CN113035265A - 坏块筛选方法、装置、可读存储介质及电子设备 - Google Patents
坏块筛选方法、装置、可读存储介质及电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113035265A CN113035265A CN202110255826.2A CN202110255826A CN113035265A CN 113035265 A CN113035265 A CN 113035265A CN 202110255826 A CN202110255826 A CN 202110255826A CN 113035265 A CN113035265 A CN 113035265A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- current page
- bit
- block
- determining
- screened
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000012216 screening Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 12
- 230000007306 turnover Effects 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
- G11C29/56008—Error analysis, representation of errors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
- G11C29/56016—Apparatus features
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
- G11C2029/5606—Error catch memory
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
本发明公开一种坏块筛选方法、装置、可读存储介质及电子设备，在对NAND闪存的待筛选块执行擦写读操作的过程中，确定所述待筛选块中当前页的第一比特翻转个数；判断所述第一比特翻转个数是否超过第一预设阈值，若是，则多次读取所述当前页的原始数据，根据多次读取结果确定所述当前页的第二比特翻转个数；根据所述当前页的原始数据确定存储单元测试率，并根据所述第二比特翻转个数与所述存储单元测试率确定所述当前页的第三比特翻转个数；判断所述第三比特翻转个数是否超过第二预设阈值，若是，则将所述当前页对应的待筛选块标记为坏块，有效防止了遗漏统计比特翻转个数，能够更准确地筛选坏块，避免了坏块遗漏。
Description
技术领域
本发明涉及数据存储领域，尤其涉及一种坏块筛选方法、装置、可读存储介质及电子设备。
背景技术
NAND flash(NAND闪存)颗粒由于各种原因会概率性存在坏块，特别是硬盘厂商为降低成本，拿到的颗粒出现坏块的概率就更大了，因此在使用前需要严格筛选坏块，尽量防止将坏块质量差的颗粒当作正常颗粒使用，从而影响使用体验。
目前检测方法通常是多轮擦除(erase)、编程(program)、读(read)操作，并结合较高温度测试环境，将erase、program操作中出现失败的块，read流程中出现读失败、或者NAND上原始数据(raw data)比特(bit)翻转个数超过bit筛选阈值的块标记为坏块。但是由于颗粒中数据的bit翻转存在概率性，有限几轮的read可能无法将已经超过bit翻转阈值、或者快要超过bit翻转阈值的块挑选出来，并且一般情况下为了缓解相邻存储单元(cell)之间的电压耦合，主控会将数据打散成bit 0、bit1都占比约50％的随机化数据，这样block(块)中会有较多cell是完全未冲入电子的状态，在这种情况下去检测坏块是无法检测到未充电cell的质量的，进而造成坏块遗漏。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供了一种坏块筛选方法、装置、可读存储介质及电子设备，能够更准确地筛选坏块，避免了坏块遗漏。
为了解决上述技术问题，本发明采用的一种技术方案为：
一种坏块筛选方法，包括步骤：
在对NAND闪存的待筛选块执行擦写读操作的过程中，确定所述待筛选块中当前页的第一比特翻转个数；
判断所述第一比特翻转个数是否超过第一预设阈值，若是，则多次读取所述当前页的原始数据，根据多次读取结果确定所述当前页的第二比特翻转个数；
根据所述当前页的原始数据确定存储单元测试率，并根据所述第二比特翻转个数与所述存储单元测试率确定所述当前页的第三比特翻转个数；
判断所述第三比特翻转个数是否超过第二预设阈值，若是，则将所述当前页对应的待筛选块标记为坏块。
为了解决上述技术问题，本发明采用的另一种技术方案为：
一种坏块筛选装置，包括：
第一比特翻转个数确定模块，用于在对NAND闪存的待筛选块执行擦写读操作的过程中，确定所述待筛选块中当前页的第一比特翻转个数；
第二比特翻转个数确定模块，用于判断所述第一比特翻转个数是否超过第一预设阈值，若是，则多次读取所述当前页的原始数据，根据多次读取结果确定所述当前页的第二比特翻转个数；
第三比特翻转个数确定模块，用于根据所述当前页的原始数据确定存储单元测试率，并根据所述第二比特翻转个数与所述存储单元测试率确定所述当前页的第三比特翻转个数；
坏块筛选模块，用于判断所述第三比特翻转个数是否超过第二预设阈值，若是，则将所述当前页对应的待筛选块标记为坏块。
为了解决上述技术问题，本发明采用的另一种技术方案为：
一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述坏块筛选方法中的各个步骤。
为了解决上述技术问题，本发明采用的另一种技术方案为：
一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述坏块筛选方法中的各个步骤。
本发明的有益效果在于：在对NAND闪存的待筛选块执行擦写读操作的过程中，确定待筛选块中当前页的第一比特翻转个数，多次读取超过第一预设阈值的第一比特翻转个数对应当前页的原始数据，根据多次读取结果确定当前页的第二比特翻转个数，根据第二比特翻转个数与存储单元测试率确定当前页的第三比特翻转个数，若其超过第二预设阈值，则将当前页对应的待筛选块标记为坏块，不再像现有技术中只通过有限几轮的擦写读操作来筛选坏块，由于比特翻转存在概率性且块中存在未充电的存储单元，基于多次读取当前页后得到的第二比特翻转个数与存储单元测试率确定第三比特翻转个数，再与第二预设阈值进行比较，根据比较结果筛选坏块，有效防止了遗漏统计比特翻转个数，避免了未充电的存储单元无法被检测到的情况，能够更准确地筛选坏块，避免了坏块遗漏。
附图说明
图1为本发明实施例的一种坏块筛选方法的步骤流程图；
图2为本发明实施例的一种坏块筛选装置的结构示意图；
图3为本发明实施例的一种电子设备的结构示意图；
图4为本发明实施例的坏块筛选方法的测试流程图。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
请参照图1，本发明实施例提供了一种坏块筛选方法，包括步骤：
在对NAND闪存的待筛选块执行擦写读操作的过程中，确定所述待筛选块中当前页的第一比特翻转个数；
判断所述第一比特翻转个数是否超过第一预设阈值，若是，则多次读取所述当前页的原始数据，根据多次读取结果确定所述当前页的第二比特翻转个数；
根据所述当前页的原始数据确定存储单元测试率，并根据所述第二比特翻转个数与所述存储单元测试率确定所述当前页的第三比特翻转个数；
判断所述第三比特翻转个数是否超过第二预设阈值，若是，则将所述当前页对应的待筛选块标记为坏块。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：在对NAND闪存的待筛选块执行擦写读操作的过程中，确定待筛选块中当前页的第一比特翻转个数，多次读取超过第一预设阈值的第一比特翻转个数对应当前页的原始数据，根据多次读取结果确定当前页的第二比特翻转个数，根据第二比特翻转个数与存储单元测试率确定当前页的第三比特翻转个数，若其超过第二预设阈值，则将当前页对应的待筛选块标记为坏块，不再像现有技术中只通过有限几轮的擦写读操作来筛选坏块，由于比特翻转存在概率性且块中存在未充电的存储单元，基于多次读取当前页后得到的第二比特翻转个数与存储单元测试率确定第三比特翻转个数，再与第二预设阈值进行比较，根据比较结果筛选坏块，有效防止了遗漏统计比特翻转个数，避免了未充电的存储单元无法被检测到的情况，能够更准确地筛选坏块，避免了坏块遗漏。
进一步地，所述在对NAND闪存的待筛选块执行擦写读操作的过程中，确定所述待筛选块中当前页的第一比特翻转个数包括：
以块为单位对所述NAND闪存进行遍历直至遍历完所述NAND闪存的所有块；
对于遍历到的待筛选块执行擦操作，判断所述擦操作是否失败，若是，则将所述待筛选块标记为坏块，若否，则按照预设数据模板对所述待筛选块执行写操作；
判断所述写操作是否失败，若是，则将所述待筛选块标记为坏块，若否，则以页为单位对所述待筛选块进行遍历直至遍历完所述待筛选块中的所有页；
对于遍历到的当前页，对所述当前页执行读操作，判断所述读操作是否失败，若是，则将所述当前页对应的待筛选块标记为坏块，若否，则确定所述当前页的第一比特翻转个数。
由上述描述可知，通过在对待筛选块执行擦写读操作的过程中，确定待筛选块中当前页的第一比特翻转个数，便于后续将其与第一预设阈值进行比较，从而判断待筛选块是否存在比特翻转漏统计的情况。
进一步地，所述多次读取所述当前页的原始数据之前还包括步骤：
确定所述当前页对应的字线中的所有页标识，基于所述预设数据模板根据所述页标识获取所有页的标准原始数据；
所述多次读取所述当前页的原始数据，根据多次读取结果确定所述当前页的第二比特翻转个数包括：
多次读取所述当前页的原始数据，得到多次读取结果；
从所述所有页的标准原始数据中获取所述当前页的标准原始数据；
将所述多次读取结果与所述当前页的标准原始数据进行比较，确定所述当前页的第二比特翻转个数。
由上述描述可知，基于预设数据模板根据页标识获取所有页的标准原始数据，为后续根据多次读取结果确定当前页的第二比特翻转个数提供了数据比较标准，由于颗粒中数据的比特翻转存在概率性，只通过简单几轮读操作无法将所有坏块都筛选出来，多次读取当前页的原始数据，得到多次读取结果，根据多次读取结果确定当前页的第二比特翻转个数，可以有效避免比特翻转个数漏统计的情况，进而避免了坏块遗漏。
进一步地，所述根据所述当前页的原始数据确定存储单元测试率包括：
根据所述当前页的原始数据确定未充电存储单元个数以及存储单元总个数；
根据所述未充电存储单元个数以及存储单元总个数确定所述存储单元测试率。
进一步地，还包括步骤：
根据所述当前页的原始数据确定所述当前页的存储单元的比特1的分布情况；
根据所述存储单元的比特1的分布情况确定所述当前页的未充电存储单元个数。
进一步地，所述根据所述未充电存储单元个数以及存储单元总个数确定所述存储单元测试率包括：
所述存储单元测试率为：
式中，I表示未充电存储单元个数，J表示存储单元总个数。
由上述描述可知，由于存在较多未充电的存储单元，这些未充电的存储单元无法被测试到，因此根据未充电存储单元个数以及存储单元总个数确定存储单元测试率，能够确定未充电存储单元占所有存储单元的比例，提高了坏块筛选的可靠性。
进一步地，所述根据所述第二比特翻转个数与存储单元测试率确定所述当前页的第三比特翻转个数包括：
所述当前页的第三比特翻转个数为：
式中，C表示第二比特翻转个数。
由上述描述可知，由于存储单元测试率体现了未充电存储单元占所有存储单元的比例，根据第二比特翻转个数与存储单元测试率确定当前页的第三比特翻转个数，能够有效地体现出当前页的质量，从而能够更准确地筛选坏块。
请参照图2，本发明另一实施例提供了一种坏块筛选装置，包括：
第一比特翻转个数确定模块，用于在对NAND闪存的待筛选块执行擦写读操作的过程中，确定所述待筛选块中当前页的第一比特翻转个数；
第二比特翻转个数确定模块，用于判断所述第一比特翻转个数是否超过第一预设阈值，若是，则多次读取所述当前页的原始数据，根据多次读取结果确定所述当前页的第二比特翻转个数；
第三比特翻转个数确定模块，用于根据所述当前页的原始数据确定存储单元测试率，并根据所述第二比特翻转个数与所述存储单元测试率确定所述当前页的第三比特翻转个数；
坏块筛选模块，用于判断所述第三比特翻转个数是否超过第二预设阈值，若是，则将所述当前页对应的待筛选块标记为坏块。
本发明另一实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述坏块筛选方法中的各个步骤。
请参照图3，本发明另一实施例提供了一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述坏块筛选方法中的各个步骤。
本发明上述坏块筛选方法，装置、计算机可读存储介质及电子设备能够适用于任何类型的NAND闪存的坏块筛选中，比如单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三层单元(TLC)，以下通过具体实施方式进行说明：
实施例一
请参照图1、4，本实施例的一种坏块筛选方法，包括步骤：
S1、在对NAND闪存的待筛选块执行擦写读操作的过程中，确定所述待筛选块中当前页的第一比特翻转个数；
具体的，以块为单位对所述NAND闪存进行遍历直至遍历完所述NAND闪存的所有块；
对于遍历到的待筛选块执行擦操作，判断所述擦操作是否失败，若是，则将所述待筛选块标记为坏块，若否，则按照预设数据模板对所述待筛选块执行写操作；
判断所述写操作是否失败，若是，则将所述待筛选块标记为坏块，若否，则以页为单位对所述待筛选块进行遍历直至遍历完所述待筛选块中的所有页；
对于遍历到的当前页，对所述当前页执行读操作，判断所述读操作是否失败，若是，则将所述当前页对应的待筛选块标记为坏块，若否，则确定所述当前页的第一比特翻转个数；
比如，如图4所示，基于block(块)操作类型对NAND闪存的每一block进行遍历；
判断NAND闪存中是否存在未遍历的block，若否，则结束遍历，若是，则继续遍历NAND闪存中未遍历的block；
对于遍历到的待筛选block执行erase(擦)操作，判断该erase操作是否失败，若是，则将待筛选block标记为坏块，并返回执行判断NAND闪存中是否存在未遍历的block步骤，若否，则按照预设数据模板A对待筛选block执行program操作；
判断该program操作是否失败，若是，则将待筛选block标记为坏块，并返回执行判断NAND闪存中是否存在未遍历的block步骤，若否，则对待筛选block中的每一page(页)进行遍历，判断待筛选block中是否存在未遍历的page，若否，则返回执行判断NAND闪存中是否存在未遍历的block步骤，若是，则继续遍历待筛选block中未遍历的page；
对于遍历到的当前page，对当前page执行read(读)操作，判断该read操作是否失败，若是，则将当前page对应的待筛选block标记为坏块，并返回执行判断NAND闪存中是否存在未遍历的block步骤，若否，则确定当前页的bit翻转个数A；
S2、判断所述第一比特翻转个数是否超过第一预设阈值，若是，则多次读取所述当前页的原始数据，根据多次读取结果确定所述当前页的第二比特翻转个数；
S3、根据所述当前页的原始数据确定存储单元测试率，并根据所述第二比特翻转个数与所述存储单元测试率确定所述当前页的第三比特翻转个数；
S4、判断所述第三比特翻转个数是否超过第二预设阈值，若是，则将所述当前页对应的待筛选块标记为坏块。
实施例二
请参照图1、4，本实施例在实施例一的基础上进一步限定了如何确定当前页的第二比特翻转个数，所述S2具体为：
确定所述当前页对应的字线中的所有页标识，基于所述预设数据模板根据所述页标识获取所有页的标准原始数据；
判断所述第一比特翻转个数是否超过第一预设阈值，若是，则多次读取所述当前页的原始数据，得到多次读取结果；
读取次数可以根据需要进行动态设置，本实施例中，设置为三次；
从所述所有页的标准原始数据中获取所述当前页的标准原始数据；
将所述多次读取结果与所述当前页的标准原始数据进行比较，确定所述当前页的第二比特翻转个数；
其中，在多次读取结果中，对于同一位置均出现比特翻转的只统计一次，比如，在第一次读取中某一位置未出现bit翻转，第二次读取中该位置出现bit翻转，第三次读取中仍出现bit翻转，由于在同一位置重复出现bit翻转，因此该位置bit翻转个数统计为1次；
其中，第一预设阈值为预设bit(比特)翻转鉴定阈值；
比如，如图4所示，确定当前page对应的Word Line(字线)中的所有page id(页标识)，通过先program NAND buffer后read NAND buffer方法使用预设数据模板，并根据page id获取所有page的标准raw data(原始数据)；
假设NAND闪存为TLC类型，则每个cell(存储单元)包括3个bit，每个cell需要获取3个bit的标准raw data；
判断bit翻转个数A是否超过预设bit翻转鉴定阈值，若否，则返回执行判断待筛选block中是否存在未遍历的page步骤，若是，则三次读取当前page的raw data，得到三次读取结果；
从page的标准raw data中获取当前page的标准raw data；
将三次读取结果与当前page的标准raw data进行异或处理，根据异或处理的结果统计当前page的bit翻转个数C，三次读取中出现多次bit翻转的bit位置只统计一次。
实施例三
请参照图1、4，本实施例在实施例一或实施例二的基础上进一步限定了如何根据存储单元测试率与当前页的第三比特翻转个数筛选坏块，所述S3具体为：
根据所述当前页的原始数据确定未充电存储单元个数以及存储单元总个数；
具体的，根据所述当前页的原始数据确定所述当前页的存储单元的比特1的分布情况；
根据所述存储单元的比特1的分布情况确定所述当前页的未充电存储单元个数；
根据所述未充电存储单元个数以及存储单元总个数确定所述存储单元测试率；
需要注意的是，对颗粒而言，cell中写入了非bit 1的数据，表示当前cell充电，写入了全bit 1的数据，表示当前cell没有充电，比如TLC类型的cell写入了000b～110b，颗粒控制器会给当前cell充入电子的，不同的值冲入的电子个数不同，如果写入的数据是111b，当前cell就不会充电，SLC、MLC、QLC类型的cell同理；对写入全bit 1的cell来说，每次去读结果是固定的，因此当前测试数据是测试不到该cell的，考虑到page中bit很多，没有测试到的cell量也是很大的，因此提出一种cell检测率的概念；
其中，所述未充电存储单元个数为数据全为比特1的存储单元的个数；
所述存储单元测试率B为：
式中，I表示未充电存储单元个数，J表示存储单元总个数；
所述当前页的第三比特翻转个数D为：
式中，C表示第二比特翻转个数；
比如，如图4所示，根据当前page的raw data统计cell中数据全为bit1的cell个数，即未充电cell个数I，以及cell总个数J；
根据未充电cell个数I与cell总个数J计算cell测试率
根据bit翻转个数C与cell测试率B计算bit翻转个数
S4、判断所述第三比特翻转个数是否超过第二预设阈值，若是，则将所述当前页对应的待筛选块标记为坏块；
其中，第二预设阈值为预设bit翻转坏块阈值；
比如，判断bit翻转个数D是否超过预设bit翻转坏块阈值，若是，则将当前page对应的待筛选block标记为坏块，并返回执行判断NAND闪存中是否存在未遍历的block步骤，若否，则返回执行判断待筛选block中是否存在未遍历的page步骤。
实施例四
请参照图2，一种坏块筛选装置，包括：
第一比特翻转个数确定模块，用于在对NAND闪存的待筛选块执行擦写读操作的过程中，确定所述待筛选块中当前页的第一比特翻转个数；
第二比特翻转个数确定模块，用于判断所述第一比特翻转个数是否超过第一预设阈值，若是，则多次读取所述当前页的原始数据，根据多次读取结果确定所述当前页的第二比特翻转个数；
第三比特翻转个数确定模块，用于根据所述当前页的原始数据确定存储单元测试率，并根据所述第二比特翻转个数与所述存储单元测试率确定所述当前页的第三比特翻转个数；
坏块筛选模块，用于判断所述第三比特翻转个数是否超过第二预设阈值，若是，则将所述当前页对应的待筛选块标记为坏块。
实施例五
一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时可实现实施例一、实施例二或实施例三中坏块筛选方法的各个步骤。
实施例六
请参照图3，一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现实施例一、实施例二或实施例三中坏块筛选方法的各个步骤。
综上所述，本发明提供的一种坏块筛选方法、装置、可读存储介质及电子设备，在对NAND闪存的待筛选块执行擦写读操作的过程中，确定待筛选块中当前页的第一比特翻转个数，便于后续将其与第一预设阈值进行比较，从而判断待筛选块是否存在比特翻转漏统计的情况，判断第一比特翻转个数是否超过第一预设阈值，若是，则多次读取当前页的原始数据，得到多次读取结果，从所有页的标准原始数据中获取当前页的标准原始数据，将多次读取结果与所述当前页的标准原始数据进行比较，确定当前页的第二比特翻转个数，根据当前页的原始数据确定存储单元测试率，并根据第二比特翻转个数与存储单元测试率确定当前页的第三比特翻转个数，判断第三比特翻转个数是否超过第二预设阈值，若是，则将当前页对应的待筛选块标记为坏块，由于颗粒中数据的比特翻转存在概率性，可以有效避免比特翻转个数漏统计的情况，避免了未充电的存储单元无法被检测到的情况，能够更准确地筛选坏块，避免了坏块遗漏。
在本申请所提供的上述实施例中，应该理解到，所揭露的方法、装置、计算机可读存储介质以及电子设备，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个组件或模块可以结合或者可以集成到另一个装置，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或组件或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的组件可以是或者也可以不是物理上分开的，作为组件显示的部件可以是或者也可以不是物理模块，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络模块上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部组件来实现本实施例方案的目的。
另外，在本发明各个实施例中的各功能模块可以集成在一个处理模块中，也可以是各个组件单独物理存在，也可以两个或两个以上模块集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。
所述集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-OnlyMemory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
需要说明的是，对于前述的各方法实施例，为了简便描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明，某些步骤可以采用其它顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定都是本发明所必须的。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种坏块筛选方法，其特征在于，包括步骤：
在对NAND闪存的待筛选块执行擦写读操作的过程中，确定所述待筛选块中当前页的第一比特翻转个数；
判断所述第一比特翻转个数是否超过第一预设阈值，若是，则多次读取所述当前页的原始数据，根据多次读取结果确定所述当前页的第二比特翻转个数；
根据所述当前页的原始数据确定存储单元测试率，并根据所述第二比特翻转个数与所述存储单元测试率确定所述当前页的第三比特翻转个数；
判断所述第三比特翻转个数是否超过第二预设阈值，若是，则将所述当前页对应的待筛选块标记为坏块。
2.根据权利要求1所述的一种坏块筛选方法，其特征在于，所述在对NAND闪存的待筛选块执行擦写读操作的过程中，确定所述待筛选块中当前页的第一比特翻转个数包括：
以块为单位对所述NAND闪存进行遍历直至遍历完所述NAND闪存的所有块；
对于遍历到的待筛选块执行擦操作，判断所述擦操作是否失败，若是，则将所述待筛选块标记为坏块，若否，则按照预设数据模板对所述待筛选块执行写操作；
判断所述写操作是否失败，若是，则将所述待筛选块标记为坏块，若否，则以页为单位对所述待筛选块进行遍历直至遍历完所述待筛选块中的所有页；
对于遍历到的当前页，对所述当前页执行读操作，判断所述读操作是否失败，若是，则将所述当前页对应的待筛选块标记为坏块，若否，则确定所述当前页的第一比特翻转个数。
3.根据权利要求2所述的一种坏块筛选方法，其特征在于，所述多次读取所述当前页的原始数据之前还包括步骤：
确定所述当前页对应的字线中的所有页标识，基于所述预设数据模板根据所述页标识获取所有页的标准原始数据；
所述多次读取所述当前页的原始数据，根据多次读取结果确定所述当前页的第二比特翻转个数包括：
多次读取所述当前页的原始数据，得到多次读取结果；
从所述所有页的标准原始数据中获取所述当前页的标准原始数据；
将所述多次读取结果与所述当前页的标准原始数据进行比较，确定所述当前页的第二比特翻转个数。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的一种坏块筛选方法，其特征在于，所述根据所述当前页的原始数据确定存储单元测试率包括：
根据所述当前页的原始数据确定未充电存储单元个数以及存储单元总个数；
根据所述未充电存储单元个数以及存储单元总个数确定所述存储单元测试率。
5.根据权利要求4所述的一种坏块筛选方法，其特征在于，还包括步骤：
根据所述当前页的原始数据确定所述当前页的存储单元的比特1的分布情况；
根据所述存储单元的比特1的分布情况确定所述当前页的未充电存储单元个数。
6.根据权利要求4所述的一种坏块筛选方法，其特征在于，所述根据所述未充电存储单元个数以及存储单元总个数确定所述存储单元测试率包括：
所述存储单元测试率B为：
式中，I表示未充电存储单元个数，J表示存储单元总个数。
7.根据权利要求4所述的一种坏块筛选方法，其特征在于，所述根据所述第二比特翻转个数与存储单元测试率确定所述当前页的第三比特翻转个数包括：
所述当前页的第三比特翻转个数D为：
式中，C表示第二比特翻转个数。
8.一种坏块筛选装置，其特征在于，包括：
第一比特翻转个数确定模块，用于在对NAND闪存的待筛选块执行擦写读操作的过程中，确定所述待筛选块中当前页的第一比特翻转个数；
第二比特翻转个数确定模块，用于判断所述第一比特翻转个数是否超过第一预设阈值，若是，则多次读取所述当前页的原始数据，根据多次读取结果确定所述当前页的第二比特翻转个数；
第三比特翻转个数确定模块，用于根据所述当前页的原始数据确定存储单元测试率，并根据所述第二比特翻转个数与所述存储单元测试率确定所述当前页的第三比特翻转个数；
坏块筛选模块，用于判断所述第三比特翻转个数是否超过第二预设阈值，若是，则将所述当前页对应的待筛选块标记为坏块。
9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述的一种坏块筛选方法中的各个步骤。
10.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7任一项所述的一种坏块筛选方法中的各个步骤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110255826.2A CN113035265B (zh) | 2021-03-09 | 2021-03-09 | 坏块筛选方法、装置、可读存储介质及电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110255826.2A CN113035265B (zh) | 2021-03-09 | 2021-03-09 | 坏块筛选方法、装置、可读存储介质及电子设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113035265A true CN113035265A (zh) | 2021-06-25 |
| CN113035265B CN113035265B (zh) | 2023-11-21 |
Family
ID=76467239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110255826.2A Active CN113035265B (zh) | 2021-03-09 | 2021-03-09 | 坏块筛选方法、装置、可读存储介质及电子设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113035265B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116991611A (zh) * | 2023-05-22 | 2023-11-03 | 苏州科美信息技术有限公司 | 一种存储页细分状态识别方法、系统、设备及存储介质 |
| CN117809725A (zh) * | 2024-03-01 | 2024-04-02 | 四川云海芯科微电子科技有限公司 | 一种闪存颗粒筛选分级方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102929740A (zh) * | 2012-10-25 | 2013-02-13 | 北京星网锐捷网络技术有限公司 | 检测存储设备坏块的方法和装置 |
| CN104461379A (zh) * | 2014-10-31 | 2015-03-25 | 上海华为技术有限公司 | 提高nand闪存的稳定性的方法和nand闪存 |
| US20170294237A1 (en) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | SK Hynix Inc. | Detect developed bad blocks in non-volatile memory devices |
| US20180060148A1 (en) * | 2016-08-23 | 2018-03-01 | Oracle International Corporation | Bad block detection and predictive analytics in nand flash storage devices |
| CN109087683A (zh) * | 2018-07-26 | 2018-12-25 | 西京学院 | 一种NAND Flash固态存储自适应差错控制方法 |
| KR20190113438A (ko) * | 2018-03-28 | 2019-10-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 장치 및 그것의 동작방법 |
| CN110750466A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-02-04 | 深圳豪杰创新电子有限公司 | 提高闪存擦写寿命的方法和装置 |
-
2021
- 2021-03-09 CN CN202110255826.2A patent/CN113035265B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102929740A (zh) * | 2012-10-25 | 2013-02-13 | 北京星网锐捷网络技术有限公司 | 检测存储设备坏块的方法和装置 |
| CN104461379A (zh) * | 2014-10-31 | 2015-03-25 | 上海华为技术有限公司 | 提高nand闪存的稳定性的方法和nand闪存 |
| US20170294237A1 (en) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | SK Hynix Inc. | Detect developed bad blocks in non-volatile memory devices |
| US20180060148A1 (en) * | 2016-08-23 | 2018-03-01 | Oracle International Corporation | Bad block detection and predictive analytics in nand flash storage devices |
| KR20190113438A (ko) * | 2018-03-28 | 2019-10-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 장치 및 그것의 동작방법 |
| CN109087683A (zh) * | 2018-07-26 | 2018-12-25 | 西京学院 | 一种NAND Flash固态存储自适应差错控制方法 |
| CN110750466A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-02-04 | 深圳豪杰创新电子有限公司 | 提高闪存擦写寿命的方法和装置 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| IAN J.HORSBURGH: "THE DEVELOPMENT OF A MASS MEMORY UNIT FOR A MICRO-SATELLITE USING NAND FLASH MEMORY", 《STELLENBOSCH UNIVERSITY》, pages 1 - 140 * |
| 冯卉: "提高NAND Flash存储系统可靠性的关键技术研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》, pages 137 - 53 * |
| 杨志勇;董振兴;朱岩;董文涛;: "星载高速大容量存储器文件化坏块管理设计", 电子技术应用, no. 06, pages 17 - 20 * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116991611A (zh) * | 2023-05-22 | 2023-11-03 | 苏州科美信息技术有限公司 | 一种存储页细分状态识别方法、系统、设备及存储介质 |
| CN116991611B (zh) * | 2023-05-22 | 2024-06-25 | 苏州科美存储技术有限公司 | 一种存储页细分状态识别方法、系统、设备及存储介质 |
| CN117809725A (zh) * | 2024-03-01 | 2024-04-02 | 四川云海芯科微电子科技有限公司 | 一种闪存颗粒筛选分级方法 |
| CN117809725B (zh) * | 2024-03-01 | 2024-05-14 | 四川云海芯科微电子科技有限公司 | 一种闪存颗粒筛选分级方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113035265B (zh) | 2023-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN113035265A (zh) | 坏块筛选方法、装置、可读存储介质及电子设备 | |
| CN110335635B (zh) | 用来管理一记忆装置的方法以及记忆装置与控制器 | |
| US11461038B2 (en) | Method, device and terminal for testing memory chip | |
| DE102013109235A1 (de) | Flash-Speichersystem mit Detektor für anormale Wortleitung und Verfahren zum Erfassen einer anormalen Wortleitung | |
| CN112420115B (zh) | 一种动态随机存取存储器的故障检测方法 | |
| CN113223583A (zh) | NAND Flash坏块内数据重读的方法、电子设备及存储介质 | |
| CN112185453A (zh) | 读干扰测试方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备 | |
| CN107632778B (zh) | 一种Nand Flash扫描检测方法和系统 | |
| CN116230066A (zh) | 一种实现质量等级划分的方法、计算机存储介质及终端 | |
| CN112000536A (zh) | 一种内存检测方法、系统及相关设备 | |
| CN112256193A (zh) | 一种提高固态硬盘数据安全性的方法、装置和存储介质 | |
| CN112053727B (zh) | Eeprom掉电保护控制方法、装置、存储介质及存储设备 | |
| CN109669641B (zh) | 降低ssd误码率的数据存放方法及装置 | |
| US9952775B2 (en) | Unusable column mapping in flash memory devices | |
| CN116994631B (zh) | 基于ecc的闪存颗粒多次筛选方法、控制器及介质 | |
| US11048582B2 (en) | Method for programming non-volatile memory | |
| CN112732181A (zh) | 一种ssd的数据迁移方法及相关装置 | |
| CN116612803A (zh) | 一种闪存的测试方法、系统、装置及存储介质 | |
| CN113470728B (zh) | 纠错能力测试方法、装置、可读存储介质及电子设备 | |
| CN113241112B (zh) | 坏块筛选方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备 | |
| CN114333973A (zh) | 一种阈值电压分布的获取方法、系统及相关组件 | |
| CN113470723A (zh) | 读重试测试方法、装置、可读存储介质及电子设备 | |
| DE102020106055A1 (de) | Kandidaten-bitdetektion und -benutzung zur fehlerkorrektur | |
| CN112216333A (zh) | 芯片测试方法及装置 | |
| CN113419682A (zh) | 一种数据处理方法、装置和计算机闪存设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |