CN112001054A - 屏蔽罩接地性能的确定方法、装置、设备及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例公开了一种屏蔽罩接地性能的确定方法、装置、设备及存储介质，属于终端技术领域。所述方法包括：确定屏蔽罩上的采样点，并获取各个采样点处的材料特性参数；根据材料特性参数，通过预设的分布式阻抗公式计算各个采样点的分布式阻抗；根据各个采样点的分布式阻抗，构建屏蔽罩对应的分布式阻抗矩阵；根据分布式阻抗矩阵确定屏蔽罩的接地性能。采用本申请实施例提供的方法，能够实现了对屏蔽罩上不同部位的接地状况的完整评估，有利于后续对屏蔽罩进行改进设计，缩短屏蔽罩的设计研发周期。
Description
技术领域
本申请实施例涉及终端技术领域，特别涉及一种屏蔽罩接地性能的确定方法、装置、设备及存储介质。
背景技术
随着电子产品高速化发展，印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)对电磁兼容性(Electro Magnetic Compatibility，EMC)的要求也越来越高。在PCB设计中，终端屏蔽罩接地是一个复杂问题，而良好的接地起到了保护屏蔽罩内部的元器件以及屏蔽外部电磁干扰的作用。
相关技术中，通常采用实验的方式对屏蔽罩的接地性能进行评估。比如，采用测量直流电阻的方式来判断屏蔽罩的接地性能，或者，通过测试终端的辐射灵敏度，从而根据辐射灵敏度以及对干扰信号的抑制情况，判断屏蔽罩的接地性能是否符合要求。
然而，采用上述对屏蔽罩的接地性能进行评估时，无法对屏蔽罩上不同部位的接地状况进行完整评估，不利于后续对屏蔽罩进行改进设计，导致屏蔽罩的设计研发周期较长。
发明内容
本申请实施例提供了一种屏蔽罩接地性能的确定方法、装置、设备及存储介质。所述技术方案如下：
一方面，提供了一种屏蔽罩接地性能的确定方法，所述方法包括：
确定屏蔽罩上的采样点，并获取各个所述采样点处的材料特性参数；
根据所述材料特性参数，通过预设的分布式阻抗公式计算各个所述采样点的分布式阻抗；
根据各个所述采样点的所述分布式阻抗，构建所述屏蔽罩对应的分布式阻抗矩阵；
根据所述分布式阻抗矩阵确定所述屏蔽罩的接地性能。
另一方面，提供了一种屏蔽罩接地性能的确定装置，所述装置包括：
采样模块，被配置为确定屏蔽罩上的采样点，并获取各个所述采样点处的材料特性参数；
计算模块，被配置为根据所述材料特性参数，通过预设的分布式阻抗公式计算各个所述采样点的分布式阻抗；
矩阵生成模块，被配置为根据各个所述采样点的所述分布式阻抗，构建所述屏蔽罩对应的分布式阻抗矩阵；
分析模块，被配置为根据所述分布式阻抗矩阵确定所述屏蔽罩的接地性能。
另一方面，提供了一种计算机设备，所述计算机设备包括处理器和存储器；所述存储器存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被所述处理器执行以实现如上述方面所述的屏蔽罩接地性能的确定方法。
另一方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述存储介质存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被处理器执行以实现如上述方面所述的屏蔽罩接地性能的确定方法。
另一方面，还提供了一种计算机程序产品，该计算机程序产品存储有至少一条指令，所述至少一条指令由所述处理器加载并执行以实现上述方面所述的屏蔽罩接地性能的确定方法。
本申请实施例中，根据屏蔽罩上各个采样点处的材料特性参数，通过预设的分布式阻抗公式计算各个采样点的分布式阻抗，从而构建屏蔽罩对应的分布式阻抗矩阵，进而根据分布式阻抗矩阵确定屏蔽罩的接地性能，实现了对屏蔽罩上不同部位的接地状况的完整评估，有利于后续对屏蔽罩进行改进设计，缩短屏蔽罩的设计研发周期。
附图说明
图1示出了本申请一个示例性实施例提供的屏蔽罩接地性能的确定方法的流程图；
图2是屏蔽罩的结构示意图；
图3示出了本申请另一个示例性实施例提供的屏蔽罩接地性能的确定方法的流程图；
图4示出了本申请另一个示例性实施例提供的屏蔽罩接地性能的确定方法的流程图；
