CN112053727A - Eeprom掉电保护控制方法、装置、存储介质及存储设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种EEPROM掉电保护控制方法、装置、存储介质及存储设备，所述方法包括：监测EEPROM的供电电压；当所述供电电压满足预设的掉电保护条件时，生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位；在执行对EEPROM的写操作时，判断所述标志位是否为禁止写入状态；若所述标志位为禁止写入状态，则禁止执行当前对EEPROM的写操作。本发明根据EEPROM的供电电压进行掉电保护判断，在需要进行EEPROM掉电保护时，通过生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位来禁止执行当前对EEPROM的写操作，有效防止掉电瞬间写入EEPROM出错，实现了EEPROM的掉电写保护。

Description

EEPROM掉电保护控制方法、装置、存储介质及存储设备
技术领域
本发明涉及数据保护技术领域，尤其涉及一种EEPROM掉电保护控制方法、装置、存储介质及存储设备。
背景技术
EEPROM(Electrically Erasable Programmable read only memory)是指带电可擦可编程只读存储器，是一种掉电后数据不丢失的存储芯片，用于数据掉电可保持数据。现有技术中，在对EEPROM写入数据之前，必须先擦除之后再写入，若数据写入时电源电压过低，在对EEPROM擦除之后电压已经不能维持EEPROM正常工作，则会出现数据擦除但是写入不成功的可能，因此，如何减少掉电瞬间写入EEPROM不成功问题对于有效地实现EEPROM的写保护具有重要意义。
发明内容
本发明提出了一种EEPROM掉电保护控制方法、装置、存储介质及存储设备，解决了现有技术中由于掉电瞬间写入EEPROM不成功导致的数据出错问题，有效地实现EEPROM的写保护。
本发明的一个方面，提供了一种EEPROM掉电保护控制方法，所述方法包括：
监测EEPROM的供电电压；
当所述供电电压满足预设的掉电保护条件时，生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位；
在执行对EEPROM的写操作时，判断所述标志位是否为禁止写入状态；
若所述标志位为禁止写入状态，则禁止执行当前对EEPROM的写操作。
可选地，所述生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位，包括：
执行预设的中断程序，以通过所述中断程序生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位。
可选地，预设的所述掉电保护条件为监测到所述供电电压低于预设的保护电压阈值，且之后连续N次监测到的供电电压均低于所述保护电压阈值，其中N≥2。
可选地，所述方法还包括；
若在监测到所述供电电压低于预设的保护电压阈值之后，未能连续N次监测到供电电压低于所述保护电压阈值，则生成用于标识EEPROM处于允许写入状态的标志位；
进一步地，在执行对EEPROM的写操作时，若判定所述标志位为允许写入状态，则执行当前对EEPROM的写操作。
本发明的另一个方面，提供了一种EEPROM掉电保护控制装置，所述装置包括：
电压检测单元，用于监测EEPROM的供电电压；
处理单元，用于当所述供电电压满足预设的掉电保护条件时，生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位；
判断单元，用于在执行对EEPROM的写操作时，判断所述标志位是否为禁止写入状态；
控制单元，用于当所述判断单元的判定结果为所述标志位为禁止写入状态时，禁止执行当前对EEPROM的写操作。
可选地，所述处理单元，具体用于执行预设的中断程序，以通过所述中断程序生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位。
可选地，预设的所述掉电保护条件为监测到所述供电电压低于预设的保护电压阈值，且之后连续N次监测到的供电电压均低于所述保护电压阈值，其中N≥2。
可选地，所述处理单元，还用于若所述电压检测单元在监测到所述供电电压低于预设的保护电压阈值之后，未能连续N次监测到供电电压低于所述保护电压阈值，则生成用于标识EEPROM处于允许写入状态的标志位；
进一步地，所述控制单元，还用于在执行对EEPROM的写操作时，若判断单元判定所述标志位为允许写入状态，则执行当前对EEPROM的写操作。
此外，本发明还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如上所述方法的步骤。
此外，本发明还提供了一种存储设备，包括如上所述的EEPROM掉电保护控制装置。
本发明实施例提供的EEPROM掉电保护控制方法、装置、存储介质及存储设备，根据EEPROM的供电电压进行掉电保护判断，在需要进行EEPROM掉电保护时，通过生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位来禁止执行当前对EEPROM的写操作，有效防止掉电瞬间写入EEPROM出错，实现了EEPROM的掉电写保护。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
