CN111913314A - 电子装置及其制造方法 - Google Patents

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庄昭力
黄信维
郭明琪
卢至彦
陈冠州
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Abstract

本申请提供一种电子装置，包括：一显示器、一基板以及一防爆膜层，所述基板设置于所述显示器上，所述防爆膜层设置于所述基板与所述显示器之间，其中所述防爆膜层具有一拉伸强度，所述拉伸强度的范围为10MPa至30MPa。本申请亦提供一种电子装置的制造方法。

Description

电子装置及其制造方法
技术领域
本申请是有关于一种电子装置及其制造方法，特别是有关于具有防爆结构的电子装置及其制造方法。
背景技术
包含显示面板在内的电子产品已成为现代社会不可或缺的必需品。随着这种便携式电子产品的蓬勃发展，消费者对这些产品的质量、功能或价格抱有很高的期望。
显示面板被广泛地应用于各种空间及环境，对于安全性的要求也逐渐受到重视，但目前包含显示面板在内的电子装置仍未在各个方面符合需求，因此，进一步改善所述电子装置的效能仍为目前业界致力研究的课题之一。
发明内容
根据本申请一些实施例，提供一种电子装置，包括：一显示器、一基板以及一防爆膜层，所述基板设置于所述显示器上，所述防爆膜层设置于所述基板与所述显示器之间，其中所述防爆膜层具有一拉伸强度，所述拉伸强度的范围为10MPa至30MPa。
根据本申请另一些实施例，提供一种电子装置的制造方法，包括：提供一基板，且对所述基板实行一第一前处理步骤；提供一防爆膜层及一显示器，且所述防爆膜层具有一拉伸强度，所述拉伸强度的范围为10MPa至30MPa；实行一对位步骤，将所述基板、所述防爆膜层与所述显示器对位；以及实行一贴合步骤，将所述基板、所述防爆膜层与所述显示器贴合，以形成一电子装置。此外，所述防爆膜层设置于所述基板与所述显示器之间。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
图1A显示根据本申请一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；
图1B显示根据本申请一些实施例中，电子装置的上视结构示意图；
图2显示根据本申请一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；
图3显示根据本申请一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；
图4显示根据本申请一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；
图5显示根据本申请一些实施例中，电子装置的制造方法的步骤流程图；
图6显示根据本申请一些实施例中，电子装置的制造方法的步骤流程图；
图7显示根据本申请一些实施例中，电子装置的制造方法的步骤流程图。
图中元件标号说明：
10、20、30、40 电子装置；
50A、60A、70A 电子装置的制造方法；
102 基板；
102a 第一表面；
102b 第二表面；
104 遮蔽层；
200 防爆膜层；
200a 第一表面；
200a’ 部分表面；
200b 第二表面；
300 显示器；
302a 第一基板；
302b 第二基板；
304 液晶层；
306a 第一偏光板；
306b 第二偏光板；
308 背光模块；
310 发光层；
A102、A200、A300 面积；
d1 距离；
E1 第一边；
E2 第二边；
E3 第三边；
E4 第四边；
E5 第五边；
S51～S56 步骤
S61～S68 步骤
S71～S72 步骤。
具体实施方式
以下针对本申请实施例的电子装置以及其制造方法作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本申请一些实施例的不同态样。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单清楚描述本申请一些实施例。当然，这些仅用以举例而非本申请的限定。此外，在不同实施例中可能使用类似及/或对应的标号标示类似及/或对应的元件，以清楚描述本申请。然而，这些类似及/或对应的标号的使用仅为了简单清楚地叙述本申请一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。
应理解的是，附图的元件或装置可以本领域技术人员所熟知的各种形式存在。此外实施例中可能使用相对性用语，例如“较低”或“底部”或“较高”或“顶部”，以描述附图的一个元件对于另一元件的相对关系。可理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“较低”侧的元件将会成为在“较高”侧的元件。本申请实施例可配合附图一并理解，本申请的附图亦被视为申请说明的一部分。应理解的是，本申请的附图并未按照比例绘制，事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸以便清楚表现出本申请的特征。
此外，附图的元件或装置可以本领域技术人员所熟知的各种形式存在。此外，应理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种元件、组件、或部分，这些元件、组件或部分不应被这些用语限定。这些用语仅是用来区别不同的元件、组件、区域、层或部分。因此，以下讨论的一第一元件、组件、区域、层或部分可在不偏离本申请的教导的情况下被称为一第二元件、组件、区域、层或部分。