图5是一种屏蔽罩上采样区域划分方式的示意图；
图6是另一种屏蔽罩上采样区域划分方式的示意图；
图7示出了本申请另一个示例性实施例提供的干扰源区域接地特性的确定方法的流程图；
图8是屏蔽罩上干扰源对应目标区域的示意图；
图9示出了本申请一个实施例提供的屏蔽罩接地性能的确定装置的结构框图；
图10示出了本申请一个示例性实施例提供的计算机设备的结构图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
在本文中提及的“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
请参考图1，其示出了本申请一个示意性实施例提供的屏蔽罩接地性能的确定方法的流程图。该方法包括：
步骤101，确定屏蔽罩上的采样点，并获取各个采样点处的材料特性参数。
可选的，该屏蔽罩为构建的虚拟屏蔽罩模型，且各个采样点处的材料特性参数从虚拟屏蔽罩模型的模型参数中提取得到。
在一种可能的实施方式中，当采样点处仅包含屏蔽罩材料时，该采样点处的材料特性参数包含屏蔽罩材料特性参数；当采样点处同时包含屏蔽罩材料和辅助接地材料时，该采样点处的材料特性参数同时包含屏蔽罩材料特性参数和辅助接地材料特性参数，其中，辅助接地材料用于辅助屏蔽罩材料接地。
可选的，屏蔽罩材料包括洋白铜、不锈钢、镀镍不锈钢的至少一种，且不同屏蔽罩材料的应力特性和导电特性各不相同；辅助接地材料包括导电泡棉、导电布、铜箔的至少一种，且辅助接地材料的应力特性和导电特性也各不相同。
在一种可能的实施方式中，辅助接地材料贴合在屏蔽罩材料的外表面，且位于屏蔽罩材料与地(比如终端的前壳)之间，用于增加屏蔽罩与地的接触面积，从而加强屏蔽罩的接地性能。
示意性的，如图2所示，主板201上设置有元器件202，屏蔽罩203设置在元器件202上方，用于屏蔽元器件202工作时产生的电磁干扰。为了更好地将元器件202产生的电磁干扰接地，屏蔽罩203的上表面黏贴有导电泡棉204(即辅助接地材料)，该导电泡棉204分别与屏蔽罩203和终端前壳205接触，以此提高屏蔽罩203的接地性能。
可选的，由于元器件工作时会产生热量，因此屏蔽罩上还设置有若干开孔，从而通过该开孔进行散热。
步骤102，根据材料特性参数，通过预设的分布式阻抗公式计算各个采样点的分布式阻抗。
可选的，预设的分布式阻抗公式用于表示分布式阻抗与各项材料特征参数及其运算系数之间的运算关系，在计算各个采样点的分布式阻抗时，即将该采样点处的材料特性参数代入预设的分布式阻抗公式中。
其中，各个采样点处的屏蔽罩的接地性能与各个采样点处的分布式阻抗呈负相关关系，即采样点处的分布式阻抗越小，该采样点处屏蔽罩的接地性能越好。
步骤103，根据各个采样点的分布式阻抗，构建屏蔽罩对应的分布式阻抗矩阵。
可选的，分布式阻抗矩阵中包含屏蔽罩上各个采样点的分布式阻抗，且分布式阻抗在分布式阻抗矩阵中的位置与采样点在屏蔽罩上的位置对应。
示意性的，当屏蔽罩上包含10×10个采样点时，生成的分布式阻抗矩阵即为10×10的矩阵。
步骤104，根据分布式阻抗矩阵确定屏蔽罩的接地性能。
相较于相关技术中，仅能够通过实验方式确定屏蔽罩整体的接地性能，本申请实施例中，基于屏蔽罩分布式阻抗的仿真结果即可对屏蔽罩的接地性能进行评估，降低了对实验的依赖性。
同时，由于分布式阻抗矩阵能够反映出各个采样点处的分布式阻抗，因此基于分布式阻抗矩阵不仅可以分析屏蔽罩整体的接地性能，还能够对屏蔽罩不同区域的接地性能进行评估。
综上所述，本申请实施例中，根据屏蔽罩上各个采样点处的材料特性参数，通过预设的分布式阻抗公式计算各个采样点的分布式阻抗，从而构建屏蔽罩对应的分布式阻抗矩阵，进而根据分布式阻抗矩阵确定屏蔽罩的接地性能，实现了对屏蔽罩上不同部位的接地状况的完整评估，有利于后续对屏蔽罩进行改进设计，缩短屏蔽罩的设计研发周期。
在一种可能的实施方式中，根据预设的分布式阻抗公式计算屏蔽罩上各个采样点的分布式阻抗前，计算机设备需要预先对大量测试件进行阻抗测量，从而根据测量结果确定预设的分布式阻抗公式中各项材料特征参数各自对应的运算系数。在图1的基础上，如图3所示，步骤101之前还可以包括如下步骤：
