CN111886930A - 发光装置、光波长转换装置以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种发光装置包括：阳极(610)；阴极(660)；多个发光层(420、602、430、603)，其夹在所述阳极和所述阴极之间；以及光吸收层(450、550)，其配置在从所述多个发光层到光取出面之间，所述多个发光层包括InP系量子点，并且至少发射绿光和红光，所述光吸收层选择性地吸收570～610nm的光。

Description

发光装置、光波长转换装置以及显示装置
技术领域
本发明关于一种包括含有量子点的发光元件的发光装置。
背景技术
在使用无镉的InP系量子点(QD)作为发光层的发光装置(QLED)中，已知的现有技术是绿色、红色的发光光谱的半值宽度与镉系的半值宽度一样窄。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本公开特许公报“特开2014-26785号公报”
非专利文献
非专利文献1：JaehoonLimet.al."HighlyEfficientCadmium-FreeQuantumDotLight-EmittingDiodesEnabledbytheDirectFormationofExcitonswithinInP@ZnS eSQuantumDots",ACSNano7(10)(2013)pp.9019-9026
发明内容
本发明所要解决的技术问题
但是，如图3所示，在非专利文献1中，尽管绿色、红色的发光光谱的半值宽度与镉系的半值宽度一样窄，但是存在以下问题，颜色再现域不够广，只能实现BT.2020比小于80％的颜色再现域。
本发明的一形态的目的在于，实现一种无镉、发光效率高、颜色再现域广的发光装置。
用于解决技术问题的技术方案
为了解决上述问题，本发明的一形态的发光装置包括：阳极；阴极；多个发光层，其夹在所述阳极和所述阴极之间；以及光吸收层，其配置在从所述多个发光层到光取出面之间，所述多个发光层包括InP系量子点，并且至少发射绿光和红光，所述光吸收层选择性地吸收570～610nm的光。
有益效果
根据上述构成，可以实现无镉、发光效率高且颜色再现域广的发光装置。
根据本发明的一形态，可以实现无镉、发光效率高且颜色再现域广的发光装置。
附图说明
图1是表示发光装置的制造方法的一个示例的流程图。
图2是表示发光装置的显示区域的构成示例的截面图。
图3是表示InP系QLED不同的电流密度中的标准化的EL发光光谱的图。
图4是表示本发明第一实施方式涉及的QLED装置的概略的图。
图5是表示QLED装置的发光强度的发光光谱的曲线图的图。
图6是示意性地表示第三实施方式涉及的QLED装置的截面图。
图7是示意性地表示第四实施方式涉及的QLED装置的截面图。
图8是示意性地表示第四实施方式涉及的QLED装置的截面图。
图9是示意性地表示第五实施方式涉及的QLED装置的截面图。
具体实施方式
在下文中，“同层”是指由相同的工艺(成膜工序)来形成的，“下层”是指与比较对象的层相比由先前工艺来形成的，“上层”是指与比较对象的层相比由之后工艺来形成的。
图1是表示发光装置的制造方法的一个示例的流程图。图2是表示发光装置的显示区域的构成示例的截面图。更具体地，图2的(a)表示顶部发射(top emission)型的发光装置，图2的(b)表示底部发射(bottom emission)型的发光装置。
当制造柔性的发光装置时，如图1和图2所示，首先，在透光性的支承基板(例如，母玻璃)上形成树脂层12(步骤S1)。接着，形成势垒层3(步骤S2)。接着，形成TFT层4(步骤S3)。接着，形成顶部发射型的发光元件层5(步骤S4)。接着，形成密封层6(步骤S5)。接着，在密封层6贴附上面薄膜(步骤S6)。
接着，通过激光的照射等从树脂层12剥离支承基板(步骤S7)。接着，在树脂层12的下面贴附下面薄膜10(步骤S8)。接着，切断包括下面薄膜10、树脂层12、势垒层3、TFT层4、发光元件层5和密封层6的层叠体，并获得多个单片(步骤S9)。接着，在获得的单片上贴附功能薄膜39(步骤S10)。接着，将电子电路基板(例如，IC芯片和FPC)安装在与形成有多个子像素的显示区域相比更外侧(非显示区域，边框)的一部(端子部)上(步骤S11)。另外，步骤S1～S11由发光装置制造装置(包括执行步骤S1～S5的各工序的成膜装置)执行。
作为树脂层12的材料可以例举例如聚酰亚胺等。树脂层12的部分可以由两层的树脂膜(例如，聚酰亚胺膜)和夹在其间的无机绝缘膜来取代。
