CN111816790A - 透明有机发光显示面板、制备方法和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了透明有机发光显示面板、制备方法和显示装置。该有机发光显示面板包括：基板，所述基板上具有发光区以及透光区；多个有机发光二极管，所述有机发光二极管位于所述发光区，所述有机发光二极管包括阳极、阴极，以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光层，所述阴极和所述发光层自所述发光区延伸至所述透光区，所述阴极和所述发光层之间具有金属缓冲层；拓扑绝缘体层，所述拓扑绝缘体层在所述基板上的正投影位于所述透光区，且所述拓扑绝缘体层位于所述金属缓冲层以及所述发光层之间。该透明有机发光显示面板可利用金属缓冲层缓解阴极工艺对发光层的损伤。

Description

透明有机发光显示面板、制备方法和显示装置

技术领域

本发明涉及显示领域，具体地，涉及透明有机发光显示面板、制备方法和显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，透明显示装置吸引了越来越多的关注。目前的透明显示技术多采用基于有机发光二极管(OLED)技术实现的。OLED显示面板具有可实现柔性显示、自发光等优点，可用于制备透明显示装置。

但目前基于OLED的透明显示装置仍存透明度较低等问题。具体地，透过率较高的OLED的顶电极(阴极)多采用溅射的方式制备，而溅射工艺会对发光层造成一定损伤。例如，如果采用IZO作为顶电极，则需要在发光层和阴极之间形成金属缓冲层以减小IZO工艺过程中对与发光层的损伤，但金属缓冲层的透过率较低，将营销透明显示面板的整体透过率，导致显示效果下降。而如直接采用对发光层损伤较小的金属/合金电极(如Mg:Ag(2:8))作为顶电极，那么透光区的透过率也将大幅降低。

因此，目前的透明有机发光显示面板、制备方法和显示装置仍有待改进。

发明内容

本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。

在本发明的一个方面，本发明提出了一种透明有机发光显示面板，该有机发光显示面板包括：基板，所述基板上具有发光区以及透光区；多个有机发光二极管，所述有机发光二极管位于所述发光区，所述有机发光二极管包括阳极、阴极，以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光层，所述阴极和所述发光层自所述发光区延伸至所述透光区，所述阴极和所述发光层之间具有金属缓冲层；拓扑绝缘体层，所述拓扑绝缘体层在所述基板上的正投影位于所述透光区，且所述拓扑绝缘体层位于所述金属缓冲层以及所述发光层之间。该透明有机发光显示面板由于具有拓扑绝缘体层，因此可防止金属缓冲层中透过率较低的金属元素在透光区处沉积，从而可以提高该面板在透光区的透过率，并且可利用金属缓冲层缓解阴极工艺对发光层的损伤。

根据本发明的实施例，所述金属缓冲层包括低透金属，形成所述拓扑绝缘体层的材料包括低透金属-有机拓扑绝缘体。由此，可进一步提高该面板的显示效果。

根据本发明的实施例，所述低透金属包括Mg，所述金属缓冲层进一步包括高透金属，所述高透金属包括Ag，所述高透金属位于所述金属缓冲层中与所述透光区和所述发光区相对应处，所述低透金属位于所述金属缓冲层中和所述发光区相对应处，所述拓扑绝缘体层包括Mg-DAC。由此，可进一步提高该面板的显示效果。

根据本发明的实施例，所述透明有机发光显示面板在所述透光区的透过率大于70％。由此，可进一步提高该面板的显示效果。

根据本发明的实施例，形成所述阴极的材料包括IZO，所述阴极的厚度为100～300nm。由此，可进一步提高该面板的透过率。

根据本发明的实施例，所述金属缓冲层的厚度为10nm以上。由此，可提高金属缓冲层对发光层的保护效果。

在本发明的又一方面，本发明提出了一种制备透明有机发光显示面板的方法。该方法包括：在基板上形成多个有机发光二极管，所述基板上具有发光区以及透光区所述有机发光二极管位于所述发光区，所述有机发光二极管包括阳极、阴极，以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光层，所述阴极和所述发光层自所述发光区延伸至所述透光区，所述阴极和所述发光层之间具有金属缓冲层，其中，在形成所述金属缓冲层之前，预先在所述发光层远离基板的一侧形成拓扑绝缘体层，所述拓扑绝缘体层在所述基板上的正投影位于所述透光区。由此，可简便地获得透明有机发光显示面板。该透明有机发光显示面板可为前述的，因此该方法制备的面板具有前述的面板的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该面板具有透过率高、阴极工艺对发光层损伤较小等优点的至少之一。

