CN111926295B - 一种巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法 - Google Patents

一种巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111926295B
CN111926295B CN202010904531.9A CN202010904531A CN111926295B CN 111926295 B CN111926295 B CN 111926295B CN 202010904531 A CN202010904531 A CN 202010904531A CN 111926295 B CN111926295 B CN 111926295B
Authority
CN
China
Prior art keywords
pbtio
film
tetragonal phase
giant
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010904531.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111926295A (zh
Inventor
黄传威
廖肇龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen University
Original Assignee
Shenzhen University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen University filed Critical Shenzhen University
Priority to CN202010904531.9A priority Critical patent/CN111926295B/zh
Publication of CN111926295A publication Critical patent/CN111926295A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111926295B publication Critical patent/CN111926295B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/088—Oxides of the type ABO3 with A representing alkali, alkaline earth metal or Pb and B representing a refractory or rare earth metal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明采用脉冲激光沉积的方法，在单晶衬底上先制备一层La0.7Sr0.3MnO3缓冲层，再生长PbTiO3薄膜，在动态氧气氛围中沉积后冷却至室温，得到巨四方相PbTiO3薄膜。本发明利用衬底的压应力和La0.7Sr0.3MnO3缓冲层的协同作用，可有效的增大PbTiO3薄膜的四方性(c/a值)，得到稳定的高质量巨四方相(c/a＞1.12)PbTiO3薄膜。同时本发明工艺简单，可操作性强，可为与巨四方相薄膜相关的制备和基础研究提供思路。

Description

一种巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法
技术领域
本发明属于材料制备技术领域，尤其涉及一种巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法。
背景技术
随着信息技术的快速发展，对相关的微电子元器件提出了更苛刻的要求，包括集成化、小型化、多功能和低功耗等，而存储器件是其中最核心和最关键的技术之一，因此，对相关的多功能薄膜材料的开发成为了研究的热点。具有ABO3型钙钛矿结构的钛酸铅(PbTiO3)材料，由于其具有较高的居里温度、大的自发极化强度和独特的负热膨胀性，表现出优异的压电、铁电和热释电等性能而被广泛关注，在非易失性存储、高频率通信和传感器等领域具有很好的应用前景。大量研究表明，铁电材料的性能与材料晶体质量和晶体结构中的轴比(c/a)值密切相关，因为在c/a值大的巨四方相晶体结构中，由于存在大的偶极矩，使得它不仅表现出大的铁电极化性能还具有高的居里温度，这为电子器件的设计和应用提供可靠的价值。
目前，具有巨四方相的铁电材料还比较少，并且一般需要通过特殊的条件来获得，比如通过昂贵的高温高压设备、特定的衬底应力作用或元素掺杂等方式。然而高压在实际实验中具有很大的挑战性，尤其是对外延薄膜的制备，而通过衬底的应力作用或掺杂方式来获得巨四方相的结构，还存在很大的局限性，容易出现失配弛豫或生长窗口小等问题。因此，通过一种简单高效的方法来制备出具有巨四方相结构且性能优异的铁电薄膜具有重要意义。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是背景技术提到的一些不足，提供一种巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法。
为了解决上述问题，本发明提出以下技术方案：
一种巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法，利用脉冲激光沉积系统，在单晶衬底上先制备一层La0.7Sr0.3MnO3缓冲层，再生长PbTiO3薄膜，在动态氧气氛围中沉积后冷却到室温，得到巨四方相PbTiO3薄膜。