势垒层3是防止水、氧等异物侵入TFT层4和发光元件层5的层，例如可以由通过CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜、或这些层的层叠膜构成。
TFT层4包括半导体膜15、与半导体膜15相比更上层的无机绝缘膜16(栅极绝缘膜)、与无机绝缘膜16相比更上层的栅极GE和栅极配线GH、与栅极GE和栅极配线GH相比更上层的无机绝缘膜18、与无机绝缘膜18相比更上层的电容电极CE、与电容电极CE相比更上层的无机绝缘膜20、与无机绝缘膜20相比更上层的源极配线SH、以及与源极配线SH相比更上层的平坦化膜21(层间绝缘膜)。
半导体膜15由例如低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体(例如，In-Ga-Zn-O系半导体)构成，并以包括半导体膜15和栅极GE的方式构成晶体管(TFT)。在图2中晶体管以顶栅结构表示，但是也可以是底栅结构。
栅极GE、栅极配线GH、电容电极CE和源极配线SH由例如包含铝、钨、钼、钽、铬、铬、钛和铜中的至少一种的金属的单层膜或层叠膜构成。图2的TFT层4上包括一层的半导体层和三层的金属层。
栅极绝缘膜16/18/20可以由例如通过CVD法形成的、氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜或它们的层叠膜构成。平坦化膜21可以是例如聚酰亚胺、丙烯酸等可涂布的有机材料构成的树脂层。
发光元件层5包括与平坦化膜21相比更上层的阳极22、覆盖阳极22的边缘的绝缘性的阳极覆盖膜23、与阳极覆盖膜23相比更上层的EL(电致发光)层24以及与EL层24相比更上层的阴极25。阳极覆盖膜23是例如通过涂布聚酰亚胺、丙烯酸等有机材料后通过光刻进行图案化形成。
在每个子像素中，包括岛状的阳极22、EL层24和阴极25的发光元件ES(例如，OLED：有机发光二极管，QLED：量子点二极管)形成在发光元件层5上，控制发光元件ES的子像素电路形成在TFT层4上。
EL层24构成为例如，从下层侧依次层叠空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。发光层是通过蒸镀法或喷墨法在阳极覆盖膜23的开口(每个子像素)呈岛状形成。其它的层形成为岛状或实心状(共用层)。此外，也可以构成为不形成空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的一层以上的层。
QLED的发光层，例如，可以通过喷墨涂布使量子点扩散的溶剂来形成岛状的发光层(对应于一个子像素)。
为顶部发射型的情况下，阳极电极(阳极)22由例如ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)和Ag(银)或含Ag合金的层叠构成，并具有光反射性。阴极电极(阴极)25可以由MgAg合金(极薄膜)、ITO、IZO(Indium Zinc Oxide)、IGZO(InGaZnOx：注册商标)等透光性的导电材料构成。另一方面，为底部发射型的情况下，阳极电极(阳极)优选为由例如ITO(铟锡氧化物)、IZO、IGZO(InGaZnOx：注册商标)等构成，并且具有光透射性。
当发光元件ES是QLED时，由于阳极电极22和阴极电极25之间的驱动电流，空穴和电子在发光层内重组，并且由重组产生的激子在从量子点的导带能级(conduction band)跃迁到价带能级(valence band)的过程中发出光(荧光)。
发光元件层5上也可以形成所述QLED以外的发光元件(无机发光二极管等)。
密封层6具有透光性，且包含覆盖阴极电极25的无机密封膜26、由与无机密封膜26相比在上层的有机缓冲膜27构成的有机层、与有机缓冲膜27相比在上层的无机密封膜28。覆盖发光元件层5的密封膜6防止水、氧等异物渗透到发光元件层5中。
无机密封膜26以及无机密封膜28各自为无机绝缘膜，并由例如使用CVD法形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜、或者它们的层叠膜构成。有机缓冲膜27是具有平坦化效果的透光性有机膜，可以由丙烯酸等可涂布的有机材料构成。有机缓冲膜27可以通过例如喷墨涂布形成，但是可以在非显示区域中设置用于停止液滴的堤栏。
下面薄膜10例如是PET薄膜，用于通过在剥离支承基板之后贴附到树脂层12的下面来实现具有优异的柔软性的发光装置。功能薄膜39例如具有光学补偿功能、触摸感应功能、保护功能中的至少一种功能。
尽管以上说明了柔性的发光装置，但是当制造非柔性的发光装置时，一般不需要树脂层的形成、基材的代替等，例如，在玻璃基板上执行步骤S2～S5的层叠工序，之后移动至步骤S9。
〔发光光谱的波长依赖性〕
以下，将说明使量子点在发光层扩散的QLED。
图3是表示InP系QLED不同的电流密度中的标准化的EL发光光谱的图。图3所示的曲线图是基于非专利文献1的图4的曲线图。具体地，示出了InP系QLED的红色(壳厚度为1.1nm)和绿色(壳厚度为1.7nm)的EL发光光谱的波长依赖性。在图3所示的曲线图中，光谱A、B、C表示红色发光光谱，光谱D、E、F表示绿色发光光谱。在InP系QLED的发光光谱中可以确认，与镉的材料相比即使具有相同的半值宽度，发光光谱的尾部(tail)也比镉的材料厚。绿色发光光谱(D，E，F)归因于长波长侧的尾部，而红色发光光谱(A，B，C)归因于短波长侧的尾部，InP系QLED的颜色再现域减小。尽管存在通过使量子点(QD)的壳厚度变厚来减小尾部的方法(非专利文献1)，但是不足以与BT.2020对应。
〔第一实施方式〕
以下，详细说明本发明的一个实施方式。图4是表示本发明第一实施方式涉及的QLED显示装置400a、400b的概略的图。在基板440上沉积包括InP系量子点的发光层。蓝色发光层410优选由ZnSe系材料构成。绿色发光层420和红色发光层430优选由InP系材料构成。基板440的与沉积有发光层的面相反的面上包括光吸收层450、550。光吸收层450、550优选选择性地吸收570～610nm的光。通过涉及的光吸收层450、550选择性地吸收570～610nm的光来减少上述发光光谱的尾部。
图5是表示QLED装置的发光强度的发光光谱的曲线图的图。图5的(a)表示包括由第一实施方式的配置构成的光吸收层450、550的QLED装置的发光光谱。为了对比，图5的(b)表示从第一实施方式的配置中去除了光吸收层450、550的QLED装置的发光光谱。如图5的(a)所示，可以确认绿色(G)的发光光谱中的峰值波长为520nm～550nm，红色(R)的发光光谱中的峰值波长为620nm～650nm。此外，可以确认绿色(G)和红色(R)的发光光谱的半值宽度小于50nm。通过将图5的(a)与图5的(b)对比，可以确认在570nm～610nm附近的光谱的尾部的重叠减少。从涉及的对比结果也可以确认，通过尖锐的发光光谱可以实现高的颜色再现性。另外，绿色(G)的发光光谱中的峰值波长更优选为520nm～540nm，红色(R)的发光光谱中的峰值波长更优选为625nm～640nm，绿色(G)和红色(R)的发光光谱的半值宽度更优选小于40nm。
当通过R、G和B光谱计算颜色再现域时，在不具备图5的(b)所示的光吸收层的构成中，在CIE1931色度图中，BT.2020比为75.1％。另一方面，在包括图5的(a)所示的光吸收层450、550的构成中，在CIE1931色度图中，BT.2020比为81.1％。因此，具有图4所示的光吸收层450、550的本实施方式的发光装置可以实现优异的红色和绿色的色分离且BT.2020比为80％以上的色域。作为参考，在CIE1976中，不具备图5的(b)所示的光吸收层的构成中为90.4％，具备图5的(a)所示的光吸收层450、550的构成中为98.7％。在CIE1976中，可以确认通过包括图5的(a)所示的光吸收层450、550的构成能够实现高的颜色再现性。
通过具备图5的(a)所示的光吸收层450、550的构成来解析相对于绿色(G)和红色(R)的波长(λ)的发光光谱。作为绿色光的发光光谱为G(λ)，绿色的发光光谱的峰值波长为GP，绿色的发光光谱的半值宽度为GHW时，满足以下关系式：G(GP+GHW)÷G(GP)<0.02
当红色光的发光光谱为R(λ)，红色的发光光谱峰波长为RP，红色的发光光谱峰的半值宽度为RHW时，满足以下关系式：R(RP-RHW)÷R(RP)<0.08。
通过满足以上条件，能够实现优异的红色和绿色的色分离且BT.2020比为80％以上的色域。
此外，在相同的构成中，当着眼于590nm中的发光强度时，满足以下关系式：
G(590nm)÷G(GP)＜0.03
R(590nm)÷R(RP)＜0.05。
通过满足上述条件，红色和绿色的色分离优异，且能够实现BT.2020比为80％以上的色域。
[光吸收层]