于文中，“约”、“大约”、“实质上”、“大致上”的用语通常表示在一给定值或范围的20％内，较佳是10％内，更佳是5％内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“实质上”、“大致上”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“实质上”、“大致上”的含义。此外，用语“范围为第一数值至第二数值”、“在第一数值至第二数值的范围中”表示所述范围包含第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。
在本申请一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。
除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本申请所属技术领域的技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成具有与相关技术及本申请的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本申请实施例有特别定义。
根据本申请一些实施例，提供的电子装置包含具有特定物理性质的防爆膜层设置于盖板与显示器之间，借此可减少盖板因遭撞击而碎裂飞溅的风险，提升电子装置适用于各种环境(例如，室内、室外或车内等环境)的安全性。
请参照图1A，图1A显示根据本申请一些实施例中，电子装置10的剖面结构示意图。应理解的是，为了清楚说明，图1A仅绘示电子装置10的部分元件，部分元件的详细结构将于接续的附图中进一步说明。此外，根据一些实施例，可添加额外特征于以下所述的电子装置10。
如图1A所示，电子装置10可包含基板102、防爆膜层200以及显示器300。基板102可设置于显示器300上，防爆膜层200可设置于基板102与显示器300之间。在一些实施例中，基板102可作为电子装置10的盖板，以保护显示器300。详细而言，基板102具有第一表面102a以及与第一表面102a相对的第二表面102b，基板102的第一表面102a可与防爆膜层200接触。在一些实施例中，基板102的第二表面102b可经表面处理以具有辅助功能。例如，在一些实施例中，第二表面102b上可具有抗炫(anti-glare)膜、抗反射(anti-reflection)膜或抗污(anti-smudge)膜等。在一些实施例中，可借由电镀制程、涂布制程或其它合适的制程形成前述膜层。
在一些实施例中，基板102的材料可包含玻璃材料，但不限于此。在一些实施例中，所述玻璃材料可包含经过化学强化处理及/或离子交换处理的玻璃材料，例如，钠钙玻璃(soda-lime glass)、铅玻璃(lead glass)、硼硅酸玻璃、石英玻璃、铝硅酸盐玻璃或其它合适的玻璃材料，但不限于此。
再者，防爆膜层200具有第一表面200a以及与第一表面200a相对的第二表面200b，防爆膜层200的第一表面200a可与显示器300接触，第二表面200b可与基板102的第一表面102a接合。在一些实施例中，防爆膜层200可用以将基板102与显示器300粘合。根据一些实施例，当电子装置10受到外力撞击导致基板102破裂时，防爆膜层200可减少破裂的基板102碎片飞溅的风险。
在一些实施例中，防爆膜层200可包含具有粘性的材料。例如，在一些实施例中，防爆膜层200可包含热固型胶材或是热塑型胶材。此外，防爆膜层200可由具有特定物理性质的材料形成。具体而言，在一些实施例中，防爆膜层200具有一拉伸强度(tensilestrength)，所述拉伸强度的范围为10MPa至30MPa(亦即，10MPa≦拉伸强度≦30MPa)、或15MPa至25MPa，例如，16MPa、17MPa、18MPa、19MPa、20MPa、21MPa、22MPa、23MPa、或24MPa。
根据一些实施例，所述防爆膜层200的拉伸强度可借由所属技术领域已知的合适方法进行测量，例如，可依照ASTM D638的标准方法进行测量。根据一些实施例，防爆膜层200的内聚力或防爆膜层200与基板102(例如，盖板)之间的作用力，可减少基板102因遭撞击而碎裂飞溅的风险。应注意的是，若防爆膜层200的拉伸强度过小(例如，小于10MPa)，会使防爆膜层200较容易断裂，而当电子装置10受到外力撞击导致基板102破裂时，防爆膜层200阻止碎片飞溅的能力会降低。
在一些实施例中，防爆膜层200具有一剥离强度(peel adhesion)，所述剥离强度的范围为40N/mm至150N/mm(亦即，40N/mm≦剥离强度≦150N/mm)、60N/mm至130N/mm、或70N/mm至120N/mm，例如，80N/mm、90N/mm、100N/mm、或110N/mm。
根据一些实施例，所述防爆膜层200的剥离强度可借由所属技术领域已知的合适方法进行测量，例如，可依照ASTM D3330的标准方法进行测量。应注意的是，若防爆膜层200的剥离强度过小(例如，小于40N/mm)，则防爆膜层200可能无法有效与基板102粘贴或固定；反之，若防爆膜层200的剥离强度过大(例如，大于150N/mm)，亦即，防爆膜层200与基板102的附着力强度过大，会造成制程中重工(rework)作业困难。
