CN111952397A - 指纹传感器和指纹传感器阵列以及设备 - Google Patents

指纹传感器和指纹传感器阵列以及设备 Download PDF

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Abstract

本发明涉及指纹传感器和指纹传感器阵列以及设备。该指纹传感器可以包括第一电极和第二电极、不与第一电极和第二电极直接接触的光吸收层、以及在第一电极与光吸收层之间并且还在第二电极与光吸收层之间的绝缘层。反射层可以在光吸收层与第一电极之间。绝缘层可以包括在第一电极与光吸收层之间的第一绝缘层以及在第二电极与光吸收层之间的第二绝缘层。包括多个指纹传感器的指纹传感器阵列可以至少部分地暴露其上安置指纹传感器阵列的显示面板的多个子像素。

Description

指纹传感器和指纹传感器阵列以及设备
技术领域
公开了指纹传感器、指纹传感器阵列以及设备。
背景技术
随着近年来电子设备的安全性变得更加重要，电子设备包括各种用户认证功能以向被认证的用户提供服务。这些用户认证功能之一是指纹认证功能。指纹认证功能可以使用指纹传感器来执行，该指纹传感器可以确定用户的指纹与预先存储的指纹之间的对应关系。
发明内容
一些示例实施方式提供了配置为用简单的结构和工艺实现改善的性能的一种或更多种指纹传感器。
一些示例实施方式提供了包括所述一种或更多种指纹传感器的一种或更多种指纹传感器阵列。
一些示例实施方式提供了包括所述一种或更多种指纹传感器和/或所述一种或更多种指纹传感器阵列的一种或更多种设备。
根据一些示例实施方式，一种指纹传感器可以包括：第一电极；第二电极；不与第一电极直接接触的光吸收层，该光吸收层不与第二电极直接接触；以及绝缘层，在第一电极与光吸收层之间以及在第二电极与光吸收层之间。
光吸收层可以包括p型半导体和n型半导体，p型半导体和n型半导体中的至少一个可以是配置为吸收可见波长区域的至少一部分中的光的吸光材料。
吸光材料可以包括有机吸光材料。
指纹传感器还可以包括在光吸收层与第一电极之间的反射层。
第一电极和第二电极可以在光吸收层的彼此相反侧，使得光吸收层在第一电极与第二电极之间。绝缘层可以包括在第一电极与光吸收层之间的第一绝缘层以及在第二电极与光吸收层之间的第二绝缘层。
第一电极和第二电极可以在光吸收层的相同侧上彼此平行，绝缘层和光吸收层可以每个在第一电极和第二电极两者上。
指纹传感器可以被配置为感测取决于光吸收层中吸收的光的强度的电容变化。
指纹传感器可以被配置为没有取决于光吸收层中吸收的光的强度的实质性的电流变化。
一种指纹传感器阵列可以包括所述指纹传感器。
一种设备可以包括所述指纹传感器。
根据一些示例实施方式，一种设备可以包括：显示面板，配置为在显示面板的显示区域中显示图像；以及在显示面板上的指纹传感器阵列。指纹传感器阵列可以包括多个指纹传感器。所述多个指纹传感器中的每个指纹传感器可以包括：第一电极；第二电极；不与第一电极直接接触的光吸收层，该光吸收层不与第二电极直接接触；以及绝缘层，在第一电极与光吸收层之间以及在第二电极与光吸收层之间。
所述多个指纹传感器在显示面板的显示区域的一些或全部中。
显示面板的显示区域可以包括：有源区，包括配置为发光的多个子像素；以及非有源区，不包括所述多个子像素。所述多个指纹传感器可以在非有源区中，使得所述多个指纹传感器至少部分地不垂直重叠所述多个子像素中的任何子像素。
所述多个指纹传感器可以各自垂直地重叠显示面板的在所述多个子像素中的至少两个相邻子像素之间的单独部分。
每个指纹传感器还可以包括在光吸收层与第一电极之间的反射层。
第一电极可以在第一方向上延伸。第二电极可以在与第一方向交叉的第二方向上延伸。光吸收层可以在第一电极和第二电极的桥处在第一电极和第二电极之间。
绝缘层可以包括在第一电极与光吸收层之间的第一绝缘层以及在第二电极与光吸收层之间的第二绝缘层。
第一电极和第二电极可以在光吸收层的相同侧上彼此平行，绝缘层和光吸收层可以每个在第一电极和第二电极两者上。
光吸收层可以包括p型半导体和n型半导体，p型半导体和n型半导体中的至少一个可以是配置为吸收可见波长区域的至少一部分中的光的吸光材料。
每个指纹传感器可以被配置为感测取决于每个指纹传感器的光吸收层中吸收的光的强度的电容变化。每个指纹传感器可以被配置为没有取决于每个指纹传感器的光吸收层中吸收的光的强度的实质性的电流变化。
根据一些示例实施方式，一种设备可以包括：包括多个子像素的显示面板，所述多个子像素通过显示面板的一个或更多个非有源区不彼此直接接触；以及在显示面板上的指纹传感器阵列，指纹传感器阵列包括多个指纹传感器，所述多个指纹传感器中的每个单独的指纹传感器至少部分地重叠显示面板的所述一个或更多个非有源区的单独部分，使得所述多个子像素至少部分地被所述多个指纹传感器暴露。每个指纹传感器可以包括：第一电极；第二电极；不与第一电极直接接触的光吸收层，该光吸收层不与第二电极直接接触；以及绝缘层，在第一电极与光吸收层之间以及在第二电极与光吸收层之间。
设备还可以包括存储指令程序的存储器以及处理器，该处理器被配置为执行指令程序以：控制显示面板，以使所述多个子像素中的一个或更多个子像素发光；基于所述多个指纹传感器的光吸收层中的电容变化，驱动指纹传感器阵列，以使所述多个指纹传感器生成单独的相应电信号，所述电容变化是响应于发射光由对象的反射；基于电信号生成对象的图像；将生成的图像与存储的图像进行比较；以及基于确定生成的图像是否在阈值置信水平内与存储的图像相匹配，经由设备的用户界面选择性地授予对设备的至少一部分的用户访问。
显示面板的至少一部分可以是弯曲部分，所述多个指纹传感器中的至少一个指纹传感器可以在显示面板的弯曲部分上。
所述多个指纹传感器中的一个或更多个指纹传感器的至少两个集合可以具有不同的结构。
一个或更多个指纹传感器中的至少一个集合可以在显示面板上限定图案。
所述多个指纹传感器中的每个指纹传感器还可以包括在光吸收层与第一电极之间的反射层。
第一电极可以在第一方向上延伸，第二电极可以在与第一方向交叉的第二方向上延伸，光吸收层可以在第一电极和第二电极的桥处在第一电极与第二电极之间。
绝缘层可以包括在第一电极与光吸收层之间的第一绝缘层以及在第二电极与光吸收层之间的第二绝缘层。
第一电极和第二电极可以在光吸收层的相同侧上彼此平行地延伸，绝缘层和光吸收层可以每个在第一电极和第二电极两者上。
光吸收层可以包括p型半导体和n型半导体，p型半导体和n型半导体中的至少一个可以是配置为吸收可见波长区域的至少一部分中的光的吸光材料。
每个指纹传感器可以被配置为感测取决于指纹传感器的光吸收层中吸收的光的量的电容变化，每个指纹传感器可以被配置为没有取决于指纹传感器的光吸收层中吸收的光的量的实质性的电流变化。
可以用简单的结构和工艺来实现改善的指纹感测性能。
附图说明
图1是示出根据一些示例实施方式的指纹传感器阵列的一示例的剖视图，
图2是示出根据一些示例实施方式的指纹传感器的一示例的剖视图，
图3是示意性示出根据一些示例实施方式的指纹传感器的另一示例的剖视图，
图4是示意性示出根据一些示例实施方式的指纹传感器的另一示例的剖视图，
图5是示意性示出根据一些示例实施方式的指纹传感器的另一示例的剖视图，
图6是示出根据一些示例实施方式的指纹传感器的原理的示意图，
图7是示出根据一些示例实施方式的显示设备的示意图，
图8是示出图7的显示设备的设置的剖视图，
图9是示出图7的显示设备的设置的一示例的示意图，
图10是示出图7的显示设备的设置的另一示例的示意图，
图11是图10的X部分的放大示意图，
图12是示出图7的显示设备的设置的另一示例的示意图，
图13是示出对于根据一些示例实施方式的指纹传感器取决于样品的光量的电容变化的曲线图，
图14是示出对于根据一些示例实施方式的指纹传感器取决于样品的光量的电流特性的曲线图，
图15是根据一些示例实施方式的显示设备的视图，
图16是示出根据一些示例实施方式的显示设备的示意图，以及
图17是示出根据一些示例实施方式的包括一个或更多个显示面板的设备的图。
具体实施方式
在下文中，将详细描述一些示例实施方式，以方便本技术领域的技术人员。然而，实际应用的结构可以以各种不同的形式体现，并且不限于下面描述的示例实施方式。
在附图中，为清楚起见，层、膜、面板、区域等的厚度被夸大。
将理解，当诸如一层、膜、区域或基板的元件被称为“在”另一元件“上”时，它可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在居间元件。相反，当一元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在居间元件。
在下文中，将描述根据一些示例实施方式的指纹传感器。
图1是示出根据一些示例实施方式的指纹传感器阵列的一示例的剖视图，图2是示出根据一些示例实施方式的指纹传感器的一示例的剖视图。
参照图1和图2，根据一些示例实施方式的指纹传感器10包括第一电极11和第二电极12、在第一电极11与第二电极12之间的光吸收层13以及在第一电极11与光吸收层13之间和在第二电极12与光吸收层13之间的绝缘层14。
指纹传感器10可以由下基板31支撑(例如，可以由下基板31在结构上支撑)，并且可以用上基板32覆盖。然而，下基板31和上基板32中的至少一个可以被省略。下基板31和上基板32可以例如由以下制成(例如，可以至少部分地包括)：无机材料，诸如玻璃；有机材料，诸如聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰胺、聚醚砜或其组合；或者硅晶片。
第一电极11的主表面和第二电极12的主表面彼此面对(例如，是彼此相对的表面)。
第一电极11和第二电极12中的一个是阳极，另一个是阴极。例如，第一电极11可以是阴极，第二电极12可以是阳极。例如，第一电极11可以是阳极，第二电极12可以是阴极。
第一电极11和第二电极12中的至少一个可以是透明电极。这里，透明电极可以具有大于或等于约80％、大于或等于约85％、大于或等于约88％或大于或等于约90％或者大于或等于约95％的高透光率，并且可以包括例如氧化物导体、碳导体和/或金属薄膜。氧化物导体可以包括例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌锡氧化物(ZTO)、铝锡氧化物(AlTO)和铝锌氧化物(AZO)中的一种或更多种。碳导体可以是例如石墨烯和碳纳米结构中的一种或更多种。金属薄膜可以是具有几纳米或几十纳米的薄厚度的金属薄层，或者是具有几纳米至几十纳米的薄厚度的掺杂有金属氧化物的单层或多层的金属薄层。
当术语“约”或“基本上”在本说明书中与数值结合使用时，其意图是相关数值包括围绕所述及的数值的±10％或优选±5％的公差。当范围被指定时，该范围包括其间的所有值，诸如0.1％的增量。
第一电极11和第二电极12中的一个可以是反射电极。反射电极可以具有例如小于约10％的透光率或者大于或等于约5％的高反射率。例如，反射电极可以包括诸如金属的反射导体，并且可以包括例如铝(Al)、银(Ag)、金(Au)或其合金。
例如，第一电极11和第二电极12可以分别是透明电极。例如，第一电极11可以是反射电极，第二电极12可以是透明电极。例如，第一电极11可以是透明电极，第二电极12可以是反射电极。
第一电极11和第二电极12可以具有各种形状，并且可以各自独立地具有在一个方向上延伸的棒形、片形或菱形，但不限于此。
如图2所示，光吸收层13设置在第一电极11与第二电极12之间，并与第一电极11和第二电极12中的每个间隔开(例如，不与第一电极11和第二电极12中的每个直接接触)。即，光吸收层13不接触第一电极11和第二电极12。重申，光吸收层13可以不与第一电极11直接接触，并且光吸收层13可以不与第二电极12直接接触。
光吸收层13被配置为吸收光并基于这样的吸收度产生电荷(例如电信号)，并且可以被配置为吸收例如可见波长区域的至少一部分中的光，例如绿色波长区域中的光(在下文中称为“绿光”)、蓝色波长区域中的光(在下文中称为“蓝光”)和红色波长区域中的光(在下文中称为“红光”)中的至少一种。
光吸收层13可以包括一种或更多种吸光材料，该吸光材料不受特别限制，只要其可以被配置为吸收光以产生电荷。例如，吸光材料可以是有机吸光材料、无机吸光材料和有机/无机吸光材料。例如，吸光材料中的至少一种可以是有机吸光材料。
光吸收层13可以包括形成(例如建立)pn结的至少一种p型半导体和至少一种n型半导体，并且可以被配置为通过来自外部的光产生激子。p型半导体和n型半导体中的至少一个可以是配置为吸收可见波长区域(例如光的可见波长光谱)的至少一部分中的光的吸光材料。例如，p型半导体和n型半导体中的每个可以是吸光材料。
例如，p型半导体和n型半导体可以独立地是有机吸光材料、无机吸光材料和/或有机/无机吸光材料。例如，p型半导体和n型半导体中的至少一个可以是有机吸光材料。
光吸收层13可以包括双层，该双层包括含p型半导体的p型层和含n型半导体的n型层。这里，p型层和n型层的厚度比可以为约1:9至约9:1，例如约2:8至约8:2、约3:7至约7:3、约4:6至约6:4或者约5:5。
光吸收层13可以包括其中以体异质结形式混合p型半导体和n型半导体的本征层(I层)。这里，p型半导体和n型半导体可以以约1:9至约9:1，例如约2:8至约8:2、约3:7至约7:3、约4:6至约6:4或约5:5的体积比(厚度比)混合。
除了本征层之外，光吸收层13还可以包括p型层和/或n型层。p型层可以包括前述p型半导体，n型层可以包括前述n型半导体。例如，p型层和/或n型层可以以p型层/I层、I层/n型层、p型层/I层/n型层等的各种组合被包括。
如图2所示，第一电极11和第二电极12可以在光吸收层13的彼此相反侧，使得光吸收层13在第一电极11与第二电极12之间。如图2进一步所示，绝缘层14可以包括在第一电极11与光吸收层13之间的第一绝缘层14a。如图2所示，绝缘层14可以包括在第二电极12与光吸收层13之间的第二绝缘层14b。如图2所示，第一绝缘层14a可以直接在第一电极11与光吸收层13之间，使得第一绝缘层14a的彼此相反的表面分别直接接触第一电极11和光吸收层13。如图2所示，第二绝缘层14b可以直接在第二电极12和光吸收层13之间，使得第二绝缘层14b的彼此相反的表面分别直接接触第二电极12和光吸收层13。
第一绝缘层14a和第二绝缘层14b中的每个可以包括绝缘材料，这样的绝缘材料可以包括有机绝缘材料、无机绝缘材料和/或有机/无机绝缘材料。有机绝缘材料可以是例如聚乙烯酚、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯或其组合，无机绝缘材料可以是例如硅氧化物、硅氮化物、铝氧化物、铪氧化物、镁氧化物、锆氧化物、钛氧化物、钽氧化物或其组合，但不限于此。
第一绝缘层14a可以在第一电极11与光吸收层13之间将第一电极11和光吸收层13分开(例如可以是在第一电极11与光吸收层13之间的插置元件，以使第一电极11和光吸收层13不彼此直接接触)，从而被配置为阻止由光吸收层13中的光产生的电荷移动到第一电极11。第一绝缘层14a可以是第一电极11与光吸收层13之间的唯一插置元件。第二绝缘层14b可以在第二电极12和光吸收层13之间将第二电极12和光吸收层13分开(例如可以是在第二电极12和光吸收层13之间的插置元件，以使第二电极12和光吸收层13不彼此直接接触)，从而被配置为阻止由光吸收层13中的光产生的电荷移动到第二电极12。第二绝缘层14b可以是第二电极12与光吸收层13之间的唯一插置元件。因此，电流可以不在第一电极11与光吸收层13之间以及在第二电极12与光吸收层13之间流动，并且没有取决于光吸收层13所吸收的光的量的实质性的电流变化。
在一些示例实施方式中，当特定的(或备选地预定的)电压施加到第一电极11和第二电极12时，从光吸收层13中产生的激子分离的空穴和电子可以取决于第一电极11和第二电极12的正电压或负电压而垂直地极化，从而产生电场，并因此改变指纹传感器10的特定的(或备选地预定的)电容。这里，当大量(例如数量)的光被吸收在光吸收层13中时，可以产生许多电子和空穴，因而表现出高电容，当少量的光被吸收在光吸收层13中时，可以产生较少的电子和空穴，因而表现出低电容。因此，根据示例实施方式中的任何一个的指纹传感器10将被理解为配置成“感测”取决于指纹传感器10的光吸收层13中吸收的光的量(例如强度)的电容变化。换言之，根据一些示例实施方式的指纹传感器10可以被配置为通过利用电容变化来感测指纹，该电容变化取决于指纹传感器10的光吸收层13中吸收的光的量(例如，数量、强度等)。例如，指纹传感器10可以被配置为根据指纹传感器10中的电容变化而产生一个或更多个电信号，指纹传感器10中的该电容变化取决于光吸收层13中吸收的光的强度，其中所述电信号可以被处理以生成由指纹传感器10感测的指纹的图像的至少一部分。在一些示例实施方式中，在指纹传感器10的指纹传感器阵列被用来感测指纹的情况下，由该阵列的每个单独的指纹传感器10输出的电信号可以被处理，以生成由该阵列的指纹传感器10感测的指纹的图像的单独的像素。
图6是示出根据一些示例实施方式的指纹传感器的原理的示意图。
参照图6，在两个相邻指纹传感器10上的指纹FP可以具有不平坦的表面，因而在突出部分脊FP-1和凹入部分谷FP-2之间可以具有高度差，并且此高度差可以导致从指纹FP反射并因而由分别与指纹FP的突出部分和凹入部分重叠的指纹传感器吸收的光的量的变化。例如，如图6所示，指纹FP的紧密附贴到上基板32(例如与上基板32直接接触)的脊FP-1可以使少量的光从指纹FP反射到与脊FP-1垂直重叠的指纹传感器10的光吸收层13、或不使光从指纹FP反射到与脊FP-1垂直重叠的指纹传感器10的光吸收层13，使得在所述指纹传感器10中几乎不产生电荷或不产生电荷，而指纹FP的谷FP-2可以不紧密附贴到上基板32(例如可以通过插置的间隙空间而不与上基板32直接接触)并在其间(例如在间隙空间中)包括空气，因此，相对大量的光可以从指纹FP反射到与谷FP-2垂直重叠的指纹传感器10的光吸收层13，使得在与谷FP-2垂直重叠的所述指纹传感器10中(相对于与脊FP-1垂直重叠的指纹传感器10)产生相对大量的电荷。因此，在给定指纹传感器10的光吸收层13中吸收的光的量可以由与指纹FP的脊FP-1对应(例如垂直地重叠)的指纹传感器10和与指纹FP的谷FP-2对应的指纹传感器10之间的反射光的量的差异而变化，因此，取决于由指纹FP的不同部分反射到相应的对应指纹传感器10的光的量的变化的电容变化可以用来感测指纹FP的形状。感测到的指纹FP的形状可以用来生成指纹FP的指纹图像，并且所述生成的指纹图像可以与预先存储的指纹图像进行比较，以判断其对应关系。可以基于所生成的指纹图像是否被确定为在某一置信水平(例如，90％置信水平匹配)内与所存储的指纹图像匹配来选择性地授予给定用户的用户认证。
图3是示意性示出根据一些示例实施方式的指纹传感器的另一示例的剖视图。
参照图3，像一些示例实施方式一样，根据一些示例实施方式的指纹传感器10包括第一电极11、第二电极12、在第一电极11与第二电极12之间的光吸收层13以及在第一电极11与光吸收层13之间和在第二电极12与光吸收层13之间的绝缘层14。如上所述，绝缘层14包括第一绝缘层14a和第二绝缘层14b。
在一些示例实施方式中，指纹传感器10还包括反射层15。
反射层15可以设置在光吸收层13下方，例如，在第一电极11和光吸收层13之间，以及例如，在第一电极11和第一绝缘层14a之间。如图3所示，反射层15可以直接在第一绝缘层14a和第一电极11之间，从而作为它们之间的唯一插置元件。例如，反射层15可以防止不必要的光在第一电极11的方向上流入光吸收层13，因而通过限制没有在经过第二电极12和第二绝缘层14b延伸到光吸收层13的方向上从指纹反射的光的借助于光吸收层13的吸收来改善指纹传感器10的指纹感测性能。
图4是示意性示出根据一些示例实施方式的指纹传感器的另一示例的剖视图。
参照图4，像前述示例实施方式一样，根据一些示例实施方式的指纹传感器10包括第一电极11、第二电极12、光吸收层13和绝缘层14。
