CN111987188A - 一种钝化接触电池的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种钝化接触电池的制备方法，包括如下步骤：1）选取硅片；2）制绒；3）制正面发射极；4）去除表面氧化物；5）制超薄氧化层；6）局部沉积重掺杂非晶硅；7）非晶硅退火；8）背面刻蚀和抛光；9）制背面掺杂层；10）去除表面氧化物；11）制正面和背面钝化层；12）制正面和背面金属电极。本发明通过激光转印在硅片正面直接局部沉积重掺杂非晶硅，进而实现钝化电池正面金属接触区域；本发明仅在金属接触区域沉积重掺杂非晶硅，可省去去除金属接触区域外掺杂非晶硅的步骤，也可省去在金属接触区域制备掩膜的步骤，进而可避免因采用掩膜腐蚀法而出现金属接触区域外非晶硅去除不干净以及金属接触区域外绒面被破坏的问题。

Description

一种钝化接触电池的制备方法
技术领域
本发明涉及一种钝化接触电池的制备方法。
背景技术
在晶硅太阳电池制造技术中，随着技术进步，硅片质量逐步提升，硅片表面钝化效果和金属化接触区域的复合逐渐成为限制太阳电池转换效率的主要瓶颈。近年来基于非晶硅的钝化接触电池技术成为有效降低电池表面复合和接触复合的技术手段。典型的钝化接触电池包含HJT（异质结技术）电池以及演变而来的TOPCon（超薄隧穿氧化层钝化接触）电池等已被广泛研究。
HJT电池和TOPCon电池存在一些问题：
1、HJT电池正面也采用钝化接触技术，但HJT电池正面多晶硅层吸光系数高，限制电池太阳光的吸收率。
2、HJT电池在高温下多晶硅层稳定性差，导致钝化效果下降；只能选择低温金属化方案从而引入新的技术问题。
3、TOPCon电池正面没有使用钝化接触技术化不存在电池正面吸光问题，但是电池正面金属化区域的复合问题没有得到有效解决。
为解决上述问题，出现一种新的钝化接触太阳电池的制备方法，其采用掩膜腐蚀的方法，制备出局部覆盖（正面金属接触区域下方覆盖）掺杂多晶硅以及隧穿氧化层的钝化接触电池。申请号为201910837716.X的中国专利公开了一种局域接触钝化太阳电池的制备方法，该专利即采用了掩膜腐蚀的方法，先在硅片正面的隧穿氧化层上整面沉积掺杂非晶硅层，再在硅片正面的掺杂非晶硅层上沉积图形化的掩膜，再去除非掩膜区域的掺杂非晶硅。显然，掩膜腐蚀的方法步骤比较多，需要去除非掩膜区域的掺杂非晶硅，而在腐蚀去除金属接触区域外的非晶硅时，容易出现非晶硅去除不干净以及金属接触区域外绒面被破坏的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种钝化接触电池的制备方法，其通过激光转印在硅片正面直接局部沉积重掺杂非晶硅，进而实现钝化电池正面金属接触区域；本发明仅在金属接触区域沉积重掺杂非晶硅，故可省去去除金属接触区域外掺杂非晶硅的步骤，也可省去在金属接触区域制备掩膜的步骤，进而可避免因采用掩膜腐蚀法而出现金属接触区域外非晶硅去除不干净以及金属接触区域外绒面被破坏的问题。
为实现上述目的，本发明的技术方案是设计一种钝化接触电池的制备方法，包括如下步骤：
1）选取硅片：根据电池类型性选择相对应的硅片；
2）制绒：对硅片进行制绒，在硅片表面形成陷光结构；
3）制备硅片正面发射极；
4）去除硅片表面氧化物：通过酸洗，将硅片表面在制作正面发射极过程中形成的氧化物去除；
