CN111919140A - 放射线图像摄影装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的放射线图像摄影装置具备：传感器基板，包括挠性的基材及积蓄根据放射线产生的电荷的多个像素；挠性的第1电缆，一端电连接于所述传感器基板；及挠性的第1电路基板，电连接于所述第1电缆的另一端，并且搭载有读取积蓄于所述多个像素的电荷时驱动的第1电路部。

Description

放射线图像摄影装置
技术领域
本发明涉及一种放射线图像摄影装置。
背景技术
以往，已知有进行以医疗诊断为目的的放射线摄影的放射线图像摄影装置。这种放射线图像摄影装置中使用用于检测透过被摄体的放射线而生成放射线图像的放射线检测器。
作为放射线检测器，有具备设置有积蓄根据放射线产生的电荷的多个像素的传感器基板的放射线检测器。在这种放射线检测器中，通过电连接设置于传感器基板的外部的电路部和传感器基板，积蓄于各像素的电荷通过电路部的驱动被读取。通过将柔性电缆等电缆电连接于传感器基板的基材，进行传感器基板与电路部的连接。
并且，作为这种放射线检测器，已知有在传感器基板中使用挠性基材的放射线检测器(例如，参考国际公开2010/070735号)。通过使用挠性基材，例如，能够轻型化放射线图像摄影装置(放射线检测器)，并且，有时容易拍摄被摄体。
发明内容
发明要解决的技术课题
作为在传感器基板中使用挠性基材的放射线检测器的制造方法的例子，已知称为层叠法的方法。在层叠法中，在玻璃基板等支撑体上贴合作为挠性基材的薄片，进一步形成传感器基板及转换层。之后，从支撑体通过机械剥离剥离形成有转换层的传感器基板。
当从支撑体通过机械剥离剥离传感器基板时，例如，以传感器基板的外缘的任一个边为剥离的起点，从作为起点的边朝向对向的边，逐渐从支撑体剥离传感器基板。
有时在搭载有设置于外部的电路部的电路基板通过电缆电连接于传感器基板的状态下进行上述机械剥离。当在该状态下进行机械剥离时，会使传感器基板挠曲，因此随着传感器基板的挠曲电路基板也挠曲，从而有时会产生电路基板或搭载于电路基板的电路部受损等问题。
本发明提供一种放射线图像摄影装置，其与第1电路基板为非挠性基板的情况相比，能够在第1电路基板经由第1电缆电连接于传感器基板的状态下抑制对第1电路部带来的影响。
用于解决技术课题的手段
本发明的第1方式是放射线图像摄影装置，其具备：传感器基板，包括挠性的基材及积蓄根据放射线产生的电荷的多个像素；挠性的第1电缆，一端电连接于传感器基板；及挠性的第1电路基板，电连接于第1电缆的另一端，并且搭载有在读取积蓄于多个像素的电荷时驱动的第1电路部。
并且，本发明的第2方式可以在第1方式中，第1电缆连接于传感器基板的第1边，所述放射线图像摄影装置可以进一步具备：挠性的第2电缆，一端电连接于与传感器基板的第1边交叉的第2边；及非挠性的第2电路基板，电连接于第2电缆的另一端，并且搭载有与第1电路部不同的读取积蓄于多个像素的电荷时驱动的第2电路部。
并且，本发明的第3方式可以在第2方式中，第2电路部包括：输入与积蓄于多个像素的电荷对应的电信号且生成并输出与所输入的电信号对应的图像数据的信号处理部的电路。
并且，本发明的第4方式可以在第1方式或第2方式中，第2电路基板具备电连接有第2电缆的连接器。
并且，本发明的第5方式可以在第1方式中，第1电路部包括从多个像素读取电荷的驱动部的电路。
并且，本发明的第6方式可以在第1方式中，第1电路基板具有：在与传感器基板、第1电缆及第1电路基板被连接的连接方向交叉的方向上排列的挠性的区域及非挠性的区域。
并且，本发明的第7方式可以在第6方式中，第1电路部搭载于非挠性的区域。
并且，本发明的第8方式可以在第1方式中，在第1电缆搭载有从多个像素读取电荷的驱动部的电路，在第1电路基板及第1电缆设置有对驱动部的电路供给电源电力的电源线。
并且，本发明的第9方式可以在第1方式中，在第1电缆搭载有从多个像素读取电荷的驱动部的电路，在传感器基板未设置对驱动部的电路供给电源电力的电源线。
并且，本发明的第10方式可以在第8方式或第9方式中，在第1电缆搭载有从多个像素读取电荷的驱动部的电路，在传感器基板及第1电缆设置有用于驱动驱动部的电路的信号流过的信号线。
并且，本发明的第11方式可以在第1方式至第10方式的任一项中，第1电缆通过热压接电连接于第1电路基板。
并且，本发明的第12方式可以在第1方式至第11方式的任一项中，第1电缆通过热压接电连接于传感器基板。
发明效果
根据本发明的第1方式，与第1电路基板是非挠性基板时相比，能够在第1电路基板经由第1电缆电连接于传感器基板的状态下抑制对第1电路部带来的影响。
根据本发明的第2方式，与第2电路基板是挠性的基板时相比，能够抑制对第2电路部的电干扰。
根据本发明的第3方式，与第1电路部包括信号处理部时相比，能够抑制对信号处理部的电干扰。
根据本发明的第4方式，与第2电路基板未具备连接器时相比，能够容易进行第2电缆的再次加工。
根据本发明的第5方式，与第1电路部包括除驱动部的电路以外时相比，即使第1电路基板具有挠性，也能够抑制对第1电路部的电干扰的影响。
根据本发明的第6方式，与第1电路基板具有沿连接方向排列的挠性的区域及非挠性的区域时相比，能够容易使传感器基板挠曲。
根据本发明的第7方式，与第1电路部搭载于挠性的区域时相比，能够抑制第1电路部受损。
根据本发明的第8方式，与除第1电路基板及第1电缆以外进一步设置有对驱动部的电路供给电源电力的电源线时相比，能够使传感器基板中的电阻值降低。