在包括图4所示的示例实施方式的一些示例实施方式中，第一电极11和第二电极12彼此平行地(例如，如图4所示在与绝缘层14的下表面平行延伸的相同轴线上)设置，其中第一电极11的一个侧表面面对第二电极12的一个侧表面(例如，第一电极11和第二电极12包括彼此相对的侧表面)。重申，第一电极11和第二电极12可以在光吸收层13的相同侧上彼此平行。因此，当特定的(或备选地预定的)电压施加到第一电极11和第二电极12时，从光吸收层13中产生的激子分离的电子和空穴可以取决于第一电极11和第二电极12的正电压或负电压在水平方向上被极化，因而产生电场。
在一些示例实施方式中，绝缘层14可以公共地定位在第一电极11与光吸收层13之间以及在第二电极12与光吸收层13之间。重申，如图4所示，绝缘层14可以在光吸收层13与第一电极11和第二电极12两者之间。重申，绝缘层14和光吸收层13每个在第一电极11和第二电极12两者上。绝缘层14可以分别使第一电极11不与光吸收层13直接接触并使第二电极12不与光吸收层13直接接触(例如，使第一电极11与光吸收层13脱离直接接触并使第二电极12与光吸收层13脱离直接接触)，因而被配置为阻止由光吸收层13中的光产生的电荷朝第一电极11和第二电极12移动。如图4进一步所示，第一电极11和第二电极12可以(例如，通过插置的间隙空间)不彼此直接接触，并且可以经由绝缘层14间接地联接。
图5是示意性示出根据一些示例实施方式的指纹传感器的另一示例的剖视图。
参照图5，像一些示例实施方式一样，根据一些示例实施方式的指纹传感器10包括彼此平行设置的第一电极11、第二电极12、光吸收层13和绝缘层14。
在一些示例实施方式中，指纹传感器10还包括反射层15。
反射层15可以设置在光吸收层13下方，例如，在第一和第二电极11和12与光吸收层13之间，例如在第一和第二电极11和12与绝缘层14之间。重申且如图5所示，反射层15可以在光吸收层13与第一电极11和第二电极12两者之间。例如且如以上参照图3所示的反射层15所述，反射层15可以防止不必要的光流入光吸收层13，从而改善指纹感测性能。如图5进一步所示，第一电极11和第二电极12可以(例如，通过插置的间隙空间)不彼此直接接触，并且可以经由反射层15间接地联接。
前述指纹传感器10可以沿着行和/或列重复地设置，因而形成(例如，建立)指纹传感器阵列，使得该指纹传感器阵列包括指纹传感器10的阵列。该指纹传感器阵列可以被配置为从由该指纹传感器阵列的单独相应指纹传感器10感测的单独的电容变化来感测指纹形状，并且该指纹形状可以用来生成指纹图像，该指纹图像可与存储的指纹形状(例如存储的指纹图像)进行比较以判断它们之间的对应关系(例如，确定指纹形状/图像是否在至少阈值置信水平内匹配)。在一些示例实施方式中，指纹传感器阵列可以包括具有不同结构的指纹传感器10的阵列。例如，指纹传感器阵列的一些指纹传感器10可以具有图2所示的指纹传感器10的结构，并且相同指纹传感器阵列的一些指纹传感器10可以具有图3所示的指纹传感器10的结构，使得指纹传感器阵列的指纹传感器10的有限部分(例如一些但不是全部)可以包括反射层15。具有不同结构的指纹传感器10可以在指纹传感器阵列中以一种或更多种图案布置。例如，指纹传感器阵列可以包括指纹传感器10的中央区域和指纹传感器的外围(例如边缘)区域，该中央区域具有图2所示的指纹传感器10的结构，该外围区域具有图3所示的指纹传感器10的结构。
根据一些示例实施方式的指纹传感器10还可以包括光源(未示出)。
根据一些示例实施方式的指纹传感器10可以应用于各种设备(例如，包括在各种设备中)，所述各种设备被配置为执行指纹认证以准许用户访问所述设备的一个或更多个功能。例如，指纹传感器可以应用于智能电话、移动电话、平板电脑、个人计算机、膝上型计算机、个人数字助理(PDA)、企业数字助理(EDA)播放器、个人导航设备、可穿戴计算机、物联网(IoT)、万物互联(IoE)、无人机、数码相机、电子书、门锁、保险箱、自动柜员机(ATM)、汽车、其任意组合等。
在下文中，将描述根据一些示例实施方式的使用前述指纹传感器的设备的一示例。
这里，作为设备的一示例，内置指纹传感器的显示设备参照附图被描述。
图7是示出根据一些示例实施方式的显示设备的示意图，图8是示出图7的显示设备的设置的剖视图，图9是示出图7的显示设备的设置的一示例的示意图，图10是示出图7的显示设备的设置的另一示例的示意图，图11是图10的X部分的放大示意图，图12是示出图7的显示设备的设置的另一示例的示意图。
参照图7，根据一些示例实施方式的显示设备300包括显示面板200和指纹传感器阵列100。
显示面板200包括配置为显示图像的任何面板而不受特别限制，例如液晶显示面板、有机发光显示面板、微发光二极管显示面板或量子点显示面板，但示例实施方式不限于此。
显示面板200包括以阵列布置的多个像素。显示面板200包括布置成矩阵的多个子像素，其中显示面板200的每个像素包括单独的子像素集。子像素包括配置为显示红色(例如发射红光)的红色子像素R、配置为显示绿色(例如发射绿光)的绿色子像素G和配置为显示蓝色(例如发射蓝光)的蓝色子像素B，其中一个红色子像素R、一个绿色子像素G和一个蓝色子像素B共同形成(例如建立)显示面板200的单独像素。多个子像素重复地布置成矩阵，例如沿着行和/或列重复地布置。
参照图8，显示面板200包括显示面板200的配置为显示图像(例如发光)的区域，也就是显示区域DA，显示区域DA包括有源区a1和非有源区a2，有源区a1包括多个子像素R、G和B，非有源区a2是显示区域DA的不包括有源区a1(例如除有源区a1以外)的整个部分。重申，非有源区不包括显示面板200的多个子像素。非有源区a2可以包括在多个子像素R、G和B间(例如之间)的其中可设置例如导线或遮光层的区域。
指纹传感器阵列100可以设置在显示面板200上，例如在用户侧，使得指纹传感器阵列100位于显示面板200和在显示设备300外部且用户可位于其中的外部环境之间。指纹传感器阵列100可以设置在显示面板200的显示区域DA的一部分(例如有限的部分)或整个(例如全部)上。
指纹传感器阵列100包括多个指纹传感器10(例如指纹传感器10的阵列)。多个指纹传感器10(例如指纹传感器10的阵列)可以例如沿着行和/或列布置。指纹传感器10可以设置在显示面板200的显示区域DA当中的非有源区a2中，也就是在其中不设置显示面板200的子像素R、G和B的区中，因此，可以防止归因于指纹传感器10的显示质量劣化。例如，指纹传感器10可以设置在相邻子像素之间的区域中。重申且参照图8，在其中显示面板200包括多个子像素(所述多个子像素在平行于显示面板200延伸的水平方向(例如方向D1)上对准且在水平方向上通过显示面板200的一个或更多个非有源区a2的一个或更多个插置的部分710而不彼此直接接触)的情况下，指纹传感器阵列100的指纹传感器10可以在水平方向上对准并且在水平方向上不彼此直接接触，并且指纹传感器10可以各自在垂直于显示面板200延伸的垂直方向(例如方向D2)上重叠显示面板的一个或更多个非有源区a2的单独的相应部分710，使得指纹传感器10各自在水平方向上从多个子像素至少部分地偏离，因而在垂直方向上至少部分地不重叠任何子像素。指纹传感器10的具体说明与以上参照任何示例实施方式所述相同。如图所示，与指纹传感器10重叠的部分710中的一个或更多个可以在显示面板200的两个或更多子像素之间。
