CN112054564A - 电路检测方法及装置、设备、存储介质 - Google Patents

电路检测方法及装置、设备、存储介质 Download PDF

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Abstract

本申请实施例公开了电路检测方法及装置、设备、存储介质，其中，所述方法应用于具有直充单元的电子设备，所述直充单元包括：充电接口、电池、用于建立所述充电接口和所述电池之间电性连接的开关电路；所述方法包括：确定所述充电接口的电源接入状态，所述电源接入状态为未接入或已接入；采集所述直充单元上，与所述电源接入状态对应的电参数值；依据所述电参数值和预设条件，对所述开关电路的性能进行检测，得到第一检测结果。

Description

电路检测方法及装置、设备、存储介质
技术领域
本申请实施例涉及电子技术，涉及但不限于电路检测方法及装置、设备、存储介质。
背景技术
随着电子设备(例如手机、平板电脑等)的使用，电子设备内的某些元件逐渐损耗，例如，直充单元中用于连接充电接口与电池的某个开关元件。当开关元件损耗到一定程度时，此时在对电子设备进行充电时，可能会导致电子设备发热严重的问题，甚至会导致电子设备退出充电的问题。
目前，在排查上述问题时，常用的方法是将电子设备主板上的屏蔽支架拆开后，维修人员通过仪表逐一检测每个电路的性能。然而，这样不仅增加了维修成本，维修人员通过仪表测量，有时也无法找出到底是哪里出现了问题。
发明内容
有鉴于此，本申请实施例提供电路检测方法及装置、设备、存储介质，本申请实施例的技术方案是这样实现的：
第一方面，本申请实施例提供一种电路检测方法，所述方法应用于具有直充单元的电子设备，所述直充单元包括：充电接口、电池、用于建立所述充电接口和所述电池之间电性连接的开关电路；所述方法包括：确定所述充电接口的电源接入状态，所述电源接入状态为未接入或已接入；采集所述直充单元上，与所述电源接入状态对应的电参数值；依据所述电参数值和预设条件，对所述开关电路的性能进行检测，得到第一检测结果。
第二方面，本申请实施例提供一种电子设备，所述设备包括：直充单元、处理器和控制器；其中，所述直充单元，包括充电接口、电池和开关电路，所述开关电路用于建立所述充电接口和所述电池之间的连接；
所述处理器，用于执行以下步骤：确定所述充电接口的电源接入状态，所述电源接入状态为未接入或已接入；通过所述控制器采集所述直充单元上，与所述电源接入状态对应的电参数值；依据所述电参数值和预设条件，对所述开关电路的性能进行检测，得到第一检测结果。
第三方面，本申请实施例提供一种电子设备，包括存储器、处理器和充电模块，所述存储器存储有可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现上述电路检测方法中的步骤。
第四方面，本申请实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述电路检测方法中的步骤。
本申请实施例中，提供一种电路检测方法，具有直充单元的电子设备采集所述直充单元上，与所述直充单元上充电接口的电源接入状态对应的电参数值；然后，所述电子设备依据所述电参数值和预设条件，对所述直充单元中的开关电路进行性能检测，得到第一检测结果。如此，通过所述电子设备采集自身直充单元上的电参数值，从而实现对直充单元中的开关电路性能的自动化检测。
附图说明
图1为为本申请实施例电子设备的结构示意图；
图2为本申请实施例电路检测方法的实现流程示意图；
图3为本申请实施例再一电子设备的结构示意图；
图4为本申请实施例电路检测方法的实现流程示意图；
图5为本申请实施例又一电子设备的结构示意图；
图6为本申请实施例手机的结构示意图；
图7为本申请实施例快充通路的结构示意图；
图8为本申请实施例检测Type-C接口是否有设备接入的方法实现示意图；
图9为本申请实施例再一电子设备的结构示意图；
图10为本申请实施例另一电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请的具体技术方案做进一步详细描述。以下实施例用于说明本申请，但不用来限制本申请的范围。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述本申请实施例的目的，不是旨在限制本申请。
在以下的描述中，涉及到“一些实施例”，其描述了所有可能实施例的子集，但是可以理解，“一些实施例”可以是所有可能实施例的相同子集或不同子集，并且可以在不冲突的情况下相互结合。
需要指出，本申请实施例所涉及的术语“第一\第二\第三”仅仅是是区别类似的对象，不代表针对对象的特定排序，可以理解地，“第一\第二\第三”在允许的情况下可以互换特定的顺序或先后次序，以使这里描述的本申请实施例能够以除了在这里图示或描述的以外的顺序实施。
为了便于读者对以下实施例所提供的电路检测方法的理解，本申请实施例先提供一种电子设备，图1为本申请实施例电子设备的结构示意图，如图1所示，电子设备10包括直充单元11、存储器12、处理器13和控制器14；其中，
直充单元11包括充电接口111、电池112和用于建立充电接口111和电池112之间电性连接的开关电路113。
存储器12存储有可在处理器13上运行的计算机程序，处理器13执行所述程序时实现本申请任一实施例所述的电路检测方法中的步骤。
需要说明的是，处理器13还可以通过与控制器14交互，使控制器14控制直充单元11的工作状态，并能够采集直充单元11上的电参数值。电源适配器20通过数据线与充电接口111建立电性连接之后，通过导通直充单元11中的开关电路113，从而直接对电池112进行充电。
结合图1所示的电子设备结构示意图，以下对电路检测方法及装置、设备、存储介质的各实施例进行说明。在本申请各实施例中，所述电子设备可以是任意具有充电能力的终端，例如，所述电子设备为手机、平板电脑、笔记本电脑、电子阅读器等；所述电子设备还可以是其他产品，例如，所述电子设备为电动汽车、电动自行车、无人机、移动电源、电子烟、手表、手环、智能眼镜、扫地机器人、无线耳机、蓝牙音响、电动牙刷、可充电无线鼠标等。也就是说，在本申请实施例中，对所述电子设备的产品形式不做限定。
本申请实施例提供一种电路检测方法，图2为本申请实施例电路检测方法的实现流程示意图，如图2所示，所述方法包括以下步骤：
步骤S201，电子设备确定自身直充单元上充电接口的电源接入状态；其中，所述直充单元包括：充电接口、电池、用于建立所述充电接口和所述电池之间电性连接的开关电路；
可以理解地，所述电源接入状态包括未接入和已接入两种状态。当所述电源接入状态为未接入状态时，表明电子设备处于未充电状态，电子设备没有接入电源适配器；反之，当所述电源接入状态为接入状态时，表明电子设备处于充电状态，电子设备通过与电源适配器连接以对自身电池进行充电。
步骤S202，所述电子设备采集所述直充单元上，与所述电源接入状态对应的电参数值；
可以理解地，当电源适配器对电子设备中的电池进行快速充电时，电子设备可以导通自身的直充单元，以使电源适配器的输出电流直接流入电池中，从而实现对电池的快速充电。
在实现时，电子设备可以采集所述直充单元上的一种或多种电参数的当前数值，也就是说，这里不限定所述电参数值的数量和类别。但是，在不同的电源接入状态下，采集的应该是其对应的电参数的数值，不同的电源接入状态，采集对象是不同的。例如，当所述充电接口的电源接入状态为未接入时，可以采集所述充电接口的接口电压，和/或，采集与所述电池相连的金属、氧化物、半导体(Metal、Oxide、Semiconductor，MOS)场效应晶体管(以下简称MOS管)的栅(Grid，G)极电压，和/或，所述MOS管的栅极与源(Source，S)极之间的第一电流；再如，当所述充电接口的电源接入状态为已接入时，采集MOS管的栅极与源极之间的第二电流。
步骤S203，所述电子设备依据所述电参数值和预设条件，对所述开关电路的性能进行检测，得到第一检测结果。
在实现时，如果电参数值不满足对应的预设条件，电子设备确定开关电路的性能变差，例如，当电参数值大于对应的第一阈值时，确定开关电路的性能变差，此时可以生成第一检测结果，在该结果中可以包括电子设备的设备标识、采集的电参数值、表征开关电路的性能变差的信号等。当然，当开关电路的性能没有变差时，即电参数值大于对应的第一阈值时，也可以生成第一检测结果，此时生成的结果中可以包括电子设备的设备标识、采集的电参数值等。
需要说明的是，不同的电参数值对应的预设条件可以不同，也可以相同。
可以理解地，随着电子设备的使用，电子设备中的元件逐渐受到损耗。例如，开关电路中与电池相连的MOS管，随着其使用，该MOS管的G极与S极之间的阻抗逐渐减小，导致开关电路的性能逐渐下降。这是因为，该MOS管的S极与电池的电源引脚连接，这样，无论电子设备是否在充电状态，该MOS管的S极上一直都有电压，即该MOS管的G极与S极之间始终存在电压差，随着电子设备的使用，该MOS管的G极与S极之间的阻抗RGS减小，即开关电路的性能变差。RGS减小，则会导致该MOS管的S极漏电，从而造成用于驱动该MOS管导通的G极电压VG降低，如此在给电子设备充电时，该MOS管的漏(Drain，D)极与S极之间的阻抗RDS过大，而RDS过大则会造成电子设备发热严重甚至退出快速充电的问题。
基于此，在本申请实施例中，所述电子设备通过采集自身直充单元上的电参数值，并依据预设条件，实现对直充单元上开关电路性能的自动化检测，从而使得当电子设备发热严重或者退出快速充电时，维修人员不用拆开电子设备，用万用表逐一测量充电模块的元件的电参数值来排查问题出现的根由，只需调取电子设备对应的第一检测结果，即可找出电子设备发热严重或者退出充电的原因。
可以理解地，本申请实施例所提供的电路检测方法，电子设备采集自身直充单元上，与充电接口的电源接入状态对应的电参数值；然后，所述电子设备依据所述电参数值和预设条件，对所述直充单元中的开关电路进行性能检测，得到第一检测结果。如此，通过所述电子设备采集自身直充单元上的电参数值，从而实现对直充单元中的开关电路性能的自动化检测。
本申请实施例再提供一种电子设备，图3为本申请实施例再一电子设备的结构示意图，与图1所示的电子设备10相比，图3中示意出了开关电路313中至少包括一个MOS管。如图3所示，电子设备30包括直充单元31、存储器32、处理器33和控制器34；其中，
