CN112054055A - 一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法 - Google Patents
一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112054055A CN112054055A CN202010762526.9A CN202010762526A CN112054055A CN 112054055 A CN112054055 A CN 112054055A CN 202010762526 A CN202010762526 A CN 202010762526A CN 112054055 A CN112054055 A CN 112054055A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- graphene
- sic
- sic substrate
- film
- ohmic contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 178
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 131
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 26
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 101
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 90
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 52
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 34
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 34
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 33
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 26
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 20
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 19
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 17
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 12
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 12
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 11
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 10
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 8
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 6
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 3
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 11
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 7
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 6
- -1 graphite alkene Chemical class 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000000861 blow drying Methods 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Chemical group 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法，包括：选取SiC衬底；对SiC衬底的背面进行预设深度的N离子注入；在SiC衬底的正面形成石墨烯/SiC结构；在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；在SiC衬底的背面形成背面电极；通过光刻，在Au膜上形成第一转移电极图形；刻蚀掉未被第一转移电极图形覆盖的Au膜；刻蚀掉未被Au膜覆盖的石墨烯；通过光刻，在SiC衬底上形成第二转移电极图形；在第二转移电极图形外的Au膜上淀积Au材料；剥离第二转移电极图形形成正面电极。本发明方法为一种切实可行的制备方案，且改善了接触电阻扩散和电迁移问题，提升了功率器件的稳定性和寿命，新结构的提出给欧姆接触技术的研究带来了启发。
Description
技术领域
本发明属于SiC基欧姆接触技术领域，具体涉及一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法。
背景技术
SiC材料由于其宽禁带、高热导率、高击穿电场等优异特性，使其在高温、大功率、辐照等极端工作条件下具有不可替代的优势，在各项应用领域备受关注。
目前，不断缩小的器件特征尺寸对欧姆接触提出了更高的要求，通过金属接触窗口比例缩小，接触处电流密度成倍增大，接触金属向半导体的扩散或电迁移是一个严重的问题。当扩散发生在浅结中时，容易导致泄露电流和短路，增加器件功耗，使信号漂移甚至导致器件失效。对于功率器件而言，器件内部有很高的电流密度，在大电流密度应力的作用下，接触电阻的电迁移会破坏原有的平整的接触形貌，产生尖峰、空洞等，使接触面积进一步缩小，加速了失效过程。在大功率器件工作中，接触金属的电迁移成为了器件失效的主要原因之一。同时，在充满高能粒子的空间环境中，高能粒子的撞击可能会破坏传统欧姆接触结构中形成的合金结构层，形成尖峰或空洞等，缩小有效接触面积，加速器件失效甚至直接导致器件失效。现有对金属原子的扩散以及电迁移的研究大多针对于互连线。
然而，对于大功率条件下，欧姆接触金属的电迁移的相关研究还较少，目前还没有有效解决欧姆接触金属的电迁移问题的方法。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法。
本发明的一个实施例提供了一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法，该以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法包括：
选取SiC衬底；
对所述SiC衬底的背面进行预设深度和预设浓度的N离子注入；
在所述SiC衬底的正面转移石墨烯或是外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构；
在所述石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；
在所述SiC衬底的背面溅射Ni金属成背面电极；
通过第一次光刻胶光刻方法在所述Au膜上形成第一转移电极图形；
采用湿法刻蚀法刻蚀掉未被所述第一转移电极图形覆盖的所述Au膜；
采用等离子体刻蚀法刻蚀掉未被所述Au膜覆盖的所述石墨烯；
通过第二次光刻胶光刻方法在所述SiC衬底上形成第二转移电极图形；
在所述第二转移电极图形外的所述Au膜上淀积Au材料；
剥离所述第二转移电极图形形成正面电极并进行退火处理，以完成以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触的制备。
在本发明的一个实施例中，选取所述SiC衬底包括：
对所述SiC衬底进行标准RCA清洗；
对所述SiC衬底表面进行氢刻蚀，工艺条件为：刻蚀温度1600℃，刻蚀时间90min，刻蚀压力96mbar，氢气流量90L/min；
去除所述SiC衬底表面衍生物，工艺条件为：将温度从1600℃缓慢降温到1000℃，通入2L/min氢气维持15min；降温到850℃，真空下通入0.5ml/min SiH4维持10min；升温至1000℃维持5min；保持真空下升温至1100℃维持5min；升温至1250℃维持10min。
在本发明的一个实施例中，对所述SiC衬底的背面进行预设深度和预设浓度的N离子注入包括：
采用CVD设备在所述SiC衬底的背面生长80～120nm的掩蔽层；
通过所述掩蔽层对所述SiC衬底进行预设深度为300～350nm、预设浓度为0.99×1020～1.01×1020cm-3的N离子注入；
离子注入后，采用等离子体刻蚀法刻蚀掉所述掩蔽层。
在本发明的一个实施例中，在所述SiC衬底的正面转移石墨烯或是外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构包括：
在所述SiC衬底的Si面转移石墨烯或是外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构。
在本发明的一个实施例中，在所述SiC衬底的正面转移石墨烯形成石墨烯/SiC结构包括：
选取铜箔并采用CVD设备在所述铜箔上生长石墨烯，工艺条件为：在CVD设备中通入1000sccm氩气，以200℃/min升温至1000℃；关闭氩气，通入1000sccm氢气，维持5min；逐渐将通入气体改为960sccm氩气、40sccm氢气，再通入10sccm甲烷气体，维持10min；关闭甲烷气源，以200℃/min降温至300℃，温度自然降温至150℃，关闭所有气源，抽真空至0.1mbar；
在所述石墨烯表面旋涂PMMA溶液，并使用腐蚀溶液去除所述铜箔形成PMMA/石墨烯，所述PMMA/石墨烯漂浮在所述腐蚀溶液上方，工艺条件为：旋涂转速为3000rpm，旋涂1min；使用的腐蚀溶液为0.5mol/L的氯化铁溶液，腐蚀4h；
使用所述SiC衬底的正面将所述PMMA/石墨烯从所述腐蚀溶液中转移出形成PMMA/石墨烯/SiC结构并清洗，工艺条件为：使用镊子将SiC衬底的正面倾斜一定角度，置于PMMA/石墨烯正下方，将SiC衬底抬起；将PMMA/石墨烯/SiC结构置于H2O：H2O2：HCL＝20:1:1溶液中30min；后置于H2O：H2O2：NH4OH＝5:1:1溶液中30min；反复置于去离子水中清洗后，将石墨烯与SiC衬底之间的水分吸干；
去除PMMA并退火形成石墨烯/SiC结构，工艺条件为：使用热丙酮去除PMMA，并用乙醇溶液清洗，再用去离子水反复清洗；真空退火，在氢气和氩气的混合气氛下，在200℃～400℃温度下退火3h。
在本发明的一个实施例中，在所述SiC衬底的正面外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构包括：