步骤301，获取多个测试件对应的分布式阻抗测量值，测试件包括屏蔽罩材料测试件和辅助接地材料测试件。
在一种可能的实施方式中，由于测试件的材料特性参数以及分布式阻抗可以通过实验的方式测量得到，因此计算机设备可以采用控制变量法，通过对不同材料(比如采用不同屏蔽罩材料和/或辅助接地材料的测试件)、不同应力情况(比如采用不同曲率的屏蔽罩材料、不同压缩程度的辅助接地材料)、不同压合情况(屏蔽罩材料与辅助接地材料之间的压合情况)下的测试件进行分布式阻抗测量(即对不同材料特性参数的测试件)，得到多组材料特性参数与分布式阻抗测量值之间的对应关系，以便后续根据该对应关系计算分布式阻抗计算公式中各项材料特性参数对应的运算系数。
步骤302，根据分布式阻抗测量值以及测试件对应的材料特性参数，确定预设的分布式阻抗公式中各项屏蔽罩材料特性参数对应的第一运算系数，以及各项辅助接地材料特性参数对应的第二运算系数。
在一种可能的实施方式中，预设的分布式阻抗公式中包含屏蔽罩材料特性参数与其对应的第一运算系数，以及辅助接地材料与其对应的第二运算系数，计算机设备获取到不同材料特性参数的测试件及其分布式阻抗测量值后，通过线性回归分析得到预设的分布式阻抗公式中第一运算系数和第二运算系数的拟合值。
可选的，屏蔽罩材料特性参数包括第一电导率、第一厚度参数、第一应力形变参数和第一接触参数中的至少一种，相应的，预设的分布式阻抗公式中的第一运算系数包括第一电导率系数、第一厚度系数、第一应力形变系数和第一接触系数中的至少一种；辅助接地材料特性参数包括第二电导率、第二厚度参数、第二应力形变参数和第一接触参数中的至少一种，相应的，预设的分布式阻抗公式中的第二运算系数包括第二电导率系数、第二厚度系数、第二应力形变系数和第二接触系数中的至少一种。
可选的，第一应力形变参数(或第二应力形变参数)可以根据屏蔽罩材料(或辅助接地材料)应力后产生的曲率或压缩程度确定；第一接触参数(或第二接触参数)可以根据屏蔽罩材料(或辅助接地材料)的表面摩擦系数确定。本申请实施例对此不做限定。
在一个示意性的例子中，预设的分布式阻抗公式可以表示为：
Z(x,y)＝G(x,y)A·H(x,y)B·F(x,y)C·T(x,y)D+g(x,y)a·h(x,y)b·f(x,y)c·t(x,y)d
其中，(x,y)为各个采样点的横纵坐标，Z(x,y)为各个采样点处的分布式阻抗，G(x,y)为第一电导率，A为第一电导率系数，H(x,y)为第一厚度参数，B为第一厚度系数，F(x,y)为第一应力形变参数，C为第一应力形变系数，T(x,y)为第一接触参数，D为第一接触系数，g(x,y)为第二电导率，a为第二电导率系数，h(x,y)为第二厚度参数，b为第二厚度系数，f(x,y)为第二应力形变参数，c为第二应力形变系数，t(x,y)为第二接触参数，d为第二接触系数。
计算机设备根据分布式阻抗测量值以及测试件对应的材料特性参数确定各项系数时，将分布式阻抗测量值和各项材料特性参数代入预设的分布式阻抗公式中，并对公式两边取对数，从而对取对数后的公式进行线性回归分析，得到各项系数的拟合值。
需要说明的是，本实施例仅以上述预设的分布式阻抗公式为例进行示意性说明，在其他可能的实施方式中，预设的分布式阻抗公式中还可以包括其他与分布式阻抗相关的参数及系数，本实施例并不对此构成限定。
请参考图4，其示出了本申请另一个示例性实施例示出的屏蔽罩接地性能的确定方法的流程图。该方法包括：
步骤401，根据屏蔽罩的尺寸确定采样步长。
可选的，采样步长与屏蔽罩的尺寸呈正相关关系，即屏蔽罩的尺寸越大，采样步长越大，屏蔽罩的尺寸越小，采样步长越小(采样更加精细)。
在其他可能的实施方式中，采样步长还可能与屏蔽罩作用的元器件相关、屏蔽罩设置的位置、屏蔽罩的形状等因素相关，本申请实施例对此不做限定。
示意性的，如图5所示，计算机设备确定1cm×1cm的屏蔽罩501的采样步长为1mm。
步骤402，根据采样步长，确定屏蔽罩上的各个采样点，各个采样点位于屏蔽罩上以采样步长为边长的各个正方形区域的中心。
在一种可能的实施方式中，计算机设备以采样步长为边长，确定屏蔽罩上的各个正方形采样区域，并将各个正方形采样区域的中心确定为各个采样点。当然，计算机设备还可以通过其他方式划分采样区域并确定各个采样点，本申请实施例对此并不构成限定。
