CN111886687A - 利用激光束来加热对象物质的加热装置及利用激光的间接加热方法 - Google Patents

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Abstract

利用激光束来加热对象物质的加热装置包括：载物台，用于放置上述对象物质；激光模块，产生激光束来输出；光学模块，用于控制上述激光束的路径；多面镜，具有以旋转轴为中心进行旋转并反射上述激光束的多个反射面；以及激光束引导模块，用于控制通过上述多面镜反射的激光束向上述对象物质入射的入射范围。

Description

利用激光束来加热对象物质的加热装置及利用激光的间接加 热方法
技术领域
本发明涉及利用激光束来加热对象物质的加热装置及利用激光的间接加热方法。
背景技术
现有技术中可通过向对象物质照射激光来加热处理对象物质。现有技术文献：韩国专利公开公报第10-2017-0000385号中图1为示出利用现有激光束加热对象物质的加热装置的图，图2为示出通过现有加热装置形成的激光束的图。
参照图1及图2，现有加热装置可包括激光模块100、物镜110(optic)、反射镜120以及用于放置对象物质140的载物台130。
从激光模块100输出的激光通过物镜110之后形成杆形状的激光束200。在这种情况下，在杆形状的激光束200中，将长的方向称为激光束长度(Beam Length)，将短的方向称为激光束宽度(Beam Width)。
另一方面，在对象物质140长时间暴露在激光的情况下，对象物质140在特定相中的粒径将变大，电阻将会减少，从而泄露电流将会增加。由于这种特性，具有难以用于需要大电阻的产业用途的问题。
与此相关地，对象物质140的曝光时间(Dwell Time)如数学式1定义(Dwell Time公式)。
Dwell Time(DT)＝BW/VStage(数学式1)
在利用现有加热装置加热对象物质的方法中，为了减少曝光时间而存在减少激光束宽度以及提高载物台130的速度的方法。
但是，通常，即使使用精制的物镜，也难以将激光的最小线宽控制在70～80um以下，也难以将载物台130的速度提高至规定水平以上。由于载物台130的重量，通过当前使用的马达性能，难以将上述载物台130的速度提升至0.5m/s以上。虽然只要提高实际加减速区间(take-offtime)，则可以将速度提高至0.5m/s以上，但由于增加每次扫描的处理时间，因此很难适用于实际工序。
由于上述理由，根据现有的加热装置，如数学式2所示，将导出140us的最小曝光时间。
70um/(0.5m/s)＝140us(数学式2)
因此，因140us水平的曝光时间，现有加热装置仅可适用于需要较大粒径的对象物质。即，在利用现有加热装置加热需要较小粒径的对象物质的情况下，对象物质的粒径将会变大，从而存在发生泄露电流的问题。
发明内容
技术问题
本发明为了解决上述问题，提供如下的加热装置及间接加热方法，即，在利用激光束来加热对象物质的过程中，通过减少曝光时间来减少对象物质的粒径，由此减少泄露电流。本实施例所实现的技术问题并不限定于如上所述的多个技术问题，可存在其他多个技术问题。
作为用于解决上述技术问题的技术方案，本发明一实施例可提供加热装置，上述加热装置可包括：载物台，用于放置上述对象物质；激光模块，产生激光束来输出；光学模块，用于控制上述激光束的路径；多面镜，具有以旋转轴为中心进行旋转并反射上述激光束的多个反射面；以及激光束引导模块，用于控制通过上述多面镜反射的激光束向上述对象物质入射的入射范围。
并且，本发明另一实施例可提供利用激光的间接加热方法，上述利用激光的间接加热方法在加热装置中执行，上述加热装置包括：载物台，用于放置上述对象物质；激光模块，发生激光束来输出；光学模块，用于控制上述激光束的路径；多面镜，具有以旋转轴为中心进行旋转并反射上述激光束的多个反射面；以及激光束引导模块，用于控制通过上述多面镜反射的激光束向上述对象物质入射的入射范围，上述利用激光的间接加热方法的特征在于，包括：相邻配置作为上述对象物质的第一物质及第二物质的步骤，上述第一物质包含金属，上述第二物质包含无机物；以及通过向上述第一物质照射上述激光束直接加热上述第一物质，由此间接加热与上述第一物质相邻的上述第二物质的步骤。
本发明可提供如下的加热装置及间接加热方法，即，在利用激光束来加热对象物质的过程中，通过减少曝光时间来减少对象物质的粒径，由此减少泄露电流。
附图说明
图1为示出利用现有激光束加热对象物质的加热装置的图。
图2为示出通过现有加热装置形成的激光束的图。
图3为示出本发明一实施例加热装置的图。
图4为示出本发明一实施例投影系统的图。
图5为示出本发明一实施例激光束引导模块的图。
图6为示出激光束通过多个反射面中的相邻的两个反射面相接触的界面发生散射的图。
图7为示出利用本发明一实施例激光的间接加热方法的流程图。
具体实施方式
以下，参照附图，详细说明本发明的实施例，以便本发明所属领域的普通技术人员容易实施本发明。但是，本发明可体现为多种不同的形态，并不限定于在此说明的实施例。而且，为了明确说明本发明，在附图中省略了与说明无关的部分，通过整个说明书，对类似的部分赋予了类似的附图标记。
在整个说明书中，当一个部分与其他部分“相连接”时，这不仅包括“直接连接”的情况，也包括在其中间隔开其他器件“电连接”的情况。并且，当一个部分“包括”其他结构要素时，只要没有特别相反的记载，则意味着还可“包括”其他结构要素，而并不排除其他结构要素，应理解为并不预先排除一个或一个以上的其他特征或数字、步骤、动作、结构要素、部件或它们组合的存在或附加可能性。
在本说明书中，“部”包括通过硬件实现的单元(unit)、通过软件实现的单元以及利用两者实现的单元。并且，可通过两个以上的硬件来实现一个单元、通过一个硬件来实现两个以上的单元。
以下，参照附图3-7，详细说明本发明一实施例。
图3为示出本发明一实施例加热装置的图。参照图3，加热装置可包括载物台10、激光模块20、多面镜30、光学模块40、激光束引导模块50及投影系统60。
在载物台10放置对象物质70。对象物质70可包含：第一物质，包含金属；以及第二物质，包含与上述第一物质相邻配置的无机物。
例如，第一物质可包含钛(Ti)、氮化钛(TiN)、硅化钛(TiSi)、钽(Ta)、氮化钽(TaN)、钴(Co)、硅化钴(CoSi)、镍(Ni)、硅化镍(NiSi)、钌(Ru)、钨(W)、硅化钨(WSi)、铜(Cu)、铼(Re)、钼(Mo)、铌(Nb)、铬(Cr)中的任何一个。
例如，第二物质可包含氧化铪(HfO2)、铪硅氧化物(HfSiO4)、氧化锆(ZrO2)、锆硅氧化物(ZrSiO4)、氧化镧(La2O3)、镧铝酸盐(LaAlO3)、氧化铝(Al2O3)、氧化钽(Ta2O5)、氧化钇(Y2O3)、二氧化钛(TiO2)、钛酸锶(SrTiO3)、氧化钌(RuO2)、钌酸锶(SrRuO3)、二氧化钛(TiO2)、钛酸钡(BaTiO3)中任何的一个。
载物台10向至少一个方向进行移动，以通过激光束扫描整个对象物质70。
激光模块20产生激光束来输出。例如，激光模块20可包括二氧化碳(CO2)激光、钇铝石榴石(YAG)激光、二极管激光、光纤(fiber)激光中的一个。
例如，激光束可具有1um至11um区域的波长，优选地，可具有10um至11um区域的波长。
例如，激光束可向第一物质照射。由此，可间接加热与第一物质相邻配置的第二物质。
通常，金属相对具有较多的自由电子，从而可通过激光被加热至非常高的温度(例如，1200℃至3000℃)。与此相反，很难通过激光加热包含无机物(例如，氧化硅(SiO2)、硅(Si)、氮化硅(Si3N4))的物质。
本发明利用这种特性将包含金属的第一物质与包含无机物的第二物质相邻配置(例如，以相互接触的方式配置)之后，通过向第一物质直接照射激光束来间接加热第二物质，由此可有效地加热第二物质。
多面镜30具有以旋转轴为中心进行旋转并反射上述激光束的多个反射面。
多面镜30能够以对象物质70的偏振角(Brewster angle)为基础控制向对象物质70入射的入射角。例如，多面镜30可根据第一物质与第二物质的偏振角的差异来将在第一物质与第二物质的界面中发生的反射控制成最小角度。
通过自由控制向对象物质70入射的入射角来作为适用于特定膜质或由多个膜质的复合膜组成的膜的偏振角(Brewster angle)使用，不仅如此，可提供在半导体中所使用的一般结构或在这种结构以多个排列层叠而成的工序中能够形成最优工序的方案。例如，在与偏振角不同地适用入射角概念的深的沟槽结构中也可以设定最优的入射角，由此可适用于多种工序。
例如，在本发明一实施例的动态随机存取存储器(DRAM)的电容器(capacitor)的情况下，圆桶(cylinder)形状的电容器节点(capacitor node)以金属材质形成数微米(um)。在这种情况下，入射波的偏振角(Brewster angle)的基准点为数微米(um)结构体的表面，而并非硅(Si)的表面。
并且，在另一实施例的垂直资料存储闪存(Vertical NAND flash)的通道(channel)或高电容率(high-k)的热处理上也可适用相同的理由。
与此不同，在通过加热金属来进行间接加热(heating)的原本目的上，在所适用的工序中的屏幕纵横比(A/R)大的情况下，激光束先到达的对象体的表面先被加热，越从表面远离，通过金属膜之间的热传导(thermal conduction)实现加热，而并非直接通过激光进行加热。基于这种热传导的加热可导致对象物质的上部和下部之间的温度不均匀。为了防止这种情况发生，需要考虑屏幕纵横比(A/R)，可使用激光能量同时到达结构体的上部至下端的范围的入射角。在这种情况下，可根据目的及结构自由地调节入射角。
通过多面镜30的旋转，激光束可具有数m/s至数百m/s(例如，2m/s至180m/s)的速度。在这种情况下，可通过激光束宽度和激光束的速度确定曝光时间(Dwell Time)。
即，在数学式1中，在代替载物台的速度代入激光束的速度(假设激光束宽度相同)的情况下，可导出数百us至数us(例如，0.39us至35us(激光束的速度为2m/s至180m/s))的曝光时间。
如上所述，根据本发明的加热装置，与现有加热装置相比，可具有减少最少4倍至最大200倍的曝光时间。
因此，本发明加热装置可加热需要相对较小粒径的对象物质70，可减少随着粒径的增加而发生的泄露电流。
光学模块40用于控制通过激光模块20产生的激光束的路径。
例如，光学模块40可包括第一镜41、聚光透镜42、激光束整形机43及第二镜44。
第一镜41用于反射从激光模块20产生的激光束。聚光透镜42用于对通过第一镜41反射的激光束进行聚光。
激光束整形机43可将通过聚光透镜42聚光的激光束的形态变为预设状态。激光束整形机43可通过改变激光束的形态来提高光效率。
例如，激光束整形机43可以为复眼透镜或光导管。
第二镜44反射所改变的上述激光束，以使所改变的上述激光束朝向多面镜30。
投影系统60配置在多面镜30与对象物质70之间。投影系统60校正通过多面镜30反射的激光束的能量密度。投影系统60可将基于激光束的轨迹长度的激光束的一致性(uniformity)最优化。图4放大示出投影系统60。
参照图5，激光束引导模块50可配置在多面镜30与对象物质70之间，用于控制激光束向对象物质70入射的入射范围。
暂时参照图6，激光束可通过多个反射面中相邻的两个反射面相接触的界面发生散射，发生散射的激光束到达对象物质的特定位置来改变对象物质。
因此，需要防止发生散射的激光束到达对象物质。
图6为示出反射多面镜的多个反射面的激光束的图。尤其，图6的(c)部分示出通过多个反射面中相邻的两个反射面相接触的界面散射的激光束到达对象物质的特定位置。
再次参照图5，激光束引导模块包括隔开规定距离来确定激光束入射范围的多个激光束截止器51、52。
多个激光束截止器51、52阻隔通过在多个反射面中相邻的两个反射面相接触的界面散射的激光束53。
由此，可防止通过在多个反射面中相邻的两个反射面相接触的界面散射的激光束到达对象物质的特定位置。
本发明的加热装置可在垂直闪存芯片(VNAND)结构体中加热通道膜的工序中使用。
例如，垂直闪存芯片结构体可通过以下步骤形成：在器件结构体中形成的沟槽内形成绝缘膜之后，在沟槽内的绝缘膜上形成作为上述第二物质结构体的由第二物质形成的通道膜的步骤；以及在形成通道膜之后，作为上述第一物质结构体，形成填充沟槽内的剩余空间的由第一物质形成的芯部并在上述器件结构体的上部面形成由第一物质形成的激光收容垫，以便与芯部相连接的步骤。在这种情况下，虽然有可能发生因高温加热所引起的第一物质与第二物质之间的反应或相互扩散(interdiffusion)，可在第一物质与第二物质之间包含可防止上述现象的发生的一个以上的第三物质。这是因为，若发生反应或相互扩散，则在之后的去除第一物质的步骤中很难去除第一物质。例如，第三物质可包含氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(Si3N4)、多晶硅(Polysilicon)及非晶硅(Amorphous Si)中的一个。
其中，为了降低通道膜的电阻，可通过向激光收容垫上照射上述激光来加热(heating)上述第二物质或使其熔融(melting)。
器件结构体可包括垂直闪存芯片(VNAND)结构体，上述第二物质可包含多晶硅。绝缘膜可以为由硅氮化物组成的捕集层12、由氧化铝组成的防氧化层及由氧化硅组成的对苯二酚(HQ)氧化层。
通过现有的激光，对作为垂直闪存芯片(VNAND)结构体的通道层的整个多晶硅(4微米至5微米深度)进行加热(heating)或使其熔融(melting)受到了限制，但是，在使用第一物质来进行间隙填充(Gap-fill)或空心填充(macaroni-fill)之后，若利用二氧化碳(CO2)激光、二氧化碳激光、钇铝石榴石(YAG)激光、二极管激光、光纤(fiber)激光进行退火(anneal)，则可对第一物质进行加热，并对与第一物质相接触的作为第二物质的由多晶硅形成的通道层进行加热(heating)或使其熔融(melting)来降低电阻，由此可提高通道的电流。之后，通过适当的方法去除所提供第一物质的间隙填充(Gap-fill)或空心填充(macaroni fill)。垂直闪存芯片(VNAND)结构体的堆栈(stack)数越多，通过降低通道膜的电阻来提高电极为关键，而在本实施例中，可在通道膜的周围形成上述第一物质结构体之后，可通过实施二氧化碳(CO2)激光、二氧化碳激光、钇铝石榴石(YAG)激光、二极管激光、光纤(fiber)激光来体现退火。
另一方面，由于难以向具有窄小的截面积的芯部直接照射二氧化碳(CO2)激光、二氧化碳激光、钇铝石榴石(YAG)激光、二极管激光、光纤(fiber)激光以间接加热通道膜19，因此，形成与芯部相连接并具有相对较大的截面积的激光收容垫，且向激光收容垫照射二氧化碳(CO2)激光、二氧化碳激光、钇铝石榴石(YAG)激光、二极管激光、光纤(fiber)激光更为有效。
并且，本发明的加热装置可在动态随机存取存储器电容器结构体中通过加热上部电极来间接加热电介质膜的工序中使用，上述动态随机存取存储器电容器结构体包括由第二物质形成的电介质膜及由第一物质形成的上部电极。
例如，动态随机存取存储器电容器结构体可通过以下步骤形成：在沟槽内形成下部电极的步骤，上述沟槽形成于上述器件结构体内；在上述沟槽内的上述下部电极上形成作为上述第二物质结构体的由第二物质形成的电介质膜的步骤；以及作为上述第一物质结构体，在上述沟槽内的上述电介质膜上形成由第一物质形成的上部电极，以及在上述器件结构体上部面形成有第一物质形成的激光收容垫，以便与上述上部电极相连接的步骤。
其中，为了提高上述电介质膜的电容率，可通过向上述激光收容垫上照射上述激光来加热(heating)第二物质或使其熔融(melting)。
上述器件结构体可包括动态随机存取存储器(DRAM)的电容器结构体，上述第一物质可包含氮化钛(TiN)或钌(Ru)，上述第二物质可以包含氧化铪(HfO2)、铪硅氧化物(HfSiO4)、氧化锆(ZrO2)、锆硅氧化物(ZrSiO4)、氧化镧(La2O3)、镧铝酸盐(LaAlO3)、氧化铝(Al2O3)、氧化钽(Ta2O5)、氧化钇(Y2O3)、二氧化钛(TiO2)、钛酸锶(SrTiO3)中的一个。在这种情况下，上述电介质膜依次相变为非晶质(amorphous)结构、单斜晶(monoclinic)结构、四方(tetragonal)结构、立方(cubic)结构，由此，可体现具有充分高的电容率的电介质膜。即，利用二氧化碳(CO2)激光、二氧化碳激光、钇铝石榴石(YAG)激光、二极管激光、光纤(fiber)激光，在相对高的温度条件下发生相变的氧化铪(HfO2)、铪硅氧化物(HfSiO4)、氧化锆(ZrO2)、锆硅氧化物(ZrSiO4)、氧化镧(La2O3)、镧铝酸盐(LaAlO3)、氧化铝(Al2O3)、氧化钽(Ta2O5)、氧化钇(Y2O3)、二氧化钛(TiO2)、钛酸锶(SrTiO3)中的一个中获得确保高电容率(permittivity)的四方(tetragonal)相、正交(orthoromic)相或立方(cubic)相，从而可体现更高的电容特性。
并且，本发明的加热装置可在如下工序中使用，即，在包含金属及多晶硅的存储器件的晶体管结构中，通过加热金属来间接加热多晶硅。
例如，存储器件可通过以下步骤形成存储器件的晶体管结构体：形成栅极氧化膜的步骤；在上述栅极氧化膜上形成作为上述第二物质结构体的多晶硅膜的步骤；以及作为上述第一物质结构体，在上述多晶硅膜上先形成氮化钛(TiN)膜、氮化钨(WN)膜、硅化钨(WSi)膜或氮化钽(TaN)膜之后，依次形成钨(W)膜的步骤。在这种情况下，有可能因高温加热而发生第一物质与第二物质之间的反应或相互扩散(interdiffusion)，可在第一物质与第二物质之间包含可防止上述现象的发生的一个以上的第三物质。这是因为，若发生反应或相互扩散，则在之后的去除第一物质的步骤中很难去除第一物质。例如，第三物质可包括氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(Si3N4)、多晶硅(Polysilicon)及非晶硅(Amorphous Si)中的一个。
其中，为了降低上述晶体管的等效氧化膜厚度(EOT，equivalent oxidethickness)，可通过向上述钨膜上照射上述激光来对上述多晶硅膜的至少一部分进行加热(heating)或使其熔融(melting)。
即，动态随机存取存储器(DRAM)(或闪存(FLASH))的晶体管结构由栅极氧化物(Gate oxide)/多晶硅(Polysilicon)/金属(Metal)(氮化钛(TiN)/钨(W))形成。这种情况下，由于容易加热金属(Metal)，因此，可以诱导与金属相接触的多晶硅(Polysilicon)的局部加热(heating)或熔融(melt)来强化B或P的激活(activation)，由此，可通过减少多晶硅耗尽(polysilicon depletion)来减少等效氧化膜厚度(EOT)。即，针对金属栅极(Metalgate)中的多晶硅耗尽(polysilicon depletion)，可通过金属辅助加热(Metal assistedheating)来实现高温条件下在短时间内去除多晶硅耗尽(polysilicon depletion)的激活(activation)。
并且，本发明的加热装置可适用于如下工序，即，在包含作为第一物质的氮化钛(TiN)(或氮化钽(TaN))/钨(W)及作为第二物质的高电容率(High-k)物质的逻辑器件的晶体管结构体中直接加热第一物质来间接加热第二物质。
例如，逻辑器件的晶体管结构体可通过如下步骤形成：作为上述第二物质结构体形成非晶质多晶硅膜的步骤；以及在上述非晶质多晶硅膜上形成上述第一物质结构体的步骤。
其中，可通过向上述第一物质结构体上照射上述激光来加热(heating)上述非晶质多晶硅膜的至少一部分或使其熔融(melting)，由此可降低上述第二物质结构体的电阻。
在降低多晶硅(或非晶硅)的电阻的方法中，一般的增加粒径的简单的方法为熔融缩聚(poly melt)方法。通过使多晶硅(或非晶硅)与金属(metal)相接触并使用二氧化碳(CO2)激光、二氧化碳激光、钇铝石榴石(YAG)激光、二极管激光、光纤(fiber)激光，可体现基于金属(metal)的加热(heating)的多晶硅(或非晶硅)的熔融(melting)。
并且，当本发明的加热装置进行光刻工序时，可通过向光阻剂下面涂敷金属膜来防止当涂敷后烘烤或曝光后烘烤时所发生的在曝光在光阻剂之间的光源的部分与未曝光在光阻剂之间的部分之间的相互扩散(interdiffusion)，从而可改善边缘粗糙度(LER，Line Edge Roughness)或宽度边缘粗糙度(WER，Width Edge Roughness)等。在这种情况下，有可能发生因高温加热所引起的第一物质与第二物质之间的反应或相互扩散(interdiffusion)，可在第一物质与第二物质之间包含可防止上述现象的发生的一个以上的第三物质。这是因为，若发生反应或相互扩散，则在之后的去除第一物质的步骤中很难去除第一物质。例如，第三物质可包含氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(Si3N4)、多晶硅(Polysilicon)及非晶硅(Amorphous Si)中的一个。
除此之外，本发明的加热装置可适用于多种工序。
图7为示出利用本发明一实施例激光的间接加热方法的流程图。
参照图7，在S900步骤中，作为对象物质，可相邻配置包含金属的第一物质与包含无机物的第二物质。在这种情况下，有可能发生因高温加热所引起的第一物质与第二物质之间的反应或相互扩散(interdiffusion)，可在第一物质与第二物质之间包含可防止上述现象的发生的一个以上的第三物质。例如，第三物质可包含氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(Si3N4)、多晶硅(Polysilicon)及非晶硅(Amorphous Si)中的一个。
在S910步骤中，通过向第一物质照射激光束来直接加热第一物质，从而可间接加热与第一物质相邻的第二物质。
虽然未图示，但利用本发明一实施例的激光的间接加热方法还可包括以对象物质的偏振角(Brewster angle)为基础控制向对象物质入射的入射角的步骤。
上述本发明的说明仅用于例示，本发明所属领域的普通技术人员可在不变更本发明的技术思想或必要特征的情况下，可将本发明轻松变形成其他具体形态。因此，以上记述的多个实施例在所有方面均为例示性实施例，而并非用于限定本发明。例如，被说明成单一型的各个结构要素可分散实施，同样，被说明成分散的结构要素也能够以结合的形态实施。
本发明的范围应通过后述发明要求保护范围来体现，而并非通过上述详细说明体现，从发明要求保护范围的含义、范围及其等同技术方案导出的所有变更或变形的形态均属于本发明的范围。

Claims (13)

1.一种加热装置，利用激光束来加热对象物质，其特征在于，
包括：
载物台，用于放置上述对象物质；
激光模块，产生激光束来输出；
光学模块，用于控制上述激光束的路径；
多面镜，具有以旋转轴为中心进行旋转并反射上述激光束的多个反射面；以及
激光束引导模块，用于控制通过上述多面镜反射的激光束向上述对象物质入射的入射范围。
2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，上述光学模块包括：
第一镜，用于反射从上述激光模块产生的激光束；
聚光透镜，用于对通过上述第一镜反射的激光束进行聚光；
激光束整形机，用于将所聚光的上述激光束的形态变为预设状态；以及
第二镜，反射所改变的上述激光束，以使所改变的上述激光束朝向上述多面镜。
3.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，还包括投影系统，上述投影系统校正通过上述多面镜反射的激光束的能量密度。
4.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，上述激光束引导模块包括多个激光束截止器，上述多个激光束截止器隔开规定距离来确定上述入射范围，阻隔通过上述多个反射面中相邻的两个反射面相接触的界面散射的激光束。
5.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，
上述对象物质包含：
第一物质，包含金属；以及
第二物质，包含与上述第一物质相邻配置的无机物，
通过向上述第一物质照射上述激光束来直接加热上述第一物质，由此，与上述第一物质相邻的上述第二物质被间接加热。
6.根据权利要求5所述的加热装置，其特征在于，上述对象物质还包含配置于上述第一物质及上述第二物质之间的一个以上的第三物质。
7.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，上述激光模块为二氧化碳激光、钇铝石榴石激光、二极管激光、及光纤激光中的一个。
8.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，上述激光束具有1um至11um区域的波长。
9.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，从上述多个反射面反射的激光束具有2m/s至180m/s的速度。
10.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，上述对象物质在上述激光束的曝光时间为0.39us至35us。
11.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，上述入射角控制模块以上述对象物质的偏振角为基础控制向上述对象模块入射的入射角。
12.一种利用激光的间接加热方法，上述利用激光的间接加热方法在加热装置中执行，上述加热装置包括：
载物台，用于放置上述对象物质；
激光模块，产生激光束来输出；
光学模块，用于控制上述激光束的路径；
多面镜，具有以旋转轴为中心进行旋转并反射上述激光束的多个反射面；以及
激光束引导模块，用于控制通过上述多面镜反射的激光束向上述对象物质入射的入射范围，上述利用激光的间接加热方法的特征在于，包括：
相邻配置作为上述对象物质的第一物质及第二物质的步骤，上述第一物质包含金属，上述第二物质包含无机物；以及
通过向上述第一物质照射上述激光束直接加热上述第一物质，由此间接加热与上述第一物质相邻的上述第二物质的步骤。
13.根据权利要求12所述的利用激光的间接加热方法，其特征在于，相邻配置作为上述对象物质的第一物质及第二物质的步骤包括在上述第一物质与上述第二物质之间配置一个以上的第二物质的步骤，上述第一物质包含金属，上述第二物质包含无机物。
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