图4所示的光吸收层450、550适合于使用，作为光吸收材料使有机颜料、有机染料等有机着色材料、金属纳米板等分散在透明的基体上的构成。特别地，优选作为光吸收材料使金属纳米颗粒、有机染料分散在透明构件上的形态。其中，优选分散有金属纳米板的透明树脂作为光吸收材料，可以适当地使用硅酮系、环氧系、丙烯酸系等作为透明树脂。特别地，硅酮系是稳定并且优选的。此外，作为金属纳米板，银纳米板具有优异的光吸收特性，因此是优选。
可以确认在图4的(a)所示的QLED装置400a中，光吸收层450沉积在整个基板440上。涉及的光吸收层450作为相对于蓝色发光层410、绿色发光层420和红色发光层430的所有输出光的光吸收层发挥功能。另一方面，专利文献1是组合了电致发光元件和滤色器的专利，但是R、G、B的每一个需要使用彩色滤光片(参照专利文献1的图1)。在R、G、B的每一个上设置彩色滤光片的工艺工序复杂，并且还导致成品率降低。另一方面，本实施方式的图4的(a)所示的光吸收层450沉积在整个基板440上，使得相对于蓝色发光层410、绿色发光层420和红色发光层430的所有输出光作为一个光吸收层450发挥功能。利用涉及的构成简化了工艺。但是，鉴于本实施方式的光吸收层450是选择性地吸收570～610nm的光的形态，由于相对于由蓝色量子点构成的蓝色发光层410基本上不起作用，因此也优选具有如图4的(b)中的QLED装置400b那样的构成。具体地，沉积在基板440的一部分，使得相对于绿色发光层420和红色发光层430的输出光发挥功能。
〔第二实施方式〕
以下，说明本发明的其它实施方式。另外，为了便于说明，对与在上述实施方式中说明的构件具有相同功能的构件，标注相同的附图标记，并不再重复说明。
尽管图4示意性地表示包括InP系量子点的发光层与光吸收层的关系，但是在第二实施方式中将说明QLED装置的具体构成。
图6是示意性地表示第二实施方式涉及的QLED装置600a、600b的截面图。如图6的(a)所示的QLED装置600a那样，在光吸收层450上配置基板440，在基板440上沉积第一电极610，并在第一电极610上依次沉积空穴功能层、发光层(601、602、603)、电子功能层和第二电极660。空穴功能层由空穴传输层(HTL)630构成，图6的(a)所示的是电子功能层由电子传输层(ETL)640、以及沉积在电子传输层(ETL)640上的电子注入层(EIL)650构成的示例。在另一优选实施方式中，如图6(b)所示，电子功能层由电子传输层(ETL)640构成，空穴功能层也可以由空穴注入层(HIL)620及沉积在空穴注入层(HIL)620上的空穴传输层(HTL)630构成。
在图6的(b)所示的QLED装置600b中，在基板兼光吸收层445上沉积第一电极610，并且在第一电极610上依次沉积空穴功能层、发光层(601、602、603)、电子功能层、第二电极660。空穴功能层是由空穴注入层(HIL)620、以及沉积在空穴注入层(HIL)620上的空穴传输层(HTL)630构成，图6的(b)所示的是电子功能层由电子传输层(ETL)640构成的示例。在另一优选实施方式中，如图6(a)所示，空穴功能层由空穴传输层(HTL)630构成，电子功能层由电子传输层(ETL)640以及沉积在电子传输层(ETL)640上的电子注入层(EIL)650构成。如图6的(b)所示，通过使用兼作基板和光吸收层的层，结构变得更简单并且工艺工序被简单化。此外，由于光吸收层和发光层之间的距离变近，因此，光的横向泄减少，且颜色的视角依赖性变小。在底部发射型的图2的(b)中，基板兼光吸收层445优选由使光吸收材料分散在由平坦化膜21构成的树脂层中构成。具体地，由平坦化膜21构成的树脂层优选由分散有银纳米板的透明树脂构成。另一方面，在顶部发射型的情况下，优选构成为，使光吸收材料分散在由图2的(a)中的有机缓冲膜27构成的有机层中。具体地，由有机缓冲膜27构成的有机层优选由透光性有机膜构成。
在此，第一电极610优选是透明电极。特别是在底部发射型中，第一电极610优选是透明电极。具体而言，透明电极优选由InGaZnO系氧化物半导体即IGZO(InGaZnOx：注册商标)、ITO、IZO等金属氧化膜构成。空穴注入层(HIL)620优选由InGaZnO系氧化物半导体即IGZO(InGaZnOx：注册商标)、ITO、IZO等金属氧化膜构成。在另一个优选的实施方式中，空穴注入层(HIL)620也可以由PEDOT：PSS等有机膜构成。空穴传输层(HTL)630优选由NiO、WO3、MoO3等的金属氧化物膜构成。在另一个优选的实施方案中，空穴传输层(HTL)630也可以由PVK、TFB等有机膜构成。