采用CVD设备在所述SiC衬底的正面通过热生长法外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构，工艺条件为：切断氢气和SiH4，通入2L/min的氩气，维持CVD设备内5mbar的压强，升温至1650℃，热解时间为30min～1.5h。
在本发明的一个实施例中，在所述石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜包括：
采用电子束蒸发法在所述石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积20～30nm的Au膜，工艺条件为：使用钼坩埚，10-7Torr的真空下，基片温度降至室温，蒸距为60cm，电子枪电压为10KV，电子枪电流为1A，蒸发速率为1nm/s。
在本发明的一个实施例中，采用等离子体刻蚀法刻蚀掉未被所述Au膜覆盖的所述石墨烯包括：
采用氧气等离子体刻蚀法蚀掉未被所述Au膜覆盖的石墨烯，工艺条件为：氧气流量50sccm，ICP功率500W，HF功率7W，刻蚀15s。
在本发明的一个实施例中，在所述第二转移电极图形外的所述Au膜上淀积Au材料包括：
采用电子束蒸发法在所述第二转移电极图形外的所述Au膜上淀积200～300nm的Au材料形成正面电极，工艺条件为：使用钼坩埚，10-7Torr的真空下，基片温度降至室温，蒸距为60cm，电子枪电压为10KV，电子枪电流为1A，蒸发速率为1nm/s。
在本发明的一个实施例中，剥离所述第二转移电极图形形成正面电极并进行退火处理包括：
剥离所述第二转移电极图形，工艺条件为：丙酮浸泡12h，用一次性滴管吸取翘起的Au金属，取出样本，丙酮乙醇清洗，氮气枪吹干；
退火处理，工艺条件为：退火前抽真空至4mbar，通入氮气，再抽真空至4mbar，继续通入氮气，氮气流量2000sccm；升温至400℃维持10s；升温至600℃，升温速度10℃/s维持30min；待冷却水冷却420s后完成退火。
与现有技术相比，本发明的有益效果：
本发明提供的以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法，该方法为一种切实可行的制备方案，且改善了接触电阻扩散和电迁移问题，提升了功率器件的稳定性和寿命，新结构的提出给欧姆接触技术的研究带来了启发。
以下将结合附图及实施例对本发明做进一步详细说明。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法的流程示意图；
图2a～图2j是本发明实施例提供的一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法的结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
实施例一
为了在尽量不增加比接触电阻率的基础上，改善超大功率条件下或有辐照环境下，接触金属向半导体的扩散和电迁移问题，请参见图1、图2a～图2h，图1是本发明实施例提供的一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法的流程示意图，图2a～图2h是本发明实施例提供的一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法的结构示意图。本实施例提供了一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法，该以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法包括以下步骤：
步骤1、选取SiC衬底。
具体而言，本实施例选取SiC衬底包括：
选取SiC衬底晶向为(0001)；
对选取的SiC衬底进行标准RCA清洗；
对清洗完的SiC衬底表面进行氢刻蚀，具体工艺条件为：刻蚀温度1600℃，刻蚀时间90min，刻蚀压力96mbar，氢气流量90L/min；
对氢刻蚀处理完成后的SiC衬底去除其表面衍生物，具体工艺条件为：将温度从1600℃缓慢降温到1000℃，通入2L/min氢气维持15min；降温到850℃，低真空(压强为10e5～10e2Pa)下通入0.5ml/min的SiH4维持10min；升温至1000℃维持5min；保持低真空下升温至1100℃维持5min；升温至1250℃维持10min。
步骤2、请再参见图2a，对SiC衬底的背面进行预设深度和预设浓度的N离子注入。
具体而言，因为制作欧姆接触的离子注入需要获得箱型分布的掺杂浓度，但是离子注入能够获得的分布都是高斯分布，所以本实施例在进行离子注入之前先制作掩蔽层，来容纳我们不需要的高斯分布，具体地，本实施例采用CVD设备在SiC衬底的背面生长80～120nm的SiO2掩蔽层，具体工艺条件为：控制氧化温度为1180℃，氧气流量540ml/min，氧化时间控制为165min；在氧化工序完成以后，保持氧化温度不变，通入N2退火30min；保持N2的气氛下，让样品逐渐冷却至300℃以下；SiC氧化后需要进行退火处理，目的是消除SiO2层中残余的C原子，提高SiC/SiO2界面特性，具体退火工艺条件为：将退火设备抽真空至4mbar，充氮气，抽真空至4mbar，充氮气，氮气流量2000sccm；升温至400℃，维持10s；升温至1000℃，维持3min；退火后降温，待冷却水冷却420s后开腔。
掩蔽层制作好后，通过掩蔽层对SiC衬底进行预设深度为300～350nm、预设浓度为0.99×1020～1.01×1020cm-3的N离子注入，具体工艺条件为：分4次进行N离子注入，4次N离子注入的能量/剂量分别为：150keV/3.1×1015cm-2、100keV/1.75×1015cm-2、62keV/1.45×1015cm-2、35keV/1.1×1015cm-2，从而实现预设深度和预设浓度的N离子注入。其中，本实施例注入的N离子的能量和剂量可以为满足预设深度和预设浓度分布的任意组合，预设深度和预设浓度的控制对本申请结构有很大的影响。
离子注入后，采用等离子体刻蚀法刻蚀掉掩蔽层，具体工艺条件为：CF4流量40sccm，射频功率400W，气体压强5Pa，刻蚀1.5min，刻蚀结束后，进行高温激活退火，此时高温激活的工艺条件为：将退火设备抽真空至4mbar，充氮气，抽真空至4mbar，充氮气，氮气流量2000sccm；升温至400℃，维持10s；以10℃/s的升温速度，升温至1700℃，维持30min；退火后降温，待冷却水冷却420s后开腔。
步骤3、请再参见图2b，在SiC衬底的正面转移石墨烯或是外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构。
具体而言，由于欧姆接触对界面状态的要求较高，往往更加平整的接触表面，能够获得更加稳定、比接触欧姆电阻率更低的欧姆接触，而且石墨烯材料具有超导电性、不透性和柔韧性等特点。石墨烯具有不透性，是很好地金属原子扩散、电迁移阻挡材料；石墨烯具有很好的刚性，能够承受功率器件内部极高的电流密度应力。因此，本实施例选用石墨烯的不透性以及其超高的强度和柔韧性，使器件在应用于超高功率条件下或有辐照等恶劣环境条件下，仍能够有效的阻止电迁移现象。本实施例在SiC衬底的正面生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构，具体可以有两种形成石墨烯/SiC结构的方式，一种是转移石墨烯的方式，一种是外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构方式，其中：
在SiC衬底转移石墨烯形成石墨烯/SiC结构包括：
具体而言，本实施例选取厚度为25um的高纯度(质量比为99.99％)铜箔，并进行标准RCA清洗，然后将清洗后的铜箔放置于化学气相淀积(Chemical vapor deposition，简称CVD)设备的反应室内，在铜箔上生长石墨烯，具体工艺条件为：在CVD设备中通入1000sccm氩气作为保护气体，以200℃/min升温至1000℃；关闭氩气，通入1000sccm氢气，维持5min；逐渐地将通入气体改为960sccm氩气、40sccm氢气；通入10sccm甲烷气体，维持10min；关闭甲烷气源，以200℃/min降温至300℃，温度自然降温至150℃，关闭所有气源，抽真空至0.1mbar。
在铜箔上生长石墨烯后，将铜箔不带有石墨烯的一面粘贴在热释放胶带上，在石墨烯表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯溶液(Polymethyl Methacrylate，简称PMMA)，并使用腐蚀溶液去除铜箔，由于水的张力作用，铜箔漂浮在腐蚀溶液表面，经过腐蚀后将铜箔去除形成PMMA/石墨烯，PMMA/石墨烯漂浮在腐蚀溶液上方，具体工艺条件为：PMMA溶液所在溶剂的分子量为960K、质量比为4％(4wt％)的乳酸乙酯；均匀旋涂转速为3000rpm，旋涂1min；设置热板(热释放胶带)温度为160℃，烘干样品，保持10min，此时铜箔与热释放胶带分离；将铜箔/石墨烯/PMMA置于0.5mol/L的氯化铁腐蚀溶液中，腐蚀4h。其中，样品为粘在热释放胶带上的铜箔/石墨烯/PMMA。
使用经过步骤1处理的SiC衬底的正面将PMMA/石墨烯从腐蚀溶液中转移出形成PMMA/转移石墨烯/SiC结构并清洗，具体工艺条件为：使用镊子将SiC衬底倾斜一定角度，置于PMMA/转移石墨烯正下方，将SiC衬底轻轻抬起转移出形成PMMA/石墨烯/SiC结构；将PMMA/转移石墨烯/SiC结构置于H2O：H2O2：HCL＝20:1:1溶液中30min，以去除离子和重金属原子；后置于H2O：H2O2：NH4OH＝5:1:1溶液中30min，以去除难溶有机污染物；反复置于去离子水中清洗后，将转移石墨烯与SiC衬底之间的水分吸干。其中，将转移石墨烯与SiC衬底之间的水分吸干包括2种方式，一种是使用氮气枪吹干转移石墨烯与SiC衬底之间的水分，一种是用滤纸轻轻接触转移石墨烯边缘，将转移石墨烯下的水分吸干。
去除PMMA并退火形成转移石墨烯/SiC结构，具体工艺条件为：使用热丙酮去除PMMA，并用乙醇溶液清洗若干遍，再用去离子水反复清洗；低真空退火，在氢气和氩气的混合气氛下，在200℃～400℃的退火温度下退火3h。其中，在去除PMMA之前，可以将转移后的PMMA/转移石墨烯/SiC结构放置在通风处晾干，转移石墨烯完全贴在SiC衬底上后，通过热板烘烤，烘烤温度为150～200℃，烘烤时间约10min，烘烤可以除水同时使PMMA膜软化，具有柔性，使转移石墨烯与SiC衬底空隙减少，贴合得更好。
或者，在SiC衬底的正面外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构包括：
具体而言，本实施例采用CVD设备在SiC衬底的正面通过热生长法外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构，具体工艺条件为：切断氢气和SiH4，通入2L/min的氩气，维持CVD设备腔内压强5mbar，升温至1650℃，热解时间为30min～1.5h，获得1～3层的外延石墨烯。其中，热解时间为30min，获得单层的外延石墨烯；热解时间为1h，获得双层的外延石墨烯；热解时间为1.5h，获得三层的外延石墨烯。其中，双层和三层外延石墨烯更容易获得较为完整的石墨烯平面，欧姆接触性能更好。