将理解，在显示面板200的限定有源区a1或非有源区a2的至少一部分的部分上的元件将被理解为“在”所述区“中”。例如，在图8中，其中指纹传感器10各自在显示面板200的非有源区a2的部分710上，指纹传感器10将被理解为“在”显示面板200的非有源区a2“中”。
虽然图8示出了其中指纹传感器10各自在垂直方向上完全重叠一个或更多个非有源区的单独部分710且在垂直方向(例如方向D2)上完全暴露显示面板200的子像素使得没有子像素在垂直方向上与任何指纹传感器10甚至至少部分地重叠的示例实施方式，但是将理解，示例实施方式不限于此。例如，在一些示例实施方式中，指纹传感器10可以在垂直方向上部分地重叠非有源区的部分710，并且可以进一步至少部分地重叠在显示面板200的有源区中的子像素，使得指纹传感器10至少部分地覆盖显示面板200的至少一个子像素。因此，将理解，在一些示例实施方式中，多个指纹传感器中的每个单独的指纹传感器10可以至少部分地重叠显示面板200的一个或更多个非有源区a2的单独部分710，使得显示面板200的多个子像素在垂直方向(例如方向D2)上被多个指纹传感器10至少部分地暴露。
例如，连同图2、图7和图8一起参照图9，显示面板200包括包含布置成矩阵的多个子像素R、G和B的有源区a1以及除有源区a1以外的非有源区a2(例如，显示面板200的不包括有源区a1的一些区或所有区)，并且指纹传感器阵列100的指纹传感器10可以设置在非有源区a2中(例如，至少部分垂直地重叠非有源区a2)。指纹传感器阵列100包括沿着行和/或列布置的多个指纹传感器10，其中每个指纹传感器10包括：第一电极11，在第一方向(例如方向X)上延伸；第二电极12，在不同于第一方向的第二方向(例如方向Y)上延伸，其中方向D1可以是方向X和方向Y中的任一个；光吸收层13，在第一电极11和第二电极12的交叉部分处沿垂直方向(例如方向D2)在第一电极11和第二电极12之间(例如，可以在第一电极11和第二电极12的沿垂直方向(例如方向D2)彼此重叠的部分之间)；第一绝缘层14a，在第一电极11和光吸收层13之间；以及第二绝缘层14b，在第二电极12和光吸收层13之间。
例如，连同图3、图7和图8一起参照图9，指纹传感器阵列100可以包括沿着行和/或列布置的多个指纹传感器10，其中每个指纹传感器10包括：第一电极11，在第一方向(例如方向X)上延伸；第二电极12，在不同于第一方向的第二方向(例如方向Y)上延伸；光吸收层13，在第一电极11和第二电极12的交叉部分处在第一电极11和第二电极12之间(例如，可以在第一电极11和第二电极12的沿垂直方向(例如方向D2)彼此重叠的部分之间)；第一绝缘层14a，在第一电极11和光吸收层13之间；第二绝缘层14b，在第二电极12和光吸收层13之间；以及在光吸收层13下方的反射层15。反射层15可以防止光(例如，经由第一电极11的方向)从显示面板200直接流入光吸收层13中，从而减少或防止由从显示面板200直接出射(例如，发射、显示等)的光所致的指纹传感器10中的电容变化。
例如，连同图2、图7和图8一起参照图10和图11，指纹传感器阵列100可以包括沿着行和/或列布置的多个指纹传感器10，其中每个指纹传感器10包括：第一电极11，包括沿第一方向(例如方向X)布置并通过桥连接的多个菱形电极图案；第二电极12，包括沿不同于第一方向的第二方向(例如方向Y)布置并通过桥连接的多个菱形电极图案；光吸收层13，在第一电极11和第二电极12的桥1000处在第一电极11和第二电极12之间；第一绝缘层14a，在第一电极11和光吸收层13之间；以及第二绝缘层14b，在第二电极12和光吸收层13之间。
例如，连同图3、图7和图8一起参照图10和图11，指纹传感器阵列100包括沿着行和/或列布置的多个指纹传感器10，其中指纹传感器10可以包括：第一电极11，包括沿第一方向(例如方向X)布置并通过桥1000连接的多个菱形电极图案；第二电极12，包括沿不同于第一方向的第二方向(例如方向Y)布置并通过桥连接的多个菱形电极图案；光吸收层13，在第一电极11和第二电极12的桥处在第一电极11和第二电极12之间；第一绝缘层14a，在第一电极11和光吸收层13之间；第二绝缘层14b，在第二电极12和光吸收层13之间；以及在光吸收层13下方的反射层15。反射层15可以防止从显示面板200出射的光直接流入光吸收层13，从而减少或防止由从显示面板200直接出射的光所致的指纹传感器10中的电容变化。
例如，连同图4一起参照图12，根据一些示例实施方式的多个指纹传感器10可以(例如在X方向上)沿着行或列平行地布置，并包括(例如在X方向上)沿着行或列平行设置的第一电极11和第二电极12、(例如在方向D2上)在第一电极11和第二电极12上的绝缘层14、以及(例如在方向D2上)在绝缘层14上的光吸收层13。
例如，与图5一起参照图12，根据一些示例实施方式的指纹传感器10可以(例如在X方向上)沿着行或列布置，并包括(例如在X方向上)沿着行或列平行设置的第一电极11和第二电极12、(例如在方向D2上)在第一电极11和第二电极12上的绝缘层14、(例如在D2方向上)在绝缘层14上的光吸收层13、以及(例如在光吸收层13与第一和第二电极11和12之间)在光吸收层13下方的反射层15。反射层15可以防止光从显示面板200直接流入光吸收层13，从而减少或防止由从显示面板200直接出射的光所致的指纹传感器10中的电容变化。
显示设备300还可以包括驱动电路(未示出)，并且当显示设备300是移动设备时，可以进一步包括应用处理器。
因为根据一些示例实施方式的指纹传感器10可以被共同配置为由取决于指纹传感器10的光吸收层13中吸收的光的量的差异的电容变化感测指纹形状，所以可以简单且有效地改善指纹感测性能。
此外，根据一些示例实施方式的指纹传感器10存在于显示面板200的显示区域中，因而包括显示面板200和指纹传感器10的显示设备300可以省略与显示面板200分开的其中安置指纹传感器10的单独区域，因此，显示面板200的显示区域可以占据显示设备300的面积的更大比例。而且，根据一些示例实施方式的指纹传感器10设置在显示区域中的非有源区，也就是，不设置子像素的区域中，从而可以减少或防止指纹传感器10对显示面板200的显示质量(例如，开口率)的影响。