根据本发明的实施例，所述金属缓冲层是通过蒸镀工艺形成的，形成所述金属缓冲层的蒸镀温度为450～600摄氏度；所述拓扑绝缘体层是通过所述蒸镀工艺形成的，形成所述拓扑绝缘体层的蒸镀温度为300～450摄氏度。由此，可进一步提高该方法制备的透明有机发光显示面板的性能。

根据本发明的实施例，所述方法包括：在所述基板上形成所述发光层；在所述基板的所述透光区通过蒸镀工艺形成所述拓扑绝缘体层，所述拓扑绝缘体层覆盖所述发光层位于所述透光区的部分；通过所述蒸镀工艺形成所述金属缓冲层，所述金属缓冲层覆盖位于所述发光区的所述发光层，以及位于所述透光区的所述拓扑绝缘体层，所述金属缓冲层中含有高透金属和低透金属，位于所述发光区处的所述金属缓冲层中具有所述高透金属和低透金属，位于所述透光区处的所述金属缓冲层中具有所述高透金属；通过溅射工艺，在所述金属缓冲层远离所述基板的一侧形成所述阴极。由此，可进一步提高该方法制备的透明有机发光显示面板的性能。

在本发明的又一方面，本发明提出了一种显示装置。该显示装置包括前面所述的透明有机发光显示面板。由此，该显示装置具有前面所述的透明有机发光显示面板所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1显示了根据本发明一个实施例的透明有机发光显示面板的结构示意图；

图2显示了根据本发明一个实施例的透明有机发光显示面板的部分结构示意图；

图3显示了根据本发明一个实施例的透明有机发光显示面板的部分结构示意图；

图4显示了根据本发明一个实施例的透明有机发光显示面板的结构示意图；

图5显示了根据本发明一个实施例的透明有机发光显示面板的部分结构示意图；

图6显示了根据本发明一个实施例的制备透明有机发光显示面板的方法的流程示意图。

附图标记说明：

1000：透明有机发光显示面板；100：110：发光区；120：透光区；基板；210：阳极；220：发光层；230：金属缓冲层；240：阴极；310：有源层；320：栅极；330：源漏极；340：栅绝缘层；350：第一绝缘层；360：层间绝缘层；370：缓冲层；380：钝化层；400：拓扑绝缘体层；500：封装层；600：色阻层；700：光学胶层；800：保护盖板；10：像素界定结构；20：遮光层；30：辅助阴极；50：黑矩阵。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的一个方面，本发明提出了一种透明有机发光显示面板。参考图1，该有机发光显示面板1000包括基板100，基板100上具有发光区110以及透光区120。基板100上具有多个有机发光二极管(图1中仅示出了一个)，有机发光二极管位于发光区110，有机发光二极管包括阳极210、阴极240，以及位于阳极210和阴极240之间的发光层220，阴极240和发光层220自发光区110延伸至透光区120，阴极240和发光层220之间具有金属缓冲层230。拓扑绝缘体层400位于金属缓冲层230以及发光层220之间，且在基板100上的正投影位于透光区120内。该透明有机发光显示面板由于具有拓扑绝缘体层，因此可防止金属缓冲层中透过率较低的金属元素在透光区处沉积，从而可以提高该面板在透光区的透过率，并且可利用金属缓冲层缓解阴极工艺对发光层的损伤。