图1为本发明实施例提供的一种EEPROM掉电保护控制方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的一种EEPROM掉电保护控制装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
实际应用中，EEPROM在进行数据擦除或者写入时，若电源电压过低，则MCU和EEPROM可能不能正常工作，进而会造成EEPROM数据的损坏。为此，本发提供了一种EEPROM掉电保护控制方法，能有效防止掉电瞬间写入EEPROM出错，实现了EEPROM的掉电写保护。
图1示意性示出了本发明一个实施例的EEPROM掉电保护控制方法的流程图。参照图1，本发明实施例提出的EEPROM掉电保护控制方法具体包括步骤S11～S14，如下所示：
S11、监测EEPROM的供电电压。
EEPROM设备中控制芯片MCU具有低电压检测功能，能够实时检测EEPROM的电源供电电压，实现供电电压监测。
S12、当所述供电电压满足预设的掉电保护条件时，生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位。
S13、在执行对EEPROM的写操作时，判断所述标志位是否为禁止写入状态。
S14、若所述标志位为禁止写入状态，则禁止执行当前对EEPROM的写操作。
本发明实施例提供的EEPROM掉电保护控制方法，根据EEPROM的供电电压进行掉电保护判断，在需要进行EEPROM掉电保护时，通过生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位来禁止执行当前对EEPROM的写操作，有效防止掉电瞬间写入EEPROM出错，实现了EEPROM的掉电写保护。
在本发明实施例中，可通过设置中断程序实现标志位的生成，具体的，所述生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位，进一步地包括：执行预设的中断程序，以通过所述中断程序生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位。
在一个具体实施例中，预设的所述掉电保护条件为为监测到所述供电电压低于预设的保护电压阈值。进一步是，如果电压低于指定的保护电压阈值时产生中断，在中断中设置一个标志位flag表示是否允许或者禁止写入EEPROM，在执行对EEPROM的写操作时可以通过判断该标志位flag是否为禁止写入状态，若标志位flag为禁止写入状态则不能操作写入EEPROM，从而防止掉电瞬间写入EEPROM出错。
在另一个具体实施例中，预设的所述掉电保护条件为监测到所述供电电压低于预设的保护电压阈值，且之后连续N次监测到的供电电压均低于所述保护电压阈值，其中N≥2。
进一步地，设置保护电压阈值为VL，可选地VL取值为4.6V，假设芯片低电压复位V-Reset，其中V-Reset电压取值为3.0V，若监测到电源供电电压低于VL，高于V-Reset，则MCU依然可以工作并且产生中断，进入中断程序之后，为了防止低压误判断，可以增加软件滤波处理，在中断中增加N次判断，N≥2，可选地，N取值为5，若之后连续N次监测到的供电电压均低于保护电压阈值，则认为是低电压，即供电电压满足预设的掉电保护条件，若在监测到所述供电电压低于预设的保护电压阈值之后，未能连续N次监测到供电电压低于所述保护电压阈值，则认为是电压干扰，非低电压状态，不满足预设的掉电保护条件。
若确认供电电压满足预设的掉电保护条件之后，通过中断程序设置一个标志位flag表示禁止写入EEPROM，若在监测到供电电压低于预设的保护电压阈值之后，未能连续N次监测到供电电压低于所述保护电压阈值，则通过中断程序设置一个标志位flag表示允许写入EEPROM；比如flag＝1代表低电压禁止写入EEPROM，flag＝0代表非低电压允许写入EEPROM。在操作写入EEPROM之前先判断该标志位是否为禁止写入状态。若flag＝0则为允许写入EEPROM状态，则可以正常执行当前对EEPROM的写操作。若为flag＝1则为禁止写入则不能操作写入EEPROM，从而防止掉电瞬间写入EEPROM出错。
本发明提出的EEPROM掉电保护控制方法，通过低电压检测功能用来监测电源供电电压，若发现电压过低则通过中断程序设置不允许对EEPROM进行写入操作的标志位，在执行对EEPROM的写操作时，若所述标志位为禁止写入状态时，禁止执行当前对EEPROM的写操作，防止掉电瞬间写入EEPROM出错。
对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明实施例所必须的。
图2示意性示出了本发明一个实施例的EEPROM掉电保护控制装置的结构示意图。参照图2，本发明实施例的EEPROM掉电保护控制装置具体包括电压检测单元201、处理单元202、判断单元203和控制单元204，其中：
电压检测单元201，用于监测EEPROM的供电电压；
处理单元202，用于当所述供电电压满足预设的掉电保护条件时，生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位；
判断单元203，用于在执行对EEPROM的写操作时，判断所述标志位是否为禁止写入状态；
控制单元204，用于当所述判断单元的判定结果为所述标志位为禁止写入状态时，禁止执行当前对EEPROM的写操作。
本发明实施例提供的EEPROM掉电保护控制装置，根据EEPROM的供电电压进行掉电保护判断，在需要进行EEPROM掉电保护时，通过生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位来禁止执行当前对EEPROM的写操作，有效防止掉电瞬间写入EEPROM出错，实现了EEPROM的掉电写保护。