此外，根据一些示例实施方式的指纹传感器10可以如上所述地设置成指纹传感器阵列，并且不设置在显示区域中的特定区域中，而是设置在显示区域中的任何位置，从而增加了用户的便利性。例如，指纹传感器阵列可以位于显示面板200的显示区域的有限部分中。该有限部分可以是显示区域的中央部分、显示面板的外围部分或边缘部分、显示面板的环部分、其任何组合等。
此外，根据一些示例实施方式的指纹传感器10设置在显示面板200上，并使用从显示面板200出射的光，因而可以不需要单独的光源。重申，显示面板200可以被控制为发射将要从位于指纹传感器10上的指纹FP反射的光，使得指纹传感器10可以感测指纹FP的至少一部分，指纹传感器10感测指纹FP的至少一部分是基于由显示面板200发射的从指纹FP的所述部分反射的光，使得包括显示面板200和指纹传感器10的显示设备300可以省略与显示面板200分开的单独的光源以发射光用于从指纹FP进行的反射并进而用于由指纹传感器10进行的检测。
此外，根据一些示例实施方式的指纹传感器10可以被配置为使用从显示面板200出射的光由电容变化感测指纹，因而与传统光学指纹传感器不同，不需要诸如薄膜晶体管(TFT)的特定驱动器件。因此，可以简化指纹传感器10的结构和工艺。
此外，根据一些示例实施方式的指纹传感器10可以被配置为使用从显示面板200出射的光由电容变化感测指纹，因而与传统静电指纹传感器不同，可以防止基于电荷而产生的指纹图像的指纹分辨率的劣化，所述电荷由于上基板而在一个或更多个指纹传感器10处产生。
在下文中，示例实施方式参照示例被更详细地说明。然而，这些是示例，并且本公开不限于此。
示例：指纹传感器样品的准备
在玻璃基板上溅射2mm×2mm ITO，以形成150nm厚的下电极。随后，在下电极上热沉积铝氧化物(A2Ox，0<x≤3)以形成40nm厚的下绝缘层。在下绝缘层上，以1:1的体积比(厚度比)共沉积由化学式A表示的化合物(p型半导体)和C60(n型半导体)，以形成100nm厚的光吸收层。在光吸收层上，热沉积铝氧化物(A2Ox，0<x≤3)以形成40nm厚的上绝缘层。在上绝缘层上溅射2mm×2mm ITO，以形成上电极。在上电极上覆盖玻璃板用于密封，以制造指纹传感器的样品。
[化学式A]
Figure BDA0002421202400000171
评估I
评估对于根据示例的指纹传感器取决于样品的光量的电容。
取决于光量的电容通过使用包括发光二极管和阻抗分析仪的光阻抗测量设备(TNE技术有限公司)来评估。取决于光量的电容变化通过将来自发光二极管的直径为1mm的光(λmax＝510nm)垂直地照射到根据示例的指纹传感器的样品中来检验。
结果在图13中示出。
图13是示出对于根据一些示例实施方式的指纹传感器的取决于样品的光量的电容变化的曲线图。
参照图13，对于根据示例的指纹传感器的样品，随着光量增加，取决于光量的电容增大。因此，取决于由指纹反射的光的量的电容变化可以被识别，并用于有效地感测指纹。
评估II
评估对于根据示例的指纹传感器取决于样品的光量的电流特性。
取决于光量的电流特性通过包括发光二极管和阻抗分析仪的光阻抗测量设备(TNE技术有限公司)来评估。根据示例的指纹传感器的样品被来自发光二极管的直径为1mm的光(λmax＝510nm)垂直地照射，并且取决于光量的电流变化被检验。
结果在图14中示出。
图14是示出对于根据示例的指纹传感器取决于样品的光量的电流特性的曲线图。
参照图14，根据示例的指纹传感器的样品没有表现出取决于光量的电流变化。因此，根据示例的指纹传感器的样品没有表现出归因于电流变化的噪声，因而可以有效地用于仅通过指纹传感器中的电容变化来感测指纹形状。这样的指纹传感器可以具有指纹传感器10的任何示例实施方式的任何结构，因而将理解，根据任何示例实施方式的指纹传感器10可以表现出图14所示的电流特性。因此，将理解，根据任何示例实施方式的指纹传感器10可以被配置为不表现出取决于指纹传感器的光吸收层13中吸收的光的量(例如，数量、强度等)的电流变化。将理解，配置为不表现出取决于指纹传感器的光吸收层中吸收的光的量的电流变化的指纹传感器可以被配置为不表现出取决于光吸收层中吸收的光的量的“实质性的”电流变化，其中非实质性的电流变化可以是在围绕电流特性的值(们)(例如，指纹传感器10的至少光吸收层13中的电流密度的值)的±10％的公差内的电流变化。
图15是根据一些示例实施方式的显示设备的视图。
参照图15，在一些示例实施方式中，显示设备300可以包括显示面板200和在显示面板200上的指纹传感器阵列100，其中指纹传感器阵列100包括多个指纹传感器1502(其可以各自是根据这里的任何示例实施方式的指纹传感器10)，多个指纹传感器1502还包括一个或更多个指纹传感器的至少两个单独的集合1504-1和1504-2。
在一些示例实施方式中，指纹传感器的单独的集合1504-1和1504-2可以具有不同的指纹传感器结构。例如，在图15中，一个或更多个指纹传感器的集合1504-2可以包括具有图3所示的指纹传感器10的结构的指纹传感器10，并且一个或更多个指纹传感器的集合1504-1可以包括具有图2所示的指纹传感器10的结构的指纹传感器10，使得集合1504-2的指纹传感器(们)具有与集合1504-1的指纹传感器(们)不同的结构，因为集合1504-2的指纹传感器(们)均包括反射层15，而集合1504-1的指纹传感器(们)均不包括反射层15。
在包括图15所示的示例实施方式的一些示例实施方式中，一个或更多个指纹传感器的至少一个集合1504-1、1504-2在显示面板200上限定图案。例如，如图15所示，在多个指纹传感器1502在显示面板上的情况下，一个或更多个指纹传感器的集合1504-2可以完全围绕一个或更多个指纹传感器的集合1504-1延伸，使得集合1504-2在显示面板200上限定环形图案。将理解，可在显示面板200上限定的图案不限于环形图案。
图16是示出根据一些示例实施方式的显示设备的示意图。
在包括图16所示的示例实施方式的一些示例实施方式中，显示面板200的至少一部分是弯曲部分，使得显示面板200的上表面200S限定弯曲表面。弯曲表面的曲线可以是三维曲线。如图16所示，指纹传感器阵列100的多个指纹传感器中的至少一个指纹传感器10可以在显示面板200的弯曲部分上。如图所示，指纹传感器阵列100的每个单独的指纹传感器10可以至少部分地重叠显示面板200的一个或更多个非有源区的单独部分1610，使得每个单独的指纹传感器10与单独的法线矢量1620相关联，该法线矢量1620垂直于显示面板200的上表面200S延伸穿过给定的单独指纹传感器10和显示面板200的一个或更多个非有源区的对应单独的被至少部分重叠的部分1610两者。
图17是示出根据一些示例实施方式的包括一个或更多个显示面板的设备的图。
参照图17，可以是电子设备的设备1700包括总线1710、处理器1720、存储器1730、用户接口1750和一个或更多个显示设备1740。如图所示，在一些示例实施方式中，处理器1720、存储器1730、用户接口1750和一个或更多个显示设备1740可以通过总线1710彼此通信。用户接口1750可以是电子设备的任何已知用户接口，包括小键盘、触摸屏接口、其任意组合等。
一个或更多个显示设备1740可以各自是任何示例实施方式中包括的任何显示设备300。
处理器1720可以包括处理电路的一个或更多个实例，诸如包括逻辑电路的硬件；诸如执行软件的处理器的硬件/软件组合；或其组合。例如，处理电路更具体地可以包括但不限于中央处理单元(CPU)、算术逻辑单元(ALU)、数字信号处理器、微型计算机、现场可编程门阵列(FPGA)、片上系统(SoC)、可编程逻辑单元、微处理器、专用集成电路(ASIC)等。在一些示例实施方式中，处理电路可以包括存储指令程序的例如固态驱动器(SSD)的非暂时性计算机可读储存器件、以及配置为执行指令程序以实现处理器1720和/或一个或更多个显示设备1740的功能的处理器。
返回参照图8和图6，处理器1720可以部分地或全部地实现显示设备300的功能以实现指纹识别从而认证用户并启用经由用户界面1750与设备1700(例如，的功能)的一个或更多个方面的用户交互。例如，基于确定将要执行用户认证以启用用户访问(例如，基于与用户界面1750的用户交互，该用户交互导致处理器1720响应地确定将要执行用户认证以启用对设备1700的功能的一些或全部的用户访问)，处理器1720可以执行存储在存储器1730处的指令程序，以1)控制显示面板以使一个或更多个子像素发光(例如，生成发送到一个或更多个显示设备1740的一个或更多个命令信号，从而使一个或更多个显示设备1740的显示面板200的一个或更多个子像素发光)；2)驱动指纹传感器阵列100，以使指纹传感器10基于多个指纹传感器10的光吸收层13中的电容变化生成单独的相应电信号，该电容变化是响应于发射光由对象的反射(例如，生成发送到一个或更多个显示设备1740的一个或更多个命令信号，以使一个或更多个显示设备1740的指纹传感器阵列100的一个或更多个指纹传感器10基于通过发射光由对象(例如，显示设备(们)1740上的指纹)的反射被照射来生成一个或更多个电信号)；(3)基于电信号生成对象的图像(例如，处理从单独的指纹传感器10接收到的电信号以生成对象的图像，其中来自单独的指纹传感器的单独的电信号被处理以建立图像的单独的像素；4)将生成的图像与存储的图像进行比较；以及5)基于确定生成的图像是否在阈值置信水平(例如，90％置信水平)内匹配存储的图像，经由设备的用户界面选择性地授予对设备的至少一部分的用户访问。如这里所提到地，置信水平是指生成的图像像素的与存储的图像的对应像素匹配的比例；因此，生成的图像与存储的图像之间在90％置信区间内的匹配将被理解为意思是生成的图像与存储的图像至少90％匹配。处理器1720可以控制一个或更多个显示设备1740的显示操作以显示一个或更多个图像，和/或可以控制至少部分地基于包括在一个或更多个显示设备1740中的至少一个或更多个指纹传感器实现的识别操作。
将理解，存储器1730可以存储指令程序，并且处理器1720可以执行所存储的指令程序以实现与设备1700和/或一个或更多个显示设备1740相关联的功能，包括执行一个或更多个生物识别操作。
可以使用硬件部件和软件部件来实现这里描述的单元和/或模块。例如，硬件部件可以包括麦克风、放大器、带通滤波器、音频数字转换器和处理设备。可以使用配置为通过执行算术、逻辑和输入/输出运算来进行和/或实施程序代码的一个或更多个硬件设备来实现处理设备。处理设备(们)可以包括处理器、控制器和算术逻辑单元、数字信号处理器、微型计算机、现场可编程阵列、可编程逻辑单元、微处理器或能够以所定义的方式响应并执行指令的任何其他设备。处理设备可以运行操作系统(OS)和在OS上运行的一个或更多个软件应用。处理设备还可以响应于软件的执行来访问、存储、操纵、处理和创建数据。为了简单起见，对处理设备的描述以单数形式使用；然而，本领域技术人员将理解，处理设备可以包括多个处理元件和多种类型的处理元件。例如，处理设备可以包括多个处理器或一处理器和一控制器。此外，不同的处理配置是可行的，诸如并行处理器。
软件可以包括计算机程序、一段代码、指令或其某种组合，以独立地或共同地指示和/或配置处理设备按需要进行操作，从而将处理设备转变为专用处理器。软件和数据可以永久地或临时地体现在任何类型的机器、部件、物理或虚拟设备、计算机储存介质或设备中，或体现在能够向处理设备提供指令或数据或者能够提供由处理设备解释的指令或数据的传播信号波中。软件也可以分布在网络耦合的计算机系统上，使得软件以分布方式被存储和执行。软件和数据可以由一个或更多个非暂时性计算机可读记录介质存储。
根据上述示例实施方式的方法可以被记录在包括用于实现上述示例实施方式的各种操作的程序指令的非暂时性计算机可读介质中。介质还可以单独地或与程序指令组合地包括数据文件、数据结构等。记录在介质上的程序指令可以是为示例实施方式的目的而专门设计和构造的程序指令，或者它们可以具有计算机软件领域的技术人员公知且可用的类型。非暂时性计算机可读介质的示例包括：磁介质，诸如硬盘、软盘和磁带；光学介质，诸如CD-ROM盘、DVD和/或蓝光盘；磁光介质，诸如光盘；以及专门配置为存储和执行程序指令的硬件设备，诸如只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、闪存(例如，USB闪存驱动器、存储卡、存储棒等)等。程序指令的示例包括诸如由编译器生成的机器代码以及包含可由计算机使用解释器执行的更高级别代码的文件两者。上述设备可以被配置为用作一个或更多个软件模块，从而执行上述示例实施方式的操作，反之亦然。
尽管已经结合目前所认为的实际示例实施方式描述了本公开，但是将理解，本发明构思不限于所公开的示例实施方式。相反，本公开旨在覆盖所附权利要求的精神和范围内包括的各种修改和等同布置。
本申请要求享有2019年5月15日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0057097号的优先权及权益，其全部内容通过引用合并于此。

Claims (31)

1.一种指纹传感器，包括：
第一电极；
第二电极；
不与所述第一电极直接接触的光吸收层，所述光吸收层不与所述第二电极直接接触；以及
绝缘层，在所述第一电极与所述光吸收层之间以及在所述第二电极与所述光吸收层之间。
2.根据权利要求1所述的指纹传感器，其中
所述光吸收层包括p型半导体和n型半导体，以及
所述p型半导体和所述n型半导体中的至少一个是配置为吸收可见波长区域的至少一部分中的光的吸光材料。
3.根据权利要求2所述的指纹传感器，其中所述吸光材料包括有机吸光材料。
4.根据权利要求1所述的指纹传感器，还包括：
在所述光吸收层与所述第一电极之间的反射层。
5.根据权利要求1所述的指纹传感器，其中
所述第一电极和所述第二电极在所述光吸收层的彼此相反侧，使得所述光吸收层在所述第一电极与所述第二电极之间，以及
所述绝缘层包括：
在所述第一电极与所述光吸收层之间的第一绝缘层，以及
在所述第二电极与所述光吸收层之间的第二绝缘层。
6.根据权利要求1所述的指纹传感器，其中
所述第一电极和所述第二电极在所述光吸收层的相同侧上彼此平行，以及
所述绝缘层和所述光吸收层每个在所述第一电极和所述第二电极两者上。
7.根据权利要求1所述的指纹传感器，其中所述指纹传感器被配置为感测取决于所述光吸收层中吸收的光的强度的电容变化。
8.根据权利要求1所述的指纹传感器，其中所述指纹传感器被配置为没有取决于所述光吸收层中吸收的光的强度的实质性的电流变化。
9.一种指纹传感器阵列，包括根据权利要求1所述的指纹传感器。
10.一种设备，包括根据权利要求1所述的指纹传感器。
11.一种设备，包括：
显示面板，配置为在所述显示面板的显示区域中显示图像；以及
在所述显示面板上的指纹传感器阵列，所述指纹传感器阵列包括多个指纹传感器，所述多个指纹传感器中的每个指纹传感器包括：
第一电极，
第二电极，
不与所述第一电极直接接触的光吸收层，所述光吸收层不与所述第二电极直接接触，以及
绝缘层，在所述第一电极与所述光吸收层之间以及在所述第二电极与所述光吸收层之间。
12.根据权利要求11所述的设备，其中所述多个指纹传感器在所述显示面板的所述显示区域的一些或全部中。
13.根据权利要求12所述的设备，其中
所述显示面板的所述显示区域包括：
有源区，包括配置为发光的多个子像素，以及
非有源区，不包括所述多个子像素，
其中所述多个指纹传感器在所述非有源区中，使得所述多个指纹传感器至少部分地不垂直重叠所述多个子像素中的任何子像素。
14.根据权利要求13所述的设备，其中所述多个指纹传感器各自垂直地重叠所述显示面板的在所述多个子像素中的至少两个相邻子像素之间的单独部分。
15.根据权利要求11所述的设备，其中每个指纹传感器还包括在所述光吸收层与所述第一电极之间的反射层。
16.根据权利要求11所述的设备，其中
所述第一电极在第一方向上延伸，
所述第二电极在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，以及
所述光吸收层在所述第一电极和所述第二电极的桥处在所述第一电极与所述第二电极之间。
17.根据权利要求16所述的设备，其中所述绝缘层包括：
在所述第一电极与所述光吸收层之间的第一绝缘层，以及
在所述第二电极与所述光吸收层之间的第二绝缘层。
18.根据权利要求11所述的设备，其中
所述第一电极和所述第二电极在所述光吸收层的相同侧上彼此平行，以及
所述绝缘层和所述光吸收层每个在所述第一电极和所述第二电极两者上。
19.根据权利要求11所述的设备，其中
所述光吸收层包括p型半导体和n型半导体，以及
所述p型半导体和所述n型半导体中的至少一个是配置为吸收可见波长区域的至少一部分中的光的吸光材料。
20.根据权利要求11所述的设备，其中
每个指纹传感器被配置为感测取决于所述每个指纹传感器的所述光吸收层中吸收的光的强度的电容变化，以及
所述每个指纹传感器被配置为没有取决于所述每个指纹传感器的所述光吸收层中吸收的光的所述强度的实质性的电流变化。
21.一种设备，包括：
包括多个子像素的显示面板，所述多个子像素通过所述显示面板的一个或更多个非有源区不彼此直接接触；以及
在所述显示面板上的指纹传感器阵列，所述指纹传感器阵列包括多个指纹传感器，所述多个指纹传感器中的每个单独的指纹传感器至少部分地重叠所述显示面板的所述一个或更多个非有源区的单独部分，使得所述多个子像素至少部分地被所述多个指纹传感器暴露，每个指纹传感器包括：
第一电极，
第二电极，
不与所述第一电极直接接触的光吸收层，所述光吸收层不与所述第二电极直接接触，以及
绝缘层，在所述第一电极与所述光吸收层之间以及在所述第二电极与所述光吸收层之间。
22.根据权利要求21所述的设备，还包括：
存储指令程序的存储器；以及
处理器，配置为执行所述指令程序以：
控制所述显示面板，以使所述多个子像素中的一个或更多个子像素发光；
基于所述多个指纹传感器的所述光吸收层中的电容变化，驱动所述指纹传感器阵列以使所述多个指纹传感器生成单独的相应电信号，所述电容变化是响应于发射光由对象的反射，
基于所述电信号生成所述对象的图像，
将生成的图像与存储的图像进行比较，以及
基于确定所述生成的图像是否在阈值置信水平内与所述存储的图像相匹配，经由所述设备的用户界面选择性地授予对所述设备的至少一部分的用户访问。
23.根据权利要求21所述的设备，其中
所述显示面板的至少一部分是弯曲部分，以及
所述多个指纹传感器中的至少一个指纹传感器在所述显示面板的所述弯曲部分上。
24.根据权利要求21所述的设备，其中
所述多个指纹传感器中的一个或更多个指纹传感器的至少两个集合具有不同的结构。
25.根据权利要求24所述的设备，其中一个或更多个指纹传感器中的至少一个集合在所述显示面板上限定图案。
26.根据权利要求21所述的设备，其中所述多个指纹传感器中的每个指纹传感器还包括在所述光吸收层与所述第一电极之间的反射层。
27.根据权利要求21所述的设备，其中
所述第一电极在第一方向上延伸，
所述第二电极在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，以及
所述光吸收层在所述第一电极和所述第二电极的桥处在所述第一电极与所述第二电极之间。
28.根据权利要求27所述的设备，其中所述绝缘层包括：
在所述第一电极与所述光吸收层之间的第一绝缘层，以及
在所述第二电极与所述光吸收层之间的第二绝缘层。
29.根据权利要求21所述的设备，其中
所述第一电极和所述第二电极在所述光吸收层的相同侧上彼此平行地延伸，以及
所述绝缘层和所述光吸收层每个在所述第一电极和所述第二电极两者上。
30.根据权利要求21所述的设备，其中
所述光吸收层包括p型半导体和n型半导体，以及
所述p型半导体和所述n型半导体中的至少一个是配置为吸收可见波长区域的至少一部分中的光的吸光材料。
31.根据权利要求21所述的设备，其中
每个指纹传感器被配置为感测取决于所述每个指纹传感器的所述光吸收层中吸收的光的量的电容变化，以及
所述每个指纹传感器被配置为没有取决于所述每个指纹传感器的所述光吸收层中吸收的光的量的实质性的电流变化。
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