为了方便理解，下面首先对该透明有机发光显示面板可实现上述有益效果的原理进行简单说明：

如前所述，为防止阴极的溅射工艺损伤发光层，需要在阴极和发光层之间设置金属缓冲层。而目前常用的金属缓冲层中含有透过率较低的金属元素，如Mg，因此导致透明有机发光显示面板的整体透过率较低。根据本发明实施例的透明有机发光显示装置在透光区设置拓扑绝缘体层，该拓扑绝缘体层由拓扑绝缘体材料构成，该材料是一种内部绝缘在界面允许电荷移动的材料。通过对拓扑绝缘体层的材料进行设计，例如采用金属-有机拓扑绝缘体材料，可防止特定的金属元素在拓扑绝缘体表面生长。由此，可利用该拓扑绝缘体层防止金属缓冲层中透过率较低的金属元素在透光区处沉积，进而可提高透光区的透过率。换句话说，由于在透光区的部分设置了拓扑绝缘体层，因此在制备金属缓冲层时，金属缓冲层中的特定金属元素(如透过率较低的Mg)将优先沉积在不具有拓扑绝缘体层的位置，即发光区处，而在拓扑绝缘体层的上方仅存在极少数甚至不存在Mg元素。以采用Mg:Ag(2:8)为金属缓冲层为例，本发明提出的结构既可以提高透光区处的光线透过率，又可以在发光区处形成的金属缓冲层的组成不受影响，例如仍旧为可以为Mg:Ag(2:8)。

根据本发明的实施例，参考图2-图5，发光区110和透光区120的位置不受特别限制，只要令有机发光二极管位于发光区110即可。具体地，基板100上设置有机发光二极管处为发光区，其余位置可均为透光区120，只要发光区能够容纳有机发光二极管以及相关走线(如栅线、源极线等等)等结构即可。例如，参考图3，发光区110和透光区120可以依次交替排布，由此可利用发光区110实现显示，透光区120可令该显示面板后侧的环境光透过显示面板被用户观测到，从而实现透明显示。或者，参考图2和图4，透光区120也可位于发光层(如图4中所示出的RGB)和像素界定结构10以外的全部区域。由此，可进一步提高该面板的整体透过率。

根据本发明的实施例，有机发光二极管可为白光有机发光二极管，可通过设置色阻层的方式实现彩色显示，例如可设置红色、绿色、蓝色色阻层，实现彩色显示，如图2以及图4中所示出的RGB。或者，多个有机发光二极管还可包括红光有机发光二极管、绿光有机发光二极管、蓝光有机发光二极管等，此种情况下可不设置色阻层，利用发单色光的多个有机发光二极管实现彩色显示。此处需要特别说明的是，图2和图4中的有机发光二极管(如图中所示出的RGB)仅为了区分多个有机发光二极管，而不能理解为对本申请中多个有机发光二极管的颜色、排布方式或是发光层形状、尺寸的限制。

根据本发明的实施例，金属缓冲层可包括低透金属，形成拓扑绝缘体层的材料可包括低透金属-有机拓扑绝缘体。由此，可防止低透金属沉积在透光区导致透光区的透过率降低。具体地，低透金属可包括Mg，金属缓冲层可进一步包括高透金属，例如可进一步包括Ag。拓扑绝缘体层可由限制Mg生长的金属-有机拓扑绝缘体形成，例如可以为Mg-DAC(Mg-9,10-二氰基蒽，Mg-dicyanoanthracene)。金属缓冲层可以是通过蒸镀多种金属元素而形成的。以高透金属为Ag，低透金属为Mg为例，在形成金属缓冲层时，由于拓扑绝缘体层的作用，蒸镀的Mg元素更多地沉积在发光区的位置处，而在透光区则仅形成Ag的金属层。由此，可在发光区形成Mg-Ag比例复合预设的金属缓冲层的金属配比的合金层，以保证发光区处的有机发光二极管的发光性能不受影响，同时可提高透光区处的透过率，进而进一步提高该面板的显示效果。拓扑金属绝缘材料也称为量子自旋霍尔绝缘体，其在带隙中存在具有自旋选择功能的边界态，这些边界态受拓扑保护而不受弹性背散射和局域化的限制。与无机金属拓扑绝缘体的性质类似，有机金属拓扑绝缘体同样存在自选轨道耦合导致的带隙和连接价带和导带的拓扑边界态。二维的有机拓扑绝缘体可以归结为两类。第一类具有六角对称结构，在这类材料中，金属原子组成的六角对称结构并与相邻三个分子成键。比如以三苯基金属化合物为基本单位，每个金属原子对称地与三个苯环相连，在三重旋转对称性下倾向与自组装成六角晶格，例如利用具有强自旋轨道耦合的金属原子Pb组成Pb(C₆H₅)₃晶格。第二类具有Kagome结构，金属原子与相邻的两个分子成键。比如前述的Mg-DCA(dicyanoanthracene)。该有机拓扑金属绝缘材料中，有机分子与金属原子配位，金属有机晶格与金属材料的具有非常强的相互作用，可以将该材料用于金属薄膜的诱导成膜层。因此基于有机金属拓扑绝缘体与金属镁的自组装材料可以通过热蒸发的工艺制备成膜，在该材料的薄膜上，金属镁无法附着生长。因此可以通过包括但不限于掩膜沉积图案化的方式在基板的部分区域形成上述有机金属拓扑绝缘体构成的拓扑绝缘体层，再整面相继沉积Mg:Ag(9:1)的复合金属薄膜形成金属缓冲层，以实现在发光层上方形成Mg:Ag(9:1)的金属缓冲层，而在透光区形成少许的Ag膜层。

根据本发明的实施例，由于采用了拓扑绝缘体层400，本发明提出的透明有机发光显示面板在透光区的透过率可以大于70％。当不设置拓扑绝缘体层400，在透光区和发光区均形成化学组分一致的金属缓冲层时，透光区的透过率仅为60％～70％左右。根据本发明的实施例，形成阴极、金属缓冲层的具体材料不受特别限制，本领域技术人员可选择熟悉的材料形成阴极和金属缓冲层。阴极、金属缓冲层的厚度也不受特别限制，本领域技术人员可根据有机发光二极管的具体性能要求进行设定。由于根据本发明实施例的金属缓冲层中的低透金属不会沉积在透光区，因此在对阴极、金属缓冲层的材料、厚度进行选择时，可不考虑低透金属对面板透过率的影响。由此，可进一步提高该面板的显示效果。

根据本发明的一些具体实施例，形成阴极的材料可以包括透明导电金属氧化物，例如ITO、IGZO、IZO等。具体地，可以为IZO。阴极的厚度可以为100～300nm。类似地，金属缓冲层的材料和厚度也不受特别限制，例如，金属缓冲层的厚度可以为10nm以上。由此，可提高金属缓冲层对发光层的保护效果，可进一步提高该面板的透过率。例如具体地，阴极可以为IZO形成的，IZO的厚度与电阻率以及膜层透过率相关，根据本发明实施例的IZO阴极的厚度可以为120nm～300nm，当阴极厚度在上述范围内时，阴极材料的电阻率可小于50欧姆/□，对蓝光(460nm)的透过率可为不低于80％，对绿光(525nmnm)的透过率可达到不低于79％，对红光(620nm)的透过率可达到不低于85％，从而可以满足大多数有机发光二极管的要求。根据本发明的另一些实施例，金属缓冲层可以是由Ag和Mg的复合金属层构成的。当金属缓冲层为Mg:Ag(9:1)(原子比)时，金属缓冲层的厚度可以根据需要进行调节，例如，当采用厚度为10nm的金属缓冲层时，由于发光区处金属缓冲层的组成为Mg:Ag(9:1)，因此发光区的透光率较低，仅为65％左右。而透光区由于不具有或仅具有极少量的Mg以及少量的Ag，因此还可以具有较好的透光率，例如可为大于90％。由此，根据本发明实施例的金属缓冲层厚度可在10nm以上，而无需考虑金属缓冲层对透光区透明度的影响。

根据本发明的实施例，该透明有机发光显示面板还可以进一步具有用于控制有机发光二极管的背板电路，如包括多个薄膜晶体管(TFT)和电容的电路等。参考图4(沿图2中箭头所示出的位置的纵截面结构示意图)，在基板100上可具有缓冲层370，以及用于保护薄膜晶体管有源层310的遮光层20，覆盖遮光层20的第一绝缘层350，例如可采用SOG材料形成。第一绝缘层350远离基板100的一侧可具有有源层310、栅极绝缘层340、栅极320等结构，以及覆盖有源层310、栅极绝缘层340、栅极320的层间绝缘层360。源漏极330可通过贯穿层间绝缘层360的过孔与有源层310相连。源漏极330远离基板100的一侧可覆盖有钝化层380。有机发光二极管的阳极210可通过过孔与源漏极330中的一个相连。由此，可利用薄膜晶体管控制有机发光二极管的开关和亮度。该有机发光显示面板还可在阴极240远离基板的一侧具有辅助阴极30，由此可进一步提高该显示面板的性能。辅助阴极远离基板100的一侧可具有封装层500，以及黑矩阵50、色阻层600等结构。为了进一步对有机发光二极管进行保护，该面板还可具有保护盖板800，具体地，保护盖板800和基板100均可以由PI等柔性材料形成。

在本发明的又一方面，本发明提出了一种制备透明有机发光显示面板的方法。该方法包括：在基板上形成多个有机发光二极管，基板上具有发光区以及透光区有机发光二极管位于发光区，有机发光二极管包括阳极、阴极，以及位于阳极和阴极之间的发光层，阴极和发光层自发光区延伸至透光区，阴极和发光层之间具有金属缓冲层，其中，在形成金属缓冲层之前，预先在发光层远离基板的一侧形成拓扑绝缘体层，拓扑绝缘体层在基板上的正投影位于透光区。由此，可简便地获得透明有机发光显示面板。该透明有机发光显示面板可为前述的，因此该方法制备的面板具有前述的面板的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该面板具有透过率高、阴极工艺对发光层损伤较小等优点的至少之一。

具体地，参考图6，该方法可包括以下步骤：

S100：在所述基板上形成所述发光层

根据本发明的实施例，在该步骤中可在基板上形成发光层。本领域技术人员能够理解的是，在形成发光层之前，还可包括形成前述的背板电路以及像素界定层、阳极等操作。具体地，发光层可以为一整层结构，可自基板的发光区延伸至透光区。

S200：在所述基板的所述透光区通过蒸镀工艺形成所述拓扑绝缘体层

根据本发明的实施例，在该步骤中可进行蒸镀拓扑绝缘体层的操作。关于拓扑绝缘体层的位置、材料以及发挥作用的原理，前面已经进行了详细的说明，在此不再赘述。例如根据本发明一些具体的实施例，拓扑绝缘体层可以是通过蒸镀工艺形成的，形成拓扑绝缘体层的蒸镀温度为300～450摄氏度，具体可以为380摄氏度。

S300：通过所述蒸镀工艺形成所述金属缓冲层

根据本发明的实施例，在该步骤中可进行金属缓冲层的操作。关于金属缓冲层的位置、材料以及发挥作用的原理，前面已经进行了详细的说明，在此不再赘述。例如根据本发明一些具体的实施例，金属缓冲层可以是通过蒸镀工艺形成的，形成金属缓冲层的蒸镀温度为450～600摄氏度，例如具体可以为550摄氏度。金属缓冲层中可含有高透金属Ag和低透金属Mg，位于发光区处的金属缓冲层中可具有高透金属和低透金属，而位于透光区处的金属缓冲层中可仅具有高透金属。由此，可简便地提高透光区的透过率。

S400：通过溅射工艺，在所述金属缓冲层远离所述基板的一侧形成所述阴极

根据本发明的实施例，在该步骤中可形成阴极。具体地，可通过溅射工艺，在金属缓冲层远离基板的一侧形成阴极。由此，可进一步提高该方法制备的透明有机发光显示面板的性能。

该方法还可进一步包括通过蒸镀工艺形成辅助阴极的操作，以及通过低温光刻形成色阻层、设置薄膜封装层等操作。上述工艺的具体参数不受特别限制，本领域技术人员可根据实际情况进行选择。

在本发明的又一方面，本发明提出了一种显示装置。该显示装置包括前面的透明有机发光显示面板。由此，该显示装置具有前面所述的透明有机发光显示面板所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。

下面通过具体的实施例对本申请的方案进行说明，需要说明的是，下面的实施例仅用于说明本申请，而不应视为限定本申请的范围。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。

按照下表1的膜层组分以及厚度进行制备，各个膜层的厚度以及在不同颜色的光(RGB)下的透过率如下表1所示：

表1

其中，OTI为有机金属拓扑绝缘体。由表1中的测试结果可知，30nm厚的OTI对各个颜色的光的透过率均在95％以上，不会影响面板的整体透光性。而Mg:Ag(9:1)(10nm)的辅助电极层透过率较低。而采用OTI(30nm)+Mg:Ag(9:1)(10nm)的沉积工艺获得的膜层由于无法形成含量较多的Mg，因此该膜层实际上仅由少量的Ag和OTI构成，因此透过率仍可达到95％以上。对比可知，OTI(30nm)+Mg(10nm)上由于无法形成Mg元素，则该膜层的透过率与OTI(30nm)的透过率相似。而OTI(30nm)+Ag(10nm)的膜层中由于Ag含量较多，透过率有所下降。因此根据本发明实施例的透明有机发光显示面板可在透光区处具有较高的透过率。

在本发明的描述中，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明而不是要求本发明必须以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种透明有机发光显示面板，其特征在于，包括：

基板，所述基板上具有发光区以及透光区；

多个有机发光二极管，所述有机发光二极管位于所述发光区，所述有机发光二极管包括阳极、阴极，以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光层，所述阴极和所述发光层自所述发光区延伸至所述透光区，所述阴极和所述发光层之间具有金属缓冲层；

拓扑绝缘体层，所述拓扑绝缘体层在所述基板上的正投影位于所述透光区，且所述拓扑绝缘体层位于所述金属缓冲层以及所述发光层之间。

2.根据权利要求1所述的透明有机发光显示面板，其特征在于，所述金属缓冲层包括低透金属，形成所述拓扑绝缘体层的材料包括低透金属-有机拓扑绝缘体。

3.根据权利要求2所述的透明有机发光显示面板，其特征在于，所述低透金属包括Mg，所述金属缓冲层进一步包括高透金属，所述高透金属包括Ag，所述高透金属位于所述金属缓冲层中与所述透光区和所述发光区相对应处，所述低透金属位于所述金属缓冲层中和所述发光区相对应处，所述拓扑绝缘体层包括Mg-DAC。

4.根据权利要求1-3任一项所述的透明有机发光显示面板，其特征在于，所述透明有机发光显示面板在所述透光区的透过率大于70％。

5.根据权利要求4所述的透明有机发光显示面板，其特征在于，形成所述阴极的材料包括IZO，所述阴极的厚度为100～300nm。

6.根据权利要求5所述的透明有机发光显示面板，其特征在于，所述金属缓冲层的厚度为10nm以上。

7.一种制备透明有机发光显示面板的方法，其特征在于，包括：

在基板上形成多个有机发光二极管，所述基板上具有发光区以及透光区所述有机发光二极管位于所述发光区，所述有机发光二极管包括阳极、阴极，以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光层，所述阴极和所述发光层自所述发光区延伸至所述透光区，所述阴极和所述发光层之间具有金属缓冲层，

其中，在形成所述金属缓冲层之前，预先在所述发光层远离基板的一侧形成拓扑绝缘体层，所述拓扑绝缘体层在所述基板上的正投影位于所述透光区。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述金属缓冲层是通过蒸镀工艺形成的，形成所述金属缓冲层的蒸镀温度为450～600摄氏度；

所述拓扑绝缘体层是通过所述蒸镀工艺形成的，形成所述拓扑绝缘体层的蒸镀温度为300～450摄氏度。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法包括：

在所述基板上形成所述发光层；

在所述基板的所述透光区通过蒸镀工艺形成所述拓扑绝缘体层，所述拓扑绝缘体层覆盖所述发光层位于所述透光区的部分；

通过所述蒸镀工艺形成所述金属缓冲层，所述金属缓冲层覆盖位于所述发光区的所述发光层，以及位于所述透光区的所述拓扑绝缘体层，所述金属缓冲层中含有高透金属和低透金属，位于所述发光区处的所述金属缓冲层中具有所述高透金属和低透金属，位于所述透光区处的所述金属缓冲层中具有所述高透金属；

通过溅射工艺，在所述金属缓冲层远离所述基板的一侧形成所述阴极。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的透明有机发光显示面板。

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