在一些实施例中，防爆膜层200具有一雾度(haze)，所述雾度的范围为0％至1％(亦即，0％≦雾度≦1％)、或0.2％至0.8％，例如，0.3％、0.4％、0.5％、0.6％、或0.7％。应注意的是，若防爆膜层200的雾度过大(例如，大于1％)，则可能会影响显示器300的影像呈现效果。再者，在一些实施例中，防爆膜层200可具有大于88％的光穿透率，例如，大于90％、93％、95％、或98％等的光穿透率。
在一些实施例中，防爆膜层200的第一表面200a具有一粗糙度，所述粗糙度(Ry)的范围为0μm至约40μm。在一些实施例中，第一表面200a的粗糙度(Ry)的范围为0μm至10μm。换言之，在一些实施例中，防爆膜层200的第一表面200a实质上为平滑的。
此外，在一些实施例中，防爆膜层200的尺寸实质上与基板102的尺寸相等。举例来说，若没有特别说明，尺寸可例如代表面积、长度、宽度或厚度，但不限于此。具体而言，请同时参照图1A及图1B，图1B显示根据本申请一些实施例中，对应于图1A的电子装置10的上视结构示意图。在一些实施例中，防爆膜层200的面积A200实质上与基板102的面积A102相等。根据一些实施例，所述防爆膜层200的面积A200例如为防爆膜层200远离显示器300的顶面积。相似地，所述基板102的面积A102例如为基板102远离显示器300的顶面积。
在一些实施例中，防爆膜层200的面积A200与基板102的面积A102的比例范围为99.5％至100％(亦即，99.5％≦(A200/A102)x100％≦100％)。应注意的是，在一些实施例中，若防爆膜层200的面积A200与基板102的面积A102的比例过小(例如，小于99.5％)，亦即，防爆膜层200的面积A200小于基板102的面积A102过多，则基板102碎裂时，未被防爆膜层200固定的基板102碎片数量会增加，因而造成碎片飞溅。
此外，请参照图1A及图1B，防爆膜层200可具有第一边E1，基板102可具有第二边E2。在一些实施例中，防爆膜层200的第一边E1与基板102的第二边E2位于电子装置10中的同一侧。在一些实施例中，防爆膜层200的第一边E1实质上与基板102的第二边E2对齐，但不限于此。
在一些实施例中，防爆膜层200的第一边E1与基板102的第二边E2之间相隔距离d1。在一些实施例中，距离d1的范围为0mm至0.3mm(亦即，0mm≦d1≦0.3mm)。应注意的是，在一些实施例中，若第一边E1与第二边E2之间的距离d1过大(例如，大于0.3mm)，亦即，防爆膜层200的面积A200与基板102的面积A102差异过大，则基板102碎裂时，防爆膜层200可能无法抓住基板102的碎片，因而造成碎片飞溅。
应理解的是，虽然附图中绘示的基板102及防爆膜层200的形状为矩形，但根据另一些实施例，基板102及防爆膜层200可根据实际需求而具有合适的其它任意形状，例如，圆形、椭圆形、三角形、五边形、菱形、或不规则形等。
承前述，防爆膜层200可将基板102与显示器300固定，显示器300可与防爆膜层200的第一表面200a接触。根据一些实施例，所述显示器300例如包含液晶(liquid crystal，LC)、有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)、量子点(quantum dot，QD)、量子点发光二极管(QLED、QD-LED)、萤光(fluorescence)材料、磷光(phosphor)材料、发光二极管(light-emitting diode，LED)、微型发光二极管(micro light-emitting diode ormini light-emitting diode)、其它材料或上述材料的组合，但本申请并不以此为限。
此外，在一些实施例中，显示器300例如可包含软性显示装置(flexibledisplay)、触控显示装置(touch display)、拼接显示装置(tiled display)、或曲面显示装置(curved display)，但不限于此。
请参照图1A及图1B，在一些实施例中，防爆膜层200的面积A200大于显示器300的面积A102。根据一些实施例，所述显示器300的面积A300例如视显示器300远离基板102的顶面积。此外，在一些实施例中，显示器300的面积A300可视为显示器300最靠近防爆膜层200的元件的面积，例如，第一偏光板306a(如图3或图4所示)的面积，但本申请并不以此为限。
在一些实施例中，防爆膜层200的面积A200大于显示器300的面积A300。此外，显示器300可具有第三边E3，在一些实施例中，显示器300的第三边E3与防爆膜层200的第一边E1位于电子装置10中的同一侧。在一些实施例中，相较于防爆膜层200的第一边E1，显示器300的第三边E3为内缩的。
此外，如图1A所示，在一些实施例中，电子装置10可进一步包含设置于防爆膜层200与基板102之间的遮蔽层104。在一些实施例中，遮蔽层104可环绕基板102，并在基板102的法线方向(例如，Z方向)上与显示器300的非显示区至少部分地重叠。遮蔽层104可减少显示器300于非显示区的漏光及/或遮蔽显示器300边缘的布线区域，借此改善观看的影像品质。在一些实施例中，遮蔽层104可与基板102的第一表面102a接触。
此外，遮蔽层104可具有第四边E4，在一些实施例中，遮蔽层104的第四边E4与防爆膜层200的第一边E1及基板102的第二边E2位于电子装置10中的同一侧。在一些实施例中，遮蔽层104的第四边E4实质上与防爆膜层200的第一边E1及/或基板102的第二边E2对齐，但不限于此。
