能够采用本公开原理的许多种彩膜基板中的几个示例。应当清楚地理解,本公开的原理绝非仅限于附图中示出或本说明书中描述的彩膜基板的任何细节或彩膜基板的任何部件。
参阅图4,其代表性地示出了本公开提出的液晶显示器的层叠结构示意图。在该示例性实施方式中,本公开提出的液晶显示器是以应用于手机等终端设备的屏幕为例进行说明的。本领域技术人员容易理解的是,为将本公开的相关设计应用于其他类型的终端设备或其他领域中,而对下述的具体实施方式做出多种改型、添加、替代、删除或其他变化,这些变化仍在本公开提出的液晶显示器的原理的范围内。
如图4所示,在本实施方式中,本公开提出的彩膜基板100主要包括彩膜基板100以及TFT基板200(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)。其中,为了区分于本说明书中的彩膜基板100的衬底基板,定义TFT基板200的衬底基板为第二衬底基板210。配合参阅图5,图5中代表性地示出了能够体现本公开原理的液晶显示器的结构示意图。以下结合上述附图,对本公开提出的液晶显示器的各主要组成部分的结构、连接方式和功能关系进行详细说明。
如图4和图5所示,在本实施方式中,本公开提出的液晶显示器主要包括相对合的彩膜基板100以及TFT基板200,且该彩膜基板100即为本公开提出的且在上述实施方式中详细说明的彩膜基板100。具体而言,TFT基板200主要包括第二衬底基板210和液晶结构220。其中,液晶结构220设置在彩膜基板100的黑矩阵121的背向第一衬底基板110的一侧。
进一步地,如图4所示,在本实施方式中,彩膜基板100的黑矩阵121与TFT基板200的液晶结构220之间可以优选地设置第二平坦层160。
进一步地,在本实施方式中,第二衬底基板210的背向液晶结构220的一侧可以优选地设置有第二偏光片。
在此应注意,附图中示出而且在本说明书中描述的液晶显示器仅仅是能够采用本公开原理的许多种液晶显示器中的几个示例。应当清楚地理解,本公开的原理绝非仅限于附图中示出或本说明书中描述的液晶显示器的任何细节或液晶显示器的任何部件。
基于上述对本公开提出的彩膜基板和液晶显示器的示例性说明,以下将对本公开提出的终端设备的一实施方式进行说明。
在本实施方式中,本公开提出的终端设备主要包括液晶显示器,即例如手机的屏幕组件。其中,该液晶显示器即为本公开提出的且在上述实施方式中详细说明的液晶显示器。
在此应注意,附图中示出而且在本说明书中描述的液晶显示器仅仅是能够采用本公开原理的许多种液晶显示器中的几个示例。应当清楚地理解,本公开的原理绝非仅限于附图中示出或本说明书中描述的液晶显示器的任何细节或液晶显示器的任何部件。
基于上述对本公开提出的彩膜基板、液晶显示器和终端设备的示例性说明,以下将对本公开提出的彩膜基板的制备工艺的一实施方式进行说明。
如图6和图7所示,在本实施方式中,本公开提出的彩膜基板100的制备工艺主要包括以下步骤:
在第一衬底基板110一侧设置多个图像传感单元131,多个图像传感单元131共同组成电荷耦合器件图像传感器;以及
将彩色滤光片120设置在衬底基板的该一侧,多个图像传感单元131在衬底基板的正投影位于彩色滤光片120的黑矩阵121在衬底基板的正投影中。
如图6所示,同时参阅图2所示,在本实施方式中,对于设置多个图像传感单元131而组成电荷耦合器件图像传感器的步骤而言,具体可以包括以下步骤:
制备“微型镜头”,在第一衬底基板110一侧制备一层“微型镜头”,该层器件的制作可以参考现有整体结构的电荷耦合器件的制作工艺,并可根据精度要求选择合适的曝光机。
制备滤光层,该层器件的制作可以参考现有LCD器件的滤光层或类似结构的制备工艺。
制备感光层,该层器件的制作和可以参考现有TFT基板的mos管或类似结构的制备工艺,或参考多种其他类似的制备工艺,例如离子注入,气象沉积,溅射,光刻等,并可根据精度要求选择合适的曝光机。
制备引线1311层,电荷耦合器件图像传感器的每个图像传感单元131分别具有引线1311,可以单独再做一层而将上述引线1311由第一条状结构1211的延伸方向的两侧引出,并从LCD器件的两侧引至绑定FPC区(即柔性电路板140)。
如图7所示,同时参阅图2所示,在本实施方式中,在本公开提出的彩膜基板100的制备工艺中,在第一衬底基板110制备电荷耦合器件图像传感器后,其他膜层结构的制备工艺可以参考以下步骤:
电荷耦合器件图像传感器经上述工艺制备后,在上述膜层制作时预留出了黑矩阵膜层的对位标记(mark),保证后续黑矩阵121能能够精准的覆盖电荷耦合器件图像传感器。
电荷耦合器件图像传感器制作完成后,在第一衬底基板110的该侧涂布一层第一平坦层150,以保证黑矩阵121及后续工艺膜层平摊。
然后,可以在第一衬底基板110的制备有电荷耦合器件图像传感器和第一平坦层150的该侧,依序制备彩色滤光片120的黑矩阵121和RGB滤光片122。并且,在彩色滤光片120制备完成后,可以继续在彩色滤光片120的背向第一衬底基板110的一侧制备另一平坦层和PS膜层。
承上,经上述具体步骤,本公开提出的彩膜基板100的制备工艺能够基本完成彩膜基板100的制备。以下将对其他相关器件(例如TFT基板200)的制备工艺和其他使用环境工艺进行说明。
参阅图4所示,TFT基板200可采用常规工艺制备,之后进行Cell工艺,接着进行彩膜基板100和TFT基板200的对合工艺及相关工艺,例如包括进行PI涂覆,配向,液晶滴入,封胶涂覆等进行对合,最终完成LCD屏幕的制备。
LCD屏幕对合完后进行切割,切割时可在LCD屏幕的上端和下端预留出绑定区域。据此,在模组工艺时,LCD屏幕下端的TFT基板200常规LCD IC和FPC绑定,上端的彩膜基板100进行电荷耦合器件图像传感器的各图像传感单元131的相关电路(如引线1311)的FPC绑定,最终实现能够应用于例如手机的终端设备的屏幕的制备。
承上,以终端设备为手机为例,当用户使用手机的时,启动手机相机,手机的CPU1发出指令,电荷耦合器件图像传感器的CPU2(例如设置在柔性电路板上的CPU)开始工作,并开始扫描图像返回的图像进行分析处理,再将分析的图像数据传送给手机的CPU1,手机再将图像数据传送给LCD屏幕进行显示。
综上所述,本公开提出的彩膜基板包括电荷耦合器件图像传感器。图像传感器位于衬底基板的设有彩色滤光片的一侧。图像传感器包括多个图像传感单元,多个图像传感单元在衬底基板的正投影位于黑矩阵在衬底基板的正投影中。据此,利用设置在屏幕的多个图像传感单元组成图像传感器,使得屏幕能够具备摄像与图像识别的功能。
以上详细地描述和/或图示了本公开提出的彩膜基板及液晶显示器的示例性实施方式。但本公开的实施方式不限于这里所描述的特定实施方式,相反,每个实施方式的组成部分和/或步骤可与这里所描述的其它组成部分和/或步骤独立和分开使用。一个实施方式的每个组成部分和/或每个步骤也可与其它实施方式的其它组成部分和/或步骤结合使用。在介绍这里所描述和/或图示的要素/组成部分/等时,用语“一个”、“一”和“上述”等用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等。术语“包含”、“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。此外,权利要求书及说明书中的术语“第一”和“第二”等仅作为标记使用,不是对其对象的数字限制。
虽然已根据不同的特定实施例对本公开提出的彩膜基板及液晶显示器进行了描述,但本领域技术人员将会认识到可在权利要求的精神和范围内对本公开的实施进行改动。
Claims (10)
1.一种彩膜基板,包括衬底基板、彩色滤光片及黑矩阵,所述黑矩阵位于所述衬底基板的一侧,所述黑矩阵包括多条第一条状结构以及多条第二条状结构,多条所述第二条状结构与多条所述第一条状结构网格状交叉而形成多个交叉结构,并具有多个呈阵列状排布的开口,所述彩色滤光片位于所述开口中,所述彩膜基板还包括:
图像传感器,位于所述衬底基板的设有所述彩色滤光片的一侧;
其中,所述图像传感器包括多个图像传感单元,多个所述图像传感单元在所述衬底基板的正投影,位于所述交叉结构在所述衬底基板的正投影中;
其中,每个所述交叉结构在所述衬底基板的正投影中均落有两个所述图像传感单元在所述衬底基板的正投影,且该两个所述图像传感单元在所述衬底基板的正投影在所述第一条状结构在所述衬底基板的正投影的延伸方向上间隔分布。
2.根据权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,多个所述图像传感单元位于所述衬底基板和所述黑矩阵之间。
3.根据权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述彩膜基板还包括柔性电路板、显示区和围绕于所述显示区的周边区,所述柔性电路板位于所述衬底基板的设有所述图像传感器的一侧且位于所述周边区,每个所述图像传感单元分别通过引线电连接于所述柔性电路板。
4.根据权利要求3所述的彩膜基板,其特征在于,所述图像传感器还包括至少一个逻辑电路元件,所述逻辑电路元件位于所述周边区并与所述柔性电路板电连接,所述图像传感单元分别通过所述引线电连接于所述逻辑电路元件。
5.根据权利要求4所述的彩膜基板,其特征在于,所述逻辑电路元件为多个,对应于同一条所述第一条状结构的各所述图像传感单元通过所述引线电连接于同一个所述逻辑电路元件。
6.根据权利要求4所述的彩膜基板,其特征在于,在所述第一条状结构的两端分别设有所述逻辑电路元件,对应于同一条所述第一条状结构的各所述图像传感单元通过所述引线电连接于所述第一条状结构两端的所述逻辑电路元件。
7.根据权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述图像传感器为电耦合器件图像传感器。
8.根据权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述图像传感单元在所述衬底基板的正投影的最大宽度为1.5μm~2μm。
9.根据权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述衬底基板与所述黑矩阵之间的未设置所述图像传感单元的部分设有第一平坦层。
10.一种液晶显示器,包括权利要求1~9任一项所述的彩膜基板。
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