5）制备超薄氧化层：在正面发射极表面制备超薄氧化层；
6）沉积重掺杂非晶硅：通过激光转印，在硅片正面局部沉积重掺杂非晶硅，重掺杂非晶硅的沉积区域与电池正面电极图形相对应；
激光转印的具体步骤包括：
采用背面覆盖有重掺杂非晶硅的透明载板作为靶材，重掺杂非晶硅中的掺杂元素与正面发射极的掺杂元素相同，且重掺杂非晶硅的掺杂浓度高于正面发射极的掺杂浓度；透明载板可选用石英板；靶材背面重掺杂非晶硅的厚度为30～300nm；
将靶材置于硅片附近，靶材背面朝向硅片正面，靶材背面与硅片正面的间距控制在0.2～2mm，使用激光扫描靶材正面，激光扫描区域与电池正面电极图形相对应；
与激光扫描区域相对应的背面重掺杂非晶硅吸收激光能量并蒸发，背面蒸发的非晶硅脱离靶材并转移至硅片表面，实现硅片正面局部沉积重掺杂非晶硅；
透明载板的正面也覆盖有重掺杂非晶硅，且使用激光扫描靶材正面后，位于激光扫描区域的正面重掺杂非晶硅先吸收激光能量并蒸发至环境中，然后与激光扫描区域相对应的背面重掺杂非晶硅吸收激光能量并蒸发，背面蒸发的非晶硅脱离靶材并转移至硅片表面，实现硅片正面局部沉积重掺杂非晶硅；
7）非晶硅退火：将硅片正面局部沉积的重掺杂非晶硅晶化成为多晶硅，并激活多晶硅内的掺杂元素；
8）背面刻蚀和抛光：对硅片背面进行刻蚀，去除硅片背面和边沿在制备硅片正面发射极过程中形成的绕扩，并对电池背面进行抛光；硅片正面氧化物（包括隧穿氧化层以及退火过程形成的氧化层）被保留下来；
9）制备背面掺杂层；
10）去除硅片表面氧化物：通过酸洗，去除硅片正背面的氧化物；
11）制备硅片正面和背面钝化层；
12）制备硅片正面和背面金属电极。
本发明的优点和有益效果在于：提供一种钝化接触电池的制备方法，其通过激光转印在硅片正面直接局部沉积重掺杂非晶硅，进而实现钝化电池正面金属接触区域；本发明仅在金属接触区域沉积重掺杂非晶硅，故可省去去除金属接触区域外掺杂非晶硅的步骤，也可省去在金属接触区域制备掩膜的步骤，进而可避免因采用掩膜腐蚀法而出现金属接触区域外非晶硅去除不干净以及金属接触区域外绒面被破坏的问题。
本发明经过步骤3）制作硅片正面发射极，硅片表面会生长一层含有掺杂源的氧化层，这种氧化层不能够作为TOPCon结构的超薄隧穿氧化层，需要去除；故本发明步骤4）通过酸洗，将硅片表面在制作正面发射极过程中形成的氧化物去除。
本发明需要在电池正面金属电极下方制作局部TOPCon结构，局部TOPCon由超薄隧穿氧化层和局部重掺杂非晶硅组成。本发明步骤5）在正面发射极表面制备超薄氧化层，超薄隧穿氧化层在硅片表面具有钝化效果，能够较小少子在硅片表面的复合。本发明步骤6）通过激光转印，在硅片正面局部沉积重掺杂非晶硅，重掺杂非晶硅的沉积区域与电池正面电极图形相对应；重掺杂非晶硅中的掺杂元素与硅片正面发射极相同且掺杂浓度高于硅片正面发射极，能够促进少子的收集，抑制多子的进入，起到降低其与正面金属电极的接触复合和接触电阻，钝化接触区域的效果。
本发明经过步骤6）在硅片正面沉积了重掺杂非晶硅，由于是非晶形态并且掺杂元素没有激活，故需要经过本发明步骤7）的退火将非晶硅晶化成为多晶硅并激活多晶硅内掺杂元素。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
本发明提供一种钝化接触电池的制备方法，包括如下步骤：
1）选取硅片：根据电池类型性选择相对应的硅片；
硅片可以是p型单晶硅片、p型多晶硅片、n型单晶硅片等；
2）制绒：对硅片进行制绒，在硅片表面形成陷光结构；
对硅片进行制绒的方案应根据硅片类型进行选择；
对表面为（100）晶相单晶硅片，可选择碱制绒或其他各向异性腐蚀制绒方法；
对多晶硅片或铸锭单晶硅片，可选择酸制绒或其他各项同性腐蚀制绒方法；
3）制备硅片正面发射极；
硅片正面发射极为同质结均匀发射极；
硅片正面发射极的类型和制作方法可根据电池类型和不同的技术手段进行灵活选择，发射极的方块电阻和掺杂浓度等参数可根据需要设定；
可通过均匀磷掺杂或均匀硼掺杂的方法在硅片正面形成n型或p型发射极；
可通过管式扩散、掺杂源旋涂、离子注入等方法进行掺杂；
4）去除硅片表面氧化物：通过氢氟酸清洗，将硅片表面在制作正面发射极过程中形成的氧化物去除；
5）制备超薄氧化层：在正面发射极表面制备超薄氧化层；
可通过热硝酸氧化、臭氧氧化、热氧化、化学气相沉积等方法，在正面发射极表面制备超薄氧化层；
超薄氧化层的厚度为0.5～5nm；
6）沉积重掺杂非晶硅：通过激光转印，在硅片正面局部沉积重掺杂非晶硅，重掺杂非晶硅的沉积区域与电池正面电极图形相对应；
激光转印的具体步骤包括：
采用背面覆盖有重掺杂非晶硅的透明载板作为靶材，重掺杂非晶硅中的掺杂元素与正面发射极的掺杂元素相同，且重掺杂非晶硅的掺杂浓度高于正面发射极的掺杂浓度；透明载板可选用石英板；靶材背面重掺杂非晶硅的厚度为30～300nm；
将靶材置于硅片附近，靶材背面朝向硅片正面，靶材背面与硅片正面的间距控制在0.2～2mm，使用激光扫描靶材正面，激光扫描区域与电池正面电极图形相对应；
与激光扫描区域相对应的背面重掺杂非晶硅吸收激光能量并蒸发，背面蒸发的非晶硅脱离靶材并转移至硅片表面，实现硅片正面局部沉积重掺杂非晶硅；
透明载板的正面也覆盖有重掺杂非晶硅，且使用激光扫描靶材正面后，位于激光扫描区域的正面重掺杂非晶硅先吸收激光能量并蒸发至环境中，然后与激光扫描区域相对应的背面重掺杂非晶硅吸收激光能量并蒸发，背面蒸发的非晶硅脱离靶材并转移至硅片表面，实现硅片正面局部沉积重掺杂非晶硅；
7）非晶硅退火：将硅片正面局部沉积的重掺杂非晶硅晶化成为多晶硅，并激活多晶硅内的掺杂元素；
可通过管式高温炉进行非晶硅退火，退火温度850～1000℃，时间30～60min，氮气流量5～20SLM，氧气流量0～15SLM；退火后多晶硅方块电阻低于正面发射极方块电阻；
8）背面刻蚀和抛光：对硅片背面进行刻蚀，去除硅片背面和边沿在制备硅片正面发射极过程中形成的绕扩，并对电池背面进行抛光；
可通过碱抛光或酸刻蚀对硅片背面进行刻蚀；
碱抛光的具体步骤包括：硅片背面以水上漂方式通过氢氟酸溶液，将硅片背面的硼硅玻璃去除干净；然后采用3～8wt%的氢氧化钾或氢氧化钠溶液对硅片背面进行抛光，抛光温度为50～80℃，抛光时间为30～300s；碱抛光后硅片正面氧化物（包括隧穿氧化层以及退火过程形成的氧化层）被保留下来；
酸刻蚀的具体步骤包括：硅片背面以水上漂方式通过氢氟酸和硝酸混合溶液，对硅片背面进行腐蚀，氢氟酸浓度为4%～14%,硝酸浓度为15%～40%，溶液温度2～20℃；酸刻蚀后硅片正面氧化物（包括隧穿氧化层以及退火过程形成的氧化层）被保留下来；9）制备背面掺杂层：在硅片背面制备背面掺杂层；
背面掺杂层可以选用与硅片掺杂类型相同的掺杂或与硅片掺杂类型相同的TOPCon层；
若背面掺杂层选用与硅片掺杂类型相同的掺杂，则硅片背面掺杂区域可以选择与电池背面电极图形相对应的局部掺杂或整面的均匀掺杂；掺杂方式不限，背面掺杂层掺杂浓度高于硅片掺杂浓度；
若背面掺杂层选用与硅片掺杂类型相同的TOPCon层，则背面TOPCon层为整面覆盖，背面TOPCon层的制备方式不限，非晶硅或多晶硅掺杂浓度大于硅片掺杂浓度；背面TOPCon层中隧穿氧化层厚度为0.5～5nm，背面TOPCon层中多晶硅层厚度为30～300nm；
10）去除硅片表面氧化物：通过酸洗，去除硅片正背面的氧化物；
11）制备硅片正面和背面钝化层；
电池正面和背面钝化层的材料可选择氮化硅、氧化铝、氧化硅等具有钝化性能材料中的一种或几种，钝化层制备方式不限；
若背面掺杂层选用与硅片掺杂类型相同的TOPCon层，则可省去步骤10）直接进行步骤11）；
12）制备硅片正面和背面金属电极；
可通过丝网印刷加烧结、电镀、蒸镀等方式在硅片正面和背面制备金属电极；
可通过丝网印刷加烧结、电镀、蒸镀等方式在硅片正面和背面制备金属电极；
硅片正面金属电极与局部重掺杂非晶硅区域相对应，正面金属电极可为等间距栅线状或其他图形分布；
硅片背面金属电极可为局部覆盖或整面覆盖，其他制备条件不限；
若背面掺杂层为局部掺杂，则背面金属电极为局部覆盖并与局部掺杂区域相对应，其他制备条件不限；
若硅片背面掺杂层为整面的均匀掺杂，则背面金属电极为整面覆盖并通过局部开孔的方式与背面掺杂区域接触，其他制备条件不限；
若硅片背面掺杂层为与硅片掺杂类型相同的TOPCon层且没有背面钝化层，则背面金属电极为整面覆盖；
若硅片背面掺杂层为与硅片掺杂类型相同的TOPCon层且具有背面钝化层，背面金属电极为局部覆盖。
本发明的具体实施例如下：
实施例1
本发明实施例1的步骤如下：
1）选取p型（100）晶向单晶硅片（硅片掺杂类型为硼掺杂）；
2）对硅片进行碱制绒，在硅片表面形成陷光结构；
3）制备硅片正面发射极，硅片正面发射极的类型为均匀磷掺杂，通过管式扩散的方法进行掺杂，发射极的方块电阻90Ω/□；
4）通过氢氟酸清洗，将硅片表面在制作正面发射极过程中形成的氧化物去除；
5）制备超薄氧化层：通过热硝酸氧化的方法，在正面发射极表面制备超薄氧化层，超薄氧化层厚度1.5nm；
6）沉积重掺杂非晶硅：通过激光转印，在硅片正面局部沉积重掺杂非晶硅，重掺杂非晶硅的沉积区域按等间距栅线状图案分布并与最终电池正面电极图形相对应；
激光转印的具体步骤包括：
采用背面覆盖有重掺杂非晶硅的石英板作为靶材，石英板面积大于硅片面积，重掺杂非晶硅中的掺杂元素为磷元素，且重掺杂非晶硅的掺杂浓度高于正面发射极的掺杂浓度；靶材背面重掺杂非晶硅的厚度为100nm；
将靶材置于硅片附近，靶材背面朝向硅片正面，靶材背面与硅片正面的间距控制在0.2mm，使用激光扫描靶材正面，激光扫描图形为等间距栅线状图案并与最终电池正面电极图形相对应，激光宽度100um；
与激光扫描区域相对应的背面重掺杂非晶硅吸收激光能量并蒸发，背面蒸发的非晶硅脱离靶材并转移至硅片表面，实现硅片正面局部沉积重掺杂非晶硅；
7）非晶硅退火，将硅片正面局部沉积的重掺杂非晶硅晶化成为多晶硅，并激活多晶硅内的磷元素；
过管式高温炉进行非晶硅退火，退火温度850℃，时间30min，氮气流量20SLM，氧气流量0SLM；退火后多晶硅方块电阻40Ω/□；
8）对硅片背面进行刻蚀，去除硅片背面和边沿在制备硅片正面发射极过程中形成的绕扩，并对电池背面进行抛光；
通过酸刻蚀对硅片背面进行刻蚀：硅片背面以水上漂方式通过氢氟酸和硝酸混合溶液，对硅片背面进行腐蚀，氢氟酸浓度为14%,硝酸浓度为40%，溶液温度8℃；酸刻蚀后硅片正面氧化物（包括隧穿氧化层以及退火过程形成的氧化层）被保留下来；
9）在硅片背面制备背面掺杂层：采用管式硼扩散的方法制备背面掺杂层，背面掺杂层方块电阻30Ω/□；
10）通过氢氟酸清洗，去除硅片正背面的氧化物；
11）制备硅片正面和背面钝化层：
电池正面钝化层为氮化硅和氧化硅组成的叠层钝化层，其中，氧化硅位于硅片和氮化硅之间，氮化硅厚度75nm、折射率2.05，氧化硅厚度2nm；
电池背面掺杂层为氮化硅和氧化铝的叠层钝化层，其中，氧化铝位于硅片和氮化硅之间，氮化硅厚度150nm、折射率2.0，氧化铝厚度20nm；
12）制备硅片正面和背面金属电极：
通过丝网印刷加烧结的方式在硅片正面和背面制备金属电极；
正面金属电极为栅线状等间距分布并覆盖与局部重掺杂非晶硅区域相对应；
背面金属电极为整面覆盖并通过局部开孔的方式与背面掺杂区域接触。
实施例2
本发明实施例2的步骤如下：
1）选取n型（100）晶向单晶硅片（硅片掺杂类型为磷掺杂）；
2）对硅片进行碱制绒，在硅片表面形成陷光结构；
3）制备硅片正面发射极，硅片正面发射极的类型为均匀硼掺杂，通过管式扩散的方法进行掺杂，发射极的方块电阻100Ω/□；
4）通过氢氟酸清洗，将硅片表面在制作正面发射极过程中形成的氧化物去除；
5）制备超薄氧化层：通过热硝酸氧化的方法，在正面发射极表面制备超薄氧化层，超薄氧化层厚度2nm；
6）沉积重掺杂非晶硅：通过激光转印，在硅片正面局部沉积重掺杂非晶硅，重掺杂非晶硅的沉积区域按等间距栅线状图案分布并与最终电池正面电极图形相对应；
激光转印的具体步骤包括：
采用正背面都覆盖有重掺杂非晶硅的石英板作为靶材，石英板面积大于硅片面积，重掺杂非晶硅中的掺杂元素为硼元素，且重掺杂非晶硅的掺杂浓度高于正面发射极的掺杂浓度；靶材正背面重掺杂非晶硅的厚度为150nm；
将靶材置于硅片附近，靶材背面朝向硅片正面，靶材背面与硅片正面的间距控制在2mm，使用激光扫描靶材正面，激光扫描图形为等间距栅线状图案并与最终电池正面电极图形相对应，激光宽度80um；
位于激光扫描区域的正面重掺杂非晶硅先吸收激光能量并蒸发至环境中，然后与激光扫描区域相对应的背面重掺杂非晶硅吸收激光能量并蒸发，背面蒸发的非晶硅脱离靶材并转移至硅片表面，实现硅片正面局部沉积重掺杂非晶硅；
7）非晶硅退火，将硅片正面局部沉积的重掺杂非晶硅晶化成为多晶硅，并激活多晶硅内的硼元素；
过管式高温炉进行非晶硅退火，退火温度950℃，时间50min，氮气流量15SLM，氧气流量5SLM；退火后多晶硅方块电阻50Ω/□；
8）对硅片背面进行刻蚀，去除硅片背面和边沿在制备硅片正面发射极过程中形成的绕扩，并对电池背面进行抛光；
通过酸刻蚀对硅片背面进行刻蚀：硅片背面以水上漂方式通过氢氟酸和硝酸混合溶液，对硅片背面进行腐蚀，氢氟酸浓度为14%,硝酸浓度为40%，溶液温度8℃；酸刻蚀后硅片正面氧化物（包括隧穿氧化层以及退火过程形成的氧化层）被保留下来；
9）在硅片背面制备背面掺杂层：
背面掺杂层采用与硅片掺杂类型相同的TOPCon层，包括超薄隧穿氧化层和掺磷多晶硅层，超薄隧穿氧化层位于硅片和掺磷多晶硅之间，超薄隧穿氧化层厚度1.5nm，掺磷多晶硅层厚度140nm，掺磷多晶硅层中磷掺杂浓度大于硅片掺杂浓度；
通过低压气象化学沉积的方法在硅片背面制作超薄隧穿氧化层和掺磷非晶硅层，再通过管式退火的方法对掺磷非晶硅层进行退火将非晶硅晶化成多晶硅并激活多晶硅中的磷元素；
10）通过氢氟酸清洗，去除硅片正背面的氧化物；
11）制备硅片正面和背面钝化层：
电池正面钝化层为氮化硅和氧化铝组成的叠层钝化层，其中，氧化铝位于硅片和氮化硅之间，氮化硅厚度75nm、折射率2.05，氧化铝厚度5nm；
电池背面钝化层为氮化硅，氮化硅厚度60nm、折射率1.9；
12）制备硅片正面和背面金属电极：
通过丝网印刷加烧结的方式在硅片正面和背面制备金属电极；
正面金属电极为栅线状等间距分布并覆盖与局部重掺杂非晶硅区域相对应；
背面金属电极为局部覆盖。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种钝化接触电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）选取硅片：根据电池类型性选择相对应的硅片；
2）制绒：对硅片进行制绒，在硅片表面形成陷光结构；
3）制备硅片正面发射极；
4）去除硅片表面氧化物：通过酸洗，将硅片表面在制作正面发射极过程中形成的氧化物去除；
5）制备超薄氧化层：在正面发射极表面制备超薄氧化层；
6）沉积重掺杂非晶硅：通过激光转印，在硅片正面局部沉积重掺杂非晶硅，重掺杂非晶硅的沉积区域与电池正面电极图形相对应；
7）非晶硅退火：将硅片正面局部沉积的重掺杂非晶硅晶化成为多晶硅，并激活多晶硅内的掺杂元素；
8）背面刻蚀和抛光：对硅片背面进行刻蚀，去除硅片背面和边沿在制备硅片正面发射极过程中形成的绕扩，并对电池背面进行抛光；
9）制备背面掺杂层：在硅片背面制备背面掺杂层；
10）去除硅片表面氧化物：通过酸洗，去除硅片正背面的氧化物；
11）制备硅片正面和背面钝化层；
12）制备硅片正面和背面金属电极。
2.根据权利要求1所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，步骤6）中，激光转印的具体步骤包括：
采用背面覆盖有重掺杂非晶硅的透明载板作为靶材，重掺杂非晶硅中的掺杂元素与正面发射极的掺杂元素相同，且重掺杂非晶硅的掺杂浓度高于正面发射极的掺杂浓度；
将靶材置于硅片附近，靶材背面朝向硅片正面，使用激光扫描靶材正面，激光扫描区域与电池正面电极图形相对应；
与激光扫描区域相对应的背面重掺杂非晶硅吸收激光能量并蒸发，背面蒸发的非晶硅脱离靶材并转移至硅片表面，实现硅片正面局部沉积重掺杂非晶硅。
3.根据权利要求2所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述透明载板的正面也覆盖有重掺杂非晶硅，且使用激光扫描靶材正面后，位于激光扫描区域的正面重掺杂非晶硅先吸收激光能量并蒸发至环境中，然后与激光扫描区域相对应的背面重掺杂非晶硅吸收激光能量并蒸发，背面蒸发的非晶硅脱离靶材并转移至硅片表面，实现硅片正面局部沉积重掺杂非晶硅。
4.根据权利要求2或3所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述透明载板为石英板。
5.根据权利要求2或3所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述靶材背面重掺杂非晶硅的厚度为30～300nm。
6.根据权利要求2或3所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述靶材背面与硅片正面的间距为0.2～2mm。
7.根据权利要求1所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，步骤7）中，通过管式高温炉进行非晶硅退火，退火温度850～1000℃，时间30～60min，氮气流量5～20SLM，氧气流量0～15SLM。
8.根据权利要求1所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，步骤8）中，通过碱抛光或酸刻蚀对硅片背面进行刻蚀。
9.根据权利要求8所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述碱抛光的具体步骤包括：硅片背面以水上漂方式通过氢氟酸溶液，将硅片背面的硼硅玻璃去除干净；然后采用3～8wt%的氢氧化钾或氢氧化钠溶液对硅片背面进行抛光，抛光温度为50～80℃，抛光时间为30～300s。
10.根据权利要求8所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述酸刻蚀的具体步骤包括：硅片背面以水上漂方式通过氢氟酸和硝酸混合溶液，对硅片背面进行腐蚀，氢氟酸浓度为4%～14%,硝酸浓度为15%～40%，溶液温度2～20℃。
11.根据权利要求1所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，步骤9）中，背面掺杂层选用与硅片掺杂类型相同的掺杂或与硅片掺杂类型相同的TOPCon层；
若背面掺杂层选用与硅片掺杂类型相同的掺杂，则硅片背面掺杂区域选择与电池背面电极图形相对应的局部掺杂或整面的均匀掺杂；背面掺杂层掺杂浓度高于硅片掺杂浓度；
若背面掺杂层选用与硅片掺杂类型相同的TOPCon层，则背面TOPCon层为整面覆盖；背面TOPCon层中隧穿氧化层厚度为0.5～5nm，背面TOPCon层中多晶硅层厚度为30～300nm，背面TOPCon层中多晶硅掺杂浓度大于硅片掺杂浓度。
12.根据权利要求11所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，步骤12）中，若背面掺杂层为局部掺杂，则背面金属电极为局部覆盖并与局部掺杂区域相对应；
若硅片背面掺杂层为整面的均匀掺杂，则背面金属电极为整面覆盖并通过局部开孔的方式与背面掺杂区域接触；
若硅片背面掺杂层为与硅片掺杂类型相同的TOPCon层且没有背面钝化层，则背面金属电极为整面覆盖；
若硅片背面掺杂层为与硅片掺杂类型相同的TOPCon层且具有背面钝化层，背面金属电极为局部覆盖。
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