在一些实施例中，遮蔽层104可包含绝缘材料。在一些实施例中，遮蔽层104可包含具有遮光特性的材料。举例而言，遮蔽层104可由具有低反射率的(例如，小于30％)材料形成。在一些实施例中，遮蔽层104的材料可包含黑色光阻。在一些实施例中，遮蔽层104可包含油墨、有机树脂、有机颜料、无机颜料其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。
接着，请参照图2，图2显示根据本申请另一些实施例中，电子装置20的剖面结构示意图。应理解的是，后文中与前文相同或相似的组件或元件将以相同或相似的标号表示，其材料、制造方法与功能皆与前文所述相同或相似，故此部分于后文中将不再赘述。
图2所示的实施例与图1A所示的实施例大致上相似，其差异在于，在此实施例中，防爆膜层200具有较粗糙的表面。如同前述，防爆膜层200具有第一表面200a，第一表面200a邻近于显示器300。在此实施例中，第一表面200a的一部分表面200a’的粗糙度(Ry)在10μm至40μm、或20μm至30μm的范围中。换言之，未与显示器300接触的防爆膜层200的部分表面200a’的粗糙度(Ry)在10μm至40μm、或20μm至30μm的范围中。
接着，请参照图3，图3显示根据本申请另一些实施例中，电子装置30的剖面结构示意图。根据一些实施例，显示器300可包含液晶显示器。所述液晶显示器例如可包含元件扭转向列(twisted nematic，TN)型液晶显示器、超扭转向列(super twisted nematic，STN)型液晶显示器、双层超扭转向列(double layer super twisted nematic，DSTN)型液晶显示器、垂直配向(vertical alignment，VA)型液晶显示器、水平电场效应(in-planeswitching，IPS)型液晶显示器、胆固醇(cholesteric)型液晶显示器、蓝相(blue phase)型液晶显示器、边际电场效应(Fringe Field Switching，FFS)型液晶显示器、其它适合的液晶显示器类型、或前述的组合，但不限于此。
应理解的是，图中所绘示的显示器300为示例性结构，省略了部分元件。根据一些实施例，可添加额外特征于以下所述的显示器300，且本领域技术人员可根据需求适当地调整显示器300的配置。如图3所示，在一些实施例中，显示器300可包含第一基板302a、第二基板302b以及设置于第一基板302a与第二基板302b之间的液晶层304。
在一些实施例中，第一基板302a及第二基板302b的材料可包含玻璃、石英、蓝宝石(sapphire)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、液晶高分子(liquid-crystal polymers，LCP)、橡胶、玻璃纤维、陶瓷、其它合适的基板材料、或前述的组合，但不限于此。
在一些实施例中，液晶层304可包含液晶分子(未绘示)。在一些实施例中，可借由施加不同的电场于液晶层304以改变液晶分子的介电系数，进而调整显示的影像。然而，根据另一些实施例，可使用可经由施加电场或其它方式进行调整而具有不同性质(例如，介电系数)的调制材料，取代液晶层304。
此外，显示器300可进一步包含分别设置于第一基板302a及第二基板302b上的第一偏光板306a及第二偏光板306b，以及与第二偏光板306b相邻设置的背光模块308。第一偏光板306a与液晶层304可分别位于第一基板302a的相反侧，第二偏光板306b与液晶层304可分别位于第二基板302b的相反两侧。
在一些实施例中，第一偏光板306a及第二偏光板306b的材料可包含聚乙烯醇(poly vinyl alcohol，PVA)、或其它合适的材料，但不限于此。举例而言，在一些实施例中，第一偏光板306a及第二偏光板306b各自可包含两层保护层以及夹设于保护层之间的聚乙烯醇膜，所述保护层例如可为三醋酸纤维素(triacetyl cellulose，TAC)膜。然而，在另一些实施例中，可以金属线栅偏振片(wire grid polarizer，WGP)取代所述第一偏光板306a及/或第二偏光板306b。
在一些实施例中，所述背光模块308可包含无机发光二极管、有机发光二极管、电致发光元件(electroluminescence)、其它合适的发光元件、或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，背光模块308的发光元件的材料可包含量子点(quantum dot，QD)材料、萤光(fluorescence)材料、磷光(phosphor)材料、或其它合适的材料，但不限于此。在一些实施例中，所述背光模块308可进一步包含棱镜片(prism)、增亮膜(brightness enhancementfilm，BEF)、导光板、扩散板、反射片、量子点膜(QD film)、其它合适的元件或前述的组合，但不限于此。
此外，如图3所示，在一些实施例中，显示器300的第一偏光板306a可与防爆膜层200接触，亦即，防爆膜层200可直接贴附于第一偏光板306a上。承前述，在一些实施例中，防爆膜层200的面积A200大于显示器300的面积A300。详细而言，在一些实施例中，于电子装置30的上视视角(X-Y平面)中，防爆膜层200的面积A200(例如，如图1B所示)可大于第一偏光板306a的顶面积(未绘示)。
此外，第一偏光板306a可具有第五边E5，在一些实施例中，第一偏光板306a的第五边E5与防爆膜层200的第一边E1位于电子装置30中的同一侧。在一些实施例中，相较于防爆膜层200的第一边E1，第一偏光板306a的第五边E5为内缩的。再者，根据一些实施例，防爆膜层200的面积A200亦可大于显示器300的第一基板302a、液晶层304、第二基板302b、或第二偏光板306b的顶面积(未绘示)。
虽然附图中并未绘示，但在一些实施例中，显示器300可进一步包含设置于第一基板302a及/或第二基板302b上的驱动电路、电极层、配向层或光转换层等元件。上述元件可以本领域技术人员所熟知的各种形式存在。
具体而言，所述驱动电路可例如为有源式驱动电路或无源式驱动电路。根据一些实施例，驱动电路可包含晶体管(例如，开关晶体管或驱动晶体管等)、数据线、扫描线、导电垫、介电层或其它线路等，但不限于此。所述开关晶体管可用以控制显示器300的像素的开关。在一些实施例中，所述晶体管可包含低温多晶硅(low-temperature polysilicon，LTPS)、氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide，IGZO)、非晶硅(amorphous silicon,a-Si)或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，驱动电路可借由外部的集成电路(IC)或微芯片等对像素进行控制。
所述电极层可与驱动电路电性连接，以控制施加于液晶层304的电场。在一些实施例中，电极层可由金属导电材料形成。在一些实施例中，电极层的材料可包含铜、银、锡、铝、钼、钨、金、铬、镍、铂、铜合金、银合金、锡合金、铝合金、钼合金、钨合金、金合金、铬合金、镍合金、铂合金、其它合适的导电材料或前述的组合，但不限于此。
所述配向层可设置于电极层与液晶层304之间。配向层可控制液晶层304中的液晶分子的排列方向。在一些实施例中，配向层的材料可包含聚酰亚胺(polyimide，PI)或具有配向功能的其它材料，但不限于此。
再者，所述光转换层可设置于第一基板302a及/或第二基板302b与液晶层304之间。可具有转换光波长的功能，例如，可将产生的光源转换为具有特定波长范围(特定颜色)的光。在一些实施例中，光转换层可包含基质(matrix)及分散于基质中的颗粒。在一些实施例中，基质的材料可包含有机聚合物、无机聚合物、玻璃或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，基质可为透明或半透明的。在一些实施例中，所述颗粒包含磷光体(phosphor)、量子点(quantum dot，QD)材料、有机萤光材料、其它适当的材料、或前述的组合，但不限于此。
接着，请参照图4，图4显示根据本申请另一些实施例中，电子装置40的剖面结构示意图。根据一些实施例，显示器300可包含无机发光二极管显示器或有机发光二极管显示器。如图4所示，在一些实施例中，显示器300可包含第一基板302a、设置第一基板302a上的发光层310以及设置于发光层310上的第一偏光板306a。第一偏光板306a可设置于发光层310与防爆膜层200之间。
第一基板302a及第一偏光板306a如前所述，于此便不再重复。于此实施例中，所述发光层310可包含无机发光二极管、有机发光二极管、其它合适的发光元件、或前述的组合，但不限于此。所述无机发光二极管例如可包含次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)、发光二极管(light-emitting diode，LED)、量子点(quantum dot，QD)、量子点发光二极管(QLED、QD-LED)或前述的组合。此外，所述发光二极管可为具有垂直式结构(vertical type)或覆晶式结构(flip-chip type)的发光二极管。
此外，如图4所示，在此实施例中，显示器300的第一偏光板306a可与防爆膜层200接触，亦即，防爆膜层200可直接贴附于第一偏光板306a上。如同前述，在一些实施例中，于电子装置40的上视视角(X-Y平面)中，防爆膜层200的元件的面积A200(例如，如图1B所示)可大于第一偏光板306a的顶面积(未绘示)。此外，在此实施例中，相较于防爆膜层200的第一边E1，第一偏光板306a的第五边E5为内缩的。再者，根据一些实施例，防爆膜层200的尺寸亦可大于显示器300的第一基板302a或发光层310的尺寸。
接着，请参照图5，图5显示根据本申请一些实施例中，电子装置的制造方法50A的步骤流程图。应理解的是，可于电子装置的制造方法50A进行前、进行中及/或进行后提供额外的操作。根据一些实施例，以下所述的一些阶段可以被取代或删除。在一些实施例中，可借由电子装置的制造方法50A形成如图2所示的电子装置20。
如图5所示，在一些实施例中，电子装置的制造方法50A可包含以下步骤：提供基板102，且对基板102实行前处理步骤(步骤S51)；提供防爆膜层200及显示器300，且防爆膜层200的拉伸强度的范围为约10MPa至约30MPa(步骤S52)；实行对位步骤，将基板102、防爆膜层200与显示器300对位(步骤S53)；以及实行贴合步骤，将基板102、防爆膜层200与显示器300贴合，以形成电子装置20(步骤S54)。
在一些实施例中，对基板102实行的前处理步骤(步骤S51)可包含激光清洁、紫外线清洁、涂布材料改质层、清洁剂清洗、等离子清洁制程、其它合适的制程、或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，亦可对显示器300中将与防爆膜层200贴合的基板(例如，图3或图4所示的第一基板302a)进行相同或相似的前处理步骤，以增加基板102的表面能。
如同前述，在一些实施例中，防爆膜层200可包含热固型胶材或热塑型胶材，但不限于此。在一些实施例中，防爆膜层200于贴合步骤之前可为固态的(不具粘性)，因此，于所述对位步骤(步骤S53)中，可先将固态的防爆膜层200放置于基板102与显示器300之间，并借由治具使基板102、防爆膜层200与显示器300对位，例如，进行靠边对位。此外，根据一些实施例，尚未经贴合的防爆膜层200的面积A200可大于基板102的面积A102。
在一些实施例中，可借由防爆膜层200将基板102与显示器300进行贴合，详细而言，所述贴合步骤包含在真空环境下对基板102、防爆膜层200及显示器300进行加热及/或加压步骤，使防爆膜层200呈现胶状且具有粘性。在一些实施例中，所述贴合步骤(步骤S54)的真空度范围为0Pa至100Pa、温度范围为60℃至120℃、及压力范围为0.5kgf/cm2至5kgf/cm2。
在一些实施例中，所述贴合步骤的真空度范围为0Pa至60Pa，例如，10Pa、20Pa、30Pa、40Pa、或50Pa。在一些实施例中，所述贴合步骤的温度范围为80℃至100℃，例如，85℃、90℃、或95℃。在一些实施例中，所述贴合步骤的压力范围为1kgf/cm2至4kgf/cm2，例如，1.5kgf/cm2、2kgf/cm2、2.5kgf/cm2、3kgf/cm2、或3.5kgf/cm2。
此外，在一些实施例中，电子装置的制造方法50A可进一步包含对经贴合处理后的电子装置20实行后处理步骤(步骤S55)。后处理步骤可去除贴合步骤中产生的气泡(例如，防爆膜层200与基板102或显示器300之间的气泡、或防爆膜层200中的气泡)，使贴合更加紧密。在一些实施例中，电子装置20的后处理步骤可包含加热步骤及/或加压步骤。在一些实施例中，所述加热步骤的温度范围为70℃至150℃，且所述加压步骤的压力范围为7kgf/cm2至15kgf/cm2。在一些实施例中，所述后处理步骤的实行时间可为20分钟至120分钟。
在一些实施例中，所述后处理步骤的温度范围为90℃至140℃，例如，100℃、110℃、120℃、或130℃。在一些实施例中，所述后处理步骤的压力范围为10kgf/cm2至14kgf/cm2，例如，11kgf/cm2、12kgf/cm2、或13kgf/cm2。在一些实施例中，所述后处理步骤的实行时间可为40分钟至80分钟，例如，50分钟、60分钟、或70分钟。
此外，在一些实施例中，电子装置的制造方法50A可进一步包含对防爆膜层200实行后处理步骤，将超出基板102的防爆膜层200的部分移除(步骤S56)。详细而言，防爆膜层200的后处理步骤可包含从基板102的法线方向(例如，Z方向)上，将超出基板102的防爆膜层200的部分移除，使防爆膜层200的面积A200可实质上与基板102的面积A102相等。在一些实施例中，在实行防爆膜层200的后处理步骤之后，基板102的第二边E2可与防爆膜层200的第一边E1实质上对齐(如图2所示)。
在一些实施例中，可借由切割制程、研磨制程、其它合适的方法或前述的组合，移除于基板102的法线方向上，超出基板102的防爆膜层200。
此外，在一些实施例中，电子装置的制造方法50A可进一步包含形成遮蔽层104于防爆膜层200与基板102之间的步骤(未绘示)。在一些实施例中，可于对位步骤S53之前，将遮蔽层104形成于基板102的第一表面102a上，接着再实行对位步骤S53。
在一些实施例中，可借由化学气相沉积制程、涂布制程、印刷制程、其它合适的方法或前述的组合形成遮蔽层104。再者，可借由一或多个光光刻制程及蚀刻制程形成遮蔽层104。
接着，请参照图6，图6显示根据本申请另一些实施例中，电子装置的制造方法60A的步骤流程图。应理解的是，可于电子装置的制造方法60A进行前、进行中及/或进行后提供额外的操作。根据一些实施例，以下所述的一些操作可以被取代或省略。在一些实施例中，可借由电子装置的制造方法60A形成如图1A所示的电子装置10。
如图6所示，在一些实施例中，电子装置的制造方法60A可包含以下步骤：提供基板102，且对基板102实行前处理步骤(步骤S61)；提供防爆膜层200及显示器300，且防爆膜层200的拉伸强度的范围为10MPa至30MPa(步骤S62)；对防爆膜层200实行前处理步骤(步骤S63)；实行对位步骤，将防爆膜层200与基板102对位(步骤S64)；实行贴合步骤，将防爆膜层200与基板102贴合(步骤S65)；实行对位步骤，将基板102、防爆膜层200与显示器300对位(步骤S66)；实行贴合步骤，将基板102、防爆膜层200与显示器300贴合，以形成电子装置10(步骤S67)；以及对电子装置10实行后处理步骤(步骤S68)。
电子装置的制造方法60A与电子装置的制造方法50A大致相似，其差异主要在于，电子装置的制造方法60A进一步包含防爆膜层200的前处理步骤(步骤S63)，且包含两阶段的对位步骤及贴合步骤(步骤S64～S67)。所述步骤S61、S62及S68分别与方法50A中的步骤S51、S52及S56相似，于此便不再重复。
在一些实施例中，防爆膜层200的前处理步骤(步骤S63)包含在真空环境下对防爆膜层200进行加热步骤及/或加压步骤。在一些实施例中，可视需求调整防爆膜层200的特性，例如，降低雾度。此外，应理解的是，根据一些实施例，基板102的前处理步骤(步骤S61)与防爆膜层200的前处理步骤(步骤S63)的顺序为可互换的。在一些实施例中，所述前处理步骤(步骤S63)的真空度范围为0Pa至100Pa，所述加热步骤的温度范围为60℃至120℃，且所述加压步骤的压力范围为0.5kgf/cm2至5kgf/cm2
在一些实施例中，所述前处理步骤的真空度范围为0Pa至60Pa，例如，10Pa、20Pa、30Pa、40Pa、或50Pa。在一些实施例中，所述前处理步骤的温度范围为80℃至100℃，例如，85℃、90℃、或95℃。在一些实施例中，所述前处理步骤的压力范围为1kgf/cm2至4kgf/cm2，例如，1.5kgf/cm2、2kgf/cm2、2.5kgf/cm2、3kgf/cm2、或3.5kgf/cm2。
在一些实施例中，前处理步骤可软化防爆膜层200，减少防爆膜层200的表面粗糙度及/或使防爆膜层200的表面平坦化。在一些实施例中，经前处理步骤处理的防爆膜层200与基板102之间可产生化学键或物理性结合，可加强贴附力。在一些实施例中，经前处理步骤处理的防爆膜层200的表面粗糙度(Ry)的范围为0μm至10μm(如图1A所示的第一表面200a)。
承前述，在此实施例中，可先将防爆膜层200与基板102对位并贴合(步骤S64及步骤S65)，详细而言，可利用感光耦合元件(charge coupled device，CCD)将经前处理步骤处理的防爆膜层200与基板102对位，提高爆膜层200与基板102的对位精度，并将防爆膜层200贴附于基板102上。
在一些实施例中，将防爆膜层200与基板102贴合的步骤(步骤S65)包含在真空环境下对防爆膜层200进行加热步骤及/或加压步骤。在一些实施例中，所述贴合步骤(步骤S65)的真空度范围为0Pa至100Pa，所述加热步骤的温度范围为60℃至120℃，且所述加压步骤的压力范围为0.5kgf/cm2至5kgf/cm2
在一些实施例中，防爆膜层200与基板102的贴合步骤的真空度范围为0Pa至60Pa，例如，10Pa、20Pa、30Pa、40Pa、或50Pa。在一些实施例中，所述贴合步骤的温度范围为80℃至100℃，例如，85℃、90℃、或95℃。在一些实施例中，所述贴合步骤的压力范围为1kgf/cm2至4kgf/cm2，例如，1.5kgf/cm2、2kgf/cm2、2.5kgf/cm2、3kgf/cm2、或3.5kgf/cm2。
于步骤S64及步骤S65之后，接着，可进一步将已与防爆膜层200贴合的基板102与显示器300贴合及对位(步骤S66及步骤S67)，详细而言，可利用感光耦合元件(CCD)将基板102与显示器300对位，并借由防爆膜层200将基板102与显示器300贴合。在一些实施例中，于步骤S66中，可将基板102与显示器300的第一偏光板306a或第一基板302a(例如，如图3或图4所示)进行对位。
在一些实施例中，所述贴合步骤(步骤S66)包含在真空环境下对基板102、防爆膜层200及显示器300进行加热及/或加压步骤，使防爆膜层200呈现胶状且具有粘性。在一些实施例中，所述贴合步骤(步骤S67)的真空度范围为0Pa至100Pa、温度范围为60℃至120℃、及压力范围为0.5kgf/cm2至5kgf/cm2。
在一些实施例中，所述贴合步骤的真空度范围为0Pa至60Pa，例如，10Pa、20Pa、30Pa、40Pa、或50Pa。在一些实施例中，所述贴合步骤的温度范围为80℃至100℃，例如，85℃、90℃、或95℃。在一些实施例中，所述贴合步骤的压力范围为1kgf/cm2至4kgf/cm2，例如，1.5kgf/cm2、2kgf/cm2、2.5kgf/cm2、3kgf/cm2、或3.5kgf/cm2。
接着，请参照图7，图7显示根据本申请另一些实施例中，电子装置的制造方法70A的步骤流程图。应理解的是，可于电子装置的制造方法70A进行前、进行中及/或进行后提供额外的操作。根据一些实施例，以下所述的一些操作可以被取代或省略。在一些实施例中，可借由电子装置的制造方法70A形成如图2所示的电子装置20。
如图7所示，在一些实施例中，电子装置的制造方法70A可包含以下步骤：提供基板102，且对基板102实行前处理步骤(步骤S71)；提供防爆膜层200、离型元件(未绘示)及显示器300，且防爆膜层200的拉伸强度的范围为10MPa至30MPa(步骤S72)；实行对位步骤，将防爆膜层200、离型元件与基板102对位(步骤S73)；实行贴合步骤，将防爆膜层200、离型元件与基板102贴合，以形成暂时性结构(步骤S74)；对暂时性结构实行后处理步骤(步骤S75)；对防爆膜层200实行后处理步骤，将超出基板102的防爆膜层200移除(步骤S76)；移除暂时性结构(步骤S77)；实行对位步骤，将基板102、防爆膜层200与显示器300对位(步骤S78)；实行贴合步骤，将基板102、防爆膜层200与显示器300贴合，以形成电子装置20(步骤S79)；以及对电子装置20实行后处理步骤(步骤S80)。
电子装置的制造方法70A与电子装置的制造方法50A大致相似，其差异主要在于，电子装置的制造方法70A进一步包含两阶段的对位步骤及贴合步骤(步骤S73、步骤S74及步骤S77～S79)且进一步使用离型元件以进行对位及贴合。所述步骤S71、S72、S76及S80分别与方法50A中的步骤S51、S52、S56及S55相似，于此便不再重复。
承前述，于此实施例中，可使用具有离型功能的离型元件先进行防爆膜层200与基板102的对位(步骤S73)。详细而言，可将固态的防爆膜层200放置于基板102与离型元件之间，并借由治具将基板102、防爆膜层200与离型元件对位，例如，进行靠边对位。在一些实施例中，所述离型元件可包含离型基板或离型膜，例如，离型玻璃、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)板、压克力板、聚碳酸酯(Polycarbonate)板，但不限于此。
接着，可将经对位的防爆膜层200、离型元件与基板102贴合以形成暂时性结构(步骤S74)，所述暂时性结构可将离型元件与防爆膜层200及基板102暂时固定。在一些实施例中，所述贴合步骤包含在真空环境下对防爆膜层200、离型元件及基板102进行加热步骤及/或加压步骤，使防爆膜层200呈现胶状且具有粘性。在一些实施例中，所述贴合步骤(步骤S74)的真空度范围为0Pa至100Pa、温度范围为60℃至120℃、及压力范围为0.5kgf/cm2至5kgf/cm2。
在一些实施例中，所述贴合步骤(步骤S74)的真空度范围为0Pa至60Pa，例如，10Pa、20Pa、30Pa、40Pa、或50Pa。在一些实施例中，所述贴合步骤的温度范围为80℃至100℃，例如，85℃、90℃、或95℃。在一些实施例中，所述贴合步骤的压力范围为1kgf/cm2至4kgf/cm2，例如，1.5kgf/cm2、2kgf/cm2、2.5kgf/cm2、3kgf/cm2、或3.5kgf/cm2。
接着，如步骤S75所示，可对经贴合后的暂时性结构实行后处理步骤。后处理步骤可去除贴合步骤中产生的气泡，使贴合更加紧密。所述后处理步骤可包含加热步骤及/或加压步骤。在一些实施例中，所述加热步骤的温度范围为70℃至150℃，且所述加压步骤的压力范围为7kgf/cm2至15kgf/cm2。在一些实施例中，所述后处理步骤的实行时间可为20分钟至120分钟。
在一些实施例中，所述暂时性结构的后处理步骤(步骤S75)的温度范围为90℃至140℃，例如，100℃、110℃、120℃、或130℃。在一些实施例中，所述暂时性结构的后处理步骤的压力范围为10kgf/cm2至14kgf/cm2，例如，11kgf/cm2、12kgf/cm2、或13kgf/cm2。在一些实施例中，所述暂时性结构的后处理步骤的实行时间可为40分钟至80分钟，例如，50分钟、60分钟、或70分钟。
接着，如步骤S77所示，可将暂时性结构移除，亦即，使离型元件与基板102及防爆膜层200分离，留下已对位且贴合的基板102与防爆膜层200。之后，如步骤S78及步骤S79所示，进一步将已与防爆膜层200贴合的基板102与显示器300贴合及对位，详细而言，可利用感光耦合元件(CCD)将基板102与显示器300对位，并借由防爆膜层200将基板102与显示器300贴合，以形成电子装置20。在一些实施例中，于步骤S78中，可将基板102与显示器300的第一偏光板306a或第一基板302a(例如，如图3或图4所示)进行对位。
综上所述，根据本申请一些实施例，提供的电子装置包含具有特定物理性质的防爆膜层，借由防爆膜层的内聚力或防爆膜层与盖板之间的作用力，可减少盖板因遭撞击而碎裂飞溅的风险，提升电子装置在使用上的安全性。此外，根据本申请一些实施例，提供的电子装置可通过车用的安全检测标准(例如欧盟ECE R21头击测试)。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。

Claims (10)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：
一显示器；
一基板，设置于所述显示器上；以及
一防爆膜层，设置于所述基板与所述显示器之间，其中所述防爆膜层具有一拉伸强度，所述拉伸强度的范围为10MPa至30MPa。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述防爆膜层的面积大于所述显示器的面积。
3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述防爆膜层具有一第一边且所述基板具有一第二边，其中所述第一边与所述第二边之间的距离范围为0mm至0.3mm。
4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述防爆膜层对所述基板具有一剥离强度，所述剥离强度的范围为40N/mm至150N/mm。
5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述防爆膜层包括一热固型胶材、一热塑型胶材或前述的组合。
6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述显示器更包括一偏光板，且所述偏光板与所述防爆膜层接触。
7.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述防爆膜层包括一第一表面，所述第一表面邻近于所述显示器，且所述第一表面具有一粗糙度，所述粗糙度(Ry)的范围为0μm至40μm。
8.一种电子装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基板，且对所述基板实行一第一前处理步骤；
提供一防爆膜层及一显示器，且所述防爆膜层具有一拉伸强度，所述拉伸强度的范围为10MPa至30MPa；
实行一对位步骤，将所述基板、所述防爆膜层与所述显示器对位；以及
实行一贴合步骤，将所述基板、所述防爆膜层与所述显示器贴合，以形成一电子装置，其中所述防爆膜层设置于所述基板与所述显示器之间。
9.如权利要求8所述的电子装置的制造方法，其特征在于，更包括：
对所述电子装置实行一第一后处理步骤，所述第一后处理步骤包括一加热步骤及一加压步骤。
10.如权利要求8所述的电子装置的制造方法，其特征在于，更包括：
对所述防爆膜层实行一第二前处理步骤，所述第二前处理步骤包括于一真空环境下对所述防爆膜层进行一加热步骤及一加压步骤。
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