在本发明实施例中，所述处理单元202，具体用于执行预设的中断程序，以通过所述中断程序生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位。
在本发明一个具体实施例中，预设的所述掉电保护条件为为监测到所述供电电压低于预设的保护电压阈值。进一步是，处理单元202具体用于在电压低于指定的保护电压阈值时产生中断，在中断中设置一个标志位flag表示是否允许或者禁止写入EEPROM，在执行对EEPROM的写操作时可以通过判断该标志位flag是否为禁止写入状态，若标志位flag为禁止写入状态则不能操作写入EEPROM，从而防止掉电瞬间写入EEPROM出错。
在本发明另一个具体实施例中，预设的所述掉电保护条件为监测到所述供电电压低于预设的保护电压阈值，且之后连续N次监测到的供电电压均低于所述保护电压阈值，其中N≥2。
进一步地，所述处理单元202，用于在所述电压检测单元201监测到所述供电电压低于预设的保护电压阈值，且之后连续N次监测到的供电电压均低于所述保护电压阈值时，通过所述中断程序生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位。
相应地，控制单元204，用于在执行对EEPROM的写操作时，若所述判断单元203判定所述标志位为禁止写入状态，禁止执行当前对EEPROM的写操作。
进一步地，所述处理单元202，还用于若所述电压检测单元201在监测到所述供电电压低于预设的保护电压阈值之后，未能连续N次监测到供电电压低于所述保护电压阈值，通过所述中断程序生成用于标识EEPROM处于允许写入状态的标志位。
相应地，所述控制单元204，还用于在执行对EEPROM的写操作时，若判断单元203判定所述标志位为允许写入状态，则执行当前对EEPROM的写操作。
对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。
本发明实施例提供的EEPROM掉电保护控制方法、装置，根据EEPROM的供电电压进行掉电保护判断，在需要进行EEPROM掉电保护时，通过生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位来禁止执行当前对EEPROM的写操作，有效防止掉电瞬间写入EEPROM出错，实现了EEPROM的掉电写保护。
此外，本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如上所述方法的步骤。
本实施例中，所述EEPROM掉电保护控制装置集成的模块/单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明实现上述实施例方法中的全部或部分流程，也可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，该计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质可以包括：能够携带所述计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质等。需要说明的是，所述计算机可读介质包含的内容可以根据司法管辖区内立法和专利实践的要求进行适当的增减，例如在某些司法管辖区，根据立法和专利实践，计算机可读介质不包括电载波信号和电信信号。
此外，本发明还提供了一种存储设备，包括如上所述的EEPROM掉电保护控制装置。所述的EEPROM掉电保护控制装置如图2所示，包括电压检测单元201、处理单元202、判断单元203和控制单元204。
本领域的技术人员能够理解，尽管在此的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本发明的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在下面的权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种EEPROM掉电保护控制方法，其特征在于，所述方法包括：
监测EEPROM的供电电压；
当所述供电电压满足预设的掉电保护条件时，生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位；
在执行对EEPROM的写操作时，判断所述标志位是否为禁止写入状态；
若所述标志位为禁止写入状态，则禁止执行当前对EEPROM的写操作。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位，包括：
执行预设的中断程序，以通过所述中断程序生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，预设的所述掉电保护条件为监测到所述供电电压低于预设的保护电压阈值，且之后连续N次监测到的供电电压均低于所述保护电压阈值，其中N≥2。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括；
若在监测到所述供电电压低于预设的保护电压阈值之后，未能连续N次监测到供电电压低于所述保护电压阈值，则生成用于标识EEPROM处于允许写入状态的标志位；
进一步地，在执行对EEPROM的写操作时，若判定所述标志位为允许写入状态，则执行当前对EEPROM的写操作。
5.一种EEPROM掉电保护控制装置，其特征在于，所述装置包括：
电压检测单元，用于监测EEPROM的供电电压；