可以理解地，脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition，PLD)，也被称为脉冲激光烧蚀(pulsed laser ablation，PLA)，是一种利用激光对物体进行轰击，然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上，得到沉淀或者薄膜的一种手段。
通常用脉冲激光沉积系统来进行脉冲激光沉积。
本发明通过衬底的压应力和La0.7Sr0.3MnO3缓冲层的协同作用下，可有效的增强PbTiO3薄膜的四方性(即c/a值)，得到稳定的高质量巨四方相(c/a＞1.12) PbTiO3薄膜。
其进一步的技术方案为，所述单晶衬底沿c轴方向，且所述单晶衬底与 PbTiO3靶材的晶格失配度范围在-2％到-0.5％之间。比如，可选用与PbTiO3靶材的晶格失配度为-0.8％的(LaAlO3)0.3(SrAl0.5Ta0.5O3)0.7(简称LSAT，下同)衬底。
其进一步的技术方案为，所述La0.7Sr0.3MnO3缓冲层的厚度为5.0～40.0nm。
其进一步的技术方案为，所述PbTiO3薄膜的厚度为10.0～100.0nm。
其进一步的技术方案为，脉冲激光沉积的真空度小于2×10-5Pa。
其进一步的技术方案为，制备La0.7Sr0.3MnO3缓冲层的条件为，温度为700 ～740℃，氧压为20～30Pa，激光能量密度为1.0J/cm2～3.0J/cm2，激光频率为 2～5Hz。
其进一步的技术方案为，制备PbTiO3薄膜的条件为，温度为550～600℃，氧压为10～15Pa，激光能量密度为1.0J/cm2～4.0J/cm2，激光频率为2～5Hz。
其进一步的技术方案为，所述脉冲激光沉积系统的激光光源为KrF准分子激光，波长248nm，激光脉宽10ns。
与现有技术相比，本发明所能达到的技术效果包括：
本发明采用脉冲激光沉积的方法，利用衬底的压应力和La0.7Sr0.3MnO3缓冲层的协同作用，可有效的增大PbTiO3薄膜的四方性(c/a值)，得到稳定的高质量巨四方相(c/a＞1.12)PbTiO3薄膜。其原理是PbTiO3薄膜在LSAT衬底上生长时会受到一定的压缩应力作用，而La0.7Sr0.3MnO3的面内晶格大小与LSAT衬底和PbTiO3块体材料的面内晶格大小非常接近，并不会影响PbTiO3薄膜的外延生长，但是La0.7Sr0.3MnO3缓冲层的插入会改变PbTiO3薄膜的电学边界条件，尤其是在较低氧压(10～15Pa)条件下，在PbTiO3薄膜和La0.7Sr0.3MnO3缓冲层之间会发生电荷转移和磁电耦合等作用。发明人创新性地发现，在一定的衬底压应力作用和La0.7Sr0.3MnO3缓冲层的协同作用下，PbTiO3薄膜的微观结构和性能会发生变化，可得到稳定的高质量巨四方相的PbTiO3薄膜。
本发明提供的巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法，工艺简单、效率高、可操作性强，制备的薄膜质量好，所得的巨四方PbTiO3薄膜在相关微电子器件领域中具有很好的应用价值，同时本发明可为与巨四方相薄膜相关的制备和基础研究提供思路。
附图说明
图1是实施例1和实施例2的薄膜XRD图；
图2是实施例3和实施例4的薄膜XRD图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，以下将描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
选用晶面取向为(001)的LSAT单晶衬底，晶格常数为
Figure BDA0002660934470000031
与PbTiO3靶材的晶格失配度为-0.8％，利用脉冲激光沉积技术，直接在单晶衬底上制备 PbTiO3薄膜。
脉冲激光沉积系统的激光光源为KrF准分子激光，激光波长为248nm，激光脉宽为10ns，激光频率为3Hz。调节脉冲激光沉积系统中的腔体真空度小于 2×10-5Pa，将加热托的温度升到600℃，然后通入氧气维持在13Pa，设定激光能量密度为2.8J/cm2，对PbTiO3靶材进行轰击，通过控制脉冲激光的发数，得到30.0nm的PbTiO3薄膜。对薄膜进行XRD测试，得到PbTiO3薄膜晶格常数
Figure BDA0002660934470000041
计算得到PbTiO3薄膜的四方相c/a值为1.07。
实施例2
选用晶面取向为(001)的LSAT单晶衬底，晶格常数为
Figure BDA0002660934470000042
与PbTiO3靶材的晶格失配度为-0.8％，利用脉冲激光沉积技术，在LSAT单晶衬底上先制备一层La0.7Sr0.3MnO3缓冲层，再制备PbTiO3薄膜。
脉冲激光沉积系统的激光光源为KrF准分子激光，激光波长为248nm，激光脉宽为10ns，激光频率为3Hz。调节脉冲激光沉积系统中的腔体真空度小于 2×10-5Pa，将加热托升温到720℃，然后通入氧气维持在30Pa，设定激光能量密度为2.0J/cm2，对La0.7Sr0.3MnO3靶材进行轰击，通过控制脉冲激光的发数，得到20.0nm的La0.7Sr0.3MnO3缓冲层；接着对加热托降温到600℃，调节腔体内的动态氧压为13Pa，设定激光能量密度为2.8J/cm2，对PbTiO3靶材进行轰击，通过控制脉冲发数，得到30.0nm的PbTiO3薄膜。对薄膜进行XRD测试，得到PbTiO3薄膜晶格常数
Figure BDA0002660934470000043
计算得到PbTiO3薄膜的轴比值(c/a)为1.154。
实施例3
选用晶面取向为(001)的SrTiO3(简称STO，下同)单晶衬底，晶格常数为
Figure BDA0002660934470000044
与PbTiO3靶材的晶格失配度为0.15％，利用脉冲激光沉积技术，直接在单晶衬底上制备PbTiO3薄膜。
脉冲激光沉积系统的激光光源为KrF准分子激光，激光波长为248nm，激光脉宽为10ns，激光频率为3Hz。调节脉冲激光沉积系统中的腔体真空度小于 2×10-5Pa，将加热托的温度升到600℃，然后通入氧气维持在13Pa，设定激光能量密度为2.8J/cm2，对PbTiO3靶材进行轰击，通过控制脉冲激光的发数，得到30.0nm的PbTiO3薄膜。对薄膜进行XRD测试，得到PbTiO3薄膜晶格常数
Figure BDA0002660934470000045
计算得到PbTiO3薄膜的轴比值(c/a)为1.058。
实施例4
选用晶面取向为(001)STO的单晶衬底，晶格常数为
Figure BDA0002660934470000051
与PbTiO3靶材的晶格失配度为0.15％，利用脉冲激光沉积技术，在SrTiO3单晶衬底上先制备一层La0.7Sr0.3MnO3缓冲层，再制备PbTiO3薄膜。
脉冲激光沉积系统的激光光源为KrF准分子激光，激光波长为248nm，激光脉宽为10ns，激光频率为3Hz。调节脉冲激光沉积系统中的腔体真空度小于 2×10-5Pa，将加热托升温到720℃，然后通入氧气维持在30Pa，设定激光能量密度为2.0J/cm2，对La0.7Sr0.3MnO3靶材进行轰击，通过控制脉冲激光的发数，得到20.0nm的La0.7Sr0.3MnO3缓冲层；接着对加热托降温到600℃，调节腔体内氧压为13Pa，设定激光能量密度为2.8J/cm2，对PbTiO3靶材进行轰击，通过控制脉冲发数，得到30.0nm的PbTiO3薄膜。对薄膜进行XRD测试，得到PbTiO3薄膜晶格常数
Figure BDA0002660934470000052
计算得到PbTiO3薄膜的轴比值(c/a)为 1.069。
综上，本发明采用脉冲激光沉积的方法，利用衬底的压应力和La0.7Sr0.3MnO3缓冲层的协同作用，可有效的增大PbTiO3薄膜的四方性(c/a值)，得到稳定的高质量巨四方相(c/a＞1.12)PbTiO3薄膜。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详细描述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上所述，为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (6)

1.一种巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法，其特征在于，利用脉冲激光沉积系统，在单晶衬底上先制备一层La0.7Sr0.3MnO3缓冲层，再生长PbTiO3薄膜，在动态氧气氛围中沉积后冷却到室温，得到稳定的高质量巨四方相PbTiO3薄膜；
所述单晶衬底沿c轴方向；所述单晶衬底与PbTiO3靶材的晶格失配度在-2％到-0.5％之间；
所述La0.7Sr0.3MnO3缓冲层的厚度为5.0～40.0nm。
2.如权利要求1所述的一种巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法，其特征在于，所述PbTiO3薄膜的厚度为10.0～100.0nm。
3.如权利要求1所述的一种巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法，其特征在于，脉冲激光沉积的生长室真空度小于2×10-5Pa。
4.如权利要求1所述的一种巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法，其特征在于，制备La0.7Sr0.3MnO3缓冲层的条件为，温度为700～740℃，氧压为20～30Pa，激光能量密度为1.0J/cm2～3.0J/cm2，激光频率为2～5Hz。
5.如权利要求1所述的一种巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法，其特征在于，制备PbTiO3薄膜的条件为，温度为550～600℃，氧压为10～15Pa，激光能量密度为1.0J/cm2～4.0J/cm2，激光频率为2～5Hz。
6.如权利要求1所述的一种巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法，其特征在于，所述脉冲激光沉积系统的激光光源为KrF准分子激光，波长248nm，激光脉宽10ns。
CN202010904531.9A 2020-09-01 2020-09-01 一种巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法 Active CN111926295B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010904531.9A CN111926295B (zh) 2020-09-01 2020-09-01 一种巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010904531.9A CN111926295B (zh) 2020-09-01 2020-09-01 一种巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111926295A CN111926295A (zh) 2020-11-13
CN111926295B true CN111926295B (zh) 2022-08-09

Family

ID=73308480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010904531.9A Active CN111926295B (zh) 2020-09-01 2020-09-01 一种巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111926295B (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1449458A (zh) * 2000-07-24 2003-10-15 摩托罗拉公司 薄膜金属氧化物结构及其制造方法
KR20040077327A (ko) * 2003-02-28 2004-09-04 (주)아이블포토닉스 강유전체 단결정을 이용한 단결정성 막 제조
CN1933067A (zh) * 2006-09-30 2007-03-21 中国科学技术大学 透明外延铁电薄膜电容器及其制备方法
CN101252170A (zh) * 2008-03-07 2008-08-27 中国科学院上海硅酸盐研究所 基于硅衬底上的全外延电阻转变多层薄膜、方法及应用
CN102509763A (zh) * 2011-11-02 2012-06-20 西南交通大学 一种制备高温超导涂层导体LaSrMnO3缓冲层薄膜的方法
CN104103752A (zh) * 2013-04-15 2014-10-15 北京师范大学 一种具有形状记忆效应的氧化物薄膜材料的制备方法及其应用
CN108866488A (zh) * 2018-07-30 2018-11-23 深圳大学 一种高温下提高电容的电介质材料制备方法
CN108930017A (zh) * 2018-07-16 2018-12-04 吉林师范大学 一种La0.7Sr0.3MnO3铁磁薄膜的制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61135172A (ja) * 1984-12-06 1986-06-23 Nec Corp 強誘電体化合物薄膜の製造方法
US6563118B2 (en) * 2000-12-08 2003-05-13 Motorola, Inc. Pyroelectric device on a monocrystalline semiconductor substrate and process for fabricating same
WO2004042785A2 (en) * 2002-08-16 2004-05-21 The Regents Of The University Of California Functional bimorph composite nanotapes and methods of fabrication
SG124303A1 (en) * 2005-01-18 2006-08-30 Agency Science Tech & Res Thin films of ferroelectric materials and a methodfor preparing same
CN101789260B (zh) * 2010-01-19 2013-03-20 湘潭大学 一种铁电存储器用外延应变铁电薄膜及调控其应变的方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1449458A (zh) * 2000-07-24 2003-10-15 摩托罗拉公司 薄膜金属氧化物结构及其制造方法
KR20040077327A (ko) * 2003-02-28 2004-09-04 (주)아이블포토닉스 강유전체 단결정을 이용한 단결정성 막 제조
CN1933067A (zh) * 2006-09-30 2007-03-21 中国科学技术大学 透明外延铁电薄膜电容器及其制备方法
CN101252170A (zh) * 2008-03-07 2008-08-27 中国科学院上海硅酸盐研究所 基于硅衬底上的全外延电阻转变多层薄膜、方法及应用
CN102509763A (zh) * 2011-11-02 2012-06-20 西南交通大学 一种制备高温超导涂层导体LaSrMnO3缓冲层薄膜的方法
CN104103752A (zh) * 2013-04-15 2014-10-15 北京师范大学 一种具有形状记忆效应的氧化物薄膜材料的制备方法及其应用
CN108930017A (zh) * 2018-07-16 2018-12-04 吉林师范大学 一种La0.7Sr0.3MnO3铁磁薄膜的制备方法
CN108866488A (zh) * 2018-07-30 2018-11-23 深圳大学 一种高温下提高电容的电介质材料制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
correlation between structural and mechanical properties of PbTiO3 thin films grown by pulsed-laser deposition;第252卷;《applied surface science》;20051108;第252卷;第4558-4563页 *
LSMO缓冲层对PTZT铁电薄膜性能的影响;杨卫明等;《华中科技大学学报（自然科学版）》;20080831;第36卷(第8期);第56-58页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN111926295A (zh) 2020-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Yan et al. Boosting energy storage performance of low-temperature sputtered CaBi 2 Nb 2 O 9 thin film capacitors via rapid thermal annealing
Zhou et al. The microstructure and energy storage properties of Ba0. 3Sr0. 7TiO3 crystallite thin films
Li Ferroelectric/superconductor heterostructures
US5885939A (en) Process for forming a-axis-on-c-axis double-layer oxide superconductor films
CN111926295B (zh) 一种巨四方相PbTiO3薄膜的制备方法
CN113322511A (zh) 在不同晶向下均具有垂直磁各向异性的柔性自支撑钙钛矿氧化物单晶薄膜及其制备
Cernea Methods for preparation of BaTiO3 thin films
Weiss et al. Compositionally graded ferroelectric multilayers for frequency agile tunable devices
Yamada et al. Structural and dielectric properties of strain-controlled epitaxial SrTiO3 thin films by two-step growth technique
Zhu et al. Growth control of RF magnetron sputtered SrRuO3 thin films through the thickness of LaNiO3 seed layers
Kawae et al. Influence of SrRuO3 bottom electrode thickness on electric properties of (Bi, Pr)(Fe, Mn) O3 Ultra-thin film capacitor
CN107287563A (zh) 一种外延锡酸锶钴薄膜及其制备方法
Bornand et al. Phase development in pulsed laser deposited Pb [Yb1/2Nb1/2] O3-PbTiO3 thin films
CN113564698B (zh) 一种磁性拓扑异质结薄膜的制备方法
Shih et al. Preparation of BaTiO3 films on Si substrate with MgO buffer layer by RF magnetron sputtering
CN115786855B (zh) 一种外延钇掺杂铪基铁电薄膜材料及其生长方法
CN115959905B (zh) 一种钛锆酸铅与氧化镁垂直自组装纳米复合介电储能薄膜及其制备方法
KimM et al. Microstructural model on the evolution of domain structure during processing of PbTiO3 thin films on MgO (100) substrates
CN114783768B (zh) 一种界面失配应变提升SrFeO2.0薄膜磁学性能的方法及应用
CN113838965B (zh) 一种独立式高温超导薄膜的制备方法
Doan et al. Dependence of structure and properties of Ba (Zr0. 25Ti0. 75) O3 thin films on temperature and post-annealing
Wang et al. Effect of annealing temperature on the ferroelectric properties of BiFeO3 thin films prepared by sol-gel process
CN115505880B (zh) 一种具有周期性纳米级微裂纹结构的铌酸铋钙薄膜材料及其制备方法
Li Low-temperature growth and electric properties of K0. 5Na0. 5NbO3 thin films by microwave irradiation
CN117448956A (zh) 一种在锗薄膜上直接外延生长钛酸钡薄膜的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant