CN112030223A - 一种单晶炉热场用半导体石墨坩埚及其使用方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种单晶炉热场用半导体石墨坩埚及其使用方法,包括单晶炉本体，单晶炉本体纵向固接在底板的顶面中部上，外壳的底面轴向设有内壳，内壳的底面中部轴向固接有石墨坩埚，石墨坩埚的底部轴向设有石英坩埚，每根导向杆上均滑动连接有下部保温筒，下部保温筒的外侧壁上设有升降组件，下部保温筒与石墨坩埚之间的内壳的底面上轴向设有若干个石墨加热装置，外壳的顶部设有炉盖，支撑板的顶面中部设有搅拌组件，支撑板的底面一端设有调节组件；本发明可以对石英坩埚内的多晶硅进行搅拌，从而加速多晶硅的融化，提高生产效率；同时可以快速的降低单晶炉内的温度，避免热场部件因温度高而出现部分氧化的现象，提高石墨件的使用寿命。

Description

一种单晶炉热场用半导体石墨坩埚及其使用方法

技术领域

本发明涉及石墨坩埚领域，尤其涉及一种单晶炉热场用半导体石墨坩埚及其使用方法。

背景技术

热场在机械中一般是指单晶炉中的热系统。单晶炉是一种在惰性气体环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。但是现有的单晶炉在多晶硅融化时，靠近石英坩埚的多晶硅先融化，最后中间部位的多晶硅被多晶硅液体包裹，很难融化，需要很长时间才能使多晶硅全部融化，等待的时间长，导致生产效率底；现有的单晶炉在停炉时，关闭发热体，热场部件中的余热，仅能靠保温材料的自然热量传递和辐射至炉底板、炉筒、炉盖和副室等，再通过循环水将炉底板、炉筒、炉盖和副室等表面的热量带走，热量散失缓慢，冷却时间长；冷却后，在拆炉时单晶炉里的温度还是很高，导致热场部件因温度高，出现局部氧化，热场老化速度较快，导致石墨件寿命偏低。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种单晶炉热场用半导体石墨坩埚。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种单晶炉热场用半导体石墨坩埚,包括单晶炉本体，所述单晶炉本体纵向固接在底板的顶面中部上，且所述单晶炉本体包括外壳和内壳，所述外壳和内壳均为开口向上的圆桶状，且外壳的直径大于内壳的直径，所述外壳的底面轴向设有内壳，且所述外壳和内壳之间形成腔体，所述内壳的底面中部轴向固接有石墨坩埚，且所述石墨坩埚开口向上，所述石墨坩埚的底部轴向设有石英坩埚，所述石英坩埚开口向上，且石英坩埚与石墨坩埚接触，所述内壳的底部同轴处纵向固接有若干根导向杆，每根所述导向杆上均滑动连接有下部保温筒，且所述下部保温筒为两端连通的圆筒状，所述下部保温筒的外侧壁上设有升降组件，所述下部保温筒的内侧壁的顶部上接触滑动有上部保温桶的底部，且所述上部保温桶的顶部固接在内壳的顶部，所述下部保温筒与石墨坩埚之间的内壳的底面上轴向设有若干个石墨加热装置，所述外壳的顶部设有炉盖，在所述外壳的外壁顶部固接有进水管，且进水管与腔体连通，在所述底板的底面固接有出水管，所述出水管贯穿底板，且出水管与腔体连通；

所述底板的顶面两端边缘处均纵向固接有第一支撑杆，每根所述第一支撑杆的顶面均纵向开设有方形槽，每个所述方形槽内均滑动连接有第二支撑杆，每根所述第二支撑杆的顶面均固接在支撑板的顶面，所述支撑板的顶面中部设有搅拌组件，所述支撑板的底面一端设有调节组件。

优选地，所述升降组件包括第二条形板、螺纹套筒、矩形板、第三电机、第一连接板、丝杆、活动柱、第二连接板，所述底板的底面纵向固接有第二条形板的一端，所述第二条形板的一侧面中部开设有第二T型槽，所述第二T型槽内滑动连接有第二T型滑块，所述第二T型滑块的顶面固接在螺纹套筒的一侧面，所述螺纹套筒的另一侧面固接有第一连接板，所述第一连接板的顶面中部固接有活动柱的一端，所述活动柱分别贯穿底板、外壳和内壳，且活动柱分别与底板、外壳和内壳滑动连接，所述活动柱的顶面固接有第二连接板，所述第二连接板的一侧面固接在下部保温筒的侧壁，在所述螺纹套筒中的螺纹孔内螺纹连接有丝杆，所述丝杆的一端螺纹连接在固定块上，且固定块固接在底板的底面上，丝杆的另一端螺纹连接在矩形板的顶面，且丝杆贯穿矩形板，所述丝杆的底部固接在第三电机的输出轴端部上。

优选地，调节组件包括齿轮、第一T型滑块、第二电机、第一条形板、齿条板，所述支撑板的一端底面对称纵向固接有第一条形板的顶部，所述第一条形板的底部固接在底板的顶面上，每块所述第一条形板的一侧面中部均开设有第一T型槽，每个所述第一T型槽内均滑动连接有第一T型滑块，每块所述第一T型滑块的顶面均固接在齿条板的两侧面中部，在所述底板的顶面一侧纵向固接有第一支撑柱，所述第一支撑柱的顶面固接有安装板，所述安装板的顶面中部安装有第二电机，所述第二电机的输出轴端部固接有齿轮，所述齿轮与齿条板啮合。

优选地，所述搅拌组件包括第一电机、长轴、搅拌叶片，所述支撑板的顶面纵向安装有第一电机，且所述第一电机的输出轴贯穿支撑板，所述第一电机的输出轴端部固接有长轴的一端，所述长轴的另一端外壁上固接有若杆个搅拌叶片，且每个搅拌叶片均为矩形状，每个所述搅拌叶片的一侧面均横向开设有若干个第一圆柱孔，且第一圆柱孔贯穿搅拌叶片，所述搅拌叶片与石英坩埚配合。

优选地，所述炉盖包括第一弹簧、矩形活动板、半圆形活动板、第二弹簧，所述炉盖包括的顶面中部纵向开设有第二圆柱孔，且第二圆柱孔贯穿炉盖，所述所述第二圆柱孔的的两侧横向对称开设有第一矩形槽，每个所述第一矩形槽内均滑动连接有矩形活动板，每块所述矩形活动板的一侧面中部均固接有第一弹簧的一端，每根所述第一弹簧的另一端均固接在第一矩形槽的一侧面中部，每块所述矩形活动板的一侧面均横向开设有第二矩形槽，每个所述第二矩形槽内均滑动连接有半圆形活动板，每块所述半圆形活动板的一侧面均固接有第二弹簧的一端、每根所述第二弹簧的另一端均固接在第二矩形槽的一侧面中部，且第二弹簧在自然状态下，第二圆柱孔封闭。

优选地，在所述底板的底面四角处均纵向设有四个支撑腿，每根所述支撑腿的底面均固接有防滑垫。

本发明还提出了一种单晶炉热场用半导体石墨坩埚的使用方法，包括以下步骤：

步骤一，首先将第一电机、第二电机、第三电机、石墨加热装置分别通过导线与外部电源电性连接，然后再将多晶硅放进石英坩埚，通过热场将多晶硅融化；

步骤二，启动第二电机，通过第二电机的输出轴转动带动齿轮转动，齿轮带动齿条板上下移动，齿条板带动支撑板上下移动，支撑板带动搅拌组件上下移动；

步骤三，启动第一电机，第一电机的输出轴带动长轴转动，长轴带动搅拌叶片；

步骤四，启动第三电机，第三电机的输出轴带动丝杆转动，丝杆带动螺纹套筒上下升降，螺纹套筒使第一连接板上下升降，第一连接板带动活动柱上下升降，活动柱带动第二连接板上下升降，第二连接板带动下部保温筒上下升降；

步骤五，使用完之后，将所有的电器元件全部断电。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

1、本发明通过调节组件便于调节搅拌叶片在石英坩埚内上下移动；同时搅拌组件中第一电机的使用，便于搅拌叶片在石英坩埚内搅拌，加速多晶硅的融化速度，减少等待的时间，提高生产效率；

2、本发明通过升降装置、导向杆、下部保温筒和上部保温筒的配合使用，便于快速的对单晶炉内进行降温，减少等待的时间，避免热场部件因温度高而出现部分氧化的现象，提高石墨件的使用寿命；

3、本发明通过外壳、内科、进水管和出水管的配合使用，便于带动单晶炉内的热量，从而快速的降低单晶炉内的温度。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明的整体结构示意图；

图2为本发明单晶炉本体的剖视图；

图3为本发明的调节组件的结构示意图；

图4为本发明的升降组件的结构示意图；

图5本发明的炉盖的侧视角剖视图；

图6为本发明的搅拌叶片和长轴的连接的结构示意图；

图7为本发明使用方法示意图。

图中序号：外壳1、炉盖2、第一支撑杆3、第二支撑杆4、支撑板5、第一电机6、底板7、第一支撑柱8、安装板9、内壳10、下部保温筒11、导向杆12、上部保温桶13、石英坩埚14、石墨坩埚15、齿轮16、第一T型滑块17、第二电机18、第一条形板19、齿条板20、第二条形板21、螺纹套筒22、矩形板23、第三电机24、第一连接板25、丝杆26、活动柱27、第二连接板28、第一弹簧29、矩形活动板30、半圆形活动板31、第二弹簧32、长轴33、搅拌叶片34、第一圆柱孔35。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

实施例1：参见图1-7，一种单晶炉热场用半导体石墨坩埚,包括单晶炉本体，所述单晶炉本体纵向固接在底板7的顶面中部上，且所述单晶炉本体包括外壳1和内壳10，所述外壳1和内壳10均为开口向上的圆桶状，且外壳1的直径大于内壳10的直径，所述外壳1的底面轴向设有内壳10，且所述外壳1和内壳10之间形成腔体，便于将冷水包裹内壳10，从而快速带走单晶炉内的热量，到达快速给单晶炉降温的目的。所述内壳10的底面中部轴向固接有石墨坩埚15，且所述石墨坩埚15开口向上，所述石墨坩埚15的底部轴向设有石英坩埚14，所述石英坩埚14开口向上，且石英坩埚14与石墨坩埚15接触，便于保护石英坩埚14；所述内壳10的底部同轴处纵向固接有若干根导向杆12，每根所述导向杆12上均滑动连接有下部保温筒11，且所述下部保温筒11为两端连通的圆筒状，所述下部保温筒11的外侧壁上设有升降组件，便于下部保温筒11的升降；所述下部保温筒11的内侧壁的顶部上接触滑动有上部保温桶13的底部，且所述上部保温桶13的顶部固接在内壳10的顶部，所述下部保温筒11与石墨坩埚15之间的内壳10的底面上轴向设有若干个石墨加热装置，便于给保持单晶炉热场的温度的平衡；所述外壳1的顶部设有炉盖2，在所述外壳1的外壁顶部固接有进水管，且进水管与腔体连通，在所述底板7的底面固接有出水管，所述出水管贯穿底板7，且出水管与腔体连通，便于冷水的流通，从而带走单晶炉内的热量。

所述底板7的顶面两端边缘处均纵向固接有第一支撑杆3，每根所述第一支撑杆3的顶面均纵向开设有方形槽，每个所述方形槽内均滑动连接有第二支撑杆4，每根所述第二支撑杆4的顶面均固接在支撑板5的顶面，所述支撑板5的顶面中部设有搅拌组件，所述支撑板5的底面一端设有调节组件，便于搅拌叶片34的移动，在所述底板7的底面四角处均纵向设有四个支撑腿，便于对底板7进行支撑，每根所述支撑腿的底面均固接有防滑垫。

在本发明中，所述升降组件包括第二条形板21、螺纹套筒22、矩形板23、第三电机24、第一连接板25、丝杆26、活动柱27、第二连接板28，所述底板7的底面纵向固接有第二条形板21的一端，所述第二条形板21的一侧面中部开设有第二T型槽，所述第二T型槽内滑动连接有第二T型滑块，所述第二T型滑块的顶面固接在螺纹套筒22的一侧面，所述螺纹套筒22的另一侧面固接有第一连接板25，所述第一连接板25的顶面中部固接有活动柱27的一端，所述活动柱27分别贯穿底板7、外壳1和内壳10，且活动柱27分别与底板7、外壳1和内壳10滑动连接，所述活动柱27的顶面固接有第二连接板28，所述第二连接板28的一侧面固接在下部保温筒11的侧壁，在所述螺纹套筒22中的螺纹孔内螺纹连接有丝杆26，所述丝杆26的一端螺纹连接在固定块上，且固定块固接在底板7的底面上，丝杆26的另一端螺纹连接在矩形板23的顶面，且丝杆26贯穿矩形板23，所述丝杆26的底部固接在第三电机24的输出轴端部上，第三电机24的型号为90YR40GV11。

在本发明中，调节组件包括齿轮16、第一T型滑块17、第二电机18、第一条形板19、齿条板20，所述支撑板5的一端底面对称纵向固接有第一条形板19的顶部，所述第一条形板19的底部固接在底板7的顶面上，每块所述第一条形板19的一侧面中部均开设有第一T型槽，每个所述第一T型槽内均滑动连接有第一T型滑块17，每块所述第一T型滑块17的顶面均固接在齿条板20的两侧面中部，在所述底板7的顶面一侧纵向固接有第一支撑柱8，所述第一支撑柱8的顶面固接有安装板9，所述安装板9的顶面中部安装有第二电机18，第二电机18的型号为90YR40GV11，便于调节组件提供动力。所述第二电机18的输出轴端部固接有齿轮16，所述齿轮16与齿条板20啮合。

在本发明中，所述搅拌组件包括第一电机6、长轴33、搅拌叶片34，所述支撑板5的顶面纵向安装有第一电机6，第一电机6的型号为AEEF/AEVF，便于给搅拌组件提供动力，且所述第一电机6的输出轴贯穿支撑板5，所述第一电机6的输出轴端部固接有长轴33的一端，所述长轴33的另一端外壁上固接有若杆个搅拌叶片34，且每个搅拌叶片34均为矩形状，每个所述搅拌叶片34的一侧面均横向开设有若干个第一圆柱孔35，且第一圆柱孔贯穿搅拌叶片34，所述搅拌叶片34与石英坩埚14配合。

在本发明中，所述炉盖2包括第一弹簧29、矩形活动板30、半圆形活动板31、第二弹簧32，所述炉盖2包括的顶面中部纵向开设有第二圆柱孔，且第二圆柱孔贯穿炉盖2，所述所述第二圆柱孔的的两侧横向对称开设有第一矩形槽，每个所述第一矩形槽内均滑动连接有矩形活动板30，每块所述矩形活动板30的一侧面中部均固接有第一弹簧29的一端，每根所述第一弹簧29的另一端均固接在第一矩形槽的一侧面中部，每块所述矩形活动板30的一侧面均横向开设有第二矩形槽，每个所述第二矩形槽内均滑动连接有半圆形活动板31，每块所述半圆形活动板31的一侧面均固接有第二弹簧32的一端、每根所述第二弹簧32的另一端均固接在第二矩形槽的一侧面中部，且第二弹簧32在自然状态下，第二圆柱孔封闭。

实施例2：参见图7，在本实施例中，本发明还提出了一种单晶炉热场用半导体石墨坩埚的使用方法，包括以下步骤：

步骤一，首先将第一电机6、第二电机18、第三电机24、石墨加热装置分别通过导线与外部电源电性连接，然后再将多晶硅放进石英坩埚14，通过热场将多晶硅融化；

步骤二，启动第二电机18，通过第二电机18的输出轴转动带动齿轮16转动，齿轮16带动齿条板20上下移动，齿条板20带动支撑板5上下移动，支撑板5带动搅拌组件上下移动，从而便于搅拌叶片34的移动；

步骤三，启动第一电机6，第一电机6的输出轴带动长轴33转动，长轴带动搅拌叶片34，便于对石英坩埚14内的多晶硅进行搅拌，加速多晶硅的融化，降低等待的时间，提高工作效率；

步骤四，启动第三电机24，第三电机24的输出轴带动丝杆26转动，丝杆26使螺纹套筒22上下升降，螺纹套筒22带动第一连接板25上下升降，第一连接板25带动活动柱27上下升降，活动柱27带动第二连接板28上下升降，第二连接板28带动下部保温筒上下升降，便于热场内的热量与内壳10接触，从而便于腔体内的冷水快速的带走热场中的热量，减少等待的时间，同时能防止热场部件因温度高而出现部分氧化的现象，提高石墨件的使用寿命；

步骤五，使用完之后，将所有的电器元件全部断电。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种单晶炉热场用半导体石墨坩埚,包括单晶炉本体，其特征在于：所述单晶炉本体纵向固接在底板（7）的顶面中部上，且所述单晶炉本体包括外壳（1）和内壳（10），所述外壳（1）和内壳（10）均为开口向上的圆桶状，且外壳（1）的直径大于内壳（10）的直径，所述外壳（1）的底面轴向设有内壳（10），且所述外壳（1）和内壳（10）之间形成腔体，所述内壳（10）的底面中部轴向固接有石墨坩埚（15），且所述石墨坩埚（15）开口向上，所述石墨坩埚（15）的底部轴向设有石英坩埚（14），所述石英坩埚（14）开口向上，且石英坩埚（14）与石墨坩埚（15）接触，所述内壳（10）的底部同轴处纵向固接有若干根导向杆（12），每根所述导向杆（12）上均滑动连接有下部保温筒（11），且所述下部保温筒（11）为两端连通的圆筒状，所述下部保温筒（11）的外侧壁上设有升降组件，所述下部保温筒（11）的内侧壁的顶部上接触滑动有上部保温桶（13）的底部，且所述上部保温桶（13）的顶部固接在内壳（10）的顶部，所述下部保温筒（11）与石墨坩埚（15）之间的内壳（10）的底面上轴向设有若干个石墨加热装置，所述外壳（1）的顶部设有炉盖（2），在所述外壳（1）的外壁顶部固接有进水管，且进水管与腔体连通，在所述底板（7）的底面固接有出水管，所述出水管贯穿底板（7），且出水管与腔体连通；

所述底板（7）的顶面两端边缘处均纵向固接有第一支撑杆（3），每根所述第一支撑杆（3）的顶面均纵向开设有方形槽，每个所述方形槽内均滑动连接有第二支撑杆（4），每根所述第二支撑杆（4）的顶面均固接在支撑板（5）的顶面，所述支撑板（5）的顶面中部设有搅拌组件，所述支撑板（5）的底面一端设有调节组件。

2.根据权利要求1所述的一种单晶炉热场用半导体石墨坩埚，其特征在于：所述升降组件包括第二条形板（21）、螺纹套筒（22）、矩形板（23）、第三电机（24）、第一连接板（25）、丝杆（26）、活动柱（27）、第二连接板（28），所述底板（7）的底面纵向固接有第二条形板（21）的一端，所述第二条形板（21）的一侧面中部开设有第二T型槽，所述第二T型槽内滑动连接有第二T型滑块，所述第二T型滑块的顶面固接在螺纹套筒（22）的一侧面，所述螺纹套筒（22）的另一侧面固接有第一连接板（25），所述第一连接板（25）的顶面中部固接有活动柱（27）的一端，所述活动柱（27）分别贯穿底板（7）、外壳（1）和内壳（10），且活动柱（27）分别与底板（7）、外壳（1）和内壳（10）滑动连接，所述活动柱（27）的顶面固接有第二连接板（28），所述第二连接板（28）的一侧面固接在下部保温筒（11）的侧壁，在所述螺纹套筒（22）中的螺纹孔内螺纹连接有丝杆（26），所述丝杆（26）的一端螺纹连接在固定块上，且固定块固接在底板（7）的底面上，丝杆（26）的另一端螺纹连接在矩形板（23）的顶面，且丝杆（26）贯穿矩形板（23），所述丝杆（26）的底部固接在第三电机（24）的输出轴端部上。

3.根据权利要求1所述的一种单晶炉热场用半导体石墨坩埚，其特征在于：调节组件包括齿轮（16）、第一T型滑块（17）、第二电机（18）、第一条形板（19）、齿条板（20），所述支撑板（5）的一端底面对称纵向固接有第一条形板（19）的顶部，所述第一条形板（19）的底部固接在底板（7）的顶面上，每块所述第一条形板（19）的一侧面中部均开设有第一T型槽，每个所述第一T型槽内均滑动连接有第一T型滑块（17），每块所述第一T型滑块（17）的顶面均固接在齿条板（20）的两侧面中部，在所述底板（7）的顶面一侧纵向固接有第一支撑柱（8），所述第一支撑柱（8）的顶面固接有安装板（9），所述安装板（9）的顶面中部安装有第二电机（18），所述第二电机（18）的输出轴端部固接有齿轮（16），所述齿轮（16）与齿条板（20）啮合。

4.根据权利要求1所述的一种单晶炉热场用半导体石墨坩埚，其特征在于：所述搅拌组件包括第一电机（6）、长轴（33）、搅拌叶片（34），所述支撑板（5）的顶面纵向安装有第一电机（6），且所述第一电机（6）的输出轴贯穿支撑板（5），所述第一电机（6）的输出轴端部固接有长轴（33）的一端，所述长轴（33）的另一端外壁上固接有若杆个搅拌叶片（34），且每个搅拌叶片（34）均为矩形状，每个所述搅拌叶片（34）的一侧面均横向开设有若干个第一圆柱孔（35），且第一圆柱孔贯穿搅拌叶片（34），所述搅拌叶片（34）与石英坩埚（14）配合。

5.根据权利要求1所述的一种单晶炉热场用半导体石墨坩埚，其特征在于：所述炉盖（2）包括第一弹簧（29）、矩形活动板（30）、半圆形活动板（31）、第二弹簧（32），所述炉盖（2）包括的顶面中部纵向开设有第二圆柱孔，且第二圆柱孔贯穿炉盖（2），所述所述第二圆柱孔的的两侧横向对称开设有第一矩形槽，每个所述第一矩形槽内均滑动连接有矩形活动板（30），每块所述矩形活动板（30）的一侧面中部均固接有第一弹簧（29）的一端，每根所述第一弹簧（29）的另一端均固接在第一矩形槽的一侧面中部，每块所述矩形活动板（30）的一侧面均横向开设有第二矩形槽，每个所述第二矩形槽内均滑动连接有半圆形活动板（31），每块所述半圆形活动板（31）的一侧面均固接有第二弹簧（32）的一端、每根所述第二弹簧（32）的另一端均固接在第二矩形槽的一侧面中部，且第二弹簧（32）在自然状态下，第二圆柱孔封闭。

6.根据权利要求1所述的一种单晶炉热场用半导体石墨坩埚，其特征在于：在所述底板（7）的底面四角处均纵向设有四个支撑腿，每根所述支撑腿的底面均固接有防滑垫。

7.根据权利要求1-6任一所述的一种单晶炉热场用半导体石墨坩埚的使用方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一，首先将第一电机（6）、第二电机（18）、第三电机（24）、石墨加热装置分别通过导线与外部电源电性连接，然后再将多晶硅放进石英坩埚（14），通过热场将多晶硅融化；

步骤二，启动第二电机（18），通过第二电机（18）的输出轴转动带动齿轮（16）转动，齿轮（16）带动齿条板（20）上下移动，齿条板（20）带动支撑板（5）上下移动，支撑板（5）带动搅拌组件上下移动；

步骤三，启动第一电机（6），第一电机（6）的输出轴带动长轴（33）转动，长轴带动搅拌叶片（34）；

步骤四，启动第三电机（24），第三电机（24）的输出轴带动丝杆（26）转动，丝杆（26）使螺纹套筒（22）上下升降，螺纹套筒（22）带动第一连接板（25）上下升降，第一连接板（25）带动活动柱（27）上下升降，活动柱（27）带动第二连接板（28）上下升降，第二连接板（28）带动下部保温筒上下升降；

步骤五，使用完之后，将所有的电器元件全部断电。

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