直充单元31包括充电接口311、电池312和用于建立充电接口311和电池312之间的电性连接的开关电路313，开关电路313至少包括一个与电池相连的MOS管314，例如，开关电路313包括两个MOS管。需要说明的是，这里对所述MOS管的类型不做限定，所述MOS管的类型可以是多种多样的，例如，所述MOS管的类型可以是N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型、P沟道耗尽型等。
存储器32存储有可在处理器33上运行的计算机程序，处理器33执行所述程序时实现本申请任一实施例所述的电路检测方法中的步骤。
结合图3所示的电子设备30，本申请实施例提供另一电路检测方法，图4为本申请实施例电路检测方法的实现流程示意图，如图4所示，所述方法包括以下步骤：
步骤S401，电子设备确定自身直充单元上的充电接口的电源接入状态是否是已接入状态；如果是，执行步骤S404；否则，执行步骤S402；其中，所述直充单元，如图3所示，包括充电接口、电池和用于建立充电接口和电池之间电性连接的开关电路，开关电路至少包括一个与电池相连的MOS管；
步骤S402，所述电子设备发送第一控制信号给所述开关电路，以触发所述开关电路进入截止状态，然后进入步骤S403；
步骤S403，所述电子设备采集所述直充单元上的以下至少之一电参数值：所述充电接口的接口电压、与所述电池相连的MOS管的栅极电压、所述MOS管的栅极与源极之间的第一电流；其中，所述开关电路至少包括一个所述MOS管，然后进入步骤S406；
可以理解地，当电子设备在非充电状态时，即没有电源接入电子设备的充电接口时，理论上来讲，电子设备的充电接口的接口电压应该为0。以充电接口为Type-C接口为例，当电子设备在非充电状态时，Type-C接口的VBUS引脚上的电压(即所述接口电压)应该为0。然而，随着电子设备的使用，开关电路上的MOS管逐渐受到损耗，例如，与电池相连的N沟道增强型MOS管的G极与S极之间的阻抗RGS逐渐减小，这样，即使没有电源接入所述充电接口，开关电路也可能会处于导通状态，此时，N沟道增强型MOS管的G极电压大于0，充电接口的接口电压也大于0，N沟道增强型MOS管的G极与S极之间存在电流，即所述第一电流也大于0。
基于此，在本申请实施例中，所述电子设备可以采集所述直充单元上的充电接口的接口电压、与电池相连的MOS管的栅极电压、MOS管的栅极与源极之间的第一电流中的一个或多个电参数值，从而依据采集的电参数值与预设条件，对所述开关电路的性能进行检测。当然，这里对所述电参数值的类型不做限定，所述电参数值还可以是其他电参数值。比如，所述电参数值还可以是MOS管的栅极与源极之间的阻抗RGS，如果RGS小于预设阈值，则确定开关电路的性能变差。再如，所述电参数值还可以是与电池相连的MOS管的G极电压、G极与S极之间的电流等。
在其他实施例中，电子设备在采集所述直充单元上与所述电池相连的MOS管的栅极电压，可以通过如下步骤S4041和步骤S4042来实现：步骤S4041，电子设备采集与所述电池相连的MOS管的栅极连接的模拟数字转换(Analog Digital Converter，ADC)引脚上的电压；步骤S4042，电子设备将所述ADC引脚上的电压确定为所述栅极电压；其中，ADC引脚为控制器上的引脚，具备信号采集功能和模数转换能力。
步骤S404，所述电子设备发送第二控制信号给所述直充单元，以触发所述开关电路进入导通状态，然后进入步骤S405；
步骤S405，所述电子设备采集所述直充单元上与所述电池相连的MOS管的栅极与源极之间的第二电流；其中，所述开关电路至少包括一个所述MOS管，然后进入步骤S406；
可以理解地，当电子设备在充电状态时，即，有电源接入电子设备的充电接口时，理论上来讲，与电池相连的MOS管的G极与S极之间也是绝缘的，也就是，G极与S极之间的电流应该为0。然而，随着电子设备的使用，与电池相连的MOS管逐渐受到损耗，MOS管的G极与S极之间的阻抗RGS逐渐减小，这样，在给电子设备进行充电时，MOS管的G极与S极之间存在电流。基于此，在本申请实施例中，可以通过采集所述第二电流，依据其对应的预设条件来实现对开关电路的性能检测。例如，当所述第二电流大于对应的第一阈值时，确定所述开关电路的性能变差。当然，当电子设备的充电接口有电源接入时，即电子设备为充电状态时，也可以采集直充单元上的其他电参数值，比如，采集与充电接口连接的MOS管的G极与S极之间的电流，如果大于对应的第一阈值，确定所述开关电路的性能变差。
步骤S406，所述电子设备依据采集的电参数值和所述电参数值对应的第一阈值，对所述MOS管的性能进行检测；
一般情况下，所述电参数值的类型不同，其对应的第一阈值也是不同的。设置的第一阈值一般比理论值大，这样可以减少采集误差导致的误判概率；其中，所述理论值指的是电子设备在使用初期开关电路上的元件还没有受到损耗时的理想值。例如，当电子设备在非充电状态时，其充电接口的接口电压理论上应该为0，但是为了减少采集误差导致的误判概率，设置的阈值为大于0的数值。
步骤S407，如果至少一个电参数值大于对应的第一阈值，所述电子设备生成表征由于所述MOS管的性能变差而导致所述开关电路的性能变差的第一检测结果；