处理单元，用于当所述供电电压满足预设的掉电保护条件时，生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位；
判断单元，用于在执行对EEPROM的写操作时，判断所述标志位是否为禁止写入状态；
控制单元，用于当所述判断单元的判定结果为所述标志位为禁止写入状态时，禁止执行当前对EEPROM的写操作。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述处理单元，具体用于执行预设的中断程序，以通过所述中断程序生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位。
7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，预设的所述掉电保护条件为监测到所述供电电压低于预设的保护电压阈值，且之后连续N次监测到的供电电压均低于所述保护电压阈值，其中N≥2。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述处理单元，还用于若所述电压检测单元在监测到所述供电电压低于预设的保护电压阈值之后，未能连续N次监测到供电电压低于所述保护电压阈值，则生成用于标识EEPROM处于允许写入状态的标志位；
进一步地，所述控制单元，还用于在执行对EEPROM的写操作时，若判断单元判定所述标志位为允许写入状态，则执行当前对EEPROM的写操作。
9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现如权利要求1-4任一项所述方法的步骤。
10.一种存储设备，其特征在于，包括如权利要求5-8任一项所述的EEPROM掉电保护控制装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112599172A (zh) * 2020-12-24 2021-04-02 潍柴动力股份有限公司 电子控制单元的数据写入方法、装置及存储介质
WO2024016792A1 (zh) * 2022-07-18 2024-01-25 珠海格力电器股份有限公司 记忆芯片防误写控制方法、装置及用电设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103296638A (zh) * 2012-02-29 2013-09-11 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 电子设备以及应用于电子设备的掉电保护装置及方法
CN206401032U (zh) * 2016-12-28 2017-08-11 深圳市航盛电子股份有限公司 一种flash电源异常掉电监测的保护电路
CN107817981A (zh) * 2017-11-23 2018-03-20 合肥联宝信息技术有限公司 一种嵌入式控制器的控制方法及电子设备
CN109192234A (zh) * 2018-07-13 2019-01-11 上海移远通信技术股份有限公司 一种保护电路及通信模块
CN110413331A (zh) * 2019-09-25 2019-11-05 珠海亿智电子科技有限公司 基于rom的spi nor flash识别方法、装置、系统及存储介质
CN110888605A (zh) * 2019-12-11 2020-03-17 重庆超力高科技股份有限公司 Eeprom的数据写入方法、装置和电子设备

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103296638A (zh) * 2012-02-29 2013-09-11 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 电子设备以及应用于电子设备的掉电保护装置及方法
CN206401032U (zh) * 2016-12-28 2017-08-11 深圳市航盛电子股份有限公司 一种flash电源异常掉电监测的保护电路
CN107817981A (zh) * 2017-11-23 2018-03-20 合肥联宝信息技术有限公司 一种嵌入式控制器的控制方法及电子设备
CN109192234A (zh) * 2018-07-13 2019-01-11 上海移远通信技术股份有限公司 一种保护电路及通信模块
CN110413331A (zh) * 2019-09-25 2019-11-05 珠海亿智电子科技有限公司 基于rom的spi nor flash识别方法、装置、系统及存储介质
CN110888605A (zh) * 2019-12-11 2020-03-17 重庆超力高科技股份有限公司 Eeprom的数据写入方法、装置和电子设备

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112599172A (zh) * 2020-12-24 2021-04-02 潍柴动力股份有限公司 电子控制单元的数据写入方法、装置及存储介质
CN112599172B (zh) * 2020-12-24 2024-05-17 潍柴动力股份有限公司 电子控制单元的数据写入方法、装置及存储介质
WO2024016792A1 (zh) * 2022-07-18 2024-01-25 珠海格力电器股份有限公司 记忆芯片防误写控制方法、装置及用电设备

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