示意性的，如图5所示，计算机设备在屏蔽罩501上划分出1mm×1mm的正方形采样区域502，并在各个正方形采样区域502的中心处确定采样点503，最终确定出屏蔽罩501上的100个采样点。
步骤403，分别获取各个采样点处的材料特性参数。
可选的，对于确定出的各个采样点，计算机设备根据各个采样点处的材料分布情况，获取相应的材料特性参数。其中，当采样点处仅包含屏蔽罩材料时，计算机设备获取采样点处屏蔽罩材料的屏蔽罩材料特性参数；当采样点处包含屏蔽罩材料和辅助接地材料时，计算机设备同时获取采样点处屏蔽罩材料的屏蔽罩材料特性参数以及辅助接地材料的辅助接地材料特性参数。
可选的，屏蔽罩材料特性参数包括第一电导率、第一厚度参数、第一应力形变参数和第一接触参数中的至少一种；辅助接地材料特性参数包括第二电导率、第二厚度参数、第二应力形变参数和第一接触参数中的至少一种。
其中，电导率用来衡量屏蔽罩材料和辅助接地材料的导电能力，可以使用电导率测试仪对不同屏蔽罩材料和不同辅助接地材料进行测量得到；厚度参数根据各个采样点处屏蔽罩材料和辅助接地材料的厚度确定；应力形变系数根据各个采样点处屏蔽罩材料和辅助接地材料的弯曲、压缩程度确定；接触系数根据各个采样点处屏蔽罩材料和辅助接地材料的表面摩擦系数确定。
步骤404，根据材料特性参数，通过预设的分布式阻抗公式计算各个采样点的分布式阻抗。
进一步的，对于各个采样点，计算机设备将该采样点处的材料特性参数代入预设的分布式阻抗公式进行计算，得到各个采样点处的分布式阻抗，并将该分布式阻抗。
在一种可能的实施方式中，采用步骤302中所示的预设的分布式阻抗公式时，若采样点处仅包含屏蔽罩材料，计算机设备则根据该采样点处屏蔽罩材料的第一电导率、第一厚度参数、第一应力形变参数和第一接触参数，计算该采样点的分布式阻抗；若采样点处包含屏蔽罩材料和辅助接地材料，计算机设备则根据该采样点处屏蔽罩材料的第一电导率、第一厚度参数、第一应力形变参数和第一接触参数，以及采样点处辅助接地材料的第二电导率、第二厚度参数、第二应力形变参数和第二接触参数，计算该采样点的分布式阻抗。
示意性的，如图5所示，计算机设备分别计算100个采样点503各自对应的分布式阻抗。
步骤405，根据各个采样点的分布式阻抗，构建屏蔽罩对应的分布式阻抗矩阵。
示意性的，如图5所示，屏蔽罩501上包含10×10个采样点503，相应的，构建得到的分布式阻抗矩阵的尺寸为10×10，且分布式阻抗矩阵中第i行第j列的数值即为屏蔽罩上第i行第j列的采样点处的分布式阻抗。
在其他可能的实施方式中，若屏蔽罩采用不规则形状，或，屏蔽罩上包含开孔时，分布式阻抗矩阵中元素的数量大于屏蔽罩上采样点的数量，且分布式阻抗矩阵中未对应采样点的元素采用0填充。
示意性的，如图6所示，屏蔽罩601采用不规则形状，且采样步长为1mm，根据各个采样点602的分布式阻抗构建的分布式阻抗矩阵为10×10矩阵，且分布式阻抗矩阵中左下角5×5的元素采用0填充。
步骤406，根据分布式阻抗矩阵计算第一平均值，第一平均值是分布式阻抗矩阵中各项数据的平均值。
为了确定屏蔽罩的整体接地性能是否符合需求，计算机设备根据分布式阻抗矩阵计算第一平均值，以便后续基于第一平均值确定屏蔽罩的整体接地性能。
示意性的，在计算如图5所示屏蔽罩501对应分布式阻抗矩阵的第一平均值时，计算机设备计算分布式阻抗矩阵中10×10个数据的平均值，从而得到第一平均值。
需要说明的是，当分布式阻抗矩阵中包含采用0填充的元素时，计算第一平均值前，计算机设备将分布式阻抗矩阵中为零的数据滤除，仅计算非零数据的平均值。比如，在计算如图6所示屏蔽罩601对应分布式阻抗矩阵的第一平均值时，计算机设备计算分布式阻抗矩阵中75个数据的平均值(滤除矩阵左小角5×5的数据)，从而得到第一平均值。
步骤407，根据第一平均值确定屏蔽罩的接地性能，屏蔽罩的接地性能与第一平均值呈正相关关系。
可选的，屏蔽罩的接地性能与第一平均值呈正相关关系，即第一平均值越小，表明屏蔽罩的接地性能越好。