进一步地，根据对SiC衬底晶向的差异分析，本实施例具体在SiC衬底的Si面(SiC-Si-face面)转移石墨烯或是外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构。
需要说明的是，本实施例石墨烯/SiC结构中石墨烯可以通过上述转移石墨烯方法和热生长法外延石墨烯生长石墨烯，结构均为石墨烯/SiC结构，本实施例后续步骤提到的石墨烯为转移石墨烯或外延石墨烯。
步骤4、请再参见图2c，在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜。
具体而言，本实施例采用电子束蒸发法在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积20～30nm的Au膜，具体工艺条件为：使用钼坩埚，10-7Torr的高真空下，石墨烯/SiC结构温度降至室温，蒸距为60cm，电子枪电压为10KV，电子枪电流为1A，蒸发速率为1nm/s。本实施例的关键在于器件制备过程中对石墨烯完整性的保护，界面处石墨烯的破损将使石墨烯/SiC结构失去意义，石墨烯层是阻挡接触金属扩散和电迁移的关键结构，石墨烯层破损则不能阻挡金属原子的扩散和电迁移，还会导致该模型的比接触电阻率升高，严重影响欧姆接触特性，因此，本实施例在工艺上选择预淀积20～30nm的Au膜，保护石墨烯不被掺杂和损伤，保护了石墨烯的完整性，提高了实验的成功率。
步骤5、请再参见图2d，在SiC衬底的背面溅射Ni金属形成背面电极。
具体而言，本实施例在SiC衬底的背面溅射Ni金属，具体工艺条件为：将清洗过的SiC衬底放在基片架上，开通靶及扩散泵冷却水，机械泵预抽真空至105Pa，扩散泵继续抽真空至2Pa；通入氩气，保持真空度为20～40Pa；溅射Ni金属：加阴极工作电压-500V，工作电流0.7A，此时应呈现青紫色辉光放电；溅射4min左右，切断电源，停止通氩气，约30min后再间歇溅射多次，直到溅射的Ni金属达到预定膜厚；停止溅射，停止通入氩气，使SiC衬底在2Pa的高真空中保持40min左右降温；关闭真空测量仪，打开空气进气阀，使腔体内恢复到大气压力，取出SiC衬底，关闭冷却水。
溅射后进行欧姆接触退火，此时欧姆接触退火的工艺条件为：将退火设备抽真空至4mbar，充氮气，抽真空至4mbar，充氮气，氮气流量2000sccm；升温至400℃，维持10s；升温至1000℃，维持3min；退火后降温，待冷却水冷却420s后开腔，以完成背面电极制作。
需要说明的是，对于转移石墨烯方法，步骤5形成背面电极的步骤也可以放在SiC衬底的正面转移石墨烯之前，因为先做背面电极再转移石墨烯可以减少工艺上对石墨烯的损伤，而且这样设计工艺流程可以提高成品率。
步骤6、请再参见图2e，通过第一次光刻胶光刻方法在Au膜上形成第一转移电极图形。
具体而言，本实施例通过第一次光刻胶光刻的方法转移电极形成第一转移电极图形，具体工艺条件为：在Au膜上光刻胶旋涂转速为4000rpm，旋胶1min；通过热板烘烤，烘烤温度为100℃；使用掩膜版，曝光21mJ/cm2；在110℃热板上烘烤90s，400mJ/cm2泛曝；显影：将样品浸泡于光刻胶(如二甲苯)显影液中，轻轻晃动60s，取出，去离子水冲洗，氮气枪吹干。其中，样品为步骤5后形成的Au膜/石墨烯/SiC结构。
步骤7、请再参见图2f，采用湿法刻蚀法刻蚀掉未被第一转移电极图形覆盖的Au膜。
具体而言，本实施例使用碘化钾溶液采用湿法刻蚀法刻蚀掉未被第一转移电极图形覆盖的Au膜，即去除了电极之间的Au膜。
步骤8、请再参见图2g，采用等离子体刻蚀法刻蚀掉未被Au膜覆盖的石墨烯。
具体而言，本实施例采用氧气等离子体刻蚀法蚀掉未被Au膜覆盖的石墨烯，具体工艺条件为：氧气流量50sccm，ICP功率500W，HF功率7W，刻蚀15s。
步骤9、请再参见图2h，通过第二次光刻胶光刻方法在SiC衬底上形成第二转移电极图形。
具体而言，本实施例在形成第二转移电极图形之前，首先使用丙酮浸泡去除第一转移电极图形的光刻胶，具体工艺条件为：丙酮浸泡12h，取出样本，丙酮乙醇清洗，并用去离子水清洗样品，氮气枪吹干。然后将通过光刻胶光刻的方法再次转移电极图形，进行第二次的转移电极形成第二转移电极图形，具体工艺条件为：在SiC衬底上光刻胶均匀旋涂转速为4000rpm，旋胶1min；使用掩膜版，曝光21mJ/cm2；在110℃热板上烘烤90s，400mJ/cm2泛曝；显影：将样品浸泡于TMAH2.38％的AZ显影液中，轻轻晃动60s，取出，丙酮乙醇冲洗，氮气枪吹干。其中，样品为步骤8后形成的Au膜/石墨烯/SiC结构。
步骤10、请再参见图2i，在第二转移电极图形外的Au膜上淀积Au材料。
具体而言，本实施例采用电子束蒸发法在第二转移电极图形外的Au膜上淀积200～300nm的Au材料形成正面电极，具体工艺条件为：使用钼坩埚，10-7Torr的高真空下，步骤6后形成的Au膜/石墨烯/SiC结构温度降至室温，蒸距为60cm，电子枪电压为10KV，电子枪电流为1A，蒸发速率为1nm/s。
步骤11、请再参见图2j，剥离第二转移电极图形形成正面电极并进行退火处理，以完成石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触的制备。
具体而言，本实施例最后形成正面电极，需要剥离第二转移电极图形的光刻胶，然后再进行退火处理，具体地：
剥离第二转移电极图形的光刻胶，具体工艺条件为：丙酮浸泡12h，用一次性滴管吸取翘起的Au金属，取出样本，丙酮乙醇清洗，氮气枪吹干。其中，样本为步骤10后形成的Au膜/石墨烯/SiC结构。
之后进行退火处理，具体工艺条件为：退火前清腔，抽真空至4mbar，通入氮气，再抽真空至4mbar，继续通入氮气，氮气流量2000sccm(排除腔内残余空气，保证氮气纯度)；升温至400℃维持10s；升温至600℃，升温速度10℃/s维持30min；待冷却水冷却420s后开腔完成退火，以完成新型超低接触电阻SiC基欧姆接触的制备。其中，完成的新型超低接触电阻SiC基欧姆接触制备包括SiC/单层外延石墨烯/Au、SiC/双层外延石墨烯/Au、SiC/三层外延石墨烯/Au、SiC/单层转移石墨烯/Au结构欧姆接触的制备。
综上所述，本实施例提出了一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法，该方法为一种切实可行的制备方案，且改善了接触电阻扩散和电迁移问题，提升了功率器件的稳定性和寿命，新结构的提出给欧姆接触技术的研究带来了启发；石墨烯的存在降低了与SiC界面的势垒，从新的角度突破目前实际应用中10-5量级的比接触电阻率，进一步降低欧姆接触的比接触电阻率，本申请比接触电阻率可以达到10-7～10-8量级，降低了因欧姆接触带来的不必要的功耗以及信号损失，提高了器件性能，而且该制备方法可重复性高；在工艺上选择预淀积20～30nm的Au膜，从而保护石墨烯不被掺杂和损伤，保护了石墨烯的完整性，提高了实验的成功率。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法，其特征在于，包括：
选取SiC衬底；
对所述SiC衬底的背面进行预设深度和预设浓度的N离子注入；
在所述SiC衬底的正面转移石墨烯或是外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构；
在所述石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；
在所述SiC衬底的背面溅射Ni金属形成背面电极；
通过第一次光刻胶光刻方法在所述Au膜上形成第一转移电极图形；
采用湿法刻蚀法刻蚀掉未被所述第一转移电极图形覆盖的所述Au膜；
采用等离子体刻蚀法刻蚀掉未被所述Au膜覆盖的所述石墨烯；
通过第二次光刻胶光刻方法在所述SiC衬底上形成第二转移电极图形；
在所述第二转移电极图形外的所述Au膜上淀积Au材料；
剥离所述第二转移电极图形形成正面电极并进行退火处理，以完成以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触的制备。
2.根据权利要求1所述的以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法，其特征在于，选取所述SiC衬底包括：
对所述SiC衬底进行标准RCA清洗；
对所述SiC衬底表面进行氢刻蚀，工艺条件为：刻蚀温度1600℃，刻蚀时间90min，刻蚀压力96mbar，氢气流量90L/min；
去除所述SiC衬底表面衍生物，工艺条件为：将温度从1600℃缓慢降温到1000℃，通入2L/min氢气维持15min；降温到850℃，真空下通入0.5ml/min SiH4维持10min；升温至1000℃维持5min；保持真空下升温至1100℃维持5min；升温至1250℃维持10min。
3.根据权利要求1所述的以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法，其特征在于，对所述SiC衬底的背面进行预设深度和预设浓度的N离子注入包括：
采用CVD设备在所述SiC衬底的背面生长80～120nm的掩蔽层；
通过所述掩蔽层对所述SiC衬底进行预设深度为300～350nm、预设浓度为0.99×1020～1.01×1020cm-3的N离子注入；
离子注入后，采用等离子体刻蚀法刻蚀掉所述掩蔽层。
4.根据权利要求1所述的以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法，其特征在于，在所述SiC衬底的正面转移石墨烯或是外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构包括：
在所述SiC衬底的Si面转移石墨烯或是外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构。
5.根据权利要求1所述的以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法，其特征在于，在所述SiC衬底的正面转移石墨烯形成石墨烯/SiC结构包括：
选取铜箔并采用CVD设备在所述铜箔上生长石墨烯，工艺条件为：在CVD设备中通入1000sccm氩气，以200℃/min升温至1000℃；关闭氩气，通入1000sccm氢气，维持5min；逐渐将通入气体改为960sccm氩气、40sccm氢气，再通入10sccm甲烷气体，维持10min；关闭甲烷气源，以200℃/min降温至300℃，温度自然降温至150℃，关闭所有气源，抽真空至0.1mbar；
在所述石墨烯表面旋涂PMMA溶液，并使用腐蚀溶液去除所述铜箔形成PMMA/石墨烯，所述PMMA/石墨烯漂浮在所述腐蚀溶液上方，工艺条件为：旋涂转速为3000rpm，旋涂1min；使用的腐蚀溶液为0.5mol/L的氯化铁溶液，腐蚀4h；
使用所述SiC衬底的正面将所述PMMA/石墨烯从所述腐蚀溶液中转移出形成PMMA/石墨烯/SiC结构并清洗，工艺条件为：使用镊子将SiC衬底倾斜一定角度，置于PMMA/石墨烯正下方，将SiC衬底抬起；将PMMA/石墨烯/SiC结构置于H2O：H2O2：HCL＝20:1:1溶液中30min；后置于H2O：H2O2：NH4OH＝5:1:1溶液中30min；反复置于去离子水中清洗后，将石墨烯与SiC衬底之间的水分吸干；
去除PMMA并退火形成石墨烯/SiC结构，工艺条件为：使用热丙酮去除PMMA，并用乙醇溶液清洗，再用去离子水反复清洗；真空退火，在氢气和氩气的混合气氛下，在200℃～400℃温度下退火3h。
6.根据权利要求1所述的以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法，其特征在于，在所述SiC衬底的正面外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构包括：
采用CVD设备在所述SiC衬底的正面通过热生长法外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构，工艺条件为：切断氢气和SiH4，通入2L/min的氩气，维持CVD设备内5mbar的压强，升温至1650℃，热解时间为30min～1.5h。
7.根据权利要求1所述的以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法，其特征在于，在所述石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜包括：
采用电子束蒸发法在所述石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积20～30nm的Au膜，工艺条件为：使用钼坩埚，10-7Torr的真空下，基片温度降至室温，蒸距为60cm，电子枪电压为10KV，电子枪电流为1A，蒸发速率为1nm/s。
8.根据权利要求1所述的以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法，其特征在于，采用等离子体刻蚀法刻蚀掉未被所述Au膜覆盖的所述石墨烯包括：
采用氧气等离子体刻蚀法蚀掉未被所述Au膜覆盖的石墨烯，工艺条件为：氧气流量50sccm，ICP功率500W，HF功率7W，刻蚀15s。
9.根据权利要求1所述的以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法，其特征在于，在所述第二转移电极图形外的所述Au膜上淀积Au材料包括：
采用电子束蒸发法在所述第二转移电极图形外的所述Au膜上淀积200～300nm的Au材料，工艺条件为：使用钼坩埚，10-7Torr的真空下，基片温度降至室温，蒸距为60cm，电子枪电压为10KV，电子枪电流为1A，蒸发速率为1nm/s。
10.根据权利要求1所述的以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法，其特征在于，剥离所述第二转移电极图形形成正面电极并进行退火处理包括：
剥离所述第二转移电极图形，工艺条件为：丙酮浸泡12h，用一次性滴管吸取翘起的Au金属，取出样本，丙酮乙醇清洗，氮气枪吹干；
退火处理，工艺条件为：退火前抽真空至4mbar，通入氮气，再抽真空至4mbar，继续通入氮气，氮气流量2000sccm；升温至400℃维持10s；升温至600℃，升温速度10℃/s维持30min；待冷却水冷却420s后完成退火。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010762526.9A CN112054055B (zh) | 2020-07-31 | 2020-07-31 | 一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010762526.9A CN112054055B (zh) | 2020-07-31 | 2020-07-31 | 一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112054055A true CN112054055A (zh) | 2020-12-08 |
| CN112054055B CN112054055B (zh) | 2022-03-01 |
Family
ID=73601347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010762526.9A Active CN112054055B (zh) | 2020-07-31 | 2020-07-31 | 一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112054055B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113555497A (zh) * | 2021-06-09 | 2021-10-26 | 浙江芯国半导体有限公司 | 一种高迁移率的SiC基石墨烯器件及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102064189A (zh) * | 2010-12-06 | 2011-05-18 | 苏州纳维科技有限公司 | 金属-半导体电极结构及其制备方法 |
| CN103117298A (zh) * | 2011-11-17 | 2013-05-22 | 中国科学院物理研究所 | 一种碳化硅的欧姆电极结构及其制备方法 |
| US20180175153A1 (en) * | 2016-12-20 | 2018-06-21 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor devices and methods for forming semiconductor devices |
-
2020
- 2020-07-31 CN CN202010762526.9A patent/CN112054055B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102064189A (zh) * | 2010-12-06 | 2011-05-18 | 苏州纳维科技有限公司 | 金属-半导体电极结构及其制备方法 |
| CN103117298A (zh) * | 2011-11-17 | 2013-05-22 | 中国科学院物理研究所 | 一种碳化硅的欧姆电极结构及其制备方法 |
| US20180175153A1 (en) * | 2016-12-20 | 2018-06-21 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor devices and methods for forming semiconductor devices |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| STEFAN HERTEL 等: "《Graphene Ohmic Contacts to n-type Silicon Carbide (0001)》", 《MATERIALS SCIENCE FORUM》 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113555497A (zh) * | 2021-06-09 | 2021-10-26 | 浙江芯国半导体有限公司 | 一种高迁移率的SiC基石墨烯器件及其制备方法 |
| CN113555497B (zh) * | 2021-06-09 | 2023-12-29 | 浙江芯科半导体有限公司 | 一种高迁移率的SiC基石墨烯器件及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112054055B (zh) | 2022-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2022021685A1 (zh) | 一种SiC基欧姆接触制备方法 | |
| TWI521078B (zh) | 藉由利用氮氣之鋅靶材的反應性濺鍍所產生的薄膜半導體材料 | |
| JP2023017839A (ja) | 太陽電池の製造 | |
| WO1991009161A1 (en) | Process for forming epitaxial film | |
| CN104299988B (zh) | 一种具有平面型发射阴极的纳米真空三极管及其制作方法 | |
| WO2019119958A1 (zh) | SiC功率二极管器件的制备方法及其结构 | |
| CN112054055B (zh) | 一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法 | |
| WO2019119959A1 (zh) | SiC肖特基二极管的制备方法及其结构 | |
| CN111987169A (zh) | 基于二维氧化镓薄膜的晶体管及制备方法 | |
| US9368602B2 (en) | Method for fabricating IGZO layer and TFT | |
| CN110629184A (zh) | 介质衬底上直接生长二维六方氮化硼的方法 | |
| CN112054053B (zh) | 一种具有超高散热性能的SiC基欧姆接触制备方法 | |
| US11948983B2 (en) | Method for preparating SiC ohmic contact with low specific contact resistivity | |
| JPH11168090A (ja) | 半導体製造方法 | |
| CN109285894B (zh) | 一种金刚石基多通道势垒调控场效应晶体管及其制备方法 | |
| CN107919395A (zh) | 基于CaF2栅介质的零栅源间距金刚石场效应晶体管及制作方法 | |
| KR20170056388A (ko) | 육방정계 질화붕소 및 그래핀의 이종접합구조 제조방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 | |
| CN109378312B (zh) | 一种体掺杂金刚石基常关型场效应晶体管及其制备方法 | |
| CN112133741A (zh) | 一种增强型氢终端金刚石场效应晶体管及制备方法 | |
| CN110993505B (zh) | 基于碳化硅衬底的半导体结构制备方法及半导体结构 | |
| CN107634097B (zh) | 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法 | |
| CN116544275B (zh) | 一种GaN HEMTs及降低器件欧姆接触阻值的方法 | |
| TWI823128B (zh) | 用於鍺之擴散屏障 | |
| CN109449068B (zh) | 一种负电子亲和势变带隙AlGaAs/GaAs电注入阴极及其制备方法 | |
| JP2006237640A (ja) | 半導体製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |