CN112054089A - 一种改善cigs薄膜太阳能电池稳定性的层压装置 - Google Patents

一种改善cigs薄膜太阳能电池稳定性的层压装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112054089A
CN112054089A CN202010766624.XA CN202010766624A CN112054089A CN 112054089 A CN112054089 A CN 112054089A CN 202010766624 A CN202010766624 A CN 202010766624A CN 112054089 A CN112054089 A CN 112054089A
Authority
CN
China
Prior art keywords
box body
film solar
stability
improving
cigs thin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010766624.XA
Other languages
English (en)
Inventor
萧吉宏
连重炎
江湖
黄显艺
刘林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xuancheng Kaisheng New Energy Technology Co Ltd
Original Assignee
Xuancheng Kaisheng New Energy Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xuancheng Kaisheng New Energy Technology Co Ltd filed Critical Xuancheng Kaisheng New Energy Technology Co Ltd
Priority to CN202010766624.XA priority Critical patent/CN112054089A/zh
Publication of CN112054089A publication Critical patent/CN112054089A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
    • H01L31/1844—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising ternary or quaternary compounds, e.g. Ga Al As, In Ga As P
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本发明公开了一种改善CIGS薄膜太阳能电池稳定性的层压装置，包括传输带，所述传输带的输出端安装有层压轮，所述传输带的上方设置有清洁strip表面的清洁装置。所述清洁装置包括盒体，所述盒体的底部敞开，且盒体的底部盖在传输带上，所述盒体的两端分别连接有进气管和出气管。述进气管于盒体靠近层压轮的一侧连通盒体内腔，所述出气管于盒体远离层压轮的一侧连通盒体内腔。本技术方案提出的一种改善CIGS薄膜太阳能电池稳定性的层压装置在strip与FE层压之前，清理strip表面的水汽和灰尘，减少效率衰减，并且将清理掉的灰尘收集，防止灰尘二次污染。

Description

一种改善CIGS薄膜太阳能电池稳定性的层压装置
技术领域
本发明涉及CIGS薄膜太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种改善CIGS薄膜太阳能电池稳定性的层压装置。
背景技术
FSS(flexible stainless substrate):柔性不锈钢衬底
RPVD(roll PVD):卷式磁控溅射
CIGS：铜铟镓硒薄膜
FE：柔性电极(电池表面的一层透明膜，膜上附着有铜线，铜线作为电极用来收集电流)
Strip：镀有CIGS薄膜的电池条
FSS经过RPVD真空设备镀CIGS膜后，经过一系列的切割技术，将FSS切割成一条条的strip，然后strip再与FE进行层压。即FE在一定层压温度下，与strip的具有CIGS面粘结在一起。再经过切割，将strip切割成所需要尺寸的电池。
现有的加工设备是FSS经过RPVD镀膜出真空腔，然后经过切刀裁切后，形成strip结构，通过传输带被激光感应器感应到，strip被传输带运送到层压轮前，经过层压轮层压前的strip与FE层压一起，形成层压后的strip。FSS从出真空腔到与FE层压大概需要20min，由于车间环境影响，在这段时间内，膜层上表面(电池的功能面)会有水汽和灰尘存在。而在strip被层压之前没有清洁上表面的工序。
因此使用这种层压装置，会因为膜层上表面存在水汽和灰尘导致电池效率的降低。
发明内容
本发明针对现有技术的不足，提供一种改善CIGS薄膜太阳能电池稳定性的层压装置。
本发明通过以下技术手段实现解决上述技术问题的：一种改善CIGS薄膜太阳能电池稳定性的层压装置，包括传输带，所述传输带的输出端安装有层压轮，所述传输带的上方设置有清洁strip表面的清洁装置。
进一步的，所述清洁装置包括盒体，所述盒体的底部敞开，且盒体的底部盖在传输带上，所述盒体的两端分别连接有进气管和出气管。
进一步的，所述进气管于盒体靠近层压轮的一侧连通盒体内腔，所述出气管于盒体远离层压轮的一侧连通盒体内腔。
进一步的，所述盒体内腔安装有热源。
进一步的，所述热源为电热丝或电热杆。
进一步的，所述出气管倾斜设置，出气管靠近盒体一端的所在高度大于出气管远离盒体一端的所在高度，所述出气管的下侧管壁上开设有出水孔，所述出水孔连通有排水管。
进一步的，所述盒体的底部边缘固定连接有接触软条。
进一步的，所述接触软条为橡胶条、布片或海绵。
进一步的，所述所述传输带的输入端安装有感应器。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本技术方案提出的一种改善CIGS薄膜太阳能电池稳定性的层压装置在strip与FE层压之前，清理strip表面的水汽和灰尘，减少效率衰减，并且将清理掉的灰尘收集，防止灰尘二次污染。
附图说明
图1为本发明结构示意图；
图2为本发明清洁装置结构示意图。
图中：1传输带、2层压轮、3清洁装置、31盒体、32进气管、33出气管、34热源、35出水孔、36排水管、37接触软条、4感应器、5FE、6层压前strip。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例
请参阅图1-2，本发明提供一种技术方案：
一种改善CIGS薄膜太阳能电池稳定性的层压装置，包括传输带1，所述传输带1的输出端安装有层压轮2，所述所述传输带1的输入端安装有感应器4。所述传输带1的上方设置有清洁strip表面的清洁装置3。
本技术方案提出的一种改善CIGS薄膜太阳能电池稳定性的层压装置在strip与FE层压之前，清理strip表面的水汽和灰尘，减少效率衰减，并且将清理掉的灰尘收集，防止灰尘二次污染。
所述清洁装置3包括盒体31，所述盒体31的底部敞开，且盒体31的底部盖在传输带1上，所述盒体31的两端分别连接有进气管32和出气管33。
所述进气管32于盒体31靠近层压轮2的一侧连通盒体31内腔，所述出气管33于盒体31远离层压轮2的一侧连通盒体31内腔。
使用时，进气管32通入压缩空气，气流在盒体31内流过，能够达到清理strip表面水汽和灰尘的效果，并且避免气流吹起的水汽和灰尘污染空气。出气管33则能够起到回收气体的效果，而且能够将水汽和灰尘排出，防止之前的水汽和灰尘对strip进行二次污染。
所述盒体31内腔安装有热源34。所述热源34可选用电热丝或电热杆。利用热源34将气流加热，有助于将strip上的水汽清楚。
所述出气管33倾斜设置，出气管33靠近盒体31一端的所在高度大于出气管33远离盒体31一端的所在高度，所述出气管33的下侧管壁上开设有出水孔35，所述出水孔35连通有排水管36。
由于利用热源34将气流加热，在气流排出时遇冷会发生凝结，出气管33倾斜设置，能够将凝结的水通过出水孔35排到排水管36排出，避免水回流到盒体31内，再次附着于strip上。
所述盒体31的底部边缘固定连接有接触软条37。所述接触软条37可选用橡胶条、布片或海绵。接触软条37在使用时接触strip上表面，能够刮去strip上水珠和灰尘。
需要说明的是，在本文中，如若存在第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (9)

1.一种改善CIGS薄膜太阳能电池稳定性的层压装置，包括传输带(1)，所述传输带(1)的输出端安装有层压轮(2)，其特征在于，所述传输带(1)的上方设置有清洁strip表面的清洁装置(3)。
2.根据权利要求1所述的一种改善CIGS薄膜太阳能电池稳定性的层压装置，其特征在于，所述清洁装置(3)包括盒体(31)，所述盒体(31)的底部敞开，且盒体(31)的底部盖在传输带(1)上，所述盒体(31)的两端分别连接有进气管(32)和出气管(33)。
3.根据权利要求2所述的一种改善CIGS薄膜太阳能电池稳定性的层压装置，其特征在于，所述进气管(32)于盒体(31)靠近层压轮(2)的一侧连通盒体(31)内腔，所述出气管(33)于盒体(31)远离层压轮(2)的一侧连通盒体(31)内腔。
4.根据权利要求2或3所述的一种改善CIGS薄膜太阳能电池稳定性的层压装置，其特征在于，所述盒体(31)内腔安装有热源(34)。
5.根据权利要求4所述的一种改善CIGS薄膜太阳能电池稳定性的层压装置，其特征在于，所述热源(34)为电热丝或电热杆。
6.根据权利要求4所述的一种改善CIGS薄膜太阳能电池稳定性的层压装置，其特征在于，所述出气管(33)倾斜设置，出气管(33)靠近盒体(31)一端的所在高度大于出气管(33)远离盒体(31)一端的所在高度，所述出气管(33)的下侧管壁上开设有出水孔(35)，所述出水孔(35)连通有排水管(36)。
7.根据权利要求2或3所述的一种改善CIGS薄膜太阳能电池稳定性的层压装置，其特征在于，所述盒体(31)的底部边缘固定连接有接触软条(37)。
8.根据权利要求7所述的一种改善CIGS薄膜太阳能电池稳定性的层压装置，其特征在于，所述接触软条(37)为橡胶条、布片或海绵。
9.根据权利要求1-3任意一项所述的一种改善CIGS薄膜太阳能电池稳定性的层压装置，其特征在于，所述所述传输带(1)的输入端安装有感应器(4)。
CN202010766624.XA 2020-08-03 2020-08-03 一种改善cigs薄膜太阳能电池稳定性的层压装置 Pending CN112054089A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010766624.XA CN112054089A (zh) 2020-08-03 2020-08-03 一种改善cigs薄膜太阳能电池稳定性的层压装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010766624.XA CN112054089A (zh) 2020-08-03 2020-08-03 一种改善cigs薄膜太阳能电池稳定性的层压装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112054089A true CN112054089A (zh) 2020-12-08

Family

ID=73602285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010766624.XA Pending CN112054089A (zh) 2020-08-03 2020-08-03 一种改善cigs薄膜太阳能电池稳定性的层压装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112054089A (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140335642A1 (en) * 2011-12-28 2014-11-13 Kolon Industries, Inc. Method for manufacturing organic solar cell
CN204558508U (zh) * 2015-04-13 2015-08-12 山东禹城汉能薄膜太阳能有限公司 非晶硅薄膜太阳能pecvd芯片清洁装置
CN204544929U (zh) * 2015-02-27 2015-08-12 深圳首创光伏有限公司 柔性薄膜太阳能电池衬底清洗装置
CN205467812U (zh) * 2016-01-12 2016-08-17 营口金辰太阳能设备有限公司秦皇岛分公司 太阳能电池组件层压机传输布清洁系统及吸尘器
US20170203557A1 (en) * 2016-01-19 2017-07-20 Electronics And Telecommunications Research Institute Apparatus for manufacturing flexible substrate
CN111435692A (zh) * 2020-04-01 2020-07-21 杭州纤纳光电科技有限公司 一种卷对卷装置及使用该装置制备柔性太阳能电池的方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140335642A1 (en) * 2011-12-28 2014-11-13 Kolon Industries, Inc. Method for manufacturing organic solar cell
CN204544929U (zh) * 2015-02-27 2015-08-12 深圳首创光伏有限公司 柔性薄膜太阳能电池衬底清洗装置
CN204558508U (zh) * 2015-04-13 2015-08-12 山东禹城汉能薄膜太阳能有限公司 非晶硅薄膜太阳能pecvd芯片清洁装置
CN205467812U (zh) * 2016-01-12 2016-08-17 营口金辰太阳能设备有限公司秦皇岛分公司 太阳能电池组件层压机传输布清洁系统及吸尘器
US20170203557A1 (en) * 2016-01-19 2017-07-20 Electronics And Telecommunications Research Institute Apparatus for manufacturing flexible substrate
CN111435692A (zh) * 2020-04-01 2020-07-21 杭州纤纳光电科技有限公司 一种卷对卷装置及使用该装置制备柔性太阳能电池的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Yin et al. Highly efficient graphene-based Cu (In, Ga) Se 2 solar cells with large active area
US20140352751A1 (en) Solar cell or tandem solar cell and method of forming same
CN102110732B (zh) 柔性薄膜太阳能光电池及其大规模连续自动化生产方法
CN102180447B (zh) 用于回收碲化镉(CdTe)的系统和方法
CN112054089A (zh) 一种改善cigs薄膜太阳能电池稳定性的层压装置
CN204315592U (zh) 一种化合物薄膜太阳能电池
CN214665641U (zh) 一种负压烘干装置
Gułkowski et al. Experimental studies of thin films deposition by magnetron sputtering method for CIGS solar cell fabrication
CN215443319U (zh) 一种具有异味祛除功能的垃圾分类房
CN215749381U (zh) 一种具有收尘机构的pvc板材截断设备
CN109524508A (zh) 一种太阳能电池的贴片固化设备
TW201305368A (zh) 成膜裝置
WO2010050189A1 (ja) 太陽電池の製造方法、エッチング装置及びｃｖｄ装置
CN202576558U (zh) 太阳能电池基片的硒化与硫化反应装置
CN208139763U (zh) 一种太阳能背板膜制作用烘干装置
CN213885636U (zh) 一种方便更换的吸湿贴
CN101271936A (zh) 基于等离子体处理的薄膜太阳能电池封装方法
CN218258936U (zh) 一种玻璃贴膜机的贴膜熔断装置
CN217533371U (zh) 一种便于清洁废料的自动贴膜切膜机
CN219738976U (zh) 光伏玻璃加工用预热设备
CN218191467U (zh) 一种离型纸生产用除尘装置
CN213503095U (zh) 一种带有输送结构的电解铜包装用表面覆膜设备
CN215731849U (zh) 电池负极片预锂设备
CN218835431U (zh) 一种薄膜太阳能电池膜面清洁装置
CN213520105U (zh) 一种分离废弃锂离子电池破碎产物中隔膜的装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20201208

RJ01 Rejection of invention patent application after publication