在一种可能的实施方式中，当屏蔽罩的接地性能未达到需求时，可以采用调整材料(改变第一电导率和第二电导率)、调整屏蔽罩尺寸(改变材料厚度、应力形变参数或接触参数)等方式调整屏蔽罩，并再次通过上述步骤401至405构建分布式阻抗矩阵对调整后屏蔽罩的接地性能进行分析，直至屏蔽罩的接地性能符合接地性能需求。其中，调整屏蔽罩的过程可以通过计算机设备进行仿真，无需实际制造屏蔽罩，从而提高了测试效率。
本实施例中，计算机设备确定出屏蔽罩上的各个采样点，并计算得到各个采样点处的分布式阻抗后，构建得到屏蔽罩对应的分布式阻抗矩阵，从而根据分布式阻抗矩阵中各项数据的平均值，分析屏蔽罩的整体接地性能，为后续屏蔽罩调整提供数据支持，提高屏蔽罩的研发效率。
对于屏蔽罩上比较敏感的干扰源区域，屏蔽罩接地特性要求分布式阻抗尽可能小，因此在屏蔽罩设计过程中可以根据实际需求增加合适的辅助接地材料，以加强干扰源区域的接地性能。
在一种可能的实施方式中，在图4的基础上，如图7所示，步骤405之后还可以包括如下步骤。
步骤408，确定屏蔽罩上的目标区域，目标区域与干扰源所在的区域对应。
可选的，干扰源为主板元器件(比如处理器)、电路或组合件中至少一种。
在一种可能的实施方式，计算机设备将干扰源在屏蔽罩上的投影区域确定目标区域。
示意性的，如图8所示，屏蔽罩801上包含目标区域802。
步骤409，确定分布式阻抗矩阵中与目标区域对应的矩阵区域。
在一种可能的实施方式中，计算机设备确定目标区域内包含的目标采样点，并确定分布式阻抗矩阵中与目标采样点对应的矩阵区域，该矩阵区域中即包含各个目标采样点对应的分布式阻抗。
示意性的，如图8所示，计算机设备确定目标区域802内包含的4×4个目标采样点803，从而将分布式阻抗矩阵中横坐标范围为4至7，纵坐标范围为4至7的4×4矩阵区域确定为目标区域802对应的矩阵区域。
步骤410，计算矩阵区域中各项数据的第二平均值。
与上述步骤406相似的，计算机设备计算矩阵区域中各项数据的第二平均值，以便后续基于第二平均值确定目标区域处屏蔽罩的接地性能。
步骤411，根据第二平均值确定目标区域处屏蔽罩的接地性能。
可选的，目标区域处屏蔽罩的接地性能与第二平均值呈正相关关系，即第二平均值越小，表明目标区域处屏蔽罩的接地性能越好。
在一种可能的实施方式中，当目标区域处屏蔽罩的接地性能未达到需求时，可以采用调整材料(改变第一电导率和第二电导率)或增加辅助接地材料等方式调整目标区域处屏蔽罩，并基于调整后目标区域处的分布式阻抗进行接地性能分析，直至目标区域处屏蔽罩的接地性能符合接地性能需求。其中，调整目标区域处屏蔽罩的过程可以通过计算机设备进行仿真，无需实际制造屏蔽罩，从而提高了测试效率。
本实施例中，计算机设备根据屏蔽罩下方干扰源的位置，基于屏蔽罩的分布式阻抗矩阵确定干扰源区域处屏蔽罩的分布式阻抗，从而根据该分布式阻抗分析干扰源处屏蔽罩的接地性能，为后续干扰源屏蔽罩的调整提供数据支持，提高屏蔽罩的研发效率。
请参考图9，其示出了本申请一个实施例提供的一种屏蔽罩接地性能的确定装置的结构框图。该装置可以通过软件、硬件或者两者的结合实现成为计算机设备的全部或一部分。该装置包括：
采样模块901，被配置为确定屏蔽罩上的采样点，并获取各个所述采样点处的材料特性参数；
计算模块902，被配置为根据所述材料特性参数，通过预设的分布式阻抗公式计算各个所述采样点的分布式阻抗；
矩阵生成模块903，被配置为根据各个所述采样点的所述分布式阻抗，构建所述屏蔽罩对应的分布式阻抗矩阵；
分析模块904，被配置为根据所述分布式阻抗矩阵确定所述屏蔽罩的接地性能。
可选的，所述采样模块901，包括：
采样步长确定单元，被配置为根据所述屏蔽罩的尺寸确定采样步长；
采样点确定单元，被配置为根据所述采样步长，确定所述屏蔽罩上的各个所述采样点，各个所述采样点位于所述屏蔽罩上以所述采样步长为边长的各个正方形区域的中心；
获取单元，被配置为分别获取各个所述采样点处的所述材料特性参数。
可选的，所述材料特性参数包括：
各个所述采样点处屏蔽罩材料的屏蔽罩材料特性参数；
或，
各个所述采用点处屏蔽罩材料的屏蔽罩材料特性参数和辅助接地材料的辅助接地材料特性参数，所述辅助接地材料用于辅助所述屏蔽罩材料接地。
可选的，所述屏蔽罩材料特性参数包括第一电导率、第一厚度参数、第一应力形变参数和第一接触参数中的至少一种；所述辅助接地材料特性参数包括第二电导率、第二厚度参数、第二应力形变参数和第一接触参数中的至少一种。
可选的，所述装置，还包括：
获取模块，被配置为获取多个测试件对应的分布式阻抗测量值，所述测试件包括屏蔽罩材料测试件和辅助接地材料测试件；
运算系数确定模块，被配置为根据所述分布式阻抗测量值以及所述测试件对应的所述材料特性参数，确定所述预设的分布式阻抗公式中各项所述屏蔽罩材料特性参数对应的第一运算系数，以及各项所述辅助接地材料特性参数对应的第二运算系数。
可选的，所述分析模块904，包括：
第一计算单元，被配置为根据所述分布式阻抗矩阵计算第一平均值，所述第一平均值是所述分布式阻抗矩阵中各项数据的平均值；
第一分析单元，被配置为根据所述第一平均值确定所述屏蔽罩的接地性能，所述屏蔽罩的接地性能与所述第一平均值呈正相关关系。
可选的，所述分析模块904，包括：
目标区域确定单元，被配置为确定所述屏蔽罩上的目标区域，所述目标区域与干扰源所在的区域对应；
目标区域矩阵生成单元，被配置为确定所述分布式阻抗矩阵中与所述目标区域对应的矩阵区域；
第二计算单元，被配置为计算所述矩阵区域中各项数据的第二平均值；
第二分析单元，被配置为根据所述第二平均值确定所述目标区域处所述屏蔽罩的接地性能。
请参考图10，其示出了本申请一个示例性实施例提供的计算机设备100的结构图。该计算机设备100可以是个人计算机。本申请中的计算机设备100可以包括一个或多个如下部件：处理器110、存储器120和屏幕130。
处理器110可以包括一个或者多个处理核心。处理器110利用各种接口和线路连接整个计算机设备100内的各个部分，通过运行或执行存储在存储器120内的指令、程序、代码集或指令集，以及调用存储在存储器120内的数据，执行计算机设备100的各种功能和处理数据。可选地，处理器110可以采用数字信号处理(Digital Signal Processing，DSP)、现场可编程门阵列(Field－Programmable Gate Array，FPGA)、可编程逻辑阵列(ProgrammableLogic Array，PLA)中的至少一种硬件形式来实现。处理器110可集成中央处理器(CentralProcessing Unit，CPU)、图像处理器(Graphics Processing Unit，GPU)和调制解调器等中的一种或几种的组合。其中，CPU主要处理操作系统、用户界面和应用程序等；GPU用于负责屏幕130所需要显示的内容的渲染和绘制；调制解调器用于处理无线通信。可以理解的是，上述调制解调器也可以不集成到处理器110中，单独通过一块通信芯片进行实现。
存储器120可以包括随机存储器(Random Access Memory，RAM)，也可以包括只读存储器(Read-Only Memory)。可选地，该存储器120包括非瞬时性计算机可读介质(non-transitory computer-readable storage medium)。存储器120可用于存储指令、程序、代码、代码集或指令集。存储器120可包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储用于实现操作系统的指令、用于实现至少一个功能的指令(比如触控功能、声音播放功能、图像播放功能等)、用于实现上述各个方法实施例的指令等。存储数据区还可以存储计算机设备100在使用中所创建的数据等。
屏幕130可以为触摸显示屏，该触摸显示屏用于接收用户使用手指、触摸笔等任何适合的物体在其上或附近的触摸操作，以及显示各个应用程序的用户界面。
除此之外，本领域技术人员可以理解，上述附图所示出的计算机设备100的结构并不构成对计算机设备100的限定，计算机设备可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。比如，计算机设备100中还包括射频电路、拍摄组件、传感器、音频电路、无线保真(Wireless Fidelity，WiFi)组件、电源、蓝牙组件等部件，在此不再赘述。
本申请实施例还提供了一种计算机可读介质，该计算机可读介质存储有至少一条指令，所述至少一条指令由所述处理器加载并执行以实现如上各个实施例所述的屏蔽罩接地性能的确定方法。
本申请实施例还提供了一种计算机程序产品，该计算机程序产品存储有至少一条指令，所述至少一条指令由所述处理器加载并执行以实现如上各个实施例所述的屏蔽罩接地性能的确定方法。
本领域技术人员应该可以意识到，在上述一个或多个示例中，本申请实施例所描述的功能可以用硬件、软件、固件或它们的任意组合来实现。当使用软件实现时，可以将这些功能存储在计算机可读介质中或者作为计算机可读介质上的一个或多个指令或代码进行传输。计算机可读介质包括计算机存储介质和通信介质，其中通信介质包括便于从一个地方向另一个地方传送计算机程序的任何介质。存储介质可以是通用或专用计算机能够存取的任何可用介质。
以上所述仅为本申请的较佳实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (16)
1.一种屏蔽罩接地性能的确定方法，其特征在于，所述方法包括：
确定屏蔽罩上的采样点，并获取各个所述采样点处的材料特性参数；
根据所述材料特性参数，通过预设的分布式阻抗公式计算各个所述采样点的分布式阻抗；
根据各个所述采样点的所述分布式阻抗，构建所述屏蔽罩对应的分布式阻抗矩阵；
根据所述分布式阻抗矩阵确定所述屏蔽罩的接地性能。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定屏蔽罩上的采样点，并获取各个所述采样点处的材料特性参数，包括：
根据所述屏蔽罩的尺寸确定采样步长；
根据所述采样步长，确定所述屏蔽罩上的各个所述采样点，各个所述采样点位于所述屏蔽罩上以所述采样步长为边长的各个正方形区域的中心；
分别获取各个所述采样点处的所述材料特性参数。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述材料特性参数包括：
各个所述采样点处屏蔽罩材料的屏蔽罩材料特性参数；
或，
各个所述采用点处屏蔽罩材料的屏蔽罩材料特性参数和辅助接地材料的辅助接地材料特性参数，所述辅助接地材料用于辅助所述屏蔽罩材料接地。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
所述屏蔽罩材料特性参数包括第一电导率、第一厚度参数、第一应力形变参数和第一接触参数中的至少一种；
所述辅助接地材料特性参数包括第二电导率、第二厚度参数、第二应力形变参数和第一接触参数中的至少一种。
5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述确定屏蔽罩上的采样点，并获取各个所述采样点处的材料特性参数之前，所述方法还包括：
获取多个测试件对应的分布式阻抗测量值，所述测试件包括屏蔽罩材料测试件和辅助接地材料测试件；
根据所述分布式阻抗测量值以及所述测试件对应的所述材料特性参数，确定所述预设的分布式阻抗公式中各项所述屏蔽罩材料特性参数对应的第一运算系数，以及各项所述辅助接地材料特性参数对应的第二运算系数。
6.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述根据所述分布式阻抗矩阵确定所述屏蔽罩的接地性能，包括：
根据所述分布式阻抗矩阵计算第一平均值，所述第一平均值是所述分布式阻抗矩阵中各项数据的平均值；
根据所述第一平均值确定所述屏蔽罩的接地性能，所述屏蔽罩的接地性能与所述第一平均值呈正相关关系。
7.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述根据所述分布式阻抗矩阵确定所述屏蔽罩的接地性能，包括：
确定所述屏蔽罩上的目标区域，所述目标区域与干扰源所在的区域对应；
确定所述分布式阻抗矩阵中与所述目标区域对应的矩阵区域；
计算所述矩阵区域中各项数据的第二平均值；
根据所述第二平均值确定所述目标区域处所述屏蔽罩的接地性能。
8.一种屏蔽罩接地性能的确定装置，其特征在于，所述装置包括：
采样模块，被配置为确定屏蔽罩上的采样点，并获取各个所述采样点处的材料特性参数；
计算模块，被配置为根据所述材料特性参数，通过预设的分布式阻抗公式计算各个所述采样点的分布式阻抗；
矩阵生成模块，被配置为根据各个所述采样点的所述分布式阻抗，构建所述屏蔽罩对应的分布式阻抗矩阵；
分析模块，被配置为根据所述分布式阻抗矩阵确定所述屏蔽罩的接地性能。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述采样模块，包括：
采样步长确定单元，被配置为根据所述屏蔽罩的尺寸确定采样步长；
采样点确定单元，被配置为根据所述采样步长，确定所述屏蔽罩上的各个所述采样点，各个所述采样点位于所述屏蔽罩上以所述采样步长为边长的各个正方形区域的中心；
获取单元，被配置为分别获取各个所述采样点处的所述材料特性参数。
10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述材料特性参数包括：
各个所述采样点处屏蔽罩材料的屏蔽罩材料特性参数；
或，
各个所述采用点处屏蔽罩材料的屏蔽罩材料特性参数和辅助接地材料的辅助接地材料特性参数，所述辅助接地材料用于辅助所述屏蔽罩材料接地。
11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，
所述屏蔽罩材料特性参数包括第一电导率、第一厚度参数、第一应力形变参数和第一接触参数中的至少一种；
所述辅助接地材料特性参数包括第二电导率、第二厚度参数、第二应力形变参数和第一接触参数中的至少一种。
12.根据权利要求8至11任一所述的装置，其特征在于，所述装置，还包括：
获取模块，被配置为获取多个测试件对应的分布式阻抗测量值，所述测试件包括屏蔽罩材料测试件和辅助接地材料测试件；
运算系数确定模块，被配置为根据所述分布式阻抗测量值以及所述测试件对应的所述材料特性参数，确定所述预设的分布式阻抗公式中各项所述屏蔽罩材料特性参数对应的第一运算系数，以及各项所述辅助接地材料特性参数对应的第二运算系数。
13.根据权利要求8至11任一所述的装置，其特征在于，所述分析模块，包括：
第一计算单元，被配置为根据所述分布式阻抗矩阵计算第一平均值，所述第一平均值是所述分布式阻抗矩阵中各项数据的平均值；
第一分析单元，被配置为根据所述第一平均值确定所述屏蔽罩的接地性能，所述屏蔽罩的接地性能与所述第一平均值呈正相关关系。
14.根据权利要求8至11任一所述的装置，其特征在于，所述分析模块，包括：
目标区域确定单元，被配置为确定所述屏蔽罩上的目标区域，所述目标区域与干扰源所在的区域对应；
目标区域矩阵生成单元，被配置为确定所述分布式阻抗矩阵中与所述目标区域对应的矩阵区域；
第二计算单元，被配置为计算所述矩阵区域中各项数据的第二平均值；
第二分析单元，被配置为根据所述第二平均值确定所述目标区域处所述屏蔽罩的接地性能。
15.一种计算机设备，其特征在于，所述计算机设备包括处理器和存储器；所述存储器存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被所述处理器执行以实现如权利要求1至7任一所述的屏蔽罩接地性能的确定方法。
16.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被处理器执行以实现如权利要求1至7任一所述的屏蔽罩接地性能的确定方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201910381101.0A CN112001054A (zh) | 2019-05-08 | 2019-05-08 | 屏蔽罩接地性能的确定方法、装置、设备及存储介质 |
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| CN112001054A true CN112001054A (zh) | 2020-11-27 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2019-05-08 CN CN201910381101.0A patent/CN112001054A/zh active Pending
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