在各空穴传输层(HTL)630上分别沉积蓝色发光层601、绿色发光层602和红色发光层603。蓝色发光层601优选由ZnSe系材料构成。绿色发光层602和红色发光层603优选由InP系材料构成。在另一个实施方式中，蓝色发光层601优选由InP系材料构成。在优选的实施方式中，蓝色发光层601不限定于ZnSe系材料。
在各发光层601、602、603上分别沉积各自的电子传输层(ETL)640。电子传输层(ETL)640优选由ZnO、ZnMgO等的金属氧化物膜构成，可以适当地使用由氧化物纳米粒子构成材料。在上述电子传输层(ETL)640分别沉积第二电极660。在优选的实施方式中，第二电极660是金属电极，可以使用Al、Ag、Au等。如上所述，优选构成为，各发光层601、602、603夹在两个电极610、660之间。在基板440的与沉积有发光层601、602、603的表面相反的表面上具备光吸收层450。优选地，光吸收层450选择性地吸收570～610nm的光。
在关于图6(a)的另一个优选实施方式中，也可以具有未省略空穴注入层(HIL)620的高效率PIN结构(HIL/HTL/各发光层/ETL/EIL)(未图示)。在任意一个构成中，光吸收层450优选沉积在整个基板上。在另一个实施方式中，以对绿色发光层602和红色发光层603的输出光发挥功能的方式，如图4(b)所示，沉积在基板440的一部分上。在任意一个构成中，通过光吸收层选择性地吸收570～610nm的光，从而减少绿色和红色的发光光谱的尾部，并且由于尖锐的发光光谱而可以实现高的颜色再现性。
〔第三实施方式〕
以下，说明本发明的其它实施方式。另外，为了便于说明，对与在上述实施方式中说明的构件具有相同功能的构件，标注相同的附图标记，并不再重复说明。
图7是示意性地表示第三实施方式涉及的QLED装置700a、700b的截面图。图7的(a)所示的QLED装置700a和图7的(b)所示的700b一起省略了第一电极610下方的基板。此外，由于光吸收层对蓝色量子点发光层无助，因此在图7中仅图示了绿色发光层602。由于红色发光层603与绿色发光层602同样地，因此在图7中将其省略。
当图7的(a)与图6的(a)比较时，HTL兼光吸收层710代替空穴传输层(HTL)630沉积在空穴注入层(HIL)620上。空穴传输层(HTL)构成为兼作光吸收层的作用。HTL兼光吸收层710可以优选由银纳米板分散在PVK中的有机膜构成。
当图7的(b)与图6的(a)比较时，HIL兼光吸收层720代替空穴注入层(HIL)620沉积在第一电极610上。空穴注入层(HIL)构成为兼作光吸收层的作用。在HIL兼光吸收层720上沉积有空穴传输层(HTL)630。优选地，HIL兼光吸收层720可以由银纳米板分散在中性的PEDOT：OSS中的有机膜构成。
如图7所示，通过使用兼作光吸收层的层，结构变得更简单并且工艺工序更简化。此外，由于光吸收层和发光层之间的距离变短，因此减少了光的横向泄漏并且减少了颜色的视野依赖性。
〔第四实施方式〕
以下，说明本发明的其它实施方式。并且，为了便于说明，对与在上述实施方式中说明的构件具有相同功能的构件，标注相同的附图标记，并不再重复说明。
图8是示意性表示第四实施方式涉及的QLED装置800a、800b的截面图。对于图8的(a)所示的QLED装置800a和图8的(b)所示的QLED装置800b一起省略了第一电极610下方的基板。此外，由于光吸收层对蓝色量子点发光层无助，因此在图6中仅示出了绿色发光层602。由于红色发光层603与绿色发光层602相同，因此在图8中将其省略。
图8的(a)与图6的(b)比较时，ETL兼光吸收层810代替电子传输层(ETL)640沉积在电子注入层(EIL)650的下方。电子传输层(ETL)构成为兼作光吸收层的作用。ETL兼光吸收层810也可以优选由分散有金属纳米板的有机膜组成。
图8的(b)与图6的(b)比较时，EIL兼光吸收层820代替电子注入层(EIL)650沉积在第二电极660下方。电子注入层(EIL)兼作光吸收层的作用。电子传输层(ETL)640沉积在EIL兼光吸收层820的下方。优选地，EIL兼光吸收层820也可以由分散有金属纳米板的有机膜构成。
如图8所示，通过使用兼作光吸收层的层，结构变得更简单并且工艺工序简化。此外，由于光吸收层和发光层之间的距离变短，因此，减少了光的横向泄漏并且颜色的视角依赖性减小。
〔第五实施方式〕
以下，说明本发明的其它实施方式。并且，为了便于说明，对与在上述实施方式中说明的构件具有相同功能的构件，标注相同的附图标记，并不再重复说明。
〔显示装置的构成〕
图9是示意性地表示第五实施方式涉及的显示装置的截面图。第五实施方式涉及的显示装置包括光波长转换装置和光源。作为光波长转换装置的光源，在图9的(a)所示的显示装置900a中使用液晶单元，在图9的(b)所示的显示装置900b中使用OLED面板。在第五实施方式中，波长转换装置包括光吸收层910和量子点层920。作为光源的液晶单元包括液晶面板930和背光单元940。
〔液晶单元显示装置的构成〕
图9的(a)是关于显示装置900a，着眼于一个像素单位并放大的图。在优选实施方式中，一个像素单位的液晶面板930包括B子像素930B、G子像素930G和R子像素930R。沉积在涉及的各子像素上的一个像素单位的量子点层920分别由B量子点920B(蓝色)、G量子点920G(绿色)和R量子点920R(红色)构成。涉及的量子点层920上沉积有光吸收层910。
白色背光源光从背光单元940出射。白色背光源光优选是通过RGB的LED混合颜色获得的白色光。涉及的白色背光源光通过由各子像素构成的液晶面板进行灰度控制。通过各子像素进行灰度控制的光入射到量子点层上。通过B量子点920B波长转换为蓝色波长，通过G量子点920G波长转换为绿色波长，通过R量子点920R波长转换为红色光。在优选的实施方式中，G量子点920G(绿色)和R量子点920R(红色)由InP系材料构成。另一方面，B量子点920B优选由ZnSe系材料构成，但是不限于基于ZnSe系材料。在另一个优选实施方式中，B量子点920B可以由InP系材料构成。
〔OLED显示装置的构成〕
另一方面，关于显示装置900b，图9的(b)表示了着眼于一个像素单位的放大图。在优选实施方式中，由OLED面板950进行灰度控制。在涉及的构成中，优选地，不需要FMM(FineMetal Mask：精细金属掩模)蒸镀。OLED面板950优选在TFT层958上沉积岛状的阳极电极957。岛状的阳极电极957优选以与B量子点920B(蓝色)、G量子点920G(绿色)和R量子点920R(红色)相对应的方式配置。岛状的阳极电极957上沉积空穴功能层956，并在其上沉积蓝色(B)发光层955、绿色(G)发光层954和红色(R)发光层953。涉及的发光层上沉积电子功能层952，并且在电子功能层952上沉积阴极电极951。在优选实施方式中，与第二实施方式中图6中说明的构成同样地，空穴功能层956可以由空穴传输层(HTL)/空穴注入层(HIL)的单体或它们的组合构成。同样地，电子功能层952可以由电子传输层(ETL)/电子注入层(EIL)的单体或它们的组合构成。由涉及的OLED面板950进行灰度控制的白色光被出射，并入射到沉积在OLED面板950上的量子点层920。与显示装置900a同样地，一个像素单位的量子点层920由B量子点920B(蓝色)、G量子点920G(绿色)和R量子点920R(红色)构成。光吸收层910沉积在涉及的量子点层910上。
从OLED面板950出射的白色光通过B量子点920B波长转换为蓝色波长，通过G量子点920G波长转换为绿色波长，通过R量子点920R波长转换为红色光。在优选的实施方式中，G量子点920G(绿色)和R量子点920R(红色)由InP系材料构成。另一方面，B量子点920B优选由ZnSe系材料构成，但是不限于ZnSe系材料。在另一个优选实施方式中，B个量子点920B可以由InP系材料构成。
〔光吸收层的构成〕
光吸收层910配置在如图4的(a)所示的整个量子点层(相当于光吸收层450)，也可以如图4的(b)所示的配置一部分上(仅G量子点920G和R量子点920R的区域)(相当于光吸收层550)。至少在通过InP系量子点层进行波长转换并入射到光吸收层910上的绿色和红色的发光光谱导致尾部。从光吸收层910出射的光在绿色和红色的光谱的尾部减少，并且通过尖锐的发光光谱可以实现高的颜色再现性。由于在任何情况下，光吸收层910相对于通过ZnSe系B量子点920B被光波长转换的蓝色光基本上不起作用，因此，光吸收层910可以配置在如图4的(b)所示的基板的一部分。
〔总结〕
本发明的形态1的发光装置其包括：阳极(第一电极610)；阴极(第二电极660)；多个发光层(绿色发光层420、602，红色发光层430、603)，其夹在所述阳极和所述阴极之间；以及光吸收层(450、550)，其配置在从所述多个发光层到光取出面之间，所述多个发光层包括InP系量子点，并且至少发射绿光和红光，所述光吸收层选择性地吸收570～610nm的光。
根据上述构成，可以实现无镉、发光效率高且颜色再现域广的发光装置。
本发明形态二的发光装置也可以构成为，在上述形态一中，所述绿色的发光光谱中的峰值波长为520nm～550nm，所述红色的发光光谱中的峰值波长为620nm～650nm，所述绿色和红色的发光光谱的半值宽度小于50nm。
根据上述构成，可以实现无镉、发光效率高且颜色再现域广的发光装置。
本发明形态三的发光装置也可以构成为，在上述形态一或形态二中，通过将所述绿色发光光谱的峰值波长值和半值宽度之和的波长中的所述绿色发光强度除以所述绿色发光光谱的峰值强度获得的值小于0.02，通过将所述红色发光光谱的峰值波长值减去半值宽度的波长中的所述红色发光强度除以所述红色发光光谱的峰值强度获得的值小于0.08。
根据上述构成，可以实现无镉且颜色再现域广(BT.2020比为80％以上)的发光装置。
本发明形态四的发光装置也可以构成为，在上述形态一或形态二中，通过波长590nm中的所述绿色发光光谱的发光强度除以所述绿色发光光谱的峰值强度获得的值小于0.03，通过波长590nm中的所述红色发光光谱的发光强度除以所述红色发光光谱的峰值强度获得的值小于0.05。
根据上述构成，可以实现在CIE1931色度图中，BT.2020比为80.0％以上的发光装置。
本发明形态五的发光装置也可以构成为，在上述形态一至形态四的任意一个中，所述光吸收层(450、550)由包括银纳米板的材料构成。
根据上述构成，可以实现无镉、发光效率高且颜色再现域广的发光装置。
本发明形态六的发光装置也可以构成为，在上述形态一至形态五中任意一个中，所述发光装置进一步包括空穴传输层，其沉积在所述阳极(第一电极610)和所述多个发光层(绿色发光层420、602，红色发光层430、603)之间，通过使所述空穴传输层包含构成所述光吸收层的光吸收材料，所述空穴传输层兼作所述光吸收层(HTL兼光吸收层710)。
根据上述构成，可以实现颜色的视角依赖性小的发光装置。
本发明形态七的发光装置也可以构成为，在上述形态一至形态五的任意一个中，所述发光装置进一步包括空穴注入层，其沉积在所述阳极(第一电极610)和所述多个发光层(绿色发光层420、602，红色发光层430、603)之间，通过使所述空穴注入层包含构成所述光吸收层的光吸收材料，所述空穴注入层兼作所述光吸收层(HIL兼光吸收层720)。
根据上述构成，可以实现颜色的视角依赖性小的发光装置。
本发明形态八的发光装置也可以构成为，其为设置于在顶部具备树脂层(平坦化膜21)的TFT层上的底部发射型发光装置，通过所述树脂层(平坦化膜21)包含构成所述光吸收层的光吸收材料，所述树脂层(平坦化膜21)兼作所述光吸收层。
根据上述构成，可以实现制作工艺简便，发光效率高，颜色再现域广的发光装置。
本发明形态九的发光装置也可以构成为，其为设置于具备有机层(有机缓冲膜27)的密封层6下的顶部发射型发光装置，通过所述有机层(有机缓冲膜27)包含构成所述光吸收层的光吸收材料，所述有机层(有机缓冲膜27)兼作所述光吸收层。
根据上述构成，可以实现制作工艺简便，发光效率高，颜色再现域广的发光装置。
本发明形态十的光学波长转换装置构成为包括：多个波长转换层(量子点层920)，其用于波长转换白色波长的光；以及光吸收层910，其配置在所述多个波长转换层(量子点层920)到光取出面之间，所述多个波长转换层(量子点层920)包括InP系量子点，所述白色波长的光至少被波长转换为绿色和红色，所述光吸收层选择性地吸收570～610nm的光。
根据上述构成，可以实现无镉且颜色再现域广的光波长转换装置。
本发明形态十一的显示装置构成为：包括上述形态十涉及的光波长转换装置；以及发光装置，其是发出入射到所述波长转换装置的光，所述发光装置由发出白色波长的光的液晶单元(液晶面板930、背光单元940)或OLED面板950构成。
根据上述构成，可以实现无镉且颜色再现域广的显示装置。
本发明不限于上述各实施方式，能在权利要求所示的范围中进行各种变更，将不同的实施方式中分别公开的技术手段适当组合得到的实施方式也包含于本发明的技术范围。而且，能够通过组合各实施方式分别公开的技术方法来形成新的技术特征。
附图标记说明
3：势垒层
4：TFT层
5：发光元件层
6：密封层
10：下面薄膜
12：树脂层
15：半导体膜
16、18、20：无机绝缘膜
21：平坦化膜
22：阳极电极
23：阳极覆盖膜
25：阴极电极
26、28：无机密封膜
27：有机缓冲膜
39：功能薄膜
400a、400b：QLED装置
440：基板
445：基板兼光吸收层
450、550：光吸收层
410、601：蓝色发光层
420、602：绿色发光层
430、603：红色发光层
600a、600b：QLED装置
610：第一电极
660：第二电极
700a、700b：QLED装置
710：HTL兼光吸收层
720：HIL兼光吸收层
800a、800b：QLED装置
810：ETL兼光吸收层
820：EIL兼光吸收层
900a、900b：显示装置
910：光吸收层
920：量子点层
920B：B量子点
920G：G量子点
920R：R量子点
930：液晶面板
930B：B子像素
930G：G子像素
930R：R子像素
940：背光源单元
950：OLED面板
951：阴极电极
952：电子功能层
953：红色(R)发光层
954：绿色(G)发光层954
955：蓝色(B)发光层
956：空穴功能层
957：阳极电极
958：TFT层

Claims (11)

1.一种发光装置，其包括：
阳极；
阴极；
多个发光层，其夹在所述阳极和所述阴极之间；以及
光吸收层，其配置在从所述多个发光层到光取出面之间，所述发光装置的特征在于，
所述多个发光层包括InP系量子点，并且至少发射绿光和红光，
所述光吸收层选择性地吸收570～610nm的光。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述绿色的发光光谱中的峰值波长为520nm～550nm，
所述红色的发光光谱中的峰值波长为620nm～650nm，
所述绿色和红色的发光光谱的半值宽度小于50nm。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
通过将所述绿色发光光谱的峰值波长值和半值宽度之和的波长中的所述绿色发光强度除以所述绿色发光光谱的峰值强度获得的值小于0.02，
通过将所述红色发光光谱的峰值波长值减去半值宽度的波长中的所述红色发光强度除以所述红色发光光谱的峰值强度获得的值小于0.08。
4.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
通过波长590nm中的所述绿色发光光谱的发光强度除以所述绿色发光光谱的峰值强度获得的值小于0.03，
通过波长590nm中的所述红色发光光谱的发光强度除以所述红色发光光谱的峰值强度获得的值小于0.05。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的发光装置，其特征在于，
所述光吸收层由包含金属纳米板的材料构成。
6.根据权利要求1～5中任意一项所述的发光装置，其特征在于，
所述发光装置进一步包括空穴传输层，其沉积在所述阳极和所述多个发光层之间，
通过使所述空穴传输层包含构成所述光吸收层的光吸收材料，所述空穴传输层兼作所述光吸收层。
7.根据权利要求1～5中任意一项所述的发光装置，其特征在于，
所述发光装置进一步包括空穴注入层，其沉积在所述阳极和所述多个发光层之间，
通过使所述空穴注入层包含构成所述光吸收层的光吸收材料，所述空穴注入层兼作所述光吸收层。
8.一种发光装置，其特征在于，权利要求1～5中任意一项所述的发光装置为设置于在顶部具备树脂层的TFT层上的底部发射型发光装置，
通过所述树脂层包含构成所述光吸收层的光吸收材料，所述树脂层兼作所述光吸收层。
9.一种发光装置，其特征在于，权利要求1～5中任意一项所述的发光装置为设置于具备有机层的密封层下的顶部发射型发光装置，
通过所述有机层包含构成所述光吸收层的光吸收材料，所述有机层兼作所述光吸收层。
10.一种光波长转换装置，其包括：
多个波长转换层，其用于波长转换白色波长的光；以及
光吸收层，其配置在所述多个波长转换层到光取出面之间，所述光波长转换装置的特征在于，
所述多个波长转换层包括InP系量子点，所述白色波长的光至少被波长转换为绿色和红色，
所述光吸收层选择性地吸收570～610nm的光。
11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
权利要求10涉及的光波长转换装置；以及
发光装置，其是发出入射到所述波长转换装置的光，
所述发光装置由发出白色波长的光的液晶单元或OLED面板构成。
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