根据本发明的第9方式，与对驱动部的电路供给电源电力的电源线设置于传感器基板时相比，能够使传感器基板中的电阻值降低。
根据本发明的第10方式，与除传感器基板以外设置有用于驱动驱动部的电路的信号流过的信号线时相比，能够在远离电源线的位置配置信号线。
根据本发明的第11方式，与第1电缆通过连接器电连接于第1电路基板时相比，能够在连接第1电缆及第1电路基板的状态下容易使传感器基板挠曲。
根据本发明的第12方式，与第1电缆通过连接器电连接于传感器基板时相比，能够在连接第1电缆的状态下容易使传感器基板挠曲。
附图说明
图1是表示第1例示性实施方式的放射线图像摄影装置中的电气系统的主要部分结构的一例的框图。
图2是表示第1例示性实施方式的放射线检测器的结构的一例的概略的剖视图。
图3是从基材的第1面侧观察第1例示性实施方式的放射线图像摄影装置的一例的平面图。
图4是说明第1例示性实施方式的放射线图像摄影装置的制造方法的一例的说明图。
图5是说明第1例示性实施方式的放射线图像摄影装置的制造方法的一例的说明图。
图6是从基材的第1面侧观察第2例示性实施方式的放射线图像摄影装置的一例的平面图。
图7是用于说明驱动组件搭载于第2例示性实施方式的驱动基板的状态的说明图。
图8是从基材的第1面侧观察第2例示性实施方式的放射线图像摄影装置的另一例的平面图。
图9是用于说明第1及第2例示性实施方式的相对于驱动电路部的电源线及信号线的布线的一例的说明图。
具体实施方式
以下，参考附图对本发明的例示性实施方式进行详细说明。另外，本例示性实施方式并非限定本发明。
[第1例示性实施方式]
本例示性实施方式的放射线图像摄影装置通过检测透过摄影对象即被摄体的放射线并输出表示被摄体的放射线图像的图像信息，具有拍摄摄影对象的放射线图像的功能。
首先，参考图1说明本例示性实施方式的放射线图像摄影装置中的电气系统的结构的一例的概略。图1是表示本例示性实施方式的放射线图像摄影装置中的电气系统的主要部分结构的一例的框图。
放射线检测器10具备传感器基板12(参考图2)和将放射线转换为光的转换层(参考图2)。传感器基板12具备挠性基材14和设置于基材14的第1面14A的多个像素16。另外，以下有时将多个像素16简称为“像素16”。
如图1所示，本例示性实施方式的各像素16具备根据由转换层转换的光产生并积蓄电荷的传感器部22及读取积蓄于传感器部22的电荷的开关元件20。在本例示性实施方式中，作为一例，将薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)用作开关元件20。因此，以下将开关元件20称为“TFT20”。在本例示性实施方式中，形成有传感器部22及TFT20且进一步设置有在基材14的第1面14A上形成有像素16的层作为经平坦化的层。以下，为了便于说明，有时将形成有像素16的层也称为“像素16”。
像素16沿一方向(与图1的横向对应的扫描布线方向，以下也称为“行方向”)及与行方向交叉的方向(与图1的纵向对应的信号布线方向，以下也称为“列方向”)以二维状配置于传感器基板12的主动区域15。在图1中，简化示出了像素16的排列，但例如像素16可沿行方向及列方向配置有1024个×1024个。
并且，针对像素16的每一行配置的用于控制TFT20的开关状态(开启及关闭)的多个扫描布线26和针对像素16的每一列配置的读取积蓄于传感器部22的电荷的多个信号布线24彼此交叉设置于放射线检测器10。多个扫描布线26的每一个分别电连接于驱动部102。后述的控制部100连接于驱动部102，根据从控制部100输出的控制信号输出驱动信号。从驱动部102输出的驱动TFT20而控制开关状态的驱动信号流过多个扫描布线26的每一个。并且，通过多个信号布线24的每一个分别电连接于信号处理部104，从各像素16读取的电荷作为电信号输出至信号处理部104。信号处理部104生成并输出与所输入的电信号对应的图像数据。
后述的控制部100连接于信号处理部104，从信号处理部104输出的图像数据依次输出至控制部100。图像存储器106连接于控制部100，从信号处理部104依次输出的图像数据通过控制部100的控制依次储存于图像存储器106。图像存储器106具有可储存规定张数量的图像数据的储存容量，每进行放射线图像的拍摄时，通过拍摄而得的图像数据依次储存于图像存储器106中。
控制部100具备CPU(Central Processing Unit，中央处理器)100A、包括ROM(ReadOnly Memory，只读存储器)和RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)等的存储器100B及快闪存储器等非挥发性储存部100C。作为控制部100的一例，可举出微计算机等。控制部100控制放射线图像摄影装置1整体的动作。
另外，在本例示性实施方式的放射线图像摄影装置1中，图像存储器106及控制部100等形成于控制基板110上。
并且，为了对各像素16施加偏压，各像素16的传感器部22上沿信号布线24的布线方向设置有共用布线28。通过共用布线28电连接于传感器基板12的外部的偏压电源(省略图示)，从偏压电源对各像素16施加偏压。
电源部108对控制部100、驱动部102、信号处理部104、图像存储器106及电源部108等各种元件和各种电路供给电力。另外，在图1中，为了避免混淆，省略了连接电源部108与各种元件和各种电路的布线的图示。
进而，对本例示性实施方式的放射线检测器10进行详细说明。图2是表示本例示性实施方式的放射线检测器10的一例的概略的剖视图。
如图2所示，本例示性实施方式的放射线检测器10具备包括基材14及像素16的传感器基板12和转换层30，且基材14、像素16及转换层30依次设置。另外，以下将基材14、像素16及转换层30所层叠的方向(图2中的上下方向)称为层叠方向。
基材14具有挠性，例如是包含聚酰亚胺等塑胶的树脂制薄片。作为基材14的具体例，可举出XENOMAX(注册商标)。另外，基材14只要具有所期望的挠性即可，并不限定于树脂片。例如，基材14也可以为厚度较薄的玻璃基板等。基材14的厚度只要是能够根据材质的硬度及传感器基板12的大小(第1面14A或第2面14B的面积)等获得所期望的挠性的厚度即可。例如，当基材14为树脂片时，只要厚度为5μm～125μm即可。并且，例如，当基材14为玻璃基板时，通常在一边为43cm以下的尺寸下，若厚度为0.1mm以下，则可具有挠性，因此只要厚度为0.1mm以下即可。
如图2所示，多个像素16设置于基材14的第1面14A的内侧的一部分区域。即，在本例示性实施方式的传感器基板12中，像素16未设置于基材14的第1面14A的外周部。在本例示性实施方式中，将基材14的第1面14A的设置有像素16的区域作为主动区域15。另外，在本例示性实施方式中，作为一例，像素16经由使用SiN等的底涂层(省略图示)而设置于基材14的第1面14A。
并且，如图2所示，基材14的第1面14A的外周成为设置有电连接于信号布线24或扫描布线26的端子的端子区域34。
并且，如图2所示，转换层30覆盖主动区域15。在本例示性实施方式中，作为转换层30的一例使用了包含CsI(碘化铯)的闪烁器。作为这种闪烁器，例如优选包含X射线照射时的发光光谱为400nm～700nm的CsI∶Tl(添加有铊的碘化铯)或CsI∶Na(添加有钠的碘化铯)。另外，CsI∶Tl的可见光区域中的发光峰值波长为565nm。
在本例示性实施方式中，通过真空蒸镀法、溅射法及CVD(Chemical VaporDeposition，化学气相沉积)法等气相沉积法在传感器基板12上直接形成了CsI的转换层30作为柱状结晶。此时，转换层30的与像素16接触的一侧成为柱状结晶的生长方向基点侧。
另外，当如此通过气相沉积法在传感器基板12上直接形成CsI的转换层时，在与和传感器基板12接触的一侧相反侧面上，例如可以设置有具有反射经转换层30转换的光的功能的反射层(省略图示)。反射层可以直接设置于转换层30，也可以经由粘合层等设置。作为此时的反射层的材料，优选使用有机系材料，例如，优选将白PET(PolyethyleneTerephthalate，聚对苯二甲酸乙二酯)、TiO2、AL2O3、发泡白PET、聚酯系高反射薄片及镜面反射铝等中的至少一个用作材料。尤其，从反射率的观点考虑，优选将白PET用作材料。
另外，白PET是在PET中添加TiO2或硫酸钡等白色颜料而成。并且，聚酯系高反射薄片是指，具有重叠多个较薄的聚酯薄片而成的多层结构的薄片(薄膜)。并且，发泡白PET是指，表面为多孔的白PET。
并且，当将CsI的闪烁器用作转换层30时，也能够通过与本例示性实施方式不同的方法在传感器基板12上形成转换层30。例如，准备通过气相沉积法在铝板等上蒸镀CsI而成的铝板等，通过粘结性薄片等贴合CsI的未与铝板接触的一侧和传感器基板12的像素16，由此也可以在传感器基板12上形成转换层30。
进而，也可以与本例示性实施方式的放射线检测器10不同地，使用GOS(Gd2O2S∶Tb)等作为转换层30而代替CsI。此时，例如准备通过粘合层等在利用白PET等形成的支撑体上贴合使GOS分散于树脂等粘合剂中而得的薄片而成的支撑体，通过粘结性薄片等贴合GOS的未贴合支撑体的一侧和传感器基板12的像素16，由此能够在传感器基板12上形成转换层30。
另外，也可以设置覆盖放射线检测器10的一部分或整体、或者转换层30等的保护膜或抗静电膜。作为保护膜，例如可举出Parylene(注册商标)膜和聚对苯二甲酸乙二酯等绝缘性薄片等。并且，作为抗静电膜，例如可举出对聚对苯二甲酸乙二酯等绝缘性薄片(薄膜)粘接铝箔等而层叠铝而成的AL-PET(注册商标)薄片或使用抗静电涂料“Colcoat”(商品名：Colcoat Co，.Ltd.制)的膜等。
接着，对本例示性实施方式的放射线检测器10与驱动部102及信号处理部104的连接进行详细说明。图3中示出从基材14的第1面14A侧观察驱动部102及信号处理部104连接于本例示性实施方式的放射线检测器10的状态的一例的平面图。
如图3所示，柔性(具有挠性的)电缆220及电缆320电连接于设置于放射线检测器10的基材14的端子区域34的端子(省略图示)。另外，在本例示性实施方式中，包括电缆220及电缆320，关于称为“电缆”的组件的连接若无特别说明，便表示电连接。另外，电缆220及电缆320包括由导体构成的信号线(省略图示)，并通过该信号线连接于端子而进行电连接。本例示性实施方式的电缆220是本发明的第1电缆的一例，本例示性实施方式的电缆320是本发明的第2电缆的一例。并且，以下称为“电缆”时，是指柔性(具有挠性)的电缆。
图3中示出从基材14的第1面14A侧观察电缆220及电缆320连接于本例示性实施方式的放射线检测器10的端子区域34的状态的一例的平面图。如图3所示，在本例示性实施方式中，在矩形的放射线检测器10的外缘部14L1及外缘部14L2上分别设置有端子区域34。与外缘部14L1对应的边和与外缘部14L2对应的边是放射线检测器10的彼此相邻的两个边。换言之，放射线检测器10的与外缘部14L1对应的边和与外缘部14L2对应的边交叉。另外，与本例示性实施方式的外缘部14L1对应的边是本发明的第1边的一例，与本例示性实施方式的外缘部14L2对应的边是本发明的第2边的一例。
外缘部14L1上，多个(图3中为4个)电缆220的一端热压接于端子区域34的端子(省略图示)。电缆220具有连接驱动部102和扫描布线26(参考图1)的功能。电缆220所含的多个信号线(省略图示)经由端子区域34的端子连接于传感器基板12的扫描布线26(参考图1)。
另一方面，电缆220的另一端与设置于驱动基板202的外缘部202L1的端子区域204的端子(省略图示)热压接。电缆220所含的多个信号线(省略图示)经由端子区域204的端子与搭载于驱动基板202的电路及元件等连接。另外，本例示性实施方式的驱动基板202是本发明的第1电路基板的一例，搭载于本例示性实施方式的驱动基板202的电路及元件是本发明的第1电路部的一例。
并且，驱动电路部212搭载于电缆220。驱动电路部212连接于电缆220所含的多个信号线(省略图示)。
在本例示性实施方式中，由搭载于驱动基板202的电路及元件和驱动电路部212实现驱动部102。驱动电路部212是包括实现驱动部102的各种电路及元件中的与搭载于驱动基板202的电路不同的电路的IC(Integrated Circuit，集成电路)。
通过电缆220电连接传感器基板12和驱动基板202，由此驱动部102与扫描布线26的每一个连接。
另外，本例示性实施方式的驱动基板202是挠性的PCB(Printed Circuit Board，印刷电路板)基板，是所谓柔性基板。
另一方面，外缘部14L2上，多个(图3中为4个)电缆320的一端热压接于端子区域34的端子(省略图示)。电缆320所含的多个信号线(省略图示)经由端子区域34的端子连接于信号布线24(参考图1)。电缆320具有连接信号处理部104和信号布线24(参考图1)的功能。
另一方面，电缆320的另一端与设置于信号处理基板304的外缘部304L2的连接器330电连接。电缆320所含的多个信号线(省略图示)经由连接器330与搭载于信号处理基板304的电路及元件等连接。作为连接器330，例如可举出ZIF(Zero Insertion Force，零插力)结构的连接器或Non-ZIF结构的连接器。另外，本例示性实施方式的信号处理基板304是本发明的第2电路基板的一例，搭载于本例示性实施方式的信号处理基板304的电路及元件是本发明的第2电路部的一例。
并且，信号处理电路部314搭载于电缆320。信号处理电路部314连接于电缆320所含的多个信号线(省略图示)。
在本例示性实施方式中，由搭载于信号处理基板304的电路及元件和信号处理电路部314实现信号处理部104。信号处理电路部314是包括实现信号处理部104的各种电路及元件中的与搭载于信号处理基板304的电路不同的电路的IC。
通过电缆320及连接器330电连接传感器基板12和信号处理基板304，由此信号处理部104与信号布线24的每一个连接。
另外，本例示性实施方式的信号处理基板304是非挠性的PWB基板，是所谓刚性基板。因此，信号处理基板304的厚度厚于驱动基板202的厚度。
参考图4及图5，对图1及图3所示的放射线图像摄影装置1的制造方法进行说明。
首先，如图4所示，经由剥离层(省略图示)在厚度厚于基材14的玻璃基板等支撑体200上形成基材14。当通过层叠法形成基材14时，在支撑体200上贴合成为基材14的薄片。基材14的第2面14B与剥离层(省略图示)接触。
进而，在基材14的第1面14A上形成像素16。另外，在本例示性实施方式中，作为一例，经由使用SiN等的底涂层(省略图示)在基材14的第1面14A上形成像素16。
进而，在像素16上形成转换层30。在本例示性实施方式中，通过真空蒸镀法、溅射法及CVD(Chemical Vapor Deposition)法等气相沉积法在传感器基板12上直接形成CsI的转换层30作为柱状结晶。此时，转换层30的与像素16接触的一侧成为柱状结晶的生长方向基点侧。
另外，当如此通过气相沉积法在传感器基板12上直接设置有CsI的转换层30时，在与和转换层30的传感器基板12接触的一侧相反侧面上，例如可以设置有具有反射经转换层30转换的光的功能的反射层(省略图示)。反射层可以直接设置于转换层30，也可以经由密接层等设置。作为反射层的材料，优选使用有机系材料，例如，优选将白PET、TiO2、Al2O3、发泡白PET、聚酯系高反射薄片及镜面反射铝等中的至少一个用作材料。尤其，从反射率的观点考虑，优选将白PET用作材料。另外，聚酯系高反射薄片是指，具有重叠多个较薄的聚酯薄片而成的多层结构的薄片(薄膜)。
并且，当将CsI的闪烁器用作转换层30时，也能够通过与本例示性实施方式不同的方法在传感器基板12上形成转换层30。例如，准备通过气相沉积法在铝板等上蒸镀CsI而成的铝板等，通过粘结性薄片等贴合CsI的未与铝板接触的一侧和传感器基板12的像素16，由此也可以在传感器基板12上形成转换层30。此时，优选以利用保护膜覆盖包括铝板的状态的转换层30整体的状态与传感器基板12的像素16进行贴合。另外，此时，转换层30的与像素16接触的一侧成为柱状结晶的生长方向的前端侧。
并且，也可以与本例示性实施方式的放射线检测器10不同地，使用GOS(Gd2O2S∶Tb)等作为转换层30而代替CsI。此时，例如准备通过粘合层等在利用白PET等形成的支撑体上贴合使GOS分散于树脂等粘合剂中而得的薄片而成的支撑体，通过粘结性薄片等贴合GOS的未贴合支撑体的一侧和传感器基板12的像素16，由此能够在传感器基板12上形成转换层30。另外，在转换层30中使用CsI时，与使用GOS时相比，从放射线向可见光的转换效率变高。
进而，将电缆220热压接于传感器基板12的端子区域34(参考图2、3)的端子(省略图示)，电连接电缆220所含的多个信号线(省略图示)和传感器基板12的扫描布线26(参考图1)。并且，将电缆320热压接于传感器基板12的端子区域34(参考图2、3)的端子(省略图示)，电连接电缆320所含的多个信号线(省略图示)和传感器基板12的信号布线24(参考图1)。
进而，将电缆220热压接于驱动基板202的端子区域204(参考图3)的端子(省略图示)，电连接电缆220所含的多个信号线(省略图示)和搭载于驱动基板202的电路及元件等。
之后，如图5所示，从支撑体200剥离放射线检测器10。当通过机械剥离进行剥离时，在图5所示的一例中，以传感器基板12的与连接有电缆320的边对向的边为剥离的起点，从作为起点的边朝向连接有电缆320的边，逐渐从支撑体200向图5所示的箭头D方向剥离传感器基板12，由此进行机械剥离，获得放射线图像摄影装置1。
在进行机械剥离时与本例示性实施方式的放射线图像摄影装置1不同的情况下，即在与图3及图5所示的放射线图像摄影装置1不同而驱动基板202是刚性基板的情况下，刚性基板与柔性基板相比挠曲小，因此难以从支撑体200剥离传感器基板12。并且，当使为刚性基板的驱动基板202挠曲时，搭载于驱动基板202的电路及元件等有时会受损。
相对于此，在本例示性实施方式的放射线图像摄影装置1中，如图3及图5所示，驱动基板202为柔性基板，因此容易随着传感器基板12的挠曲而挠曲。因此，容易从支撑体200剥离传感器基板12，并且，抑制搭载于驱动基板202的电路及元件等受损。
在本例示性实施方式中，在从支撑体200剥离传感器基板12之后，进一步电连接放射线检测器10的电缆320和信号处理基板304的连接器330。另外，并不限定于本例示性实施方式，也可以在电连接放射线检测器10的电缆320和信号处理基板304的连接器330之后，进行上述机械剥离。即使在该情况下，作为起点的连接有电缆320的边也几乎不会挠曲，因此与驱动基板202的情况不同，不会产生上述问题。
[第2例示性实施方式]
图6中示出从基材14的第1面14A侧观察本例示性实施方式的放射线图像摄影装置1的一例的平面图。
如图6所示，在本例示性实施方式的放射线图像摄影装置1中，驱动基板202不同于第1例示性实施方式的放射线图像摄影装置1的驱动基板202(参考图3)。
如图6所示，本例示性实施方式的驱动基板202具有沿与传感器基板12、电缆220及驱动基板202连接的连接方向(参考图6箭头P)交叉的方向排列的非挠性的区域202A和挠性的区域202B。
与信号处理基板304相同地，非挠性的区域202A是所谓刚性基板。另一方面，与第1例示性实施方式的驱动基板202相同地，挠性的区域202B是所谓柔性基板。另外，如此，能够将所谓刚性柔性基板用作具有非挠性的区域202A及挠性的区域202B的基板。
另外，如图7所示的一例，搭载于驱动基板202的电路及元件(以下，称为“驱动组件”)250优选搭载于非挠性的区域202A。并且，驱动组件250优选未横跨非挠性的区域202A与挠性的区域202B的边界搭载。
如此，在本例示性实施方式的放射线图像摄影装置1中，即使在驱动基板202的一部分具有非挠性的区域202A，在从支撑体200机械剥离放射线检测器10时等使放射线检测器10挠曲的情况下，驱动基板202也会因挠性的区域202B而容易挠曲。另一方面，由于非挠性的区域202A的部分难以挠曲，因此在使驱动基板202挠曲时，能够减少对搭载于非挠性的区域202A的驱动组件250带来的影响。
并且，在大多数情况下，非挠性的区域202A的厚度厚于挠性的区域202B的厚度。通过将驱动组件250搭载于具有厚度的区域，能够在区域(挠性的区域202B)的厚度方向上隔开配置信号线和组件彼此等，因此能够抑制电干扰、例如电源线对驱动组件250的干扰。另外，在本例示性实施方式中，“电源线”是指，用于电源电压的供给的信号线，也包括供给接地电位的信号线。
另外，在驱动基板202中，非挠性的区域202A及挠性的区域202B各自的大小及数量并无特别限定。只要根据搭载于驱动基板202的驱动组件250的配置、大小及数量等或传感器基板12的挠曲方式(挠曲量、曲率R)等确定即可。例如，可以如图8所示的一例设置非挠性的区域202A及挠性的区域202B。与图6所示的驱动基板202的情况相比，在图8所示的一例中，非挠性的区域202A及挠性的区域202B的配置相反。即使在该情况下，也能够容易使传感器基板12挠曲，并且，通过将驱动组件250搭载于非挠性的区域202A，能够减少因传感器基板12挠曲对驱动组件250带来的影响。
如上所述，上述各例示性实施方式的放射线图像摄影装置1具备：传感器基板12，包括挠性基材14及积蓄根据放射线产生的电荷的多个像素16；挠性的电缆220，一端电连接于传感器基板12；及挠性的驱动基板202，电连接于电缆220的另一端且搭载有在读取积蓄于多个像素16的电荷时驱动的驱动部102的电路部。
如此，上述各例示性实施方式的放射线图像摄影装置1中，挠性的驱动基板202经由挠性的电缆220连接于包括挠性基材的传感器基板12。因此，在上述各例示性实施方式的放射线图像摄影装置1中，能够在驱动基板202经由电缆220电连接于传感器基板12的状态下抑制传感器基板12挠曲时对驱动组件250带来的影响。
尤其，当作为放射线图像摄影装置1的制造方法而应用层叠法时，有时在电缆220、320及驱动基板202连接于传感器基板12的状态下从支撑体200机械剥离传感器基板12。此时，当从支撑体200剥离传感器基板12时，随着传感器基板12挠曲驱动基板202也挠曲，但能够抑制对驱动组件250带来的影响。并且，根据上述各例示性实施方式的放射线图像摄影装置1，由于容易使传感器基板12挠曲，因此能够容易从支撑体200剥离传感器基板12。
另外，如图9所示的一例，在上述各例示性实施方式的放射线图像摄影装置1中，由于基材14的厚度较薄，因此供给用于使驱动电路部212驱动的电源电力的电源线270优选设置于驱动基板202及电缆220。换言之，优选未将电源线270设置于传感器基板12。并且，用于使驱动电路部212驱动的信号流过的信号线272优选设置于传感器基板12及电缆220。
并且，并不限定于上述各例示性实施方式的放射线图像摄影装置1，也可以根据上述制造工序的机械剥离中的剥离方向，确定将驱动基板202及信号处理基板304中的至少一侧中的任一个作为具有挠性的基板。另外，在大多数情况下，用于信号处理部104且搭载于信号处理基板304的电路及元件等进行模拟处理。进行模拟处理的组件有受电干扰、换言之噪声的很大影响的倾向。因此，搭载于信号处理基板304的电路及元件等优选设置于不易受噪声的影响的环境。如上所述，在大多数情况下，刚性基板的厚度厚于柔性基板的厚度。因此，与柔性基板相比，在刚性基板中，能够通过增加组件与产生电磁噪声的电源线或信号线之间的距离，或者增加电源层或接地层的厚度，使电位稳定而使噪声不易干扰。因此，如上述各例示性实施方式，信号处理基板304优选为刚性基板。
另一方面，在大多数情况下，搭载于驱动基板202的驱动组件250进行数字处理。进行数字处理的组件有比模拟组件不易受电干扰、换言之噪声的很大影响的倾向。因此，能够使驱动基板202的厚度薄于信号处理基板304的厚度。因此，如上述各例示性实施方式，优选将驱动基板202设为柔性基板。
另外，当使用层叠法制造放射线图像摄影装置1时，也能够在将驱动基板202和电缆220连接于传感器基板12之前从支撑体200机械剥离传感器基板12。然而，此时，在从驱动基板202剥离传感器基板12之后，将驱动基板202和电缆220连接于传感器基板12，但由于传感器基板12具有挠性，因此难以将驱动基板202和电缆220热压接于传感器基板12的端子区域34的端子，并且，容易引起错位。因此，如上述各例示性实施方式，优选将驱动基板202及电缆220连接于传感器基板12之后，从支撑体200剥离传感器基板12。
并且，在上述各例示性实施方式中，通过在设置于信号处理基板304的连接器330上连接电缆320，电连接电缆320和信号处理基板304，但也可以通过热压接进行电连接，而不使用连接器330。另外，如上所述，信号处理基板304是刚性基板，因此与柔性基板相比有重量重的倾向，根据重量会被拉拽等，在将电缆320热压接于信号处理基板304时，电缆320有可能引起错位。因此，如上述各例示性实施方式的放射线图像摄影装置1，使用连接器330连接信号处理基板304和电缆320时更容易进行再次加工，因此优选。另外，“再次加工”是指，因不良或错位等而拆除连接于基板的组件和电缆并重新进行连接。
并且，在上述各例示性实施方式中，对由搭载于电缆320的信号处理电路部314及信号处理基板304构成信号处理部104的方式进行了说明，但并无特别限定。例如，也可以将信号处理部104本身搭载于电缆320，电连接控制基板110和电缆320而代替信号处理基板304。
并且，在上述各例示性实施方式中，对如图1所示像素16二维排列成矩阵状的方式进行了说明，但并不限于此，例如，可以是一维排列，也可以是蜂窝排列。并且，像素的形状也不受限定，可以是矩形，也可以是六边形等多边形。进而，当然主动区域15的形状也不受限定。
并且，上述各例示性实施方式的放射线检测器10(放射线图像摄影装置1)可以应用将传感器基板12配置于转换层30的放射线所入射的一侧的(换言之，传感器基板12配置于放射线检测器10中放射线所照射的一侧的)所谓ISS(Irradiation Side Sampling，照射侧采集)方式。并且，放射线检测器10也可以应用将传感器基板12配置于转换层30的与放射线所入射的一侧相反的一侧的(换言之，将传感器基板12配置于放射线检测器10中与放射线所照射的一侧相反的一侧的)所谓PSS(Penetration Side Sampling，透过侧采集)方式。
其他在上述各例示性实施方式中说明的放射线图像摄影装置1及放射线检测器10等的结构和制造方法等为一例，当然能够在不脱离本发明的宗旨的范围内根据状况而进行变更。
日本申请2018-058964的所有公开内容通过参考援用于本说明书中。
与具体且分别记载通过参考援用每个文献、专利申请及技术标准的情况相同程度地，在本说明书中记载的所有文献、专利申请及技术标准通过参考援用于本说明书中。

Claims (12)

1.一种放射线图像摄影装置，其特征在于，具备：
传感器基板，包括挠性的基材及积蓄根据放射线产生的电荷的多个像素；
挠性的第1电缆，一端电连接于所述传感器基板；及
挠性的第1电路基板，电连接于所述第1电缆的另一端，并且搭载有读取积蓄于所述多个像素的电荷时驱动的第1电路部。
2.根据权利要求1所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述第1电缆连接于所述传感器基板的第1边，
所述放射线图像摄影装置进一步具备：
挠性的第2电缆，一端电连接于所述传感器基板的与所述第1边交叉的第2边；及
非挠性的第2电路基板，电连接于所述第2电缆的另一端，并且搭载有与所述第1电路部不同的读取积蓄于所述多个像素的电荷时驱动的第2电路部。
3.根据权利要求2所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述第2电路部包括：输入与积蓄于所述多个像素的电荷对应的电信号且生成并输出与所输入的所述电信号对应的图像数据的信号处理部的电路。
4.根据权利要求2或3所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述第2电路基板具备电连接所述第2电缆的连接器。
5.根据权利要求1所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述第1电路部包括从所述多个像素读取电荷的驱动部的电路。
6.根据权利要求1所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述第1电路基板具有：在与所述传感器基板、所述第1电缆及所述第1电路基板被连接的连接方向交叉的方向上排列的挠性的区域及非挠性的区域。
7.根据权利要求6所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述第1电路部搭载于所述非挠性的区域。
8.根据权利要求1所述的放射线图像摄影装置，其中，
在所述第1电缆，搭载有从所述多个像素读取电荷的驱动部的电路，
在所述第1电路基板及所述第1电缆，设置有对所述驱动部的电路供给电源电力的电源线。
9.根据权利要求1所述的放射线图像摄影装置，其中，
在所述第1电缆，搭载有从所述多个像素读取电荷的驱动部的电路，
在所述传感器基板，未设置对所述驱动部的电路供给电源电力的电源线。
10.根据权利要求8或9所述的放射线图像摄影装置，其中，
在所述第1电缆，搭载有从所述多个像素读取电荷的驱动部的电路，
在所述传感器基板及所述第1电缆，设置有用于驱动所述驱动部的电路的信号流过的信号线。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述第1电缆通过热压接电连接于所述第1电路基板。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的放射线图像摄影装置，其中，
所述第1电缆通过热压接电连接于所述传感器基板。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3770641A4 (en) * 2018-03-19 2021-04-28 FUJIFILM Corporation RADIATION DETECTOR, RADIOLOGICAL IMAGING DEVICE AND PRODUCTION PROCESS
CN114173462A (zh) 2020-09-11 2022-03-11 睿生光电股份有限公司 X射线装置

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030031296A1 (en) * 2001-07-27 2003-02-13 Martin Hoheisel X-ray diagnostics installation with a flexible solid state X-ray detector
JP2005140587A (ja) * 2003-11-05 2005-06-02 Canon Inc 放射線撮像装置の製作方法
WO2009060968A2 (en) * 2007-11-05 2009-05-14 Canon Kabushiki Kaisha Manufacturing method of radiation detecting apparatus, and radiation detecting apparatus and radiation imaging system
JP2010085266A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Fujifilm Corp 放射線検出装置及び放射線撮影システム
JP2010085121A (ja) * 2008-09-29 2010-04-15 Fujifilm Corp 放射線検出装置及び放射線画像撮影システム
WO2010070735A1 (ja) * 2008-12-16 2010-06-24 株式会社島津製作所 光マトリックスデバイス
WO2011040079A1 (ja) * 2009-09-29 2011-04-07 富士フイルム株式会社 放射線撮影装置
JP2012042224A (ja) * 2010-08-12 2012-03-01 Toshiba Corp 放射線検出装置
CN102449764A (zh) * 2009-05-28 2012-05-09 浜松光子学株式会社 放射线检测单元
JP2012118050A (ja) * 2010-11-09 2012-06-21 Fujifilm Corp 放射線撮影装置
US20130221468A1 (en) * 2012-02-27 2013-08-29 Analog Devices, Inc. Compact sensor module
CN104067146A (zh) * 2011-12-27 2014-09-24 皇家飞利浦有限公司 用于pet探测器的柔性连接器
CN106308831A (zh) * 2015-07-02 2017-01-11 通用电气公司 柔性x射线检测器设备、系统和使用其的方法
JP2018021828A (ja) * 2016-08-03 2018-02-08 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び放射線撮像システム

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002025326A (ja) * 2000-07-13 2002-01-25 Seiko Epson Corp 光源装置、照明装置、液晶装置及び電子機器
CN101129101B (zh) * 2005-02-28 2010-07-14 联邦科学和工业研究组织 柔性电子装置
JP2008122116A (ja) * 2006-11-09 2008-05-29 Ge Medical Systems Global Technology Co Llc 放射線検出器およびｘ線断層撮影装置
JP5647581B2 (ja) * 2010-11-29 2015-01-07 富士フイルム株式会社 放射線撮影装置
CN104605876A (zh) * 2014-12-12 2015-05-13 沈阳东软医疗系统有限公司 一种ct机检测器模块和检测器系统
DE102015209267A1 (de) * 2015-05-21 2016-11-24 Robert Bosch Gmbh Bauteil mit einem MECS-Bauelement auf einem Montageträger

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030031296A1 (en) * 2001-07-27 2003-02-13 Martin Hoheisel X-ray diagnostics installation with a flexible solid state X-ray detector
JP2005140587A (ja) * 2003-11-05 2005-06-02 Canon Inc 放射線撮像装置の製作方法
WO2009060968A2 (en) * 2007-11-05 2009-05-14 Canon Kabushiki Kaisha Manufacturing method of radiation detecting apparatus, and radiation detecting apparatus and radiation imaging system
JP2010085121A (ja) * 2008-09-29 2010-04-15 Fujifilm Corp 放射線検出装置及び放射線画像撮影システム
JP2010085266A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Fujifilm Corp 放射線検出装置及び放射線撮影システム
WO2010070735A1 (ja) * 2008-12-16 2010-06-24 株式会社島津製作所 光マトリックスデバイス
CN102449764A (zh) * 2009-05-28 2012-05-09 浜松光子学株式会社 放射线检测单元
WO2011040079A1 (ja) * 2009-09-29 2011-04-07 富士フイルム株式会社 放射線撮影装置
JP2012042224A (ja) * 2010-08-12 2012-03-01 Toshiba Corp 放射線検出装置
JP2012118050A (ja) * 2010-11-09 2012-06-21 Fujifilm Corp 放射線撮影装置
CN104067146A (zh) * 2011-12-27 2014-09-24 皇家飞利浦有限公司 用于pet探测器的柔性连接器
US20130221468A1 (en) * 2012-02-27 2013-08-29 Analog Devices, Inc. Compact sensor module
CN106308831A (zh) * 2015-07-02 2017-01-11 通用电气公司 柔性x射线检测器设备、系统和使用其的方法
JP2018021828A (ja) * 2016-08-03 2018-02-08 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び放射線撮像システム

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