CN112018161A - 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，用以减少纹路识别光线传播路径，提高纹路识别准确率和效率。阵列基板包括：衬底；阵列基板具有：显示区，以及周边区；显示区包括：在衬底之上的第一薄膜晶体管，在衬底之上与第一薄膜晶体管电连接的第一连接引线，位于第一薄膜晶体管之上的封装层，位于封装层之上的光敏器件，以及位于封装层之上的与光敏器件电连接的第二连接引线；第一连接引线，第二连接引线，以及封装层均延伸到周边区；周边区包括：位于第一连接引线和封装层之间的挡墙；封装层覆盖挡墙，且封装层在挡墙背离第一薄膜晶体管的一侧具有暴露第一连接引线的第一过孔，第二连接引线通过第一过孔与第一连接引线电连接。

Description

一种阵列基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光显示装置不仅应用领域多样化，而且部分产品逐渐向多功能化发展，例如具有指纹识别功能的显示产品。目前光学指纹识别成为显示产品指纹识别最重要的实现手段之一。但是现有技术的显示产品，光学指纹识别模块与屏幕表面距离较远，光线传播路径较长，影响指纹图像的清晰度，影响指纹识别准确度。

发明内容

本申请实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，用以减少纹路识别光线传播路径，提高纹路识别准确率和效率。

本申请实施例提供的一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底；所述阵列基板具有：显示区，以及位于所述显示区之外的周边区；

所述显示区包括：在所述衬底之上的第一薄膜晶体管，在所述衬底之上与所述第一薄膜晶体管电连接的第一连接引线，位于所述第一薄膜晶体管之上的封装层，位于所述封装层之上的光敏器件，以及位于所述封装层之上的与所述光敏器件电连接的第二连接引线；

所述第一连接引线，所述第二连接引线，以及所述封装层均延伸到所述周边区；

所述周边区包括：位于所述第一连接引线和所述封装层之间的挡墙；

所述封装层覆盖所述挡墙，且所述封装层在所述挡墙背离所述第一薄膜晶体管的一侧具有暴露所述第一连接引线的第一过孔，所述第二连接引线通过所述第一过孔与所述第一连接引线电连接。

在一些实施例中，所述阵列基板还包括：位于所述封装层之上的触控模组；

所述触控模组包括：位于所述封装层之上的第一触控功能层，位于所述第一触控功能层之上的第一绝缘层，以及位于所述第一绝缘层之上的第二触控功能层；

所述光敏器件包括：与所述第一触控功能层位于同一层的第一电极层，与所述第二触控功能层位于同一层的第二电极层，以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的光敏层；

所述第二连接引线与所述第一电极层位于同一层，所述第二电极层通过所述第一绝缘层的第二过孔与所述第二连接引线电连接。

在一些实施例中，所述第一触控功能层和所述第二触控功能层包括虚设触控电极，所述第一电极层和所述第二电极层复用所述虚设触控电极。

在一些实施例中，所述第一电极层包括第一子电极；

所述第二电极层包括第二子电极；

所述第一绝缘层具有露出所述第一子电极的第三过孔，所述光敏层位于所述第三过孔内；

所述第一子电极、所述光敏层以及所述第二子电极依次堆叠设置。

在一些实施例中，所述第一电极层包括：遮光部，与所述遮光部相互绝缘的第三子电极；

所述光敏层位于所述第一绝缘层之上，所述光敏层包括：第一接触层，第二接触层，以及在平行于所述衬底方向上位于所述第一接触层和所述第二接触层之间的光敏半导体层；

所述遮光部在所述衬底上的正投影覆盖所述光敏半导体层在所述衬底上的正投影；

所述第二电极层包括：位于第一接触层上的所述第四子电极，以及位于所述第二接触层上的第五子电极；

所述第四子电极通过贯穿所述第一绝缘层的第四过孔与所述第三子电极电连接；

所述第五子电极通过贯穿所述第二过孔与所述第二连接引线电连接。

在一些实施例中，所述第一触控功能层、所述第二触控功能层、所述第一电极层以及所述第二电极层在所述衬底上的正投影的形状为网格状。

在一些实施例中，在所述衬底和所述封装层之间，所述阵列基板还包括：阵列排布的子像素单元；

所述子像素单元具有发光区；

所述第一触控功能层、所述第二触控功能层、所述第一电极层以及所述第二电极层在所述衬底上的正投影，与所述发光区互不交叠。

本申请实施例提供的一种阵列基板的制备方法，所述方法包括：

在衬底之上形成第一薄膜晶体管，以及形成与所述第一薄膜晶体管电连接的第一连接引线；

在所述第一连接引线之上形成挡墙；

在所述第一薄膜晶体管以及所述挡墙之上形成封装层；

在所述挡墙背离所述第一薄膜晶体管一侧的区域，形成贯穿所述封装层的第一过孔；

在所述封装层之上形成光敏器件，以及形成与所述光敏器件电连接的第二连接引线；其中，所述第二连接引线通过所述第一过孔与所述第一连接引线电连接。

在一些实施例中，在所述封装层之上形成光敏器件，以及形成与所述光敏器件电连接的第二连接引线，具体包括：

在所述封装层之上形成触控模组的第一触控功能层的图案，形成所述光敏器件的第一电极层的图案，以及形成所述第二连接引线的图案；

形成第一绝缘层；

形成所述光敏器件的光敏层；

在所述第一绝缘层之上形成所述触控模组的第二触控功能层的图案，以及在所述光敏层之上形成所述光敏器件的第二电极层的图案。

本申请实施例提供的一种显示装置，所述显示装置包括本申请实施例提供的阵列基板。

本申请实施例提供的阵列基板及其制备方法、显示装置，用于进行纹路识别的光敏器件位于封装层之上，从而光敏器件与需要识别的纹路之间的距离较接近，可以减少纹路识别光线传播路径，进而减少纹路识别光线的光损失，增加光敏器件接收光线的强度，提高纹路识别的准确率和效率。并且，本申请实施例提供的阵列基板，光敏器件在挡墙背离显示区一侧的区域通过封装层的过孔与第一薄膜晶体管电连接，从而可以在提高纹路识别的准确率和效率的同时，避免影响封装层封装可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的一种触控模组的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；

图5为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；

图7为本申请实施例提供的一种网格状电极与子像素发光区对应关系的示意图；

图8为本申请实施例提供的一种阵列基板的制备方法的示意图。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例的附图，对本申请实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本申请的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

除非另外定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。

需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本申请内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。

本申请实施例提供了一种阵列基板，如图1所示，所述阵列基板包括：衬底1；所述阵列基板具有：显示区2，以及位于所述显示区2之外的周边区3；

所述显示区2包括：在所述衬底1之上的第一薄膜晶体管4，在所述衬底1之上与所述第一薄膜晶体管4电连接的第一连接引线5，位于所述第一薄膜晶体管4之上的封装层6，位于所述封装层6之上的光敏器件7，以及位于所述封装层6之上的与所述光敏器件7电连接的第二连接引线8；

所述第一连接引线5，所述第二连接引线8，以及所述封装层6均延伸到所述周边区3；

所述周边区3包括：位于所述第一连接引线5和所述封装层6之间的挡墙9；

所述封装层6覆盖所述挡墙9，且所述封装层6在所述挡墙9背离所述第一薄膜晶体管4的一侧具有暴露所述第一连接引线5的第一过孔10，所述第二连接引线8通过所述第一过孔10与所述第一连接引线5电连接。

本申请实施例提供的阵列基板，用于进行纹路识别的光敏器件位于封装层之上，从而光敏器件与需要识别的纹路之间的距离较接近，可以减少纹路识别光线传播路径，进而减少纹路识别光线的光损失，增加光敏器件接收光线的强度，提高纹路识别的准确率和效率。并且，本申请实施例提供的阵列基板，光敏器件在挡墙背离显示区一侧的区域通过封装层的过孔与第一薄膜晶体管电连接，从而可以在提高纹路识别的准确率和效率的同时，避免影响封装层封装可靠性。

本申请实施例提供的阵列基板的纹路识别的原理如下，当纹路置于阵列基板上方时，阵列基板内的光源能够入射到纹路的谷和脊的位置，并经纹路的谷和脊的反射再入射到阵列基板的光敏器件。由于谷和脊的位置反射的光强不同，从而产生的光电流不同，从而可以根据光电流来识别出纹路的图案。在具体实施时，纹路例如可以是指纹、掌纹等纹路。

在一些实施例中，如图2所示，所述阵列基板还包括：位于所述封装层6之上的触控模组；

所述触控模组包括：位于所述封装层6之上的第一触控功能层11，位于所述第一触控功能层11之上的第一绝缘层12，以及位于所述第一绝缘层12之上的第二触控功能层13；

所述光敏器件7包括：与所述第一触控功能层11位于同一层的第一电极层14，与所述第二触控功能层13位于同一层的第二电极层15，以及位于所述第一电极层14和所述第二电极层15之间的光敏层16；

所述第二连接引线8与所述第一电极层14位于同一层，所述第二电极层15通过所述第一绝缘层12的第二过孔17与所述第二连接引线8电连接。

本申请实施例提供的阵列基板，还集成了触控功能，光敏器件的第一电极层与触控模组的第一触控功能层位于同一层，光敏器件的第二电极层与触控模组的第二触控功能层位于同一层，可以在实现触控功能和纹路识别功能的同时，不增加阵列基板的厚度，并且第一电极层和第一触控功能层可以在同一道工序中形成，第二电极层和第二触控功能层可以在同一道工序中形成，可以简化阵列基板的制备流程，节省成本。

在一些实施例中，所述第一触控功能层和所述第二触控功能层包括虚设触控电极，所述第一电极层和所述第二电极层复用所述虚设触控电极。

需要说明的是，为了保证显示均一性，通常设置虚设触控电极，虚设触控电极不与驱动芯片电连接，不具有触控功能。

本申请实施例提供的阵列基板，光敏器件中的第一电极层和第二电极层服用虚设触控电极，可以在不影响触控功能的情况下，实现减少纹路识别光线传播路径。并且，第一电极层和第二电极层服用虚设触控电极即光敏器件设置在虚设触控电极的设置区域，不会影响显示均一性，也无需额外寻找光敏器件设置区域，降低了阵列基板的设计难度，也不会增加阵列基板的尺寸。

在一些实施例中，如图3所示，第一触控功能层和第二触控功能层包括：触控驱动电极TX、触控感应电极RX、第一触控引线49、以及第二触控引线50。第一触控引线49在第一方向X上电连接触控驱动电极TX，第二触控引线50在第一方向Y上电连接触控感应电极RX。触控驱动电极TX和触控感应电极RX中包括需要与驱动芯片电连接以实现触控功能的电极，触控驱动电极TX、触控感应电极RX第一触控引线49、以及第二触控引线50中还包括无需与驱动芯片电连接的虚设触控电极dummy。在具体实施时，第一电极层和第二电极层复用虚设触控电极dummy。在具体实施时，例如可以是第一触控功能层包括：触控驱动电极、触控感应电极、第一触控引线，第二触控功能层包括第二触控引线，第二触控引线通过桥接方式与触控感应电极电连接。

图3中以触控驱动电极和触控感应电极正投影形状为菱形块状为例进行距离说明。在具体实施时，触控驱动电极和触控感应电极的形状还可以是矩形、条形等形状。触控驱动电极和触控感应电极的形状可以根据实际需要进行选择。

在一些实施例中，可以仅在显示区的部分区域设置光敏器件，如图4所示，显示区包括第一区域53和第二区域54，第一区域53仅设置触控模组，第二区域54设置触控模组以及光敏器件。

在一些实施例中，也可以是如图5所示，整个显示区2均设置触控模组以及光敏器件。

在一些实施例中，如图1～图2所示，所述第一电极层14包括第一子电极18；

所述第二电极层15包括第二子电极19；

所述第一绝缘层12具有露出所述第一子电极18的第三过孔20，所述光敏层16位于所述第三过孔20内；

所述第一子电极18、所述光敏层16以及所述第二子电极19依次堆叠设置。

即光敏器件可以是纵向式光敏器件。纵向式光敏器件中，光敏层在衬底的正投影落入第一子电极在衬底的正投影内，位于光敏层下方的第一子电极可以遮挡光线，避免阵列基板像素发出的光线的折射、反射、散射等对光敏器件的影响。

在具体实施时，光敏层例如可以包括光敏半导体。光敏半导体例如包括：P型掺杂半导体层、本征半导体层、以及N型掺杂半导体层。

在一些实施例中，如图6所示，所述第一电极层包括：遮光部41，与所述遮光部41相互绝缘的第三子电极42；

所述光敏层16位于所述第一绝缘层12之上，所述光敏层16包括：第一接触层43，第二接触层44，以及在平行于所述衬底1方向上位于所述第一接触层43和所述第二接触层44之间的光敏半导体层45；

所述遮光部41在所述衬底1上的正投影覆盖所述光敏半导体层45在所述衬底1上的正投影；

所述第二电极层包括：位于第一接触层43上的所述第四子电极46，以及位于所述第二接触层44上的第五子电极47；

所述第四子电极46通过贯穿所述第一绝缘层12的第四过孔48与所述第三子电极42电连接；

所述第五子电极47通过贯穿所述第二过孔17与所述第二连接引线8电连接。

即光敏器件也可以是横向式光敏器件，遮光部用于遮挡光线，避免阵列基板像素发出的光线的折射、反射、散射等入射到光敏层，对纹路识别的准确性产生影响。

在一些实施例中，所述第一触控功能层、所述第二触控功能层、所述第一电极层以及所述第二电极层在所述衬底上的正投影的形状为网格状。

在一些实施例中，在所述衬底和所述封装层之间，所述阵列基板还包括：阵列排布的子像素单元；

所述子像素单元具有发光区；

所述第一触控功能层、所述第二触控功能层、所述第一电极层以及所述第二电极层在所述衬底上的正投影，与所述发光区互不交叠。

本申请实施例提供的阵列基板，第一触控功能层、第二触控功能层、第一电极层以及第二电极层在衬底上的正投影与发光区互不交叠，从而触控模组以及光敏器件不会对子像素单元的发光造成影响，不会影响阵列基板的光利用率。

在具体实施时，例如可以是如图7所示，发光区52的正投影落入网格状电极51的网格内，从而网格状电极51不会对发光区52的发光造成影响。在具体实施是，子像素单元例如可以包括：红色子像素单元R、绿色子像素单元G以及蓝色子像素单元B。需要说明的是，图7中仅示出部分子像素单元以及部分网格状电极进行举例说明，图7中的网格状电极51可以是第一触控功能层、第二触控功能层、第一电极层、第二电极层中的任一膜层中的一部分。在具体实施时，网格状电极的网格形状可以是如图7所示的六边形，也可以是矩形等其他形状，网格形状可以与子像素单元的形状匹配，也可以根据实际需要进行具体设计。

在一些实施例中，如图1、图2、图6所示，第一薄膜晶体管4包括：第一有源层21，栅绝缘层22，第一栅极23，层间绝缘层24，第一源极26和第一漏极25。第一源极26和第一漏极25与封装层6之间还包括平坦化层30。第一连接引线5例如可以与第一薄膜晶体管4的第一漏极25电连接。

在一些实施例中，如图1、图2、图6所示，第一薄膜晶体管4与衬底1之间还包括缓冲层27。子像素单元包括：显示薄膜晶体管32以及与显示薄膜晶体管32电连接的电致发光器件37。显示薄膜晶体管32的第二有源层33与第一薄膜晶体管4的第一有源层21位于同一层，显示薄膜晶体管32的第二栅极34与第一薄膜晶体管4的第一栅极23位于同一层，显示薄膜晶体管32的第二源极35以及第二漏极36与第一薄膜晶体管4的第一源极26以及第一漏极25位于同一层。电致发光器件37包括：位于平坦化层30之上的阳极38，位于阳极38之上的发光功能层39，位于发光功能层39之上的阴极40。阵列基板还包括：与阳极38间隔设置、且划分子像素单元的像素定义层31。

在一些实施例中，如图1、图2、图6所示，挡墙9包括：包围显示区2的第一挡墙28，以及位于第一挡墙28背离显示区2一侧的第二挡墙29。第一过孔10位于第二挡墙29背离第一挡墙28一侧的区域，即第一连接引线5和第二连接引线8在第二挡墙29背离第一挡墙28一侧的区域电连接。

在一些实施例中，封装层包括：位于阴极之上的第一无机封装层，位于第一无机封装层之上的有机封装层，以及位于有机封装层之上的第二无机封装层。第一无机封装层和第二无机封装层覆盖第一挡墙和第二挡墙，有机封装层延伸至第一挡墙面向显示区一侧的区域。

在一些实施例中，第二电极层以及第二触控功能层例如可以是透明电极层，透明电极的材料例如可以是ITO。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，如图8所示，所述方法包括：

S101、在衬底之上形成第一薄膜晶体管，以及形成与所述第一薄膜晶体管电连接的第一连接引线；

S102、在所述第一连接引线之上形成挡墙；

S103、在所述第一薄膜晶体管以及所述挡墙之上形成封装层；

S104、在所述挡墙背离所述第一薄膜晶体管一侧的区域，形成贯穿所述封装层的第一过孔；

S105、在所述封装层之上形成光敏器件，以及形成与所述光敏器件电连接的第二连接引线；其中，所述第二连接引线通过所述第一过孔与所述第一连接引线电连接。

本申请实施例提供的阵列基板的制备方法，在形成封装层之后形成光敏器件，即光敏器件位于封装层之上，从而光敏器件与需要识别的纹路之间的距离较接近，可以减少纹路识别光线传播路径，进而减少纹路识别光线的光损失，增加光敏器件接收光线的强度，提高纹路识别的准确率和效率。并且，光敏器件在挡墙背离显示区一侧的区域通过封装层的过孔与第一薄膜晶体管电连接，从而可以在提高纹路识别的准确率和效率的同时，避免影响封装层封装可靠性。

在一些实施例中，在所述封装层之上形成光敏器件，以及形成与所述光敏器件电连接的第二连接引线，具体包括：

在所述封装层之上形成触控模组的第一触控功能层的图案，形成所述光敏器件的第一电极层的图案，以及形成所述第二连接引线的图案；

形成第一绝缘层；

形成所述光敏器件的光敏层；

在所述第一绝缘层之上形成所述触控模组的第二触控功能层的图案，以及在所述光敏层之上形成所述光敏器件的第二电极层的图案。

在一些实施例中，形成所述光敏器件的第一电极层的图案，具体包括：

在封装层之上形成第一子电极的图案；

形成所述光敏器件的光敏层之前，所述方法还包括：

在第一绝缘层形成暴露第一子电极的第三过孔；

形成所述光敏器件的光敏层具体包括：

在第三过孔形成光敏层。

在一些实施例中，形成所述光敏器件的第一电极层的图案，具体包括：

在封装层之上形成第三子电极的图案以及遮光部的图案；

形成所述光敏器件的光敏层具体包括：

在第一绝缘层之上形成第一接触层、第二接触层以及光敏半导体层。

在一些实施例中，在衬底之上形成第一薄膜晶体管的同时，还包括：在衬底之上形成显示薄膜晶体管。

在一些实施例中，在所述第一薄膜晶体管以及所述挡墙之上形成封装层之前，所述方法还包括：

形成平坦化层；

在平坦化层之上形成像素定义层以及电致发光器件。

在一些实施例中，形成封装层，具体包括：

依次形成第一无机封装层、有机封装层以及第二无机封装层。

本申请实施例提供的一种显示装置，所述显示装置包括本申请实施例提供的阵列基板。

本申请实施例提供的显示装置为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本申请的限制。该显示装置的实施可以参见上述显示面板的实施例，重复之处不再赘述。

综上所述，本申请实施例提供的阵列基板及其制备方法、显示装置，用于进行纹路识别的光敏器件位于封装层之上，从而光敏器件与需要识别的纹路之间的距离较接近，可以减少纹路识别光线传播路径，进而减少纹路识别光线的光损失，增加光敏器件接收光线的强度，提高纹路识别的准确率和效率。并且，本申请实施例提供的阵列基板，光敏器件在挡墙背离显示区一侧的区域通过封装层的过孔与第一薄膜晶体管电连接，从而可以在提高纹路识别的准确率和效率的同时，避免影响封装层封装可靠性。

显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底；所述阵列基板具有：显示区，以及位于所述显示区之外的周边区；

所述显示区包括：在所述衬底之上的第一薄膜晶体管，在所述衬底之上与所述第一薄膜晶体管电连接的第一连接引线，位于所述第一薄膜晶体管之上的封装层，位于所述封装层之上的光敏器件，以及位于所述封装层之上的与所述光敏器件电连接的第二连接引线；

所述第一连接引线，所述第二连接引线，以及所述封装层均延伸到所述周边区；

所述周边区包括：位于所述第一连接引线和所述封装层之间的挡墙；

所述封装层覆盖所述挡墙，且所述封装层在所述挡墙背离所述第一薄膜晶体管的一侧具有暴露所述第一连接引线的第一过孔，所述第二连接引线通过所述第一过孔与所述第一连接引线电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述封装层之上的触控模组；

所述触控模组包括：位于所述封装层之上的第一触控功能层，位于所述第一触控功能层之上的第一绝缘层，以及位于所述第一绝缘层之上的第二触控功能层；

所述光敏器件包括：与所述第一触控功能层位于同一层的第一电极层，与所述第二触控功能层位于同一层的第二电极层，以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的光敏层；

所述第二连接引线与所述第一电极层位于同一层，所述第二电极层通过所述第一绝缘层的第二过孔与所述第二连接引线电连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一触控功能层和所述第二触控功能层包括虚设触控电极，所述第一电极层和所述第二电极层复用所述虚设触控电极。

4.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层包括第一子电极；

所述第二电极层包括第二子电极；

所述第一绝缘层具有露出所述第一子电极的第三过孔，所述光敏层位于所述第三过孔内；

所述第一子电极、所述光敏层以及所述第二子电极依次堆叠设置。

5.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层包括：遮光部，与所述遮光部相互绝缘的第三子电极；

所述光敏层位于所述第一绝缘层之上，所述光敏层包括：第一接触层，第二接触层，以及在平行于所述衬底方向上位于所述第一接触层和所述第二接触层之间的光敏半导体层；

所述遮光部在所述衬底上的正投影覆盖所述光敏半导体层在所述衬底上的正投影；

所述第二电极层包括：位于第一接触层上的所述第四子电极，以及位于所述第二接触层上的第五子电极；

所述第四子电极通过贯穿所述第一绝缘层的第四过孔与所述第三子电极电连接；

所述第五子电极通过贯穿所述第二过孔与所述第二连接引线电连接。

6.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一触控功能层、所述第二触控功能层、所述第一电极层以及所述第二电极层在所述衬底上的正投影的形状为网格状。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，在所述衬底和所述封装层之间，所述阵列基板还包括：阵列排布的子像素单元；

所述子像素单元具有发光区；

所述第一触控功能层、所述第二触控功能层、所述第一电极层以及所述第二电极层在所述衬底上的正投影，与所述发光区互不交叠。

8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底之上形成第一薄膜晶体管，以及形成与所述第一薄膜晶体管电连接的第一连接引线；

在所述第一连接引线之上形成挡墙；

在所述第一薄膜晶体管以及所述挡墙之上形成封装层；

在所述挡墙背离所述第一薄膜晶体管一侧的区域，形成贯穿所述封装层的第一过孔；

在所述封装层之上形成光敏器件，以及形成与所述光敏器件电连接的第二连接引线；其中，所述第二连接引线通过所述第一过孔与所述第一连接引线电连接。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述封装层之上形成光敏器件，以及形成与所述光敏器件电连接的第二连接引线，具体包括：

在所述封装层之上形成触控模组的第一触控功能层的图案，形成所述光敏器件的第一电极层的图案，以及形成所述第二连接引线的图案；

形成第一绝缘层；

形成所述光敏器件的光敏层；

在所述第一绝缘层之上形成所述触控模组的第二触控功能层的图案，以及在所述光敏层之上形成所述光敏器件的第二电极层的图案。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括根据权利要求1～7任一项所述的阵列基板。

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