在其他实施例中，如果没有一个电参数值大于对应的第一阈值，电子设备可以确定开关电路的性能没有变差，此时可以生成第一检测结果，也可以在确定开关电路的性能变差时再生成对应的第一检测结果。
在其他实施例中，如果电参数值大于第一阈值的个数超过第三阈值时，电子设备生成表征由于所述MOS管的性能变差而导致所述开关电路的性能变差的第一检测结果；反之，如果电参数值大于第一阈值的个数小于第三阈值时，电子设备确定所述开关电路的性能没有变差，此时可以不生成第一检测结果。
步骤S408，所述电子设备输出所述第一检测结果。
在实现时，所述电子设备可以通过多种方式输出第一检测结果。例如，当所述第一检测结果表征所述开关电路的性能变差时，所述电子设备将所述第一检测结果发送给服务器，或者，所述电子设备显示或播报所述第一检测结果。
可以理解地，将第一检测结果发送给服务器，以便服务器保存电子设备对应的第一检测结果，这样，当电子设备出现退出充电或者发热严重的问题被返厂维修时，维修人员可以从服务器端调取电子设备的第一检测结果，从而确定是否是开关电路的性能变差导致的上述问题。也就是说，如此可以帮助维修人员快速排查导致上述问题的根源。另外，电子设备显示或播报第一检测结果，例如，语音通知用户：“您的手机充电功能出现问题，请及时维修”，从而提醒电子设备的用户及时对所述开关电路进行维修，以免出现电子设备充电时发射严重或者退出充电的问题。
在本申请实施例中，在充电模块不同的电源接入状态下，电子设备采集其直充单元上的至少一个电参数值，例如，在电源接入状态为未接入时，电子设备采集其充电接口的接口电压，和/或，采集与电池相连的MOS管的栅极电压，和/或，所述MOS管的栅极与源极之间的第一电流等，并依据采集的电参数值和对应的第一阈值对所述直充单元的开关电路的性能进行检测，如此，电子设备可以实现对自身的开关电路的性能检测，避免在电子设备退出充电或者充电时发热严重时，需要维修人员拆机来进行故障排查。
需要说明的是，确定所述充电接口的电源接入状态的方式有很多种，在本申请实施例中不做限定。例如，可以通过如下步骤确定所述充电接口的电源接入状态：
步骤S501，所述电子设备按照预设的检测策略对自身充电接口的电源接入状态至少进行两次检测，得到第二检测结果集合；
这里，所述检测策略可以是多种多样的。例如，所述检测策略为每隔1秒钟检测一次所述充电接口的电源接入状态，检测次数为3次。再如，所述检测策略为隔1秒检测一次所述充电接口的电源接入状态，然后隔0.5秒检测一次，最后，隔0.2秒检测一次。
可以理解地，在本申请实施例中多次检测所述充电接口的电源接入状态的目的是为了确保当前检测的电源接入状态是准确的，这样采集的电源接入状态对应的电参数值才不会出现较大误差，从而降低电子设备对开关电路的性能检测的误判概率。
在其他实施例中也可以对自身充电接口的电源接入状态只进行一次检测。当只进行一次检测时，得到检测结果为充电模块没有电源接入时，电子设备确定所述充电接口的电源接入状态为未接入；反之，得到检测结果为充电模块有电源接入时，电子设备确定所述充电接口的电源接入状态为已接入。
步骤S502，所述电子设备确定所述第二检测结果集合中表征所述充电模块没有电源接入的第二检测结果的数量X；如果所述数量X大于等于N，执行步骤S503；否则，执行步骤S504；其中，N为预设的第二阈值；
步骤S503，所述电子设备确定所述充电接口的电源接入状态为未接入状态；
也就是说，如果所述第二检测结果集合中有至少N个第二检测结果表征所述充电模块没有电源接入，所述电子设备确定所述充电接口的电源接入状态为未接入。
步骤S504，所述电子设备确定所述充电接口的电源接入状态为接入状态。
本申请实施例又提供一种电子设备，图5为本申请实施例又一电子设备的结构示意图，如图5所示，电子设备51包括电池52、MOS管53、MOS管54、充电接口55、控制器56、存储器57和处理器58；其中，电池52的一端与MOS管53的S极连接，MOS管53的G极与控制器56连接，MOS管53的D极与MOS管54的D极连接，MOS管54的S极与充电接口55连接，MOS管54的G极与控制器56连接。处理器58与控制器56连接，可以与控制器56之间进行信息交互。存储器57上存储有可在处理器58上运行的计算机程序，处理器58执行所述程序时实现本申请任一实施例所述的电路检测方法中的步骤。需要说明的是，MOS管53和MOS管54实际上组成了一个开关电路，用于导通和截止电池52和充电接口55之间的电性连接。
结合图5，本申请实施例提供再一电路检测方法，所述方法包括以下步骤：
步骤S601，电子设备51确定充电接口55是否有电源接入；如果没有，执行步骤S602；如果有，返回执行步骤S601；
这里，在实现时，电子设备可以周期性或非周期性地执行步骤S601至步骤606，也就是周期性或非周期性地对包括MOS管53和MOS管54的开关电路的性能进行检测。
步骤S602，电子设备51触发包括MOS管53和MOS管54的开关电路进入截止状态；例如，电子设备51通过控制器56触发MOS管53和MOS管54进入截止状态；
步骤S603，电子设备51读取充电接口55的接口电压VB；
步骤S604，电子设备51确定所述接口电压VB是否大于对应的第一阈值；如果是，执行步骤S605；否则，返回执行步骤S601；
步骤S605，电子设备51生成第一检测结果，所述第一检测结果的内容包括所述电子设备51的设备标识、导致所述开关电路性能变差的原因、所述接口电压VB；
步骤S606，电子设备51将所述第一检测结果发送给服务器。
在本申请实施例中，电子设备在其充电接口没有电源接入时，采集充电接口的接口电压，然后依据接口电压和对应的第一阈值，快速判定自身的开关电路的性能是否变差。
目前，快速充电(简称快充)技术采用的是低压大电流方式，通过两个MOS管，将充电器的输出引脚VBUS连接到手机电池的VBAT(电池电压Voltage of Battery)引脚。然而，由于靠近电池的MOS管的S极上一直有电压，G极与S极之间有电压差，随着手机的使用，MOS管的G极与S极之间的阻抗会减小，S极会漏电，造成用于驱动MOS管导通的G极电压降低，这样就会造成MOS管导通时其D极与S极之间的阻抗过大，如此就可能会造成手机发热严重和退出快充问题。
目前，针对判断MOS管的G极与S极之间的阻抗是否降低，采用的方法是将手机主板上的屏蔽支架拆开后，测量G极与S极之间的阻抗。这种方法存在的缺点是：第一，需要将手机的主板拆下，之后拆开主板的屏蔽支架，这样涉及到拆手机和维修主板，造成维修成本增加和时间的浪费；第二，MOS管的G极与S极之间的阻抗减少不多时，此时G极与S极之间的阻抗仍很大，此时用万用表测量阻抗得到的值误差较大，无法准确判断出MOS管是否有异常。
基于此，下面结合优选实施例，对上述实施例中涉及到的内容进行说明。
首先，本申请实施例提供一种手机，图6为本申请实施例手机的结构示意图，如图6所示，手机60至少包括：电池601、快充通路602、USB座603、微控单元(MicrocontrollerUnit，MCU)604和AP 605；其中，所述MCU即为上述实施例所述的控制器的一种示例。
其次，本申请实施例在目前快充方案的基础上，采用新方法来进行快充通路(即所述开关电路)状况的判断。以下结合图7对实施方法进行具体说明：
在某个时刻，手机检测到自身未插入充电设备时，手机的应用处理器(Application Processor，AP)给快充通路的微控制单元(Microcontroller Unit，MCU)发送信号，让其开始采集引脚VBUS上的电压，之后MCU控制SW2引脚的输出由高电平变为低电平，这样MOS管V4303截止，MOS管V4304和MOS管V4305的G极变为通过470K的电阻接地。若MOS管V4304的G极与S极之间的阻抗RGS变小，则其G极上的电压为RGS与电阻R4307之间的分压。MOS管V4304的G极上的电压VG超过MOS管V4305的门限电压Vth，MOS管V4305导通，VBUS(简称VB)引脚上就有电压，通过AP采集VB上的电压。由VB上的电压即可判断出MOS管V4304的状况。例如，VB上的电压大于预设阈值(例如0.1mv)，则确定MOS管V4304的阻抗RGS降低，MOS管V4304的性能降低。
需要说明的是，图7中VB上的电压为手机USB(即所述充电接口)上所对应的VBUS电压，而VA为手机的电池电压。
以下实施例为手机端采集MOS管的问题的一个案例，是上述方案的升级版本。通过手机端的AP和MCU的配合采集数据(例如VB上的电压)，同时将数据上传到云端进行分析。
此处以Type-C接口的手机为例，如图8所示，手机的安卓系统在一固定的时间，给手机的AP发送采集命令，AP在接收到所述采集命令之后，检查Type-C接口是否有设备接入(若有设备接入时，Type-C接口的VBUS引脚上有电压，会造成采集的电压为外部设备的VBUS电压)。如果没有设备接入(即没有电源接入)，AP给MCU发送复位命令，触发MCU复位，之后再隔1秒，AP再次检查Type-C接口是否有设备接入，如果没有，则给MCU发送15个时钟(Clock，clk)信号，MCU在接收到至少10个clk信号后，将SW2引脚电平置低，1秒后将SW2引脚电平置高；0.2秒后AP再次检查Type-C接口是否有设备接入，若没有，则3次读取VB上的电压，每次时间间隔为0.1秒，之后将读取的数据上传。可以理解地，本申请实施例中多次判断是否有外部设备的原因是：若有设备接入时，USB的VBUS有电压，会造成采集的电压VB为外部设备的VBUS电压。
在本申请实施例中，通过采集充电接口(例如USB接口)上VBUS引脚上的电压，即可判断出手机中MOS管的状况。并且通过AP与MCU的配合，实现了自动化采集和云端上传，其不需要拆机等，即可判断出手机中MOS管的状况，极大地简化了操作。
在其他实施例中，SW2引脚置低时，以图7所示的手机为例，手机通过ADC读取MOS管V4304的G极电压，从而来判断MOS管V4304的情况，即，将SW1引脚连接至MCU的ADC引脚上，通过分析此处的电压来进行判断。例如，当MOS管V4304的G极电压大于预设阈值时，则确定MOS管V4304的性能下降。
在其他实施例中，SW2置高或置低时，测量流过MOS管V4304的G极与S极之间电流，即可判断MOS管V4304的状况。
基于前述的实施例，本申请实施例提供一种电子设备，图9为本申请实施例电子设备的结构示意图，如图9所示，所述电子设备90包括：直充单元901、处理器902和控制器903；其中，所述直充单元901与所述控制器903连接，所述直充单元901，包括充电接口9011、电池9012和开关电路9013，所述开关电路9013的一端和充电接口9011连接，所述开关电路9013的另一端与所述电池9012连接，所述开关电路9013用于建立所述充电接口9011和所述电池9012之间的电性连接；
所述处理器902与所述控制器903连接，用于执行以下步骤：确定所述充电接口9011的电源接入状态，所述电源接入状态为未接入或已接入；通过所述控制器903采集所述直充单元901上，与所述电源接入状态对应的电参数值；依据所述电参数值和预设条件，对所述开关电路9013的性能进行检测，得到第一检测结果。
在实施的过程中，处理器可以为中央处理器(CPU)、微处理器(MPU)、数字信号处理器(DSP)或现场可编程门阵列(FPGA)等。
以上设备实施例的描述，与上述方法实施例的描述是类似的，具有同方法实施例相似的有益效果。对于本申请装置实施例中未披露的技术细节，请参照本申请方法实施例的描述而理解。
需要说明的是，本申请实施例中，如果以软件功能模块的形式实现上述的电路检测方法，并作为独立的产品销售或使用时，也可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请实施例的技术方案本质上或者说对相关技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得电子设备(可以是手机、平板电脑、台式机、个人数字助理、导航仪、数字电话、视频电话、电视机、传感设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read Only Memory，ROM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。这样，本申请实施例不限制于任何特定的硬件和软件结合。
本申请实施例再提供一种电子设备，图10为本申请实施例电子设备的一种硬件实体示意图，如图10所示，该电子设备100的硬件实体包括：包括存储器101和处理器102，所述存储器101存储有可在处理器102上运行的计算机程序，所述处理器102执行所述程序时实现上述实施例中提供的电路检测方法中的步骤。
存储器101配置为存储由处理器102可执行的指令和应用，还可以缓存待处理器102以及电子设备100中各模块待处理或已经处理的数据(例如，图像数据、音频数据、语音通信数据和视频通信数据)，可以通过闪存(FLASH)或随机访问存储器(Random AccessMemory，RAM)实现。
本申请实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述实施例中提供的电路检测方法中的步骤。
这里需要指出的是：以上存储介质和设备实施例的描述，与上述方法实施例的描述是类似的，具有同方法实施例相似的有益效果。对于本申请存储介质和设备实施例中未披露的技术细节，请参照本申请方法实施例的描述而理解。
应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本申请的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。应理解，在本申请的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。上述本申请实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合、或通信连接可以是通过一些接口，设备或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性的、机械的或其它形式的。
上述作为分离部件说明的单元可以是、或也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是、或也可以不是物理单元；既可以位于一个地方，也可以分布到多个网络单元上；可以根据实际的需要选择其中的部分或全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本申请各实施例中的各功能单元可以全部集成在一个处理单元中，也可以是各单元分别单独作为一个单元，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中；上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。
本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：移动存储设备、只读存储器(Read Only Memory，ROM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
或者，本申请上述集成的单元如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，也可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请实施例的技术方案本质上或者说对相关技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得电子设备(可以是手机、平板电脑、台式机、个人数字助理、导航仪、数字电话、视频电话、电视机、传感设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分。而前述的存储介质包括：移动存储设备、ROM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
本申请所提供的几个方法实施例中所揭露的方法，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的方法实施例。
本申请所提供的几个产品实施例中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的产品实施例。
本申请所提供的几个方法或设备实施例中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的方法实施例或设备实施例。
以上所述，仅为本申请的实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种电路检测方法，其特征在于，所述方法应用于具有直充单元的电子设备，所述直充单元包括：充电接口、电池、用于建立所述充电接口和所述电池之间电性连接的开关电路；所述方法包括：
确定所述充电接口的电源接入状态，所述电源接入状态为未接入或已接入；
采集所述直充单元上，与所述电源接入状态对应的电参数值；
依据所述电参数值和预设条件，对所述开关电路的性能进行检测，得到第一检测结果。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采集所述直充单元上，与所述电源接入状态对应的电参数值，包括：
当所述充电接口的电源接入状态为未接入时，发送第一控制信号给所述开关电路，以触发所述开关电路进入截止状态；
采集所述直充单元上的以下至少之一电参数值：所述充电接口的接口电压、与所述电池相连的金属氧化物半导体MOS管的栅极电压、所述MOS管的栅极与源极之间的第一电流；其中，所述开关电路至少包括一个所述MOS管。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采集所述直充单元上，与所述电源接入状态对应的电参数值，包括：
当所述充电接口的电源接入状态为已接入时，发送第二控制信号给所述直充单元，以触发所述开关电路进入导通状态；
采集所述直充单元上与所述电池相连的MOS管的栅极与源极之间的第二电流；其中，所述开关电路至少包括一个所述MOS管。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，采集所述直充单元上与所述电池相连的MOS管的栅极电压，包括：
采集与所述MOS管的栅极连接的模拟数字转换ADC引脚上的电压；
将所述ADC引脚上的电压确定为所述栅极电压。
5.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述依据所述电参数值和预设条件，对所述开关电路的性能进行检测，得到第一检测结果，包括：
依据所述电参数值和对应的第一阈值，对所述MOS管的性能进行检测；
如果至少一个电参数值大于对应的第一阈值，生成表征由于所述MOS管的性能变差而导致所述开关电路的性能变差的第一检测结果。
6.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
当所述第一检测结果表征所述开关电路的性能变差时，将所述第一检测结果发送给服务器，或者，显示或播报所述第一检测结果。
7.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述确定所述充电接口的电源接入状态，包括：
按照预设的检测策略对所述充电接口的电源接入状态至少进行两次检测，得到第二检测结果集合；
如果所述第二检测结果集合中有至少N个第二检测结果表征所述充电接口没有电源接入，确定所述电源接入状态为未接入，N为预设的第二阈值。
8.一种电子设备，其特征在于，所述设备包括：直充单元、处理器和控制器；其中，
所述直充单元与所述控制器连接，所述直充单元包括充电接口、电池和开关电路，所述开关电路的一端和充电接口连接，所述开关电路的另一端与所述电池连接，所述开关电路用于建立所述充电接口和所述电池之间的电性连接；
所述处理器与所述控制器连接，所述处理器用于执行以下步骤：
确定所述充电接口的电源接入状态，所述电源接入状态为未接入或已接入；
通过所述控制器采集所述直充单元上，与所述电源接入状态对应的电参数值；
依据所述电参数值和预设条件，对所述开关电路的性能进行检测，得到第一检测结果。
9.一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现权利要求1至7任一项所述电路检测方法中的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至7任一项所述电路检测方法中的步骤。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112649722A (zh) * 2020-12-30 2021-04-13 卡斯柯信号有限公司 一种防淹门与信号系统的接口电路的故障监测方法
WO2023155662A1 (zh) * 2022-02-21 2023-08-24 深圳市道通科技股份有限公司 测试设备、诊断设备及汽车诊断系统

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112787374B (zh) * 2020-12-30 2023-12-22 维沃移动通信有限公司 充电系统、电子设备及其充电控制方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104993182A (zh) * 2015-08-05 2015-10-21 青岛海信移动通信技术股份有限公司 一种移动终端、可直充电源适配器及充电方法
CN106415295A (zh) * 2014-10-06 2017-02-15 株式会社Lg 化学 开关劣化检测设备和方法
US20170292990A1 (en) * 2016-04-06 2017-10-12 Honda Motor Co.,Ltd. Power supply apparatus, transport device including power supply apparatus, determination method of determining state of sensor detecting current value, and computer readable medium for determining state
CN108258348A (zh) * 2018-02-13 2018-07-06 中兴通讯股份有限公司 充电方法及装置、系统、充电电路、终端、充电系统
CN109755997A (zh) * 2018-12-17 2019-05-14 维沃移动通信有限公司 一种充电方法及终端设备

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6073375A (ja) * 1983-09-30 1985-04-25 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の試験方法
JP4776368B2 (ja) * 2005-12-20 2011-09-21 矢崎総業株式会社 電力供給回路のオン故障検出装置
JP2011071174A (ja) * 2009-09-24 2011-04-07 Renesas Electronics Corp 半導体装置、及び半導体装置の特性劣化検出方法
CN206807043U (zh) * 2017-03-30 2017-12-26 维沃移动通信有限公司 一种充电电路及移动终端
CN208190282U (zh) * 2018-03-27 2018-12-04 深圳市未来天使机器人有限公司 一种针对电池直充电路的保护系统

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106415295A (zh) * 2014-10-06 2017-02-15 株式会社Lg 化学 开关劣化检测设备和方法
CN104993182A (zh) * 2015-08-05 2015-10-21 青岛海信移动通信技术股份有限公司 一种移动终端、可直充电源适配器及充电方法
US20170292990A1 (en) * 2016-04-06 2017-10-12 Honda Motor Co.,Ltd. Power supply apparatus, transport device including power supply apparatus, determination method of determining state of sensor detecting current value, and computer readable medium for determining state
CN108258348A (zh) * 2018-02-13 2018-07-06 中兴通讯股份有限公司 充电方法及装置、系统、充电电路、终端、充电系统
CN109755997A (zh) * 2018-12-17 2019-05-14 维沃移动通信有限公司 一种充电方法及终端设备

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112649722A (zh) * 2020-12-30 2021-04-13 卡斯柯信号有限公司 一种防淹门与信号系统的接口电路的故障监测方法
WO2023155662A1 (zh) * 2022-02-21 2023-08-24 深圳市道通科技股份有限公司 测试设备、诊断设备及汽车诊断系统

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